Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Синтез, механизмы реакций термолиза и фотолиза летучих комплексов меди (I) , (II) и получение медных пленок на их основе

Диссертация: Синтез, механизмы реакций термолиза и фотолиза летучих комплексов меди (I) , (II) и получение медных пленок на их основе
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Медь может наноситься физическим осаждением из газовой фазы, то есть испарением и конденсацией в вакууме, распылением, гальваническими способами. Но химическое осаждение тонких медных пленок из газовой фазы (метод CVD — Chemical Vapor Deposition) предпочтительно при получении конформных (имеющих одинаковую толщину на горизонтальных и вертикальных ступеньках рельефа) и селективных покрытий… Читать ещё >

Синтез, механизмы реакций термолиза и фотолиза летучих комплексов меди (I) , (II) и получение медных пленок на их основе (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1. 1. Медная металлизация в интегральных микросхемах с субмикронными проектными нормами
      • 1. 1. 1. Основные направления и задачи исследований
      • 1. 1. 2. Преимущества метода CVD по сравнению с физическими методами осаждения
    • 1. 2. Комплексы меди (1) и (II) — предшественники в методе CVD. 17 1.2.1. Основные требования к предшественникам в методе CVD
      • 1. 2. 2. Синтез и реакция восстановления (3-дикетонатов меди (П)
      • 1. 2. 3. Синтез и реакция диспропорционирования производных меди (1)
    • 1. 3. УФ-стимулированные процессы в растворах и газовой фазе
    • 1. 4. Термолиз комплексов меди (1) и (И)
      • 1. 4. 1. Исследование термической устойчивости (3-дикетонатов меди (П) в конденсированной фазе
      • 1. 4. 2. Температурные зависимости давления насыщенных паров комплексов меди (1) и (И) и механизмы их термораспада
      • 1. 4. 3. Кинетика и механизмы реакции разложения комплексов меди (1)
    • 1. 5. Электронная структура
    • 1. 6. Тонкие медные пленки: структура и характеристики
      • 1. 6. 1. Влияние подложки
      • 1. 6. 2. Селективность осаждения
    • 1. 7. Медные пленки на основе (hfa)Cu-Cod
    • 1. 8. Постановка задачи исследования
  • 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТ
    • 2. 1. Синтез, очистка и идентификация комплексов меди (I) и (II)
      • 2. 1. 1. Исходные реагенты
      • 2. 1. 2. Методики синтеза
      • 2. 1. 3. Способы очистки
      • 2. 1. 4. Идентификация полученных соединений
    • 2. 2. Исследование спектральных характеристик комплексов меди (I) и (II) физическими методами
      • 2. 2. 1. Оптические спектры поглощения
      • 2. 2. 2. Фотоэлектронная и рентгеновская спектроскопия
    • 2. 3. Исследование термических свойств комплексов меди (1) и (II)
      • 2. 3. 1. Термоаналитическое исследование
      • 2. 3. 2. Измерение температурной зависимости давления насыщенного пара
    • 2. 4. Описание экспериментов для исследования механизмов реакций
      • 2. 4. 1. Реакции термолиза комплекса (hfa)Cu-Cod
      • 2. 4. 2. Вакуумный УФ-стимулированный термолиз комплекса (hfa)Cu-Cod на различных подложках
      • 2. 4. 3. Фотолиз перфторкарбоксилатных комплексов меди (И) в спиртовых обескислороженных растворах
    • 2. 5. Получение и исследование медных пленок
      • 2. 5. 1. Подготовка подложек.'
      • 2. 5. 2. Осаждение медных пленок методом CVD при атмосферном и пониженном давлении
      • 2. 5. 3. Аппаратура и методы исследования медных пленок
  • 3. РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
    • 3. 1. Синтез и очистка хелатных комплексов меди (1) и (И)
    • 3. 2. Исследование термических свойств медных комплексов
      • 3. 2. 1. Термоаналитические исследования
      • 3. 2. 2. Измерение температурной зависимости давления насыщенного пара
      • 3. 2. 3. Исследование реакции термолиза (hfa)Cu-Cod
      • 3. 2. 4. Механизм высоковакуумного УФ-стимулированного. термолиза (hfa)Cu-Cod
    • 3. 3. Электронная структура (hfa)Cu-Cod
      • 3. 3. 1. Фотоэлектронная и рентгеновская спектроскопия
      • 3. 3. 2. Детали расчета и оптимизации геометрии комплекса
      • 3. 3. 3. Диаграмма энергетических уровней комплекса
      • 3. 3. 4. МО комплекса и особенности фотоэлектронного спектра
      • 3. 3. 5. Анализ МО комплекса
      • 3. 3. 6. Выводы
    • 3. 4. Фотолиз карбоксилатных комплексов меди (П)
      • 3. 4. 1. Электронные спектры поглощения перфторалкилкарбок-силатов меди (Н)
      • 3. 4. 2. Фотолиз ацетата меди (И) в спиртовых растворах
      • 3. 4. 3. Фотохимия перфорированных карбоксилатов меди (Н) в спиртовых растворах
    • 3. 5. Получение медных пленок и их исследование
      • 3. 5. 1. Получение медных пленок при атмосферном давлении
      • 3. 5. 2. Исследование медных пленок, полученных методом
  • CVD при пониженном давлении
  • ВЫВОДЫ

Актуальность темы

Конец XX и начало XXI веков ознаменованы интенсивным развитием электронной промышленности, которая является одной из основ научно-технического прогресса. Стремление к миниатюризации интегральных микросхем (ИМ) и повышение их функциональной сложности предъявляют все более высокие требования к металлическим проводникам, роль которых выполняют тонкие проводящие пленки. Многоуровневая металлизация с промежуточными изолирующими слоями, применяемая в ИМ с ультрабольшой степенью интеграции (более 16 млн компонентов на одну ИМ), обусловливает необходимость уменьшения ширины тонкопленочных проводников. Большие плотности тока, возникающие из-за малого поперечного сечения, приводят к таким проблемам как электромиграция, стресс-миграция (трещины), что характерно для металлизации алюминием и его сплавами.

Современная технология полупроводниковой микроэлектроники переходит на медную металлизацию, так как медь обладает значительной устойчивостью по отношению к электромиграции, высокими теплоемкостью, теплои электропроводностью. Но актуальность исследований для решения многих вопросов, связанных с медной металлизацией, по-прежнему значительна.

Медь может наноситься физическим осаждением из газовой фазы, то есть испарением и конденсацией в вакууме, распылением, гальваническими способами. Но химическое осаждение тонких медных пленок из газовой фазы (метод CVD — Chemical Vapor Deposition) предпочтительно при получении конформных (имеющих одинаковую толщину на горизонтальных и вертикальных ступеньках рельефа) и селективных покрытий, а также при заполнении отверстий и канавок в структурах, имеющих высокое AR (aspect ratio) — геометрическое отношение глубины узкого пространства между элементами к величине зазора между ними. Актуальны исследования с использованием дополнительных методов стимуляции CVD процессов (УФ-облучение, воздействие лазером, плазмой и т. д.).

Одним из наиболее широко исследуемых классов исходных веществ для получения тонких медных пленок являются (3-дикетонатные комплексы ме-ди (1) с основаниями Льюиса. Однако механизмы реакций термического и фо-толитического разложения летучих медьсодержащих соединений остаются пока во многом неясными. Важной задачей является изучение влияния условий процесса осаждения и материала подложки на структуру, рельеф поверхности и электропроводность получаемых пленок меди. Также актуальны активные исследования по поиску новых классов соединений меди (1) и (П) для использования в качестве предшественников при получении пленок металлической меди.

Работа проводилась по плану Института неорганической химии СО РАН (Новосибирск) и в рамках проекта РФФИ (99−03−32 272). Работа поддержана грантом Фонда Сороса.

Целью настоящей работы является синтез исходных комплексов ме-ди (1) и (II) для получения пленок меди методом CVD, исследование термических свойств и механизмов разложения молекул (термолиз, фотолиз), определение приемлемых режимов процесса осаждения и изучение свойств полученных медных пленок.

При этом решались следующие задачи:

• синтез и физико-химическое исследование новых метокси-(3-дикетонатов меди (Н), не содержащих атомов фтора, для использования в CVD-процессе получения пленок меди;

• оптимизация методики синтеза комплекса гексафторацетилацетоната ме-ди (1) с 1,5-циклооктадиеном — (hfa)Cu-Cod;

• масс-спектрометрическое исследование механизма образования металлической меди в реакциях термолиза и УФ-стимулированных термолитических превращениях на различных подложках комплекса (hfa)Cu-Cod, определение кинетических параметров реакции;

• исследование электронной структуры комплекса (hfa)Cu-Cod;

• измерение температурных зависимостей давления насыщенного пара комплексов меди (1) и (II) и определение термодинамических характеристик процессов парообразования;

• исследование фотолитических (без термической составляющей) превращений диоксановых перфторакилкарбоксилатных комплексов меди (И) в спиртовых растворах.

• выбор приемлемых параметров осаждения пленок меди из предшественников меди (1) и (II) на различные подложки в процессах CVD при атмосферном и пониженном давлениях;

• исследование процесса роста пленок, морфологии поверхности и электрофизических свойств в зависимости от условий осаждения и материала подложки ,.

Научная новизна. Синтезирован и охарактеризован ряд новых веществ-предшественников — метокси-|3-дикетонатов меди (П). Некоторые из этих веществ — жидкости, что предпочтительно для CVD-процессов нанесения пленок. Показана возможность их использования в качестве CVD-предшественников,.

Измерены температурные зависимости давления насыщенных паров комплекса меди (I) — (hfa)Cu-Cod и жидкого метокси-(3-дикетоната меди (П) -Cu (L2)^ —5йс (2,6-диметил-6-метоксидодекан-3,5-дионата меди (И)) масс-спектрометрическим эффузионным методом Кнудсена. Вычислены термодинамические параметры процесса сублимации и испарения.

Методом масс-спектроскопии исследована реакция термолиза комплекса (hfa)Cu-Cod и УФ-стимулированный термораспад молекул этого комплекса на различных подложках. Предложена схема УФ-стимулированного термораспада.

Предложен и экспериментально обоснован двухстадийный радикальный механизм фотолиза на примере ряда летучих диоксановых комплексов пер-фторалкилкарбоксилатов меди (П).

Впервые полностью описана электронная структура комплекса (hfa)Cu-Cod на основании фотоэлектронных (Не I) и рентгено-флуоресцентных спектров (СКа-спектры), а также неэмпирического кванто-вохимического расчета в приближении функционала плотности (B3LYP методом),.

Практическая значимость. Усовершенствована методика синтеза одного из широко используемых предшественников — (hfa)Cu-Cod, что позволило получать данное вещество с высоким выходом без использования шленков-ской технологии и сухой камеры.

Определены приемлемые режимы осаждения пленок меди из новых жидких метокси-(3-дикетонатов меди (П) в вертикальном CVD-реакторе с холодными стенками при атмосферном давлении. Показана возможность их использования в качестве CVD — предшественников.

Практическую значимость представляют данные о морфологии поверхности (определены значения среднеквадратичной шероховатости и фрактальной размерности) и электропроводности пленок меди на различных подложках (Ti, Si02/Si, Si3N4/Si, ситалл, фторопласт), полученных в условии однократных столкновений с подложкой (молекулярного пучка) из комплекса (hfa)Cu-Cod при давлении 1-Ю" 5 Торр.

На защиту выносятся:

• синтез и физико-химические свойства новых жидких и легкоплавких исходных летучих метокси-(3-дикетонатов меди (П);

• усовершенствованная методика синтеза комплекса меди (I) (hfa)Cu-Cod;

• данные по электронной структуре комплекса (hfa)Cu-Cod;

• результаты исследования температурных зависимостей давления насыщенного пара и термодинамические параметры процессов сублимации и парообразования комплексов меди (1) и (II);

• исследование образования металлической меди в реакциях термолиза комплекса меди (1) (hfa)Cu-Cod и механизм термических превращений с УФ-стимулированием при осаждении на различные типы подложек;

• механизм фотолиза комплексов меди (И) в спиртовых обескислороженных растворах;

• данные по исследованию морфологии поверхности и электрофизических свойств пленок меди в зависимости от условий осаждения и материала подложки.

Работа выполнена в соответствии с планами НИР ИНХ СО РАН «Изучение химии простых и комплексных летучих соединений» номер госрегистрации № 1 860 108 864 и «Новые материалы и вещества — основа создания нового поколения техники, технологии. Синтез и исследование свойств и процессов разложения летучих металлорганических соединений как исходных материалов для получения покрытий» Шифр 10.1.5.4. и в рамках проекта РФФИ (9903−32 272). Работа поддержана грантом фонда Сороса.

Апробация работы. Материалы диссертации были представлены на XVIII Международной конференции по фотохимии (Варшава, Польша 1997) — XVII Симпозиуме ИЮПАК по фотохимии (Барселона, Испания 1998) — III Научно-технической конференции «Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем» (Зеленоград, Россия, 2000) — XIII Европейской конференции по химическому осаждению из газовой фазы «EUROCVD 13» (Глифада, Греция, 2001) — XVII Межреспубликанской конференции «Численные методы решения задач теории упругости и пластичности» (Новосибирск, Россия, 2001) — XIV Международный симпозиум «Тонкие пленки в оптике и электронике» (Харьков, Украина, 2002).

Публикации по работе. Основное содержание работы изложено в десяти научных публикациях.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, трех глав, выводов и изложена на 140 страницах, включая 27 рисунков, 13 таблиц и список литературы (125 наименований).

выводы.

1. Синтезированы и охарактеризованы семь новых летучих метокси-Р-дикетонатов меди (П). Методом ДТА обнаружено, что при нагревании в атмосфере гелия комплексы полностью переходят в газовую фазу. Впервые получены тонкие пленки меди из жидких метокси-Р-дикетонатов меди (П) с хорошей адгезией к подложке Si3N4/Si.

2. Усовершенствована методика синтеза перспективного предшественника для низкотемпературного получения пленок меди — комплекса (hfa)Cu-Cod. Методом масс-спектрометрии исследован термораспад комплекса, установлены газообразные продукты и температурные интервалы их образования. Определены эффективные кинетические параметры реакции.

3. Впервые полностью описана электронная структура комплекса (hfa)Cu-Cod на основании фотоэлектронных (Не I) и рентгено-флуоресцентных спектров (С&х-спектры), а также неэмпирического квантово-химического расчета в приближении функционала плотности (B3LYP метод).

4. Масс-спектрометрическим эффузионным методом Кнудсена измерены температурные зависимости давления насыщенного пара (hfa)Cu-Cod и 2,6-диметил-6-метоксидодекан-3,5-дионата меди (И) — Си (Ь2)г. Из экспериментальных данных Р = j (T) рассчитаны термодинамические параметры сублимации и парообразования комплексов (АН°Г и AS°t).

5. Методом высокотемпературной масс-спектрометрии исследован УФ-стимулированный термораспад молекул комплекса (hfa)Cu-Cod на различных подложках. Предложена схема термораспада.

6. Предложен и экспериментально обоснован двухстадийный радикальный механизм фотолиза на примере ряда полифторкарбоксилатов меди (Н), протекающего с образованием металлической меди. Определены продукты превращений. Показано, что протекание как реакции фотолиза, так и темновых процессов может приводить к образованию производных меди (1).

7. Определены приемлемые режимы осаждения пленок меди из комплекса (hfa)Cu-Cod на различные подложки (Ti/ситалл, Si02/Si, Si3N4/Si, ситалл, фторопласт) в процессах CVD при пониженном давлении. Удельное электросопротивление полученных пленок меди на подложках Ti/ситалл и Si02/Si составляет 1,67−1,71 мкОм-см, что соответствует чистой металлической меди. Исследована морфология поверхности пленок, определены значения среднеквадратичной шероховатости и фрактальной размерности.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Gardini P., Glaze J., Williams O. The SIAs National Technology Roadmap for Semiconductors IJ Solid State Technology 1998. — V.41, N 1. — P. 73−76.
  2. The Chemistry of Metal CVD (Ed. T.T.Kodas, M.J.Hampden-Smith). Wein-heim, 1994.-P. 175−238.
  3. Ни C.-K., Small M.B., Kaufman F., Pearson D.J. Tungsten and Other Advansed Metal for VLSI/ULSI Application (eds. Material Research Society, Pittsburgh, PA, 1990.-P. 369−373.
  4. Arita Y., Awaya N., Amazawa Т., Mutsuda T. Deep submicron Cu planar interconnection technology using Cu selective chemical vapor deposition // Intl. Electron Devices Meet. Tech. Digest IEEE 1989. — P. 893−895.
  5. Pai P.-L., Ting C.H. Copper as future interconnection material // VLSI Multilevel Interconnection Conf. 1989. — V.6. — P. 258−264.
  6. Gutmann R.J., Chow T.P., Kaloyeros A. E, Lanford W.A., Muraka S.P. Thermal stability of on chip copper interconnect structures // Thin Solid Films. 1995. -V.262. — P.177−186.
  7. Wang M.T., Lin Y.C., Chen M.C. Barrier Properties of Very Thin Та and TaN Layers Aganist Copper Diffusion // J.Electrochem. Soc. 1998. V.145. — P. 2538−2544.
  8. П.Васильев В. Ю. Тенденции развития технологии и аппаратуры химического осаждения тонких диэлектрических слоев на основе диоксида кремния в микроэлектронике // Микроэлектроника -1999. Т.28, № 3. — С.-175−200.
  9. Baum Т.Н. and Larson С.Е. A novel copper and CVD precursor: ® -butyne) copper^) hexafluoroacetylacetonate // Chem. Mater- 1992. V.4, N2. — P.365−369.
  10. Doppelt P. Why is coordination chemistry stretching the limits of micro-electronics technology//Coord.Chem.Rev., Pt.2.- 1998.-V.l 78−180.-P. 1785−1809.
  11. Doyle G., Eriksen K.A., Engen D.V. Alkene and carbon monoxide derivatives of copper (I) and silver (I) |3- diketonates // Organometallics. 1985. -V.4. -P. 830−835.
  12. Choi E.S., Park S.K., Shin H.K., Lee H.H. Chemical vapor deposition of copper with a new metalorganic source//Appl.Phys.Lett. 1996. — V.68.N12. -P. 1017−1019.
  13. Kang S.-W., Park M.-Y., Rhee S.-W. Hexafluoroacetylacetonate Cu vinylcyclohex-ane as a liquid precursor for low temperature chemical vapor deposition of copper thin films //Electrochem. and Solid-State Lett. -1999. — V.2, N1. — P. 22−23.
  14. Maury F. Recent Trends in the Selection of Metal-Organic Precursors for MOCVD Process // J.Physiq. IV 1995. — V.l. — P.5. 449−463.
  15. Roger C., Corbitt T.S., Hampden-Smith M.J., Kodas T.T. Aerosol-assisted chemical vapor deposition of copper: a liquid delivery approach to metal thin films // Appl.Phys.Lett 1994. — V.65, N8. — P. 1021−1023.
  16. Petersen G.A., Parmeter J.E., Apblett C.A. Gonzales M.F., Smith P.M., Omstead T.R., Norman J.A.T. Enhanced Chemical Vapor Deposition of Copper from (hfac)Cu (TMVS) Using Liquid Coinjection of TMVS // J.Electrochem.Soc. -1995.- V.142, N3. P. 939−944.
  17. Moller A., Kail R., Till V., Wortberg G., Adomeit G. Experimental and theoretical investigation of low-pressure CVD of Cu using Cul as precursor // J. Crystal Growth 1997. — V.174.-P. 837−844.
  18. Chichibu S., YoshidaN., Higuchi H., Matsumoto S. Chemical Vapor Deposition of Cu Film on Si02 Using Cyclopentadienylcoppertriethylphosphine // J.Appl.Phys. -1992. V.31.-P. L1778-L1780.
  19. Turgambaeva A.E., Bykov A.F., Igumenov I.K.Mass Spectrometric Study of Cop-per (II) (3-Diketonates Vapor Thermolys Mechanism and Kinetics //J. Physique IV -1995.-V.5.-P.C5−221−228.
  20. Bykov A.F. Semyannikov P.P. Igumenov I.K. Mass spectrometric study of thermal stability of copper (II) bis (dipivaloylmethanate) vapor // J.Therm.Anal. 1992. -V.38. -P.1463−1475.
  21. Г. В., Гиричева Н. И., Белова H.B., Кузьмина Н. П., Кауль А. Р., Горбенко О. Ю. Изучение процессов межлигандного обмена между Cu(AA)2 и У (ДПМ)з в газовой фазе // Журн. неорг.химии. 1993. — Т.38, вып.8 — С.1359−1364.
  22. Е.И., Дягилева Л. М. Реакционная способность Р-дикетонатов металлов в реакции термораспада // Усп. Химии. 1996. — Т.65, вып.4. -С.334−349.
  23. И.К., Чумаченко Ю. В., ЗемсковС.В. Тенземетрическое изучение летучих Р-дикетонатов металлов П В кн.: Проблемы химии и применения летучих Р-дикетонатов металлов. М.: Наука, 1982. С 100−120.
  24. Troyanov S.I., Gorbenko O.Yu., Bosak A.A. Synthesis and crystal structure of copper (II) 2,2,6,6-tetramethylheptan 3,5-dionate adduct with o-phenanthroline // Polyhedron. 1997.- V.16. — P. l595−1598.
  25. Б.ГГрибов, ГАДомрачев, Б. В. Жук, Б. С. Каверин, Б. И. Козыркин, В. В. Мельников, О. Н. Суворова. Осаждение пленок и покрытий разложением металлоорганических соединений. (Под ред. Г. А.Разуваева).Москва, Наука, 1981.
  26. Строение, свойства и применение (3-дикетонатов металлов. М.: Наука 1978.-203с.
  27. Van Hemert R.L., Spendlove L.B., Sievers R.E. Vapor Deposition of Metals by Hydrogen Reduction of Metal Chelates // J.Electrochem.Soc. 1965. — V.112. -P. 1123−1126.
  28. Temple D, Reisman A. Chemical Vapor of Copper from Copperfll) Hexafluoroacetylacetonate//J. Electrochem. Soc.-1989.-V.136, N 11. -P. 3525−3528.
  29. Hazuki Y., Yano H., Horioka K., Hayasaka N., Okano H. Tungsten and Other Advanced Metal for VLSI/ULSI Application (eds. Material Research Society, Pittsburgh, PA, -1990. P. 351−357.
  30. A.E., Feng A., Carhart J., Brooks K.S., Ghosh S.K., Saxena A.N. Luehers F. // J.Electronic.Mater. -1990. V. 19. — P.271
  31. Lai W.G., Xie Y., Griffin G.L. Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition of Copper Thin Films // J.Electrochem.Soc. 1991. — V. l 38. — P.3499−3504.
  32. Awaya N., Arita Y Advanced Metal for VLSI/ULSI Application, Rana. V.V.S. Joshi R.V. Ohdomari I. (eds.), Material Research Society, Pittsburg, PA. -1992. -P. 345−354.
  33. Chemical Vapor Deposition Precursor (1,1,1,5,5,5-Hexafluoro-2,4-pentandionato) (^i -1,5-cyclooctadiene) copper (I) Studied by variable Temperature X-ray Crystallogrffy and solid state NMR-Spectroscopy // Chem. Mater. -1992. V.4. — P. 577−582.
  34. Henne A.L., Newman M.S., Quill L.L., Staniford R.A. The Alkaline Condensation of Fluorinated Ethers with Ether and Ketones // J.Am.Chem.Sos. 1947. — V.69. -P.1819−1820.
  35. B.H., Круподер C.A. Тонкие пленки меди, получаемые из паровой фазы летучих производных меди (П) и меди (I) CVD-методом. // Успехи химии -2000. Т.69, вып.12. — С. 1149−1177.
  36. Belford R.L., Martell А.Е., Calvin М. Influence of fluorine substitution on the properties of metal chelate compounds // J.Inorg.Nucl.Chem. -1956. V.2. — P. l 1 -31.
  37. Y., Fasasi A.Y. //Chem. Mater. 1991. — V.3. -P. 45−50.
  38. Zheng B, Eisenbraun E.T., Liu J., Kaloyeros A.E. Device-quality copper using chemical vapor deposition of P-diketonate source precursors in liquid solution // Appl.Phys.Lett. 1992. — V.61. -P. 2175−2178.
  39. Kim J.Y., Lee Y.K.^ark H.S., Park J.W., Park D.K., Joo J.H., Lee W.H., Ко Y.K., Reucroft PJ., Cho B.R. Deposition mechanism of MOCVD copper films in the presenceof water-vapor// Thin Solid Films. -1998. V.330, N2. — P. 190−195.
  40. Son J.H., Park M.Y., Rhee S.W. Growth-rate and microstructure of copper thin-films deposited with metal-organic chemical-vapor-deposition fromhexafluoroacetylacetonate copper (I) allyltrimethylsilane // Thin Solid Films -1998. -V.335, N1−2.-P. 229−236.
  41. Hampden-Smith M.J., Kodas T.T. Chemical vapor depositon of copper from (hfac)CuL compounds // Polyhedron. -1995. V. 14. — N6. — P. 699−732.
  42. Norman J.A.T. Advances in copper CVD for the semiconductor industry // J. Phys. IV. 2001. V.ll.-P. 497−503.
  43. И.А., Салоутин В. И., Пашкевич К. И., Постовский И .Я. // Журн. Общей Химии. -1981. Т.51. — Р. 706.
  44. В.И., Пашкевич К.И, Питерских И. А., Постовский И. Я. Фотовосстановление медных солей гидратов фторсодержащих а-кетокислот // Изв. АН СССР. Сер. Хим. -1981. -Т.10. С. 2379−2381.
  45. Martin A J., Bulk R.H., Loasby R.G., Savage J. The production of electrically conductive Tracks by electron or laser-beam decomposition of inorganic metallic compounds. Oxide system // Thin Solid Films. 1968. — V.2. — P. 253
  46. Плазменная технология в производстве СБИС. Под ред. Н. Айнспрука, Д. Брауна. М.:Мир. 1987.470с.
  47. Perry W.L., Jain A., Kodas Т.Т., Hampden-Smith M.J. Selective chemical vapor deposition on excimer laser patterned polytetrafluoroethylene from hexafluoroacetylacetonate copper (I) vinyltrimethylsilane // Thin Solid Films 1995. -V.262,Nl-2. -P.7−11.
  48. Jones C. R, Hoyle F.A., Kovac C.A., Baum Т.Н. // Appl. Phys. Lett. 1985. — V.46. -P. 97
  49. Chen Y.D., Reisman A., Turlik I., Temple D. Cu CVD from соррег (П) hexafluoroacetylacetonate. IA cold wall reactor desing blanket growth rate and natural selectivity // J. Electrochem. Soc. -1995. V. 142. -P. 3909−3911.
  50. F.A., Wilson R.J., Ваши Т. Н. // J. Vac. Sci. Technol. -1986. V. A4. — P. 2452
  51. F.A. // Appl.Phys. -1986. V. A41. — P. 315
  52. А.Ф. Масс-спектрометрическое исследование термораспада паров ряда (3-дикетонатов металлов, образующих оксиды в конденсированной фазе: Автореферат дисс. канд. ф.-м. Наук: 02.00.04 / ИНХ СО РАН. Новосибирск, 1995.-18с.
  53. М.З., Сас Т.М., Зеленцов В. В., Степин Б. Д., Мазепова Н. Е. Влияние фторзамещения в лиганде на термическую устойчивость (3-дикетонатов переходных элементов // Журн. неорг.химии. 1975. — Т. ХХ, вып.2. — С. 452−458.
  54. Е.А., Зуб В .Я., Врочинский СЛ., Вожов С. В. Кинетика термической диссоциации бис-р-дикетонатов меди (П) // Укр. хим. журн. 1988. — Т.54, N12. -С.1235−1237.
  55. Стабников П.А. .// Межмолекулярное взаимодействие в кристаллах (3-дикетонатов меди: Автореф. дисс .канд. хим. наук: 02.00.01 / ИНХ СО АН СССР. Новосибирск, 1988. 18с.
  56. Ohrbach К.-Н., RadhofF G., Kettrup A. TG-DTA-MS investigation of copper chelates with various P-diketones as ligands // Thermochim.Acta. 1983. — V.67. — P. 197−203.
  57. Ю.А., Дягилева JIM., Цыганова Е. И. Термическое разложение органических производных переходных металлов. М.: Наука. 1993. 208с.
  58. Li X., Bancroft G.M., Pudderhatt R.J., Yuan Zh., Tan K.H. Electronic structures of copper (I) and silver (I) p-diketonate complexes // Inorg.Chem. -1996. V.35. — P. 50 405 049.
  59. H.B., Индричан K.M. Масс-спектрометрия координационных соединений. Кишинев: Штиинца. 1984. -338с.
  60. И.П., Алиханян А. С., Филатов Н. Ю., Казанская И. Л., Севастьянов В. Г. Летучесть и строение ацетилацетонатов CuD, Pdn, Rhn и пропионилацетоната С¥-/ Журн.неорг.химии. -1991. Т.36, вьш.12. -С. 3112−3118.
  61. W.R., Siever RE., Brown G.H. // Inorg.Chem. 1972. — V. 11. — P. l 99
  62. Reynolds S. K., Smart С J., Baran E.F., Baum Т.Н., Larson C.E., Brock P.J. Chemical vapor deposition of copper from 1,5-cyclooctadiene copper (I) hexafluoroacelylacetonate// Appl.Phys.Lett. -1991. V.59, N18. — P.2332 -2335.
  63. Norman J.A.T., Muratore B.A. Dyer P.N., Roberts D.A., Hochberg A.K. // J. de Physique. -1991. V. IY (1). — P. C2−271
  64. T.A., Кузьмина Н. П., Исаева E.B., Ильина Е. Г. Корсаков И.Е. Вааль Г. Математическое моделирование кинетики испарения летучих координационных соединений // Журн. неорг. химии. -1999. Т.44, вып.2. — С. 285−289.
  65. A.E. Масс-спектрометрическое исследование термических превращений паров Р-дикетонатов меди (П): Автореферат дисс. .канд. х. наук: 02.00.04 / ИНХ СО РАН. Новосибирск, 1996.
  66. Naik M.B.,.Lakshmanan S. K, Wentorf R.N., Reeves R. R, Gill W.N. Thermal chemical vapor deposition of copper from hexafluoroacelylacetonate Cu (I) vmyltrimethylsilane: kinetic studies // Journal of Crystal Growth -1998. V.193. — P. 133−147.
  67. Jain A., Chi K.-M., Kodas T.T., Hampden-Smith M.J., Farr J.D. and Paffett M.F. Selective low temperature chemical vapor deposition of copper from new copper (I) compounds // Proc. SPIE Int.Soc.Opt. -1991 1596. — P. 23−33.
  68. A Jain, K.M.Chi, J. Farkas, M.J.Hampden-Smith, T.T.Kodas, M.F.Paffett, J.D.Farr.// J. Mater. Res. -1992. V.7 — P. 261.
  69. Jeffries P.M., Dibois L.H., GirolamiG.S. // Chem.Mater. -1992. V.4. — P. 1169
  70. В.И., Львов И. Б., Иванов Ю. В. Электронная структура и фотоэлектронные спектры Р-дикетонатных комплексов никеля(И) и меди (П) // Поверхность. -1997. № 8.-С. 31−39.
  71. А.Ю., Устинова О. М., Вовна В. И. Электронная спектроскопия и электронная структура трис-Р-дикетонатов металлов // Поверхность -1997. № 8. -С. 47−51.
  72. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. Под ред. Дж. Поуга, К. Ту, Дж.Мейера. М.: Мир, 1982.
  73. Г. А. Резистивные пленочные материалы, полученные по металл оорганической технологии // Применение металлоорганических соединений для получения неорганических покрытий и материалов: Тез. докл. IV Всесоюзной школы. Горький, 1989С.74−86.
  74. Технология тонких пленок: Справочник. Под ред. Л. Майссеяа, Р.Глэнга. М.: Советское радио, 1977, Т. 1
  75. Cohen S.L., Liehr M, Kasi S. Selectivity in copper chemical vapor deposition // Appl.Phys.Lett. -1992. V.60. — P. 1585−1587.
  76. Potochnic S.J., Pehrsson P.E., Hsu D.S.Y., Galvert J.M. Selecive copper chemical vapor deposition using Pd-activated organosilane films // Langmuir. 1995 — V. l 1, N6. — P. 1841−1845.
  77. Webb J.B., Northcott D., Emesh I. Growth, selectivity and adhesion of CVD-deposited copper from Cu+1 (hexafluoroacetylacetonate trimethylvinylsilane) and diclorodimethylsilane //Thin Solid Films. -1995. V.270. — P. 483−488
  78. Stumm Т.Н., Bergh H. Selectivity in low pressure chemical vapor deposition of copper from hexafluoroacetylacetonate-copper (I) trimethylvinylsilane in the presence of water//Mater. Sci. and Eng. -1994. — V. B23. — P. 48−53.
  79. Awaya N., Arita Y. Cany-gas effects on characteristics of copper chemical vapor deposition using hexafluoro-acetylacetonate-copper (l) trimethylvinylsilane // Thin Solid Films.- 1995.-V.262.-P. 12−19.
  80. Ф. Химия несовершенных кристаллов. M.: Мир, 1969.
  81. Chae Y.K., Shimogaki Y., Komiyama H. The role of gas-phase reaction during chemical vapor deposition of copper from (hfac)Cu (tmvs) // J.Electrochem.Soc. -1998. V.145. — N12. — P.4226−4233.
  82. Gleizes A.N., Vidal S., Davazoglou D. Fabrication of fine copper lines AZ 5214™ patterned silicon substrates by selective chemical vapor deposition // J. Phys. IV. 2001. V.ll.-P. 1197−1201.
  83. Kroger R., Eizenberg M., Rabkin E., Cong D., Chen L. The role of kinetics in the nucleation and void formation in copper films produced by chemical vapor deposition // J. Appl. Phis. 2000. — V.88. — N4. — P. 1867−1872.14.
  84. Inorganic syntheses.V.2. Coper (I) chloride. P. 1−4.
  85. Krupoder S.A., Danilovich V.S., Miller A.O., Furin G.G. Polyfluorocarboxylates. I. СоррегЩ) trifluoroacetate and its analogues // J. Fluor. Chem. -1995. V.73. — P. 13 -15.
  86. В.М., Семянников П. П. Источник ионов и высокотемпературный источник молекулярного пучка к масс-спектрометру МИ-1201 // Приборы и техника эксперимента -1991.-N4.-С. 129−132.
  87. JI.H., Коробов М. В., Журавлева JI.B. Масс-спектральные термодинамические исследования.-М. :Изд.МГУ, 1985.-208с.
  88. В.А., Коковин Г. А. Математические проблемы химии./ Под ред. В. Д. Кудрина. Новосибирск: Изд. СО АН СССР, 1975. — С. 25−34.
  89. V.P., Khmelinsky I.V., Pliusnin V.F., Blinov I.I., Balashev K.P. // J.Photochem.Photobiol. A: Chem. -1990. V.51, N3. — P. 167-.
  90. A.C., Шерпша С. И., Хабибулина Г. И. и др. Синтез р-дикетонов и ацетиленовых кетонов на основе простых эфиров третичных диацетиленовых спиртов // Изв. АН СССР Сер.хим. -1977. N.12. — С.2781−2784.
  91. А.В. Термодинамическая химия парообразного состояния.-JL: Химия, 1970.-207с.
  92. Becke A.D. Density-functional thermochemistry. Ill The role of exact exchenge // J. Chem. Phys. 1993. — V.98. — P. 5648−5652.
  93. Jaguar 3.5, Schrodinger, Inc., Portland, OR, 1998.
  94. B.B., Мазалов Л. Н., Булушева Л. Г. Пофрагментарный анализ молекулярных орбиталей ряда замещенных бензолов // Журн.структ.хим. -1989. -Т.30.-С. 31−39.
  95. Schaftenaar, G. MOLDEN (CAOS/CAMMCenter, The Netherlands, 1991).
  96. Bulusheva L.G., Okotrub A. V., Liskovskaya Т. I., Krupoder S. A., Gusel’nikov A. V., Manaev A. V, and Traven V. F. Electronic Structure of 1,5-Cyclooctadiene-copper (I)-hexafluoroacetylacetonate // J. Phys.Chem., Pt. A -.2001. V.105. — P. 8200−8205.
  97. H. Remy. Treatise on inorganic chemistry, Amsterdam: Elsevier, 1956, V. 1, P. 809.
  98. Van Niekerk J.N. and Shoening F.R. A new type of copper complex as found in the crystal structure of cupric acetate Cu2(CH3C00)42H20 // Acta Cryst. -. 1953.- V.6.-P. 227.
  99. Takeda K. and Iwakura Y. //Bull. Chem. Soc. Japan. 1968. — V.41 — P. 268.
  100. Gafhey H.D. and Lintvedt R. L Photochemical Reactions of copper (П) -1,3-diketonate Complexes // J.Amer.Chem.Soc. -1971. V.93. — P. 1623−1628.
  101. Marchiniak B. and Buono-Core G.E. // J. Photochem. Photobiol. A.:Chem. 1990 -V.52.-P. 1.
  102. D.W., Salmon G.A. // Can. Chem. J. 1977. — V.55. — P.2030.
  103. W., Rajbenbach L., Eirich F.R. // J.Phys.Chem. -1962. V.66. — P. 1591
  104. Bullock G. and Cooper R. Reactions of Aqueous Trifluoromethyl Radicals // Trans. Faraday Soc. 1970. — V.66 — P. 2055−2064.
  105. C.A., Райцимринг A.M., Цветков Ю.Д Масштаб пространственного перемещения свободной валентности в ходе низкотемпературных радикальных реакций в изопропаноле // Теор. Экспер. Хим. -1979. Т.15 — С. 541−546.
  106. Chow Y.L., Buono-Core G.E. //Can. J. Chem. -1983.- V.61 -P. 795.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!