Глубокие энергетические центры в интегральных схемах на арсениде галлия

Основные результаты исследования полевых транзисторов приведены выше.

Исследования же цифровых ИС подтвердили стабильную работу в диапазоне температур — 190. + 250 °C. Так, счетный триггер устойчиво делил частоту подаваемой на него последовательности импульсов, а время задержки на каскад, определяемое с помощью кольцевого генератора, изменялось в указанном диапазоне температур в пределах 80.90 пс. Температурные изменения значений пороговых напряжений и крутизны р+ - S-IJT. не превышали, соответственно, 1,2 мВ град и 0,14% град, что позволяет надеяться на возможность стабильной работы цифровых ИС к при более высоких температурах. Если в цифровых ИС, в силу пороговости их свойств, слабые паразитные связи и некоторые изменения проводимости каналов полевых транзисторов могут и не играть существенной роли (запас помехоустойчивости вентилей буферной и истоковой логик на р+ -8-ПТ составляет~ 0,4 В), то для аналоговых ИС, особенно оперирующих с малыми сигналами, указанные изменения способны привести к резким отклонениям в режимах работы электронных устройств.

Это особенно проявляется в работе ИС компаратора (рис. 4.50, работающего в режиме линейного усиления. Исследовались ИС компараторы с чувтсвительностью не хуже 200 мВ, с диапазоном линейности по входу ± 500 мВкоэффициент усиления изменялся в диапазоне 3.10 при изменениях напряжения питания в диапазоне 6.9 В. В поведении ИС, начиная с температур 180.200 С, наблюдаются особенности, касающиеся коэффициента усиления (Кес)и выходного напряжения (АУВЫХ) (рис. 4.6). Вплоть до температур ~ 170 С средний температурный коэффициент изменений Кес не превышает 0,03% град, но уже в диапазоне 180.200 С его изменения составляют в среднем- 3% град. При этом, в области высоких температур ассиметрия выходного напряжения изменяется от образца к образцу случайным образом, что лишает дифференциальные схемы ожидаемого преимущества. Кроме того, в режимах с коэффициентом усиления 8. 10, при достижении температур 150. 180 С работа ИС становится крайне неустойчивой.

Таким образом, характер изменения поведения усилителя при превышении температурой некоторого критического значения, подтверждает, что факторы определяющие верхнюю температурную границу стабильной работы ИС, имеют генерационно.

— leoc^ r, см icip of the function J 2w (xry) — mean value J 2w + 40 X, CM.

J win = 170 J max = 673 J mean value = 489.5189.

Рис. 4.8. Карта упругих напряжений и распределения ГУ (Е t -0.9 эВ) в падложке для GaAs ИС (СагисМ): N1015слГ3. рекомбинационную природу, а характерные температуры процессов указывают на участие в них ГУ подложки. Регистрируемые функциональные зависимости величины пороговых температур и величины реальных разбалансов плеч дифференциальных схем соответствуют оценкам, полученным на основе предложенной модели паразитной автомодуляции проводимости каналов ПТ.

4.4. Система характеризации подложек и приборных структур.

Первостепенное значение приобретает выбор исходных подложек и приборных структур с однородным распределением ГУ в плоскости пластины. В частности, на рис. 4.7 представлена топограмма распределения пороговых напряжений в плоскости пластины, а на рис. Соответствующая карта распределений ГУ, полученная методом [80] с тыльной стороны подложки. Нетрудно заметить значимую корреляцию концентрации ГУ и величины пороговых значений напряжений.

Из результатов выше изложенных исследований вытекает ряд рекомендаций по выбору материала, технологии изготовления, топологии и схемотехники в зависимости от функционального назначения ИС. Как следует из выше изложенного, при выборе подложки недостаточно ориентироваться только на величину удельного сопротивления. Необходимо иметь информацию о темпе эмиссии носителей с ГУ в области рабочих температур. Неоднородность в распределении ГУ может влиять на выбор схемотехнических решений задачи. Так, использование дифференциальных схем не только не спасает положения, но как было показано выше, может привести к резкому ухудшению ситуации. Поэтому, на наш взгляд, для усиления слабого сигнала предпочтительно использовать обычные усилители с глубокой отрицательной обратной связью, позволяющей выровнять коэффициент усиления во всем температурном диапазоне. И лишь после предварительного усиления, в последующих каскадах усилителя, возможно использование и дифференциальных схем. При использовании типичных режимов имплантации (энергия пучка ионов -40. 60 кЭв, суммарная доза ~ 0,5 мкКул), расстояние между элементами ИС должно превышать 3 мкм, что поможет избежать резкого роста тока утечки. Экспоненциальный характер зависимости тока утечки по планарным изолирующим областям.

— 162 от среднего расстояния между ГУ указывает на недопустимость использования режимов избыточного облучения. Это особенно актуально в 8 — структурах. В них для изоляции приборов в плоскости пластины приходится использовать достаточно большие дозы облучения, так как в узкой пространственной области 8- слоя сосредоточена большая концентрация легирующих доноров. Альтернативой может являться использование многоступенчатой имплантации, с выбором энергии пучка наиболее значимой дозы облучения, соответствующей максимальной генерации радиационных дефектов на глубине залегания 8 — слоя. Эффективным представляется, также, выбор конструктивного решения для элементов ИС, исключающего наличие общей границы между р-п переходными и планарными изолирующими областями. Это можно осуществить, используя, например, Тобразные конструкции электродов затворов транзисторов, которые используются обычно в ионом качестве для самосовмещенной технологии.

Выбирая подложки с доминирующим донорным характером ГУ, с однородным характером их распределения в плоскости пластины, нейтрализуя возможности утечек по планарным изолирующим областями используя в ПТ в качестве затворов р-п переходы, вполне реально расширить область рабочих температур до -350 С. Снять часть проблем, связанных с паразитным влиянием ГУ полуизолирующей подложки («Ьаск§ а1т§» и автомодуляция тока стока) можно путем использования дополнительных р-п переходов для изоляции от подложки активных компонентов.

Выработке системы рекомендаций посвящена часть материалов следующей главы диссертации. Таким образом, изначально задача сводится к отбору подложек и приборных структур с необходимыми типом, энергией и концентрацией глубоких уровней и удовлетворительной степенью однородности их распределения в плоскости пластины.

Глава 5.

Система характеризации подложек и приборных структур для ИС различного функционального применения".

5.1. Неразрушающий метод диагностики параметров ГУ подложек и приборных структур

Принципиальным отличием арсенидгаллиевых материалов и технологий является присутствие как неконтролируемых, так и сознательно введенных глубоких энергетических центров с концентрациями, близкими (а нередко и превышающими) к концентрации мелкой легирующей примеси. Так в производстве слитков для ОаАз ИС используется технология, обеспечивающая компенсацию фоновой примеси структурными дефектами либо примесными центрами [89,90,91]. Кроме того, активные области приборов и ИС в плоскости пластины отделяются высокоомными изолирующими областями, полученными посредством генерации радиационных дефектов при облучении этих областей высокоэнергетичными ионами [92]. А если учесть, что материал который подвергается указанным обработкам, является многокомпонентной системой, а мышьяк слабо (температура сублимации 350.400 С) связан с матрицей ваАз, то становится понятной крайняя необходимость контроля качества подложек и приборных структур перед запуском их в производство СэАб Ис.

В предыдущих главах диссертации экспериментально и теоретически обосновано определяющее влияние ГУ полуизолирующих подложек и приборных структурна параметры и работоспособность приборов и ИС на арсениде галлия. Выработаны критерии отбора подложек и структур по электрофизическим параметрам ГУ. Однако, использование традиционных методов контроля требует изготовления для тестовых элементов контактов барьерного либо омического типа, что затруднено в силу высокоомности диагностируемых материалов и вносит.

Рис, 5,1. Распределение неравновесных носителей. диффуэ>юнно-лрейфовою иотегадааля в условиях 4м>товозбуждешта неконтролируемые изменения в спектр энергетических состояний границы раздела.

Из известных неразрушающих методов диагностики ГУ полуизолирующих подложек, можно отметить лишь методы основанные на примесном поглощении света. Однако, методы эти малоэффективны и не пригодны к использованию для неразрушающей диагностики приборных структур, проходящих технологический маршрут.

В настоящей главе обсуждаются: предложенный [80] нами неразрушающий метод локальной диагностики параметров ловушек в полуизолирующих материалах, названный релаксационной оптоэлектронной спектроскопией глубоких уровней (РОСГУ) — неразрушающий метод диагностики кристаллического качества подложек и структур [93] (НОД), разработанный в НИИАиЭ (г.Новосибирск) и адаптированный в наших совместных работах к аренидгаллиевым материалам.

Указанные методы РОСГУ и НОД и составили основу системы характеризации подложек и приборных структур в зависимости от функционального назначения ИС.

Метод РОСГУ позволяет измерять время релаксации электронно-дырочной и ловушечной систем в полупроводниковых и полуизолирующих материалах, определять тип и энергетику глубоких центров, их концентрацию и сечение захвата. В образцах с концентрацией ловушек (Кг), меньших концентраций равновесных носителей (п0), метод позволяет оценить величину п0 и определить тип проводимости материала.

Метод РОСГУ заключается в бесконтактной регистрации процессов релаксации электронно-дырочной и ловушечной систем в условиях периодического возбуждения их светом и квазиравновесного изменения температуры образца. Неразрушающий характер диагностики достигается тем, что нагреваемый образец размещают между обкладками конденсатора, контролируемый участок облучают сквозь одну из его полупрозрачных обкладок электромагнитным излучением с энергией кванта, равной, либо превышающей энергетическую ширину запрещенной зоны, и с амплитудой, изменяющейся по периодическому закону. Локальность диагностики в плоскости пластины определяется размерами светового зонда, а по глубине — эффективной диффузионной длиной.

X. ь.2. Кинетика шменемш фотопотеныиала при импульсном возбувденин не.

ТОМ, неравновесных носителей.

Физические явления, положенные в основу метода, связаны с генерационно-рекомбинационными процессами в облучаемом участке образца и формированием диффузионно-дрейфового потенциала (рис. 5.1). Падающий на образец свет проникает на глубину а~](акоэффициент поглощения света), причем в зондируемом объеме будет преобладать тот тип носителей, который имеет большее время жизни в разрешенных зонах, рп что следует из спюаведливости стационарного уравнения — = —. В процессе диффузии, а также дрейфа в поле приповерхностной контактной разности потенциалов неравновесные носители распространяются в глубину образца, существенно меняя на длине дебаевского экранирования картину равновесной заселенности глубоких центров и создавая в указанной области объемный заряд. Это приводит к изменению характера распределения потенциала вблизи поверхности (рис .5.1), а периодическое изменение освещенности зондируемого участка образца приводит, соответственно, к периодическому изменению фотопотенциала, что позволяет применить емкостные методы регистрации. При импульсном возбуждении (рис. 5.2.6), в ряде случаев более удобном в практике, величина фотопотенциала изменяется от максимальной срт до некоторой % (рис. 5.2.а), соответствующей моменту окончания паузы между импульсами света.

Способы регистрации и обработки сигнала в зависимости от специфики изучаемого класса материалов могут быть различными. Для диагностики полуизолирующих материалов в системе СаАз — А1Аз достаточно информативным и простым в реализации является способ, при котором регистрируется ток во внешней цепи измерительного конденсатора, вызванный периодическими изменениями фотопотенциала в зондируемой светом области образца. Обработка информационного сигнала осуществляется посредством анализа температурной зависимости (рис. 5.3.а) аппаратно — сформированной функции I.

0т{1-ехр (—)} кп-где т (Т) — время релаксации фотопотенциала, I — текущее время, Ттекущая температура образца. Несложно показать, что указанная функция имеет на температурной шкале максимум при равенстве времени.

ИС. 5. 3. Температурная зависимость функции I для моноэнергетического центра (а) я для двуз кретнмх энергетических иентров (б) при различных временных задержках меащр световыми импульсам" релаксации фотопотенциала т (Т) (времени жизни носителя на ловушке) и 0,7.1* (где V — время задержки между световыми импульсами), если длительность импульса существенно меньше V .Так как в случае моноэнергетического центра либо дискретных невзаимодействующих энергетических центров (рис. 5.3.а, б) между временем жизни носителя на центре т, его энергией и температурой образца существует связь т = г, ехр (?г / кТ), то знание температурТ *, соответствующих максимумам функции /,.(?:*) для двух и более времен задержки ti позволяет определить энергию центров и расчитать их сечение захвата:

Е, = $ = (УгМ^Г ехр (Е,/Щ).

2 1.

Заметим: ^ = т-(77*) — утскорость носителей при ТМс (у) — плотность состояний у дна зоны проводимости и потолка валентной зоны, соответственно.

При измерении концентрации ГУ необходимо реализовать следующее соотношение между импедансом измерительной емкости Ъ0, входным сопротивлением измерительного усилителя Хт, сопротивлением растекания и объемным сопротивлением образца Ъ," Ът.

Несложно убедиться, что для проводящих и полуизолирующих материалов в системах ОаА8-А1А5, частотах повторения импульсов возбуждения 102—106Гц, размерах зазора между образцом и полупрозрачной обкладкой конденсатора больших 0,1 мм и размерах светового зонда меньших 5 мм, упомянутые соотношения между импедансами всегда выполняются. В этом случае между величиной фото ЭДС (У9,) и напряжением на входе измерительного усилителя (У.й) выполняется следующее соотношение: «сщп где социклическая частота периодического светового сигнала, С,-емкость измерительного конденсатора. Учитывая что времена задержки существенно больше постоянной времени измерительной системы, а С ^ «С г (где С г — емкость «растекания»), из анализа зависимости тока.

— 170 — .

Заключение

.

В настоящей диссертации установлена фундаментальная роль локализованных энергетических состояний в функционировании и развитии арсенидгаллиевых интегральных схем. Выделены определяющие параметры паразитных явлений протекающих в приборах и интегральных схемах на СаАз, связанных с упомянутыми энергетическими центрами. Выяснены функциональные связи между этими параметрами и энергетическими параметрами ловушек. Предложены физические модели, позволившие объяснить совокупность наблюдаемых эффектов и связей, создать систему характеризации подложек, приборных структур, а также предложить способы нейтрализации отрицательных влияний глубоких центров на работу ИС.

Совокупность эффектов отрицательного влияния глубоких уровней (ГУ), по месту локализации последних, объединена в следующие три группы. а). К первой группе отнесены эффекты, связанные с участием ГУ локализованных в полуизолирующих подложках арсенида галлия. Впервые установлено, что основной из них — эффект паразитного управления по подложке, реализуется благодаря накоплению отрицательного заряда на границе канал — подложка из-за термополевой эмиссии дырок с глубоких акцепторов полуизолирующей подложки по механизму Френкеля — Пула. В то же время, характер эффекта в значительной степени определяют и ловушки донорного типа, параметры которых задают величины пороговых напряжений эффекта, ток утечки по подложке на «допороговом» участке и динамику развития эффекта. б). Вторая группа паразитных эффектов связана с активным влиянием ГУ локализованных в приповерхностных слоях приборных структур. Впервые установлено, что аномалии в модуляции проводимости каналов ПТШ, особенно 8- ПТШ, проявляющиеся в существенном снижении собственной крутизны ПТ и ее частотной дисперсии, а также в резком увеличении тока утечки затворов и значительной частотной дисперсии величин его активной и емкостной составляющих в малосигнальном режиме, связаны с ГУ донорного типа, локализованными в приповерхностных слоях из-за всегда имеющих место нарушений стехиометрии. В условиях рабочих напряжений в 8 — ПТШ (рабочие электрические поля — 5. 105 В.?см) над барьерные механизмы утечек затвора сменяются туннельно — активационными, что обуславливает проявления перечисленных выше эффектов и ограничивает степень интеграции и быстродействие ОаАз ИС. в). Третья группа эффектов вызвана совместным влиянием ГУ подложки и планарных изолирующих областей на работу приборов и схем. Впервые обнаружена автомодуляция проводимости канала полевого транзистора и установлено, что вызвана она перезарядкой ГУ подложки вследствии изменения электрических потенциалов в ней из-за утечек, шунтирующих управляющий затвор. Указанные утечки могут реализоваться, например, по планарным изолирующим областямпри этом установлено, что в пределах рабочих напряжений (толщина планарной изолирующей области -0.2 мкм) реализуется гигантский рост тока утечки по изолирующей области. Следствием эффекта автомодуляции тока стока является дисперсия характеристик ПТШ. г). Указанные выше эффекты паразитного управления по подложке и паразитной автомодуляции тока стока, с учетом неоднородного характера распределения ГУ в приборных структурах и нерегулярного распределения электрических потенциалов по кристаллу, приводят к понижению стабильности в работе схем, особенно аналоговых схем с дифференциальными каскадами. Для ИС работающих в областях высоких температур, представленные эффекты вызывают ранние (200.250 С) ограничения высокотемпературного предела их устойчивой работы. д). Для нейтрализации отрицательного влияния ГУ на параметры приборов и схем, в диссертации предложен комплекс физико — технических и технологических решений. С этой целью: в Разработана система характеризации исходных подложек и приборных структур в зависимости от функционального назначения ИС, включающая помимо «контактных» методов измерений электрических потенциалов и токов в стационарном, малосигнальном и динамическом режимах, локальные нераз рушающие методы диагностики глубоких уровней и кристаллического совершенства. Система характеризации позволяет осущесчтвить входной, межоперационный и выходной контроль исходных подложек и приборных структур, осуществлять их отбор в зависимости от назначения ИС, корректировать технические процессы роста, имплантации, отжига, оптимизировать конструкцию элементов ИС. Разработан метод локальной неразрушающей диагностики параметров ГУ, эффективный на стадиях входного, межоперационного и выходного контроля в производстве слитков полуизолирующих материалов, подложек и приборных структур для арсенидгаллиевых ИС. Метод основан на бесконтактной регистрации процессов релаксации электроннодырочной и ловушечной систем, в условиях их периодического возмущения светом и квазиравновесного изменения температуры образца. Метод релаксационной оптоэлектронной спектроскопии (РОСГУ) позволяет измерять время релаксации, тип, энергию и концентрацию ловушек в локальных областях полуизолирующих подложек и планарных изолирующих областях приборных структур. Предложен комплекс физико — технических и технологических решений, позволяющий исключить отрицательное воздействие ГУ на работу ИС. Он включает оригинальнуюлегированную структуру с дополнительным р — слоем и способ формирования самосовмещенных ПТШ с термостойкими затворами посредством одновременного окисления материалов затвора и приборной структуры, а также ряд конструктивных, схемотехнических и методических предложений, связанных с функциональными назначениями ИС. Экспериментальные проверки предложенных решений на ИС малой степени интеграции указывают на возможность разработки элементной базы ОЗУ емкостью 105 бит и БМК с плотностью вентилей на кристалле ~ 106. ж). Разработаны монокристаллические изолирующие слои твердых расторов ОаАЬАз и на их осонве приборные струткуры для оптоэлектроники и микроэлектроники. При этом, в пленках ОаА1Ав реализованы два типа диссипативных структур. Один из них характеризуется атомарным упорядочением в распределении алюминия в кристаллической решетке, другой же характерен автомодуляцией состава с размерами гомогенных областей (40.50А), значительно превышающими период кристаллической решетки. При исследованиях температурных и.

235 полевых зависимостей проводимости автомодулированных пленок в стационарном, малосигнальном и динамическом режимах, регистрируются прыжковые механизмы токопереноса. Определены размеры прыжка (40.50 А), области локализации волновой функции (~ 20 А) и эффективная плотность состояний на уровне протекания (~ 1019эВ" 1см~3). С учетом результатов исследований спектров катодолюминесценции и электронной микроскопии, предложена модель токопереноса в автомодулированных пленках твердого раствора, предполагающая термоактивированное туннелирование электронов между доменами узкозонных областей ОаАБ через барьеры из широкозонных фаз ОаАХАБ. з). Разработан прямой метод определения состава фазовых доменов, основанный на изучении спектров катодолюминесценции автомодулированных пленок. Экспериментально показана возможность самоорганизации фазовых доменов в регулярные структуры (сверхрешетки). Установлен период (80. 120 А) и направления (001) и [110] осциляций фаз, показана возможность 100% амплитуды автомодуляции.

Предложена оригинальная конструкция планарного транзистора, выполненного на автомодулированных структурах с регулярной организацией фазовых доменов, работа которого основана на интерференции электронных волн.

1.Hirayama, N. Togashi, N. Kato, at all. A GaAs 16-kbit state RAM, using dislocation-free crystal. // 1. EE Trans, on Electr.Dev., 1986, v. ED-33, n. l, p.104−110.

2. M. Suraki, S. Notomi, M. Oko, at all. A 1.2 ns HEMT 64 kbit SRAM.// IEEE j. of Solid — state circuits, 1981, v.26, n. ll, p. l571−1576.

3. M. Akiyama, S. Nishi, Y. Kawakami. High speed GaAs digital Integrated circuits. IEICE Trans. Electron., 1995, V. E78-C, n.9, p. l 165−1170.

4. S. Shimizn, Y. Kanatani, N. Toyoda, at all. A 1 GHz 50 mv GaAs dual modulas divider IS.// IEEE j. of Solid State circuits, 1984, v. SC-19, n.5, p.710−727.

5. Status — 96, ICE corp., 1996, p.4−19,4−23. Status 97, ICE corp., 1997, p. l5−18. Status 98, ICE corp., 1998, p. 28−32.

6. W.E.Pence, J.P.Krusius. The fundamental limits for Electronic Packaging and systems. // IEEE Trans, on components, hybrids, and manufacturing technology, 1987, v. CHMT-10, n.2,p, 176−183.

7. J.D.Meindel. Physical limits on gigascale integration.//J.Vac.Sci.Technol.(B), 1996, v, 14(l), p.192−196.

8. Э. А. Ильичев, Э. А. Полторацкий, Г. С. Рынков, Н. С. Самсонов. Физико-технические аспекты разработки арсенид-галлиевых сверхскоростных ИС. // Электронная промышленность, 1990, н. З, с.19−21.

9. И) B. Gabillard, T. Ducourant, C. Rocher, et.all. // IEEE j. of Solid State Circuits, 1987, v. SC-22, i.5, p.693−698.

10. S. Takano, H. Makino, N. Tanino, et all. // IEEE J. of Solid State Circuits, 1987, v. SC-22,n.5, >.699−703.

11. M. Hiraguma, M. Tagashi, N. Kato, et all. // IEEE Trans. on El.Dev., 1986, v. ED-33, n. l, p. l 0410.

12. Гергель В. А., Ильичев Э. А., Лукьянченко А. И., Полторацкий Э. А., Соляков А. Н. // ФТП, 1990, т.24, в. 12, с.2111−2116.

13. Гергель В. А., Ильичев Э. А., Лукьянченко А. И., Полторацкий Э. А., Соляков А. Н. // ФТП, 1991, т.25, вю9, с.1667−1670.

14. Гергель В. А., Ильичев Э. А., Полторацкий Э. А., Тарнавский С. Н., и др. // Письма в ЖТФ, 1991, т.17,в.14,с.78−80.

15. Т. Itoh, M.Yanai. Stability of performance and interfacial problems in GaAs MESFETs. // IEEE Trans, on Electr. Dev., 1980, v. ED-27, n.6, p.1037−1045.

16. Э. А. Ильичев, В. Ф. Краснов, С. Л. Ьушер, В. И. Проц, A.M. Рубенчик, С. Г. Струц, М. Ф. Ступак. // Электронная промышленность, 1990, н.10, с. 46.

17. A. Goetzberger, Е. Klausmann, M.Schulz. Interface states on semiconductor / insulator surfaces. // CRC Critical Reviews in Solid State Sciences, 1976, v.6, n. l, p. 1−43.

18. E.H. Niccolian, A.Goetzberger. The Si-SiO interface-Electrical Properties as determined by the metal-insulator silicon conductance technicue. // The Bell System Technical Journal. 1967, v. XLVI, n.6, p.1055−1133.

19. Ильичев Э. А., Маслобоев Ю. П., Полторацкий Э. А. Способ оапределения параметров ловушек полупроводниковых материалов. Авторское свидеьельство Т 1 385 938, приоритет от 22.04.85.

20. C. Jund, R.Poirier. Carrier concentration and minority carrier lifetime measurement in semicjnductor epitaxial layers by the MOS capacitance method. // Solid State Electronics, 1966, v.9, p.315.

21. Бьюб P. Фотопроводимость твердых тел. M., 1962, 584 с.

22. Пересецкий А. А., Ткач Ю. Я. К теории ТРК в условиях сильного перезахвата. // Микроэлектроника, 1973, т.2, в.5, с.431−433.

23. К. Kitahara, K. Nakai, A. Shibaomi, S. Ohkawa. // Current limitation induced by infrared light in ntype GaAs thin layers on semi insulating Cr-doped GaAs. //Jap.J. of Appl.Phys., 1982, v.21, n.3, p.513 — 516.

24. S. Sriram, M.B. Das. // An experimental study of backgating effect in GaAs MESFETs.// Solid States Electronics, 1985, v.28,n. 10, p.979 — 989.

25. S. Subramanian, P.K.Bhattacharga, K.J.Staker, C.H.Chosh, M.H.Badawi.// Geometrical and lightinduced effects on back gating in ion — implanted GaAs MESFETs.// IEEE Trans. on Eltctr.Dev., 1985, v. ED — 32, n. l, p.28 — 33.

26. Гергель B.A., Ильичев Э. А., Лукьянченко А. И., Полторацкий Э. А., и др. Паразитное управление по подложке в полевых транзисторах на арсениде галлия.//ФТП, 1992, т.26,в.5,с.794 800.

27. M. Ocawa, T.Kamiya. Correlation between the backgating effect of a GaAs MESFET and the compensation mechanism of a semi-insulating substrate.// IEEE Trans, on Elect.Dev., 1985, v. ED 32, n.3,p.571 — 576.

28. S. Makram-Ebeid, P.Ninondo.The roles of the surface and bulk of the semi-insulating substrate in low-frequence anjmalies of GaAs integrated circuits.// IEEE Trans., 1985, v. ED 32, n.3, p.632 — 642.

29. V.Ya.Prinz, S.N.Rechkunov. Influence of a strong electric field on the carrier capture by nonradiative deep level ctnters in GaAs.// Physica Status Solidi (b), 1983, v. l 18, p.159 166.

30. Kocot C., Stolte C.A.Backgating in GaAs MESFETs.// IEEE Trans.Electron.Devices, 1982, v.29, n.7, p. 1059- 1064.

31. J. Samitier, A. Herms, A. Cornet, J.R.Morante. Boron implantation influence on the backgating effect in GaAs MESFETs.//Vacuum, 1987, v.37, n.5 / 6, p.411−413.

32. Гергель B.A., Ильичев Э. А., Лукьянченко А. И., Полторацкий Э. А., Соляков А.. Температурная зависимость эффекта управления транзистора через подложку в интегральных схемах арсенида галлия.//ФТП, 1991, т.25, в.9, с.1667 1670.

33. Гергель В. А., Ильичев Э. А., Лукьянченко А. И., Полторацкий Э. А., Шамхалов К.. О механизмах паразитного управления по подложке в ПТШ.// Письма в ЖТФ, т.17,в.14,с.36−38, 1991.

34. Гергель В. А., Ильичев Э. А., Лукьянченко А. И., Полторацкий Э. А., Соляков А.. //Физическая модель эффекта управления полевым транзистором через подложку. ФТП, т.24, в. 12, 1990, с.2111−2116.

35. Гергель В. А., Ильичев Э. А., Лукьянченко А. И., Полторацкий Э. А. Особенности модуляции канала транзистора Шоттки со стороны подложки. Y11 Международная конференция по микроэлектронике. 16−18 октября 1990 г., Тезисы, т. З, 1990, Минск (СССР), с.

36. Гергель В. А., Ильичев Э. А., Лукьянченко А. И., Полторацкий Э. А., и др. Патент N 2 025 832, опубликован 30.12.98, приоритет от 08.05.91.

37. С. М. Зи. Физика полупроводниковых приборов. 1973, М., «Энергия», 653 с.

38. T. Mimura, S. Hiyamizu, К. Fujii, К. Nanbu. A new field effect transistor with selectevely doped GaAs/n-AlGaAs heterojunctions. Jap.Appl.Phys., 1980, v. 19, L225-L227.

39. A.J.Valois, G.Y.Robinson, K. Lee, M.S.Shur. Temperature dependenct of the I-V characteristics of modulationdoped FETs. J.Vac.Sci.Technol. B, 1983, v. l (2), p. l90−195.

40. E.F.Shubert, A. Fischer, K.Ploog. The delta (?)-doped field-effect transistor. // IEEE trans. of Elec.dev., 1986, v. ED-33, n.5.

41. Виноградов Е. А., Дьяченко А. Р., Ильичев Э. А., и др. Физико-технические аспекты разработки эпитаксиальных структур для интегральных схем на арсениде галлия. // Микроэлектроника, 1991, т.20, п. 2, с.137−141.

42. Ильичев Э. А., Полторацкий Э. А., Рычков Г. С. 5 -легированные структуры в технологии арсенидгаллиевых ИС. // Микроэлектроника, 1996, т.25, п. 1, с.71−85.

43. Ильичев Э. А., Родионов А. В., Свешников Ю. Н., Федоренко А. Н. Получение сверхтонких слоев арсенида галлия методом МОС-гидридной эпитаксии. // Электронная промышленность, 1990, с.27−29.

44. Т. Андрю, А. Фаулер, Ф.Стерн. // Электронные свойства двумерных систем. Мир, Москва, 1985,167 с.

45. Г. Томас, М.Гориндт. // Просвечивающая электронная микроскопия материалов.М.: Наука, 1983,317 с.

46. A.Iida.Applications of x-ray tripe crystal diffractometry to studies on the diffusion-induced deffects in silicon crystals. // Phys.Stat.Sol. (a), 1979, v.54,p.701.

47. A.M.Afanasev, P.A.Aleksandrov, R.M.Imamov. // Acta Cryst, 1984, v. A40,p.352.

48. Афаносьев A.M., Александров П. А., Завьялов A.A., Имамов P.M., Ломов A.A.

49. Грехкристальная рентгеновская дифрактометрия в скользящей геометрии Брэг-Лауэ.// ДАН.

50. ХСР, 1985, т.281, п. З, с. 581.

51. Александров П. А., Афанасьев A.M., Степанов С. А. Дифракция рентгеновских лучей в условиях полного внешнего отражения на поверхностной кристаллической пленке. // Поверхность, 1984, п. 8, с. 9.

52. K.Ploog. Delta-doping in МВЕ Grown GaAs: Concept and device application. // J. Of Crystal Grouht, 1987, v.81,p.304−313.

53. Карпус В., Перель В. И. Многофононная ионизация глубоких центров в полупроводниках в электрическом поле. // ЖЭТФ, 1986, т.91, в.6(12), с.2319−2331.

54. Гергель В. А., Тарнавский С. Н. Туннельно-термическая перезарядка глубоких уровней в барьере Шоттки: II. Дисперсия малосигнальных характеристик. // ФТП, 1992, т.26, в.7, с.1335−1338.

55. Ландау Л. Д., Лившиц Е. // Квантовая механика. Москва, 1963, 702 с.

56. Джеффрис Г., Свирлс Б. Методы математической физики. М. «Мир», 1970, с.49−70.

57. М. А. Лаврентьев, Б. В. Шабат.// Методы теории функций комплексных переменных. «Наука», 1973, 736 с.

58. Ильичев Э. А., Полторацкий Э. А., Рычков Г. С., Родионов А. В., Решетников С. Е., Федоренко А. В. Логические элементы на сложнолегированных структурах арсенида галлия. // Электронная техника.Сер.З Микроэлектроника, 1992, п.2/147, с. 14−17.

59. Ильичев Э. А., Полторацкий Э. А., Рычков Г. С. Перспективы использования емкостной связи в трехмерных ИС на GaAs. // Электронная промышленность, 1990, п. З, с.24−27.

60. Головашкин А. И., Лыков А. И., Прицепа С. П., и др. // Зарубежная электронная техника, 1985, п. 4,с.65−90.

61. L.C.Zhang, C.L.Liang, S.K.Cheung, N.W.Cheung. Refractory metal nitride rectifying contacts on GaAs. // J.Vac.Sci.Technol., 1987, v.5(6), p. 1716−1722.

62. L.C. Zhang. Thermal stability and barrier height enhacement for refractor metal nitride contacts on GaAs. // Appl.Phys.Lett., 1987, v.50(8), p. 445−447.

63. A. Callegeri, D. Ralph, N.Braslan. Effect of interface states on the electrical properties of W, WSix and WA1 x Schottky cjntacts on GaAs .//Appl.Phys., 1987, v.62(12), p.4812−4820.

64. R.W.Wu, L.C.Zhang, P. Bradley, and el. Nb/GaAs and NbN/GaAs schottky barrier. // Appl.Phys.Lett., 1987, v.50(5), p.287−289.

65. С.Зи. Физика полупроводниковых приборов, М.,"Мир", 1984, ч.1, 272 с.

66. Эйхе С. Н. Взаимодействие кислорода с GaAs. Автореферат дисс.канд.физ.-мат. наук. Новосибирск, 1971.

67. Ахинько И. А., Гольдберг Е. Я., Григорьев А. Т., Ильичев Э. А., Инкин В. Н., Липшиц T. J1. Свойства барьеров Шоттки Nb/nGaAs и NbN/nGaAs. // Электронная техника. Сер.З.Микроэлектроника, 1990, п/1(135), с.35−37.

68. Ахинько И. А., Емельянов A.B., Ильичев Э. А., Инкин В. Н., Кирпиленко Г. К., Лещенко П. Т., Полторацкий Э. А. Способ формирования ИС на арсениде галлия. // Электронная промышленность, 1990, в. З, с.22−24.

69. Файрбротер Ф. // Химия ниобия и тантала. М: Химия, 1972, 277 с.

70. L.C.Zhang, C.L.Liang, S.K. Cheung, N.W.Cheung. Refractory metal nitride rectifying contacts on GaAs. // J.Vac.Sci.Technol., 1987, v.5(6), p.1716−1722. // J. Vac. Sei. Technol., 1987, v.5(6), p.1716−1722.

71. Ильичев Э. А., Полторацкий Э. А., Рычков Г. С., Хайновский В. И. Проблемы высокотемпературного предела работы арсенидгаллиевых интегральных схем. // Микроэлектроника, 1996, т.25, п. 5, с.363−369.

72. Ильичев Э. А., Полторацкий Э. А., Рычков Г. С., Хайновский В. И. Арсенид галлия и высокотемпературные интегральные схемы. Москва (Зеленоград), 23−24 ноября 1995 г. Международная научнотехническая конференция «Микроэлектроника и информатика».

73. H.Ch.Alt, H. Schink, G.Pacheicer. Relation between microscopie EL2 fluctuations and nonuniform properties of GaAs substrates and devices. // 5th Cjnf. On semi-insulating 111-Y materials. Malmo, Sweden, 1988, chaper 1, p.515−520.

74. Ильичев Э. А., Полторацкий Э. А., Рычков Г. С. и др. Логические элементы на сложнолегированных структурах арсенида галлия. // Электронная техника, сер. З, «Микроэлектроника», 1992, в.2/147, с. 14−17.

75. Гергель В. А., Ильичев Э. А., Онищенко В. А., и др. Полевой транзистор. // Патент N 2 025 831, приоритет от 08.05.91 г., опубликован 30.12.94 г.

76. Гергель В. А., Ильичев Э. А., Лукьянченко А. И., Полторацкий Э. А. Паразитное управление по подложке в полевых транзисторах на арсениде галлия. // Физика и техника полупроводников, 1992, т.26, в.5, с.794−800.

77. Виноградов Е. А., Дьяченко А. Б., Ильичев Э. А., и др. Физико-технические аспекты разработки эпитаксиальных структур для интегральных схем на арсениде галлия. // Микроэлектроника, 1991, т.20, в.2, с.137−141.

78. К. Ploog. Delta-doping in MBE-Grown GaAs: Cjncept and devices application. // J. Crystal Grown. 1987, v.81, p.304−313.

79. Гергель B.A., Ильичев Э. А., Полторацкий Э. А., и др. Частотная дисперсия крутизны в полевых транзисторах на основе сГ легированных структур. // ФТП, 1991, т.25, в. 11, с. 1870−1876.

80. L.F.Tastman. Semi-insulating GaAs substrates for integrated circuit devices: promises and problems. //J. Vac. Sci. Technol., 1979, v. l6,n.6,p.2050.

81. R.C. Eden, B.M. Welsh. GaAs digital integrated circuits for ultra high speed LSI/VLSI. Large scale integration (VLSI) // Fundamentals and applications. Barbe (ed), Springer Verlag, Berlin, 1980, p.128−177.

82. P.F.Linquist, W.M.Ford. Semi-insulated GaAs substrates. Very large scale integration (VLSI).

83. Fundamentals and applications. Barbe (ed), Springer Verlag, Berlin, 1980, p. 1−60.

84. D.C.D'Avanzo. Protonisolation for GaAs integrated circuits. // IEEE Trans.Electron. Dev., 1983, v. ED-29(7), p. 1051−1059.

85. Краснов В. Ф., Проць В. И., Рубенчик A.M., Струц C.P. Ступак М. Ф. Нелинейнооптическая диагностика кристаллов класса 43 т. Предпринт N410, Новосибирск, 1989, 30 с.

86. Ильичев Э. А., Щнищенко В. А., Полторацкий Э. А., Рычков Г. С., Хайновский В. И. Структура на основе арсенида галлия для новых поколений YiC. ll Российская конференция «Микроэлектроника-94». Тезисы докладов, часть 2, с.387−388.

87. R. Itakura, D. Ueda, M. Hogio, M.Karumura. GaAs integrated hall sensop with temperature-stabilised characteristics up to 300 C. // Electron letters, 1989, v.27, n.22, p. 1493−1494.

88. Мильвидский М. Г. // Полупроводниковые материалы в современной электронике. Москва, «Наука», 1986,143 с.

89. Ильичев Э. А., Краснов В. Ф., Мушер C. JL, Полторацкий Э. А., Проць В. И., Рубенчик JI.M., Струц С. Г., Ступак М. Ф. // Электронная промышленность, 1990, п. 10, с.46−49.

90. Ильичев Э. А. Система характеризации подложек и структур в зависимости отэункционального назначения ИС. // Сборник трудов Межведомственного семинара:

91. Грецизионные методы и средства, диагностика, анализ материалов и технологии микроианоэлектроники". 18.07.96 г., A3.

92. H.Ch.Alt, H. Schink and G.Packeiser. Relation between microscopic EL2 fluctuations and nonuniform properties of GaAs substrates and devices. // 5th cjnf. On semi-insulating 111-Y materials. Malmo, Sweden, 1988, p.515−520.

93. Ильичев Э. А. Неразрушающий метод диагностики глубоких уровней в полуизолирующих материалах. ЖТФ, 1998, т.68, п. 5, с.141−143.

94. Ильичев Э. А. Релаксационная оптоэлектронная спектроскопия глубоких уровней втехнологии GaAs ИС. // Всероссийская научно-техническая конференция «Микроинаноэлектроника-98». Тезисы докладов, т.2, Звенигород, 1998, Р 2−49.

95. Ильичев Э. А., Ступак М. Ф. Метод локальной неразрушающей диагностики подложек и структур. // Электронная промышленность, 1996, п. 2, с.3−11.

96. Ильичев Э. А., Маслобоев Ю. П., Полторацкий Э. А., Родионов A.B., Слепнев Ю. В. Способ получения изолирующих покрытий. // Автоское свидетельство N 1 119 523, приоритет от 28.03.83 г., зарегистрировано 13.06.84.

97. Афанасьев A.A., Ильичев Э. А., Полторацкий Э. А., и др. Влияние состава на электрофизические свойства изолирующих слоев AlGaAs, полученных МОС гидридным методом. // ФТП, 1986, т.20, в.9, с.1565−1571.

98. Воробьев В. Л., Емельянов A.B., Ильичев Э. А., Полторацкий Э. А., и др. Полевой транзистор для оптоэлектронных интегральных схем. // Лазерная техника и оптоэлектроника, 1984, т. 1(27), с.46−49.

99. Васенков A.A., Емельянов A.B., Ильичев Э. А., Полторацкий Э. А., и др. Объемная интеграция в излучающих оптоэлектронных интегральных схемах. // Электронная промышленность, 1986, в.6(154), с.3−5.

100. Ильичев Э. А., Масловский В. М., Маслобоев Ю. П., и др. Захват носителей в структурах изолятор-полупроводник, полученных МОС гидридным методом в системе GaAs-AI As. // ФТП, 1986, т.20, в.4, с.757−759.

101. Ильичев Э. А., Масловский В. М., Полторацкий Э. А. Электрофизические свойства изолирующих смлоев твердого раствора GaAlAS, полученных МОС гидридным методом. // ФТП, 1986, т.20, в.4, с.594−602.

102. Ильичев Э. А., Полторацкий Э. А., Родионов A.B., Слепнев Ю. И. // Сб. статей «Полупроводники и гетеропереходы», под редакцией А. И. Розенталя, Таллин, «Валгус-, 1987, с.92−94.

103. Афанасьев С. М., Афанасьев A.M., Ильичев Э. А., и др. Исследование субмикролнных пленок соединений А2В5 рентгеновским методом в скользящей Брэг-Лауэ геометрии. // В кн. тезисов Всесоюзной конференции по физике полупроводников. Черновцы, 1987, с.23−24.

104. Виданов А. Н., Ильичев Э. А., Нагдаев E.H., Максимов С. К., и др. Крупномасштабная модуляция состава изолирующих слоев в системе GaAs-AlAs. // Сб. статей «Полупроводники и гетеропереходы», под редакцтей А. И. Розенталя. Таллин, «Валгус» 1987, с.95−97.

105. Ильичев Э. А., Максимов С. К., Максимов К. С., и др. Диссипативные структуры в эпитаксиальиых слоях композиций А3В5: Неравновесное упорядочение и физические параметры слоев GaAIAs. // Предпринт 2 ИОФ РАН, Москва, 1996, с.2−16.

106. Максимов С. К., Максимов К. С., Ильичев Э. А. Знак энергии смещения и возможность неравновесных фазовых переходов при кристаллизации. // Письма в ЖЭТФ, 1996, т.63, в.6, с.412−417.

107. Ильичев Э. А., Маслобоев Ю. П., Полторацкий Э. А. Родионов А.В., Слепнев Ю. В. Способ получения изолирующих покрытий. // Авт. свид-N 1 119 523, приоритет от 28.03.83, зарегистрировано 13.06.84.

108. Ильичев Э. А., Маслобоев Ю. П., Полторацкий Э. А. Родионов А.В., Слепнев Ю. В. Способ получения диэлектрических покрытий. Авт. свид-N 940 601, приоритет от 29.10.80, зарегистрировано 23.03.82.

109. Мотт Н., Дэвис Е. // Электронные процессы в некристаллических веществах. М: ' Мир, 1982, 315 с.

110. Шкловский Б. И. Прыжковая проводимость полупроводников в сильном электрическом поле. ФТП, 1972, т.6,в. 12, с.2325−2340.

111. Ильичев Э. А., Полторацкий Э. А. Свойства границы раздела изолятор-полупроводник в структурах, полученных МОС гидридным методом. Тезисы X Всесоюзной конференции по физике полупроводников, Минск, 1985, т.2, с.156−157.

112. E.A.Davis, N.F. Mott. Conduction in non-crystalline system: conductivity, optical absorption and photoconductivity in amorphous semiconductors/. // Phil. Mag., 1970, v.22, n.179, p.903−922.

113. Николис Г., Пригожин И. Самоорганизация в неравновесных процессах. М: Мир, 1979, 512 с.

114. С. К. Максимов, К. С. Максимов. Диссипативные структуры в эпитаксиальиых слоях композиций А3В5. //Предпринт 3, ИОФ РАН, 1996.

115. Чернавская О. В., Чернавский Д. С., Сурис Р. А. // Сб. Дефекты структуры в полупроводниках, методы их исследований и влияние на свойства кристаллов и пленок". М., МИЭТ, 1982, с.З.

116. L.M. Terman. // Sol. St. Eltctron., 1962, v.5, p.285−301.

117. Ильичев Э. А., Маслобоев Ю. П., Полторацкий Э. А., и др. Полевой транзистор с изолированным затвором. // Письма в ЖТФ, т. 10, в.7, 1984, с.420−422.

118. Ламперт ю, Марк .//Инжекционные токи в твердых телах. М: Мир, 198 .

119. Ильичев Э. А., Полторацкий Э. А., Савченко А. К. Квантовый интерференционный транзистор.//Патент N 1 549 419, действует с 11.09.95, приоритет от 18.12.87.