Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Закономерности формирования структуры тугоплавких металлов, карбидов и нитритов, химически осажденных из газовой фазы

Диссертация: Закономерности формирования структуры тугоплавких металлов, карбидов и нитритов, химически осажденных из газовой фазы
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Первая глава посвящена анализу литературных данных, где отражены исследования структуры особо тугоплавких материалов, а также отражена взаимосвязь структуры, методов синтеза и условий кристаллизации. На основе литературного обзора обосновывается необходимость проведения исследований структуры тугоплавких металлов, сплавов, карбидов и нитридов, химически осажденных из газовой фазы, формулируется… Читать ещё >

Закономерности формирования структуры тугоплавких металлов, карбидов и нитритов, химически осажденных из газовой фазы (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА I. Современное состояние исследований структуры тугоплавких металлов, сплавов, карбидов и нитридов, сформировавшейся в процессе химической газофазной кристаллизации
    • 1. 1. Вольфрам. II
    • 1. 2. Вольфрам-рениевые сплавы
    • 1. 3. Карбиды титана, циркония, ниобия, тантала и вольфрама
    • 1. 4. Нитриды циркония, гафния, ниобия и тантала
    • 1. 5. Обоснование .необходимости проведения исследований струк-^ты 'тугоплавких металлов, сплавов, карбидов и нитридов, химически осажденных из газовой фазы
  • Постановка задачи
  • ГЛАВА 2. Методы синтеза, препарирования и исследования структуры тугоплавких газофазных материалов
    • 2. 1. Материалы, аппаратура и методы синтеза тугоплавких металлов (V, A/6, Та, О, Mo, W), сплавов (А/-/?е), карбидов (7?С, Zt
      • 2. 1. 1. Осаждение вольфрама и тугоплавких ОЦК-металлов
    • V. , Nb, Та, Сг, Мо)
      • 2. 1. 2. Синтез W-Яе- сплавов
      • 2. 1. 3. Кристаллизация карбидов титана, циркония, ниобия и тантала газофазно-диффузионным методом
      • 2. 1. 4. Осаждение карбидной фазы VV"С
      • 2. 1. 5. Получение нитридов p-NbgN}
      • 2. 2. Приборы, методы препарирования и исследования тугоШ плавких материалов
      • 2. 2. 1. Просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ)
      • 2. 2. 2. Методика препарирования объектов для исследования в
      • 2. 2. 3. Дополнительные методы исследования
      • 2. 3. Дефекты кристаллического строения и особенности их анализа в ПЭМ
      • 2. 3. 1. Дислокации и дислокационные петли: определение их вектора Бюргерса, типа и плотности
      • 2. 3. 2. Дефекты упаковки (ДУ)
      • 2. 3. 3. Двойники
  • Выводы по П-ой главе
    • ГЛАВА 3. Тонкая структура эпитаксиальных и гетероэпитаксиальных слоев
  • 3. 1. Эпитаксия W на монокристаллических гранях W и Мо
  • 3. 2. Гетероэпитаксиальный рост тугоплавких ОЦК-металлов на плоскости (001)Си — монокристалла
  • 3. 3. Гетероэпитаксиальный рост и структура многоориентаци-онных пленок p>-N62N и ft-Tcig, /V, выращенных на (001) Си — монокристалла и (001) [ioo]?u- фольги
  • Выводы по Ш-й главе
  • ГЛАВА 4. Тонкая структура текстурированных осадков W и
  • W-Re — сплавов
    • 4. 1. Дислокационная структура и границы зерен текстурированных поликристаллических осадков вольфрама
    • 4. 2. Дислокационная структура и границы зерен в текстурированных поликристаллических -сплавах
  • Выводы по 1У главе
  • ГЛАВА 5. Структура карбидов и нитридов переходных металлов
    • 1. У-У групп
      • 5. 1. Тонкая структура карбида WgC и ее взаимосвязь с зонарным ростом газофазных осадков
      • 5. 2. Формирование структуры поликристаллических слоев карбидов металлов 1УА-УА подгрупп и нитрида циркония на графите
      • 5. 2. 1, Некоторые кинетические закономерности роста карбидов металлов 1УА-УА подгрупп на графите, 5.2.2. Кинетика формирования микроструктуры и морфологии поверхности роста
      • 5. 2. 3, Некоторые закономерности формирования тонкой структуры
      • 5. 3. Формирование тонкой структуры фазы типа
  • Ме4Х3(Та4С3 и)
  • Выводы по У главе

    • На июньском пленуме (июнь 1983 г.) отмечалось, что «на повестке дня и такие задачи, как получение материалов с заранее заданными свойствами. Это в полной мере относится и к созданию высокотемпературных конструкционных материалов, важной составной частью которых являются тугоплавкие металлы и их сплавы, а также тугоплавкие карбиды и нитриды переходных металлов 1Уа-Уа подгрупп. Их применение в атомной и термоядерной энергетике, химии и металлургии, космической и ракетной технике неуклонно возрастает. При этом многие научно-технические проблемы удается решить путем нанесения тугоплавких защитных покрытий-, на конструкционные материалы.

    Одним из наиболее перспективных методов нанесения покрытий является химическая газофазная кристаллизация, которая в настоящее время превратилась в самостоятельную научную область физической химии. Теоретическое рассмотрение этого процесса и даже отдельных его стадий (таких, например, как адсорбция одного или обоих компонентов реакциимиграция компонентов реакции по поверхностиакт химической реакциидесорбция продуктов реакциизародышеобразование и рост закритических зародышей) представляет самостоятельную научную задачу, решение которых встречает на своем пути значительные трудности, В абсолютном большинстве экспериментальных работ рассматривается кинетика и термодинамика процесса, морфология и микроструктура, рентгеноструктурный и фазовый анализ осадка и гораздо реже тонкая структура получаемых покрытий или материалов.

    Изучение же тонкой структуры, под которой будем подразумевать дефекты кристаллической структуры, а именно: линейные (дислокации, дислокационные петли и др.), плоские (дефекты упаковки, границы зерен и др.) и объемные (фазовые включения, пузыри, и др.), обнаружи МАТЕРИАЛЫ ПЛЕНУМА ЦЕНТРАЛЬНОГО КОМИТЕТА КПСС (14−15 июня 1983 года). М. Политиздат, 1983, с. 10. ваемые с помощью просвечивающей электронной микроскопии, позволило бы извлечь важную научную информацию как для разработки и дальнейшего уточнения механизма химической газофазной кристаллизации, так и для надежного прогнозирования и предсказания тех или иных эксплуатационных свойств создаваемых конструкций, материалов или покрытий.

    В настоящее время фактически отсутствуют прямые исследования закономерностей формирования тонкой структуры тугоплавких материалов, химически осажденных из газовой фазы, ее взаимосвязи с условиями и методами кристаллизации, ее влияние на физико-химические свойства материалов.

    Тема данного исследования предусмотрена координационным планом АН СССР и выполнялась в соответствии с Перечнем основных направлений НИР Института физической химии АН СССР на 1980;1985 г. г. (тема fe 80 066 910 «Исследование кристаллической структуры тугоплавких металлов, сплавов и соединений, химически осажденных из газовой фазы» шифр 2.7.6.3).

    В связи с этим главной задачей настоящего диссертационного исследования было: I) прямое электронно-микроскопическое исследование на просвет тонкой структуры и выявление взаимосвязи ее Формирования с условиями и методами химического газофазного роста, 2) разработка новых методов препарирования объектов применительно к электронно-микроскопическим исследованиям на просвет тонкой структуры, сложившейся в процессе химической газофазной кристаллизации, 3) выявление закономерностей формирования тонкой структуры тугоплавких металлов, W-/?e-сплавов, а также эпитаксиальных и гетероэпитаксиальных слоев 4) изучение закономерностей Формирования дефектов кристаллического строения карбидов и нитридов во взаимосвязи с условиями и методами синтеза, 5) исследование тонкой структуры новых фаз, таких как Та^С^ Hf^A/jj Дл/gCi и выявление и уточнение механизмов, лежащих в основе их структурообразования.

    Основные результаты, которые получены впервые при проведении настоящих исследований и выносятся на защиту, заключаются в следующем: I) методика поперечного сечения и послойного анализа для электронно-микроскопического исследования на просвет газофазных структур, 2) новые закономерности электрополировки карбида титана, 3) осо бенности эпитаксиального роста вольфрама на монокристаллических гранях W и Мо, 4) новые особенности гетероэпитаксии W на (001)Си. и обобщение закономерности роста тугоплавких ОЦК-металлов на плоскости (001)Си 1 5) закономерности и особенности роста многоориен-тационных пленок полунитридов J^-A^A/ и уTa^/V на плоскости (001) меди, б) закономерности формирования дислокационной структуры и границ зерен текстурированных поликристаллических осадков вольфрама, 7) закономерности и особенности роста текстурированных поликристаллических осадков W-/?eсплавов, 8) тонкая структура новой карбидной фазыл/дС" 9) закономерности и особенности формирования структуры карбидов титана, циркония, ниобия и тантала, полученных газофазно-диффузионным методом, 10) кинетика структурообразованияФазы Та^С^ и ее общность (на примере ^ -) для всех структур типа Ме^Х^.

    Диссертация состоит из пяти глав, введения и заключения.

    Первая глава посвящена анализу литературных данных, где отражены исследования структуры особо тугоплавких материалов, а также отражена взаимосвязь структуры, методов синтеза и условий кристаллизации. На основе литературного обзора обосновывается необходимость проведения исследований структуры тугоплавких металлов, сплавов, карбидов и нитридов, химически осажденных из газовой фазы, формулируется задача и производится выбор методов исследования. второй главе освещены методы получения, препарирования и исследования тугоплавких газофазных материалов. Подробно описана разработанная нами методика поперечного сечения и послойного анализа применительно к исследованию сложившейся тонкой структуры в процессе массовой газофазной кристаллизации. Исследованы особенности электрополировки тугоплавких карбидов на примере Т"С.

    В третьей главе установлены новые закономерности и особенности эпитаксиального и гетероэпитаксиального роста тугоплавких ОЦК-метал-лов (V, А/6,7а, Cr, Mo, W) и соединений (Nb2N и Глава посвящена выяснению влияния подложки на начальные стадии кристаллизации,.

    В четвертой главе представлены новые результаты исследования закономерностей и особенностей образования тонкой структуры в сформировавшихся текстурах роста вольфрама и вольфрам-рениевых сплавов, В пятой главе, во-первых, представлены результаты исследования тонкой структуры новой карбидной фазыЛ/дС, уточнена её структурная формула, а также установлены закономерности слоисто-зонарного роста карбидов ТаС и ЫЬС — во-вторых, рассмотрено формирование микроструктуры, морфологии поверхности роста и тонкой структуры карбидов титана, циркония, ниобия и тантала, а также нитрида циркония во взаимосвязи с условиями кристаллизациив-третьих, с учетом полученных новых результатов о тонкой структуре Та^С^ и Hf^ty установлена кинетика формирования у — фаз типа Ме^Х^, в заключении обсуждаются особенности и закономерности формирования тонкой структуры особо тугоплавких материалов, химически осажденных из газовой фазы, а также даны общие выводы.

    ОБЩЕЕ ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ВЫВОДЫ.

    Представленные структурные исследования с применением целого комплекса современных методов и прежде всего просвечивающей электронной микроскопии, а также впервые разработанных новых оригинальных препаративных методик (поперечного сечения и послойного анализа) позволили углубить представления о механизме кристаллизации тугоплавких материалов из газовой фазы, понять особенности структуро-образования каждого материала. При этом получен обширный экспериментальный материал о структуре тугоплавких металлов, сплавов, карбидо! и нитридов.

    Условия осаждения рассматриваемых материалов в абсолютном большинстве случаев очень жесткие (высокие температуры, агрессивные среды и др.) и проведение прямых исследований на молекулярном уровне не представляется возможным. Поэтому косвенные методы являются наиболее приемлемыми, а структура, наряду с морфологией, может быть источником сведений о механизме роста. Академик Шубников А. В. неоднократно отмечал, что каждый атом объема кристалла в прошлом когда-то находился на его поверхности, т. е. участвовал в процессе роста, а сложившаяся структура является застывшим отображением реальных процессов, протекающих в момент кристаллизации.

    Прежде всего следует отметить, что газофазные осадки содержат практически всю гамму дефектов кристаллической решетки, которые можно получить при различных видах энергетической обработки: закалке, пластической деформации, облучении. Так нами наблюдались дислокационные сетки, дислокации и дислокационные петли различных типов, дефекты упаковки типа Шокли, особые границы, двойники, Фазовые включения. Естественно, что отдельные вакансии и внедренные атомы нами не наблюдались, но их образование очевидно, т.к. большинство исследуемых структурных дефектов не могли бы возникнуть без их участия.

    Хотя в настоящее время нет достаточного количества надежных экспериментальных данных о процессах, происходящих в газовой фазе, таких как например, сведений о составе поверхностных адсорбционных слоев, подвижности и времени жизни адсорбированных молекул, местах протекания элементарных актов кристаллизации и ряд других фактов, которые позволили бы однозначно связать реальные условия осаждения с формирующейся структурой. Однако, некоторые обобщения можно сделать, опираясь на известные общие закономерности химической газофазной кристаллизации полупроводниковых матегшалов, основанные на модельных представлениях послойного роста и развитых в работах /200−207/, где было показано: I) наличие плотного адсорбционного (квазижидкого) слоя, состав которого зависит от соотношения компонентов реакции, пересыщения, температуры и кристаллографической ориентации реакционной поверхности- 2) в адсорбированном слое протекают элементарные процессы роста с участием химических реакций;

    3) кристаллизационная газовая среда действует как поверхностно-активное вещество и, таким образом, значительно облегчается зародыше-образование, а рост из газовой Фазы аналогичен росту из раствора;

    4) скорости поверхностных реакций и константы равновесия существенно зависят от состава адсорбированного квазижидкого слоя, который неоднороден по толщине (в дефектных местах его толщина увеличивается) — 5) сложные молекулы в адсорбированном слое служат центрами зарод ыш ео браз о вания.

    В свете этих общих положений становятся ясными некоторые закономерности и особенности формирования тонкой структуры синтезированных нами тугоплавких материалов.

    Так, различие в характере Формирования эпитаксиальных границ (рис. 3.1.1.) связано с различным составом адсорбционного слоя на разных кристаллографических плоскостях исходных подложек вольфрама. Изменение состава газовой смеси при осаждении на одну и ту же плоскость (001) вольфрама (рис. 3.1.2) также приводит к изменению адсорбированного слоя и следовательно и условий роста, которые в структурном плане проявляются изменением характера дислокационной структуры эпитаксиальной границы.

    Причиной реализации двухориентационных гетероэпитаксиальных пленок тугоплавких металлов (см. § 3.2) и дополнительных ориентации в гетероэпитаксиальных пленках j^-A^/V и Ta?/V (см. § 3.3) может быть малая скорость роста и реальная структура поверхности подложки /211/. Вероятно на этих участках состав и структура адсорбционного слоя, определяемая реальной структурой подложки, таковы, что возникающие зародыши стабилизируются в промежуточных ори-ентациях.

    Зависимость плотности дислокаций в зернах поликристаллических осадков вольфрама (см. § 4.1) от их ориентации, типа и выраженности текстуры также может быть связано с зависимостью состава и плотности адсорбционного слоя от ориентации зерна.

    Введение

    в газовую фазу кроме Wp? еще и при осаждении — сплавов (сы. § 4.2) активирует газовую среду, а также приводит к образованию сложных молекул в адсорбированном слое, что способствует интенсификации процесса кристаллизации и, следовательно, общему увеличению структурных дефектов при сохранении известной зависимости, как у вольфрама (см. § 4.1), плотности дислокаций от ориентации зерен, типа и выраженности текстуры. Действительно /10/, осаждение W-/?eсплавов из смеси W/^i/fe/^ + Н/> способствует не только облегчению зародышеобразования в адсорбированном слое, но и стимулирует гомогенное протекание реакции в объеме и образование порошка в газовой среде.

    Введение

     же в газовую среду углеродсодержащих соединений приводит не только к изменению дефектной структуры, но и образованию новых, фаз, таких как VV^" карбины (см. § 5.1) или, как в работе /208/ ГЦК-фазы вольфрама. Формирование ультрадисперсной структуры карбида и карбидов тантала и ниобия (см. § 5.1) является всеобщей закономерностью. Это подтверждается исследованиями структуры тугоплавких металлов, полученных из металлоорганических соединений /208,209/, карбида титана, осажденного из газовой Фазы /179,199/, пироуглерода /212/.

    Синтезированные карбиды в зависимости от метода получения обладают различной структурой. Так, карбид тантала, полученный га-зофазно-диффузионным методом, содержит только дефекты упаковки (см. § 5.2), а этот же карбид, осажденный из смеси 1аСИ^+СИ^+Н^ еЬдержит преимущественно дислокации. Накопление и упорядочение дефектов упаковки приводит к образованию новых Фаз, таких как, например, Та^С^ и Н^у/у^. Здесь ярко проявляется роль дефектов в образовании новых структур, причем, как отмечалось в работе /210/, несмотря на многообразие этих структур /65/, между ними есть сходство и кристаллохимическая аналогия.

    Применение просвечивающей электронной микроскопии в структурных исследованиях оказалось очень эффективным. Так прямыми наблю.

    19] дениями подтверждена высказанная ранее гипотезёУо причине возникновения дислокаций в растущих газофазных осадках: включение некогерентных зародышей в растущий слой, с последующей рекристаллизацией их в массе зерна другой ориентации и возникновением дислокаций на границе этих областей.

    Применение впервые разработанной методики поперечного сечения позволило показать отсутствие наследования дислокаций подложки растущим осадком: дислокации подложки заканчиваются на дислокациях несоответствия эпитаксиальной границы, а ростовые дислокации берут начало на дислокациях несоответствия.

    При гетероэпитаксии тугоплавких ОЦК-металлов и нитридов j^-A/i^/V, уТа? N на плоскости (001)Си возникают зародыши, расположение которых соответствует двойниковому положению, и при образовании сплошного слоя в объеме отдельных блоков не наблюдаются дислокации, а единственными протяженными дефектами являются двойниковые Гранины. При дальнейшем росте реализуется принцип геометрического отбора и картина дислокационной структуш становится аналогичной рассмотренной для W, N-Re — сплавов, карбида титана (образование дислокаций в различных количествах в зависимости от ориентации зерен, типа и выраженности текстуры).

    Установлено существенное различие в тонкой структуре при кристаллизации карбида тантала разными методами. Однако, выявлен еще более парадоксальный факт: различие в тонкой структуре двух карбидованалогов /V6Q и ТаСх, полученных одним и тем же методомгазофазно-диффузионным. Здесь несомненно сказалось различие в строении электронных оболочек металлических атомов, а следовательно, и карбидов этих металлов. Это различие в тонкой структуре карбидов ниобия и тантала оказывается решающим в случае образования многослойных плотноупакованных фаз.

    Электронно-микроскопическое исследование на просвет в случае формирования субфаз оказалось настолько мощным инструментом исследования, что с его помощью удалось проследить кинетику образования сверхструктурных образований Та^С^ и H^yty из материнских фаз ТаСх и Н^Ы/^х, показать почему не образуются субкарбидные фазы ниобия.

    Аналогичного успеха удалось добиться в случае применения новой субкарбидной фазы — yV^* Показано, что полосчатость, присущая многим двухфазным осадкам, в случае карбидов обусловлена не чередованием различных: фаз, а периодической сменой участков, в которых количественное соотношение фаз различно.

    Полученные экспериментальные результаты дают возможность улучшишь структурные, а следовательно и физико-химические характерноти-, ки синтезируемых тугоплавких материалов. Так, например, в карбидных' покрытиях тантала и ниобия (см. § 5.1.) можно устранить слоистость, — -которая, как известно, является причиной ухудшения механических свойств (рис. 5.1.13), последующим изотермическим отжигом в атмосфере соответствующего хлорида. При этом получаются чисто карбидные мелкокристаллические покрытия.

    Устранение каналов (рис. 5.2.9-II), которые ухудшают физию.-химические свойства карбидных покрытий (см. § 5.2), можно уменьшить введением в газовую смесь MeCIj + А г каких-либо углеводородов, например, метана.

    Для получения субструктурпшфаз в системе «ниобий-углерод» необходимы такие методы воздействия на материал в процессе их синтеза, которые способствовали бы возникновению в материале дефектов упаковки типа Шокли.

    Показать весь текст

    Список литературы

    1. Ю.Н., Красовокий A.M., Зотов B.A., Кузьмин В. П. Об осаждении вольфрама из парогазовой фазы. Яурн.неорган.химии, 1965, т.10, 8, сД948−1
    2. Chxizhko Е. К, Kirillov I.V., Golovanov Yu.N., Zakharov A.P. Texture of timgsten formed by deposition from the vapour.- J. Crystal Growth, 1968, V.3, N0.3, p.219-
    3. Ю.Н., Красовокий A.И., Чужко P.К., Кириллов И. В. О кинетике реакции W P g ЗН W 6НР.- В сб. :Жаростойкие и теплостойкие покрытия. Л., Наука, 1969, с, 330-
    4. Чужко Р. К", Кириллов й.В., Голованов Ю"Н, К вопросу о механизме кристаллизации вольфрама при гетерогенном восстановлении гексафторида вольфрама водородом. В сб.: Физико-химические проблемы кристаллизации. Вып.1. /Алма-Ата, Из-во Казах.Гос.ун-та им. С. М. Кирова, 1969, 0.83−90 Brecher L.E. Kinetics of the hydrogen reduction of tungsten hexafluoride.-Chemical Vapor Deposition, SECOND UTTERNATIONAL ООЖРЕЕЖСЕ (OVD-2). N.Y., Juni 17−21, 1969, p.37-
    5. Р.Г. Химическое газофазное осаждение тугоплавких и конструкционных материалов. В кн.: Химическое газофазное осаждение тугоплавких неорганических материалов. Л., Из-во ГНПХ, 1976, с. 3-
    6. Чужко Р. К", Голованов Ю. Н. Адсорбционно-ударный механизм кристаллизации тугоплавких металлов из газовой фазы, — В сб.: Физико-химические проблемы кристаллизации. Вып. 2./Алма-Ата, Из-во Казах. Гос. ун-та им, М. Кирова, I97I, с. 3-
    7. Gheimg Н. The Kinetics of chemical vapor deposition of tungsten. Proceedings of the THIRD INTERNATIONAL CONPERENOE ON CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (CVD-3). Salt Lake City, Utah, April 24−27,1972,p.145−152.
    8. Ю.М., Столяров В.й. Восстановление фторидов тугоплавких металлов водородом. М., Металлургия, I98I, 184о.
    9. Р.К., Менделеева З.Г, Дубровина Н. В., Красовский А. И. Атлас структур фторидного вольфрама. М, ИФХ АН СССР, 1976, 23с.
    10. Р.К., Кириллов И. В., Голованов Ю. Н., Лукьянович В. М., Захаров А. П., Евко Э. И. Формы роста вольфрама при его химическом выделении на гранях монокристаллов вольфрама и молибдена. В сб.: Физико-химические проблемы кристаллизации. Вып.I./АлмаАта, Из-во Казах. Гос. ун-та им. СМ. Кирова, 1969, с.73−82.
    11. Д.В., Чужко Р. К., Гривцов А. Г. Гетерогенная кристаллизация из газовой фазы. М., Наука, 1978, Ю О с
    12. Р.К., Кириллов И. В., Голованов Ю. Н. и др. Способ получения вольфрамовых покрытий. Авт. св. СССР 289
    13. Бюллетень Госкомизобретений, 1974, I, с. 3−4.
    14. Бабад-Захряпин А. А, Кузнецов Г. Д. Текотурированные высокотемпературные покрытия. М. Атомиядат, 1980, 17бс.
    15. Бабад-Захряпин А.А., Лысенко Л. Т., Минашкин В. И. Изучение совершенства эпитаксиальных ориентировок в вольфрамовых покрытиях. Известия АН СССР. Металлы, 1978, 3, с.171−173.
    16. Колмогоров А. Н, К вопросу о «геометрическом ошборе» кристаллов. ДАНСССЕ, 1949, т. б5, 5, с.681−682.
    17. Р.К., Андреев Ю. В., Клейнер Л. М., Халдеев Г. В. Изменение дислокационной структуры в зависимости от текстуры в осажденном из газовой фазы вольфраме. ФММ, 1980, т.49, Ш 3, с.579−584.
    18. Ю.В. Физико-химические основы осаждения металлов и сплавов системы вольфрам-рений из смеси их гексафторидов с водородом. Дисс. К.Х.Н., М., 1979, 161с.
    19. Federer J.I., beitten O.F. Vapor deposition and characterization of tungsten-rhenium allous.- Nuclear Applications, 1965f v.1, No.6, p.575−580.
    20. Powell C.F., Campbell Т.Е., Gonser B.W. Vapor-plating, N.Y., Pergamon Press., 1956, 57p" A, Euppert W. Deposition and Application of TiO Coatings onto Tools Consisting of Steels and Sintered Hard Carbides: Review and Outloob GrD-2 (cm. N0.6), p.443−459.
    21. Reynaud C Vandenbulcke b., Lefebvre В., Vuillard G. Growth of TiC hard coatings by halide-activated pack cementation on graphite and steel, — Proceedings of the SIXTH INTEENATIONAb CONFERMOE ON CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (CVD-6). Princeton, August 25−28,1977,p.382−86
    22. Пепекин Г, И, Исследование процесса осаждения карбидов титана и ниобия из газовой фазы, Дисс, к.т.н., М., 196, 137с.
    23. В.П., Пепекин Г. И., Лысов Б, С. Исследование процесса восстановления четыреххлористого титана водородом на графитовой подложке. Известия ВУЗов. Сер. Цветная металлургия, 1967, 3, с. 5−57.
    24. Н.С. Защитные покрытия на графите. Физико-химическая механика материалов, 1967, т. З, б, с. 682−687,
    25. Н.Н., Горбунов Н.С Физико-химические условия осаждения металлических и карбидных покрытий. В кн.: Температуроустойчивые защитные покрытия. Л., Наука, 1968, с.46−50.
    26. Н.Н., Горбунов Н. С. Физико-химические условия осаждения на графите карбида ниобия, В кн.:Температуроустойчивыв защитные покрытия. Л.-, Наука, 1968, с. I24-I3I.
    27. П. Г. Длевцур G.A., Горбунов H.G. Исследование процесса образования карбида ниобия на графитовых частицах. В кн.: Температуроустойчивые защитные покрытия. Л., Наука, 1968, с. 140−146.
    28. П.Г., Горбунов Н. С. К процессу образования покрытий из карбида ниобия на гранулах. В кн.: Жаростойкие и теплостойкие покрытия. Л., Наука, 1969, с. 313−316.
    29. Brises W. P, Tobin J.M. Isolation of the Zeta Phase in the System
    30. Rudy Е., Nowotny Н. Untersuchungen im System Hafnium-Tantal-Kohlenstoff.- Mh. Chemie, 1963, v, 94, No.3, p.507-
    31. Rudy E., Benesovsky P., Toth L. Untersuchimgen der Dreistoffsysteme der Va- and Vla-Metall mit Bor und Kohlenstoff- Z. Metallkunde, 1963, V.54, N0.6, p.545-
    32. Rudy E. The Crystal Structure of TagVCp.- J. Less-Common Metals, 1970, V.20, No.1, p.49−55.
    33. Чужко P.К., и др. Об образовании субкарбидных и субнитридных соединений в плотноупакованных карбидных и нитридных системах переходны: металлов.- ПОВЕРХНОСТЬ, 1983, № 7, с. II6-I
    34. Martin J.L., Rocher А, Jouffrey В., Costa P. Electron Diffraction Patterns of the (Ta, C) Phase, — Phil. Mag., 1973, v.24,No.192,p.13 551 364 Rowcliffe D.J., Thomas
    35. Structure of Non-Stoichiometric T a C Mater. Sci. and Eifg., 1975, v.18, No.1,p.231-
    36. Вишняков Я. Д", Файнштейн Г. С. Превращения в металлах с различной энергией дефектов упаковки, М", Металлургия, I98I, 136 с, Sara K.V.5Phase Equilibria in the System Tungsten-Carbon.- J. Amer. Ceram. S o c 1965, v, 48, No.5, p.251-
    37. Г. В., Витрянюк В.К, Чаплыгин Ф. И, Карбиды вольфрама. Киев, Наук. думка, 1974, с, с. с. Осаждение из газовой фазы. Атомиздат, 1970, Тугоплавкие карбиды. Киев, Наук"думка, 1974, Красовский А. И., Синани И. Л., Кириллов Й. В., Голованов Ю. Н, Кузьмин В, П. Способ получения карбидов вольфрама. Авт.св.СССР 413−753 Бюллетень Госкомизобретений, 1977, Ш 23. с, 192.
    38. B.H., Нешпор B.C., Никитин В, П., Соколов В, В., Фридлендер Б. А. Структура и физические свойства пиролитических нитридов переходных металлов 1У группы. В кн.: Методы получения, свойства и области применения нитридов. Тезисы докладов. Рига, Знание, 1980, C. II8-II
    39. Holmberg В. Structural studies on the titanium-nitrogen system.-Acta Ghem. Scand., 1962, v.16. No.5, p.1255−1
    40. Rudy E., Benesovsky F. Untersuchungen in den Systems Hafnium-BorStickstoff und Zirconium-BorfeStickstoff.- Mh. Ohem., 1961, v.92, No.1, p.415-
    41. Rudy E. The Crystal Structures of HfNpSadd HfN,.- Metall, Trans., 1970, V. I, No.5, p.1249−1
    42. Takahashi T, Itoh H., Yamaguchi T. Growth parameters and crystal mo morphology of vapor-deposited niobium nitride.- J. Crystal Growth, 1979, -.46, No.1, p.69−74. Oya G., Onodera Y. Transition temperatures and crystal structures of single-crystal and polycrystalline N1: films.- J. Appl. Phys., 1974 V.45, No.3, p.1389−1397. Oya G., Onodera Y. Preparation of Single-Crystalline NbN and Nb, Nc
    43. Takei K., Nagai K. Epitaxial Growth of NbN a? hin Films at Room Temperature by Ion-Beam Sputtering Deposition.- Japan. J. Appl. Phys., 1981, V.20, No.5, p.995-
    44. В.Л., Титенко Ю.В", Коржинский Ф. И., Зеленкевич Р. А., Комашко В. А. Гетероэпитаксиальные слои нитрида ниобия на сапфире. Кристаллография, 1980, т.25, 4, с. 878-
    45. Demyashev G.M., a? resiaov V.E., Ghuzhko R.K. Crystallization and structure ofji-NbgN and -Т&Ш heteroepitaxial films.- J. Of Crystal Growth, I983, v.65, N0. I, p.135−145.
    46. Ю.Н., Золотых Б. Н., Кириллов И.В, Марчук А. И., Чужко Р. К., Якункин М. М. О механизме возникновения и характере дефектов в монокристаллах молибдена, подвергшихся электро-эрозионной обработке. Физ. и хшл. обработки материалов, 1969, б, с. 85−93.
    47. В.И., Нечипоренко Е. П., Криворучко В.М, Сагалович В. В. Кристаллизация тугоплавких металлов из газовой фазы. М., Атомиздат, 1974, 26 с.
    48. Е.Е., Репников Н. Н., Чужко Р. К. Синтез субнитридных фаз в системе гафний-азот и исследование некоторых физико-механических свойств. НИТР1/ЩЫ: методы получения, свойства и области применения. Тезисы докладов У Всесоюзного семинара. Том I. /Рига, «Зинатне», 1984, с. 67−68.
    49. В.Н. Структурные и соазовые изменения в молибдене при низкоэнергетическом облучении ионами водорода и дейтерия. Дисс, K, cf).-M.H. М, 1980, 198с.
    50. Abrahams M. SM, Buiochi C.J. Cross-sectional specimens for transmission electron microscopy.- J. Appl. Phys., 1974, v.48, N0.8, p. 3315−3316.
    51. Fletcher J., Booker G.R. ТЕМ Examinations of ion implanted silicoi
    52. Gijsbers J.R.M., Haanstra H.B. Cross-sections of Multilayers on silicon made Ъу means of lon-etchig, — In: EIiEOTRQN ЖСЕОЗСОРГ 1980 Е1ШЕМ 80). Vol.1: PHYSIOS. Proceedings of the SEVENTH European Congress on Electron Microscopy in Hagee, Netherlands, August 24−29, 1980, p.328-
    53. Oppolzer H. Cross-sectional transmission electron microscopy for inspection of integrated circuits.- EUREM-80 (cm. No.99), p.326-
    54. Blanc J., Buiocchi C.J., Abrahams M.S., Ham W.E. The Si/SiOp interface examined by cross-sectional transmission electron microscopy.Appl. Phys. Lett., 1977, v.30, No.2, p.120−122. J. Viogt Ch., Schwabe K., Uhlmann J. Anodisches Polieren vor Wolfram, Wolfram-Rhenitm-Legierungen und Molybden.- In: Korrosionsschutzprobleme. beipzig, VEB, 1969″ S.35−71.
    55. Evans J.H. The Variation of Defect Damage with Depth in Molybdenum Irradiated 2 MeV Nitrogen Ions.- Had, Effects, 19 711 v.8, No. I, p.115-
    56. O.JI., Шайкин Б. М., Шредншс В. Н. Об изображаемоети карбидов вольфрама в ионном проэкторе. 15, с. 714-
    57. Письма в ЖТФ, 1975, т.1,
    58. С., Расторгуев Л. И., Скаков Ю. А. Рентгенографический и электронно-микроскопический анализ. М., Металлургия, 1970, с. ИЗ. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. (Уманский Я С Скаков Ю. А., Иванов А. Н., Расторгуев Л.И.) М., Металлургия, 1982, 632 с.
    59. Стромс Тугоплавкие карбиды.
    60. Практические методы в электронной микроскопии. Под ред. Орди М. Глоэра. М., Машиностроение, 1980, 376 с.
    61. Reflection and transmission electron diffraction attachments foj ia*-501, EM-300, EM-200,and EM-
    62. К., Дайсон Д., Киоун Электронограммы и их интерпретация. М., Мир, I97I, 2 с.
    63. А.Н., Белодед P.M. О точности определения периодов кристаллической решетки методом микродифракции.- Вав.лаборатория. 1974, т.40, Щ 9, с. II07-IIII.
    64. Практическая растровая электронная микроскопия, /Под ред. Дж, Гоулдстейна и Х. Яковица/ М., Мир, 1978, 656 с.
    65. М.А., Беляков Б. Г. Возможности электронно-микроскопис. I40-I5I.
    66. Электронно-микроскопическое изображение дислокаций и дефектов упаковки. Под ред. В. М. Косевича и Л. С. Палатника М., Наука, 1976, 224 с.
    67. Л.М. Дифракционная электронная микроскопия в металловедении. М., Металлургия, 1973, 584 с. ческого измерения плотности дислокаций. ФММ, 1968, т.25, 12 I, 1
    68. Eussell G.J. Practical reflection electron diffraction, Erog. Crystal Growth and Oharact., 1982, v.5, No.4, p.291−321.
    69. Г. М., Чужко P.К., Чалых А. Е., Евко Э. И. Дислокационная структура вольфрама, осажденного из газовой фазы: У1 Международная конференция по росту кристаллов. (Москва, 10−16 сентября 1980). Расширенные тезисы. Том I: Рост из газовой фазы. М., Наука, 1980, с. 360−363.
    70. Г. М., Трегулов В. Р., Чужко Р. К. Гетероэпитаксия тугоплавких металлов с ОЦК-структурой на гранях (001) меди. Всесоюзный симпозиум «Электронная микроскопия и электронография в исследовании образования, структуры и свойств твердых тел» (Звенигород, май 1983).М., Наука, 1983, с. 132.
    71. Demyashev G.M., OJregiilor V.E., Ohyzhko R.K. Growth regularitus and structure of fe-FbgN and У-ТэрН heteroepitaxial films. In- VII INa? EHNAa?IONAL COUPERMCE Ш CRXSTAb GROTTH, Stuttgart, Germany PR, September 12−16, 1983, Abstr. No.I.82(2p,).
    72. Demyashev G.M., Tregulov V.R., Ohyzhko R.K. The geteroepitaxial growth of refractory B.0.0. metals on (100) copper grains. Inj 711 ШШЕНЖА! Г10НАЬ COUFERENOE OF CRYSOJAb GROWTH, Stuttgart, Germany PR, September 12−16, 1983, Abstr. No. I.83(2p.).
    73. Г. М., Трегулов B.P., Чужко P.К. Синтез и структура гетероэпитаксиальных пленок -Л/бА/" и Y Та2Л/ на плоскости (001) меди. НИТРВДЫ: методы получения, свойства и области применения. Тезисы докладов У Всесоюзного семинара. Том I. /Рига, «Зинатне», 1984, с.83−84.
    74. Г. М., Чужко Р.К, Закономерности роста эпитаксиальных монокристаллических слоев вольфрама, химически осажденных из газовой фазы. В сб.: Тугоплавкие металлы, сплавы и соединения с монокристаллической структурой. М., Наука, 1984, с. 81−92.
    75. Григорьев О. Н, Мильман Ю. В., Хоменко Г. Е., Соловьев В. Ф, Рымашевокий Г, А, Шилкин Г. С. Особенности структурного соотоя ния вольфрама, осажденного из газовой фазы. Порошковая металлургия, 1980, 4, с. 79−84.
    76. Палатник Л С Фукс М. Я., Косевич В. М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. М., Наука, 1972, 320 с,
    77. Г. Х., Эттенберг М. Особенности получения гетероэпитаксиальных структур типа АВ В кн.: Рост кристаллов. Вып. 2: Теория роста и методы выращивания кристаллов. М, Мир, I98I, с. 9−134.
    78. В.М., Трусов Л, И, Хожянский В.А, Структурные превращения в тонких пленках. М., Металлургия, 1982, 248 с,
    79. А.И., Чужко Р. К., Захаров А. П., Евко Э. И., Красовский А. И., Кириллов И.В, Начальные стадии кристаллизации вольфрама из газовой фазы на гранях (100), Н О и (III) монокристаллов вольфрама, меди и никеля. В кн.: УШ Всесоюзная конференция по электронной микроскопии. Тезисы докладов. Том I: Физика. М., Наука, I97I, с. 17.
    80. К.Дж. Металлы (Справочник). М. Металлургия, 1980, 448с,
    81. Pitsch W. The Martensite Transformation in Thin Foils of IronNitrogen Alloys. Phil. Mag., 1959i v.4, No.41, p.577−5.
    82. А.Н. Электрокристаллизация металлов из расплавленных солей. М., Наука, 1976, 234 с.
    83. Палатник Л С Папиров И. И. Ориентировочная кристаллизация. М, Металлургия, 1964, 409 с.
    84. Палатник Л С Папиров И. И. Эпитаксиальные пленки. М., Наука, I97I, 480 с.
    85. Е. Рост ориентированных пленок на ш-юрфных поверхностях.Сб. Монокристаллические пленки. М., Мир, 1966, с. 58−90.
    86. Morabito I. M, Selected area and in-depth Auger analysis. Thin Solid Films, 1973, v.19, No.1, p.21−41.
    87. A.В., Жучкова В. К., Королев Ю.М, Митрохин В. А. О получении нитрида ниобия из газовой Фазы. Физика и химия обработки материалов, I98I, Ш 5, с. 75−79.
    88. Brauer G., Esselborn Е. Die Nitride des Tantals. Zeitschrift fUr Anorganische vnu. Allgemeine Ghemie, 1951, v.267, No.1−2, 3,151−163.
    89. Brauer G, Zapp H.H. Die Nitride des Niofes. Zeitschrift fur Anorganische und Allgemeine Ghemie, 1954, v.277, No.3−4, S. I29−139.
    90. Ngioyen van Huohg, Pham do Tien, Kunert H. Selection rules for thedouble space group of the -W structure.- J. de Physigue, 1976, N0,1, p.51−57.
    91. .К., Звягин Б. Б. Об отображении в обратном пространстве сшлметрии кристаллической решетки, Кристаллография, 1963 т.8, № 2, 0,147−157.
    92. И.В. Отображение симметрии физического пространства в пространство Фурье. Кристаллография, 1963, т.8, № 2,с.158−165.
    93. Иевлев В. М, Даринский Б. М., Бугаков А. В. Ориентационные соотно шения при эпитаксиальном росте металлических пленок на мусковит и фторфлогопите. ФММ, 1976, т.42, № 6, с.1236−1240.
    94. Bollmann W. Crystal Defects and Crystalline Interface, Berlin, Springer-Verlag, 1970, 374p.
    95. Grimmer H., Bollmann W., Warrington D.T. Direct imaging bj electron microscopy of atomic arrangements. Acta Orystallographica, 1974, V. A31, N0.3, p.197−211.
    96. Demyashev G.M., Lachotkin Yu.N., Krasovsky A.I., Chuzhko R.K. Investigation of growth sm? face and fine structm? e of O.V.D. W-Re-films.- l T Konferencja mikroskopii electronoweo cia|a stale go. Krynica (Poland), 8−10 pazdziernika 198I., p.290−292.
    97. Г. М., Лахоткин Ю. В., Красовский A.M., Чужко P.К. Моргоология и структура эмиссирнных вольфршл-рениевых слоев, химически осажденных из газовой фазы. ХУШ Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике (Москва, 8-II декабря I98I). Тезисы докладов. М., Наука, I98I, с.194−196.
    98. И.И. Дефекты кристаллического строения металлов. М., Металлургия, 1975, 208 о. 157.
    99. А.Н., Перевезенцев В. Н., Рыбан В. В. Границы зерен в металлах. М., Металлургия, 1980, 156 с. Grimmer Н. Studies of crystal structures by methods other than diffraction. Acta Crystallographica, 1974, v. iO> N0.5, p.680−687.
    100. И.М., Саррак В. И., Фонштейн К. М., Энтин Р. И. О механизме влияния рения на склонность к хрупкому разрушению тугоплавких металлов. Физика и химия обработки материалов, 1968, 2, с. 79−86.
    101. В.М., Стеценко А. Н., Федоренко А. И. Зернограничная структура трехориентационных пленок ванадия. ФММ, I98I, т. 52, Ш 4, с. 753−759.
    102. В.М., Палатник H.G. Структура межкристаллитных и межфазных границ. М., 1980, 268 с.
    103. Г., Чатюрс Б. Большеугловые границы зерен. М., Мир, 1975, 376 с.
    104. Дж. Лоте И. Теория дислокаций, М., Атомиздат, 1972, 598 с.
    105. P.M., Хусаинов М. А., Чужко Р. К. Кристаллизация и электронно-микроскопическим анализ структуры >-с1)азы TaCз. Известия АН СССР. Сер. физическая, 1984, т.48, YS, с.17−21.)б. Демяшев P.M., Хусаинов М. А., Чужко Р. К. Кристаллизация V-TaC и формирование её структуры при взаимодействии газовой смеси TaCI+Ar* с карбидом тантала, Всесоюзное совещание «Высокотемпературные физико-химические процессы на границе
    106. Н.Н., Демяшев P.M., Чужко Р. К. Особенности кристаллизацш карбидов переходных металлов 1УА-УА подгрупп при высокотемпературном взаимодействии их хлоридов с углеродом.- Всесоюзное совещание „Высокотемпературные физико-химические процессы на границе
    107. Л.М., Бабад-Захряпин А.А., Лысенко Л. Т, Кузнецов Р, Д. Роль адсорбционных эффектов при образовании металлических слоев разложением летучих металлосодержащих соединений, Известия АН СССР, Неорганические материалы, 1970, т, б, № 5, с, 971−977.
    108. Дистлер Г. И, и др. Декорирование поверхности твердых тел. М, Наука, 1976, 112с.
    109. Современная кристаллография. Том 3: Образование кристаллов. Под ред. Б. К. Вайнштейна./ М., Наука, 1980, 408с.
    110. М.Г., Освенский В. Б. Получение совершенных монокристаллов полупроводников при кристаллизации из расплавов. В кн.:
    111. Тхорик Ю, А., Хазан Л, С. Пластическая деформация и дислокации несоответствуя в гетероэпитаксиальных сиетемах., Киев, Hayк. думка, 1983, ЗОс. Армстронг Р. В. Прочностные свойства металлов со сверхмелким зерном. В кн.- Сверхмелкое зерно в металлах./ М., Металлургия, 1973, с.11-
    112. Коул Г С Боллинг Г. Ф. Получение сверхмелкозернистой Б металлах./ М., Металлургия, 1973, с, 41-
    113. Килин1:В.С., Евстюхин А. И., Дергунова B.C. Термодинамика и кинетика получения сплавов системы С-ТСС методом осаждения из газовой фазы. Журнал физической химии, 1968, т.42, № 3, 0.785−792“ Harris R., Kelly Е., Leeds D.H., Kotlenslcy V/.V. Graded CVD ZrG coatings for low thermal expansion substrates.-CVD-3(cm.N0.9), p.183−92 I. CaputoA.J. Fabrication and characterization of vapor-deposited niobium and zirconim carbides, — Thin solid films, 1977, v.40,No.1, p.49-
    114. Ogawa Т., Ikawa K. Mi его structures of CVD Z r C J. of Nucl. Mater., 1982, V. IO7, N0.2−3, p.337−342. I,
    115. М.А. Термопрочность тугоплавких материалов, полученных газофазньш осаждением. Л., Из-во ЛГУ, 1979, 1бОс.
    116. Я.Е. Диффузионная зона. М., Наука, 1979, 344
    117. Ю.Г. Взаимозаменяемость углеродных конструкционных материалов. В кн.: Конструкционные материалы на основе углерода. Сборник трудов НИМГРАФИТ Ш 17. М., Металлургия, 1983, с. 5-II.
    118. Л.М., Смыслов А, И., Дмитриев А. И., Кутейников А. Ф., Шипков Н. Н, Исследование скорости испарения квазимонокристалла гра17. М., фита в интервале температур 2500−2800 К. В кн.: Конструкционные материалы на основе углерода. Сборник трудов НИИГРАФИТ Металлургия, 1983, с. 97−102.)
    119. Ю.С., Калягина И. П. Исследование сырья для производства реакторного грайита. В кн.: Конструкционные материалы на основе углерода. Сборник трудов НИИГРАФИТ Ш 17. М., Металлургия, 1983, с. 37−42. Ю. Корнюшин Ю. В. К теории диффузионных процессов в кристаллах с дислокациями. Металлофизика, 1983, т. 5, 2, с. 104−105.)
    120. Sherby O.D., Wertmaa J, Diffusion-controlled dislocation creep a defense. Acta Metallurgica, 1979i v, 27, Жо. З, p.387−400.
    121. Martin J.L., Jouffrey В., Costa P. Stacking faults in a nonstoichiometric face-centred cubic TaC.-Phys.Stat.Sol., 1967, v.2, No.1, p.39−554.
    122. Косевич В. М, Палатник Л. С. и др. Электронно-микроскопические изображения дислокаций и дефектов упаковки. М., Наука, 1976, с. 121.
    123. Komatsu S., Nakamura S., Nakahashi М., Yamada М. Gharacterizat on of carbides precipitated in Gr-Ko-Y steel. EM-82 (cm. No.87), p.245−246. steam turbine rotor
    124. Скороход В, В., Солонин Ю. М, Дефекты упаковки в переходных металлах, Киев, Наукова думка, 1976, 175 с,
    125. Johnson G.K., Hubbard W.N. a? he enthalpies of formation of MogCCc) and MoGgCc) by fluoride bomb calorimetry. J. Chem. Thermodunamic, 1977, v.9, No.11, p.1021−1026.
    126. H.H. Аналитическое выражение кинетических кривых фазовых превращений. ДАН СССР, 1942, т. 736, Ш 6, с. 192 196.
    127. B.C., Евстюхин А. И., Дергунова B.C. О некоторых свойствах и микроструктуре сплавов системы С-Т<�С, полученных осаждением из газовой фазы. Порошковая металлургия, 1969, N2 12, с. 32−38.
    128. А.А., Панков Н. С. Адсорбционный слой и образование зародышей при кристаллизации в системе Sc- Н CI. ДАН, 1976, т. 228, 5, с. 1083−1086.
    129. А.А., Папков Н. С. О механизме роста кристаллов при химических реакциях (система 1 И CI). Кристаллограйия, 1977, т. 22, I, с. 35−43.
    130. А.А., Рузайкин М. П. Павновесные адсорбционные слои на поверхностях ОаЛз(111) и J/ (III) при химической кристалН CI. Кристаллография, 1980, лизации из газовой фазы. В сб.: Рост кристаллов, т. 13, М., Наука, 1980, с. 20−27.
    131. Е.И. Роль адсорбционного слоя при химическом осаждении из газовой фазы. В сб.: Рост кристаллов, т.13, М., Наука, 1980, с. 27−33.
    132. А.А., Рузайкин М.П, Фазовые переходы в хемосорбционных слоях: грань InJts (III)-S газовая система ДАН, I98I, т. 258, li I, с. 82−85.
    133. Чернов А. А, Рузайкин М. П., Папков Н. С. Поверхностные процессы адсорбции и газофазной эпитаксии полупроводников {Ga/ts Тпл St ПОВЕРХНОСТЬ. Физика, химия, механика, 1982, 12 2, 1 с. 94−108.
    134. Рузайкин М. П, Поверхностные процессы роста кристаллов полупроводников из газовой фазы с участием химических реакций. В сб.: Рост полупроводниковых кристаллов и пленок, т. 2, Новосибирск, Наука, 1984, с. 21−34,
    135. А., Имамов P.M., Завьялова А. А., Качурина Е. Е., Суходрева И. М., Анохин Б. Г. О структуре пленок вольфршла и молибдена, осаждаемых из газовой фазы при низкотемпературном пиролизе карбонилов. Кристаллография, 1977, т. 22, 5, с. I056-I059.
    136. Осаждение пленок и покрытий разложением металлоорганических соединений. М, Наука, I98I, 322 с.
    137. P.M., Семилетов А, Пинскер З.Г. Некоторые вопросы кристаллохимии полупроводников о октаэдрической и смешанной координацией атомов. Кристаллография, 1970, т, 15, 2. с. 287−292.
    138. Guentert O.J. X-Ray Structure of Pyrolytic Graphites. J. of Chemical Physics, 1962, v.37» No.4, p.884−891.
    Заполнить форму текущей работой

    Сессия? Спокойно!