Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Системы управления технологическими режимами магнетронного нанесения тензорезистивных пленок

Диссертация: Системы управления технологическими режимами магнетронного нанесения тензорезистивных пленок
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Чувствительным элементом многих датчиков физических величин являются тензорезисторы. Современные датчики в качестве тензорезисторов используют тонкие тензорезистивные пленки. Основными методами формирования тензорезистивных слоев являются методы вакуумного термического резистивного испарения и взрывного испарения. Несмотря на применение сложных двухкамерных испарителей и программного управления… Читать ещё >

Системы управления технологическими режимами магнетронного нанесения тензорезистивных пленок (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. Анализ методов и средств синтеза тонкопленочных 9 тензорезистивных элементов
    • 1. 1. Параметры тензорезисторов
    • 1. 2. Конструкция тензорезистивного датчика
    • 1. 3. Формирование топологии чувствительного элемента 16 тензорезисторного датчика давления
    • 1. 4. Оборудование для нанесения покрытий в вакууме
  • Выводы по первой главе
  • 2. Системы управления технологическими режимами магнетронного 44 распыления
    • 2. 1. Принципы построения систем управления технологическими 44 режимами магнетронного распыления
    • 2. 2. Скорость магнетронного распыления
    • 2. 3. Система программного управления технологическими режимами 49 магнетронного распыления
    • 2. 4. Многоканальная и адаптивная системы управления 59 технологическими режимами магнетронного распыления
    • 2. 5. Скорость распыления при импульсном питании магнетронного 62 распылителя

Актуальность темы

.

Чувствительным элементом многих датчиков физических величин являются тензорезисторы. Современные датчики в качестве тензорезисторов используют тонкие тензорезистивные пленки. Основными методами формирования тензорезистивных слоев являются методы вакуумного термического резистивного испарения и взрывного испарения. Несмотря на применение сложных двухкамерных испарителей и программного управления технологическими режимами, позволяющими повысить воспроизводимость получаемых тонких пленок, технологические возможности этих методов практически исчерпаны [69].

В настоящее время интенсивно развивается метод магнетронного распыления, обеспечивающий широкие возможности для автоматизации технологических режимов. Исследования в области магнетронного распыления ведут ВОС EDVARDS (Великобритания) [49], Ulvac (Япония) [54], Balzers (Германия) [52], ЭСТО-Вауум (Москва)[47], Endevco (США) [51], BDSensor GmbH (Германия) [48], ОАО «Чезара» (г. Чернигов) [50], НПО Измерительной техники (г. Королев) [53]. Использование импульсных режимов распыления, начавшееся на рубеже XX и XXI веков, дало методу магнетронного распыления новые возможности [96].

Теоретические предпосылки к развитию магнетронного распыления создали отечественные и зарубежные ученые: Thornton J.A., Sigmund P., Musil J., Beikind А., Данилин B.C., Кузьмичев А. И., Марахтанов М. К., Двинин С. А. Берлин Е.В. 7, 8, 28, 34, 100, 105,] и другие. Накопленный опыт и созданная на его основе теоретическая база позволяют эффективно проводить синтез тензорезистивных пленок. Однако остается актуальной задача создания систем управления технологическими режимами, позволяющих проводить синтез многокомпонентных тензорезистивных пленок и оперативно регулировать их состав.

Цель и задачи исследований.

Целью работы является разработка систем управления и отработка технологических режимов магнетронного нанесения многокомпонентных тензорезистивных пленок.

Для достижения поставленной цели необходимо решение следующих задач:

— анализ методов и средств изготовления тензорезисторных пленок и выбор базового оборудования для их получения;

— разработка систем управления технологическими режимами магнетронного нанесения тензорезистивных пленок и их основных узлов;

— исследование энергетических характеристик процесса синтеза пленок при импульсном магнетронном распылении и выбор технологических режимов синтеза;

— проведение экспериментальных исследований по получению тонкопленочных тензорезистивных элементов с различным содержанием компонентов и изучение их свойств.

Методы исследований.

Использованы основные положения теории управления, физики тонких пленок, теории магнетронного распыления и методы математического моделирования.

Экспериментальные исследования базировались на положениях теорий измерений и планирования эксперимента.

Научная новизна работы:

1. Разработаны принципы построения систем программного и адаптивного управления технологическими режимами получения тензорезистивных тонких пленок.

2. Предложены пути реализации систем многомагнетронного нанесения тонких пленок из раздельных мишеней и их основных узлов, обеспечивающие оперативное изменение состава пленок.

3. Уточнены механизмы роста тонкопленочных покрытий, получаемых из нескольких магнетронных распылителей при импульсном питании.

4. Выработаны рекомендации по составу двухкомпонентных тензорезистивных пленок никель — хром и режимам их нанесения, обеспечивающие малый температурный коэффициент сопротивления (ТКС).

Практическая значимость.

Научная и практическая значимость исследований подтверждена результатами проведения работ в рамках Федеральной космической программы России 2006 — 2015 гг. при выполнении ОКР «Стикер» -«Разработка технологических процессов изготовления чувствительных элементов датчиков из керамики на основе ультрадисперсных порошков синтезированного муллита, инварных сплавов с оптимальными показателями микроструктуры и поликристаллических кремниевых тонких пленок для датчиков нового поколения перспективных изделий ракетно-космической техники» и ОКР «Материал» (Диплен) — «Разработка новых специальных конструкционных материалов и технологий получения из них полуфабрикатов, деталей, элементов конструкций для перспективных изделий ракетно-космической техники нового поколения с повышенными тактико-техническими характеристиками, в части разработки технологии получения тонких диэлектрических плёнок на основе новых материалов для чувствительных элементов датчиков, предназначенных для комплектования перспективных изделий ракетно-космической техники (РКТ)».

Применение разработанных систем управления, магнетронного распылителя и технологических режимов позволяет проводить изучение и анализ свойств новых перспективных тонкопленочных материалов минуя стадию разработки и изготовления специального сплава.

В результате исследований выработаны практические рекомендации по составу и режимам напыления пленок с минимальным значением ТКС.

На защиту выносятся:

1. Результаты анализа и рекомендации по выбору базового оборудования для синтеза тензорезистивных пленок.

2. Принципы построения и структуры систем программного управления оборудованием для магнетронного нанесения пленок в вакууме, позволяющие оперативно изменять состав получаемых пленок и магнетронный распылитель.

3.Принципы построения и структура адаптивной системы управления оборудованием для магнетронного нанесения пленок, обеспечивающих повышение воспроизводимости технологического процесса.

4. Результаты исследования свойств синтезированных двухкомпонентных пленок различного состава и рекомендации по режимам работы оборудования, обеспечивающие получение тензорезисторов с заданными свойствами.

Реализация результатов работы.

Разработаны и внедрены в производстве ОАО «НИИФИ»:

— магнетронный распылитель;

— конструкция внутрикамернош устройства установки с двумя магнетронными распылителями;

— система управления технологическими режимами магнетронного распыления;

— программа управления током магнетронного распылителя.

На оборудовании изготовлены тензорезистивные пленки дня микроэлектронно-механических систем (МЭМС) датчиков, разрабатываемых для PKT.

Апробация работы Основные научные и практические результаты исследований по теме диссертации докладывались и обсуждались на 6 научно-технических конференциях, симпозиумах и семинарах «Надежность и качество-2010» (г. Пенза, 2010 г.), «VII научно-техническая конференция „Микротехнологии в космосе с международным участием“ (г. Москва, 2010 г.), „Образование в сфере нанотехнологий: современные подходы и перспективы“, (г. Москва, 20 Юг»), «Переподготовка кадров для наноиндустрии», (г. Пенза, 2010), V международной научно-технической конференции «Аналитические и численные методы моделирования естественно-научных и социальных проблем», (Пенза, 2010), а также конференциях молодых ученых и специалистов НИИФИ.

Публикации.

По теме диссертации опубликованы 19 работ, в том числе 2 статьи в изданиях, рекомендованных ВАК, патент на полезную модель, свидетельство о государственной регистрации программ для ЭВМ. Без соавторов опубликованы 4 работы.

Структура и объем диссертации

.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка используемой литературы и приложений. Диссертация изложена на 165 страницах машинописного текста, содержит 78 рисунков, 11 таблиц.

Список литературы

содержит 112 наименования. В приложении приведены программа для микроконтроллера и акты внедрения результатов работы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ.

1. Анализ методов и средств изготовления тонких пленок показал перспективность магнетронного распыления при синтезе многокомпонентных тензорезистивных пленок.

2. Разработаны системы программного и адаптивного управления режимами импульсного магнетронного нанесения тонкопленочных покрытий, которые позволили оперативно изменять технологические режимы, расширить диапазон мощностей распыления в сторону малых значений до 10 Вт и повысить воспроизводимость характеристик наносимых пленок.

3. Разработан и внедрен в производство магнетронный распылитель, в котором устранены снижение магнитной индукции при длительной эксплуатации, возможность аварийного прорыва воды в вакуумную камеру и повышен коэффициент полезного использования мишени с 7% до 24%. С использованием магнетронного распылителя разработаны конструкции внутрикамерных устройств технологического оборудования для нанесения пленок в вакууме. Предложены способы снижения неравномерности толщины покрытий до 2%.

4. Проведено исследование энергетических характеристик системы импульсного магнетронного распыления и контроля роста тонкой пленки при синтезе из раздельных мишеней.

5. Разработаны и внедрены в производство технологические режимы магнетронного нанесения тонких пленок. Разработана технология синтеза двухкомпонентных тонких пленок с заданным содержанием компонентов.

6. Синтезированы двухкомпонентные хромоникелевые пленки. Исследованы их состав и характеристики. Сформулированы рекомендации по получению тензорезистивных пленок с низким ТКС до 1,3−10″ 5 К" 1, а также пленок с заданным градиентом состава.

7. Внедрена в производство программа управления технологическими режимами импульсного магнетронного распыления.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Работа обобщает теоретические и экспериментальные исследования, проведенные автором в ОАО «НИИ физических измерений», и способствует решению актуальной научно-технической задачи — совершенствованию систем управления технологическими режимами магнетронного распыления.

Автор благодарен всему коллективу цеха микроэлектроники, Ворожбитову А. И., много лет проработавшему начальником цеха микроэлектроники за благосклонное отношение к работе, коллективу группы обслуживания оборудования, помогавшему в практическом воплощении разработок, Хошеву А. В., Мурунову Р. Р. за помощь в проведении эксперментальных работ, д.т.н., профессору, зав. кафедрой «микрои наноэлектроники» ПГУ Аверину И. А. за обсуждение результатов работы.

Перечень принятых сокращений.

АЦП — аналого-цифровой преобразователь.

ВАК — высшая аттестационная комиссия.

МК — микроконтроллер

МР — магнетронный распылитель.

МЭМС — микроэлектронно механические системы.

НИИФИ — научно-исследовательский институт физических измерений.

ОАО — открытое акционерное общество.

ОКР — опытно-конструкторская работа РКТ — ракетно-космическая техника.

ТКЛР — температурный коэффициент линейного расширения.

ТКС — температурный коэффициент сопротивления.

ФГУП — федеральное государственное унитарное предприятие.

ЧЭ — чувствительный элемент.

Показать весь текст

Список литературы

  1. И. А. Управляемый синтез гетерогенных систем: получение и свойства: монография- Пенза: Изд-во Пенз. гос. ун-та, 2006 — 316 с.
  2. С.Александров, А. Алексеев, О. Курносова, А. Филаретов /Новое поколение российских установок электронно-лучевого напыления — Наноиндустрия, вып. 2, 2009 г., стр. 2−4.
  3. И.Р., Подковыров В. Г., Сочугов Н. С. Устройство дугогашения для мощных магнетронных распылительных систем. // Докл. VI конф. «Модификация свойств конструкционных материалов пучками заряженных частиц» г. Томск, 23−29 сентября. 2002 г., с. 186−189.
  4. В.В. Исследование структуры и фазового состава резистивных и диэлектрических материалов при отработке технологии создания Ч.Э.датчиков, сб/ РКТ сер. Х1У, вып.1, 1979 г.
  5. Е.В., Двинин С. А., Сейдман Л. А. Вакуумная технология и оборудование для нанесения и травления тонких пленок, Москва, Техносфера 2007 г., 176 стр.
  6. Е.В., Сейдман Л. А. Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии Москва, Техносфера 2010 г., 527 стр.
  7. И.П., Воробьев С. И., Однодворец JI.B. Тензорезистивные свойства пленочных материалов на основе Ni И Мо ИЛИ Сг/ ФИЛ PSE, 2009, т. 7, № 1−2 vol. 7, No. 1−2
  8. П.Волохов И. В. Зеленцов Ю.А., Песков Е. В. О возможности создания высокостабильных тонкоплёночных тензорезисторов // Материалы IV Межрегионального совещания «Тонкие плёнки в электронике» Москва-Улан-Удэ — 1993 — С. 221−224
  9. И. В. Зеленцов Ю.А., Песков Е. В. Применение тонких пленок для тонкопленочных тензорезисторов в высокотемпературных чувствительных элементах датчиков давления // Радиотехника № 10 — 1995 — С. 54
  10. П.Волохов И. В. Песков Е.В., Попченков Д. В. Формирование двуслойной структуры тонкой пленки с целью уменьшения температурного коэффициента сопротивления //Датчики и системы.-2005.-№ 9.-С. 57−59.
  11. А. И Семенов В.А., Педоренко Н. П.,. Тензорезисторные датчики давления // Приборы и системы управления 1990 — № 10 — С. 10 — 11
  12. В.И., Соколов Ю. В. К вопросу исследования старения металлопленочных датчиков давления в кн. Методы и средства измерения механических параметров в системах контроля и управления. Пенза, ПДНТП, 1984 г.
  13. .С., Сырчин В.К.Магнетронные распылительные системы М., Радио и связь, 1982, 72 с.
  14. Диаграммы состояния двойных металлических систем под ред. Лякишева Н. П. Машиностроение, 1996−2000 г.
  15. С. Д. ELCUT конечно-элементный анализ низкочастотного электромагнитного поля. — EDA Express, № 12, октябрь 2005 — С. 24 — 29.
  16. A.B. Микроконтроллеры AVR семейства Tiny и Mega фирмы «ATMEL», Додэка-ХХ1, 2004., 558 стр.
  17. А.Н., Ядин Э. В. Конструктивные особенности вакуумных установок для нанесения покрытий электронно-лучевым способом/: Обзорная информация, Рига, ЛатНИИНТИ, 1987.208с
  18. А.Н., Соловьев A.A., Сочугов Н. С. / Повышение эффективности цилиндрических магнетронных распылительных систем с вращающимся катодом./ХХХ звенигородская конференция по физике плазмы и УТС, 2003 г.
  19. Н.П. Тензорезисторы. М.: Машиностроение 1990 — 222 с.
  20. А. И., Карпов В. Ф., Кабанченко М. П., Соловьева О. Н. Справочник оператора установок по нанесению покрытий в вакууме / М.: Машиностроение, 1991. — 176 с: ил.
  21. Костржицкий А. И, Лебединский О. В. Многокомпонентные вакуумные покрытия. М, Машиностроение, 1987 г.
  22. А.И., Приббе С. А. Получение вакуумных покрытий из сплавов испарением компонентов из разных источников, ж. Физика и химия обработки материалов, 1979 № 1стр. 83−86
  23. А. И. Источник питания для магнетронных распылителей // Приборы и техника эксперимента", 1997, № 2,стр. 168−169.
  24. А. Магнетронные распылительные системы. Кн. 1. Киев, Аверс, 2008 г., 244с.
  25. А.И. Применение импульсных режимов при физическом осаждении покрытий в разрядах низкого давления и вакууме // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники. 1999. -Вып. 2(10). — С. 29−39.
  26. А. Н., Литвинов А. Н. Экспериментальные исследования тензочувствительности тонкопленочных резисторов // Сб. докл. Международного симпозиума «Надежность и качество», Пенза 1999 — С. 343−345.
  27. А.Н.Лугин Конструктивно-технологические основы проектирования тонкопленочных прецизионных резисторов/Пенза, ИИЦ ПГУ, 2008 г.
  28. А.Н. Об анизотропии тензочувствительности резистивных материалов // Сб. докл. МНТК «Материалы для пассивных радиоэлектронных компонентов», Пенза 2005 — С. 88−92.
  29. А. Датчики тока компании Honeywell //Электронные компоненты 2007.-№ 3.-С. 121−126.
  30. М.К. Магнетронные системы ионного распыления, Москва, изд. МГТУ, 1990 г.
  31. Никоненко В. А. Математическое моделирование технологических процессов, М., МИСиС, 2001 г.
  32. А.И., Плисовский В. Я., Пенчко Е. А. Конструирование и расчет вакуумных систем. М., Энергия, 1979, 504с.
  33. Рентгенофлюоресцентный анализатор сплавов на рентгеновской трубке Х-МЕТ-3000ТА. Техническое описание.
  34. Л.И. Вакуумная техника. М., Высшая школа, 1982, 207с.
  35. A.A., Веселов А. Г., Кирясова O.A., Портнов С. А., Браташов Д. Н. Импульсное напыление в низкотемпературной плазме тонких пленок с наноразмерной периодичностью свойств// Физика и техника полупроводников, 2009, том 43, вып. 6, стр. 859−862.
  36. Технология тонких пленок Справочник Под ред. JI. Майссела, Р. Глэнга. том 1, М., Советское радио, 1977.
  37. Технология тонких пленок Справочник Под ред. JL Майссела, Р. Глэнга. том 2, М., Советское радио, 1977.
  38. C.B. Б.В.Цыпин, Д. И. Нефедьев Анализ толщины и способы повышения равномерности покрытий./ Новые Промышленные технологии. 2010, — № 2. — С. 4318.
  39. C.B., Волохов И. В. Новая технология получения тонкопленочных гетероструктур чувствительных элементов датчиков давления / Измерительная техника, 2011, № 3, стр. 4−6.
  40. C.B., Разуваев Д. В. Устройство контроля остаточного давления в установках вакуумного напыления / Сб. докладов ХХУ научно-технической конференции молодых ученых и специалистов, Пенза, 2005.
  41. C.B. Экспериментальное исследование характеристик магнетронного распылителя. / Информационно-измерительная техника: Труды университета: Пенза: Издательство ПГУ, 2007. Вып. 32. — Стр. 132−136.
  42. C.B. Цыпин Б. В., Бывшев Ю. В. Исследование равномерности толщины покрытий. / Информационно-измерительная техника: Труды университета: Пенза: Издательство ПГУ, 2009. -Вып. 34. Стр. 175−185.
  43. C.B. Контроль техпроцессов вакуумного нанесения покрытий с использованием датчиков тока. / Информационно-измерительная техника:
  44. Труды университета: Пенза: Издательство ПТУ, 2010. — Вып. 35. Стр. 127−131.
  45. C.B. Цыпин Б. В. Особенности изучения технологии магнетронного нанесения тонких пленок. / «Университетское образование». Труды XIV Международной конференции Пенза, Издательство ПТУ, 2010.
  46. C.B. Импульсный источник питания для магнетронного распылителя./ «Надежность и качество». Труды Международного симпозиума. В 2-х т. Пенза: Издательство ПТУ, 2010. т.2 Стр. 192−194.
  47. C.B. Работа магнетронного распылителя при питании импульсным напряжением.// «Надежность и качество». Труды Международного симпозиума. В 2-х т. Пенза: Издательство ПТУ, 2010. -т.2 Стр. 194−197.
  48. C.B., Модернизация вакуумного технологического оборудования/ Блинов A.B., Тимаков C.B., Чебурахин И. Н. // Информационно-измерительная техника: Труды университета: Пенза: Издательство ПТУ, 2011. Вып. 36. — С. 283−284.
  49. C.B. Формирование хромоникелевых гетероструктур с заданным составом и свойствами. / И. А. Аверин, Р. М. Печерская, С. В. Тимаков //
  50. Сборник статей V международной научно-технической конференции «Аналитические и численные методы моделирования естественнонаучных и социальных проблем, Пенза, 25−28 октября 2010 г. с.261−263
  51. C.B. Блок автоматического управления напряжением испарителя / Тимаков C.B., Бывшев Ю. В. //Сб. докладов ХХУ научно-технической конференции молодых ученых и специалистов Пенза, НИИФИ, 2006 г.
  52. C.B. Выбор конструктивно-технических решений при модернизации технологического оборудования / Тимаков C.B., Волков Д. И //Сб. докладов XXIX научно-технической конференции молодых ученых и специалистов г. Пенза, НИИФИ, 2009 г.
  53. C.B. Источник питания для магнетронного распылителя / Тимаков C.B., Северин Е. А. // Сб. докладов XXX научно-технической конференции молодых ученых и специалистов, г. Пенза, НИИФИ, 2010 г.
  54. C.B. Магнетронный распылитель / Тимаков C.B., Хошев А. В // Сб. докладов XXX научно-технической конференции молодых ученых и специалистов, г. Пенза, НИИФИ, 2010 г.
  55. Р.К. Силицидные резисторы для интегральных схем. В кн. Технология толстых и тонких пленок под. ред. А. Рейсмана, К. Роуза, М., Мир, 1977, стр53−59.
  56. Ширяев С. А, Атаманов М. В., Гусева М. И., Мартыненко Ю. В., Митин A.B., Московкин П. Г. Получение и свойства композиционных покрытий на основе металл-углерод с нанокристаллической структурой Журнал технической физики, 2002, том 72, вып2, стр99−104.
  57. А.С. СССР на изобретение № 1 584 434. Испаритель / С. В. Тимаков, Б. А. Сивохин, В. И Михайлов, Б. М Раков. Заявка № 4 110 901 приоритет от 1.09.1986 Зарегистрировано 15.06.1988.
  58. Патент № 95 179 на полезную модель U1 Российская Федерация, МПК H01J25/00, С23С 14/00, Н02 В 99/00/. Источник питания магнетронного распылителя. /С.В.Тимаков, Е. А. Мокров, А. И. Ворожбитов, Б. В. Цыпин.
  59. Заявка 2 010 103 312/22, приоритет от 1.02.2010 // опубл. 10.06.2010. Бюл. № 16.
  60. Патент РФ № 1 820 416, МКИ, НО 1С 17/00 Высокотемпературный тензорезистор и способ его изготовления / Волохов И. В., Зеленцов Ю. А., Песков Е. В. заявка № 4 879 488/21, заявлено 30.10.90, опубл. 07.06.93, бюлл.№ 21 — 5 с.
  61. Патент РФ № 2 133 514, МКИ HOIC 17/22 Способ изготовления тонкопленочного терморезистора / Власов Г. С.- Лугин А.Н.- Проскурин Л.С.- Шутенко C.B.- заявка № 96 103 139/09, заявлено 19.02.1996, опубл. 20.07.1999.
  62. Патент США N 4 929 923, МКИ H 01 С 1/012, В 23 К 26/00, ИСМ N 12, 1991 г.
  63. Свидетельство о государственной регистрации программ для ЭВМ № 2 010 614 404. Программа управления током магнетронного распылителя./ С. В. Тимаков, А. Г. Дмитриенко. // Зарегистрировано в реестре программ для ЭВМ 7.07.2010.
  64. Свидетельство о государственной регистрации программ для ЭВМ № 2 010 614 403. Программа управления током резистивного испарителя./ С. В. Тимаков, А. Г. Дмитриенко. // Зарегистрировано в реестре программ для ЭВМ 7.07.2010.
  65. Ю.Angls J. A. Sputter deposition of a metastable equiatomatic tin-nickel alloy / Angis J.A., Bennwet J.E. // Jonrn. electrochem. Soc. — 1977. — v. 124, № 9. — P. 1455−1458.
  66. Z%.Bridgman P. W. Effekt ofpressure on binary alloys. Part V-VI/Proceeding of the American Academy of arts and science. 1957, March. Vol. 84 #2 p/131−216.
  67. W. / Sputtering sources -magnetron sputtering// Plasma Physics in Science and Technology- GREIFSWALD, September 2007
  68. Fully Integrated, Hall Effect-Based Linear Current Sensor with 2.1 k VRMS Voltage Isolation and a Low-Resistance Current Conductor, Allegro Micro Systems, Inc.
  69. Musil J., VicekJ. // 5th Conf on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows. Tomsk, 2000. P. 393.398.
  70. Musil J., Baroch P,. Vlcek J. Nam K.H., Han J.G. Reactive magnetron sputtering of thin films: present status and trends/ Thin solid filvs 475 (2004), p. 208−218.
  71. Necmi Bilir and Long Do Stress and Other Challenges with Evaporated Ni-Cr Thin Film Resistors Used in the Manufacture of ASICs Internacional cjnference on compound semiconductor MFG, 2003.
  72. Sethuraman A. R. Diffraction studies on Ni-Co and Ni—Cr alloy thin films, J. Mater. Res., 1996, Vol. 6, No. 4, p. 749.
  73. Sigmund P Theory of Sputtering. I. Sputtering Yield of Amorphous and Poly crystalline Targets/ Physical Review, Vol. 184, No. 2. (1969), 383
  74. Schiller S., KirchhojfV., Goedicke K., Schiller N. Pulsed plasma a new era ofPVD-technique//FEP Annual Report. — 1996. — P. 23−30.
  75. Specht E D, Rack P D, Rar A, Pharr G M, George E P and Hong H 2004 Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 804 45.
  76. Spellman high voltage electrjnics Installation list /MG120−12OkW Supply.
  77. Stelter R., Schilling M., Welk A., Padua C., Li C., Devine M. /Method to Design Magnetrons that Match Preferred Erosion Patterns Technical Paper Dexter Magnetic technologies, 2005.
  78. Thornton J. A. Greene J.E. Sputter deposition processes In handbook of deposition technologies for films and coatings/Ed. R.F. Buenshah, Usa, Noues publications 1992.
  79. TALYSTEP Operating instructions, Rank Taylor-Hobson Limited, Leicester LE47JQ, England
  80. Thin film systems, Alcatel cit, Modidar magnetron sputtering system for advanced industrial applications, 1993 —
  81. Walter Umrath Fundamentals of vacuum technology, Cologne, 1998, 198 p. 234.
  82. Was a k. Hayakava S. Handbook of sputter deposition technology, USA, Noues publications 1992.
  83. US Patent 4 226 899 МКИ HOI С 17/22, Method for fabricating controlled TCR thin film resistors
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!