Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Закономерности формирования и минимизация дефектов электронного изображения микроканальных пластин

Диссертация: Закономерности формирования и минимизация дефектов электронного изображения микроканальных пластин
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

При анализе резистивного фактора СС МКП рассмотрены характеристики насыщения усиления каналов МКП. Показано, что в ряде случаев, насыщение имеет аномальный вид, характеризуется динамикой усиления в области сравнительно малых входных-выходных токов, соответствующих линейному режиму работы каналов насыщение второго рода). Рассмотрены физические вопросы проводимости каналов. Показано, что известные… Читать ещё >

Закономерности формирования и минимизация дефектов электронного изображения микроканальных пластин (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. Характеристики электронного изображения МКП
    • 1. 1. Конструктивно-технологические, физические и параметрические особенности современных МКП
    • 1. 2. Формирование и особенности электронного изображения МКП
    • 1. 3. Условия визуальной регистрации дефектов электронного изображения МКП
    • 1. 4. Классификация дефектов электронного изображения МКП
  • 2. Нормирование и поведение дефектов электронного изображения МКП
    • 2. 1. Режимы и условия работы МКП в составе ЭОП
    • 2. 2. Режимы контроля и требования к чистоте поля зрения электронного изображения МКП
    • 2. 3. Исследование поведения дефектов ЭИ МКП
  • 3. Анализ физических моделей дефектов электронного изображения МКП
    • 3. 1. Резистивный фактор неоднородности усиления каналов и их групп
    • 3. 2. Шаговая модель усиления каналов МКП
    • 3. 3. Теория точности усиления каналов МКП
    • 3. 4. Геометрически-структурный и эмиссионный факторы сотовой структуры и разнояркости изображения
    • 3. 5. Выводы по третьей главе
  • 4. Технологические проблемы ЧПЗ ЭИ МКП и направления их решения
    • 4. 1. Системные взаимосвязи между МКП и техпроцессом их изготовления
    • 4. 2. Системные свойств операций техпроцесса
    • 4. 3. Пути технологической оптимизации МКП
  • Геометрически-структурный фактор
    • 4. 4. Технологические пути минимизации резистивного фактора сотовой структуры и разнояркости изображения
  • 5. Исследования технологических и эксплуатационных факторов ЧПЗ ЭИ МКП
    • 5. 1. Исследование термоводородного восстановления МКП
    • 5. 2. Технологические факторы процесса вытравливания опорной жилы
    • 5. 3. Воздействие внешних факторов на параметры МКП

Актуальность темы

Микроканальные пластины (МКП) -стеклянные вакуумные многоканальные вторично-электронные преобразователи и усилители организованных в пространстве потоков заряженных частиц и излучений. Благодаря ряду уникальных свойств (миниатюрность, компактность, высокое усиление и пространственное разрешение, самонасыщение усиления, высокое быстродействие, малое потребление мощности и так далее), МКП находят все возрастающее применение в различных областях науки и техники, прежде всего, в технике ночного видения [1−10,20].

Конструктивно типовая современная МКП представляет собой стеклянный диск, состоящий из микроканальной вставки (МКВ) и монолитного обрамления (МО). В пределах МКВ содержится несколько миллионов регулярно расположенных круглых микроканалов. Путем термоводородной обработки стенки каналов приобретают необходимую электропроводность, и на поверхности каналов формируется тонкий резистивно-эмиссионный слой (РЭС), выполняющий функции вторично-электронного эмиттера с распределенным сопротивлением. Торцы пластины металлизируют, и к ним подводится напряжение питания. Протекающий по РЭС ток проводимости создает однородное электрическое поле в каналах. При этом каждый канал превращается в сверхминиатюрный каналовый вторично-электронный умножитель (КЭУ), способный умножать попадающие в него электроны, а вся пластина становится многоканальным умножителем электронов, в частности, усилителем электронных изображений.

МКП — стеклянное изделие, причем стекло выполняет не только функции конструкционного материала, но и является материалом 5 активных элементов (вторично-электронных усилителей), что является уникальным в современной электронике. Малый диаметр каналов (до 5−6.

6 2 мкм), огромная (10 см" и выше) их плотность, жесткие требования к однородности усиления каналов, к совершенству геометрической структуры каналов и качеству исполнительных поверхностей — все это делает современные МКП особо сложными изделиями электронной техники, а их изготовление прецизионным процессом [15−21]. Поэтому только несколько ведущих мировых фирм — Galileo, ITT, Varian, Ni-Tec (США) — способны выпускать высококачественные МКП.

Исторически развитие МКП было связано, главным образом, с потребностями техники ночного видения. МКП — важнейший элемент электронно-оптических преобразователей (ЭОП) и приборов ночного видения (ПНВ) новейших поколений, выполняющий функцию усиления электронных изображений. Характеристики МКП, ЭОП и ПНВ взаимосвязаны и взаимообусловлены. Прогресс в развитии ПНВ и ЭОП неразрывно связан с прогрессом в развитии МКП [1,2,8,49−51,100 103,106].

В связи с этим весьма актуальной является задача улучшения чистоты поля зрения электронного изображения (ЧПЗ ЭИ) МКП, поскольку это улучшает качество выходного изображения ЭОП, снижает вероятность ошибок первого и второго рода при наблюдении объектов в условиях естественной ночной освещенности (ЕНО), способствует улучшению основного параметра ПНВ — дальности действия, повышает комфортность наблюдений, надежность и стойкость прибора и аппаратуры [1,100−103].

ЧПЗ ЭИ МКП — сложное комплексное свойство качества МКП, определяемое размерами, числом, распределением по рабочей площади поля зрения и яркостно-контрастными характеристиками допустимых 6 дефектов выходного изображения. Минимизация дефектов ЧПЗ способствует существенному улучшению технического уровня и качества МКП, ЭОП и ПНВ, повышению конкурентоспособности и ликвидности МКП на рынках сбыта. Анализ показывает, что с развитием техники ночного видения требования к ЧПЗ ЭИ МКП неуклонно повышаются[ 19,20,239−245].

Становление отечественных изделий электронной техники класса МКП в СССР осуществлялось в 70−80-х г. г. В 90-х годах новейшие поколения отечественных МКП в России разрабатывают и выпускают только Владикавказский технологический центр «Баспик» и государственное предприятие завод «Гран» г. Владикавказ.

Большой научный и практический вклад в создание основ физики и информатики МКП, теоретических и практических основ технологии, организации промышленного производства и внедрение МКП в ЭОП внесли отечественные ученые и специалисты: Петровский, Сатаров, Тютиков, Кулов, Канчиев, Кутасов, Гречаник, Полухин, Канаева, Пахомов, Романов, Платов, Гер, Бурзянцев, Попов, Макаров, Добров, Шаповал, Белоглазов, Локтионов, Солдатенков, Никитин, Гордиенко и другие.

Вместе с тем, изучение литературных данных [15,1719,21,25,27,41,42,67,68,71 и другие] показывает, что физические причины и механизмы, а также технологические факторы, ответственные за формирование дефектов ЧПЗ ЭИ МКП, изучены недостаточно, либо не известны вовсе, особенно применительно к МКП современных типов с монолитным обрамлением. Это в первую очередь относится к «родовым» дефектам, которые связаны с самой сущностью принятого технологического метода — «сотовой структуре» (СС) и «разнояркости микроканальных сот» (РЗЯ) [27]. 7.

В связи с этим актуальной является научная проблема исследований физического механизма, физико-химических и технологических закономерностей формирования детерминированных технологическим методом дефектов ЧПЗ, определения и оптимизации их существенных технологических факторов [19,21,24,27].

Решение этой проблемы способствует углублению знаний о физике и технологии МКП и предопределяет успех в решении технологической задачи улучшения ЧПЗ ЭИ МКП, а вместе с этим более общих задач разработки и промышленного освоения усовершенствованных МКП новых поколений.

Предмет исследований — дефекты электронного изображения МКП «сотовая структура (СС) и «разнояркость» (РЗЯ), детерминированные принятым технологическим методом изготовления МКП.

Целью диссертационной работы являлось: на основе исследований физико-химических, технологических и эксплуатационных закономерностей формирования и поведения дефектов СС и РЗЯ, выявления и оптимизации значимых технологическим факторов, наметить и осуществить мероприятия по совершенствованию технологии МКП с целью исключения (минимизации в допустимых пределах) этих дефектов и улучшения качества МКП.

Настоящая работа проводилась в связи с исследованиями и разработками, направленными на создание и промышленное освоение отечественных МКП для новейшей техники ночного видения 2, 2+ и 3 поколения.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие основные задачи:

1. Обобщить и критически проанализировать данные по фактическому состоянию, текущим и перспективным требованиям к ЧПЗ 8.

ЭИ МКП, режимам и условиям контроля, закономерностям формирования и поведения дефектов ЧПЗ.

2. Исследовать характеристики, поведение и условия регистрации дефектов ЧПЗ, обосновать и предложить оптимальные режимы испытаний МКП на ЧПЗ. Решить классификационную задачу дефектов ЧПЗ.

3. Исследовать физические закономерности, провести анализ физических моделей типовых дефектов ЧПЗ и на основе этого сформулировать требования к конструктивным, структурным и электрическим параметрам каналов МКП, условиям работы МКП в составе ЭОП, наметить принципиальные пути реализации требований.

4. Провести классификацию и анализ влияющих на ЧПЗ технологических факторов и исследовать закономерности их воздействия. Разработать факторные технологические модели дефектов ЧПЗ экспериментально исследовать поведение дефектов ЧПЗ в зависимости от технологической предыстории и воздействия внешних факторов в течение срока службы МКП.

5. Предложить и апробировать мероприятия по оптимизации существенных технологических факторов и на этой основе улучшить характеристики ЧПЗ ЭИ МКП.

Основные положения, выносимые на защиту:

1 .Вероятность визуальной регистрации контраста дефектов ЧПЗ ЭИ МКП определяется плотностью входного тока МКП, размером дефекта, отношением сигнал/шум в контрасте, условиями регистрации и характеристиками человеческого зрения. Недостаточный учет этих факторов при испытаниях приводит к ошибкам первого рода (пропуск дефекта) и может создать преувеличенное представление о качестве МКП. 9.

2.Используемые режимы контроля ЧПЗ отечественных МКП не адекватны условиям их применения в составе ЭОП новейших поколений и требуют уточнения.

3. Система классификации дефектов ЧПЗ ЭИ МКП по видам и реквизитам-признакам. Дефекты СС и РЗЯ детерминированы самой принятой технологией и не могут быть полностью исключены. Их следует минимизировать применительно к режимам и условиям применения (контроля) МКП.

4.Уточненная шаговая модель усиления канала (любых выделенных их групп) и вытекающая из нее теория точности усиления по рабочему полю МКП позволяют сформулировать объективные требования к точностным характеристикам параметров усиления каналов и их групп, а также наметить пути их обеспечения.

5.Основные факторы сотовой структуры и разнояркости электронного изображения МКП: геометрически-структурный, резистивный, эмиссионный, которые действуют относительно независимо, корпоративно и (или) конкурентно. При этом наиболее существенное значение имеет резистивный фактор.

5.Природа токового насыщения усиления каналов МКП, определяющего влияние резистивного фактора, сложнее, чем это представлялось ранее. Она связана как с продольным, так и поперечным сопротивлением резистивно-эмиссионного слоя каналов.

6.Однородность усиления каналов, в конечном итоге, определяется однородностью состава, структуры и свойств резистивно-эмиссионного слоя каналов. Формирование и трансформации РЭС происходят на всем протяжении техпроцесса изготовления и далее на сроке службы МКП.

7.Существенные технологические факторы дефектов ЧПЗ связаны с ключевыми операциями техпроцесса: изготовлением одно и многожильных стержней (ОЖС, МЖС), микроканальных блоков, технохимической и физико-термической обработкой МКП, которые должны рассматриваться и оптимизироваться только совместно.

8. Предложенная и апробированная методология совместной системной оптимизации технологических факторов ключевых операций техпроцесса с целью минимизации дефектов ЧПЗ, основанная на системной роли и многофункциональности технологических операций и их связей.

Методы исследований: теоретические исследования, статистические методы анализа, разработка, анализ физико-математических, экспериментально-статистических и факторных технологических моделей, лабораторный и промышленный эксперимент, специальные испытания МКП.

Методологические основы исследований — системный подход, когда МКП и технологический процесс их изготовления представляют в виде систем, а решение проблем исследований и совершенствования МКП основывается на методологии системного анализа.

Научная новизна:

1. Учет вероятности регистрации контраста изображений дефектов ЧПЗ, реальных режимов и условий работы МКП в составе ЭОП позволил научно обосновать оптимальные режимы и условия контроля дефектов ЧПЗ МКП.

2. Разработанная теория точности усиления каналов, позволяет в комплексе определить круг основных физических факторов усиления и требования к точностным характеристикам параметров усиления каналов.

3. Предложенные физические модели СС и РЗЯ ЭИ МКП, учитывают совокупный вклад резистивного, геометрически-структурного и эмиссионного факторов, их взаимодействие и взаимовлияние.

Установлена существенная роль резистивного фактора в формировании указанных дефектов ЧПЗ.

4. В явление токового насыщения усиления каналов МКП важный вклад вносит поперечная проводимость резистивно-эмиссионного слоя каналов, верхнего тонкого эмиссионного высокоомного слоя на основе.

8Ю2.

5. Выдвинута и обоснована новая гипотеза о природе электронной проводимости каналов МКП, основанная на механизме токопрохождения в системе металл-полупроводник-металл.

6. Предложены и обоснованы модели формирования дефектов ЧПЗ в технологии МКП, установлены и экспериментально исследованы существенные технологические факторы и условия возникновения дефектов, решающими из которых является факторы, приводящие к неоднородности химического состава стенок пограничных и внутренних каналов микроканальных сот, и как следствие, различиям в продольном и поперечном сопротивлении РЭС этих каналов.

7.Методология и конкретные методы совместной оптимизации технологических факторов с целью минимизации дефектов ЧПЗ ЭИ МКП.

Практическая ценность работы:

1. Разработаны и внедрены в производство классификаторы дефектов и алгоритмы анализа ЭИ МКП.

2.Разработаны и внедрены в производство оптимальные методы испытаний МКП на качество электронного изображения.

3. Сформулированы и реализованы в разработках и производстве МКП требования к точностным характеристикам микроструктуры каналов, узлов и комплектующих элементов МКП.

4. На основе разработанных физико-технологических моделей выявлен и установлен характер влияния существенных технологических факторов дефектов ЧПЗ.

5. Проведена множественная оптимизация технологических факторов и на этой основе в рамках принятого технологического метода минимизирован ряд основных дефектов ЧПЗ, в частности, СС и РЗЯ, что позволило улучшить качество электронного изображения выпускаемых отечественных МКП.

Внедрение результатов работы. Практические результаты работы внедрены на предприятии Владикавказский технологический центр «Баспик» и на государственном предприятии — заводе «Гран» г. Владикавказ в разработки и производство вновь освоенного в России МКП международного типоразмерного ряда новейших поколений МКП (ОКР по темам «Кот», «Кот-1», «Мираж-1», «Микро-2″, Маска-1 Б»). Эффективность мероприятий по улучшению качества МКП подтверждается результатами испытаний и отзывами потребителей.

Апробация результатов работы. Основные вопросы, исследования и положения диссертационной работы докладывались на Всесоюзных научно-технических конференциях по «Волоконной оптике» (Москва, 1990, 1993 г. г.), отчетных научно-технических конференциях СевероКавказского государственного технологического университета (1988;1997г.г.), республиканских научных конференциях (1993;1998 г. г.), Российской научно-технической конференции по МКП (Владикавказ, 1997 г.).

Публикации. Основные результаты диссертационной работы автора отражены в 5 научно-технических отчетах по НИОКР, 7 печатных работах.

Объем диссертации. Диссертация изложена на русском языке и состоит из введения, пяти глав, заключения, библиографического списка.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1. Проблема ликвидации (минимизации) детерминированных дефектов ЧПЗ ЭИ МКП — «сотовой структуры» и «разнояркости» — относится к категории сложных и слабоструктуризированных проблем, решение которых с необходимостью требует применения методологии системного подхода. Основные подпроблемы: изучение и классификация дефектов ЧПЗ ЭИ МКП по видам и реквизитам-признакам (контраст, топология, поведение), нормирование требований и оптимизация условий контроля СС и РЗЯ, создание и анализ физико-математических моделей неоднородности усиления каналов и их групп, выявление и установление характера влияния физических факторов усиления каналов, теоретические вопросы технологии многозвенного формирования рабочих структур МКП, выявление существенных технологических факторов и характера их влияния на неоднородность усиления каналов, разработка оптимальных подходов множественной оптимизации параметров и факторов, ответственных за появление СС и РЗ.

2. Решена классификационная задача дефектов ЧПЗ ЭИ МКП. Все дефекты делятся на стохастические и детерминированные принятым технологическим процессом изготовления МКП. Последние принципиально неустранимы, они могут быть только минимизированы применительно к определенным параметрам МКП, режимам и условиям их применения.

3. Показано, что визуальная видимость дефектов СС и РЗЯ на ЭИ МКП существенно связана с временными шумами входного электронного.

211 потока и МКП. Повышение достоверности визуальной регистрации СС и РЗЯ требует достаточной плотности входного тока у'/.

4. Принятые режимы контроля СС и РЗЯ МКП по ряду признаков не являются оптимальными. Предложены оптимальные режимы контроля, адекватные условиям работы МКП в ЭОП 2, 2+ и 3 поколения и учитывающие роль временных шумов.

5. Показано, что основными факторами СС и РЗЯ являются следующие: резистивный, геометрически-структурный, эмиссионный. Эти факторы действуют совместно, относительно независимо, корпоративно и (или) конкурентно. Исследование поведения дефектов при изменении режимов испытаний (напряжения на МКП, величины входного и выходного токов) позволяет выявлять в ряде случаев действие преобладающего (наиболее существенного) фактора. Применительно к исследуемым МКП для ЭОП таким преобладающим фактором является резистивный.

Показано, что указанные факторы СС и РЗЯ, как и другие свойства и параметры МКП в общем случае зависят от степени:

• оптимальности конструкции МКП,.

• совершенства геометрической структуры каналов,.

• чистоты рабочих поверхностей,.

• оптимальности параметров и однородности РЭС каналов.

6. Показано, что МКП, должны быть оптимизированы по величине сопротивления, которая должна соответствовать линейным условиям работы МКП в ЭОП. При этом уменьшение сопротивления приводит к уменьшению влияния резистивного фактора на СС и РЗЯ ЭИ МКП. В связи с эти отмечено, что требования по сопротивлению МКП в технических условиях до сих пор задавались далекими от оптимальных.

Предложены оптимальные требования к сопротивлению МКП, используемых в ЭОП 2, 2+ и 3 поколения.

7. Рассмотрена уточненная физико-математическая шаговая модель усиления каналов в линейном режиме и выводы из нее. Установлено, что усиление канала, есть функция ряда его конструктивных, геометрически-структурных и эмиссионных параметров, являющихся физическими факторами усиления. Определены функции влияния каждого из факторов на усиление и их зависимость от напряжения на МКП. Показано, что для минимизации влияния калибрового фактора на усиление необходимо, во-первых, оптимизация среднего по пластине калибра каналов применительно к режимам использования МКП в ЭОП, во-вторых, минимизация разброса диаметров каналов и их групп. Средний по пластине геометрический калибр должен быть в интервале 35−40. Коэффициент вариации диаметров каналов не должен превосходить величины 1,5%.

8. Рассмотрены методологические вопросы анализа взаимосвязей между выходными (техническими) параметрами МКП, внутренними (физико-химическими) параметрами и технологическими факторами. Показано, что между параметрами и факторами имеются сложные неоднозначные связи и взаимовлияния, в связи с чем задача множественной оптимизации параметров и факторов не может быть формально решена в общем виде, и ее практически приходится решать на основе принятия компромиссных решений.

9. Проведен анализ системных свойств технологических операций процесса изготовления МКП. Показано, что каждая операция помимо предписанной операционной функции объективно выполняет еще две: исправляет негативы, внесенные в продукцию на предшествующих операциях, вносит новые негативы в определенные свойства обрабатываемой продукции. В связи с этим, во-первых, решение оптимизационных задач с необходимостью требует рассмотрения комплекса взаимосвязанных операций, во-вторых, любые изменения технологии должны тщательно анализироваться на предмет внесения неконтролируемых негативов.

10. Рассмотрены технологические проблемы, связанные с геометрически-структурным фактором структурных шумов, СС и РЗЯ. Показано, что введение ужесточенных допусков на размеры ОЖС и МЖС способствуют решению задачи минимизации коэффициента вариации диаметров каналов, достижению в этом отношении мирового уровня качества МКП. Эти меры приводят и к достаточной для предотвращения дефекта РЗЯ однородности средних по МКС калибров каналов.

11. Проведен анализ геометрических искажений по границам МКС: деформации сечений пограничных каналов (ПК) и сбоя пограничной структуры каналов на квадратную. Это приводит, во-первых, к некоторому увеличению калибра ПК, во-вторых, снижению прозрачности входа МКП в области ПК. Указанные факторы способствуют возникновению темной сетки на ЭИ МКП, главным образом, за счет снижения прозрачности входа в области ПК. В реальном случае вследствие ряда факторов на спекании блоков, способствующих сближению ПК между собой, фактор снижения прозрачности входа может быть ослаблен до приемлемого уровня.

12. При анализе резистивного фактора СС МКП рассмотрены характеристики насыщения усиления каналов МКП. Показано, что в ряде случаев, насыщение имеет аномальный вид, характеризуется динамикой усиления в области сравнительно малых входных-выходных токов, соответствующих линейному режиму работы каналов насыщение второго рода). Рассмотрены физические вопросы проводимости каналов. Показано, что известные гипотезы проводимости восстановленных свинцово-силикатных стекол не могут удовлетворительно объяснить электрические характеристики МКП. Предложена новая гипотеза продольной проводимости каналов, связанная с образованием оксидно-свинцовых оболочек восстановленных конгломератов дисперсной фазы свинца, обладающих электронной проводимостью.

13. Показано, что при анализе физики усиления и явления токового насыщения усиления каналов необходимо принимать во внимание и поперечную проводимость резистивно-эмиссионного слоя (РЭС) каналов, которая связана с толщиной и электропроводностью верхнего эмиссионного кремнеземного приповерхностного слоя каналов. Эти факторы определяют поверхностную зарядку каналов при их работе, эффекты «памяти» (обратимое снижение усиления) и токовое насыщение второго рода.

14. Резистивные свойства каналов и их групп определяются технологическими факторами ключевых операций: вытяжка МЖС. спекание блоков, вытравливание каналов, термоводородное восстановление. Существенное влияние на свойства восстанавливаемости МКП оказывают диффузионные явления, протекающие в системе жила-оболочка каналов на вытяжке и спекании. Эти явления приводят к снижению концентрации щелочной составляющей в оболочке (стенках) каналов, что, во-первых, изменяет вязкость и ТКЛР материалов, во-вторых, существенно влияет на свойства восстанавливаемости каналов. В связи с тем, что основные диффузионные процессы происходят на операции спекания блоков, именно эта операция требует тщательной регулировки и оптимизации по ряду критериев: обеспечению механической прочности и формоустойчивости МКПО, восстанавливаемости каналов и возможно большей однородности пограничных и внутренних каналов МКС по восстанавливаемости. На основе анализа экспериментальных данных можно заключить, что применительно к применяемым рабочих стеклам и технологическому методу принятые в настоящее время режимы спекания блоков являются оптимальными.

15. Резистивные свойства каналов МКП, в частности, однородность резистивных свойств ПК и ВК определяются также технологическими факторами операций вытравливания каналов и термоводородного восстановления МКП. Операция травления жилы является многофункциональной. В процессе этой операции формируется выщелоченный кремнеземистый приповерхностный слой на стенках каналов, который далее лишь трансформируется на восстановлении МКП. В связи с этим имеется возможность на этой операции управлять свойствами будущего эмиссионного слоя каналов и, в частности, оптимизировать этот слой по толщине, составу и структуре.

Проведенные на операции восстановления МКП исследования показывают, что, как правило, вначале быстрее восстанавливаются стенки ПК, в связи с чем на начальных стадиях восстановления МКП имеют светлую сетку. Затем снижение сопротивления ПК замедляется, в то время как сопротивление ВК снижается достаточно быстро. В результате сопротивления ПК и ВК сближаются, а при продолжении процесса сопротивление ВК оказывается ниже сопротивления ПКфактор темной сетки. Оптимизация температурно-временных режимов восстановления позволяет, во-первых, иметь оптимальное сопротивление МКП с точки зрения ее применения и ослабления действия резистивного фактора СС и РЗЯ, во-вторых, в этом.

216 оптимальном диапазоне добиться сближения сопротивлений ПК и ВК для еще большего снижения действия резистивного фактора.

16. Показано, что свойства изготовленных МКП по СС могут, в ряде случаев, ухудшаться и при воздействии технологических факторов, связанных с техпроцессом изготовления ЭОП. В частности, ухудшение порога СС в результате прогрева МКП на атмосфере связано с окислением верхнего эмиссионного слоя увеличением его сопротивления, активизации явлений зарядки второго рода. В связи с тем прогрев при температурах свыше 350 °C недопустим. Электронное облучения стенок каналов в процессе работы (тренировки) МКП может вызывать разнообразные следствия: очистка поверхности каналов (электронное обезгаживание) с ликвидацией отдельных загрязнений входа-выхода каналов и улучшением порога СС, деградация усиления вследствие снижения сопротивления на выходе каналов из-за дрейфа вглубь РЭС генерируемых электронными ударами положительных ионно-щелочных металлов. В связи с этим технология должна быть оптимизирована таким образом, чтобы минимизировать содержание щелочной составляющей на поверхности стенок каналов.

17. С учетом изложенного реализована на практике итеративная методика множественной оптимизации существенных технологических факторов СС и РЗЯ целого ряда ключевых операций техпроцесса. Оптимальная технология изготовления современных высококачественных МКП настроена весьма остро. В связи с этим встают задачи точности и настроенности управления технологическими режимами ключевых операций для удержания существенных технологических факторов этих операций на оптимальном уровне. Дестабилизация одной из ключевых операций неизбежно приводит к.

217 дестабилизации всей системы «настройки» техпроцесса и, как следствие, к повышенному браку МКП.

По результатам сравнительных исследований показано, что отечественные пластины последних поколений, разработанные в ВТЦ «Баспик», в целом практически не уступают зарубежным аналогам по ЧПЗ ЭИ и с успехом могут быть использованы в новейших ЭОП 2, 2+ и 3 поколения. Этот вывод подтвержден результатами применения и эксплуатации МКП в составе указанных ЭОП.

18. Дальнейшие направления исследований с целью улучшения качества МКП в отношении ЧПЗ ЭИ МКП могут быть связаны со следующим:

• разработка нового рабочего стекла матрицы МКП с пониженным содержанием натрия и калия,.

• оптимизация операции вытяжки МЖС с целью снижения интенсивности диффузионных процессов в системе жила-оболочка, сближению их интенсивности для ПК и ВК, что, в частности, требует снижения температуры вытяжки и разработки нового стекла защитных стекол с меньшей вязкостью при пониженных температурах вытяжки МЖС,.

• модернизация и оптимизация операции спекания блоков с целью исключения сбоев структуры на границах спекания, минимизации искажений ПК и сближению их свойств с ВК,.

• углубленное исследование влияния технологических факторов операций травления жил каналов, термопрокалки и термоводородного восстановления МКП на толщину, состав, структуру и проводимость верхнего кремнеземного эмиссионного слоя стенок каналов.

В целом следует считать, что возможности принятого базового технологического способа изготовления МКП еще далеко не исчерпаны. Дальнейшие исследования, структурная и параметрическая.

218 оптимизация принятой технологии будут способствовать повышению технического уровня и качества МКП для ЭОП, разработке и освоению МКП с каналами 5 мкм и менее.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.Г., Гаванин В. А., Зайдель И. Н. Вакуумные фотоэлектронные приборы. — М.: Радио и связь. — 1988.
  2. П. ЭОП с канальным электронным умножением // Достижения в технике передачи и воспроизведения изображений. М.: Мир. -1978.-Т.1.-С. 13−87.
  3. М.Р., Поленов Б. В. Вторично-электронные умножители открытого типа и их применение. М.: Энергоиздат. — 1981.
  4. А.Г. Электронные умножители // Итоги науки и техники. Серия «Электроника и ее применение». 1973. — Т.5. — С.43−83.
  5. В.Д., Лукьянов С. М. и др. Микроканальные пластины в экспериментальной физике (обзор) // Приборы и техника эксперимента. 1982. — № 2. — С.7−18.
  6. В.Б., Саттаров Д. К. Оптика световодов. Л.: Машиностроение. — 1977.
  7. .Н., Меламид А. Е. Канальные электронные умножители и микроканальные пластины // Итоги науки и техники. Серия «Электроника и ее применение». 1977. — Т.5. -С. 102−133.
  8. .И., Меламид А. Е. Микроканальные электронно-оптические преобразователи. // Итоги науки и техники., Сер. «Электроника и ее применение», Т.11, ВИНИТК, -М., -1979, -С.35
  9. Д.Соул. Электронно-оптическое фотографирование, пер. с англ. под ред. Базарова В. К. и Усольцева И. Ф., Военное изд. МО СССР.- М.-1972.
  10. А.Роуз. Зрение человека и электронное зрение, пер. с англ. под ред. A.A. Гиппиуса, Мир.-М.-1977.220
  11. А.Р.Шульман, С. А. Фридрихов. Вторичиоэмиссионные методы исследования твердого тела. -«Наука».-М.-1977.
  12. Ж.Панков.Оптические процессы в полупроводниках. -МИР.-М.-1973.
  13. Г. И.Епифанов. Физические основы микроэлектроники. «Сов.Радио»,-М.-1971.
  14. Л.Н.Добрецов, М. В. Гомоюнова. Эмиссионная электроника.-«Hay ка».-М.-1966.
  15. Д.К. Основы физики МКП, их параметры и применение // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. -М., — 1983.-С.9−13.
  16. Bulkwill J.T. Manufacturing techniques for microchannel plates and their application in night vision image intensifiers. Pros. 24th Semp. Art glassflowing. Southfield, Mich, 1979, Toledo, Onio, 1979, P.68−78.
  17. Г. Т., Кулов C.K., Ягмуров B.X., Канчиев З. И. О направлениях совершенствования конструкции и технологии МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., — 1990. — С. 220−224.
  18. Г. Т., Саттаров Д. К., Канчиев З. И., Кутасов В. А. Основные принципы технологии МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. научно-технич. конф. М., -41.- 1985. — С.53−55.
  19. С.К. Проблемы и пути совершенствования МКП // Электронные приборы и системы в промышленности: Тез. докл. Республ. науч. конф. Владикавказ, — 1994. -С.133−135.
  20. С.К., Романов Г. П., Петровский Г. Т., Попов М. Н. Микроканальные пластины //Электронная промышленность. 1989. -№ 3. — С. 13−17.
  21. З.И., Кулов С. К., Кутасов В. А. и др. Новые направления технологии МКП // Оптический журнал. 1993. — № 1. — С.64−69.
  22. А.Ю., Кулов С. К., Козырев E.H. Исследование влияния технологических и внешних факторов на вторично-электронную эффективность каналов МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., — 1993. — С. 100−101.
  23. Т.Д., Кулов С. К. Влияние сопротивления каналов на сотовую структуру электронного изображения МКП // Электронные приборы и системы в промышленности: Тез. докл. Республ. науч. конф. Владикавказ, — 1994. — С. 144−145.
  24. Т.Д., Гаврилов А. Ю., Кулов С. К., и др. Физика и поведение «сотовой структуры» электронного изображения МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., — 1993. — С. 102−103.
  25. Т.Д., Кулов С. К. Условие обнаружения дефектов чистоты поля зрения электронного изображения МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф., 1993.-М.-С. 104−105.
  26. Т.Д., Кулов С. К., Сланова И. Р. и др. Сотовая структура электронного избражения МКП (аналитический отчет), Владикавказ, 1998.
  27. Т.Д., Кулов С. К., Попова В. А., Козырев E.H. и др. Обработка каналов МКП под действием электронной бомбардлировки // НТК, посвященная 50-летию НИС СКГМИ (тезисы докладов). -Орджоникидзе. -1988.-С.23
  28. Т.Д., Кулов С. К. Требования к однородности каналов МКП с точки зрения исключения структурных шумов изображения // НТК, 222посвященная 60-летию НИС СКГТУ (сб.статей). -Владикавказ. -1999.-С.41−43.
  29. Т.Д., Кулов С. К., Попова В. А. Эффективность тренировки поверхности каналов МКП с помощью электронной бомбардировки // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч.конф. -1990.- М.-С.278.
  30. Т.А.Алкацева. Исследование влияние режимов эксплуатации на сотовую структуру электронного изображения МКП (научно-технический отчет). -Владикавказ.-ВТЦ «Баспик».-1998.
  31. Т.А.Алкацева. Исследование кинетики параметров МКП в процессе наработки (научно-технический отчет).-Владикавказ.-ВТЦ"Баспик".-1995.
  32. Сборник технологических проб ВТЦ «Баспик» (1997−1999 г. г.). -Владикавказ. -ВТЦ «Баспик».
  33. А.Ю., Кулов С. К. Физическая модель вторичной электронной эмиссии резистивно-эмиссионного слоя каналов МКП // К 100-летию со дня рождения профессора Агеенкова В. Г.: Тез. докл. отчетной науч.-технич. конф СКГМИ. -Владикавказ, 1993.- С. 112.
  34. Гаврилов А. Ю, Кулов С. К. Состояние поверхности и вторичная электронная эмиссия восстанавливающихся свинцово-силикатных стекол // Электронные приборы и системы в промышленности: Тез. докл. Республ. науч. конф. Владикавказ, — 1994. — С. 131−133.
  35. А.Ю., Кулов С. К., Козырев E.H. Вторичная электронная эмиссия стекол. МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М, — 1990. — С. 235−236.
  36. А.Ю. К вопросу повышения усилительной способности микроканальных пластин // Тез. докл. отчетной науч.-технич.конф. Северо-Кавказского технолог, университета. Владикавказ, — 1995. -С.23.223
  37. С.К.Кулов. Газосодержание и газовыделение МКП (аналитический обзор), -Владикавказ. 1997.
  38. С.К.Кулов. Вторичная электронная эмиссия восстановленных свинцово-силикатных стекол (аналитический обзор). -Владикавказ, -1997.
  39. С.К.Кулов, Т. Д. Алкацева. Механизм электропроводности МКП (научно-технический отчет). -Владикавказ. -1999.
  40. С.К.Кулов. Физика микроканальных пластин для электронно-оптических преобразователей (аналитический отчет). -Владикавказ. -1999.
  41. С.К.Кулов. Технология микроканальных пластин. -4.1. Системные основы технологии.-Владикавказ.-1999.
  42. С.К.Кулов. Технология микроканальных пластин. -4.2. Рабочие стекла МКП и трансформация их свойств в техпроцессе изготовления МКП.-Владикавказ.-1999.
  43. Т.Д.Алкацева, С. К. Кулов. Системные методы анализа и совершенствования изделий электронной техники и их технологии. -Владикавказ. -1993.
  44. Научно-технический отчет по ОКР «Кот». Разработка МКПО диаметром 24,8 мм с каналами 10 мкм (гл.конструктор С. К. Кулов. отв.исполн.:Т. Д. Алкацева, А. Ю. Гаврилов, Э. А. Платов, И. Р. Сланова, А. В. Калоев и др.).-Владикавказ. -1995.
  45. Научно-техический отчет по ОКР «Микро-1 Б». Разработка МКПО диаметром 24,8 мм с каналами 8 мкм (гл.констр.С. К. Кулов, отв.испол.: Т. Д. Алкацева, И. Р. Сланова, А. В. Калоев и др.) .-Владикавказ.-1997.
  46. Научно-технический отчет по ОКР «Маска-1 Б». Разработка конструкции и технологии МКПО 33−10 (гл. констр.Е. Н. Макаров, 224отв.испол.: Т. Д. Алкацева, И. Р. Сланова, А. В. Калоев и др.).-Владикавказ.-1999.
  47. И.Р.Сланова, Т. Д. Алкацева, Е. В. Мерзлова и др. Сравнительные исследования МКПО ВТЦ «Баспик» и зарубежных аналогов фирмы Galileo (сводный научно-технический отчет). -Владикавказ. -19 981 999.
  48. Н.И., Саттаров Д. К., Семенов Е. П. Микроканальные усилители яркости изображения // Оптико-механическая промышленность. 1976. — № 1. — С.63−71.
  49. Pollehn Н.К. Image Intensifieres // Арр. Optics A. Optical engineering. -1980. Y.6.- P.342−393.
  50. Fouassir M., Piaget C., Roaux E. Experimental and theoretical evacuations of 2nd and 3rd generation intensifiers viewing ranges // Photoelectric Imaging. London. — 1985. — P. 9−12.
  51. A.M., Кравчук Г. С. Микроканальные усилители яркости и методы их исследования // Приборы и техника эксперимента. 19. -№ 9.-С. 193−196.
  52. Е.П. Исследования коэффициента усиления потка электронов в микроканальной пластине // Оптико-механическая промышленность. 1982. — № 9. -С. 18−20.
  53. Е.П. Электронно-оптические преобразователи и усилители яркости изображения // Оптико-механическая промышленность. -1987. -№ Ю.-С.48.
  54. A.M., Саттаров Д. К., Кравчук Г. С. и др. Исследование характеристик микроканальных пластин с различными диаметрами каналов // Электронная техника, серия 4. 1978. — № 4. — С.33−42.225
  55. С.Н., Дунаева Т. Н., Конаева Г. Я. и др. Электрические параметры микроканальных пластин // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., — 1983. — С.66−68.
  56. Л.С., Саттаров Д. К., Конаева Г. Я. Электронно-оптические параметры МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., — С.69−72.
  57. Н.Б., Тютиков A.M. Формирование «памяти» у микроканальных пластин // Оптико-механическая промышленность. -1980. -№ 8. -С.43−45.
  58. П.К., Скворцов Б. Н., Осанов Б. А., Сиприков И. В. О применении непрерывного вторично-электронного умножителя для усиления малых токов // Приборы и техника эксперимента. 1960. -№ 4. — С.89−91.
  59. A.M. Оценка коэффициента умножения вторично-электронного умножителя с непрерывным динодом //Радиотехника и электроника. 1986. — T. I 1., № 10. — С. 1813−1825.
  60. A.M., Козырев В. К. Методика определения допустимого разброса диаметров каналов в микроканальных усилителях яркости// Оптико-механическая промышленность. 1973. — № 1. — С. 19.
  61. Л.И., Моричев И. Е., Плетнева Н. И., Семенов Е. П. Методика исследования микроканальных пластин // Оптико-механическая промышленность. 1974. — № 7. — С.21−24.
  62. Н.И., Мельникова М. М., Саттаров Д. К. Исследование темнового тока микроканальных пластин// Оптико-механическая промышленность. 1978. — № 11. -С.72.226
  63. A.M., Кравчук Г. С., Саттаров Д. К. и др. Влияние геометрии микроканальных пластин на их характеристики // Оптико-механическая промышленность. 1976. — № 11.
  64. A.M., Кравчук Г. С. Влияние условий эксплуатации на усиление и разрешающую способность систем с микроканальными пластинами // Оптико-механическая промышленность. 1974. — № 10.- С.6−9.
  65. Д.К., Тютиков A.M., Кравчук Г. С. и др. Микроканальные пластины изготовленные методом полых трубок из восстанавливающихся стекол и их характеристики // Оптико-механическая промышленность. 1976. — № 9. — С.27−30.
  66. Г. С., Тютиков A.M., Леонов Н. Б. О возможных причинах формирования «сетки» на электронном изображении систем с МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. научно-технич. конф. М., — 42.- 1985. С.25−26.
  67. Л.С., Дунаева Т. Н., Чебан Г. А. Сетка на электронном изображении МКП и ее связь с режимами работы пластины // Микроканальные пластины: Тез. докл. научно-технич. конф. М., — 42.- 1985. -С.43−44.
  68. С.К. Исследование факторов, определяющих разброс усиления каналов по полю МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. научно-технич. конф. М., — 42. — 1985. -С.68−70.
  69. Н.В. Анализ причин появления сетки и ее элементов в процессе производства МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., 1983. — С.59−60.
  70. С.К., Макаров E.H., Еремина А. Ф. и др. Физические причины и технологические факторы сотовой структуры и светлых пятен наэлектронном изображении МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз.,. науч. конф. М., — 1990. — С.263−264.
  71. С.К., Пашков В. М., Попов М. Н. и др. Классификация и анализ причин дефектов электронного изображения МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., 4.2, 1985, С.15−16.
  72. И.Е., Плетнева Н. И. Расчет сопротивления МКП для ЭОП // Оптико-механическая промышленность. 1974. — № 12. — С.25−26.
  73. М.И., Бороденко В. И., Лежник П. А. и др. Прохождение электронов через структуру доэлектронная пленка микроканальная пластина // Оптико-механическая промышленность. — 1988. — № 5. -С.9−12.
  74. В.П., Кравчук К. Д., Подгорнова Л. И. и др. Влияние барьерных пленок на усиление микроканальных пластин при энергии первичных электронов менее 1 кэВ // Электронная техника, серия 4. 1988. — № 4. -С.62.
  75. .Н., Лещиков С. Н. Выбор оптимальной толщины барьерной пленки микроканальной пластины // Оптико-механическая промышленность. 1989. — № 8. -С. 10−14.
  76. М.А., Тютиков A.M., Кравчук Т. С. Исследование изображения малых объектов микроканальными пластинами // Оптико-механическая промышленность. -1978.-№ 2.-С.9−11.
  77. Косида, Хособути. Энергетические спектры электронов, вылетающих из микроканальной пластины // Приборы для научных исследований (пер. с англ.) 1985. — № 7. — С.23−26.
  78. Косида.Влияние конструкции выходного электрода на энергетический спектр электронов, вылетающих из МКП // Приборы для научных исследований (пер. с англ.). 1986. — № 3, -С.30−34.228
  79. A.M., Цой Л.Б. Распределение электронов, выходящих из микроканальных пластин, по энергиям и направлениям// Оптико-механическая промышленность. 1976.- № 2. — С.20.
  80. И.М., Евдокимов A.B., Стожаров В. М., Тютиков A.M. Дифференциальные вторично-эмиссионные характеристики микроканальных пластин // Радиотехника и электроника. 1979. -Т.24, № 4. — С.871−874.
  81. Н.Б., Тютиков A.M. Снижение фактора шума микроканальных пластин // Оптико-механическая промышленность. 1983. — № 2. -С.10−13.
  82. Н.Б., Тютиков A.M., Единова И. А. Собственные шумы микроканальных пластин // Оптико-механическая промышленность. -1989.-№ 3.-С.9−11.
  83. Н.Б., Тютиков A.M., Тоисева М. Н., Черезова Л. А. Исследование шумов микроканальных пластин // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., — 1983. -С.73−76.
  84. В.Н., Кудря A.A., Тютиков A.M. и др. О распределении плотности тока в изображении канала мультидина // Радиотехника и электроника. 1984, — Т.2, № 2, — С. 390.
  85. В.Н., Тютиков A.M., Флегонтов Ю. А., Шиманская А. Влияние разброса координат падения электронов входного потока на усиление и фактор шума микроканального умножителя // Радиотехника и электроника. 1989. — № 3. — С.601−605.
  86. Г. С., Петрова И. Р., Тютиков A.M. и др. Оптимизация параметров электронно-оптических систем с каналовым усилением яркости // Оптико-механическая промышленность. 1988. — № 7. — С. 19−20.
  87. К.С., Козырев E.H., Кулов С. К. и др. Влияние разогрева МКП на электрическое поле в канале // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. M., — 1993.-С.106.
  88. E.H., Кулов С. К., Асламурзаев К. С. и др. Распределение температуры в канале МКП с учетом ТКС материала // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф.-М., — 1993.-С. 110.
  89. С.К., Перепелицын В. В., Плиев A.B. Распределение температуры в канале МКП с учетом ТКС материала // К 100-летию со дня рождения профессора Агеенкова В. Г.: Тез. докл. отчетной науч.-технич. конф СКГМИ. Владикавказ, — 1993. — С. 108.
  90. К.С., Канчиев З. И., Канаева Г. Я. и др. Микроканальные пластины с высокой проводимостью // Оптический журнал. 1992. -№ 11.- С.79−80.
  91. З.И., Кутасов В. А., Татаринцев Б. В. и др. Термостабильные микроканальные пластины // Оптический журнал. 1992. — № 11.-С.80−81.
  92. O.P., Еремина А. Ф., Кулов С. К. и др. Температурная зависимость сопротивления МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., — 1990. -с.238−239.
  93. С.К., Нечеталенко В. Ф. Воздействие технологических факторов на физико-технические параметры МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. -М&bdquo-- 1990.-С. 240−241.
  94. O.A., Минеев В. И., Коробочко Ю. С. Влияние стеночного заряда на работу канальных электронных умножителей // Вопросы атомной науки и техники. Серия «Общая и ядерная физика». 1988. -Вып.3(43). — С.51−53.
  95. Кравчук K. JL, Нефедов М. Я., Шаманов A.A. и др. Исследование микроканальных пластин с кварцевыми прострельными пленками на230входе // Оптико-механическая промышленность. 1989. — № 12. — С.6−8.
  96. Ward R. Nouse measurements on image intensifiers // Adv. Electr. and Electr. Phys. -London. 1976. — V.40A. — P.553−564.
  97. Siegmund O.H.W., Vallerga J., Wargelin B. Background events in microchannel plates // IEEE Trans. Nucl. Science. 1988.- V.35.- № 1. -P.521−528.
  98. M.P., Гоганов Д. А., Грудский Н. Я. и др. Моделирование процесса размножения электронных лавин в МКП // Вопросы атомной науки и техники. Серия «Общая и ядерная физика». 1988. -Вып.3(43). — С.48−52.
  99. Guest A.J. A computer model of channal multiplier plate performance // Acta Electronics. -1971 .-V. 14, N? 1 .-P.79−98.
  100. Manley В., Guest A., Holmshan R. Channel multiplier plate for imaging applications // Adv.Electr. and Electr. Phys. London. — 1969. — V.28A. -P.471−486.
  101. Adams J., Manley B.W. The mechanism of channel electron multiplication // IEEE Trans. Nucl. Science. 1966.- № 5. — P.88−99.
  102. Eschard G., Manley B.W. Principle and characteristics of channel electron multipliers // Acta Electronics. 1971. — V. I 4, № 1.-P. 19−39.
  103. Loty C. Saturation effects in channel electron multiplier // Acta Electronics. 1971. — V. I 4, -P. 107−119.
  104. Soul P.B. Opnational properties of channel plate electron multipliers // Nuclear Instruments and Methods. 1971. — V.97, № 3. — P.555−556.
  105. Lampton M. The microchannal image intensifiers // Sci. Amer. 1981. -V.245, № 5. — P.46−47.
  106. Wiza J.L. MicroChannel plate detectors // Nuclear Instruments and Methods. 1979. -V.I 62, -P.587−601.231
  107. Gatty E., Ola К., Rehak P. Study of the electric field inside microchannal plate multipliers // IEEE Trans. Nucl. Science. 1983, — V.5−30, № 1. -P.461−468.
  108. Корявин A. A" Хмельницкая Г. А., Гончарова JI.H. и др. Исследование газосодержания регулярных пористых структур // Микроканальные пластины: Тез. докл Всесоюз науч-но-технич. конф. М., — 41. — 1985. -С.72−74.
  109. .Н., Воскобойникова Е. С., Меламид А. Е. Газовыделение микроканальных пластин в процессе обезгаживания // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. ', научно-технич. конф.-М, — 1983.-С.95−99.
  110. Ш. Канчиев З. И., Кутасов В. А. и др. Содержание газов В МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., — 1990. — С. 2 73.
  111. Sandel B.R., Broadfoot A.L., Shemansky D.E. MicroChannel plate life test //J. App. Optics, 1977, v. 16, № 5. P. 143 5−143 7.
  112. S. Matsuara, S. Umebayashi, S. Okuyama, K. Ola. Current status of the microchannel plate // IEEE Trans. O. Nucl. Science. 1984.- V.5−31, -P.399−403.
  113. Г. Я. Исследование ресурса МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., — 1990. — С. 282−283.
  114. Э.Ю., Дунаева Т. И., Кутасов В. А. и др. Исследование возможности повышения долговечности МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., -1990.-С.291−292.
  115. Т.В., Езикова К. А., Конаева Г. Я. и др. Исследование ресурса МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., -1990.-С.282−283.232
  116. С.К., Попов М. Н., Апостол Т. Н. и др. Исследование надежности и стойкости отечественных МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., — 1990. -С.270−271.
  117. Л.С., Дунаева Т. Н., Конаева Т. Я. и др. Исследование кинетики параметров микроканальных пластин // Микроканальные пластины: Тез. Докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., — 41. — 1985. -С.70.
  118. Т.Н., Трофимова Л. С. Работа МКП во время и после облучения их электронным потоком повышенной плотности // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. -М,-42. 1985.-С.51−52.
  119. J. Cortes, В. Laprade. Long life microchannel plate (L2 MCP). // Proc. Soc. Photo-Opt. Instr. Eng. «High Speed Photogr. Videogr. And Photonics Proc. Conf.», -1983, -V.427, P.53−57.
  120. Патент США 4 365 150 // Gain stabilized microchannel plates and MCP treatment method. / R. Bateman. Заявлено 21.12.82.
  121. В.А. К вопросу о термовакуумной устойчивости МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., — 1990. — С. 289−290.
  122. Н.Б., Тютиков A.M. и др. Факторы, определяющие температурную устойчивость эмиссионных свойств стекла и МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., — 1990. — С. 293−294.
  123. B.C., Бессонова Э. Ю., Ефремов С. К. и др. К вопросу о термовакуумной устойчивости МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., — 1990. — С.289−290.233
  124. М.И., Пономарева О. Н., Прагер И. А. и др. Исследование газосодержания МКП с ИБП // Микроканальные пластины: Сб. тезисов Всесоюз. Научно-техн. конф., М., 1985. — С.65.
  125. С. Научные основы вакуумной техники. -М.: Мир. -1964.
  126. Л. А., Зайдель И. И., Иванова JI.H. и др. Восстанавливающиеся стекла и микроканальные пластины для рентгеновского усилителя яркости изображения // Оптико-механическая промышленность, 1973, — № 1, — С.41−44.
  127. JT.A., Терпогосова И. З., Кутепова Р. Х. Стекла для микроканальных пластин // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. -М, -1983, -С.13−16.
  128. В.Н., Лобанова Н. В., Тютиков A.M., Русан В. Г. Новые стекла для изготовления микроканальных пластин // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. Научно-технич. конф. М., — 1983, -С.16−19.
  129. A.M., Тоисева М. Н., Полухин В. Н. и др. Исследование стекол для МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф., М., — 1983, 41, С.19−22.
  130. Л.А., Терпогосова И. З., Кутепова Р. Х. и др. Растворимые стекла новый материал для изготовления деталей приборов электронной техники. // Электронная техника, Сер. Материалы, Вып.6(205), 1985, С.32−35.
  131. Л.А., Терпогосова И. З., Козлевский С. Ф. и др. Изменение состава и свойств стекол в процессе изготовления микроканальных пластин // Электронная техника, Сер. Материалы, 1984, № 12, С.45−49.
  132. .В., Полухин В. Н. Дилатометрическое исследование процессов, происходящих при изготовлении МКП // Микроканальные234пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., — 1985, — 42, — С.34−36.
  133. JI.A. Разработка нового комплекта стекол для МКП в монолитном обрамлении // Микроканальные пластины: Тез. докл. научно-технич. конф. М., — 41. — 1985. -С.43−44.
  134. В.Н. К вопросу выбора стекла монолитного обрамления МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. научно-технич. конф. М., Ч1. 1985. С. 63−65.
  135. В.Я., Погодаев А. К. и др. Исследование пограничных явлении при спекании стекол, используемых для изготовления волоконных структур // Микроканальные пластины: Тез. докл. научно-технич. конф. М, Ч1. 1985. С. 69.
  136. .В., Шепурев С. Э. Разработка составов стекол для двуслойного монолитного обрамления микроканальных пластин // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., 1990. С. 234.
  137. .В., Алаев В. Я. Диффузия щелочных ионов и кислорода на границе спеченных щелочнобариевоборатного и щелочносвинцовосиликатного стекол // Физика и химия стекла. 1990. Т. 16, № 2, С.228−233.
  138. Г. Т., Канчиев З. И., Саттаров Д. К. и др. Исследование неоднородности и совместимости пар стекол для коммутационных волоконных световодов и волоконноптических элементов // Журнал прикладной химии., 1980, Т.31, № 5, С.1210−1216.
  139. .В. Диффузия на границе между сердцевиной и оболочкой при вытягивании стекловолокна // Физика и химия стекла., 1984, Т. 10, № 4, С73−82.
  140. .В., Полозок Н. В., Баранова И. О. Диффузия щелочных оксидов на границе между спеченными боратными и свинцовосиликатными стеклами // Физика и химия стекла., 1988, Т. 14, № 5,С.691−698.
  141. С.А., Подольская Т. М., Сорокина Т. Н. Исследование возможности снижения рабочего напряжения на МКП путем модификации состава стекла матрицы // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф., М., 1990, С. 232.
  142. З. И. Борина Н.П., Макарова Т. М. и др. Удаление растворимой жилы из матрицы МКП. // ЖПХ, 1979, Т.32, № 8, С. 17 181 724.
  143. Э.Ю., Саттаров Д. К., Канчиев З. И. Удаление растворимой жилы и формирование конечной структуры МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., 1983, -С40−42.
  144. А.К. Исследование кинетики растворения стекол, используемых для изготовления жестких волоконных структур // Микроканальные пластины: Тез. докл. научно-технич. конф. М., — 41. — 1985. -С.21−22.
  145. А.К., Чигинева Н. Г., Баранова И. О. и др. Изучение механизма взаимодействия травящих растворов с поверхностью боратных стекол // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., — 41, — 1985, — С. 71.
  146. Л.В., Журавлева Н. В. Оптимизация сред, режимов, схем и приспособлений для удаления защитного стекла многожильных236стержней // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., — 41, — 1985, — С. 58.
  147. Т.М., Елисеев С. А., Мулар O.E. и др. Исследования щелочного растворения поверхности восстановленных свинцово-силикатных стекол // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., -1990, -С.238.
  148. В.А., Проскуряков М. В., Чебан Г. А. и др. Исследования по технологии чистки и очувствления МКП из свинцово-силикатных стекол // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., — 1983, -С.42−44.
  149. Д.К., Канчиев З. И., Первеев А. Ф. Методы воздействия на МКП с целью формирования заданных свойств и параметров // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. -М, — 1983,-С.45−46.
  150. R. Polaert, J. Rodier. Internal investigation of microchannel plates by scanning electron microscopy. Rev. Sei. Instrum. 44, No. 10, 1531−1536, 1973.
  151. S.H. Siddiqul. Characterization and analisis of curtain types of defects in channal electron Multiplier arrays (CEMAs). Proc, ATFA 77, Los Angeles, 1977, P. 280−290.
  152. T.M., Добычин Д. П., Харьюзов В. А. и др. Исследование пористости поверхности свинцово-силикатного стекла адсорбционным методом. // ОМП, 1989, № 12, С.26−29.
  153. JI.B., Молчанов B.C., Макарова Т. М., Тихонова З. И., Немилов C.B. Кинетика начальных стадий выщелачивания свинцово-силикатных стекол кислыми растворами // Физика и химия стекла, Т.9, № 6, 1983, С.725−729.237
  154. В.А., Окатов М. А., Абакумова Р. А. и др. Взаимодействие свинцово-силикатных стекол с разбавленными растворами плавиковой кислоты // Физика и химия стекла, Т. 17, № 1, 1990, С. 107−110.
  155. В.М., Болотов И. Е., Рабинович JI.B. и др. Кристаллический налет на полированных поверхностях // ОМП, № 10, 1976, С.30−33.
  156. А.К. Основные физико-химические проблемы в технологии создания жестких волоконных структур // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., 4.1, 1985, С. 13.
  157. J.L. Trap. Electronic conductivity in oxide glasses // Acta Electronica, V.14, No. l, 1971, P.41−77.
  158. Blodget K.B. Surface conductivity of lead silicate glass after hydrogen treatment // Jour. American Ceramic Society, V.34, No. l, P. 14−27.
  159. E.A. Восстановленнные в водороде стекла как материал для новых типов вторично-эмиссионных приборов и высокоомных сопротивлений сложных конфигураций//Вопросы радиоэлектроники, cep. IV, вып.8, 1964, С.43−51.
  160. Е.А. Об изменении электропроводности поверхностного слоя свинцовосиликатного стекла в процессе термообработки в водороде // Неорганические материалы, Т.11, № 6, 1966, С. 1154−1156.
  161. Г. А. Якобсон Я.М. Основные характеристики высокосвинцовистого стекла как материала для вторично-электронных умножителей с непрерывным динодом // Радио и электроника, № 9, 1966, С.1683−1686.
  162. A.M. О режиме восстановления некоторых свинцово-силикатных стекол, используемых для изготовления микроканальных пластин // Оптико-механическая промышленность, № 9, 1974, С.41−45.238
  163. В.И., Гречаник J1.A., Суздалева J1.C. Влияние оксидов алюминия и натрия на свойства силикатных стекол, содержащих свинец // Физика и химия стекла, Т.1, № 3, 1975, С.271−275.
  164. A.M., Полухин В. Н., Яковлев В. Е. и др. Исследование связи эмиссионных свойств свинцово-силикатных стекол с их составом и структурой // Физика и химия стекла, Т.5, № 5, 1979, С.628−631.
  165. Д.К., Канчиев З. И., Конаева Г. Я., Трофимова JI.C. Исследование влияния термоводородного восстановления на электрические параметры микроканальных пластин // Журнал прикладной химии, №.9, 1979, С.1981−1986.
  166. О.В., Канчиев З. И., Петровский Г. Т., Саттаров Д. Изменение свойств и структуры свинцово-силикатных стекол в ходе термоводородного восстановления // Журнал прикладной химии, № 5, 1980, С.977−984.
  167. О.М., Саттаров Д. К., Смирнов О. М. и др. Исследование восстанавливающихся свинцово-силикатных стекол методом спектроскопии медленных электронов //
  168. Г. Т., Саттаров Д. К., Канчиев З. И. Структура и свойства восстановленных слоев на поверхности свинцово-силикатных стекол // Физика и химия стекла, Т.7, № 4, С.457−469.
  169. A.M., Тоисева М. Н., Полухин В. Н., Лобанова Н.В., Яковлев
  170. B.Е. Влияние окислов металлов на свойства эмитирующего слоя свинцово-силикатного стекла // Физика и химия стекла, Т.7, № 6, 1981,1. C.705−711.
  171. О.М. Исследование энергетической структуры поверхности некоторых свинцово-силикатных стекол методом фотоэлектронной спектроскопии // Физика и химия стекла, Т.9, № 6, 1983, С.704−710.239
  172. Г. Т., Саттаров Д. К., Державин C.B. Изменение параметров МКП при термоводородном восстановлении // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. -М, 1983, С. 103−105.
  173. Д.К., Канчиев З. И., Конаева Г. Я., Печерская К. П. Исследование пропускания свинцово-силикатных стекол, подвергнутых термоводородному восстановлению // Оптико-механическая промышленность, № 1, 1978, С.932−934.
  174. Д.К., Зигель В. В., Канчиев З. И. Эллипсометрический метод контроля степени восстановления микроканальных пластин // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. -М., 1983, С. 65.
  175. Л.Н., Харьюзов В. А. Исследование поверхностного слоя восстановленного свинцово-силикатного стекла методами оптической спектроскопии // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., 1983, С.61−62.
  176. Л.Н., Харьюзов В. А. Толщина поверхностного слоя восстановленного стекла // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., 4.2, 1985, С.21−22.
  177. Л.Н., Харьюзов В. А., Никитин В. А. и др. Спектроскопическое исследование оптических параметров и толщины поверхностного слоя восстанавливающегося свинцовосиликатного стекла // Физика и химия стекла, Т.11, № 2, С. 13−27.
  178. О.М., Костиков Ю. П., Новолодский В. А. Исследование эмиссионными методами поверхности восстановленных свинцовосиликатных стекол // Физика и химия стекла, Т.11, № 3, 1985, С.704−710.
  179. A.A., Золотарев В. М., Акопян С. Х. Изучение поверхностных слоев стекла методом ИК спектроскопии H1JLBO // Физика и химия стекла, Т.12, № 6, 1986, С.641−665.
  180. Ю.Н., Толмачев В. А. Оптические свойства восстановленного поверхностного слоя свинцово-силикатного стекла в видимой области спектра // Физика и химия стекла, Т. 18, № 1, 1992, С. 123−129.
  181. Н.И., Гречаник JI.A. К проблеме получения полупроводящей пленки в свинцово-силикатных стеклах при обработке их в водороде // Журнал прикладной химии, T. XXXI, № 15, С.566−570.
  182. И.К., Файнберг Е. А., Гречаник JI.A. Влияние некоторых окислов на восстановление в водороде свинцовосиликатных стекол // Стекло и керамика, № 12, 1962, С.8−10.
  183. Е.А., Гречаник J1.A. Электрофизические свойства восстановленных в водороде высокосвинцовых стекол // В сб. «Электрофизические свойства и строение стекла», M-J1.: Химия, 1964, С.115−117.
  184. Е.А. Химический состав фазы, восстанавливающейся на поверхности высокосвинцовых стекол в процессе их термообработки в водороде // ЖТФ, № 10, 1965, С.2192−2196.
  185. Л.И., Харьюзов В. А., Золотарев В. М. Определение концентрации металлического свинца в поверхностном слое восстановленного свинцовосиликатного стекла по ИК спектрам пропускания и НПВО // Физика и химия стекла, 1985, Т.11, № 2, С.232−233.
  186. И.А., Пшеницын В. И., Мишин A.B. и др. Исследование поверхностных слоев свинцовосиликатного стекла методом эллипсометрии // Физика и химия стекла, Т. 13, № 1, 1987, С. 104−111.241
  187. M., Раушенбах Б. Исследование поверхностных слоев силикатных стекол // Физика и химия стекла, 1983, Т.9, № 6, С.734−740.
  188. А.П., Моисеев В. В., Портнягин В. И. Современные методы анализа поверхности при изучении стекла // Физика и химия стекла, 1985, Т.11, № 1, С.3−23.
  189. Г. Т., Тер-Нерсесянц В.Е. Ядерно-физические методы анализа приповерхностных слоев стекол // Физика и химия стекла, 1988, Т.14, № 5, С.641−665.
  190. Г. Т., Тер-Нерсесянц В.Е., Степанов С. А. и др. Анализ волоконно-оптических свинцово-силикатных стекол ядерно-физическими методами // Оптический журнал, 1992, № 11, С.5−11.
  191. Г. М., Осеминский Т. М., Петровский Г. Т. и др. Влияние термоводородной обработки на концентрационный профиль свинца в свинцовосиликатном стекле // Физика и химия стекла, 1987, Т. 13, № 5, С.732−739.
  192. С.А., Новолодский В. А., Смирнов О. М., Харьюзов В. А. Применение ОЖЕ-спектроскопии для изучения распределения элементов в поверхностном слое восстановленных свинцовосиликатных стекол // Физика и химия стекла, 1985, Т.11, № 5, С.600−602.
  193. С.А., Новолодский В. А., Полухин В. П. и др. Профили распределения элементов в поверхностном слое восстановленных свинцовосиликатных стекол // Физика и химия стекла, 1985, Т.11, № 5, С.603−604.
  194. С.А., Новолодский В. А., Смирнов О. М. и др. Углерод на поверхности восстановленных свинцовосиликатных стекол // Физика и химия стекла, 1986, Т.12, № 4, С.461−465.
  195. О.М., Костиков Ю. П., Новолодский В. А. и др. Эмиссия восстановленных свинцовосиликатных стекол // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф., М., 1983, С.62−64.
  196. A.M., Шахмин A.JI. Исследование электронной структуры свинцово-силикатных стекол методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии // Физика и химия стекла, 1990, Т. 16, № 6, С.834−838.
  197. JI.A., Леонов Н. Б., Новиков Ю. Б. и др. Об изменении состояния поверхности восстановленных свинцово-силикатных стекол при их термообработке // Физика и химия стекла, 1984, Т. 10, № 1, С.75−78.
  198. O.A., Кравченко A.A., Чередниченко Д. И. Изменение содержания щелочных ионов в приповерхностных слоях силикатных стекол при электронно-лучевой обработке // Физика и химия стекла, 1989, Т. 15, № 5, С. 780.
  199. А.Т., Мазурицкий М. Н., Кулов С. К. и др. Сравнительный анализ состояния поверхности свинцово-силикатных стекол и МКП // Физика и химия стекла, 1991, Т. 17, № 6. С.928−935.
  200. А.Т., Мазурицкий М. Н., Кулов С. К. и др. Связь особенностей диффузии свинца с механизмом формирования поверхностного слоя в свинцовосиликитных стеклах и МКП // Письма в журнал технической физики, 1991, Т. 17, Вып. 12, С.9−13.
  201. С.А., Мулар O.E., Новолодский В. А. и др. Диффузия свинца в поверхностном слое восстановленных свинцовосиликатных стекол при вакуумных прогревах // Волоконная оптика: Сб. тез. Всесоюз. научн. конф., 1990, С. 239.
  202. В.Н., Канчиев З. И., Коревин A.A. и др. О взаимосвязи степенивосстановления и газосодержания МКП // Волоконная оптика: Сб. тезисов научн. конфер., 1993, С. 120−121.
  203. З.И., Татаринцев, Б.В. Дилатометрические исследования процессов восстановления и термостабилизации МКП // Волоконная оптика: Сб. тезисов научн. конфер., 1993, С.122−123.
  204. Г. А., Файнберг Е. А., Сиприков И. В., Гречаник JI.A. Вторичная электронная эмиссия восстановленных в водороде высокосвинцовых стекол с повышенной поверхностной проводимостью. // Известия АНСССР, серия физическая, 1964, Т.28, № 9, С. 1516−1521.
  205. Ю.Н., Файнберг Е. А. Исследование стабильности вторично-эмиссионных характеристик восстановленных в водороде свинцовосодержащих стекол при их прогреве на воздухе и в вакууме // Электронная техника, серия X, 1966, вып. 4, С.51−57.
  206. Ю.Н., Файнберг Е. А. О влиянии термообработки свинцовосиликатных стекол в водороде на коэффициент вторичной электронной эмиссии // Неорганические материалы, 1998, Т.7, № 2, С.345−347.
  207. Ю.Н., Файнберг Е. А. Исследование . вторичной электронной эмиссии некоторых стекол // в кн. «Стеклообразное состояние», Ереван, 1970, С. 186−189.
  208. Ю.Н. Влияние состава на вторичную электронную эмиссию стекол // Электронная техника, сер. Материалы, 1975, вып.1, С.87−94.
  209. Authinarayanak A., Dudding R.W. Changes in secondary electron yield from reduced lead glass // Adv. Electr. And Electron Phys., 1976, V.40A, P.167−181.
  210. X.H., Пронин В. И., Тютиков A.M. и др. Вторично-эмиссионная эффективность свинцовосиликатных стекол // Тез. докл. по ЭОС и эффективным фотоэмиттерам IV Всесоюз. симп. По ВЭЭ и2441. ФЭЭ, Л., 1981, С.32−33.
  211. Hill G.E. Secondary electron emission and compositional studies on channel plate glass surfaces. Adv.Electr. Electr. Phys., 1976, v. 40A, p. 153−165.
  212. Blasek G., Shmidt H. Secondary Electron Emission of Reduced Lead Glass. -Experimentelle Technik der Physik, 1979, № 1, p.65−69.
  213. Dawson P.H. Outgassing of Glass by 100 to 1000 volt Electron Bombardment. Supplemento al nuovo cimento, 1967, v.5, No26, p. 15 671 573.
  214. A.M., Тоисеева M.H. К вопросу о механизме разрушения эмиттеров при облучении их электронами. // Тр. конференций поэлектронной технике, IV Всесоюзная конференция по ЭЛП и ФЭП, 1971, вып. 5(31), т. 5, 132−147.
  215. A.M., Королев Н. В., Тоисева М. Н. и др. Исследование состава поверхностного слоя и коэффициента вторичной электронной эмиссии свинцово-силикатных стекол // Оптико-механическая промышленность. 1980, № 4, С. 11−13.
  216. Н.Б., Тютиков A.M. и др. Влияние структуры свинцово-силикатных стекол на коэффициент вторичной электронной эмиссии // Физика и химия стекла, 1984, Т. 10, № 5, С.686−690.
  217. Н.Б., Тютиков A.M., Мурашов С. В. и др. Изменение эмиссионные свойств свинцово-силикатных стекол под действием ионов аргона // Физика и химия стекла, 1984, Т. 10, № 1, С. 104−106.
  218. Н.Б., Волков А. С., Подольская Т. М. и др. Исследование связи вторично-эмиссионных параметров стекол со свойствами МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. -М., Ч1, 1985, С. 24.245
  219. Ю.М., Куртев И. С. О вторичной электронной эмиссии восстановленного свинцово-силикатного стекла // Доклады Болгарской академии наук, 1988, Т.41, № 11, С.57−58.
  220. А.И., Машков В. А., Тютиков A.M. Об аддитивности вторичной электронной эмиссии свинцово-силикатных стекол // Физика и химия стекла, 1987, Т. 13, № 1, С.34−38.
  221. Н.Б., Волков A.C., Мурашов C.B. и др. Влияние структуры свинцовосиликатных етекоп на их коэффициент вторичной электронной эмиссии // Физика и химия стекала, 1988, Т. 14, № 5, С.686−690.
  222. A.M., Елисеев С. А., Мулар O.E. и др. Строение поверхности и механизм вторичной эмиссии восстановленных свинцово-силикатных стекол // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., — 1990. — С.237.
  223. А.И., Машков В. А., Мурашов C.B. и др. Современные представления о механизме вторичной эмиссии кварца и стекол МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., — 1990. -С.231.
  224. А.Р., Македонский В. Л., Ярошецкий И. Д. Вторичная электронная эмиссия хлористого натрия, стекла и окиси алюминия при различных температурах // Журнал технической физики, 1953, Т.23, № 7, С.1152−1160.246
  225. Шахмин AJL, Подольская Т. М., Сорокина Т. Н. и др. Вторичная электронная эмиссия и электронная структура свинцовосиликатных стекол // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф, М., 1993, С. 112.
  226. Н.П., Белевский В.П, Фридрихов С. А. Вторичная электронная эмиссия окисей бария и иттрия при малых энергиях первичных электронов (1−100 эВ) // Физика твердого тела, 1961, Т. З, № 9, С.2610−2619.
  227. Ю.Т., Попов Б. Н. Вторичная электронная эмиссия окиси бария // Физика тердого тела, 1961, T. I 1, № 6, С. 1769−1777.
  228. Н.Г., Романовский В. А. Кинетика движения электронов при вторичной эмиссии с тонких пленок металлов и полупроводников // Радиотехника и электроника, I960, № 8, С. 1275−1283.
  229. A.M. Некоторые особенности создания вторично-электронных умножителей, устойчивых к пребыванию в газообразной среде // Радиотехника и электроника, 1959, № 11, С. 1884−1889.
  230. McComas D.J., Ваше S.J. Channel multiplier compatible materials and lifetime test // Rev. Sei. Instrum., 1984, 55, № 4, Р.463−467/
  231. Дж.Л. Лайнвивер. Выделение кислорода при электронной бомбардировке стекла // в сб. Остаточные газы в электронных лампах, пер. с англ. под ред. Г. Д. Гибова, М, Энергия, 1967, С. 96−108.234. ТУ АБ 37−88 на МКП 10−34.
  232. ТЗ на ОКР «Горизонт», 28.06.1991.
  233. ТЗ на ОКР «Уровень», 26.01.1993.
  234. ТЗ на ОКР «Микро», 26.10.1995.
  235. ТЗ на ОКР, Мираж-1″, 12.2.1996.247
  236. Microhannel Plate Specification for 25 mm Image Intenifer, Doc.№ 47A0005, 51 298, 600C00849 (Ni-Tec), 600C00340 (Varian), 600C00763 (Galileo), 9.2.1985.
  237. Техническая спецификация на МКПО H33SE диаметром 32,7 мм, диаметром каналов 12 мкм, углом наклона каналов 11°, Philips, Doc: H33SE.590, 15.06. 1990.
  238. Техническая спецификация на МКПО L25 диаметром 24,8 мм, диаметром каналов 10 мкм, Philips, Doc: L25.590, 23.02.1990.
  239. Техническая спецификация на МКПО -18, DEEP, 120−0152АО, 1995.
  240. Техническая спецификация на МКПО-18 диаметром каналов 10 мкм, Galileo, 28 719, 4 900 033, Rev. G 1/8/93
  241. Техническая спецификация на МКПО-18, диаметром каналов 10 мкм, Proxitronic, 1В9 168, 1994.
  242. Ni-Tec 18 mm and 25 mm MCP SPECIFICATIONS, 1995
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!