Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Нестационарные процессы в активных элементах частотно стабилизированных гелий-неоновых лазеров

Диссертация: Нестационарные процессы в активных элементах частотно стабилизированных гелий-неоновых лазеров
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Показано, что если плазменные колебания — страты и пульсации источника питания возникают на частотах соответствующих разностной частоте зеемановского лазера, тогда при прохождении через компаратор амплитудно модулированного током разряда сигнала разностной частоты будет наблюдаться амплитудная модуляция прямоугольным импульсом, способствующая дополнительному уширению импульса опорного сигнала… Читать ещё >

Нестационарные процессы в активных элементах частотно стабилизированных гелий-неоновых лазеров (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • В В БД Е Н И Е
  • ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ
    • 1. 1. Классификация тлеющего разряда
    • 1. 2. Характеристики газового разряда при переходе от таунсендовского разряда к нормальному тлеющему
    • 1. 3. Свойства окисных пленок на поверхности холодных катодов и технология изготовления
    • 1. 4. Самовозбуждение страт в активных элементах гелий-неоновых лазеров
    • 1. 5. Резонансные свойства разряда и обратная связь
    • 1. 6. Влияние флуктуаций тока разряда на стабильность оптической частоты гелий-неонового лазера
  • Постановка задачи
  • ГЛАВА 2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПЛАЗМЕННЫХ КОЛЕБАНИЙ В РАЗЛИЧНЫХ ВИДАХ ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА
    • 2. 1. Описание экспериментальной установки
    • 2. 2. Таунсендовский разряд
    • 2. 3. Неустойчивость таунсендовского разряда
    • 2. 4. Состояние разряда после развития неустойчивости
    • 2. 5. Экспериментальная установка и условия эксперимента по изучению таунсендовского разряда и второй зоны нестабильности тока
    • 2. 6. Результаты эксперимента
    • 2. 7. Влияние поверхности катода на переходные от ТР к НТР характеристики тока разряда
    • 2. 8. Катод измерительного лазера
      • 2. 8. 1. Методы исследования электрофизических свойств окисных покрытий
      • 2. 8. 2. Способы формирования окисной пленки на алюминиевой подложке
      • 2. 8. 3. Определение устойчивости окисных пленок к распылению
  • Выводы
  • ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ ПЛАЗМЕННЫХ КОЛЕБАНИЙ В АКТИВНОЙ СРЕДЕ НА ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СТАБИЛИЗИРОВАННОГО ЗЕЕМАНОВСКОГО ЛАЗЕРА
    • 3. 1. Оценка нестабильности оптической и разностной частоты в зависимости от флуктуаций тока разряда
    • 3. 2. Описание экспериментальной установки по изучению влияния страт
    • 3. 3. Механизмы влияния легкоионизуемых примесей на возникновение страт
    • 3. 4. Определение пороговых токов появления страт
    • 3. 5. Экспериментальные результаты исследования влияния кислорода на появление страт в плазме активного элемента
    • 3. 6. Расчет распределения примеси кислорода по длине разрядного промежутка
  • Выводы
  • ГЛАВА4. КОНСТРУКЦИЯ И ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ИЗМЕРИТЕЛЬНОГО ЛАЗЕРА
    • 4. 1. Расчет элементов конструкции активного элемента
    • 4. 2. Влияние режимов обработки на стабильность газового состава рабочей смеси
    • 4. 3. Сохраняемость активного элемента
    • 4. 4. Конструкция активного элемента
  • Выводы
  • ЗАКЛЮЧЕНЙЕ

Актуальность.

Переход на цельнопаянные активные элементы с внутренними зеркалами позволяет разработать гелий-неоновые лазеры нового поколения, включая одночастотные лазеры для измерительных интерферометров. Измерительные интерферометры благодаря надежным активным элементам являются в настоящее время одними из наиболее распространенных лазерных систем.

Известно много работ по исследованию различных нестабильностей гелий-неоновых лазеров, в том числе и обусловленных флуктуациями плазмы. Однако большинство из них посвящено обычным лазерам и не позволяют выработать требования к активному элементу измерительного одночастотно-го лазера — лазера, обеспечивающего высокую точность измерения в лазерных интерферометрах. Проблема флуктуаций лазерного излучения представляется в новом аспекте, так как рассматривается в комплексе с системой питания, АПЧ и измерительными устройствами. Поскольку измерительный одночас-тотный лазер состоит из многих взаимосвязанных элементов, то флуктуации его излучения зависят от комплекса причин, в том числе от нестабильностей газового разряда, эмиссионных свойств холодного катода, особенностей исполнения системы АПЧ и источника питания.

Цель работы.

Установление физических процессов, ответственных за флуктуации излучения частотностабилизированных гелий-неоновых лазеровопределение факторов влияющих на параметры их излучениясоздание активных элементов частотностабилизированных гелий-неоновых лазеров, обеспечивающих требованиям современным измерительных интерферометров.

Основные задачи:

— исследование физических процессов, влияющих на неустойчивость тлеющего разряда, в частности таунсендовского;

— разработка методик измерения эмиссионных характеристик и методов формирования тонкопленочных эмиссионных покрытий;

— исследование эмиссионных свойств катодов и тонкопленочных эмиссионных покрытий;

— исследование энергетических и выходных характеристик активных элементов;

— исследование параметров излучения частотностабилизированных гелий-неоновых лазеров и влияние на них различных факторов;

— создание активных элементов частотностабилизированных гелий-неоновых лазеров нового поколения.

Краткое содержание работы.

Работа состоит из введения четырех глав и заключения.

В первой главе проведен анализ литературы, обоснованы и описаны основные методы и сформулированы задачи исследований. В обзоре литературы приведены характеристики различных типов тлеющего разряда, особое внимание уделено таунсендовскому разряду и несгабильностям разряда. Рассмотрены различные типы холодных катодов, используемых в малогабаритных гелий-неоновых лазерах. Обсуждаются результаты исследований эмиссионных характеристик этих катодов, приведены технологические режимы. Осуществляется постановка задачи исследований.

Во второй главе приведены результаты экспериментального и теоретического исследования таунсендовского разряда. Показаны причины нестабильности таунсендовского разряда, изучены режимы и условия его устойчивости. В ней приводятся результаты расчета элементов конструкции активного элемента и экспериментального исследования эмиссионных характеристик холодных катодов. Обосновывается выбор материала катодов и технологии их обработки. Описывается методика определения распыляемости окисной пленки катода.

Третья глава диссертации посвящена исследованию влияния плазменных колебаний на частотные характеристики лазерного излучения. Приведены результаты этих исследований. Изучены зависимости частоты появления страт от тока разряда, показаны нетрадиционные пути борьбы с ними. Обсуждается унифицированный подход при создании активного элемента для измерительного гелий-неонового лазера и результаты испытаний их в лазерных интерферометрах.

В четвертой главе приводится расчет конструкции и технология изготовления активного элемента частотно-стабилизированного гелий-неонового лазера.

Научная новизна работы и новые наиболее существенные результаты.

1. Исследованы режимы перехода от нормального тлеющего разряда к таунсендовскому в неоне при низких и средних давлениях. Обнаружено возникновение периодических колебаний тока и напряжения, период и амплитуда которых изменяются сложным образом от условий разряда. Определены условия Существования неустойчивости таунсендовского разряда и формирования вольтамперной характеристики. Показано, что основные двумерные структуры свечения являются результатом появления быстрых электронов внутри светящейся области за счет сильного электрического поля.

2. Установлено, что причиной возникновения колебаний в тлеющем разряде и переходной области к нормальному тлеющему разряду являются неоднородность электрического поля, возникающая вследствие амбиполяр-ной диффузии, и приводящая к зависимости этих колебаний не только от параметров внешней цепи, давления и состава газа, но и от эмиссионной однородности катодной поверхности.

3. Сужение области неустойчивости вблизи катода можно обеспечить с помощью эмиссионно-однородного покрытия катодной поверхности, формируемой путем анодирования в электролите лимонной кислоты с последующей обработкой катодов в кислороде.

4. На основе проведенных теоретических и экспериментальных исследований определены требования к параметрам катодов активных элементов частотно-стабилизированных гелий-неоновых лазеров и показаны пути достижения их.

5. Установлена взаимосвязь различных флуктуаций: страт и колебаний тока, вызванных пульсациями источника питания и другими причинами с нестабильностью оптической и разностной частотой лазерного излучения, Показано, что на частотах паразитного сигнала, приближающихся к частоте опорного сигнала возрастает девиация разностной частоты, а при точном совпадении частот происходит синхронизация опорного сигнала стратовыми колебаниями.

6. Плазменные колебания ухудшают нестабильность оптической частоты незначительно, так как эта характеристика усреднена во времени, а плазменные колебания вызывают мгновенные изменения разностной частоты, что приводит к размытию фронта импульса опорного сигнала и снижает точность измерения лазерных интерферометров.

7. Стратовые колебания, возникающие в плазменном столбе, могут быть погашены в требуемой области токов без ухудшения свойств лазерной активной среды путем добавления и изменения вдоль разрядного промежутка распределения кислорода.

8. Осуществлен расчет элементов конструкции активных элементов частотно-стабилизированных гелий-неоновых лазеров, определены условия самостоятельного разряда для промежутка с кольцевым и круглым сечением.

9. Показано, что активный элемент измерительного частотно-стабилизированного лазера должен изготавливаться по унифицированной технологии, обеспечивающей разброс по напряжению горения, не более 3%, оптимальному току разряда не более 5%, давлению наполнения не более 2%, диаметру и длине разрядного промежутка не более 3 и 1% соответственно.

Научные положения, выносимые на защиту.

1. Неустойчивость таунсендовского разряда развивается при увеличении эффективной температуры электронов и уменьшении нестабильностей коэффициента вторичной ионно-электронной эмиссии что описывается выражением.

5Г-ЯГ «Те (кЬ)21п (1/у) ai. t ef (kL) где Те — эффективная температура электроновк — минимальное волновое число, определяющееся поперечным размером электроновf (kL) — учитывает искривление силовых линий объемным зарядом;

2. Катод активного элемента измерительного гелий-неонового лазера для обеспечения однородной эмиссии требуемой долговечности, стабильности мощности и частотных характеристик лазера должен иметь окисное покрытие, сформированное анодированием в электролите лимонной кислоты с последующей обработкой в кислороде.

3. Нестабильность частотных характеристик измерительного лазера возрастает при сближении частот пульсаций разрядного тока и плазменных колебаний с рабочей (разностной) частотой лазера. Глубина модуляции тока разряда плазменными колебаниями определяет амплитуду девиации разностной частоты, а степень сближения — период.

Практическая ценность работы.

1. Создан активный элемент частотно-стабилизированного гелий-неонового лазера, применяемого в координатографах при производстве интегральных микросхем и в лазерных интерферометрах линейных перемещений.

2. Разработаны и внедрены в производство технология изготовления холодного катода для частотно-стабилизированного лазера и методы контроля эмиссионных свойств катода.

3. Выявлены причины возникновения плазменных колебаний в разряде активного элемента одночастотного лазера и даны рекомендации по их снижению.

Апробация работы.

Материалы диссертационной работы докладывались на XXII International Conference on Gas Discharges. Germania, Greifswald, 1997; Elevanth European Sectional Conference on the Atomic and Molecular Physics of Ionized Gases. StPeterburgs, Russia, 1992; XXI Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике. С. Петербург, 1990; International Workshop On New Approaches To Hi Tech 98 St. Petersburg, Russia, 1998; IX конференция по физике газового разряда, г. Рязань, 1998; семинарах С. Петербургского технического университета и Рязанского государственного педагогического университета.

Результаты опубликованы в 10 работах.

Основные результаты, полученные в настоящей работе кратко сводятся к следующему:

1. Исследованы структурные особенности плазмы в режиме перехода тлеющего разряда к таунсендовскому (в неоне при низких и средних давлениях). Период и амплитуда колебаний тока и напряжения при увеличении тока разряда в таунсендовском разряде изменяются сложным образом, возникают моды с несоизмеримыми частотами, наблюдается их взаимодействие и бифуркация. Наблюдаются скачки глубины модуляции тока разряда без изменения среднего тока, напряжения на разряде и диаметра пятна. При увеличении среднего тока амплитуда колебаний может меняться немонотонно, но при достаточно больших токах (50−100 мкА) разряд переходит в нормальный тлеющий разряд без колебаний. Помимо колебаний и стягивания в поперечном направлении в переходном режиме в области катода наблюдаются страты.

2. Установлено, что причиной возникновения колебаний в ТР и переходной области с НТР является неоднородность электрического поля, возникающая вследствие амбиполярной диффузии и приводящая к зависимости амплитуды колебаний не только от параметров внешней цепи и наполнения (давления, состава газа), но и от эмиссионной однородности катодной поверхности.

3. Выбраны методы измерения эмиссионных характеристик катодов. Исследовано влияние технологических режимов на формирование эмиссион-но-однородной и устойчивой к распылению окисной пленки. Показано, что снижение неустойчивости катода и амплитуды колебаний можно обеспечить с помощью эмиссионного покрытия катодной поверхности, которая формируется путем анодирования ее в лимонной кислоте с последующей обработке катода в кислороде.

Наблюдаемая в экспериментах неустойчивость тлеющего разряда развивается при увеличении эффективной температуры электронов и уменьшении нестабильностей коэффициента вторичной ионно-электронной эмиссией.

4. Определены требования к параметрам катодов активных элементов измерительных гелий-неоновых лазеров:

— КВИЭПЭ должен быть не менее 0,5;

— пористость поверхности окисной пленки, не более 5%;

— катодное падение = 130В;

— напряжение потенциала окисной поверхности, не более ЗВ;

— показаны пути их достижения.

5. Установлена взаимосвязь плазменных колебаний — страт и колебаний тока разряда, вызванных пульсациями источника и другими причинами с не-стабильносгями оптической и разностной частоты лазерного излучения, а также с частотными характеристиками опорного сигнала и девиации разностной частоты.

6. Показано, что если плазменные колебания — страты и пульсации источника питания возникают на частотах соответствующих разностной частоте зеемановского лазера, тогда при прохождении через компаратор амплитудно модулированного током разряда сигнала разностной частоты будет наблюдаться амплитудная модуляция прямоугольным импульсом, способствующая дополнительному уширению импульса опорного сигнала. Для активного элемента, работающего при оптимальном токе разряда крутизна зависимости мощности от расстройки резонатора наименьшая, размывание минимально и определяется источником питания.

Если страты в плазме разряда возникают вблизи разностной частоты, то возникает девиация опорного сигнала, в результате частотной модуляции сигнала разностной частоты стратовыми колебаниями.

Если Ш = к 12, то сигнал ошибки, вызванный паразитной модуляцией максимален и система АПЧ не отрабатывает этот сигналпроисходит девиация оптической частоты.

Ухудшение частотных характеристик опорного сигнала в результате помех сказывается на стабильности оптической частоты незначительно, поскольку последняя является усредненной по времени характеристикой, а частотные характеристики опорного сигнала являются мгновенными характеристиками.

7. Исследованы различные варианты конструкции активных элементов. Осуществлен расчет элементов конструкции активных элементов измерительных гелий-неоновых лазеров, определены условия самостоятельного разряда для промежутка с кольцевым и круглым сечением.

8. Исследовано влияние режимов обработки активных элементов на остаточный газовый состав, мощность излучения и сохраняемость. Введен критерий эффективности технологической обработки лазеров — выход на стабильный уровень мощности излучения.

9. Предложена конструкция активного элемента, в которой между оболочкой и разрядным каналом устанавливается изолированный от катода цилиндрический экран с отражающей (Я не менее 90%) поверхностью и повышающей рабочую температуру капилляра (на 35 — 40°С), давление наполнения и долговечность катода и лазера в целом. Внешняя поверхность капилляра матируется или чернится, что исключает возможность снижения мощности излучения лазера из-за расселения внешнего уровня рабочего перехода отраженным от экрана спонтанным излучением разряда.

10. Показано, что активный элемент измерительного лазера должен изготавливаться по унифицированный технологии, обеспечивающей разброс по напряжению горению не более 3%, оптимальному тока разряда не более.

5%, давления наполнения не более 2%, давления и длины разрядного промежутка не более 3% соответственно.

11. Создан активный элемент гелий-неонового лазера, удовлетворяющий требованиям измерительных систем.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. .Н., Гусева Л. Г. и Покровская-Соболева А.С. Тлеющий разряд при низких давлениях и плотностях тока до 0,1 а/см2// ЖТФ, 1966, Том 36, вып. 4, с. 704−713.
  2. Т.А., Жданова Г. В., Поленов А. Н. К вопросу о переходе темного разряда в тлеющий (правая ветвь кривой Пашена)// ЖТФ, 1975, том. 45, вып. 7, с. 1427−1433.
  3. Л.А., Рязанцева О. Л. Тлеющий разряд в неоне при средних давлениях// ЖТФ, 1978, том 48, вып. 8, с. 1643−1646.
  4. В.И., Цендин Л. Д. Одномерная аналитическая модель перехода от таунсендовского разряда к тлеющему при высоком давлении// ЖТФ, 1989, том 59, вып. 11, с. 22−29.
  5. В.Н., Наумов Н. Ю. Динамическая теория устойчивости таунсендовского разряда и измерение критического тока// ЖТФ, 1984, том 54, вып. 8, с. 1521−1529.
  6. В.Н., Наумов Н. Ю., Ткаченко Н. П. Влияние внешней цепи на характеристики перехода от таунсендовского к нормальному тлеющему разряду// ЖТФ, 1987, том 57, вып. 3, с. 454−462.
  7. N Spyrou, R Peyrous and В Held New results on a point-to-plane DC plasma reactor in low-pressure dried air //Journal Physics D: Appleid Physics 27 (1994) 2329−2339. Printed in the UK.
  8. Д.А. Волны тока в окруженной проводящим экраном плазме разряда низкого давления// Дисс. канд. физ-мат наук, Рязань, 1997, 150 с.
  9. Ю.Г. и Привалов В.Е. О регулярных колебаниях в газовом разряде//ЖТФ, 1971, том 41, вып. 3, с. 553−558.
  10. А.П., Рожков A.M., Прозоров А. Н. Некоторые вопросы ион-но-электронной эмиссии твердых тел и разработки холодных катодов квантовых приборов// Обзоры по электронной технике. Серия 6. Материалы. Выпуск 4 (1194), 1986 г.
  11. X. В кн.: Электронная и ионная спектроскопия твердых тел. Под ред. Л. Фирменса, Вэнника.В., Дейкерса. — М.:Мир, 1981 — 468 с.
  12. Hagstrum H.D. Theory of auger neutralization of ions at the surface of a diamond type semiconductor // Phys. Rev., 1961, v. l22, p.83−113
  13. M.B., Рахимов P. Влияние работы выхода поверхности металла на коэффициент потенциальной электронной эмиссии// Поверхность. Физика. Химия. Механика, 1984, № 2, с. 50−60.
  14. У.А. Взаимодействие атомных частиц с поверхностью твердого тела. М.: Наука, 1968, 372 с.
  15. Hochuli U. Holdeman P. Cold Cathodes for Possible in 6328 A° Single Mode He-Ne Gas Lasers// Rev. Scientific Instrum. 1965, v.36, № 10, p. 1493 1494.
  16. А.Ф. Электрофизические свойства окисных покрытий холодных катодов гелий-неоновых лазеров// Диссертация к. ф-м.н. 1994 г., 172 с.
  17. В.Б., Коржавый А. П. Методы разработки и конструктивные особенности электродных систем современных газовых лазеров // Обзоры по электронной технике 1982 г. Сер. 11, вып. 3, 72 с.
  18. О.Н., Маннанов А. Ф., Степанов В. А., Чиркин М. В. Стабилизация конструкции катодного узла малогабаритных гелий-неоновых лазеров // Лазерная техника и оптоэлектроника, 1993, 1−2 (68−69).
  19. E.B. Экспериментальное исследование катодной области разряда активного элемента гелий-неонового OK TU Диссертация к.ф.-м.н. Киев, 1984, КГУ, 226 с.
  20. А.П. и др. Некоторые свойства активных окисных пленок холодных катодов//Электронная техника, 1977, сер. 6, вып. 1, с. 9−15.
  21. И.А. и др. Новый эффективный путь увеличения долговечности холодных катодов//Электронная техника. 1978, сер. 4, вып. 5, с. 122−127.
  22. А.П., Файфер С. И. и др. Распыляемость некоторых материалов в газовом разряде низкого давления// Электронная техника, 1974, сер. 6, вып. 4, с. 18−23.
  23. Иванов-Есинович Н.К. Физико-химические основы производства радиоэлектронной аппаратуры//М.: Высшая школа, 1978. 108 с.
  24. B.C. Исследование физических свойств холодных катодов и разработка технологии их изготовления, обеспечивающей повышение долговечности гелий-неоновых лазеров// Диссертация к.т.н. Рязань. 1978 г. 212 с.
  25. В.А., Пархутин В. П. Окисление металлов и полупроводников в низкотемпературной плазме/Юбзоры по электронной технике. Сер. Микроэлектроники, вып. 1(557), 29 с.
  26. В.Г., Александров Я. И., Шимуратова A.C. Анодное окисление (анодирование) алюминия и его сплавов// Обзоры по электронной технике. 1988, сер.7, вып. 7 (1355), 65 с.
  27. Chance D.A., Brusic V., Granford V.S., Macinnes R.D. Chathodes for He-Ne lasers.// IBM J.Res.Develop, 1979, v.23, N2, p. l 19 -127.
  28. A.M., Коржавый А. П., Москвина А. И. Долговечность алюминиевых катодов при малых давлениях газа// Электронная техника, 1979, сер. 4, вып. 8(77), с. 62−67.
  29. А.П., Редега К. П. Материалы для катодов с низким значением первого критического потенциала/Юбзоры по электронной технике. 1987, сер. 6, вып. 2, 37 с.
  30. А.В. и др. Металлические примеси в алюминиевых сплавах // М.: Металлургия 1988, 142 с.
  31. И. И. Окисление и защита бериллия // М.: Металлургия. 1968. 120 с.
  32. Е.А. и др. Получение защитных окисных пленок на полых катодах в тлеющем разряде кислорода// Электронная техника. 1973. Вып. 12, с.3−10.
  33. Одынец JI. J1., Орлов В. М. Анодные окисные пленки // JL: Наука. 1990. 200 с.
  34. Deakin M.R., Melroy O.R. Monitoring the grouth of an oxide film on aluminium in sity with the quartz crystal misrobalanse // J.Elektrochem. Soc. 1989.V. 136. № 2. p. 349−352.
  35. В.Ф. Анодное оксидирование алюминия и его сплавов. Пер. с англ. Павлова Л. И. // Под ред. Синявского B.C. М.: Металлургия .1986. 151 с.
  36. Matsumira К. Ionisation of atomic oxyden on the surface of a specimen in plasma anodization // J. Appl. Phys. 1989. v.65.№ .5. p. 1866−1873.
  37. A.A., Томилин В. И. Влияние условий пиролиза изопроксида алюминия на некоторые свойства пленок ALO // ЖПХ, 1976, том 49, № 8, с. 1699 1702.
  38. Higashi G.S., Fleming C.G. Seguential surface chemical rection limited growth of high quality ALO dielectrics // Appl. Phys. Lett. 1989, v.55, № 19, p. 19 631 965.
  39. Я.М., Анохин B.B. Термическое окисление массивного алюминия в осушенном кислороде // ФХОМ. 1989, № 6, с. 139−141.
  40. О.Н., Маннанов А. Ф., Степанов В.А, Чиркин М. В. Механизм деградации поверхности холодного катода в гелий-неоновых лазерах // Радиотехника и электроника, 1996, том 41, № 8, с. 990 994.
  41. Александров J1.C., Перебякин В. А., Степанов В. А., Чиркин М. В. Неустойчивости плазмы разряда и флюктуации излучения гелий-неоновых ла-зеров/Юбзор по электронной технике. Сер. 11. Лазерная техника и опто-электроника. Вып. 3 (1537), 1990.
  42. JI.C., Лавров A.M., Степанов В. А., Чиркин М. В. Усиление и модуляционная неустойчивость ионизационных волн в гелий-неоновом разряде// Радиотехника и электроника. 1990, том. 35, № 1, с. 139.
  43. Н.В., Молчанов М. И. Характеристики страт в гелий-неоновом разряде// Радиотехника и электроника -1978, том 23, № 12, с. 2575−2580.
  44. ДолбиловА.С., ПавловП.А., ПриваловВ.Е., ШаповалВ.З. Исследование страт в малогабаритных гелий-неоновых лазерах// Радиотехника и электроника, 1983, том 28, № 6, с. 1121−1124.
  45. М.А. Исследование бегущих страт в разряде постоянного тока// Радиотехника и электроника, 1975, том 20, № 8, с.1556−1665.
  46. Г. В., Москвичева И. Ю., Степанов В. А., Чиркин М. В. Закономерности возникновения хаоса при разрушении квазиопериодического режима генерации страт в положительном столбе разряда// Радиотехника и электроника, 1986, том 31, № 12, с.2436−2441.
  47. B.C., Мелехин Г. В., Степанов В. А., Чиркин М. В., Механизмы возникновения эволюции хаоса в стратифицированном положительном столбе газового разряда// Известия вузов. Сер. Радиофизика, 1986, том 29, № 8, с. 903−912.
  48. Г. В., Морозов Д. А., Степанов В. А., Чиркин М. В. Формирование спектроразвитой стохатичносги в низкотем- пературной плазме// Журнал технической физики, 1987, том 57, № 1, с. 37−43.
  49. Г. А., Привалов В. Е., Фофанов Я. А. Страты в гелий-неоновых лазерах. Киев.: Наукова думка, 1986, 88 с.
  50. В.В. Некоторые особенности частотной модуляции излучения гелий-неонового лазера(Ая=0,63ц)// Оптика и спектроскопия, 1973, том 35, вып. 4, с. 746.
  51. М.Н., Привалов В.Е.// Оптика и спектроскопия, 1978, том 45, вып. 3, с. 340.
  52. А.Н., Привалов В. Е., Чуляева Е. Г. Влияние модуляции тока разряда на нестабильность частоты стабилизированного гелий-неонового лазера с внешней ячейкой поглощения// Оптика и спектроскопия 1994, том 76, № 4, с.677−680.
  53. А.Н., Крылов П. С., Привалов В. Е. Исследование влияния возмущений в активной среде на размывание линии излучения стабилизированного He-Ne лазера с внутренними зеркалами// Оптика и спектроскопия, 1985, том 38, вып. 2, с. 717−719.
  54. И.Д., Федотов М. А., Цендин Л. Д. Ионизационная неустойчивость таунсендовского разряда // Журнал технической физики, 1994, том 36, № 3, с. 34 44.
  55. Kaganovich I. D, Fedotov M.A., Tsendin L.D. Ionisation instability of towsend dicharge and transition to normal one: Elevant European Sectional Conference on the Atomic and Molekular Physics of Ionized Gases. St. Petersburg, Russia, 1992, p. 318−320
  56. Chirkin M.V., V.F.Fedotov V. F Formation of the self-pulsed gas dicharge from townsend dicharge: Proceedings of the XXI1 International Conference on Gas Discharges and their Applications, Germania, Greifswald, 1997, p. 11−14.
  57. Л.И. Методы контроля дефектности пленочных структур Ме-Д-Ме// Электронная техника Сер. 12 Физико-хйМйческйе методы контроля.
  58. Научно-технический сборник ЦНИИ, Электроника -1971, вып. 4/10, с. 1119.
  59. Перелыгин А. И, Орешкин П. Т. Контроль дефектности диэлектрических пленок на проводящих подложках методом декорирования. Труды РРТИ, 1972 г., вып. 40, с. 28.
  60. Bohdanaky J. and Othars. Analitical Formuls and Impotant Parameters for Low-Energy ion Sputtaring // J. Appleid. Physics, 1980, vol. 51, p .2861.
  61. M.A. Физические процессы в лазерах // Сб. Саратовского университета 1991 г., Вып. 6, с. 56 — 63.
  62. Евдокимова Е.А.,.Федотов М. А. Эмиссионные свойства тонкопленочных покрытий для холодных катодов: XXI Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике. Ленинград, 1990, том 2, с. 206.
  63. В.В., Симоненко Л. А., Славнова С. В. Федотов М.А. Эмиссионные свойства тонкопленочных покрытий для холодных катодов // XXI Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике. Ленинград, 1990, том 2, с. 207 208.
  64. Fedotov M. A,.Tchulyaeva E.G. LASER TUBE FREQUENCY-STABILIZED LASER // International Workshop ON NEW APPROACHES TO HI YECH 98, Nondestructive Testing and Computer Simulations in Scince and Engineeing, Preprints & St. Petersburg, Russia, 1998, V 1.
  65. Голубовский Ю. Б, Некучаев B.O., Пономарев H.C., ПороховаИ.А. О формировании функции распределения электронов в стратифицированном растворе, Журнал технической физики, 1997, том 67, № 9, с. 14−21.
  66. Л.С. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, 1994 г., РГПУ, г. Рязань.
  67. . М.А., Чуляева Е. Г. Влияние примеси кислорода на частотные характеристики газового разряда в гелий-неоновом лазере. IX конференция по физике газового разряда, часть 1. Рязань, 1998, с.116 117.
  68. Авторское свидетельство кл. Н 01S 3/12 № 1 463 103. Александров Л. С., Мелехин Г. В, Степанов В. А., Чиркин М. В. Рабочая среда гелий-неонового лазера, 1988.
  69. В.Ф., Михалевский B.C., Папакин В. Ф., Сэм М.Ф. Влияние газовых примесей на работу гелий-неоновых лазеров. Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ.1967.№ 10. С. 87−97.
  70. .Н. Физика слабо ионизованного газа. М.: Наука, 1978, с. 353.
  71. O.K., Шрейдер Е. Г. Спектральный анализ газовых смесей. М: Физматгиз, 1963.
  72. Каталог фирмы Хьюлетт Паккард, США, 1997.
  73. Е.Ф., Климков Ю. М. Оптические квантовые генераторы. М.: Советское радио, 1968, с .371.
  74. .М. Возбужденные атомы. М.: Энергоиздат, 1982.
  75. Патент ФРГ № 2.506.842 кл. HOI S 3/097, опубл.26.8.76г.
  76. А. с. № 17 788 338 Al, SU от 24.09.90 г. Поляков С. Ю., Федотов М. А., Яковлев Ю.М.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!