Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Технологическое обеспечение показателей качества пластин-подложек ИМС на основе совершенствования доводочных операций

Диссертация: Технологическое обеспечение показателей качества пластин-подложек ИМС на основе совершенствования доводочных операций
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В современной микроэлектронике переход к субмикронным размерам элементов делает исключительно важной проблему совершенствования технологических процессов механической обработки монокристаллов кремния и сапфира. Задача состоит в сохранении после всех этапов механической обработки качества материала в объеме пластины, соответствующего качеству исходного монокристалла, и получении такого качества… Читать ещё >

Технологическое обеспечение показателей качества пластин-подложек ИМС на основе совершенствования доводочных операций (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. СОВРЕМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ПРОИЗВОДСТВА ПЛАСТИН-ПОДЛОЖЕК ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
    • 1. 1. Конструкции пластин-подложек интегральных микросхем и предъявляемые к ним требования
    • 1. 2. Типовые технологические процессы изготовления пластин из кремния и сапфира
    • 1. 3. Формирование показателей качества пластин-подложек интегральных микросхем при их механической обработке и химико-механическом полировании
    • 1. 4. Основные направления совершенствования технологических процессов изготовления пластин-подложек интегральных микросхем
    • 1. 5. Выводы по 1-й главе
    • 1. 6. Задачи исследований
  • ГЛАВА 2. АНАЛИТИЧЕСКОЕ ОБОСНОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА ПЛАСТИН СОВЕРШЕНСТВОВАНИЕМ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ ДОВОДКИ
    • 2. 1. Исследование кинематики доводочных станков для повышения показателей точности формы плоских поверхностей пластин-подложек
    • 2. 2. Компьютерное моделирование операции шлифовки пластин подложек ИМС
    • 2. 3. Разработка методики выбора и расчета геометрических параметров каблучного инструмента для шлифования пластин-подложек ИМС
    • 2. 4. Компьютерное моделирование алмазно-абразивного каблучного инструмента
    • 2. 5. Определение рациональных припусков для технологического процесса изготовления пластин-подложек
    • 2. 6. Выводы по 2-й главе
  • ГЛАВА 3. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
    • 3. 1. Описание работы программы компьютерного моделирования износа поверхности притира
    • 3. 2. Описание работы программы компьютерного моделирования каблучного алмазно-абразивного инструмента
    • 3. 3. Методика определения отклонений от плоскостности притиров
    • 3. 4. Методика определения износостойкости каблучного инструмента
    • 3. 5. Методика определения свойств поверхностного слоя на основе анализа приповерхностных нарушений в пластинах-подложках
    • 3. 6. Выводы по 3-й главе
  • ГЛАВА 4. РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ И ОБСУЖДЕНИЕ ПОЛУЧЕННЫХ РЕЗУЛЬТАТОВ
    • 4. 1. Экспериментальные исследования неравномерности износа поверхности притиров
    • 4. 2. Экспериментальные исследования износостойкости алмазно-абразивного инструмента
    • 4. 3. Разработка каблучного алмазно-абразивного инструмента
    • 4. 4. Исследования операции доводки пластин-подложек
    • 4. 5. Исследования приповерхностных нарушений после различных видов обработки
    • 4. 6. Выводы по 4-й главе
  • ГЛАВА 5. ПРАКТИЧЕСКАЯ РЕАЛИЗАЦИЯ РЕЗУЛЬТАТОВ РАБОТЫ
    • 5. 1. Технологический процесс изготовления пластин сапфира 0 100 мм с применением на операции двусторонней доводки связанного каблучного алмазно-абразивного инструментом
    • 5. 2. Разработка технологии обработки пластин кремния
    • 0. 150 мм свободным абразивом
      • 5. 3. Выводы по 5-й главе

В современной микроэлектронике переход к субмикронным размерам элементов делает исключительно важной проблему совершенствования технологических процессов механической обработки монокристаллов кремния и сапфира. Задача состоит в сохранении после всех этапов механической обработки качества материала в объеме пластины, соответствующего качеству исходного монокристалла, и получении такого качества поверхности пластин, которое отвечало бы современным требованиям микроэлектроники как по их геометрическим, так и по структурным параметрам.

Современный процесс изготовления пластин-подложек — это комплекс взаимосвязанных друг с другом операций, рассмотрение которых невозможно по отдельности. Каждая последующая операция должна естественным образом сочетаться с предыдущей, и оптимизация того или иного процесса возможна только лишь после тщательного анализа предыдущих и последующих операций обработки.

Механическая обработка пластин кремния и сапфира на любом из этапов, начиная с этапа раскроя слитка, заключается во взаимодействии абразивных частиц с поверхностью и приповерхностными слоями. Задача любой последующей технологической операции обработки после разрезания слитка на пластины — удаление нарушений, возникших на предыдущих этапах обработки, и получение плоской, свободной от механических повреждений поверхности пластин. Параметры плоскостности закладываются на операциях доводки свободным или связанным абразивом, а остаточные приповерхностные повреждения должны удаляться на последующих операциях щелочного или кислотного травления и химико-механического полирования (ХМП). Совершенствование способа двухсторонней доводки (шлифовки) пластин особенно актуально в связи с тем, что обнаружены существенные недостатки, присущие методам многопроволочной резки и врезного шлифования связанным абразивом.

Ужесточение требований к геометрическим параметрам пластин, касается в первую очередь таких параметров, как разнотолщинность на пластине и локальная неплоскостность, прогиб и коробление. Поэтому задачи изготовления кремниевых и сапфировых пластин большого диаметра с высокой точностью геометрической формы поверхности требуют специального рассмотрения и решения.

Ведущие мировые производители пластин для решения этих задач создают собственное оборудование, являющееся одним из основных секретов, обеспечивающих достижение уровня современных жесточайших технических требований, в первую очередь к геометрическим параметрам пластин (для кремниевых пластин 0 150 мм: TTV < 10 мкм, warp < 60 мкм, STIR на участке 15×15 мм < 0,8 мкм, для сапфировых пластин 0 100 мм TTV < 10 мкм, warp < 30 мкм, bow < 30 мкм) используемых в производстве ИМС.

Цель данной диссертационной работы: повышение эффективности технологии изготовления пластин-подложек ИМС путём совершенствования доводочных операций на этапах шлифовки и полирования пластин из кремния и сапфира.

Научная новизна работы заключается в установлении взаимосвязи между показателями качества (геометрическими параметрами — TTV, bow, warp и параметрами поверхностного слоя) с одной стороны и условиями выполнения доводочных операций (сочетание кинематических, геометрических факторов и свойств абразивного материала) с другой стороны, на основе математического моделирования и экспериментального определения закономерностей и особенностей процессов абразивного разрушения контактирующих поверхностей инструмента и детали при шлифовке пластин-подложек ИМС из кремния и сапфира.

В результате выполнения работы получены следующие основные результаты:

Разработана математическая модель износа поверхности притира при двусторонней шлифовке пластин-подложек ИМС, и на её основе создана САПР прогнозирования формы износа притиров.

На основе аналитических и экспериментальных исследований установлены зависимости геометрических параметров пластин от параметров обработки при двусторонней шлифовке свободным абразивом и связанным алмазно-абразивным инструментом.

Разработана методика построения структуры и выбора алмазно-абразивного инструмента каблучной конструкции для шлифовки пластин подложек различного диаметра на двухдисковых доводочных станках.

Установлена зависимость свойств поверхностного слоя пластин-подложек ИМС из кремния и сапфира от условий выполнений операции абразивной обработки на этапах разрезания слитка на пластины, шлифовки и полирования пластин.

На основе разработки методики назначения рациональных припусков и межоперационных размеров с учетом усовершенствованных доводочных операций созданы технологические маршруты изготовления пластин-подложек ИМС.

Практическая ценность полученных при выполнении работы результатов заключается в следующем:

Впервые разработан технологический процесс обработки пластин сапфира диаметром 76 и 100 мм ориентации (1012) с применением на операции двусторонней шлифовки каблучного алмазно-абразивного инструмента.

Разработаны технологические процессы изготовления пластин кремния диаметром 100 и 150 мм ориентации (100) и (111) с применением на операции двусторонней шлифовки абразивного материала PWA-12, что позволило освоить выпуск пластин-подложек не уступающих по геометрическому совершенству пластинам-подложкам выпускаемыми зарубежными производителями.

Создан пакет прикладных программ для анализа формы износа рабочей поверхности притира при двусторонней доводке пластин-подложек ИМС и моделирования каблучного алмазно-абразивного инструмента, позволяющий оператору варьировать размерами пластины, рабочей поверхности притира, частотами и направлениями вращения притира, внутреннего и наружного зубчатых колес, а также анализировать траекторию движения точки на поверхности пластины по притиру. САПР позволяет определять ожидаемый износ поверхности притира при определенных кинематических параметрах доводки пластин, а также позволяет выбрать и рассчитать геометрические параметры каблучного инструмента для шлифовки пластин-подложек.

Внедрение указанных процессов на ОАО «ЭЛМА» позволило обеспечить получение экономического эффекта при производстве 45 тыс. сапфировых пластин диаметром 100 мм ориентации (1012) 13,9 млн руб., а при производстве пластин кремния 120 тыс. в год диаметром 150 мм 10,1 млн руб.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ.

1. На основании аналитических исследований кинематики доводочных станков разработана математическая модель износа поверхности притира, которая позволяет представлять ожидаемую форму износа поверхности притира вдоль его радиуса в зависимости от кинематических режимов обработки, а также геометрических размеров пластины и притира.

2. Разработанная САПР расчета ожидаемой формы износа рабочей поверхности притира, представляющая собой пакет прикладных программ, позволяющих варьировать размерами пластины и рабочей поверхности притира, частотами и направлениями вращений притира, внутреннего и наружного зубчатых колес, позволяет определять ожидаемую форму износа поверхностей притиров в процессе доводки пластин на станках планетарного типа.

3. Разработанная методика выбора и расчета геометрических параметров каблучного инструмента для шлифовки пластин-подложек представляет дополнительные возможности по обеспечению равномерности изнашивания рабочих поверхностей притиров, за счет подбора износо-стойкостей концентрических кольцевых зон их рабочих поверхностей.

4. Разработанная САПР каблучного инструмента для шлифовки пластин-подложек, представляющая собой пакет прикладных программ, позволяющих моделировать варьируемую вдоль радиуса притира износостойкость его рабочей поверхности, обеспечивает возможность подбора износостойкости кольцевых зон таким образом, чтобы итоговый износ притиров был максимально равномерен вдоль радиуса.

5. Предложенная методика определения рациональных припусков на каждую операцию обработки пластин-подложек позволяет учитывать влияние геометрических параметров (TTV, warp и bow) на припуски.

6. Количественно износостойкость алмазно-абразивного инструмента может быть определена эмпирически на стенде — модернизированном оптическом станке для шлифовки и полирования плоских поверхностей мод. 2ШП-200М, с использованием разработанного метода пересчета получаемых экспериментальных данных для определения коэффициентов износостойкости.

7. Для анализа глубины и структуры повреждений, возникающих на различных этапах изготовления пластин кремния и сапфира следует применять прямые неразрушающие рентгенодифракционные методы исследования (метод двукристальной рентгеновской дифрактометрии, секционной рентгеновской топографии) структурных нарушений в пластинах кремния и сапфира и прямые разрушающие методы исследования глубины приповерхностных повреждений (метод косого шлифа).

8. Проведенные измерения отклонений от плоскостности притиров с помощью поверочной линейки подтвердили достоверность получаемых с помощью САПР форм износа. Исследования по зависимости значений параметра TTV от отклонений от плоскостности притиров, показали, что для того, чтобы получать пластин с значением TTV менее 2 мкм, значения отклонения от плоскостности притиров не должны превышать 10 мкм.

9. Проведенные исследования по износостойкости каблучного алмазно-абразивного инструмента позволили разработать инструмент для двусторонней доводки пластин сапфира на станке Peter Wolters AL-0. При обработке пластин сапфира на разработанном алмазно-абразивном инструменте геометрические параметры пластин составляли: TTV<1,5 мкмbow<5,2 мкм. Отклонения от плоскостности притиров после обработки пластин сапфира не превышали 10 мкм.

10. Исследования глубины и структуры нарушений в пластинах сапфира и кремния после различных видов обработки, а именно после многопроволочной резки свободным абразивом и двусторонней доводки свободным абразивом пластин кремния, показали, что глубина повреждений после многопроволочной резки свободным абразивом и двусторонней доводке свободным абразивом одинаковой зернистости, больше при двусторонней доводки свободным абразивом. С целью сохранения глубины повреждений при двусторонней доводке свободным абразивом на уровне глубины повреждений при многопроволочной резке, доводка должна осуществляться абразивом зернистости менее 10 мкм. При двусторонней доводки связанным абразивом зернистостью 100/80 значения Ьш> Ddnd и Ra не превышают эти же значения после двусторонней доводке свободным абразивом зернистостью 20 мкм.

11. Внедрение в технологический маршрут обработки пластин сапфира 0 100 мм ориентации (1012) операции двусторонней шлифовки обеспечивает скорость съема обрабатываемого материала ~ 18 мкм/мин. и позволяет уменьшить припуск на операцию алмазного полирования пастой 10/7 мкм. Экономический эффект от замены на операции двусторонней шлифовки свободного абразива карбида бора зернистостью 40 мкм связанным алмазно-абразивным инструментом при изготовлении 45 тыс. пластин сапфира в год составляет 13,9 млн руб.

12. Усовершенствование операции двусторонней доводки пластин кремния 0 150 мм путем замены свободного абразива F-400 на абразив PWA-12 позволяет уменьшить припуск на обработку на операциях двусторонней доводки и химико-механического полирования. Экономический эффект от внедрения новой технологии при изготовлении 120 тыс. пластин кремния 0 150 мм в год составляет 10,9 млн руб. Уменьшение припусков на обработку позволяет обеспечить экономию исходных монокристаллов на сумму 700 тыс. руб. в год.

Показать весь текст

Список литературы

  1. SEMI Ml-0600. Specifications for polished monocrystalline silicon wafers Brussels: SEMI, 2000. — 25 p.
  2. SEMI M3−1296. Specifications for polished monocrystalline sapphire substrates Brussels: SEMI, 1996. — 7 p.
  3. Проспект фирмы ЗАО «Монокристалл», Ставрополь, 2006. — 10 с.
  4. ASTM F 1241−95. Standard Terminology of Silicon Technology West Conshohocken (Pennsylvania, USA), 2000. — 7 p.
  5. ASTM F 1530−94. Standard Test Method for Measuring Flatness, Thickness, and Thickness Variation on Silicon Wafers by Automated Noncontact Scanning. Technology West Conshohocken (Pennsylvania, USA), 2000. — 7 p.
  6. ASTM F 1390−97. Standard Test Method for Measuring Warp on Silicon Wafers by Automated Noncontact Scanning. Technology West Conshohocken (Pennsylvania, USA), 2000. — 7 p.
  7. ASTM F 534−97. Standard Test Method for Bow on Silicon Wafers Technology West Conshohocken (Pennsylvania, USA), 2000. — 3 p.
  8. ASTM F 1451−92. Standard Test Method for Measuring Sori on Silicon Wafers by Automated Noncontact Scanning Technology West Conshohocken (Pennsylvania, USA), 2000. — 12 p.
  9. International Technology Roadmap for Semiconductors San Jose: SI A, 1999.
  10. Ю.Новое в технологии обработки пластин кремния большого диаметра для изготовления СБИС / Н. А. Большаков, Ю. М. Литвинов, А. А. Раскин, С. П. Яковлев // Зарубежная электронная техника. -2000. Выпуск 4.-С. 17−29.
  11. Ю.А., Литвинов Ю. М., Фаттахов Э. А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур М.: Радио и связь, 1982.-240 с.
  12. А.В., Сагателян Г. Р., Хохлов А. И. Шлифование пластин сапфира диаметром 100 мм // ПЭМ-2004: Труды девятой между-ародной научно-технической конференции Дивноморское, 2004.- С. 252−255.
  13. McColm I.J. Ceramic Hardness. N.Y. — London: Plenum Press. -1990.-310 p.
  14. McColm I.J. Ceramic Hardness. New York and London. Plenum Press. — 1992. -231 p.
  15. В.И., Борзаков Ю. И. Обработка монокристаллов в микроэлектронике М.: Радио и связь, 1988. — 104 с. 16.0бработка полупроводниковых материалов / В. И. Карбань, П. Кой, В. В. Рогов и др.: Киев: Наукова думка, 1982. — 256 с.
  16. И.Н. Кинематическое и структурное исследование исполнительных механизмов двухдисковых доводочных станков: Диссертация на соискание учёной степени кандидата технических наук.-М., 1974. 157 с.
  17. В.Г. Исследование кинематических параметров исполнительных механизмов плоскодоводочных станков: Диссертация на соискание учёной степени кандидата технических наук. -М., 1974.- 168 с.
  18. Создание технологического оборудования и разработка технологического процесса обработки заготовок фотошаблонов: сборник трудов. М.: МВТУ им. Н. Э. Баумана., 1978, — 428 с.
  19. Г. И., Фефелов Н. А. Механизация и автоматизация процессов обработки прецизионных деталей JI.: Машиностроение, 1972, — 344 с.
  20. Vedde J., Gravesen P. The fracture strength of nitrogen silicon wafers // Mater.Sci. and Eng. 1996. — V.36. P.246 — 250.
  21. О.И., Брук В. А., Никифорова Денисова С.Н. Механическая обработка полупроводниковых материалов — М.: Высшая, школа, 1983, — 252 с.
  22. В.Г. Повышение точности обработки пластин Si 0150 мм на операциях доводки и полирования в условиях серийного производства: Диссертация на соискание степени кандидата технических наук. М.: МГТУ им. Н. Э. Баумана, 1995, 186 с.
  23. Проспект фирмы «Monsanto Electronic Materials Co.», St. Louis (USA), 2006.-8 p.
  24. Доводка прецизионных деталей машин / П. Н. Орлов А.А. Савелова, В. А. Полухин и др. М.: Машиностроение. 1978. — 256 с.
  25. Pat. 5.147.824 (США). Semiconductor wafers / Т. Yasul // МКИ5 Н 01 L 21/304. 1992.
  26. Hauser С., Nasch P.M. Advanced slicing techniques for single crystals // Proc. of the First Internat. School of Crystal Growth Technology, Book of Lecture Notes. / Ed. H.J. Scheel Beatenberg, 1998. — P.204−216.
  27. Modeling and experiments on wiresaw for large silicon wafer manufacturing. I. Kao, V. Prasad, F.P. Chiang et all // Silicon Materials Science and Technology / Eds. H.R. Huff, H. Tsuya, U.Goselle. 1998. — Vol.1. — P.607−618.
  28. С.П. Обоснование и разработка прецизионного способа двухстороннего шлифования свободным абразивом пластин кремния большого диаметра: Диссертация на соискание степени кандидата технических наук: М.: МИЭТ, 2001. — 150 с.
  29. Suwable Н., Ishikawa К.А. Study of the processing characteristics of a multi wire saw: Regarding the effects of slurry composition. // J. Japan. Soc. Prec. Eng.-1999. — Vol. 33, № 2. — P. 120−121.
  30. Wells R. Wire saw slicing of large diameter srystals 11 Solid State Technology. 1987. — № 2. — P. 63−65.
  31. Degner W., Bottger H. Handbuch der Feinbearbeitung. Berlin: Verlag Technic, 1979.- 176 s.
  32. Quality aspects of chemical etching of silicon / T. Bauer, L. Fabry, T. Teuschler et all // Silicon Materials Science and Technology / Eds. H.R. Huff, H. Tsuya, U.Goselle. Cambridge, 1998. — Vol. 1. — P. 619 628.
  33. B.B., Ерусалимчик И. Г., Савушкин Ю. А. Особенности обработки керамики и сапфира в производстве гибридных микросхем // Электронная промышленность. 2003. — Выпуск 2. — С. 224 226.
  34. А.В., Сагателян Г. Р. Оптимизация процесса доводки пластин сапфира диаметром 100 мм // ИТО: Научно-технический журнал. 2005. — Выпуск 2. — С. 36−37.
  35. К., Орликовский А. Технологии СБИС. Основные тенденции развития. Часть I // Электроника: Наука, технология, бизнес. -1996.-№ 5−6.-С.3−11.
  36. Ю.Д., Пекарев А. И., Бурмистров А. Н. Производство кремниевых подложек для больших интегральных схем // Зарубежная электронная техника. 1986. — Выпуск 4. — С. 72−80.
  37. Watanabe М. Technical trends in large diameter silicon wafers // Solid State Technology 1991. — № 3. — P. 69−73.
  38. Kim K.M. Growing improved silicon crystals for VLSI / ULSI applications // Solid State Technology 1996. — № 11. — P. 70−80.
  39. З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. -Львов: Каменер, 1986. 120 с.
  40. Ю.Д., Райнова Ю. П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. М.: Металлургия, 1979. — 160 с.
  41. Технология СБИС / Под ред. С. Зи. М.: Мир, 1986. — Т. 1. — 96 с.
  42. Jackson N. Materials and technology of wafering // Solid State Technology. 1985. — V.28, № 7. — P. 15−30.
  43. Nerring R.B. Silicon wafer technology state of the art // Solid State Technology. 1976, — V.19, № 5. — P. 37−50.47.3апорожский В.П., Лапшинов Б. А. Обработка полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1988. — 181с.
  44. Проспект фирмы «Fujimi Corporation». Leveton, 2006. — 5р.
  45. Д.К., Таннер Б. К. Высокоразрешающая рентгеновская ди-фрактометрия и топография / Под ред. И. Л. Шульпина. Санкт -Петербург: Наука. — 2002. — 273 с.
  46. Fracture strength measurement of silicon chips / S.M. Lee, S.M. Sim, Y.W. Chung, et all // Jap. J. Appl. Phys. 1997. — № 6A, Pt.l. — P. 3374−3380.
  47. The influence of backgrinding on the fracture strength of 100 mm diameter (111) p-type silicon wafers. K. McGuire, S. Danyluk, T.L. Baker et all // J. Mater. Sci. 1997. — V.32, № 4. — P. 1017−1024
  48. Vedde J., Gravesen P. The fracture strength of nitrogen doped silicon wafers // Mater. Sci. and Eng. 1996. — V. 36. — P. 246−250.
  49. И.И. Стабилизация параметров качества алмазного полирования кремниевых подложек в условиях серийного производства: Диссертация на соискание степени кандидата технических наук.-М., 1984.-210с.
  50. П.Н. Технологическое обеспечение параметров качества деталей при абразивной обработке: Диссертация на соискание степени доктора технических наук: М., 1980. — 442 с.
  51. А.С. Исследование процесса доводки тонких пластин из монокристаллов: Диссертация на соискание степени кандидата технических наук: М., 1975. — 175 с.
  52. П.И., Зайцев А. Г., Барботько А. И. Тонкие доводочные процессы обработки деталей машин и приборов Минск: Наука и техника, 1976. — 315 с.
  53. Ю.Ф. Механическая обработка полупроводниковых материалов. М.: Машиностроение, 1998. — 250 с.
  54. Jackson N. Materials and technology of wafering // Solid State Technology. 1985. — V.28, № 7. — P. 15−30.бО.Оборудование полупроводникового производства / Под ред. П. Н. Масленникова. М.: Радио и связь. — 1981. — 329 с.
  55. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники / И. Я. Козырь, Ю. И. Горбунов, Ю. С. Чернозубов и др. -М.: Высшая школа. 1989. — Кн. 1. -220 с.
  56. Справочник технолога машиностроителя. В 2-х т. / Под редакцией А. Г. Косилова, Р. К. Мещерякова, 4-е изд., переработанное и дополненное. — М.: Машиностроение, — 1985.- Т. 1 — 569 с.
  57. Ю.М., Цветков В. Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов М.: Высшая. Школа, 1990. — 423 с.
  58. Г. И., Кремень З. И., Коломазин В. М. Технология обработки абразивным и алмазным инструментом Л.: Машиностроение, 1989.-207 с.
  59. Обработка полупроводников материалов / В. Н. Карбань, П. Кой, В. В. Рогов, и др. Киев, 1982. — 256 с.
  60. Као I., Prasad V., Li J., Bhagavat M. Wafer slicing and wire saw manufacturing technology // NSF Grantees Conference Seattle. -1997.-P. 239−240.
  61. Research and development of super silicon wafers / A. Takada, H. Yamagishi, H. Minami, M. Imai // Silicon Materials Science and Technology / Eds. H.R. Huff, H. Tsuya, U.Goselle. 1998. — Vol.1. — P. 376−395.
  62. Fisher G.R. Challenges for 300 mm polished wafer manufacturers // Semicond. Internal. 1998. — Vol.22, № 9. — P. 97 — 102.
  63. Konnemann G., Eichhorn H., Petzold R. Nanogrinder for high precision machining of silicon wafers. // Diamond Rev. 1999. — № 1, P. 30 -33.
  64. Pahler D. Rotation grinding of silicon wafers // Proc. of the Seventh Scientific and Business Conference «Silicon-2000» Roznov (Czech Republic), 2000.-P. 26−51.
  65. Dietrich H., Bergolz W., Dubbert S. Three hundreed-mm wafers: a technological and an economical challenge // Microelectronic Engineering. 1999. — Vol.45, № 2/3. — P. 180−183.
  66. A.M., Александров П. А., Имамов P.M. Рентгенодиф-ракционная диагностика субмикронных слоев М.: Наука, — 1989, -152 с.
  67. С.С., Скаков Ю. А., Расторгуев JI.H. Рентгенографический и электронно-оптический анализ М.: МИСИС, 1994. — 328 с.
  68. Shiwaku Н., Hyodo К., Ando М. X-ray characterization of lapped surface Si and Ge single crystals at 33.17 keV. // Jap. J. Appl. Phys. -1991.-V.31.-P. 2065−2067.
  69. Measurement of subsurface damage in silicon wafers. U. Bismayer, E. Brinksmeier, B. Guttler, H. Seibt, C. Menzt // Precision Engineering. -1994. Vol. 16, № 2. — P. 139−144.
  70. Yang F., Fei P. Microindentation of ground silicon wafers // Semicond. Sci. Technol. 2004. — № 19. — P. 1165−1168.
  71. Roberts S. G. Depths of cracks produced abrasion of brittle materials // Scripta Materialia. 1999. — Vol.40, № 1. — P. 101−108.
  72. Zeng K., Chiu C.-h. An analysis of load-penetration curves from instrumented indentation // Acta meter. 2001. — № 49. — P. 3539−3551.
  73. FEM computation of groove ridge and Monte Carlo simulation in two-body abrasive wear / L. Fang, Q. Cen, K. Sun et all // Wear. 2005. -№ 258.-P. 265−274.
  74. Computer simulation of two-body abrasion processes / L. Fang, J. Xing, W. Liu et all // Wear. 2001. -№ 251. -P. 1356−1360.
  75. Buijs М., Korpel-van Houten К. A model for lapping of glass // Journal of materials science. 1993. — № 28. — P. 3014−3020.
  76. Predicting three-body abrasive using Monte Carlo methods / L. Fang, W. Liu, D. Du et all // Wear. 2004. — № 256. — P. 685−694.
  77. Buijs M., Korpel-van Houten K. Three-body abrasion of brittle materials as studied lapping // Wear. 1993. — № 166. — P. 237−245.
  78. H.A., Литвинов Ю. М., Раскин A.A. Исследование процессов механической обработки монокристаллов кремния связанным абразивом // Известия вузов. Электроника. 2004. — № 1. — С. 48−52.
  79. B.C. Физическая и нормативная твердость абразивных инструментов из высокотвердых и сверхтвердых материалов. Часть 1. Физическая твердость абразивных инструментов // Сверхтвердые материалы. 2004. -№ 4. — С. 75−88.
  80. B.C. Физическая и нормативная твердость абразивных инструментов из высокотвердых и сверхтвердых материалов. Часть 2. Нормативная твердость абразивных инструментов // Сверхтвердые материалы. 2004. -№ 5, — С. 74−91.
  81. В.В. Оценка износа шлифовальника при одностороннем шлифовании полупроводниковых пластин свободным абразивом // Электронная промышленность. 2003. — № 2. — С. 226−230.
  82. Атомный механизм процесса химико-механического полирования пластин кремния / А. С. Макаров, С. А. Неустроев, Ю. М. Литвинов и др. // Известия вузов. Электроника. 2000. — № 3. — С. 34−37.
  83. Lambropoulos J.C., Li Y., Funkenbusch P. Non-contact estimate of grinding-induced subsurface damage // Part of the SPIE Conference on Optical Manufacturing and Testing III. Denver (Colorado), 1999. — P. 41−50.
  84. Effect of support method and mechanical property of 300 mm silicon wafers on sori measurement / W. Natsu, Y. Ito, M. Kunieda et all. // Precision Engineering. 2005. — № 29. — P. 19−26.
  85. Ким К.Ю., Никулин В. Б., Грушевский A.M. Оптический метод бесконтактного контроля шероховатости при автоматизации технологического процесса // Известия вузов. Электроника. 2004. -№ 5. — С.79−83.
  86. Preston F.W. The theory and design of plate glass polishing mashiness // Journal of the Society of Glass Technology. 1927. — Vol.11. — P. 214−256.
  87. ЮЬПроников A.C. Износ и долговечность станков М.: Машгиз. -1957.-257 с.
  88. П.Н. Основные принципы абразивной доводки деталей // Станки и инструмент. 1977. — № 1. — С. 33−35.
  89. Обработка подложек кремния связанным абрвзиврм / B.C. Кондратенко, Ю. В. Котляров, Е. М. Алиферкина и др. // Приборы. 2005. -№ 7.-С. 25−28.
  90. А.Г. Точность обработки, заготовки, припуски М.: Машиностроение. — 1977. — 328 с.
  91. А.А. Точность механической обработки и проектирование технологических процессов М.: Машиностроение. 1970. -390 с.
  92. Основы технологии машиностроения / Под ред. B.C. Корсакова. Изд. 3-е дополненное и переработанное: Учебник для вузов. М.: Машиностроение. — 1977. 416 с.
  93. Ю.В. Исследование и разработка технологии обработки подложек для приборных пластин связанным алмазно-абразивным инструментом: Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. М., 2006. — 19 с.
  94. В.В. Исследование процессов финишной обработки основы и ферромагнитного покрытия магнитных дисков: Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. М., 1978. — 15 с.
  95. А.С. Исследование нарушений структуры кремния возникающих при химико-механическом полировании: Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. М., 2000. — 20 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!