Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Роль морфологии в формировании электронных спектров, оптических и электрофизических характеристик тонких пленок a-Si: Н, а-С: Н и а-Si1-x Cx: Н

Диссертация: Роль морфологии в формировании электронных спектров, оптических и электрофизических характеристик тонких пленок a-Si: Н, а-С: Н и а-Si1-x Cx: Н
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Однако практика показала, что возможность реализации перечисленных выше преимуществ вовсе не гарантируется одним лишь использованием технологических режимов, обеспечивающих формирование некристаллического полупроводникового материала. На оптимизацию технологии с целью получения материала «приборного качества» нередко уходят многие месяцы дорогостоящих технологических экспериментов, поскольку… Читать ещё >

Роль морфологии в формировании электронных спектров, оптических и электрофизических характеристик тонких пленок a-Si: Н, а-С: Н и а-Si1-x Cx: Н (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. СТРУКТУРА, МОРФОЛОГИЯ И СВОЙСТВА АМОРФНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК a-Si:H, а-С:Н и a-Si1xCx:H
    • 1. 1. Технология получения и легирования полупроводниковых тонкопленочных аморфных материалов
    • 1. 2. Атомная структура, морфология и процессы самоорганизации при формировании аморфных полупроводниковых пленок
    • 1. 3. Спектры плотности электронных состояний: теоретические и прикладные аспекты, экспериментальные метода исследований
    • 1. 4. Особенности оптических свойств аморфных полупроводников
    • 1. 5. Условия приготовления и свойства гидрированных аморфных полупроводниковых материалов
    • 1. 6. Выводы к главе. Постановка задачи
  • 2. ТЕХНОЛОГИЯ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ОБРАЗЦОВ, ИХ СТРУКТУРА И МОРФОЛОГИЯ
    • 2. 1. Технология получения пленок
    • 2. 2. Режимы осаждения пленок a-Si:H
    • 2. 3. Особенности технологии пленок a-SiC:H и a-SiixCx:H
    • 2. 4. Особенности технологии пленок а-С:Н
    • 2. 5. Электронномикроскопические исследования морфологии и атомной структуры пленок a-Si:H, а-С:Н и a-SiC:H
  • 3. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ МАКРОСКОПИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПЛЕНОК
    • 3. 1. Спектры пропускания и отражения образцов в видимом и ультра-фиолетовом диапазонах, методика расчета спектров оптических параметров тонкопленочных образцов
    • 3. 2. Исследования и анализ спектров пропускания образцов в инфра-красном диапазоне
    • 3. 3. Оборудование и особенности измерений электрических характеристик пленок
      • 3. 3. 1. Измерения в постоянном электрическом поле
      • 3. 3. 2. Измерение переходного сопротивления контакта металл — аморфный полупроводник
      • 3. 3. 3. Измерения в переменном электрическом поле
    • 3. 4. Экспериментальные методы исследований спектров плотности электронных состояний в аморфных полупроводниковых материалах
      • 3. 4. 1. Метод постоянного фотоответа (МПФ)
      • 3. 4. 2. Метод токов, ограниченных пространственным зарядом (ТОГО)
      • 3. 4. 3. Другие методы оценки параметров спектра плотности электронных состояний
    • 3. 5. Определение амбиполярной длины диффузии носителей заряда по данным МПФ
  • 4. РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
    • 4. 1. Условия приготовления и морфология пленок а-31:Н, а-С:Н и а-БЮгН
    • 4. 2. Состав пленок, кинетические процессы и самоорганизация на поверхности роста
    • 4. 3. Оптические спектры пленок
    • 4. 4. Результаты электрических измерений
      • 4. 4. 1. Измерения на постоянном токе
      • 4. 4. 2. Измерения на переменном токе
    • 4. 5. Спектры плотности состояний в щели подвижности пленок
      • 4. 5. 1. Исследования с использованием МПФ
      • 4. 5. 2. Данные методики ТОЛЗ
    • 4. 6. Морфология и свойства a-Si:H, a-SiG:H и а-С:Н
  • 5. РОЛЬ М0РФ0Л0ГШ В ФОРМИРОВАНИИ ЭЛЕКТРОННЫХ СПЕКТРОВ И СВОЙСТВ АМОРФНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ IV ГРУППЫ
    • 5. 1. Модель Скеттрапа и морфология полупроводников
    • 5. 2. Анализ вероятности состояний многофононной системы
    • 5. 3. «Вмороженные» фононы и спектры плотности электронных состояний в аморфных материалах
    • 5. 4. Оптические спектры и морфология в неоднородных полупроводниковых материалах
    • 5. 5. Усовершенствованная модель Скеттрапа, электрические свойства полупроводников и «псевдолегирование» в a-Sl:H
    • 5. 6. Новая схема материаловедческих исследований «условия получения — морфология — спектры плотности состояний — свойства»

К настоящему времени накоплен огромный объем экспериментальных и теоретических результатов, охватывающих весьма разнообразные фундаментальные и прикладные аспекты в физике некристаллических полупроводников. Общее число публикаций по этой тематике давно уже исчисляется десятками тысяч, тем не менее поток новой информации не снижается: каждые два года проводится весьма представительные Международные конференции по физике и применению аморфных полупроводниковых материалов, растет число специализированных изданий, расширяется объем публикаций по данной тематике в существующих журналах. Такой интерес к исследованию аморфных полупроводников имеет как фундаментальный, так и прикладной аспекты. С точки зрения практического использования материалы этого класса в ряде областей обладают весьма существенными преимуществами по отношению к их кристаллическим аналогам:

— сравнительно низкие температуры технологического процесса и, как правило, более высокие скорости формирования материала «приборного качества» ;

— возможность формирования в едином технологическом цикле приборов на гибкой подложке с огромной площадью рабочей поверхности — до нескольких десятков квадратных метров;

— зависимость электрофизических и оптических параметров материалов от условий их формирования, что позволяет в определенных пределах управлять свойствами аморфного полупроводника и приборов на его основе за счет варьирования технологических параметров получения материала.

Однако практика показала, что возможность реализации перечисленных выше преимуществ вовсе не гарантируется одним лишь использованием технологических режимов, обеспечивающих формирование некристаллического полупроводникового материала. На оптимизацию технологии с целью получения материала «приборного качества» нередко уходят многие месяцы дорогостоящих технологических экспериментов, поскольку здесь потенциальное преимущество технологии некристаллических полупроводников — зависимость свойств от условий получения ~ приводит к резкому увеличению параметров оптимизируемого процесса. Казалось бы, при современном уровне автоматизации в полупроводниковой технологии, подобные задачи должны решаться достаточно эффективно и в сжатые сроки методами планирования эксперимента. Однако современные технологические установки для получения некристаллических полупроводниковых материалов могут иметь до десятка каналов управления технологическими режимами, что задает и соответствующее число факторов эксперимента и, в конечном итоге, определяет огромный объем требуемых для оптимизации технологии пробных реализаций. Но основная проблема все же не в этом. Многочисленные эксперименты показали, что даже при малых (в пределах погрешности эксперимента) вариациях параметров процесса осаждения, оптимизируемый параметр (целевая функция) материала может претерпевать резкие (скачкообразные) изменения, что весьма затрудняет поиск оптимальных режимов.

В данной ситуации существенно сократить трудоемкость и затраты на поиск оптимальных режимов формирования некристаллических полупроводниковых материалов могла бы достаточно реалистичная модель, отражающая природу взаимосвязей между условиями получения и свойствами материалов этого класса. При анализе процессов роста кристаллов в качестве таковой довольно успешно использовалась классическая термодинамика равновесных (точнее — квазиравновесных) процессов. Естественным продолжением этого подхода были попытки использовать более общую теорию статистики неравновесных процессов для анализа особенностей формирования аморфных материалов. Одним из наиболее важных достижений в этой области знаний стало понимание факта, что системы (в частном случае — полупроводниковые материалы), кажущиеся хаотичными на атомном масштабе, могут иметь макроскопические параметры порядка. Однако разработанные к настоящему времени варианты термодинамики неравновесных процессов имеют в своей основе существенно более сложный математический аппарат и оперируют параметрами, смысл которых непросто интерпретировать при выработке рекомендаций для технологов. Кроме того, в классическом материаловедении признаки проявления процессов самоорганизации при формировании аморфных материалов (возникновение глобул, столбов, многослойных структур) до сих пор ассоциируются всего лишь возникновением одного из специфических видов дефектов неоднородного (разумеется, из-за несовершенства технологии) материала. При такой постановке вопроса задача анализа влияния геометрических параметров неоднородностей на оптические и электрические свойства аморфных материалов вообще не рассматривается в качестве актуальной. В тоже время, попытки связать условия получения неупорядоченных полупроводниковых материалов с их свойствами посредством анализа взаимосвязи в ряду «условия получения — структура — свойства» также оказались малоэффективными, поскольку в некристаллических полупроводниках одинаковым значениям оптических и электрических параметров материала в принципе могут соответствовать различные варианты пространственного расположения атомов.

Таким образом, весьма актуальной как с фундаментальной, так и с прикладной точек зрения, является задача разработки новых подходов к описанию взаимосвязи между условиями получения и свойствами неупорядоченных полупроводниковых материалов. При этом в качестве ключевых параметров в новом подходе по возможности должны использоваться технологические, структурные и физические параметры, допускающие однозначную интерпретацию их физического смысла и возможность экспериментальной оценки их величины во время осуществления технологического процесса (или по его окончании). Как уже отмечалось, технологические процессы получения материалов с разупорядоченной атомной структурой являются существенно неравновесными. Поэтому новый подход должен предоставлять возможности не только для достаточно корректного количественного описания неравновесных термодинамических процессов, происходящих во время формирования материалов с неупорядоченной структурой, но и допускать согласующиеся с имеющимися физическими представлениями количественные оценки степени отклонения процесса формирования материала от равновесного. Это могло бы в значительной степени облегчить понимание особенностей технологий формирования неупорядоченных полупроводниковых материалов, и, в конечном итоге, сделать поиск оптимальных режимов получения таких материалов более осмысленным, а значит, и более эффективным.

Исходя из сказанного выше, целью настоящей работы является разработка нового подхода к количественным исследованиям взаимосвязи между условиями получения и свойствами полупроводниковых материалов с неупорядоченной атомной структурой. В рамках этого подхода в качестве основного связующего звена мезду условиями формирования и свойствами материалов этого класса предлагается рассматривать геометрические характеристики неоднородностей (морфологии) в этих пленках. Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

1. Выявить влияние условий осаждения неупорядоченных полупроводниковых материалов на геометрические размеры новых параметров порядка (морфологии) в этих материалах.

2. Установить на качественном уровне возможные механизмы взаимосвязи между макроскопическими параметрами порядка (морфологией) и спектрами плотности электронных состояний неупорядоченных полупроводниковых материалов, их оптическими и электрофизическими свойствами.

3. Разработать модели для количественного описания взаимосвязи между геометрическими параметрами морфологии и параметрами спектра плотности электронных состояний неупорядоченных полупроводниковых материалов.

4. Продемонстрировать возможность использования разработанных моделей для реалистичных расчетов спектров плотности электронных состояний тонкопленочных неупорядоченных полупроводниковых материалов, а также их оптических и электрофизических параметров.

5. Установить области применения вновь созданных моделей, в рамках которых их использование дает содержательные результаты.

Выбор объектов исследования. В работе методом ВЧ ионноплаз-менного распыления приготовлены и исследованы номинально нелегированные пленки а-Б1:Н, а-БЮгН и а-С:Н, отличающихся варьируемым параметром процесса осаждения (температура подложки Те, давление газовой смеси Р и мощность ВЧ разряда *), а также пленки а-Б1:Н, легированные бором и фосфором. Выбор в качестве объекта исследования аморфных гидрированных пленок на основе элементов IV группы обусловлен их наиболее широким практическим использованием среди аморфных полупроводниковых материалов. В этом смысле наиболее интересным объектом представляются пленки а-31:Н с тетраэдрической координацией валентных связей атомов кремния. В последние 4−5 лет резко возрос интерес к исследованиям пленок на основе углерода. Весьма важной особенностью таких пленок является наличие по меньшей мере трех различных аллотропных модификаций атомов углерода (алмаза, графита, карбина) с кардинально различающимися оптическими и электрофизическими свойствами. Исследования пленок аморфных гидрированных сплавов кремния и углерода позволяют проследить эволюцию свойств материала при варьировании его состава от а-31:Н до а-С:Н. Использование метода ВЧ ионноплазменного распыления для получения пленок аморфных гидрированных полупроводников объясняется значительно более высокой стабильностью параметров этих пленок (по сравнению с материалами, полученными разложением газов и газовых смесей) после завершения процесса их формирования, что является весьма важным фактором в настоящей работе, посвященной исследованиям взаимосвязей между различными параметрами материалов. Кроме того, данный метод получения пленок позволяет полностью отказаться от использования взрывоопасных и токсичных газовых компонентов.

Работа выполнена на кафедре Физики и технологии электротехнических материалов и компонентов Московского энергетического института.

Научная новизна исследований состоит в том, что впервые в качестве основного связующего звена между условиями получения и свойствами аморфных полупроводниковых тонкопленочных материалов следует рассматривать не атомную структур материала (как это принято в традиционном полупроводниковом материаловедении), а морфологию пленок. Возможность установления количественных взаимосвязей в ряду «условия приготовления — морфология — спектры плотности электронных состояний — свойства» базируется на следующих впервые установленных фактах, закономерностях и вновь созданных модельных представлениях:

I. Немонотонное согласованное изменение усредненных параметров морфологии (поперечного размера столбов), концентраций водо-родосодержащих комплексов в пленках (определяемых по данным ИК спектроскопии), а так же оптических (оптической ширины щели подвижности Ео и характеристической энергии края поглощения Урбаха Еи) и электрических (энергии активации Щ и цредэкспоненциального множителя темновой электропроводности на постоянном токе, показателя степени в частотной зависимости электропроводности на переменном токе, диэлектрической проницаемости в области частот 100 Гц — 35 МГц) параметров при варьировании условий осаждения всех исследованных в работе серий номинально нелегированных пленок а-Б1:Нг а-Б1С:Н и а-С:Н.

2. Близкая к линейной взаимосвязь между суммарной площадью боковой поверхности столбов и объемной концентрацией дефектов типа оборванных связей в отдельных сериях пленок а-Б1:Н, что позволяет считать большую часть дефектов этого типа сконцентрированной на боковой поверхности столбов в пленках а-Б1:Н указанных серий.

3. Существование «критических» значений электрофизических параметров, соответствующих либо резкому изменению усредненных поперечных параметров неоднородностей (столбов), концентрации водо-родосодержащих комплексов в составе пленок, их оптических и электрических параметров, либо — изменению характера зависимостей перечисленных выше параметров и параметров спектров плотности состояний от варьируемого параметра процесса осаждения.

4. Усовершенствованной модели Скеттрапа, допускающей количественное описание взаимосвязи между параметрами морфологии материалов и параметрами их спектров плотности электронных состояний в области хвостов зонмодель связывает статистические характеристики локализованных в пределах неоднородностей акустический ветвей тепловых и «вмороженных» фононов с вероятностью сдвига потолка валентной зоны (Т, Т*) и дна зоны проводимости Ес (Т, Т*) на заданное «расстояние» от их исходных положений Е^О, 0) и Ес (О, 0) Сздесь Т — температура измерения параметров материала, Ттемпература осаждения пленок].

5. С использованием теории протекания (перколяции) показано, что рассчитываемый с помощью усовершенствованной модели Скеттрапа спектр электронной плотности имеет области энергий, соответствующие как распространенным, так и локализованным состояниям.

6. Объемная концентрация различных типов дефектов в рамках усовершенствованной модели Скеттрапа может быть рассчитана исходя из предположения, что при величине «сдвига», превышающей пороговую энергию образования дефектов данного типа Евк, энергия акустических ветвей фононных мод, сосредоточенных в пределах неоднородности (области пространственной когерентности тепловых и «вмороженных» фононных мод) целиком расходуется на формирование дефектов (а не на смещение положений уровней Ес и Еу).

7. Новом тензорном метод расчета энергетической структуры электронных уровней в материалах, с помощью которого показано, что численные значения параметров Еу (0, 0) и Ее (О, 0) зависят от химического состава материала, поэтому изменение режимов конденсации комплексов на поверхности роста пленок приводит к изменению параметров Ес (0, 0) и Еу (0, 0).

8. Для аморфных полупроводниковых материалов с относительно небольшими изменениями параметров Еу (0, 0) и Ес (0, 0) при изменении условий осаздения пленок (а-81:Н и а-31С:Н) продемонстрирована возможность использования усовершенствованной модели Скеттрапа для реалистичных расчетов важнейших оптических и электрических параметров, а также концентрации нейтральных оборванных связей, исходя из результатов электронно-микроскопических исследований морфологии пленок.

9. Таким образом, усовершенствованная модель Скеттрапа позволяет как на качественном, так и на количественном уровнях объяснить природу эффекта псевдолегирования в а-31:Н и а-Б1С:Н — изменение положения уровня Ферми в номинально нелегированных аморфных материалах при изменении условий их осаждения.

10. Показано, что при осаждении пленок а-С:Н и а-311хСх :Н, изменение условий приготовления в значительно большей степени влияет на величину параметров Ех (0, 0), Ес (0, 0) и Ег, чем на определяемые варьированием усредненных размеров столбов параметры спектров плотности электронных состояний, поэтому для таких материалов использование усовершенствованной модели Скеттрапа оказывается малопродуктивнымтем самым установлены границы, в которых применение новой схемы исследований «условия осаждения — морфология — плотность состояний — свойства» дает практически значимые результаты без использования других методов и расчетных схем.

Практическая значимость работы прежде всего состоит в разработке новых критериев оптимизации технологии формирования пленок а-Б1:Н, а-31С:Н и а-С:Н для применений в различных областях электроники и электротехникитеперь целью оптимизации является получение материалов с требуемыми значениями геометрических размеров областей ¡-пространственной когерентности тепловых и «вмороженных» фононовдля неоднородных пленок геометрические размеры областей пространственной когерентности тепловых и «вмороженных» фононных мод определяются размерами неоднородностей, поэтому оптические и электрические свойства таких материалов могут быть изменены за счет направленного изменения их морфологии (как на этапе формирования пленок, так и после его окончания) — показано, что «оптимальным» параметрам осаждаемых пленок а-Б1:Н, а-Б1С:Н и а-С:Н чаще всего соответствуют «критические» режимы их осаждения, обеспечивающие формирование материалов с максимально возможными (при заданных значениях других параметров осаздения) поперечными размерами неоднородностейоднако на практике формирование пленок с оптимизированными параметрами в «критических» режимах оказывается трудноосуществимым из-за возможности резкого изменения состава и свойств пленок при небольших отклонениях параметров осаждения от заданныхразработан новый безопасный метод получения легированных фосфором (бором) пленок а-Б1:Н, а-БЮгН и а-С:Н с помощью одновременного с распылением твердой мишени термического испарения навесок красного фосфора (аморфного бора), обеспечивающего присутствие в плазме ВЧ разряда атомов фосфора (бора) как за счет эффекта термического испарения навески (в случае фосфора), так и за счет управляемого синтеза фосфина (диборана), осуществляемого при взаимодействии разогретых навесок с присутствующим в атмосфере распыления водородомметод защищен авторским свидетельствомпоказано, что при расчетах важнейших «внутренних» (недоступных прямым измерениям) параметров аморфных полупроводников по данным экспериментов (спектров плотности электронных состояний, спектров времен релаксации) в настоящее время в основном используются некорректные алгоритмы обработки экспериментальных данных, что приводило и может приводить в будущем к недопустимым искажениям как количественных параметров рассчитываемых спектров, так и их общего видаразработаны корректные алгоритмы расчета спектров плотности электронных состояний по данным метода постоянного фотоответа (МПФ) и спектров времен релаксации по результатам исследований частотной зависимости действительной части диэлектрической проницаемости материалапоказано, что использование новых алгоритмов расчетов позволяет экспериментально обнаруживать элементы спектров плотности электронных состояний и спектров времен релаксации, принципиально ненаблюдаемые с помощью «стандартных» методов исследований. разработан новый метод расчета амбиполярной диффузионной длины носителей заряда в пленках а-Б1:Н по данным, получаемым с помощью стандартного варианта МПФ в области фундаментального поглощения материала, а также новый вариант МПФ, позволяющий исследовать пленки аморфных полупроводников с низкой кратностью фотопроводимости (вплоть до полного ее отсутствия) — для обоих методов создано соответствующее программное обеспечениеисследовано влияние переходного сопротивления контактов «никель — а-31:Н» на результаты измерений электрических параметров пленок а-Б1:Нпоказано, что в большинстве случаев уровень погрешности, вносимый из-за присутствия контактного сопротивления, не превышает уровня погрешности используемых приборовпоказана возможность использования получаемых ВЧ распылением тонких пленок на основе а-81:Н для создания координатных датчиков потоков частиц высоких энергий на основе газовых детекторов с «микрополосковыми» твердотельными элементамиисследована зависимость поверхностного сопротивления пленок на основе а-31:Н в таких датчиках от напряженности приложенного электрического поля.

Научные положения, выносимые на защиту:

В рамках усовершенствованной модели Скеттрапа важнейшие параметры спектров плотности электронных состояний в щели подвижности аморфных полупроводниковых материалов (характеристические энергии хвостов зон, положение и амплитуда пиков плотности электронных состояний) могут быть рассчитаны с приемлемой для практических применений степенью точности, если известны всего несколько фундаментальных параметров аморфного полупроводникового материала на основе элементов IV группы: атомная плотность, эффективная скорость звука, дебаевская энергия акустический ветвей фононов, начальное (соответствующее нулевым значениям температуры осаждения Т и температуры измерения Т) исходное «расстояние» между Еу и Ес, пороговая энергия формирования дефектов Евк, температурный коэффициент уменьшения ширины щели подвижности, температура осаждения Т*, температура измерения Т, размеры областей пространственной когерентности тепловых и «вмороженных» фононных модпри изменении режимов осавдения пленок а-Б1:Н, а-Б1С:Н и а-С:Н наблюдаются универсальные (не зависящие от типа получаемых пленок и варьируемого технологического параметра) закономерности, связывающие изменение режимов осаждения с изменениями параметров морфологии, а также параметров спектров плотности состояний, оптических и электрических параметров исследованных пленокуниверсальность наблюдаемых зависимостей вполне удовлетворительно объясняется в рамках относительно простой кинетической модели, оперирующий всего двумя (для пленок а-Б1С:Н — тремя) кинетическими параметрамипредставления о роли водорода (и других пассивирующих примесей) в формировании морфологии аморфных полупроводниковых пленок, их спектров плотности состояний, оптических и электрофизических параметроввозможность использования обобщенной модели Скеттрапа для моделирования оптических и электрических характеристик аморфных полупроводниковых пленках на основе элементов IV группы (в том числе — эффекта псевдолегирования) исходя из данных исследований морфологииновую схему материаловедческих исследований «условия приготовления — морфология — спектры плотности электронных состоянийсвойства» — регуляризующие алгоритмы расчетов спектров плотности электронных состояний и спектров времен релаксации неоднородных полупроводниковых материалов, а также полученные с их помощью новые данные (пики плотности состояний на 1.5 — 1.7 эВ от дна зоны проводимости в а-Б1:Н и пики плотности состояний на 1.6 — 1.8 и 1.8 — 2.1 эВ от дна зоны проводимости в а-БЮгН) об особенностях спектров плотности состояний аморфных материаловвозможность использования стандартного варианта МПФ в ранее не исследованной области фундаментального поглощения материала для расчета амбиполярной длины диффузии носителей заряда в пленках а-Б1:Нвозможность использования для исследования аморфных пленок с малым уровнем фотопроводимости нового варианта МПФ, в котором при изменении длины волны падающего на специально сформированную структуру света, постоянная величина фотоответа (фототока) поддерживается не в исследуемой пленке, а в фотопроводящей подложкепри этом фотопроводимость самой исследуемой пленки может быть очень небольшой или даже отсутствовать полностью.

Таким образом, результаты работы являются новым крупным достижением в области физики и технологии аморфных полупроводниковых материалов, исследований механизмов влияния условий получения на спектры плотности электронных состояний, оптические и электрофизические свойства гидрированных аморфных тонких пленок на основе элементов IV группы.

Личный вклад автора в диссертационную работу.

Автором лично осуществлена постановка задач, решение которых позволило сформулировать положения, выносимые на защиту, получено большинство исследованных в диссертации образцов аморфных полупроводниковых материалов, разработаны экспериментальные и расчетные методики, а также соответствующее программное обеспечение, облегчавшее решение поставленных задач. Им лично осуществлено измерение оптических и электрофизических характеристик исследованных в работе образцов и выполнены расчеты их спектров плотности электронных состояний, оптических и электрофизических характеристик. Кроме того, им создана усовершенствованная модель Скеттрапа, широко используемая в работе для интерпретации полученных экспериментальных данных и позволившая предложить в качестве связующего звена между условиями приготовления и свойствами аморфных полупроводниковых пленок использовать их морфологию.

Первоначально экспериментальные исследования проводились совместно с В. Н. Гордеевым, В. А. Филиковым, А. И. Поповым, затем С. Н. Костиковым С.Н. Стукачем, H.H. Свирковой. Большая часть представ.

11 ленных в работе микрофотографий поверхности пленок (главы 2 и 4) получена Н. Д. Васильевой.

Аппробапия работы.

Основные положения и выводы диссертационной работы обсуждались и докладывались на Научно-технических конференциях МЭИ (1980, 1982, 1985, 1987), II Республиканской Конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Одесса, 1982), Республиканской научно-технической конференции «Развитие элементной базы приборостроения» (Кишинев, 1985), Всесоюзной конференции «Достижения и пути развития электрофотографической техники» (Грозный, 1986), Всесоюзной научно-технической конференции «Актуальные проблемы современного приборостроения» (Москва, 1986), Всесоюзной научно-технической конференции (V координационном совещании) «Исследование и разработка перспективных ИС памяти» (Москва, 1986), 32-ом и 35-ом Международных Научных Коллоквиумах (Ильменау, ГДР, 1987 и 1990), Всесоюзных Научно-Технических Конференциях «Элек-трофотография-88 и -91» (Москва, 1988 и 1991), Совещании-Семинаре «Аморфные полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электронике» (Одесса, 1989), IX Международной Конференции «Некристаллические полупроводники» (Ужгород, 1989), VII Международной Конференции по Шизике и Применению Тонких Пленок (Шанхай, КНР, 1991), Всесоюзном Семинаре «Аморфные гидрированные полупроводники и их применение» (Ленинград, 1991), 11-ой Всесоюзной Конференции по физике стеклообразных твердых тел (Рига, Латвия, 1991), Международной Конференции по Микроэлектронике (Варшава, Польша, 1992), Российских конференциях по физике диэлектриков (Санкт-Петербург, 1993 и 1997), На научно-технических семинарах «Шумовые и деграда-ционные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва, 1993 и 1994), 1-ой и 11-ой Международных Конференциях по электромеханике и электротехнологии (Суздаль, 1994 и Крым, 1996), Международном Совещании по многокомпонентным твердым пленкам и структурам (Ужгород, Украина, 1984), Конференциях «Технологии Оптической Харак-теризации в Производстве Полупроводниковых Приборов» (Остин, Техас, США, 1994 и 1996), II и III Международных Совещаниях «Фулле-рены и Атомные Кластеры» (Санкт-Петербург, 1995 и 1997), I и II Международных Конференциях по электротехническим материалам и компонентам (Крым, 1995 и Клязьма, 1997), Конференции «Вакуумная техника и вакуумные технологии» (Харьков, Украина, 1995), Международной Конференции «Оптическая диагностика» (Киев, Украина, 1995), Международном Совещании по Микро-Полосковым Газовым Камерам (Лион, Франция, 1995), Конференции «Структура и свойства кристаллических и аморфных материалов» (Нижний Новгород, 1996), X Всероссийском Симпозиуме по Растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследований твердых тел (Черноголовка, 1997).

Структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, 5-ти глав, заключения и выводов, изложенных на 386 страницах, включая 145 рисунков, 47 фотографических изображений и 7 таблиц, а также списка литературы из 312 наименований и приложения.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

И ВЫВОДЫ.

Электронно-микроскопические исследования показали, что неоднородное строение пленок (морфология) является характерной особенностью пленок а-31:Н, а-С:Н, а-Б1С:Н и а-311хСх:Н, получаемых в неравновесных условиях осаждения. Формирование морфологии в пленках является проявлением процессов самоорганизации при осаждении аморфных пленок в неравновесных условиях. С помощью изменения условий осаждения можно управлять геометрическими параметрами морфологии (новыми параметрами порядка в материалах с разупоря-доченной атомной структурой). Проведенные при выполнении диссертационной работы экспериментальные и теоретические исследования впервые позволили:

1) выявить согласованное изменение оптических (оптической ширины щели подвижности Еа и характеристической энергии края поглощения Урбаха Ео) и электрофизических (энергии активации и предэкспоненциального множителя о° темновой электропроводности на постоянном токе, показателя степени в частотной зависимости электропроводности на переменном токе, диэлектрической проницаемости в области частот 100 Гц — 35 МГц) параметров пленок а-Б1:Н, а-С:Н, а-31С:Н и а-311чСх:Н при варьировании условий их осаждения и немонотонное изменение геометрических параметров морфологии этих пленок (усредненных поперечных размеров столбов);

2) установить существование «критических» режимов осаждения пленок, соответствующих максимальным геометрическим размерам не-однородностей и обусловленных изменением механизма конденсации комплексов на поверхности роста пленок;

3) получить количественные соотношения между геометрическими параметрами морфологии и статистическими характеристиками тепловых и «вмороженных» фононов, локализованных в пределах столбов (областей пространственной когерентности фононных мод);

4) вывести количественные соотношения, связывающие геометрические параметры морфологии с параметрами спектров плотности электронных состояний;

5) исходя из результатов экспериментальных исследований параметров морфологии, осуществить реалистичные расчеты спектров коэффициента оптического поглощения пленок а-31:Н и а-81С:Н на участках Тауца, Урбаха и в области «дефектного» поглощения;

6) показать возможность использования рассчитанного в рамках усовершенствованной модели Скеттрапа спектра плотности электронных состояний для количественного анализа процессов термического возбуждения электронов, определяющих электрофизические параметры аморфных полупроводниковых материалов как в постоянном, так и в переменном электрическом поле радиочастотного диапазона;

7) показать возможность использования усовершенствованной модели Скеттрапа для моделирования основных закономерностей эффекта «псевдолегирования» в аморфных полупроводниковых пленках;

8) продемонстрировать возможность практической реализации новой схемы матерналоведческих исследований (условия осажденияпараметры морфологии — параметры электронных спектров — оптические и электрофизические свойства) применительно к аморфным полупроводниковым пленкам на основе элементов IV группы;

9) создать корректные алгоритмы расчетов спектров плотности электронных состояний и спектров времен релаксации и получить с их помощью новые данные об особенностях спектров плотности электронных состояний и спектров времен релаксации в аморфных полупроводниковых материалах;

10) разработать методику расчета амбиполярной длины диффузии носителей заряда в а-81:Н по данным стандартного варианта метода постоянного фототока (МПФ) и создать новый вариант МПФ, пригодный для исследований пленок с низким уровнем фоточувствительности (вплоть до ее полного отсутствия).

Показать весь текст

Список литературы

  1. . Рост и структура аморфных ж поликристаллических пленок. — В кн. Тонкие и поликристаллические и аморфные пленки. Физика и применение / Ред. Л. Казмерски — М.: Мир. 1983, 304 С.
  2. А. А. Введение в физику твердого тела. М.: Изд-во Моск. Гос. ун-та, 1984, 293 С.
  3. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. / Бонч-Бруевич ВЛ. и др. М. Наука, 1982, 304 С.
  4. Gutzow I., Avramov I. On the meciianism of formation of amorphous condensates from the vapor phase. Phys. Stat. Sol. (a), 1973 v. 28, p. 343 350.
  5. Beyer W.9 Stucke J. Influence of evaporation parameters on electronic structure of amorphous germanium and silicon. Phys. Stat. Sol. (a), 1975, v. 30, p. 511 520.
  6. Mott N.F., Davis E.A. Electron processes in noncrystalline materials. Clarendon Press, Oxford, 1979, p. 368.
  7. Chittic R.0., Alexander J.H., Steeling A. F. Preparation and Properties of Amorphous Silicon. Journ. Electrochem. Society, 1969, v.116, No1, p.77 81.
  8. д. Приборы на аморфных тонких пленках В кн.: Тонкие поликристаллические и аморфные пленки / Ред. Л. Казмерски- М.: Мир, 1983, 304 С.
  9. Ле-Комбер П., Спир У. Легированные аморфные полупроводники- В кн.: Аморфные полупроводники / Ред. М. Бродски М.: Мир, 1982 — 419 С.
  10. Matsumura М., Nara Y. High-performance amorphous silicon field-effect transistor. Journal of Applied Physics, 1980, v.51, No 12, p. 6443 6444.
  11. Arakava E.T., Williams M.W., Inagaki T. Optical properties of arc-evaporated carbon films between 0.6 and 3.8 eV. Journ.
  12. Appi. Phys., 197? Y. 48, p. 317 6 3177.
  13. Both B.C., Allerd D.D., Seraphin B.O. Retarding crystallisation of GV’D amorphous silicon by alloying. Journ. Non-Cryst. solids, 1980, v.35&36, p. 213 218.
  14. Scott B.A., Reimer I.A., Plecenick R.M. et al. Low defect density amorphous hyclrogenated silicon, prepared by homogeneous chemical vapour deposition. Applied Physics Letter, 1982, v.40, No 11, p. 973 975.
  15. Anderson D.A., Paul w. Transport properties of a-Si:H alloys prepared by R.E. sputtering. Philosophical Magazine B, 1981, V.44, No2, p.187 213.
  16. Moustakas T.D. Sputtering In: Semiconductors and semi-metals, v.21A, Hydrogenated amorphous silicon (Part A: Preparation ana structure) / Eds. J.I.Pankove, 1984, XIV, 331 p.
  17. Paul W. Preparation, structure and properties of hydrogenated amorphous silicon films and related materials. Proc. IX IV0--7, ICSS, 1983 (Madrid), p.335 343.
  18. Rudder R.A. High photoconductivity in magnetron sputtering amorphous hydrogenated germanium. Appl. Phys. Lett, 1983, v.4.3, N9, p.871 873.
  19. Sato M., Tanaka N., Nakoaki J". Optical, Structural, Electrical and Optoelectronic Properties o-f Hydrogenated Amorphous Silicon Carbide a-si C":H Alloys. Appl. Phys. Lett., 1985, v. A38, p. 35 43.
  20. Savvides N., Window B. DL amorphous carbon films preparation by maghnetron sputtering of.graphite. Jour. Vac. Sci.Techn., 1985, A.3, p. 2386 2390.
  21. Spear W.E., Le Comber P.O. Substitutional doping of amorphous silicon. Solid State Communucations, 1975, v. 17, p. 1193 -1196.
  22. Stutzmann M. The doping- efficiency in amorphous silicon and germanium. Philosophical Magazine В., 1988, у. 57″ N3, p. 411 419.
  23. Street R.A. Doping and Fermi Level Energy in Amorphous Silicon. Physical Review Letters, 1982, y. 49, N16, p. 1187 -1190.
  24. Bar-Yam Y., Adler D., Joannopoulos J.D. Structure and electronic states in disorderd systems. Phys. Rev. Lett. 1986, v. 57, N4, p. 467 470.
  25. Sehumm G. Chemical equillibrium description of stable and metastable defect structures in a-Si:H. Phys. Rev. В., 1994, v. 49, N4, p. 2427 2442.
  26. Голикова 0.A., Мездрогина M.M., Кудоярова B.X., Серегин П. П. О легировании аморфного кремния / ФТП. 1987. Т.21. Вып.8 С. ¦?464 1466.
  27. О.А., Домашевская ЭЛ., Казанин М.М., Кудоярова
  28. B.Х., Мездрогина М. М., Сорокина К. Л., Терехов В. А., Тростянский
  29. C.Н. Структурная сетка, уровень Ферми и плотность состояний аморфного кремния. ФТП. 1989, Т.23. Вып.З. С. 450−455.
  30. о.А., Казанки М. М., Кудоярова В. Х., Мездрогина М. М., Сорокина К. Л., Бабаходжаев У. С. Эффект псевдолегировния аморфного кремния. Ш11. 1989. Т.23. Вып. 10. С. 1737″ 1740,
  31. Paul W., Lewis L.G., Gonnel G.A.H., Moustakas T.D. Doping, Shottky barrier, and p-n Ruction formation In amorphous germanium and silicon by r.f. sputtering. Solid State Comm., 1976, v. 20, N 10, p. 969 972.
  32. Electrical properties of the thin a-SI:H films doped with boron and aluminium by co-sputtering / Y. Tomioka, N. Saito, T. Yamaguchi, K. Kawamura // Journ. Vac. Soc. Jap., 1990, y. 33, N1. Q p 7r" T 0/71. J- p" tOO ! J t •
  33. Mitura S., Sschmidt J., Sokolowska A. Doping of diamondlike carbon films. In: NATO ASI Series, Wide band gap electronic materials. / Eds. M. Prelas et al. Kluver Academic Publishers. 1995, p. 235 242.
  34. Moss S.J., Grazyk J.P. Struacture of amorphous silicon. Proc. 10th Int. Conf. on Physics of semiconductors, Camebridge, Massach., United States Atomic Energy Comission., Washington, D.C., 1970, p. 658 662.
  35. А.Ф. Структурный анализ жидкостей и аморфных тел. М.: Высшая школа, 1980, 328 С.
  36. Tlecl-jle Т., Moustakas Т.П., Cebulka J.M. Effect of hydrogen on the density of gap states in reactively sputtering amorphous silicon. Physical Review B, 1981, v.23, N10, p.5634−5637.
  37. Moustakas T.D., Anderson D.A., Paul W. Preparation of highly photoconductive amorphous silicon. Sol. St. Comm., 1977, v. 23,
  38. Kaplan D., Sol N., Valasco G., Thomas P.A. Hydrogenation of evaporated amorphous silicon films by plasma treatment. Appl. Phys. Lett., 1978, v. 33, N5, p. 440 442.
  39. Shimisu I. Local structure study of tetrahedrally-bonded amorphous semiconductors by NMR, ESR and Raman spectroscopies. Journ. Non-Cryst. Solids, 1983, v. 59&60, Pt. I, p. 117 124.
  40. Frrtzsche H. Characterization of glow-discharge deposited a-Si:H. Solar Energy Materials, 1980, N3, p. 447−501.
  41. Lucovsky G., Pollard W.B. Vibrational Properties. // The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon. Pt. I, p.p. 301 353,
  42. А. Прикладная MK-спектроскопия. M.: Мир, 1982 238 G.
  43. Nadler P., Donovan Т., Green A. Thermal annealing study of carbon films formed by plasma decomposition of hydrocarbons. Thin Solid Films, 1984, v. 116, p.241 247.
  44. Dlschler В., Bubenzer A., KoidI P. Hard carbon coating with low optical absorption. Sol. State Comm., 1983, v. 48, N2, p. 105 108.
  45. Sawabe A., Inuzuka T. Diamondlike carbon films synthesis from gase phase. Thin Solid Films, 1986, v. 137, p. 89 94.
  46. Grigorovici R.L. Structure of amorphous semiconductors. In: Amorphous and Liquid Semiconductors / Eds. J. Tauc, Plenum Press, 1974, p. 45−99.
  47. Galeener F.L. Optical evidence for a Network of Graclike Voids in amorphous germanium. Physical Review Letters, 1971,7"27, N25, p. 1716 1719.
  48. Knights J.С., Lujan R.A. Microstrueture oi plasma-deposited a-Si:fi iilms. Applied Physics Letters, 1979, v.35, N3, p. 214 21 6.
  49. Palmer B. J, Gordon R.G. Local equillibrium model of morphological instabilities in chemical vapour deposition. Thin solid films, 1988, v. 158, p. 313 341.
  50. Tsai H., Bogi D.B. Critical review. Characterization of diamond-like carbon films and their application as overcoats on thin-film media for magnetic recordings. Journ. Vac. Sci. Teclm. A, 1987, v. 5, p. 3287 3310.
  51. Morosanu c., Tomozeiu N., Cordos C., stoika T. Unhydroge-nated DLC films obtained by magnetron sputtering, in: NATO AS I Series. Wide band gap electronic materials. / Eds. K. Prelas et al. Kluver Academic Publishers. 1995, p. 243 248.
  52. Меден A., HIo M. Физика и применени аморфных полупроводников. М.: Мир, 1991, 670 С.
  53. Kobashi К., Nishlmura К., Miyata К., Kawate Y. Surface morphology and defect structures in microwave CVD diamond films. SPIE Proceedings, 1988, v. 969, p. 159 167.
  54. Jackie J. Low temperature properties. In: Amorphous Solids / Eds. W.A. Phillips, 1981, Berlin, Springer-Verlag, p. 135 160.
  55. В.К., Новиков В. Н., Соколов А. К. Различие структуры аморфных полупроводников типа Ge и типа Se. В кн.: Тез.докл. IX Международной конф. «Некристаллические полупроводники '89» (Ужгород, СССР), Т. I, С.127 129.
  56. И. М. Орендагова А., Штефени П. и др. Низкотемпературная теплоемкость и динамика аморфных сплавов. IX Международной конф. «Некристаллические полупроводники '89» (Ужгород, СССР), Т. г О 1 '-v! 1 ко L, U «I О 1 I ,
  57. Stutsln G.G., Ostrom R.I., Gallagher A., Tanenbaum D.M. Nanoscale study oi the as-grown hydrogenated amorphous silicon surface. Journ. Appl. Phys., 1993, v. 74, N 1, p. 91 100.
  58. Дж., Петрич M. Структурные неоднородности в аморфных гидрированных полупроводниках приборного качества В кн.: Аморфный кремний и родственные материалаы / Ред. Х.Фрицше. М.: Мир, 1991, С. 257 — 289.
  59. Носа 1 Gabarrocas P., Gay P., HadJadJ A. Experimental evidence for nanoparticle deposition In continious argon-silan plasmas: Effect of silicon nanoparticles on films properties. Journ. Vac. Sei. Techn. A, 1996, v. 14, p. 655 659.
  60. Г. Синергетика. M.: Мир, 1980, 400 С.
  61. И. От существующего к возникающему. М.: Наука, 1985, 327 С.
  62. X., Конильо А., Клейн У. и др. Критические явления: прошлое, настоящее и «будущее». В кн.: Синергетика. Сб. статей. Пер. с англ. / Ред. Б. Б. Кадомцев. М., Мир, 1984, 248 С.
  63. К. Кинетика расслоения фаз. В кн.: Синергетика. Сб. статей. Пер. с англ. / Ред. Б. Б. Кадомцев. М., Мир, 1984, 248 С.
  64. К. Динамические неустойчивости, наблюдаемые в системах Белоусова-Жаботинского. В кн.: Синергетика. Сб. статей. Пер. с англ. / Ред. Б. Б. Кадомцев. М., Мир, 1984, 248 С.
  65. Г. Некоторые аспекты теории флуктуаций в неравновесных системах. В кн.: Синергетика. Сб. статей. Пер. с англ. / Ред. Б. Б. Кадомцев. М., Мир, 1984, 248 С.
  66. Р. Статистические методы в неравновесной термодинамике. В кн.: Синергетика. Сб. статей. Пер. с англ. / Ред. Б. Б. Кадомцев. М., Мир, 1984, 248 С.
  67. .Г., Айвазов A.A., Становов О. Н. Осцилляции фотопроводимости и особенности релаксационной кинетики в a-Sl:H.
  68. ФТП, 1993, Т. 27, N 9, С. 1489 1494.
  69. Я.В., Вихров С. П. Пространственно-временной хаос в процессе образования твердотельного сотояния. Письма в жтф, 1997, Т. 23, N 19, С. 77 80.
  70. Синергетика и фракталы в материаловедении /B.C. Иванова, B.C. Валанкин, И. Ж. Бунин, А. А. Оксогоев. М.: Наука, 1994, 383 С.
  71. Маделунг 0. Физика твердого тела. Локализованные состояния. М.: Наука, 1985, 184 С.
  72. Clark А.Н. A review of band structure and transport mechanisms in elemental amorphous semiconducrors. Journ. lon-Cryst. Solids, 1970, v. 2., p. 52−65.
  73. Kramer B. A contribution to the interpretation of optical properties of fmorphous selenium. Phys. Stat. Sol., 1970, v.41, n2, p. 725 733.
  74. Edwards S.R. The Electronic Structure of amorphous materials. In: New develop Semiconductors, 1973, 287 p.
  75. Kramer В., Mashke K., Thomas P. Optical properties of amorphous iii-v compaunds. 1973, 287 p.
  76. Неупорядоченные полупроводники /'/ Айвазов А. А., Будагян Б. Г., Вихров С. П., Попов А. И. / Ред. Айвазов А. А. М.: Изд-во МЭИ, 1995, 352 С.
  77. Anderson P.W. Absence of Diffusion in Certain Random Lattices. Phys. Rev., 1958, v. 109, N5, p. 1492 1505.
  78. В., Уэйр Д. Теория электронных сотояний в аморфных полупроводниках. В кн.: Аморфные полупроводники / Ред. М. Брод-ски, М.: Мир, 1982, 419 С.
  79. Ф. Теория аморфных полупроводников в связи с новыми перспективами их применения. В кн.: Аморфные полупроводники и приборы на их основе / Ред. Ш. Хамакава, М., Металлургия, 1986, 376 С.
  80. Hass К.С., Ehrenreich Н. Electronic structure model, Bonding and Optical Moments in Amorphous and Crystalline Semiconductors. Annals oi Physics, 1985, v. 164, p. 77 102.
  81. Phillips J.C. lonicity of the chemical bonds in crystal-Is. Review of Modern Physics, 1970, v. 12, N4, p.317 356.
  82. Phillips J.C. Dielectric definition of electronegativity. Physical Review Letters, 1968, v. 20, N11, p. 550 553.
  83. Penn D.R. Wave-Number-Dependent Dielectric Function of Semiconductors. Physical Review, 1962, v. 128, p. 2093 2105.
  84. Marshall J.M. Carrier diffusion in amorphous semiconductors. Rep. Prog. Phys., 1983, v.46, p.p. 1235.
  85. Skettrup T. Urbach’s rule derived from thermal fluctuations in the band-gap energy. Physical Review B, 1978, v. 18, N 6, p. 2622 2631.
  86. M.А. Введение в термодинамику. Статистическая физика. М., Наука, 1983. 416 с.
  87. Sritrakool W., Sa-yakanit V., Glyde H.R. Band tails in disordered systems. Phys. Rev. B, 1986, v.33, N2, p. 1199 1202.
  88. Greeff C.W., Glyde H.R. Anomalous Urbach tall in GaAs. Physical Review В., 1995, v.51, N3, p.p. 1778 1783.
  89. Sa^'eev John, Soukolis G, Cohen M.H., Economou E.N. Theoty of Electron Band Tails and the Urbach Optical-Absorption Edge. Physical Review Letters, 1986, v.57, N14, p.1777 1780.
  90. Grein C.H., Sao’eev John. Polaronic band tails in disordered solids: Combined effects of static randomness and electron-phonon interactions. Physical Review B, 1987, v.36, N14, p. 7457 7468.
  91. Grein C.H., Sajeev John. Temperature dependence of the Urbach optical absorption edge: A theory of multiple phonon absorption and emission sidebands. Physical Review B, 1989, v.39, N2, p. 1140 1151 .
  92. Street R.A., Beigelsen D.K. The spectroscopy of Localized
  93. States. In: Physics of Hyclrogenatecl Amorphous Silicon, Pt. II / Eds. J.D. Joannopoulos and G. Lucovsky. Springer-Verlag, 1984,360 p.
  94. Vanecek M., Kocka J., Stuchlik J. and Triska J. Direct measurement ol the gap states and band tail absorption by constant photocurrent method / Sol. state comm., 1981, v.39, p. 11 991. I *
  95. Gap States density in a-Si:H Deduced from SubGap optical Absorption Measurement on Shottky Solar Cells / Vanecek M., Abraham A., Stika 0., Stuchllk J. and Kocka J. / / Phys. stat. sol. (a), 1984, v. 83, p. 61T-623.
  96. Grimmeiss H.G., Ledebo L.A. Spectral distribution of pho-to-Ionization cross-section by photoconductivity measurements. Journ. Appl.Phys. 1975, v.46, N 5, p. 2155 2162.
  97. Энергетический спектр глубоких состояний в щели подвижности a-Si:H / Балагуров Л. А., Карпова Н. Ю., Омельяновский Э. М., Пинскер Т. Н., Стариков М.Н./ / ФТП, 1986, Т. 20, В.4, С. 720−723.
  98. А.Г., Миличевич Е. П. Влияние энергии возбуждения на механизм фотопроводимости гидрогенизированного аморфного кремния. ФТП, 1984, Т. 18, В. 10, С. 1819 1822.
  99. Деч Г. Руководство к практическому применению преобразования Лапласа и Z-преобразования. М., Наука, 1971, 288 с.
  100. Goodman N.B., Eritzsche Н. and Ozaki Н. Determination of the density-of-state of amorphous hydrogenated silicon using the field effect. Journ. Non-Cryst. Solids, 1980, v. 35 & 36, N 1, p. 599 604.
  101. Space-charge limited conduction in n+ n — n+ amorphous hydrogenated silicon films / E. Bhattacharya, S. Guha, K.V. Krishna, D.R. Bapat // J.Appl. Phys., 1982., v. 53, No 9, P. 62 856 288.
  102. Kida H., Hattori K., Okamoto H., Hamakawa Y. Deep statesdistribution in undoped amorphous silicon studies by cuurent transient spectroscopy. Journ. Non-Cryst. Sol., 1985, у. 'ГШ (8, p. 343 -- 346.
  103. К. Ямасаки С. Фотоакустическая спектроскопия (ФАС). Оптическое поглощение в a-Si:H при энергиях, меньших ширины запрещенной зоны.- В кн.: Аморфные полупроводники и приборы на их основе/ Под ред. Хамакава Ш. М., Металлургия, 1986, 376 С.
  104. Pierz К., Mell Н., Terukov J. Subband absorption in a-Si:H from photoconductivity spectra. Journ. Non-cryst. Solids, 1985, у. 77&78, p. 547 550.
  105. A.H., Арсенин В. Я. Методы решения некорректных задач. М., Наука, 1986, 288 с.
  106. О.А. Фотопроводимость аморфного кремния. В кн.: Сборн. докл. Междунар. Конф. «Аморфные полупроводники'84», Габро-во, Болгария, 1984, Т.1, С. 96 101.
  107. Augelli V., Berardi V., Murri R. et al. Analitical determination of density-of-gap-states-distribution in amorphous semiconductors: experimental Results. Physical review B, 1987−1, y.35, N2, p. 614 618.
  108. Kocka J., Vanecek M., Triska A. Energy and density of gap states in a~SI:H. In: Amorphous Silicon and Related Materials / eds. H. Fritzsche (World Scientific, 1988) p. 297 329.
  109. HO Lang D.V., Cohen J.D., Harbison J.R. Measurements of the density of gap states In hydrogeneted amorphous silicon by space charge spectroscopy. Phys. Rev. В., 1982, v. 46, N4, p. 377 -389.
  110. Morigaki K., Sano I., Konagai M. et al. Level of dangling bond centres and its broadening due to disorder as illustrated by optically detected magnetic resonance measurements. Solid State Commun., 1982, v. 43, n 10, p. 751 758.
  111. Okamoto H., Kida H., Hamakawa Y. Steady-state photoconductlvity in amorphous semiconductors conyaining correlated defects. Phil. Mag. В., 1984, v. 49, К 3, p.231 248.
  112. Piers K., Hilgenberg В., Meli H., Weiser G. Gap states distribution in ii-type and p-type a-Si:H from optical absorption. Journ. Non-cryst. Sol., 1987, v. 97&98, p.1 14.
  113. Pierz K., Puhs W., Meli H. Correlation between defect density and Fermi level position in a-Si:H. Journ. Non-Crystalline Solids, 1989, v. 114, N2, p. 651 653.
  114. Pierz K., Meli H., Fuhs W. Proceeding of Material Research Society Symphosium, 1990, v. 192, p. 95 99.
  115. Smith Z.E., Wagner S. Advances in Disordered Semiconductors, 1 A, Ed. H. Pritzsche (World Scientific, Singapore, 1989), p.p. 409 460.
  116. Thomas P.A., Brodsky M.H., Kaplan D., Lepine D. Electron spin resonanse In ultrahigh vacuum evaporated amorphous silicon: In situ and ex situ studies. Phys.Rev. В., 1978, v. 18, N 7, p. 3059 3073.
  117. Terekhov V.A., Trostyanskii S.N., Domashevskaya E.P. et al. Density of states and photoconductivity of hydrogenated amorphous silicon. Phys. Stat. Sol. (b), 1986, v. 138, p. 647 653.
  118. С.А. Модель трехцентровых дефектов с пятикоор-динированным кремнием в a-Si:H. ДАН, 1983, Т.228, N6, С. 1408 -I4II
  119. Density of states and photoconductivity in hydrogenated amorphous silicon / Domashevskaya E.P., Golikova O.A., Terekhov V.A., Trostyanskii S.N. Jour. Non-Cryst. Solids, 1987, v.90, p.135 — 138.
  120. Mandel Т. et al. Gap-states measurements on diamond-like carbon films. Appl. Phys. Lett., 1994, v.64, p. 3637 3639.
  121. E.M. Электронная структура конденсированного углерода. Свердловск, 1988, 152 С.
  122. Defects and. recombination in a-Si С: H films /S.— x X1. edtke, K. Jahn, P. Finger, W. Fuhs // J. Non-Cryst. Solids. -1987о Y. 97−98. Pt. 2. P. 1083 1086.
  123. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) of hydrogensted amorphous silicon carbide (a-SiixGx:H) prepared by plasma GVD method / A. Tabata, S. Pugii, Y. Suzuoki et al. // J. Phys. D.1990. Y. 23. No 3. P. 316 320.
  124. The characteristics of amorphous silicon carbide hydrogen ад1оу / Tsai Hsiung-Kuang, Lin Wei-Liang, Sah Wen Jyh, Lee Si-Chen. // J. Appl. Phys. 1988. v. 64. No 4. P. 1910−1915.
  125. Ray S., Ganguly G., Barua A.K. Influence of deposition parameters on the properties of boron-doped amorphous silicon-carbide films. J. Appl. Phys. 1987. v. 62. No 9. P. 3917−3921.
  126. Picosecond photoinduced-absorption studies of band-tall thermalization in hydrogenated amorphous silicon-carbon alloys/ V. Eicker, A.K. Darzi, H.B. Wherrett, G.J.B. Wilson // Phys.Rev. B. 1989. Y. 39. No 6. P. 3664−3669.
  127. Optical absorption coefficients In a-SilxGx:H / 0. Oktu, W. Lauwerens, S. Usala et al. // Mater. Sci. and Eng. B. 1992. y. 11. No 1−4. P. 47−50.
  128. Distribution of occupied states in a-C:H and a-SI1vC4:H alloys as determined by total yield spectroscopy / M. De Seta, P. Florin!, F. Coppola, F. Evangelist! // J. Non-Cryst. Solids.1991. v. 137 138. Pt 2. P. 867−870.
  129. I. Управление типом и концентрацией носителей за ряда в a-SiC:H /У Аморфные полупроводники и приборы на их основе: Пер. с англ. / Под ред. И. Хамакавы. М.: Металлургия, 1986. С. 170 — 184.
  130. Tripathi R.S., Moseley L.L., Lukes Т. Optical Absorption in Non-Crystalline Semiconductors. Phys. Stat. Sol. (b), 1977, v.83, p. 197 207.
  131. Staebler D.L., Wronski C.R. Reversible conductivity changes in discharge produced amorphous Si, 1977, Apll. Phys. Lett., v. 31, Mo. 4., p. 292 294.
  132. Д.В. Алмаз. Справочник. Киев: Наукова Думка, 1981, 52 С.
  133. Characterization of high electronic quality a-SIC:H films by (j/u products for electrons and holes / H.-D. Mohring, G.-D. Abel, R. Bruggemann, G.H. Bauer // J. Non-Cryst. Solids. 1991. v. 137−138. Pt 2. P. 847−850.
  134. High-rate deposition of photosensitive a-SI0:H using a carbonsource of C2H2 / Y. Nakayama, S. Akita, M. Nakano, T. Kawa-mura // J. Non-Cryst. Solids. 1987. V. 97−98. Pt 2. P. 1447−1450.
  135. Rynders S.W., Scheeline A., Bohn P.W. Structure evolution in a-SilxCx:H films prepared from tetramethylsilane // J. Appl. Phys. 1991. v. 69. No 5. p. 2951−2960.
  136. Physical properties and structure of carbon-rich a-SiC:H films prepared by r.f. glow discharge decomposition / K. Yamamoto, Y. Ichikawa, N. Pukada et al. // Thin Solid Films. 1989. V. 173. No 2.P. 253−262.
  137. Park Y.J., Park Y.W., Chun J.S. The bond structures and properties of chemically vapour deposited amorphous SIG // Thin
  138. Solid Films. 1988. v. 166. P. 367−374.
  139. Cody G.D., Tiedje В., Abeles B. et al., Disorder and the Optical-Absorption Edge of Hydrogenated Amorphous Silicon. 1981, Phys Rev. Lett., v. 47 N.20, p. 1480 1483.
  140. A.M. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука, 1978, 616 С.
  141. Tauc J. Absorption Edge and Internal Electric Field in Amorphous Semiconductors. 1970, Mat. Res. Bull., v. 5, N 8, p. 721 730.
  142. Г. Н., Маврин Б. Н., Шабанов В. Ф. Оптические колебательные спектры кристаллов / Ред. Г. Н. Жижин, М.: Наука, 1984, 232 С.
  143. Phillips J.С. Bonds and Bands in Semiconductors. Academic Press, 1973, 288 p.
  144. Wemple S.H. Optical oscillator strengths and exitation energies in solids, liqueds and molecules. Journ. Ghem. Phys., v. 67, N 5, p. 2151 2168.
  145. Wemple S.H., Di-Domenico M.Jr. Behavior of Electronic Dielectric Constant in Covalent and Ionic Materials. Phys. Rev. В., 1971, v. 3, N4, p. 1338 1350.
  146. Webman I., Jortner H., Cohen M.H. Theory of optical and micro-wave properties of microscopically inhomogeneous materials. Phys. Rev. В., 1977, v.15, N12, p. 5713 5723.
  147. Дж. Оптические свойства аморфных полупроводников. В кн.: Аморфные полупроводники / Ред. М. Бродски, М.: Мир, 1982, 419 С.
  148. Cody G.D. The Optical Absorption Edge of a-Si:H. In: Semiconductors and Semimetals, v. 21A / Eds. J.I. Pankove, 1984, 439 p.
  149. И.А., Понарина E.H. Метастабильные состояния в пленках a-SI:H под влиянием электрического поля. Тез.докл. IX
  150. Международной конф. «Некристаллические полупроводники '89» Ужгород, СССР), Т. III, С. 163 165.
  151. А.И., Понарина Е. Н., Бендюгов В. Е. и др. О связи пиков фотолюминисценции и МК-поглощения в a-SI:H. ФТП, 1991, т.25, вып. I, С. 173 176.
  152. И. 11. Кинетические явления в полупроводниках. М.: Изд-во ЖГУ, 1984, 189 С.
  153. Г. Неравновесная статистическая механика. М., Мир, 1990, 320 С.
  154. Крефт В.-Д., Кремп Д., Эбелинг В., Репке Г. Квантовая статистика систем заряженных частиц. М.: Мир, 1988, 408 С.
  155. Fritzsche Н. A general expression for thermoelectric power. Solid State Commun., 1979, v.9, N21, p. 1813 1815.
  156. Mott N.F. Conduction bands in a non-crystalline environment. Journ. Non-Cryst. Sol., 1987, v. 90, N1−3, p.1−8.
  157. Spear W.E. The study of transport and related properties of amorphous silicon by transient experiments. Journ. Non-Cryst. Sol., 1983, v. 59&60, Pt. I, p.1 14.
  158. .М., Эфрос A.JI. Электронные свойства легированных полупровдников. М.: Наука, 1979, 416 С.
  159. Ambegaokar V., Halperin B.C., Langer J.S. Theory of hopping conductivity In disordered systemms. Journ. Non-Cryst. Sol., 1972, v.8 10, p. 492 — 496.
  160. Cohen М.Н., Jortner J. Inhomogeneous transport regime in disordered materials. Phys. Rev. Lett., 1973, v. 30, N15, p.699 -702.
  161. Emin D., Seager C.H., Quina R.K. Small-polaron hopping model in some chalcogenide glasses. Phys. Rev. Lett., 1972, v.28, N13, p. 813 816.
  162. Д. Электрические и оптические свойства аморфных тонких пленок В кн.: Тонкин поликристаллические и аморфные пленки. Физика и применение / Ред. Л. Казмерски, М.: Мир, 1983, С. 24 — 66.
  163. Knotek M.L. Temperature and thickness dependence of low temperature transport in amorphous silicon thin films: a compari-sion to amorphous germanium. Solid States Gommun., 1975, v. 17, N 11, p.1431 1433.
  164. Mott N.F. Conduction in non-crystalline systems. Phil. Mag., 1970, v. 22, N 175, p. 5 23.
  165. Electrical properties of plasma deposited hydrogenated amorphous silicon-carbon alloys / H. Tolunay, A. Eray, 0. Oktu,-H. Taskin // Turk. Eiz. Derg. 1990. y. 14. No4. P. 386−394.
  166. Solar cells: present status and future prospects / A. Ca-talano, R.R. Arya, B. Eieselmann et al.// J. Non-Cryst. Solids.1989. y. 115. No 1−3. P. 14−20.
  167. Catalano A., Newton J., Rothwarf A. a-Si С: H alloys1 X X vfor multifunction solar cells // IEEE Trans. Electron Devices.1990. Y. 37. No 2. P. 391−396.
  168. Wen L. Hsu, et al. Molecular beam mass spectrometry study of chemical vapour deposition of diamond. Jorn. Appl. Phys., 1994, v. 33, p. 2231 2239.
  169. Hammer P. et al. Electrical characterization of plasma-deposited hydrogenated amorphous carbon films. Mat. Sci. & Eng., 1991. A139, p. 334 339.
  170. Zvyagyn I.P. On the theory of hopping transport in desor-dered semiconductors. Phys. Stat. Sol. (b), 1973, v. 50, N2, p. 443 449.
  171. Meyer w., Neldel H. A relation between the energy constant S and the quality constant a in the conductivity temperature formula for oxide semiconductors. Zhourn Techn. Phys., 1937, v. 18, p. 588 593.
  172. Djemcyi P., Le-Oomber P.G. An investigation of the conductivity prefactor in a-Si as a function of Fermi level position using the field-effect experiment. Phil. Mag. В., 1987, v. 56, N 1, p. 31 50.
  173. Wagner В., Irsigier P., Dunotas D.J. The Staebler-Wronsky effect and the Meyer Neldel rule in amorphous silicon. Journ. Non-Cryst. Solids, 1983, v.59&60, Pt. I, p. 413 — 416.
  174. Sorokina K.L. The Meyer-Neldel Rule in a-Si:H and Correlation Energy. Phys. Stat. sol. (b), v.157, K43 K46, 1990.
  175. Fustoss-Wigner M., Zentai G., Pogyny L. The effect of the morphology on the transport properties of the a-Si:H layers. Journ. Non-Crystalline Solids, v.90, p.p. 215−218, 1987.
  176. Spear W.E. Introductiry talk / Proceedings of 5th International Conference on Amorphous and Liquid Semiconductors, Gar-mishpartenkirkhen, 1973, p. 1 16.
  177. Overhof H., Beyer W. Electronic transport in hydrogenated amorphous silicon. Phil. Mag. В., 1983, v. 47, N4, p.377 392.
  178. Overhof H. The influence of a long-range potential on the electronic transport properties of amorphous semiconductors. Journ. Non-Cryst. Sol., 1984, v. 66., N 1−2, p. 261 272.
  179. Рассеяние света в твердых телах / Ред. М. Кардона, М.: Мир, 1979, 392 С.
  180. Elliot S.R. AC conductivity due to intimate pairs of charged defect centres. Sol. State Comm., 1978, v. 27, N8, p. 694 751.
  181. Timbre 11 P.Y., Ranchoux B. Hamdi H. Characterisation of a-Si:H by complex impendance measurements. Journ. Non-Cryst. Solids, 1984, v. 64, p. 21 28.
  182. Радиационные эффекты в керамических диэлектриках / Костюков Н. С., Муминов М. М., Ким Ген Чан и др. Ташкент: Фан, 1986, 160 С.
  183. Г., Пригожин И. Самоорганизация в неравновесных системах. М.: Мир, 1979, 536 С.
  184. Аппаратура и методика осаждения слоев при пониженном давлении, 4. II: Методика осаждения слоев при пониженном давлении. Обзоры по электронной технике, Вып. 4, М.: ЦБМИ «Электроника», 1985, 70 С.
  185. В.В. Основы общей химии. 4.1. М.: Химия, 1973, 656 С.
  186. Таблицы физических величин (Справочник) / Ред. И. К. Кикоин, М.: Атомиздат, 1976, 1008 С.
  187. Newkirk А.Е., Hard D.T. The Direct Synthesys oi the Boron Hydrides. Journ. American Ghem. Soc., 1955, v. 77, N1, p. 241−242.
  188. A.A., Лигачев В. А., Попов A.M. Морфология, проводимость и эффект псевдолегирования в аморфных и аморфно-кристаллических пленках С:Н. Физика и техника полупроводников, 1993,. Т.27, вып. 8, С. 1233 — 1239.
  189. Гидрированные пленки углерода: режимы изготовления, структура, свойства. /У Попов A.M., Лигачев В. А., Стукач С. Н., Васильева Н. Д. / Материалы твердотельной электроники, М.: Моск.
  190. Подчеркиванием номера отмечены работы, соавтором (автором) которых является Лигачев В.А.ин-т Электроники и Математики, 1994, С. 289 306.
  191. Л.И. Электронография аморфных веществ. М.: Наука, 1972, 104 С.
  192. Л.И. Структура твердых, аморфных и жидких веществ. М.: Наука, 1983, 335 С.
  193. В.Н., Попов а.и., Филиков В. А. Исследования ближнего порядка в аморфном кремнии и системе аморфный кремний водород. В кн.: Докл. Междунар. конф. «Аморфные полупроводники -80», Кишинев, 1980, С. 66−69.
  194. В.Н., Филиков В. А. Получение аморфного кремния методом высокочастотного ионно-плазменного распыления. Тр. Моск. энергет. ин-та, 1980, вып. 468, С. 43 -47.
  195. В.Н., Попов А. И., Филиков В. А. Структура аморфного кремния, полученного высокочастотным ионно-плазменным распылением. Известия АН СССР, сер. «Неорганические материалы», T. I6, n 10, С. 1733 1736.
  196. Маделунг 0. Теория твердого тела. М., Наука, 1980, 416 С.
  197. К. Физика полупроводников. М.: Мир, 1977, 615 С.
  198. А. Оптические свойства поликристаллических полупроводниковых пленок. В кн.: Тонкие поликристаллическеие и аморфные пленки: Физика и применение / Ред. Л. Казмерски, М., Мир, 1983, 304 С.
  199. Хевенс 0. Измерение оптических констант токих пленок. В кн.: Физика тонких пленок, Т2, М.: Мир, 1967, 396 С.
  200. Е.В., Раков A.B. Определение дисперсии оптических констант тонких поглощающих пленок на прозрачной или слабопогло-щающей подложке. Журнал прикладной спектроскопии, 1971, T. I4, Вып.1, С. 140 144.
  201. A.B. Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структур. М.: Советское Радио, 1975, 176 С.
  202. И.Н., Семендяев К. А. Справочник по математике.1. М.: Наука, 1975, 975 С.
  203. Aspnes D.E. Optical properties of thin films. Thin Solid Films, 1982, v. 89, N3, p. 249 262.
  204. Iqbal Z., Veprek S. Raman scuttering from hydrogenated amorphous and microcrystalline silicon. Journal of Physics G, 1982, Y. 15, p. 377 392.
  205. Sasaki G., Kondo M., Fujita Sh., Sasaki A. Properties of Chemically Vapour deposited. Amorphous SlNx Alloys. Jap. Journal of Applied Physics, 1983, v. 21, No 10, p.p.1394 — 1399.
  206. Fang C.J., Gruntz K.J., Ley L. et al. The hydrogen content of a-Ge:H and a-Si:H as determined by IR spectroscopy, gas evaluation and nuclei reaction techniques. Journ. Non-Cryst. Sol., 1980, v. 35&36, p. 255 260.
  207. В.А., Филиков В. А., Попов A.M. и др. Модифжация метода постоянного фототока и определение параметров a-Si:H. Тез.докл. IX Международной конф. «Некристаллические полупроводники '89» (Ужгород, СССР), Т. III, С.151−153.
  208. Ю.В., Сурогин Л. И., Огурчикова Л. И. и др. Разработка методики расчета и измерения контактного сопротивления промышленных типов переменных резисторов. Сб. науч. трудов МЭМ, 1972, С. 122 131.
  209. Влияние контактного сопротивления тожопленочного кремния / Филиков В. А., Сурогин Л. М., Пугачев Г. А. Лигачев В.А., Гордеев В. Н. // Известия СО АН СССР. Сер. технич. 1990. В.5. С. 109−113.
  210. В.А., Гордеев В. Н., Костиков С. Н. Регуляризующий алгоритм определения спектра времен релаксации неоднородных полу-проводнжов и диэлектржов / Сб. науч. трудов N 225. М.: Моск. энерг. ин-т. 1989, С. 57−63.
  211. В.А., Филжов В. А. Новый метод расчета спектров времен релаксации и его применение для исследований a-Si:H. Физика твердого тела, 1991, Т.33, N II, С. 3292 3301.
  212. Г., Эрдейи А. Таблицы интегральных преобразований. М.: Наука, 1969, Т.1, 369 С.
  213. А.Я., Лунина В. А. применение сверток к решению интегральныз уравнений 1-го рода с ядром, зависящим от произведения. Журн. Выч. Мат. и Матем. Физ. 1969, Т.9, N 3, С. 626 646.
  214. М.М. Оптика и метрология солнечных элементов. М.: Наука, 1985, 280 С.
  215. Г. Б. Таблицы интегралов и другие математические формулы. М.: Наука, 1977, 228 0.
  216. В.А., Филиков В. А. К определению плотности состояний в щели подвижности неупорядоченных полупроводников. Физика и техника полупроводников, 1991, Т.25, выпЛ, С. 133 137.
  217. В.А. Особенности спектров плотности состояний в объеме и на поверхности пленок a-SiC:H (0) и a-SiixCv:Н (0), полученных ВЧ распылением. Физика твердого тела, 1993, Т.35, N 9, С. 2342 2351.
  218. Свиркова Н. Н, Филиков В. А., Лигачев В. А. Условия осаждения и спектры плотности состояний пленок a-Si^C, :Н, полученных высокочастотным распылением. Физика и техника полупроводников, 1994, т. 28, вып. 12, С. 2109 2119.
  219. Weisfield R.L. Space-charge-limited currents: Refinements in analysis and applications to a-SiixGex:H alloys // J. Appl. Phys. 1983. v. 54. No 11. P. 6401−6416.
  220. Nespurek S., Sworakowski J. Use of space-charge-limited current measurements to determine the properties of energetic distributions of bulk traps // J. Appl. Phys. 1980. V. 51. No 4. P. 2098 2102.
  221. Muller R.S. Unified approach to the theory of space-charge-limited current in an insulators with traps //' Solid-State Electron. 1963. y. 6. P. 25−32.
  222. Den Boer W. Determination of midgap density of states ina-~Si:H using space-charge-limited, current measurements // J. de Physique. Coll. C4. 1981. v. 42.Suppl. 10. P. 04−451 04−454.
  223. Lampert M.A., lark P. Current injection in solids. New York — London: Acad. Press, 1970. — XII. — 351 p.
  224. Mackenzie K.D., Le Comber P.G., Spear W.E. The density of states in amorphous silicon determined by space-charge-limited current measurements // Phil. Mag. B. 1982. v. 46. No 4. P. 377 389.
  225. Rose A. Space charge limited current In solids // Phys. Rev. 1955. v. 97. P. 1538−1544.
  226. В.А., Лигачев В. А., Филиков В. А. Электронно-энергетический спектр аморфных пленок карбида кремния. В кн.: Тез. докл. Международн. конф. по электротехническим материалам и компонентам, 2−7 Октября 1995 г., Крым, С. 44.
  227. В.А. Локальная плотность электронных сотояний в неупорядоченных полупроводниках. Дисс. на соиск. ученой степени доктора физико-математических наук, Воронеж, 1994, 279 С.
  228. Vishngakov N.V., VIkhrov S.P., Ligachov V.A. The influence of the Band Gap Localized States on Metal Amorphous Hydro-genated Silicon Contact Parameters. Proc. Intern. Conf. on Microelectronic, Warsaw, Poland, September 1992, SPIE, v. 1783, p. 600
  229. В.А. Определение диффузионной длины носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках по данным метода постоянного фототока. Журн. технич. физики, 1992, Т.62, В. 7, С.134−141.
  230. Ligachoy V.A. Ambipolar diffusion length measurement in a-Si:H by constant photocurrent method. Proc. Int. Conf. «Optical Diagnostics», Kiev, Ukraine, May 11−13 1995. SPIE, v. 2648, p. 91 97.
  231. Аут И., Генцов Д., Герман К. Фотоэлектрические явления: Пер. с нем., М. я 1980, 208 С.
  232. X., Филиков В. А., Лигачев В. А., Васильева Н. Д. Условия конденсации и свойства пленок a-Si:H, полученных при различных значениях мощности ВЧ разряда. Журнал технической физики, 1994, Т.64., вып. 8, С. 35−41.
  233. Perrin J. Physico-Ghlmie d’un Plasma Multipolaire de Si-lane et Processus de Deposition du Silicium Amorphe Hydrogene // Ph.D. Thesis. Universite Paris. VII. 1983, p. 291.
  234. Perrin J. Plasma aTd surface reactions during a-Si:H films growth.. Journ. Non-Cryst. Solids., 1991. v. 137&138, p. 639 644.
  235. Messier R., Ross R.G. Evolution of microstructure in amorphous hydrogenated silicon. Journ. Appl. Phys., 1982, v.53, N 9, p. 6220 6225.
  236. Ross R.G., Messier R. The effect of hydrogen partial pressure on reactively sputtred amorphous silicon. Journ. Appl., 1984, Y.56, N2, p. 347 351.
  237. В.A., Попов A.M., Стукач O.H. Морфология, состав и свойства пленок 0:Н, полученных ВЧ распылением графитовой мишени. Материалы IV конференции «Физика и технология алмазных материалов», Москва, ММЗМ, 28 30 мая 1996 г.
  238. М.М., Кудоярова В. Х., Бардамид А. Ф., Новосельская А. И. Физические свойства и микрострукутра пленок аморфного гидрированного кремния. Изв. АН СССР, Сер. Неорганические материалы, 1987, т. 23, N6, с. 883 887.
  239. Электрофотографические слои на основе аморфных пленок с тетраэдрической координацией атомов / Филиков В. А., Сулеман X., Лигачев В. А., Гордеев В. Н., Костиков С. Н. Тр. Моск. энерг. ин-та, 1991, вып. 640, С. 46 54.
  240. В.А., Филиков В. А., Гордеев В. Н. Свойства «толстых» пленок a-Si:H, полученных ВЧ распылением и магнетронным распылением на постоянном токе. Сборн. докл. всесоюзн. начно-технич. конф. «Электрофотография-91», 4. II, Москва, 1991, С. 309 312.
  241. Конденсация SiHn комплексов и псевдолегирование в а-Si:H. // Лигачев В. А., Гордеев В. Н., Филиков В. А., Сулеман X. Физика и техника полупроводников, 1991, Т.25, вып.9, С. I536−1541.
  242. Lewis В., Campbell D.S. Nucleation and Intial Growth Be-haYior of Thin Film deposition. Jour. Vac. Sci.&technology, 1967, y.4, N 5, p.209−218.
  243. Lewis В., Anderson J.C. Nucleation and Growth oi Thin Films. Academic press, 1978, p. 480.
  244. LigachOY V.A. Condensation and transport properties о Гft.F. sputtered a-Si:H films. Proc. 35th Intern. Colioq. TH Ilmenau, Ilmenau, DDR, 1990, Heft.4, s.56 59.
  245. Robins J.L. Thin films nucleation and growth kinetics. Applied Surface Science, 1988, v. 33 / 34, p. 379−394.
  246. Knights J.O. Structural and chemical characterization of a-Si:H. In: The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon, Pt. I / Eds. J.I. Joanopoulos and G.Lucovsky. Springer-Yerlag, 1984, 2851. P
  247. С.П., Малжнецкий Г. Г. Синергетика теория самоорганизации. В кн.: Компьютеры, модели, вычислительный эксперимент, М., Наука, 1988, 176 С.
  248. Г. Информация и самоорганизация: Макроскопический подход к сложным системам. М.: Мир, 1991, 240 С.
  249. В. Образование струкутр при необратимых процессах. М.: Мир, 1979, 279 С.
  250. В.А., Филиков В. А., Гордеев В.H. Режимы конденсации и проводимость изолирующих пленок a-SiC:H<0> и a-Si С: Н<0>. Тез. докл. Рос. Научн.-технич. конф. «Диэлектри-ки-93», Санкт-Петербург, 22−24 июня 1993 г., 4.1, С. 139 140.
  251. Морфология и спектры плотности состояний пленок a~SiC:H, полученных высокочастотным распылением / Лигачев В. А., Свиркова Н. Н., Филиков В. А., Васильева Н. Д. // ФТП, 1996, Т. 30, Вып. 9, С. 1591 1600.
  252. Ligachov V.A., Gordeev V.N., Filikov V.A. Condensation mechanisms and properties of the R.F. sputtered a-Si:H films.
  253. Proe. VJ. i Int. Conference on Thin films Physics and Application, Shanghai, China, April 15−17, 1991, SPIE, v. 1519, p. 214 219.
  254. Электрофизические параметры пленок a-SI:H для электрофотографии // Лигачев В. А., Гордеев В. Н., Филиков В. А., Попов A.M., Костиков С. Н. / Сборник Тез. Докл. Всесоюзн. Научно-Технич. Конф. «Электрофотография-88», Москва, 1988, Ч.П. С. Ill 114.
  255. М.М. Электроны и дырки в полупроводниках. М. Наука, 1978, 328 С.
  256. Тензорный метод в теории молекулярных орбиталей. // 8а-харчук С.Ю., Кустов Е. Ф., Кустов Е. Д., Лигачев В. А. / Физика твердого тела, 1994, Т. 36, N8, 2162 2174.
  257. С.Ю., Кустов Е. Ф., Лигачев В. А. Расчет электронной структуры молекулярных образований германия тензорным методом. Физика твердого тела, 1996, Т. 38, N2, С.595 602.
  258. Zakharchuk S.Yu., Kustov Е.Р., Ligachov Y.A. Electronic Spectra of Multy-Atomic Carbon Clusters with Different Symmetry. Molecular Materials, 1996, v. 8, p. 151 155.
  259. Ligachov V.A., Popov АЛ., Stuokach S.N. Use of physical criteria for solving equations for effective medium approximation (MA). Proc. Int. Conf. «Optical Diagnostics», Kiev, Ukraine, May 11 13 1995. SPIE, v. 2648, p. 85−90.
  260. Исследование структурных особенностей гидрированных пленок углерода // Лигачев В. А., Попов А. И., Стукач С. Н., Васильева Н. Д. / Известия ВУЗов, 1997, вып. 3−4, С. 3 7.
  261. Электрическая проводимость легированных пленок a-Sl:H. // Лигачев В. А., Филиков В. А., Попов А. И., Гордеев В. Н. Сборник науч. трудов, N 103, М.:Московск. энергет. ин-т, 1985, С.43−47.
  262. В.А., Филиков В. А., Гордеев В. Н. Обратимые изменения проводимости пленок a-Si Сх:Н. Тез. Докл. Всесоюзн. Семинара «Аморфные гидрированные полупроводники и их применение» Ленинград, 10−14 июня 1991 г., С. 71.
  263. Staebler D.L., Wronski C.R. Optically induced conductivity changes in discharge-produced hydrogenated amorphous silicon. Journ. Appl. Phys., 1980, v. 51, N6, p.3262 3268.
  264. B.C., Казанский А. Г., Миличевич Е. П. Изменение поглощения в области энергий, меньших оптической ширины запрещенной зоны гидрогенизированного аморфного кремния при эффекте Стеб-лера-Вронского. ФГП, 1982, T. I6, N12, С. 2192 2194.
  265. Skumanich A., Amer N.M. Effects of dopants and defects on light-Induced metastable states In a~Si:H. Phys. Rev. B, 1985, v. 31, p. 2263 2269.
  266. В.А., Попов А. И., Стукач С. Н. Влияние условий конденсации на процессы поляризации в пленках гидрированного углерода. Тез. докл. Рос. Научн.-технич. конф. «Диэлектрики-93», Санкт-Петербург, 22−24 июня 1993 г., Ч. Г, С. 141 142.
  267. В.А., Попов А. И., Стукач С. Н. Условия получения, структура и свойства гидрированных пленок аморфного углерода. Физика и техника полупроводников, 1994, Т.28, вып. 12, С. 2145 -2156.
  268. X., Лигачев В. А., Филиков В. А. Морфология, плотность состояний и поляризация в неоднородных слоях a-Si:H. Физика и техника полупроводников, 1993, Т.27, вып. 2, С. 338 342.
  269. Yokomichi H., Morigaki К. Observation of differen types of dangling bonds and their photocreation in a-Si:H, as elucidated by ENDOR measurements. Journ. Non-Cryst. Solids, 1987, v.97&98, p. 67 70.
  270. В. А. Филиков В.A. О природе эффекта псевдолегирования в a-Sl:H. Физика и техника полупроводников, 1992, Т.26,вып.9э С.1540 1545.
  271. .М. Физика фрактальных кластеров. М., Наука, 1991, 136 С.
  272. Влияние концентрации углерода на свойства структурной сетки в сплавах a-SilyCx:H / Данишевский A.M., Трапезникова И. Н., Теруков Е. И., Цолов М. Б. // ФТП, 1994, Т. 28., вып. 10, С. 1808 1819.
  273. Furuimwa S., Kagawa Т., Matsumoto N. Estimation oi localized state distribution profiles in undoped and doped a-Si:H by measuring spase-charge-limited current. Solid State Commun., 1982. v. 44, N 6, p. 927 930.
  274. Nakajlma S., Toyozawa Y., Abe R. The Physics of Elementary Exitatlons. Springer-Verlag, 1980, 304 p.
  275. В.А. Фононные флуктуации и эффект псевдолегирования в неоднородных аморфных полупроводниках. I. Модель Скеттрапа и морфология полупроводника. Физика твердого тела, 1995, т.37, N 8, С. 2229 2237.
  276. В.А. Фононные флуктуации и эффект псевдолегирования в неоднородных аморфных полупроводниках. II. Количественный анализ вероятностей состояний многофононной системы. Физика твердого тела, 1995, т.37, N II, С. 3419 3427.
  277. В.А. Фононные флуктуации и эффект псевдолегирования в неоднородных аморфных полупроводниках. III. Оптическое и термическое возбуждение носителей заряда с учетом флуктуации фо-нонных полей. ФТТ, 1995, т.37, N11, С.3428 3437.
  278. Allen Р.В., Cardona М. Theory of the temperature dependence of the direct gap of germanium. Phys. Rev. B, 1981, v. 23, No.4, p. 1495 1505.
  279. Ю.Л. Статистическая физика. M.: Наука, 1982.
  280. A.M. Основы статистической физики и термодинамики. М., 1973, 390 С.
  281. Mathematical handbook / G.A.Korn, Т.М. Korn. McGrew Hill, 1968, 700 p.
  282. И.С., Рыжик И. М. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений. М.: Наука, 1971, 990 С.
  283. Н., Снеддон И. Волновая механика и ее применения. М., Наука, 1966, 427 С.
  284. Ligachev V.A. Parameters of the thin films amorphous semiconductors as determined by the cluster sizes. Book of Abstracts 3 Int. Workshop 'Fullerenes and Atomic Clusters', St. Petersburg, Russia, June 30 July 4 1997, p. 276.
  285. Kampas F.J. Chemical reactions in the plasma deposition.
  286. Semiconductors & Semlmetals, 1984, v .21, Ft. A, p. 153 177.
  287. A.M., Лигачев В. А., Стукач C.H. Исследования структуры, электрических и оптических свойств гидрированных пленок углерода. В кн.: Тез. докл. Международн. конф. по электротехническим материалам и компонентам, 2−7 Октября 1995 г., Крым, С. 34.
  288. В.А., Гордеев В. Н., Лигачев В. А. Электрическое переключение в аморфном кремнии. В кн.: Тез. II Всесоюзной конференции (5-го координационного совещания) «Исследование и разработка перспективных МО памяти», Москва, 1986, С. 16.
  289. В.А., Гордеев В. Н., Чурикова С. А. Исследования полевого эффекта в a-Si:H. В кн.: Тез. докл. Всесоюзн. начно-технич. конф. «Актуальные проблемы современного приборостроения», М., 1986, С. 54 55.
  290. Полевой транзистор на аморфном кремнии / Филиков В. А., Попов A.M., Гордеев В. Н.,. Лигачев В. А. // Межвузовский сборник трудов N 61, 'М.: Московск. энерг. ин-т, 1985, С. 107 III.1. БЛАГОДАРНОСТИ
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!