Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Особенности получения и окисления тонких плёнок тройных халькогенидных соединений системы A I BiC VI (A I — Li, K, Rb; C VI — S, Se)

Диссертация: Особенности получения и окисления тонких плёнок тройных халькогенидных соединений системы A I BiC VI (A I — Li, K, Rb; C VI — S, Se)
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

За последние годы тонкие плёнки многокомпонентных халькогенидных соединений благодаря своим уникальным свойствам стали базой многих устройств и приборов. Наиболее важными и перспективными среди них являются соединения А1В1СУ1 (А1 — 1л, К, ЯЬСУ1 — 8, 8е). Темпы роста объёма производства приборов на основе этих соединений, которые можно использовать для записи информации, значительно превышают… Читать ещё >

Особенности получения и окисления тонких плёнок тройных халькогенидных соединений системы A I BiC VI (A I — Li, K, Rb; C VI — S, Se) (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. СЛОЖНЫЕ ХАЛЬКОГЕНИДНЫЕ СТЕКЛООБРАЗНЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ИХ ХАРАКТЕРНЫЕ ОСОБЕННОСТИ
    • 1. Л. Физические характеристики массивных тройных халькогенидных стеклообразных материалов
      • 1. 2. Стеклообразование в системах сложных халькогенидных соединений
      • 1. 3. Модель трёхцентровой связи в стёклах
      • 1. 4. Кластерообразование в стеклообразных веществах
      • 1. 5. Закономерности формирования структуры тонкоплёночного аморфного состояния
      • 1. 6. Отличительные особенности тонкоплёночного и массивного стеклообразного состояния
      • 1. 7. Особенности кинетики поверхностных процессов и адсорбция газов на поверхности твёрдого тела
      • 1. 8. Образование поверхностных окислов
      • 1. 9. Выводы по главе 1 и постановка задачи
  • ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ КОНДЕНСАТОВ ТРЁХКОМПОНЕНТНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ ВЕЩЕСТВ
    • 2. 1. Получение тонких плёнок сложных халькогенидных соединений 47 2.1.1. Изучение влияния варьирования скорости напыления на свойства получаемых плёнок
    • 2. 2. Контроль состава полученных образцов на лазерном энергомасс-анализаторе
    • 2. 3. Послойный анализ состава плёнок методом вторичной ионной масс-спектрометрии
    • 2. 4. Методика термодесорбционных исследований
    • 2. 5. Особенности электронно-микроскопического и электронографического исследования структуры трёхкомпонентных плёнок
    • 2. 6. Выводы по главе
  • ГЛАВА 3. СОСТАВ И СТРУКТУРА ТРЁХКОМПОНЕНТНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ ПЛЁНОК, СОДЕРЖАЩИХ ЩЕЛОЧНОЙ ЭЛЕМЕНТ
    • 3. 1. Выбор оптимального метода получения тонких слоёв AIBi (Ge)CVI
    • 3. 2. Особенности структуры плёнок
    • 3. 3. Кластерная модель строения аморфных плёнок
    • 3. 4. Взаимосвязь порядкового номера щелочного элемента с размером кластеров аморфных плёнок
    • 3. 5. Анализ критерия стабильности плёнок
    • 3. 6. Выводы по главе
  • ГЛАВА 4. ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО ОКИСНОГОСЛОЯ
    • 4. 1. Закономерности окисления аморфных плёнок в атмосферном воздухе
    • 4. 2. Закономерности окисления тонкоплёночных образцов под воздействием атмосферы с примесью оксида азота
    • 4. 3. Роль адсорбции газов в формировании окисного слоя
    • 4. 4. Выводы по главе
  • ГЛАВА 5. ВЛИЯНИЕ ОКСИДА АЗОТА НА ФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРЁХКОМПОНЕНТНЫХ ПЛЁНОК И ИХ ПРАКТИЧЕСКОЕ ПРИМЕНЕНИЕ
    • 5. 1. Структурные исследования халькогенидных плёнок, подвергнутых воздействию атмосферы с примесью оксида азота
    • 5. 2. Влияние окислительной среды на оптическое пропускание плёнок системы AIBi (Ge)CVI

Актуальность проблемы и направление исследований.

За последние годы тонкие плёнки многокомпонентных халькогенидных соединений благодаря своим уникальным свойствам стали базой многих устройств и приборов. Наиболее важными и перспективными среди них являются соединения А1В1СУ1 (А1 — 1л, К, ЯЬСУ1 — 8, 8е). Темпы роста объёма производства приборов на основе этих соединений, которые можно использовать для записи информации, значительно превышают темпы роста производства приборов на основе других материалов данного класса. Однако разработке новых устройств на основе соединений А1В1СУ1 препятствует ряд технологических проблем, среди которых наиболее важными являются следующие:

— аномально высокая чувствительность структуры и, как следствие, свойств материала к технологическим условиям. Это, с одной стороны, приводит слабой воспроизводимости характеристик получаемых плёнок, а с другой стороны делает затруднительным изучение собственных свойств соединений А! В1СУ1.

— несовершенство алгоритмов оптимизации технологических режимов: нахождение оптимальных технологических параметров часто осуществляется путём простого перебора всех возможных вариантов режимов, т. е. является следствием случайного эксперимента.

Эти проблемы связаны между собой и обусловлены тем, что до сих пор остаются не ясными закономерности формирования и последующей эволюции структуры А’ВЮУ1. Это выражается в отсутствии способов описания взаимосвязи между структурой, физико-химическими свойствами материалов и условиями получения образцов. Прежде всего, это относится к различным структурным неоднородностям, а также к учёту влияния различных факторов на стабильность характеристик изучаемых объектов.

Сложность положения усугубляется тем, что весьма ограничены возможности существующих подходов к анализу свойств тонких плёнок многокомпонентных халькогенидных соединений, основные положения которых опираются на представления о гомогенной случайной структуре и решающей роли ближнего и среднего порядков в формировании физических свойств материалов, а ряд проблем фундаментального характера до сих пор не решён.

Таким образом, указанные проблемы обладают большой общностью и обуславливают необходимость развития представлений о закономерностях формирования структуры тонких плёнок многокомпонентных халькогенидных соединений. Конечным итогом должна стать разработка технологий, позволяющих эффективно управлять процессом получения аморфных плёнок с заданной структурой.

Связь работы с научными программами, планами, темами.

Диссертация выполнена на кафедре общей и экспериментальной физики Харьковского государственного политехнического университета и входила в научно-исследовательскую работу кафедры по таким темам: «Разработка фундаментальных основ создания и управления свойствами новых функциональных материалов на базе сложных халькогенидных полупроводников» (№ гос. регистрации 19 411 007 420) и «Исследования и разработка по усовершенствованию технологии сложных полупроводниковых плёночных материалов» («Структура») (№ гос. регистрации 0194Ш12 965), «Фундаментальные исследования закономерностей изменения свойств и структуры сложных халькогенидных полупроводников в результате изменения состава и условий получения» (№ гос. регистрации 0194Ш26 387).

Цель работы:

Теоретическое и экспериментальное исследование закономерностей формирования и свойств новых тройных аморфных халькогенидных соединений системы А! ВЮУ1 (А1 — 1л, К, ЯЬСУ1 — 8, 8е), а также разработка технологических принципов, позволяющих обеспечить воспроизводимость свойств образцов при получении материалов с заданными свойствами.

Поставленная цель вызвала необходимость решения следующих задач:

— исследовать структуру, оптические и адсорбционные свойства.

А 1т" • vi пленок АшС, а также зависимость этих свойств от различных технологических факторов и наличия примесей;

— изучить процесс роста плёнок А’В1СУ1 и определить закономерности формирования тонких плёнок многокомпонентных халькогенидных соединений;

— выявить причины неудовлетворительной воспроизводимости структуры, состава и свойств тонких плёнок многокомпонентных халькогенидных соединений и определить способы её улучшения;

— использовать закономерности изменения физических характеристик полученных аморфных плёнок для создания чувствительных элементов датчиков.

Научная новизна результатов работы заключается в следующем:

— впервые с помощью масс-спектрометрических и электронно-микроскопических исследований установлены оптимальные условия для получения аморфных плёнок халькогенидных соединений;

— обнаруженные структурные особенности плёнок А! В1СУ1, выращенных в вакууме 10″ 3Па в виде чередования областей с высокой и низкой прозрачностью конденсата и имеющих разнообразную форму и размер;

— экспериментально доказано, что аморфные плёнки, полученные в вакууме 10″ 5Па, являются гомогенными и не дают контраста на электронно-микроскопическом изображении при разрешении 1 нм;

— установлена взаимосвязь между характеристиками структуры материала и параметрами её формирования;

— предложена модель роста аморфных плёнок в рамках физической модели стеклообразного состояния, использующей предложенную С. А. Дембовским концепцию трёхцентровых связей.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Методика формирования тонких плёнок А’ВЮ71 с помощью резистивного испарения из квазизамкнутого объёма, позволяющая получить плёнки толщиной от 0,5 мкм до 1,5 мкм.

2. Экспериментально установленные и теоретически обоснованные особенности аморфных плёнок полученных в вакууме 10″ Па, которые не являются гомогенными, дают контраст на электронно-микроскопическом изображении и поддаются описанию в рамках кластерной модели аморфного состояния.

3. Методика получения аморфных плёнок с использованием разработанного в ходе выполнения исследований контроллера, позволяющего варьировать скорость процесса напыления и изучать зависимость свойств полученных плёнок от скорости напыления.

4. Принципы построения технологических систем для воспроизводимого выращивания тонких плёнок АГВЮУ1 с заданными свойствами, основанные на соответствии управляющих процессов внутренним динамическим процессам формирования структуры.

5. Результаты комплексного исследования влияния атмосферы, содержащей примесь оксида азота, на деградацию трёхкомпонентных халькогенидных плёнок.

Практическая ценность работы состоит в следующем:

— изучено влияние технологических факторов температуры подложки, скорости осаждения, давления в рабочем объёме. С этих позиций определены оптимальные технологические режимы, которые используются при получении тонких плёнок халькогенидных соединений;

— разработан, изготовлен и испытан пассивный дозиметр на основе аморфных плёнок ABiC, позволяющий производить обнаружение примеси оксида азота в атмосферном воздухе (патент Украины 36 876А G01N 21/17, G01N 30/00 от 9.11.2000);

— разработаны способы определения динамики роста тонких плёнок на основе ABiC по характеристикам сформированной структуры;

— разработаны принципы построения технологических систем для воспроизводимого выращивания тонких плёнок на основе А*В1СУ1 с заданными свойствами, основанные на соответствии управляющих параметров процесса динамике процессов формирования структуры.

Личный вклад соискателя:

Автором непосредственно выполнена работа по изготовлению тонких плёнки сложных халькогенидных соединенийрасчёт состава полученных образцовэлектронно-микроскопические и электронографические исследования образцовобработка экспериментальных данных и их анализподготовка материалов к публикации.

Апробация результатов диссертации. Результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях: Международная научно-техническая конференция «Компьютер: наука, техника, технология, здоровье», Харьков. — 1997 — 1998; Международная конференция «Физика и технология тонких плёнок», Ивано-Франковск, 1997; Межотраслевой научно-технический семинар «Вакуумная металлизация», Харьков, 1996 -1997; Second International School-Conference «Physical problems in material science of semiconductors», Черновцы, 1997; XVI Менделеевский съезд, С.-Петербург, 1998. На материалы диссертации получен патент, опубликовано 6 статей в научных.

10 журналах и 7 статей в материалах трудов конференций.

Структура и объём диссертации. Диссертация состоит из вступления, пяти глав, выводов и списка использованных источников из 133 наименований. Она содержит 156 страниц, включая 6 таблиц и 40 рисунков.

5.4. Выводы по главе 5.

1. Воздействие в течение часа атмосферы с примесью оксида азота о концентрацией 1 мг/м приводит к структурным изменениям в плёнках халькогенидных соединений, что проявляется в увеличении средней толщины межкластерных прослоек плёнок КВ1385, полученных в вакууме 10 «3 Па и визуализации межкластерных границ плёнок, полученных в вакууме 10 ~6 Па.

2. Кристаллизация аморфных плёнок в колонне электронного микроскопа позволяет обнаружить в образцах, выдержанных в атмосфере с примесью N0, появление оксидных фаз К28 207, К28зОю и 1Л7ВЮ6.

3. В результате объёмного окисления изменяется оптическая плотность образцов, что приводит к изменению коэффициента оптического пропускания на = 15% в видимой области. Монотонная спектральная зависимость Т (А.) позволяет однозначно связать оптическую плотность плёнки со степенью её окисления.

4. Воздействие окружающей среды, содержащей «10 6 мг/м3 оксида азота в течение часа, увеличивает оптическое пропускание на 40 -70% для длин волн видимой области спектра.

5. Экспериментально установленная возможность оптической регистрации предельно допустимой концентрации оксида азота в атмосфере позволяет создать на основе исследованных плёнок системы А1В1(Ое)СУ1 принципиально новый тип пассивных дозиметров, контролирующих наличие вредного газа в окружающей среде и позволяющих сделать приблизительную оценку концентрации оксида азота в атмосферном воздухе.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В диссертационной работе выполнено исследование закономерностей формирования тонких плёнок тройных стеклообразных халькогенидных элементов, содержащих щелочной элемент. Проведенные экспериментальные исследования являются весьма актуальными в связи с тем, что полученные на новых, не изучаемых ранее объектах, результаты имеют практическое применение.

Анализ полученных результатов и их трактовка позволяют сформулировать следующие обобщающие выводы.

1. Разработана методика формирования плёнок трёхкомпонентных халькогенидных соединений на основе АХВ1СУ1 методом резистивного испарения из квазизамкнутого объёма и определены оптимальные режимы получения аморфных конденсатов на их основе.

2. Экспериментально обнаружены структуры, характерные для аморфного состояния и отслежена их зависимость от давления в рабочем.

3 5 объёме установки. Плёнки, выращенные в вакууме 10″ и 10° Па, конденсируются сплошным слоем на всех доступных для экспериментального наблюдения толщинах (начиная с 5 нм). Аморфные плёнки, полученные в вакууме 10″ 5 Па, являются гомогенными и не дают контраста на электронно-микроскопическом изображении, что не укладывается в традиционные представления. Эти особенности являются основанием для описания структуры аморфных плёнок тройных халькогенидных соединений в рамках кластерной модели стекла, согласно которой межкластерные границы в стекле формируются за счёт мягких трёхцентровых связей, а сам кластер не обладает кристаллической симметрией вследствие неупорядоченного сочленения ковалентных связей с различающимися параметрами (длинами и углами).

3. Установлена взаимосвязь порядкового номера щелочного элемента в ряду соединений 1л -" К -" 11Ь с размером кластеров аморфных плёнок тройных халькогенидных соединений, содержащих щелочной элемент.

4. Методами масс-спектрометрии вторичных ионов установлено, что исследуемые объекты окисляются в атмосфере с образованием тонкого защитного слоя оксида висмута (германия) глубиной до 10 нм, который служит диффузионным барьером для дальнейшего окисления плёнок.

5. Показано, что при наличии в атмосфере оксида азота закономерности окисления зависят от степени вакуума при конденсации. Для плёнок КВ1385, полученных в условиях вакуума Р = 10″ 5 Па, имеют место две скорости окисления: первая соответствует активному окислениювторая скорость свидетельствует о том, что имеет место диффузионный барьер, который затрудняет перенос газа и вещества, однако полностью не препятствует реакции межфазного взаимодействия. Плёнки КВ1385, полученные в условиях вакуума Р = 10″ Па, окисляются с постоянной скоростью, и окисление распространяется по всей толщине образца. Воздействие атмосферы с примесью оксида азота приводит к структурным изменениям в плёнках халькогенидных соединений, что проявляется в увеличении средней толщины межкластерных прослоек для плёнок, полученных в вакууме 10″ Па.

6. Экспериментально установлено, что изменение кинетики окисления объясняется особенностями взаимодействия газов атмосферы с поверхностью сложных халькогенидных соединений. При взаимодействии атмосферного воздуха с примесью оксида азота с окисленными плёнками на их поверхности формируется слой адсорбата, состоящий из кислорода и оксида азота. При этом кислород.

141 адсорбируется с энергией связывания Есв = 1,5 эВ и коэффициентом прилипания б = 2,2 • 10″ 4, оксид азота адсорбируется с энергией связывания Есв = 1,65 эВ и коэффициентом прилипания б = 0,3, что приводит к концентрированию оксида азота в поверхностном слое. Разрушение защитного слоя способствует распространению процесса окисления по всей толщине конденсата. В результате объёмного окисления изменяется оптическая плотность образцов, что приводит к изменению коэффициента оптического пропускания на = 15% в видимой области спектра.

7. Экспериментально установленная возможность оптической о регистрации предельно допустимой концентрации (ПДК = 1 мг/м) оксида азота в атмосфере позволяет создать на основе исследованных плёнок системы А! В1(Ое)Су1 принципиально новый тип пассивных дозиметров, контролирующих наличие вредного газа в окружающей среде.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В.Б., Беруль С. И., Салов А. В. Тройные полупроводниковые соединения в системах А1 Bv — CVI. — М.: Наука, 1982. — 150с.
  2. Physics and Applications of Non-Crystalline Semiconductors in Optoelectronics. Edited by Andrei Andriesh and Mario Bertolotti Kluwer Academic Publishers 1997 Published in cooperation with NATO Scientific Affairs Division.
  3. Second International School-conference «Physical Problems in material science of Semiconductors», Chernivtsi, Ukraine, 1997.
  4. Sandor Kugler M. Stutzmann Proceedings of the Seventeenth International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors Science and Technology. — Budapest, Hungary, August 25 — 29, 1997. — 1389p.
  5. C.B., Химинец B.B., Довгошей Н. И. Сложные некристаллические халькогениды и их применение в оптоэлектронике. -К.: Наукова думка, 1992. 296с.
  6. В.П. Особенности структурных превращений в аморфных плёнках некоторых халькогенидов и возможности улучшения их эксплуатационных характеристик: Дис. канд. физ-мат. наук: 01.04.07. -Ужгород, 1982. 160с.
  7. О.В., Фирцак Ю. Ю., Довгошей Н. И. и др. Формирование аморфной фазы в вакуумных конденсатах системы Sb2S3 SbJ3. Изв. АН СССР. Неорганические материалы. — 1978. т.14. — № 6. — с.1236 — 1241.
  8. И.В. / Пат. 36 876А Украины G01N 21/17, GOIN 30/00 Пассивный дозиметр для измерения концентрации оксида азота в атмосферном воздухе // дата принятия решения 09.112 000.
  9. Влияние вакуумных условий получения плёнок на кинетику процессов окисления / Базакуца В. А., Гнидаш Н. И., Дьяконенко Н. Л., Рябчун А.А.
  10. Вопросы атомной науки и техники. Ядерно-физические исследования. ХФТИ. — 1994. — Вып. 1.(27). — С.74 — 76.
  11. Особенности окисления вакуумных конденсатов KBi3S5 / Базакуца
  12. B.А., Рябчун А. А., Дьяконенко H.JI., Шелест И. В. // Вопросы атомной науки и техники. Ядерно-физические исследования. ХФТИ. — 1998.1. C.226 228.
  13. Столбчатая структура аморфных плёнок системы А1В1зСУ1з / Базакуца В. А., Рябчун А. А., Дьяконенко H. JL, Шелест И. В., Белзерцева В. И. Н Функциональные материалы. 1999. — № 1. — Вып.6. — С. 151 — 153.
  14. Взаимодействие кислорода и оксида азота с плёнками сложных халькогенидных полупроводников / Рябчун А. А., Дяконенко H. JL, Шелест И. В., Кривонос С. С. // Вестник ХГПУ. 1999. — Вып.26. — С. 103 -106.
  15. Субструктура халькогенидных стеклообразных тонких плёнок ! Базакуца В. А., Рябчун А. А., Дьяконенко H. JL, Шелест И. В., Гусейнов М. И. // Труды междунар. Конф. «MicroCAD'97 International Meeting of Information Technology». Харьков. — 1997. — С.349.
  16. Изучение взаимодействия атмосферы, содержащей оксид азота с плёнками K2GeSe3 / Рябчун А. А., Базакуца В. А., Дьяконенко Н. Л., Гнидаш Н. И. // Труды Украинского вакуумного общества. Том 1. -Киев. — 1995. — С.300 — 305.
  17. Воздействие газовой фазы на подготовку поверхности сложных халькогенидных полупроводников к металлизации / Базакуца В. А.,
  18. A.A., Дьяконенко Н. Л., Гнидаш Н. И. // Труды Украинского вакуумного общества. Том 2. — Харьков. — 1996. — С. 186 — 191.
  19. В.А., Дьяконенко Н. Л., Подьячая E.H. Фазовые переходы в соединениях A! GeCVI и АтОе2СУ1 // Труды 2-й Укр. конф. «Матер1алознавство i ф1зика нашвпровщникових фаз змшного складу». -Часть 3. Нежин. — 1993. — С.379.
  20. Распределение адсорбированных газов в плёнках KBi3S5 / Рябчун А. А., Базакуца В. А., Дьяконенко H. JL, Никитюк А. В. // Труды Междунар. конф. «MicroCAD'94 International Meeting of Information Technology». -Харьков 1994. — С.143.
  21. Воздействие условий вакуумной конденсации плёнок KBi3S5 на кинетику процессов окисления / Труды Междунар. конф. по физике и технологии тонких плёнок. Часть 2. — Ивано-Франковск. — 1995. — С.271.
  22. Моделирование межфазной поверхности в системе СХП-газ. / Рябчун А. А., Базакуца В. А., Дьяконенко H. JL, Гнидаш Н. И. Труды Междунар. конф. «MicroCAD'96 International Meeting of Information Technology». Харьков — 1996. — C.349.
  23. Bazakutsa V.A., Ruabchun A.A., Dyakonenko N.L. The Substructure of chalcogenide Glass Thin Films // Proc. Second International School-Conference Physical Problems in Material Science of Semiconductors. -Chernivtsi, Ukraine. 1997. — P.163.
  24. Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники. М.: Сов. радио, 1968, 240с.
  25. З.У. Халькогенидные полупроводниковые стёкла. Л.: ЛГУ, 1983. — 344с.
  26. А. Аморфные и стеклообразные неорганические твёрдые тела.- М.: Мир, 1986. -556с.
  27. В.А., Лазарев В. Б., Гнидаш Н. И. и др. Синтез и свойства соединений в системах А.2СУ1 В12СУ13 (А1 — Ы, Ыа, К, Ш>, Сб- СУ1 — 8, Бе, Те) //Неорганические материалы. — 1986. — Т.22. — № 8. — С. 1890 — 1895.
  28. В.Б., Беруль С. И., Триппель А. Ф. Диаграмма состояния системы 1Л28 В1283 // Журнал неорганической химии. — 1977. — № 22. -С.2251 -2254.
  29. С.И., Лазарев В. Б., Триппель А. Ф. и др. Диаграмма состояния системы К28 В1283 // Журнал неорганической химии. — 1977. — № 22. -С.2563 — 2567.
  30. В.А., Гнидаш Н. И., Перекрестов В. И. и др. Фотоэлектрические свойства полупроводниковых фаз в системах А.2СУ1 -В2СУ13 (А1 и, N3, К, ЯЬ, Сэ- В — Аз, ЯЪ, В1- СУ1 — 8, 8е, Те) // Журнал неорганической химии. — 1987. — № 23. — С. 1144 — 1147.
  31. В.А. О взаимосвязи между химическим составом, структурой и физическими свойствами некоторых тройных халькогенидных полупроводников // Вопросы физики полупроводников.- Калининград: Калининградский гос. Университет. 1975. — С.29 — 35.
  32. С.А., Чечёткина Е. А., Стеклообразование. М., Наука, 1990. — 231с.
  33. А.Р. Расплавленное состояние вещества: Пер. с англ. М.: Металлургия, 1982. -376с.
  34. Lanin J.S. Local structure order in amorphous semiconductors // Physics Today. 1988. — July. — p.28 — 35.
  35. Philips J.S. Topology of covalent non-crystalline solids. Medium-range order in chalcogenide alloys and a-Si (Ge) // J. Non-Crystalline Solids. -1981. V.43h. — P.3777.
  36. Philips J.S. Chemical bounding find heats of formation in chalcogenide network compounds As2(S, Se)3 and Ge (S, Se)2 // Physical Review. 1983. -V.28 312. — P.28.
  37. Дж. Физика за рубежом: Пер. с англ. М.: Мир, 1983. -С.154 — 178.
  38. Дж. Модели беспорядка. М.: Мир, 1982. -59с.
  39. В.В. Проблемы физики стекла. М.: Стройиздат, 1979. -190с.
  40. Н.А. Новая модель дефектов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках // Письма в ЖЭТФ. 1980. — Т.31, № 8.. С. 437 — 440.
  41. Г., Спротли Р. Как квантовая механика объясняет химическую связь: Пер. с англ. М.: Мир, 1973. — 331с.
  42. Pooke D., Buchley R.G., Devine S., Trodahl H.I. Amorphous GeiySey alloys: ESR study of GAP states // Solid State Commun. 1987. — V.62, № 5. — P.341 — 343.
  43. О.П. Проблемы теории валентности, химической связи, молекулярной структуры. М.: Знание, 1987. — 47с.
  44. S.C., Price D.L. // Physics of Disordered Materials / Eds. D. Adler, H. Fritzshe, S.R.Ovshinsky. NY L: Plenum Press. — 1985. — P.77 — 95.
  45. Busse L.E. Temperature dependence of the structures of As2Se3 and AsxSi. x glasses near the glass transition // Phys. Rev. B. 1984. — V.29, № 6. -P. 3639 — 3651.
  46. Lin С., Busse L.E., Nagel S.R., Farber J. Temperature dependence of the structure factor of GeS2 glass // Phys. Rev. B. 1984. — V.29, № 9. — P.5060 -5062.
  47. E.A. // Новые идеи в физике стекла. M.: МХТИ, 1987. -Т.2. — С.149 -156.
  48. М.И., Кудрявцев В. Г., Рязанов М. И. Современные проблемы физики стекла//Природа. 1988. — № 12. — С. 18 — 25.
  49. Cervinka L. Medium-range order in amorphous materials. // J. Non-Cryst. Solids. 1988. — № 106. — P.291 — 300.
  50. Arsova D., Vateva E., Petkov V., Skordeva E. New features in the medium-range order in GexAs4o-xSe6o glasses // Solid State Comm. 1996. -V.98, № 6. — P.595 — 598.
  51. Vateva E., Savova E. New medium-range features in Ge-Sb-S glasses // J. Non-Cryst. Solids. 1995. — У.192 & 193. — P.145 — 148.
  52. А.С. Поликластерные аморфные тела. M.: Энергоатомиздат, 1987. — 150с.
  53. Технология тонких плёнок. Справочник / Под ред. Майсела JI. Гленга. М. — Советское радио, 1977. — Т.1. — 662с. — Т.2. — 768с.
  54. JI.C., Папиров И. И. Эпитаксиальные плёнки. М.: Наука, 1971. — 315с.
  55. JI.C., Фукс М. Я., Косевич В. М. Механизм образования и субструктура конденсированных плёнок. М.: Наука, 1972. — 325с.
  56. В.М., Трусов Л. И., Холмянский В. А. Структурные превращения в тонких плёнках. М.: Металлурги я, — 1982. — 270с.
  57. И.Д., Петинов В. И., Трусов И. Л., Петрунин В. Ф. Структура и свойства металлических частиц // Успехи физических наук. 1981. -Т.133, № 4. — С.653 -692.
  58. Porai-Koshits E.A. Modern possibilities and some new results of studying the structure of inorganic glasses by diffraction methods // J. Non-Cryst. Solids. 1980. — V.38 -39, № 1. — P.27 — 32.
  59. .Л., Шкловский Б. И. Новые идеи в физике аморфных полупроводников // Физика сложных полупроводниковых материалов (по материалам IX Зимней школы по физике полупроводников). Л.: ЛМЯФ, 1979.-С. 5−21.
  60. Н.Т. Фазовый размерный эффект в конденсированных плёнках: Автореф. дис. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / ХГУ. Харьков, 1976. — 38с.
  61. А.И. Эффекты межфазного взаимодействия в тонких плёнках: Автореф. дис. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / ХГУ. Харьков, 1978. — 36с.
  62. И.К., Зюбрик А. И., Киркач Е. Ф., Пашковский М. В., Середин В. Г. Халькогенидные стёкла материал для голографической записи информации // Зарубежная электронная техника. — 1976. — Т. 128, № 7.
  63. Ю.Р. Простейшие термические дефекты в стёклах // Физика и химия стеклообразных систем. Рига, 1980. — № 7. — С. З — 36.
  64. Biegelsen D.K., Street R.A. Photoinduced defects in chalcogenide glasses // Phys. Rev. Lett. 1980. — V.44, № 12. — P.803 — 806.
  65. С.А., Зюбин А. С., Григорьев В. Ф. Моделирование гипервалентных конфигураций пар с переменной валентностью деформированной структуры и свойств a-S и a-As2S3 // Физика и техника полупроводников. 1998. — т.32. — № 8. — С.944 — 949.
  66. Pollard W.B., Joannopoulos J.D. Vibrational exitations of defect sites in amorphous group-V semiconductors // Phys. Rev. 1980. — V. B21, № 2. -P.760 — 766.
  67. Watanabe I., Maeda Т., Shimizu T. Difference in properties of amorphous Ge42S58 between bulk and film forms // J. Non-Cryst. Solids. 1980.
  68. V.Krisciunas, Br. Petretis and R. Rinkunas Anisotropic properties and structure of amorphous films of selenium. Thin Solids Films. 102(1983)11−116.
  69. Dirks A.G., Leamy H.J. Columnar microstructure in vapor-deposited thin films // Thin Solid Films. 1977. — V.47, № 1,2,3. — P.219 — 233.
  70. Н.Г., Новосельская А. И., Бардамид А. Ф. Структура плёнок аморфного Ge // Физика и техника полупроводников. 1985. — Т. 19, вып.11. — С.1918 — 1927.
  71. JI.H., Семененко А. И., Базакуца В. А., Белозерцева В. И. Применение эллипсометрии для изучения фотоиндуцированных изменений оптических параметров тонких плёнок соединений Ag2(Tl3)SbS3 // Квантовая электроника. 1995. — № 47. — С.58.
  72. B.I. Релаксащя метастабшьних сташв в нос1ях запису шформаци на основе склопод1бних нашвпровщниюв: Автореф. дис. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 /. Ужгород, 1998. — 35 с.
  73. K.Tanaka Structural phase transitions in chalcogenide glasses // Phys. Rev. 1989. — V.39. — P.1270 — 1278.
  74. P. Лоулесс Окисление металлов. США.: Университет Вирджиния, Шарлоттесвиль, 1976. — 154с.
  75. В.Д., Птушинський Ю. Г., Сукретний В. Г., Чуйков Б. О. Ф1зичш аспекта адсорбцн на поверхш метал1 В // УФЖ. 1995. — Т.40, № 8. — С.842.
  76. Visuranath L., Sanders G., Schmidt L.D. Adsorbate densities on (100) W // Surface Sci. 1976. — V.59, № 1. — P.297 — 301.
  77. Н.П., Птушинский Ю. Г., Митряев А. А. Исследование взаимодействия кислорода с гранью 111 монокристалла вольфрама методом вспышки // ФТТ. 1973. — Т.15, вып.Ю. — С.2907 — 2912.
  78. Loumour C.L. and King D.A. Coadsorption of oxygen and carbon monoxide on tungsten: desorption spectra electron simulated desorption and fild emission microscopy // Surface Sei. 1973. — V.35. — P.246 — 270.
  79. B.H. Изучение кинетики взаимодействия кислорода с ниобием методом вспышки // ФТТ. 1971. — Вып.11. — С.3353 — 3360.
  80. В.Н., Ионов Н. И. Изучение кинетики взаимодействия кислорода с танталом методом вспышки // ФТТ. 1971. — Т.13, вып.6. -С.1557 -1563.
  81. Катализ. Физико-химия гетерогенного катализа / Под ред. Д. Д. Елея. -М.: Мир, 1967. 480 с.
  82. Полупроводниковая электроника / Под ред. Д. В. Чепур. Ужгород.: Изд. Ужгородского университета, 1971.
  83. Comrie С.М., Weinberg W.H., Lambert R.M. The adsorption of nitric oxide on Pt (111) and Pt (110) Surface // Surface Sei. 1976. — Y.57. — P.619 — 631.
  84. A.A., Саакян Э. Ф., Гарибян Т. А. Взаимодействие NO и N02 с медьсодержащими фазами иттриевой ВТСП керамики по данным ЭПР // Неорг. мат. 1993. — Т.29, № 5. — 679с.
  85. И. А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Адсорбция газов. Иркутск.: Изд. Иркутского университета, 1984. — 138с.
  86. И.А. Возможные пути регулирования свойств поверхности алмазоподобных полупроводников и некоторые аспекты их практической реализации // Неорганические материалы. 1994. — Т.30, № 2. — С.147 — 152.
  87. П.В., Непчук Т. М., Савчин В. П., Oraxipa Н.М. Дослщження адсорбцшноГ активносп шаруватих нашвпровщникових кристал1 В селенщ1 В шдш та галш // УФЖ. 1995. — Т.9. — 995с.
  88. П.В., Находкин М. Г., Федорченко М. И. Накопичення кисню на амор<|изованш шнами аргону поверхш кремнш // УФЖ. 1995. — Т.40, № 6. — 632 с.
  89. Fromm Е., Mayer О. Interaction of oxygen and nitrogen with clean transition metal surfaces // Surface Science. 1978. — V.74, № 1. — P.259 -275.
  90. К., Фудзимоко X., Хасимото К. Аморфные металлы. М.: Металлургия, 1987.
  91. . Окисление металлов. М.: Металлургия, 1968. — С.1 — 2.
  92. П. Кинетика гетерогенных процессов. М.: Мир, 1976. — 400с.
  93. Н.А., Самохвалов М. М. Диффузия и окисление полупроводников. М.: Металлургия, 1975. — 454с.
  94. .С., Копецкий Ч. В., Швиндлерман JI.C. Термодинамика и кинетика границ зёрен в металлах. М.: Металлургия, 1986. — 224с.
  95. Дж. Тонкие плёнки. Взаимная диффузия и реакции. М.: мир, 1982. — 576с.
  96. С.С., Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков: Учебник для вузов. М.: Металлургия, 1988. — 574 с.
  97. JI.C., Федоренко А. И., Гладких Т. П., Рябчун А. А. Адсорбция Н2, 02, СО и NO на плёнках (111) платины//Поверхность. Физика, химия, механика. 1984. — № 1. — С.37 — 46.
  98. Ю.А., Неволин В. Н. Лазерная масс-спектрометрия. М.: Энергоатомиздат, 1988. — 123с.
  99. В.И. Современная лазерно-плазменная масс-спектрометрия метод количественного элементного анализа // Журнал аналитической химии. — 1984. — Т.29, № 5. — С.909 — 927.
  100. М.С., Крючкова О. И., Рамендик Г. И. Аналитические возможности искровой масс-спектрометрии. М.: Атомиздат. — 1972. -213с.
  101. Энерго-масс анализатор ЭМАЛ-2. Техническое описание и руководство к эксплуатации. Сумы, 1990. — 97с. Препринт.
  102. Масс-спектрометр типа МИНИ-ВИМС. Методика валового послойного анализа непроводящих проб / Рамендик Г. И. М. — 1987, -45с. Препринт.
  103. Л.И. Структура твёрдых аморфных и жидких веществ. -М.: Наука. 1988. — С. 150.
  104. Аморфные полупроводники / Бродски М.: Мир, 1982. — С.420.
  105. Г., Хови А., Николсон Р. и др. Электронная микроскопия тонких кристаллов. М.: Мир. — 1968. — С.574.
  106. Приборы и методы физического металловедения / Вайнберга Ф. -М.: Мир. 1978. — 27с.
  107. И.Л., Лазарев В. Б. и др. Энтальпия плавления соединений в системах Na2(F2)S (Se) GeS2(Se2) соединениях // Журнал неорг. химии. — 1989. -Т.34 — С. 2319 — 2327.
  108. .Т., Новиков В. А., Панчеха П. А., Черников А. И. Морфология и особенности кристаллической структуры тонких диоксидных плёнок олова // Функциональные материалы. 1997. — № 4. -С.348 — 353.
  109. A.c. 1 142 996 СССР, А кл G 01N, 30/00. Абсорбция использование для анализа материалов. Нагиев Т. М., Байрамов Ф. Г., Байрамова P.A. Опубл. 28.02.1985, Бюл. № 8.
  110. С.И., Буковский М. И., Прохорова Е. К. Руководство по контролю вредных веществ в воздухе рабочей зоны. М.: Химия. — 1991. — 368с.
  111. Р.Т., Кадук Б. Г., Кравченко А. А. Газоаналитические приборы и системы. М.: Машиностроение. — 1983. — 152с.
  112. Защита атмосферы от промышленных загрязнений: Справочник. Т. 1,2: Пер. с англ./Под ред. Калверта. М.:Металлургия. — 1988. — 120с.
  113. Е.А., Горелик Д. О. Инструментальные методы контроля загрязнения атмосферы. Л.:Химия. — 1981. — 93с.
  114. Benecke W. Microme chamical sensor // VLSI and comput. Peripheral: VLSI and microelectron -appe. Interconnect. Networks. Hamburg., may 8 -12, 1989: Proc. Washington (D.C.) — 1989, P.39 — 47/
  115. Nishizava Koichi. Optical chemical sensors // Chem. Sensor. Technol. -V.l. Tokyo, Amsterdam. — 1988. — P.237.
  116. Spiegel I., Santiago-Aviles Chemical and physical sensor of patentical utilization in process control // Adv. Instrum. and contr. Proc. ISA. Int. Conf. and Exhib. Philadelphia, 1989. V.44 Pt/Peseareh Triangle Park (N.C). 1989. -P.273 282.
  117. Takahata K. Tin dioxide sensor development and application // Chem. Sensor. Technol. Vol.1. — Tokyo, Amster. — 1988. — P.39.
  118. Многопараметрические сенсорные датчики. Chemosensoren nach dem ECOS-Prinzip // Chem. Techn. (BRD). 1989. — IB, № 9. — P.66 — 69.
  119. Ю.В., Калашников O.A., Гуляев С. Э. Разработка устройств сопряжения для персонального компьютера типа IBM PC. М.: ЭКОМ, 1997, 222с.
  120. .Г., Телец В. А. Микросхемы ЦАП и АЦП: функционирование, параметры, применение. М.: ЭНЕРГОАТОМИЗДАТ, 1990, 320с.
  121. В.А., Рябчун А. А., Дьяконенко Н. Л., Шелест И.В.155
  122. Особливоси окисления вакуумних конденсатов KEH3S5 / Доповщ1 Нащонально'1 академй' наук Украши. 1999. — № 8. — С.81 — 84.
  123. В.А., Рябчун A.A., Дьяконенко H.JL, Шелест И. В, Белозерцева В. И. Макроструктура аморфних пл1вокнашвпровщникових матер1ал1 В системи A^Bi?C^s / Ф1зика i х1м! я твердого тша. 2000. — том 1. — № 1. — С.89 — 94.
  124. В.А., Рябчун A.A., Дьяконенко Н. Л., Шелест И.В, Белозерцева В. И. Особенности структуры аморфных плёнок системы1. Т VT
  125. А В13С 5 / Материаловедение. 2000. — № 4. — С.32 — 35.
  126. A.A., Шелест И. В. Программируемый контроллер процесса напыления / Карачаево-Черкесский государственный технологический институт, Черкесск, 2000. 6 с. Деп. в Научно-исследовательском институте высшего образования 01.02.2000, № 19−2000.
  127. И.В. Особенности структуры аморфных плёнок системы AIBi3C5VI. Нижний Архыз, 2002. — 8 с. (Препринт АН РФ, Специальная астрофизическая обсерватория: 148Т).
  128. И.В. Микроструктура и особенности окисления аморфных плёнок системы AIBi3CVI5 / Карачаево-Черкесский государственный технологический институт, Черкесск, 2002. 14 е.: 3 ил. — Библиогр.: 12 назв. — Деп. в ВИНИТИ 01.02.2002, № 210-В2002.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!