Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Исследование акустоэлектрической инжекции и корреляции в пьезоэлектрических пластинах и слоистых средах

Диссертация: Исследование акустоэлектрической инжекции и корреляции в пьезоэлектрических пластинах и слоистых средах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

За последние годы в акустоэлектронике особый интерес уделяется исследованию различных слоистых структур на основе пьезоэлектрических кристаллов. В таких структурах изучаются разнообразные явления, обусловленные взаимодействием пьезоактивных упругах волн, распространяющихся в пьезокристалле, с окружающей его средой. К числу новых типов экустоэлектронных эффектов в слоистых структурах относятся… Читать ещё >

Исследование акустоэлектрической инжекции и корреляции в пьезоэлектрических пластинах и слоистых средах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава I. Нелинейные акустоэлектрические взаимодействия и инжекция в твердых телах /обзор литературы/. 13 I.I. Распространение упругих волн в ограниченных пьезоэлектрических кристаллах
    • 1. 1. 1, Типы поверхностных волн
    • 1. 1. 2, Волны в пластинах
    • 1. 1. 3, Распространение поверхностных упругих волн в структурах типа пьезоэлектрик-ме-талл
    • 1. 2. Нелинейные акустоэлектрические взаимодействия в пьезоэлектриках и слоистых структурах
    • 1. 2. 1, Генерация гармоник и акустоэлектрический потенциал поверхности пьезоэлектрика
    • 1. 2. 2, Акустоэлектрическая свертка и корреляция в ограниченных пьезоэлектриках
    • 1. 2. 3, Нелинейные акустоэлектрические взаимодействия в слоистых структурах пьезоэлектрик-полупроводник
    • 1. 2. 4, Эффект акустоэлектрической памяти в слоистых структурах
    • 1. 3. Инжекция носителей заряда в изоляторах и полупроводниках
    • 1. 3. 1, Токи монополярной инжекции
    • 1. 3. 2, Токи двойной инжекции
    • 1. 3. 3, Контакты металл-изолятор, металл-полу-цроводник
    • 1. 3. 4, Влияние инжекции на акустоэлектрические взаимодействия
  • Глава 2. Методика экспериментальных исследований .*
    • 2. 1. Разработка методики измерения акустоинжекционного заряда в пьезоэлектрических резонаторах
    • 2. 2. Разработка методики измерения акустоинжекционного заряда в слоистых структурах
      • 2. 2. 1. Структура пьезоэлектрик-полуцроводник-ме-талл
      • 2. 2. 2. Структура пьез оэлектрик-металл
    • 2. 3. Методика исследования акустоэлектрической корреляции
      • 2. 3. 1. Топология контактов для пьезоэлектрической пластины- коррелятора
      • 2. 3. 2. Блок-схема установки дои исследования нелинейных акустоэлектрических взаимодействий в пластине-корреляторе
    • 2. 4. Приготовление образцов для экспериментов
    • 2. 5. Возбуждение упругих волн и колебаний в пластинах
  • LNBOj hCCIS. а?
  • Глава 3. Акустоэлектрическая инжекция
    • 3. 1. Введение
    • 3. 2. Акустоэлектрическая инжекция в пьезоэлектрических пластинах-резонаторах
      • 3. 2. 1. Обнаружение акустоинкекционного заряда в плас тннах-рез она торах GLS
      • 3. 2. 2. Расчеты напряженности пьезоэлектрического поля на поверхности пьезоэлектрической пластины-резонатора
      • 3. 2. 3. Частотные зависимости акустоинжекционного заряда
      • 3. 2. 4. Акустоэлектрическая инжекция в пластинах-резонаторах LN60,
    • 3. 3. Аку стоэ лектричеекая инжекция в слоистой структуре пьезоэлектрше-полуцроводник-металл
      • 3. 3. 1. Условие обнаружения акустоэлектрической инжекщш
      • 3. 3. 2. Обнаружение акустоэлектрической инжекции в слоистой структуре ШОз-ColS-Jn
      • 3. 3. 3. Различные металлические контакты
    • 3. 4. Временные и амплитудные характеристики акустоин-жекционного заряда
      • 3. 4. 1. Временные характеристики
      • 3. 4. 2. Амплитудные характеристики
    • 3. 5. Акустоэлектрическая инжекция в структуре пьезоэлектрик-металя
      • 3. 5. 1. Акустоэлектрическая инжекция под действием поверхностных волн
    • 3. 5. -2. Акустоинжекционный прием ультразвука
  • Глава 4. Акустоэлектрическая корреляция
    • 4. 1. Введение .ЮЗ
    • 4. 2. Теоретическое исследование нелинейных акустоэле-ктрических взаимодействий типа корреляции в пьезоэлектрических пластинах
      • 4. 2. 1. Расчеты амплитуд свертки и корреляции
    • 4. 2. 2, Учет влияния акустоэлектрической инжекции III
    • 4. 3. Свободный акустоинжекционный заряд в пластинах пьезоэлектриков
      • 4. 3. 1. Влияние акустоэлектрической инжекции на вольт-амперные характеристики системы мета лл-пьезоэлектрик
      • 4. 3. 2. Вклад свободного акустоинжекционного заряда в акустическую свертку
    • 4. 4. Экспериментальное исследование нелинейных акусто-электрических взаимодействий в пьезоэлектрических пластинах LiNBO,
    • 4. 4. Д. Акустическая свертка на разностной частоте
      • 4. 4. 2. Акустическая корреляция
    • 4. 5. Акустическая свертка нормальных волн при наличии акустоэлектрической инжекции
      • 4. 5. 1. Свертка в металлизированной пьезоэлектрической пластине
      • 4. 5. 2. Свертка в слоистой среде пьезоэлектрик-по-лупроводник-металл
    • 4. 6. Эффекты акустоэлектрической памяти
    • 4. 7. Трехчастотное параметрическое взаимодействие в пьезоэлектрической пластине-резонаторе
      • 4. 7. 1. Параметрическое взаимодействие упругих волн в акустическом резонаторе при наличии дисперсии
      • 4. 7. 2. Экспериментальное исследование трехчастот-ных параметрических взаимодействий в прямоугольных резонаторах LiNBO,
      • 4. 7. 3. Определение дисперсии скорости упругих колебаний посредством трехчастотного параметрического взаимодействия

В настоящее время одним из ведущих направлений в физике твердого тела является акустоэлектроника, которая сформировалась на стыке акустики, физики диэлектриков и полупроводников и радиоэлектроники. Предметом физических исследований в акусто-электронике являются возбуждение, распространение и прием акустических волн в твердых телах, взаимодействие этих волн с кристаллической решеткой, носителями заряда, электромагнитными полями. Эти исследования позволяют объединять одновременно различные методики /акустические, электрические и ряд других/ при изучении структуры и свойств твердых тел /l-З/. С другой стороны, акустоэлектроника решает прикладные задачи, связанные с созданием новых твершэтелшых приборов для нужд радиоэлектроники. К числу этих приборов /акус то электронных устройств/ относятся линии задержки, резонаторы, устройства запоминания акустических сигналов и другие, Акустоэлектронные устройства позволяют производить различные преобразования акустических и электрических сигналов: во времени, по амплитуде, частоте и фазе, а также более сложные функциональные цреобразования интегрирование, кодирование и декодирование, выполнение операций свертки, корреляции и т. д. Благодаря широким функциональным возможностям, технологичности изготовления и другим достоинствам акустоэлектронные устройства находят все большее применение в радиолокации, телевидении, радиосвязи /включая космическую/, а также в системах автоматического контроля и управления, вычислительной технике и в других радиоэлектронных системах /4−6/.

За последние годы в акустоэлектронике особый интерес уделяется исследованию различных слоистых структур на основе пьезоэлектрических кристаллов. В таких структурах изучаются разнообразные явления, обусловленные взаимодействием пьезоактивных упругах волн, распространяющихся в пьезокристалле, с окружающей его средой. К числу новых типов экустоэлектронных эффектов в слоистых структурах относятся: взаимодействие поверхностных акустических волн /ПАВ/ с электронными пучками fij, с плазмой газового разряда /8, 9/, с црилегающим к пьезоэлектрику люминофором /10/, взаимодействие ПАВ с инжектированными носителями заряда в структуре пьезоэлектрик-металл /il/, а также явления запоминания акустических сигналов в струк-цурах пьезоэлект-рик-полупроводник-металл/" 12, 13/. Недавно обнаружено новое акустоэлектронное явление — акустоэлектрическая инжекция /АЭЦ/, вызываемая упругой волной в металлизированном пьезоэлектрике /14/, а также связанная с этим явлением акустоинжекционная люминесценция в структуре пьезоэлектрик-металл /15/. Принципиальной особенностью АЭИ является то, что она происходит под действием пьезоэлектрического поля упругой волны, распространяющейся в кристалле с металлическим контактом. В этом и состоит отличие АЭИ от инжекции носителей заряда в обычном смысле, которая требует приложения внешнего электрического поля к контакту металл-кристалл. Поскольку металлические контакты являются неотъемлемым элементом практически всех акустоэлектроннвх устройств, то АЭИ должна сказываться и в экустоэлектронных взаимодействиях, на что указано в /Ёб/.

Новизна и малоизученность явления АЭИ дают основания считать исследования по АЭИ представляющими не только научный, но и практический интерес. С физической точки зрения такие исследования мозтут лежать в основе разработки новых методов изучения.

О /ч СЭ свойств кристаллов. С практическом точки зрения представляет интерес исследовать влияние АЭИ на нелинейные акустоэлектрон-ные взаимодействия в металлизированных пьезоэлектриках и в слоистых * структурах типа пьезоэлектрик-полупроводник-металл. Поскольку такие системы используются в качестве акустоэлектронных радиокомпонентов /б/, то исследования явления АЭИ являются актуальными.

С учетом вышесказанного, в настоящей диссертационной работе основными задачами исследования ставились:

1. Прямое экспериментальное наблюдение акустоинжекционного заряда при АЭИ в системе пьезоэлектрик-металл,.

2. Обнаружение и исследование явления АЭИ в слоистой структуре пьезоэлектрик-подупроводник-металл. Исследование возможности осуществления инжекции дырок при АЭИ.

3. Изучение возможности использования явления АЭИ для определения параметров центров захвата носителей заряда в кристаллах и для регистрации пьезоактивного ультразвука.

4. Исследование нелинейных акустоэлектрических взаимодействий типа корреляции в металлизированных пьезоэлектрических пластинах и в слоистых средах пьезоэлектрик-подупроводник-металя.

5. Изучение влияния АЭИ на эти взаимодействия.

Поставленными задачами обусловлено и название диссертационной работы: «Исследование акустоэлектрической инжекции и корреляции в пьезоэлектрических пластинах и слоистых средах». Термин «корреляция» употреблен для обозначения совокупности нелинейных акустоэлектрических взаимодействий: собственно корреляции, автокорреляции /свертки/, связанных с ниш эффектов акустоэлектрической памяти, трехчастотных параметрических взаимодействий.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы.

Основные результаты диссертационной работы доложены на конференциях и совещаниях:

1. 4-ой Всесоюзной конференции «Методика и техника ультразвуковой спектроскопии», Вильнюс, 1980 г.

2. XI-ой Всесоюзной конференции по акустоэлектронике и квантовой акустике, Душанбе, 1981 г.

3. Х-ой Всесоюзной конференции по сегнетоэлектричеству и применению сегнетоэлектриков в народном хозяйстве, Шнек, 1982 г.

4. ХП-ой Всесоюзной конференции по экустоэлектронике и квантовой акустике, Саратов, 1983 г.

5. УЕГ-ой Всесоюзной конференции «Состояние и перспективы развития методов получения и анализа ферритовых, сегнето-, пьезоэлектрических, конденсаторных и резистивных материалов и сырья для них», Донецк, 1983 г.

6. У-ом Всесоюзном совещании «Физика и техническое применение полупроводников AgBg», Вильнюс, 1983 г. и опубликованы в работах:

1. Островский И.-В., Половина А. И. Корреляционная память в пластинах L. NB0,. — ФТТ, 1978, т.20, № 2, с.607−608.

2. Островский И. В., Половина А. И. Акустоэлектрическая инжекция в ниобате лития. — ФТТ, 1981, т.23, J6 II, с.3488−3490.

3. Островский И. В., Половина А. И. Трехчастотное параметрическое взаимодействие в прямоугольном пьезоэлектрическом резонаторе. — Акуст.ж., 1982, т.28, № 2, с.264−267.

4. Островский И. В., Половина А. И. Определение дисперсии волны Лэмба в ШО, посредством параметрического трехчастотного взаимодействия в прямоугольном резонаторе. — Науч.тр.вузов Лит.ССР. Ультразвук, 1982^ 14, с. 15−17.

5. Островский И. В., Половина А. И, Акустоэлектрические свертка и корреляция в пьезоэлектрических пластинах. — УФЖ, 1982, т.27, № 6, с.892−898.

6. Островский И. В., Семенко А. И., Паламарчук А. А., Половина А. И., Фелинский Г. С. Акустоэлектрическая инжекция под действием поверхностных волн. — УФК, 1983, т.28, № I, с.143−144.

7. Островский И. В., Половина А. И, Акустоэлектрическая инжекция в пьезоэлектрических резонаторах CdS. — УФК, 1983, т.28, № 7, C. II09-III0.

8. Булах Г. И., Кучеров И. Я., Островский И. В., Половина А. И. Акустоэлектрическая инжекция в слоистой системе LMCL.

GAS. — ФТТ, 1984, т.26, № 3, с.854−855.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Сформулируем кратко основные результаты, полученные в диссертационной работе:

1. Впервые экспериментально обнаружено явление акустоэлектрической инжекции /АЭTS/ носителей заряда в металлизированных пьезоэлектрических пластинах-резонаторах CdS и.

L'.N803.

2. Предсказана, экспериментально обнаружена и исследована АЭИ в слоистых структурах типа пьезоэлектрик-полупроводник-металл. Показано, что в слоистой структуре LiN803 CdSметалл возможна АЭИ электронов и дырок в CdS .

3. Показана возможность практического использования явления АЭИ для определения параметров центров захвата носителей заряда в металлах и для регистрации ультразвука в пьезоэле-ктриках.

4. Проведен теоретический анализ колебаний пьезоэлектрических пластин-резонаторов с учетом проводимости и конечной механической добротности. Расчеты выполнены для одномерного резонатора с одним типом колебаний, в приближении однородного распределения носителей заряда по толщине резонатора. Получены формулы для расчета напряженности пьезоэлектрического поля, полной проводимости и упругих смещений, которые описывают зависимость этих величин от толщины резонатора, его механической добротности и проводимости, а также от частоты ультразвуковых колебаний и величины константы электромеханической связи.

5. Теоретически рассчитаны амплитуды напряжений свертки и корреляции в пьезоэлектрических пластинах. Показано, что свертке на суммарной и разностной частотах присущ «размерный эффект», а наличие проводящих свойств у пластины должно цри-водить к уменьшению эффективности корреляции. Полученные формулы согласуются с экспериментальными результатами по измерению амплитудно-частотных характеристик свертки на разностной частоте и корреляции в пластинах LiNBCL.

6. Теоретически и экспериментально исследовано влияние АЭИ на свертку и корреляцию в металлизированных пьезоэлектрических пластинах и в слоистой структуре пьезоэлектрик-полу-проводник-мета лл. Получено, что в LN80, АЭИ практически не сказывается на корреляции, а влияние АЭИ на свертку наиболее значительно, если частота свертки близка к частоте резонанса пьезоэлектрической пластины.

7. Обнаружены эффекты «запоминания» акустоэлектрических сигналов свертки и корреляции в пластинах LiNBO^. Время памяти составляет от единиц до сотен микросекунд.

8. Исследованы трехчастотные параметрические взаимодействия упругих волн в прямоугольных акустических резонаторах цри наличии дисперсии. На примере LiNBO^ экспериментально показана возможность использования этих взаимодействий для определения дисперсии скорости упругих волн в резонаторе.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Дж., Рэмптон В. Гиперзвук в физике твердого тела. /Пер. с англ. под ред.И. Г. Михайлова и В.А.Щутилова/. -М.: Мир, 1975, 455 с.
  2. Л.К., Красильников.В. А. Введение в нелинейную акустику. М.: Наука, 1976. — 520 с.
  3. Поверхностные акустические волны. Под редакцией А.Олинера. /Пер. с англ. под ред.И.С.Реза/. М.: Мир, 1981, 392 с.
  4. Поверхностные акустические волныустройства и применение /Пер. с англ. под.ред.Ю.В.1Уляева/. «ШИЭР, 1976, т.64,№ 5, с.1−324.
  5. Фильтры на поверхностных акустических волнах расчет, технология и. применение. Под редакцией Г. Мэттьюза /Пер. с англ. под.ред. В.Б.Акпамбетова/. — М.: Радио и связь, 1981, 472 с.
  6. В.И. Акустоэлектронные радиокомпоненты.-М.:Совет-. ское радио, 1980, 262 е.,
  7. Е.В., Добровольский А. А., Леманов В. В., Шерман А. Б., Гальперин Ю. М., Козиб В. И. Нелинейное взаимодействие поверхностных акустических волн с электронными пучками. ^ ФТТ, 1979, т.21, J& 10, с.3086−3089.
  8. А.А., Леманов В. В., Шерман А. Б. Нелинейное— взаимодействие ПАВ в пьезоэлектриках с плазмой газового разряда.- Письма в Ш, 1981, т.7, № 9, с.543−545.
  9. О.В., Островский И. В., Хотянцева Г. Ю. Свечение системы пьезоэлектри№-газ, возбуждаемое акустической волной. Письма в ЖГФ, 1983, т.9, гё 9, с.558−560.
  10. Sherman А.В., Dobrovolsky A.A., Lemanov V.V. Nonlinear асо-ustoelectroluminescence. El. Lett., 1980, v.16, N1, p.37.
  11. Е.М., Тиман Б. Л., Файнер М. Ш. Взаимодействие поверхностных упругих волн с инжектированными носителями в пьезо-кристаллах. ФТП, 1980, т.14, № 9, с.1823−1826.
  12. В.А., Каптшнский А. Е., Левин М. Д. Влияние изгиба зон полуцроводника на акустоэлектронное запоминание в структуре пьезоэлектрик полупроводник.- ФТТ, 1979, т.21, № 10, с.3159−3161.
  13. ГУляев Ю.В., Котелянский И. М., Крикунов А. И., Федорец В. Н. Запоминание сигнала свертки в монолитной структуре LiNb03 пленка CdSe.. Шсъма в ЖГФ, 1981, т.7, № 8, с.443−452.
  14. И.В. Уль!фазвуковая инжекция носителей заряда из контакта металл пьезоэлектрик.- ФТТ, 1980, т.22,1. В II, с.3459−3460.
  15. И.В., Лысенко В. Н. Частотные характеристики ультразвуковой люминесценции резонаторов CdS . ФТП, 1981, т.15, № 9, C. I8I4-I8I7.
  16. Г. И., Островский И. В. Нелинейные акустические токи в пластинах cas в режиме ультразвуковой инжекции носителей заряда. Письма в ЖГФ, 1981, т.7, № 3, с.136−138.
  17. И.А. Звуковые поверхностные волны в твердых телах. М.: Наука, 1981.
  18. Ingebrigtsen.K.A., Tonning A. Elastic surface waves in crystals. Phys. Rev., 1969» v.184, Ж 3″ p.94−2-951.
  19. Lothe J., Barnett D.M. On the existence of surfaceHsavesolutions for anisotropic elastic. halfspaces with free surface J.Appl. Phys., 1976, v.4−7, N 2, p.428−4-33.
  20. Kraut E.A. New mathematical formulatioii for piezoelectric wave propagation. Phys.Rev., 1969, v.188, N 3, p. 14 501 455.21. 1Уляев Ю.В., Пустовойт В. И. Усиление поверхностных волн в полуцроводниках. «ЖЭ1Ш, 1964, т.47, № 6, с.2255−2253.
  21. Bond W.L., Collins J.H., Gerard H.M., Reeder T.M.,
  22. Shaw H.J. Acoustic surface wave coupling across an air gap. -Appl. Phys. Lett, 1969, v.14, N 4, p.122−124.
  23. Lothe J., Barnett D.M. Integral formalism for surface waves in piezoelectric crystals. Existence consideration. J. Appl. Pbys., 1976, v.47, N 5, p. 1799−1807.
  24. Lothe J., Barnett D.M. On the existence of surface wave solutions in pezoelectric crystals. An example of nonexistence. -Wave Motion, 1979, v.1, N 2, p.107−112.
  25. Brower N.G., Himberger D.E., Mayer W.G. Restrictions on the existence of leaky Rayleigh waves. IEEE Trans., 1979″ v. SU-26, N 4, p.306−308.
  26. Chimenti D.E., Nayfeh A.H., Butler D.L. Leaky Rayleigh waves on a layered halfspace. J.Appl. Phys., 1982, v.33″ N 1, p.170−176.27. 1Уляев Ю. В. Поверхностные электрозвуковые волны в твердых телах. ^ Письма в КЭ! Ш, 1969, т.9, № I, с.63−65.
  27. JI.C., Гилинский И. А. Обобщенные сдвиговые поверхностные волны в пьезокристаллах. ~ ФТТ, 1979, т.21, Ш 12, с.3524−3528.
  28. В.Н. Поверхностные уцругие волны, типа Блюстейна -ГУляева в пьезоэлектрических пластинах. Кристаллография, 1980, т. 25, № 3, с.460−464.
  29. Д.П., Лукьянов В.Д.
  30. О волнах, распространяющихся вдоль 1фомок пластин. Акуст. Ж., 1972, т.18, № 4, с.549−555.
  31. Datta S., Hunsinger B.J. Analysis of line acoustical waves in general piezoelectric crystals. Phys.Rev.B: Solid State, 1977, v. B 16, N 10, p.4224−4229.
  32. В.Н., Санников Д. Г. Поверхностные квазиобъемные упругие волны в окресности избранных направлений и поверхностей в 1фисталлах. ФТТ, 1975, т. 17, № 2, с.478−483.
  33. В.Н., Апыпиц В. И., Лоте Е. Об объемных и поверхно -стных квазиобъемных волнах в полубеоконечной пьезоэлектрической среде. Кристаллографа, 1980, т.25, № I, с.33−42.
  34. И.Я., Островский И. В. Нормальные волны в пластинах щшеталлов симметрии СБу . „УФЖ, 1970, т. 15, № 7, с.1152−1159.
  35. О.В., Кучеров И. Я. Электрическое поле, соцровожда-ющее уцругие волны в пьезоэлектрической пластине. УФЖ, 1975, т.20, Ш 4, с.591−595.
  36. В.Н. Поверхностные упругие волны Лэмба в анизотропной пьезоэлектрической пластине. Кристаллография, 1980, т.25, № 4, с.675−681.
  37. А.В., Кучеров И. Я., Перга В. М. Влияние пьезоэф-фекта на расцространение волн Лэмба в кристаллах, cas, CdSe и ZnO . УФЖ, 1973, т.18, № 6, с.965−972.
  38. П.В., Кучеров И. Я., Островский И. В., Омельяненко. М. Ю. Исследование влияния цроводимости на скорость распространения волн Лзмба в cas. УФ1, т.20, № 2, с.327−329.
  39. Tiersten H.F. Elastic surface waves guided, by thin films. -J.Appl. Phys, 1969, v.40, IT 2, p.770−789.
  40. Sinha B.K., Tiersten H.F. Elastic and piezoelectric surface waves guided by thin films.-J.Appl. Phys., 1973> v.44,1. N 11, p.4851−4854.
  41. Reeder Ш. М., Kino G.S., Adams P.L. Enhancement of piezoelectric surface-wave coupling by thin film perturbation. -Appl. Phys. Lett., 1971, v.19, N 8, p.279−280.
  42. Ingebrigtsen K.A. Surface waves in piezoelectries. J. Appl.Phys., 1969, v.40, N 7, p.2681−2686.
  43. Ingebrigtsen K.A. Linear and nonlinear attenuation of acoustic surface waves in a piezoelectric coated with a semiconducting film. J.Appl. Phys., 1970, v.41, N 2, p.454−459.
  44. Campbell J.J., Jones W.R. A method for estimating optimal crystal cuts and propagation directions for excitation of piezoelectric surface waves.- JEEE Trans, 1968, v. SU-15, N 4, p.209−217.
  45. Snider D.R., Fredricksen H.P., Schneider S.C. Surface acoustic wave attenuation by a thin film. J.Appl. Phys., 1981, v.52, N 5, P.3215−3222.
  46. Shimizu Y., Terazaki A. Attenuation and velocity of surface waves on a piezoelectric substrate coated with admittance films. J.Acoust. Soc. Amer, 1979″ v.66, N 3, p.806−810.
  47. Adler, R. Simple. theory of acoustic. amplification. JEEE IDrans., 1971, v. SU-18, N 2, p.115−118.51• Bierbaum P. Interaction of ultrasonic surface waves with conduction electrons in thin metal films. Appl. Phys. Lett., 1972, v.21, N 15, p.595−598.
  48. А.П., Гаршка Э. П., Милысявчене З. А., Юцис А. И. Электронное поглощение поверхностной акустической волны в структуре пьезоэлектрик металлическая пленка. — ФТТ, 1974, т.16, В 8, с.2415−2417.
  49. А.П., Гаршка Э. П., Милькявчене З. А., Юцис А. И. Акустический эффект в слоистой структуре пьезоэлектрик ~ металлическая пленка. ФТТ, 1974, т.16, В 8, с.2455−2456.
  50. Harnik Б., Kovnovich S., Chernobelskaya S. Secondary aco-ustoelectric current in ultrathin metal films deposited on a piezoelectric substrate. Phys. Stat. Sol. (A), 1982, V. A69, H 2, P. K179-K181.
  51. Cambiaggio E., Cuozzo P., River E. Piezoelectric surface wave scattering on a semi-infinite short? circuated surface. -Appl.Phys.Lett, 1976, v.28, N 2, p.71−75.
  52. GorukW.S., Stegeman G.I. Surface-wave reflection phenomena at interfaces on Y-Z LiNbO^. J.Appl.Phys., 1979, v.50, U 11, p.6719−6728,
  53. Temmyo Т., Inamura Т., Yoshikawa S. Time domain observation of SAW reflection from a free alluminium metallized interface on LiNbO^. JEEE Trans., 1981, v. SU-28, N 1, p.47−50.
  54. L^pen P.O. Second harmonic generation in an elastic surface wave in (X -quartz. J.Appl.Phys., 1968, v.39"1. N 12, p.5400−5404.
  55. Lean E.G.H., Tseng C.C., Powell C.G. Optical probing of acoustic surface-wave harmonic generation. Appl.Phys. Lett, 1970, v.16, N 1, p.32−35.
  56. Lean E.G., Tseng C.-C. Nonlinear effects in surface acoustic waves. J.Appl.Phys., 1970, v.41, N 10, p.3912−3917.
  57. Lean E.G., Powell C.G., Nondestructive testing of thinfilms by harmonic generation of dispersive rayleigh waves. Appl.Phys.Lett., 1971, v.19, N 9, p.356−359.
  58. Alippi A., Palma A., Palmieri L., Socino G. Determination of coupling coefficient in second harmonic generation of acoustic surface waves. J. Appl, Phys., 1974, v.45″ N 10, p.4347−4349.
  59. Vella P.J., Stegeman G.I., Ristic V.M. Surface wave har1/monic generation on Y-Z, X-Z and 41 '2-Х lithium niobate. -J.Appl.Phys., 1977, v.48, N 1, p.82−85.
  60. Adler E.L., Bridoux E., Coussot G., Dieulesaint E. Harmonic generation of acoustic surface waves in Bi-|2Ge020 aid LiNBO^. IEEE Trans., 1973, v. SU-20, N 1, p.13−16.
  61. Vella P.J., Stegeman G.I.A, Surface wave harmonic generation on sapphire and ОС quartz. — Appl.Phys.Eett., 1973, v.23, N 9, p.505−507.
  62. Vella P.J., Padmore Т.О., Stegeman G.I., Ristic V.M. Nonlinear surface-wave interactions: parametric mixing and harmonic generation. -J.Appl.Phys., 1974, v.45, N 5, (Part 1), p.1993−2006.
  63. Tiersten H.F., Baumhauer J.С. Second haimonic generation and parametric excitation of surface waves in elastic and piezoelectric solids. J.Appl.Phys., 1974, v.45,1. N 10, p.4272−4287.i
  64. Normandin R., Fukui M., St e gem an G.I. Analysis of parametric mixing and harmonic generation of surface acoustic waves. J.Appl.Phys., 1979, v.50, N 1, p.81−86.
  65. Vlannes •Ш'.Р“ Esqperimental study of nonlinear interactions for noncollinear surface acoustic waves. J.Appl. phys., 1982, v.53, N 1, p.385−396.
  66. Mayers R.W., Gunshor R.L., Chen C.L. Second harmonic generation in devices involving semiconductor coupling, Wave
  67. Electron., 1979, v.3, N 4, p.285−309.75. 5улах Г. И., Островский И. В. Генерация гармоники акусто-электрического. тока в пьезопслуцроводниках. 1979, т. 13, № 4, с.718−720.
  68. Г. И., Кучеров И. Я., Островский И. В. Генерация второй гармоники поперечной волной в пьезополуцроводниковой пластине.- ФТТ, 1976, т.18, $ 9, с.2840−2813.
  69. Ostrovski I.V., Bulakh G, I. Second harmonic of the acous-toelectric current in piezosemiconductors. Phys. Stat,
  70. Sol., (a),. 1980, V.A.39, N 1, p.83−89.
  71. Nakagawa Y., Yamanouchi K., Shibayama K. dc effects in elastic surface waves. Appl, Phys.Lett., 1974, v.24, N 4, p.160−162.
  72. Nakagawa I. Nonlinear effects in. surface acoustic waves, -Jap.J.Appl.Phys, 1981, v-20, N 3, Suppl., p.21−24.
  73. И.В. Акустический потенциал поверхности ограниченного пьезополуцроводника. УФЖ, 1980, т.25, № II, с.1906−1909.
  74. Svaasand L.O. Interaction between elastic surface waves in pie so electric crystals. Appl. Phys. Lett., 1969, v. 15, N 9, p.300−302.
  75. B.E. Поляризационные эффекты и анизотропия взаимодействия акустических волн в кристаллах. М.: Изд-во Московского ун-та, 1983, с. 224.
  76. Chombers J., Mason I.M., Turner C. W, Acoustic surface-wave convolution on crystals of CdS, LiNBO^ and Bi^2Ge02Q.-El.Lett., 1972, v.8, N 12, p.314−316.
  77. Luukkala M., Surakka J. Acoustic convolution and correlation and the associated nonlinearity parameters in LiNBO^.-J.Appl.Phys., 1972, v.43, N 6, p.2510−2518.
  78. Gangully A.K., Davis K.L. Nonlinear interactions in degenerate surface acoustic wave elastic convolvers. J.Appl. Phys., 1980, v.51, N 2, p.920−926.
  79. Turner C.W., Mason I.M., Chambers J. Acoustic convolution using non-linear surface-wave interactions in a piezoelectric semiconductor. El.Lett., 1971, v.7, N 23, p.696−697.
  80. Sagnes G., Roustan C., Rouzeyre M. Nonlinear interaction of Bleustein-Gulyaev waves in photoconducting Nonlinear interaction of Bleustein-Gulyaev waves in piiotoonducting CdS. Appl.Phys.Lett., 1972, v.21, N 11, p.527−530.
  81. Singh S.P., Agarual A.K. The convolution of surface waves in material with strain-dependent dielectric constants, -J.Phys .D: Appl.Phys., 1975, v. D8, N 17, p.2043−2046.
  82. Bridoux E., Rouvaen J.-M., Bruneel C., Torguet R. Correlation and convolution of bulk acoustic waves in nonpie-zoelectric solids. J.Appl.Phys., 1975, v.46, N 6, p. 2384−2389.
  83. Nelson D.P.
  84. Л.К., Красильников В. А. Нелинейные явления цри распространении уцрушх волн в твердых телах. УФН, 1970, т. 102, в.4, с.549−586.
  85. Carr Р.Н. Mixing of noncollinear elastic surface waves on LiNBO^. J.Appl.Phys., 1971, v.13, p.5530−5332.
  86. Lean E.G., Powell C.G., Kuhn L. Acoustic surface wave mixing on (X -quarts. Appl.Phys.Lett., 1969, v.15, N 1, p.10−12,
  87. Furgason E.S., Newhouse V. L, Noncollinear three-phonon interaction in a multimode structure. J.Appl.Phys., 1974, v.45, N 5, p. 1934−1936.
  88. O.B., Кучеров И. Я., Островский И. В. Свертка ульт-розвуковых нормальных волн в пластинах ЫЖВО3 . УФЖ, 1975, т.20, № 7, с.1205−1207.
  89. М., Островский И. В. Свертка ультразвуковых волн Лэмба в CdS . ФТТ, 1974, т.16, № 9, с.2799−2801.
  90. П.В., Кучеров И. Я., Островский И. В. Нелинейное взаимодействие уцругих волн при резонансе в акустическом волноводе. УФЖ, 1977, т.22, № 10, с.1738−1741.
  91. И.В., Половина А. И. Акустическая корреляция в пьезоэлектрической пластине-резонаторе.- ФТТ, 1978, т.20, В II, с.3430−3432. *
  92. Wang W.C. Convolution of surface waves in a structure of semiconductor on LiNBO^. Appl.Phys.Lett., 1972, v.20, N 10, p.389−392.
  93. Otto O.W., Moll N.I. Lithium-niobate-silicon surface-wave convoluter. M.Lett., 1972, v.8., N 24, p.600−602.107″ Smith. J.M., Stern E., Bers A. Accumulation layer surface-wave convolver. El.Lett., 1973, v.9, N 6, p.
  94. Gunshor R.L., Lee C.W. Generation of a surface-acoustic-wave correlation echo from coupling to charge carriers. -Appl.Phys.Lett., 1972, v.21, N 1, p.11−12.
  95. Druckier I., Wang W.C., Das P. Surface wave correlator via space charge nonlinearity. Appl.Phys.Lett., 1973, v.23, N 1, p.4−6.
  96. Otto O.W. Theory for nonlinear coupling between a piezoelectric surface and an adjacent semiconductor. J.Appl. Phys., 1974, v.45, N10, p.4373−4383.
  97. Gautier H., Kino G.S. A detailed theory of the aooustic wave semiconductor convolver. IEEE Trans., 1977″ v. SU-24, N 1, p.23−33.
  98. В.А., Левин М. Д. Нелинейные акустоэлектрические эффекты цри больших амплитудах в структуре пьезоэлектрик-по-луцроводник'. ~ ФТТ, 1980, т.22, $ I, с.70−74.
  99. Khuri-Yakub В.Т., Kino G.S. A monolithic zinc-oxide-on-silicon convolver. Appl.Phys.Lett., 1974, v.25, H» 4, p.188−190.
  100. Khuri-Yakub B.T., Kino G.S. A detailed theory of the monolithic zinc-oxide-on-silicon convolver, IEEE Trans., 1977, v. SU-24, N 1, p.34−43.
  101. Coldren L.A. Effect of bias field in a zinc-oxide-on-sili-con acoustic convoltrer.-Appl.Phys.Lett, 1974, v.25, N 9, p.473−473.
  102. Das P., Milstein L.B., Arsenault D.R. Variable format radar receiver using a SAW convolver. IEEE Trans., 1978, v. AES-14, H 6, p.843−852.
  103. Reible S. A, Acoustoelectric convolver technology for spread-spectrum communications. IEEE Trans., 1981, v. MTT-29, N 5, p.463−473.
  104. Goll J.H., Malocha D.C. An application of SAW convolvers to high bandwidth spreadspectrum communications. IEEE Trans., 1981, v. MTT*29j N 5, p.473−483.
  105. Grant P.M., Morgan D.P., Collins J.H. Programmable transversal filtering using the sufface-acoustic-wave diode convolver. Wave Electron., 1976, v.1, H 5−6, p.381−386.'
  106. Joly R. A mesa p-n diode array acoustic surface wave convolver. Appl.Phys.Lett., 1976, v.29, N 9, p.525−527.
  107. Borden P.G., Kino G.S. Correlation with the storage convolver. Appl.Phys.Lett., 1976, v.29, N 9, p.527−529.
  108. Raiston R.W., Stern E., Four-wave interactions in acous-toelectric integrating correlators. Appl.Phys.Lett., 1979, v.351 N 2, p.150−152.
  109. Ueda Z., Shizafuji J., Inuishi Y., Measurement of surface states of CdS by means of surface acoustic wave convolver. Surface Sci., 1979, v.81, N 1, p.285−294.
  110. Hayakawa H., Kino G.S. Storage of acoustic signals in surface states in silicon. Appl.Phys.Lett., 1974, v.25″ N 4, p.178−180.
  111. .А., Лямов B.E., Солодов И. Ю. Акустоэлектрическое последействие при взаимодействии поверхностных акустических волн в слоистой структуре пьезоэлектрикнполуцровод-ник. Письма в ЗНЭ®-, .1976,т.23, № 8, с.438−441.
  112. В.А., Левин М. Д. Акустоэлектронное запоминание в структуре GaAs LiNbO^ . — ФТТ, 1980, т.22, В 8, с.2474−2476.
  113. Gautier Н., Maerfeld С., Tournois P. Acoustic memory correlator using GaAs Schottky diodes. Appl.Lett., 1978, v.32, N 9, p.517−518.
  114. Ingebrigtsen K.A. Similtaneous storage of spatially orthogonal acoustic waves in a schottky-diode memory correlator. El.Lett., 1975, v.11, N 24, p.585−586.
  115. Coldren L.A. Zinc-oxide-on-silicon memory cells scanned by acoustic surface waves. Appl.Phys.Lett., 1975, v.26, И 4, p.137−139.
  116. Tuan H.C., Bowers J.E., Kino G.S. Theoretical and experimental results for monolithic SAW memory correlators. -IEEE Trans., 1980, v. SU-27, N 6, p.360−369.
  117. El Ifokali M., Adler E.L. A modified theory for SAW memory correlators. IEEE Trans., 1980, v. SU-27, N 1, p.38−42.
  118. Tuan H. C, Kino G.S. Large-time-Bandwidth-product correlation and holographic storage with an SAW storage correlator. El.Lett., 1977, v.13, N 24, p.709−710.
  119. Grant P.M., Kino G.S. Adaptive filter based on SAW monolithic storage correlator. El.Lett., 1978, v.14, N 17, p.562−564. .-. * *
  120. El.Nokali M., Adler E.L. Charge storage in s.a.w. memory correlators. El.Lett., 1979, v.15, N 11, p.323−324.
  121. M., Марк П. Инжекционные токи- в твердых телах. /Пер.с англ.лод.ред.С.М.Рывкина/. М.: Мир, 1973. -416 с.
  122. В. И. Контактные явления в полуцроводниках. К.: Вища школа, 1982, 224 с.
  123. П. А. Токи в диэлектриках, ограниченные цростран-ственным зарядом, цри равномерном расцределении ловушек по энергиям. Радиотехника и электроника, 1971″ т. 16, $ 3, с.400−406.
  124. Nespurek S., Smejjtek P. Space-charge-limited currents in insulators with the gaussian distribution of traps. -Czechosl. J.Phys., 1972, V. B22, N 2, p.160−175.
  125. Sworakowski J. Space-charge-limited currents in solids with non uniform spatial trap distribution. J.Appl. Phys., 1970, v.41, N 1, p.292−295.
  126. Nespurek S., Sworakowski J. A differential method of analysis of steady-state space-charge-limited currents: an extension. Phys.Stat.Sol.(A), 1978, V. A49, N 2, p. K149-K152.
  127. Nespurek S., Sworakowsky J. Evaluation of the validity of analytical equations describing steady-state space-charge -limited current-voltage characteristics. Czech. J.Phys., 1980, V. B30, N 10, p.1148−1156.
  128. Rosental A., Sapar A. Diffusion effects in one-carrier-space -charge-limited currents with trapping. J.Appl.phys., 1974, v.45, N 6, p.2787−2788.
  129. Bonham J.S. On the theory of space-charge-limited current with diffusion for an exponential trap distribution. -Phys.Stat.Sol., (A), 1979, V. A55, N 1, p.61−65.
  130. Sharma J.K. Space-charge-limited current in an insulator at high fields .-El.Lett., 1980, v.16, N 23, p.896−897.
  131. Sharma Y.K. Electrical conduction of hot carriers in single-injection solid-state diodes with exponential trap distribution. J.Appl.Phys., 1979″ v.50, N 8, P.5381−5386.
  132. Murgatroyd P.N. Theory of space-charge-limited current enhanced by Frenkel effect. J.Phys.Ds Appl.Phys., 1970, v. D3, N 2, p. 151−156.
  133. Barbe D.F. Space-charge-limited currents enhanced by / Frenkel effect. J.Phys.Ds Appl.Phys., 1971, v. D4-, N 11, p.1812−1815.
  134. П.А. Токи в диэлектриках, ограниченные пространственным зарядом, с учетом эффекта Френкеля. Радиотехника и электроника. 1972, т.17, № 4, с.835−840.
  135. Jonscher А.К. Free-carrier Poole-Frenkel effect in crystalline solids. Phys. C: Solid State Phys., 1970, v. C3, N 8, p. L159-L162.
  136. .Л., Фесенко B.M. Влияние полевой ионизации ловушек с учетом их перезарядки на закономерности цротекания инжекционного тока. ФТП, 1973, т.7, В 3, с.441−446.
  137. .Л., Фесенко В. М., 1улевич Г.М. Токи в диэлектриках, ограниченные цространственным зарядом, в црисутствии ловушек различной электрической црироды. Изв. ВУЗов, Физика, 1977, В 5, с.11−14.
  138. .Л., Фесенко В. М., 1Улевич Г.М. Инжекционные токи в широкозонньк цримесных полуцроводниках. ФТП, 1977, т. II, № 6, C. II95-II99.. .
  139. Manifacier J.-C., Henisch Я.К. Minority-carrier injection into semiconductors. Phys.Rev.B- 1978, V. B17, N 6, p. 2640−2647.
  140. Manifacier J.-С., Henisch H. K, Minority-carrier injection into semiconductors containing traps. Phys.Rev.В } 1978, V. B17, N 6, p.2648−2654.
  141. Pridkin V.M., Kreher K. Theory of space-charge-limited currents in ferroelectrics. Phys.Stat.Sol., (A), 1970, V. A2, N 2, p.281−285.
  142. В.Ф., Ченский E.B. Токи, ограниченные пространственным зарядом в системе металл-сегнетоэлектрик-металл ФТТ, 1970, т. 12, № 2, с.597−604.
  143. Ш. Н. Распределение поля в контактной системе металл-диэлектрик-металл. ФТТ, 1969, т. II, Л 8, с.2097−2102.
  144. Simmons J.G. Theory of metallic contacts on high resistivity solids.I.Shallow traps. J. Phys and Chem. Solids, 1971, v.32, N 8, 1987−1999.
  145. Simmons J.G. Theory of metallic contacts on high resistivity solids.II. Deep traps. J.Phys.and Chem, Solids, 1971, v.32, N 11, p.2581−2591.
  146. Kumar R.C. The penetration of charge into the metal electrode of a metal-semiconductor contact in equilibrium. -Int. J.Electron., 1970, v.29, N 4, p.365−368.
  147. Brillson L.J. The structure and properties of metal-semiconductor interfaces. Surf.Sci.Repts., 1982, v.2, N 2, p.123−326.
  148. Williams R. H, The Schottky barrier problem. Contemp. Phys., 1982, v.23, N 4, p.329−351.
  149. Schluter M. Chemical trends in metal-semiconductor barrier heights.—Phys.Rev.В., 1978, V. B17, N 12, p.5044−5047.
  150. Brillson L.J. Chemical mechanisms of Schottky barrier formation. J.Vac.Sci.Technol., 1979, v. 16, N 5, p.1137— 1142.
  151. Brillson L.J. Chemical reactions and local charge redistribution at metal-CdS and CdSe interfaces.-Phys. Rev,' B. t 1979, V. B18, N 6, p.2431−2446.
  152. Brillson L.J. Chemical and electronic structure of compound semiconductor metal interfaces. — J.Vac.Sci.Technol., 1982, v.20, N 3, p.652−638.
  153. Louis E., Plores P. Schotthy barriers for clean etched and reactive metal-semiconductor junctions. J.Phys. (France), 1981, v.42, N 9, p.1313−1325.
  154. Mastri P., Langlade P. Theoretical study of metal over-layer thickness effects on the electronic properties of metal-semiconductor-interfaces. J.Phys.C}, 1981, V. C14,1. N 34, p.5379−5389.
  155. Stirn R.J., Boer K.W., Dussel G.A. CdS-metal contact at Higher Current Densities. Phys.Rev.В., 1973, v. B7, N 4, p. 1433−1442.
  156. Dussel G.A., Boer K.W., Strin K.J. Rhotoconductor-metal contact at Higher Densitiesr Phys.Rev.В., 1973, v. B7,1. П 4, p.1443−1453.
  157. .Л. Усиление звука в пьезоэлектриках цри цротека-нии тока, ограниченного пространственным аарядом. ФТТ, 1971″ т.13, № 5, с.1275−1277.
  158. .Л., Дабагян Э. А. Усиление звука в пьезоэлектрикахцри двойной инжекции. ~ ФТП, 1972, т.6, № 10, с.1966−1969.
  159. B.C., Кучеров И. Я., Перга В. М. Усиление.ультраг* звука в CdS при инжекции электронов с контакта. ФТТ, 1973, т. 15, Ш 10, с.3071−3073.
  160. .Л., Селегенев Е. М., Файнер М. Ш. Влияние инжекции носителей на цреобразование электрической энергии в звуковую в пьезопреобразователях. ~ ФТП, 1981, т.15, № 8, с.1644~ 1647.
  161. И. Нелинейное взаимодействие поверхностных акустических волн в структуре металл-диэлекгрик-слой cds на LiNbOj. Науч. тр. вузов Лит. ССР. Ультразвук, 1982,14, с. 20−21.
  162. Ю.С. Ниобат и танталат лития материалы для нелинейной оптики. /Под ред. В.В.0сико/. — М.: Наука, 1975, — 224. с.
  163. Физика и химия соединений А2 Ве. /Пер. с англ. под ред. С.А.Медведева/. М.: Мир, 1970, — 624 с.
  164. П.В., Кучеров И. Я., Островский Й. В., Перга В.М.I
  165. Исследование возбуждения акустических волн в пластинах. -Изв. вузов СССР Радиоэлектроника, 1978, т. 21, & 3, с. 25−28.
  166. Р. Справочник по расчету фильтров: Пер. с нем. -М.: Радио и связь, 1983, 752 с.
  167. Физическая акустика. Под ред. У.Мэзона. т. I, ч. А. -М.: Мир, 1966, 592 с.
  168. RtflPpel W. Electron injection and extraction in CdS crystals. J.Pbys. Chem. Solids, 1961, v. 22, N 1, p.199−206.
  169. Г., Корн Т. Справочник по математике. -М.: Наука, 1974, 832 с.
  170. Е.И., Розенман Г. И. Фотоэмиссионное исследование «собственного» эффекта поля в ниобате лития. ФТТ, 1978, т. 20, II, с. 3425−3427.
  171. Cerowski Z. The depth of penetration of the electric fieldinduced by a surface acoustic wave in a piezoelectric-semiconductor system. Arch. Acoust., 1981, v. 6, N 1, p. 63−67.
  172. Lepley В., Nguyen P.H., Boutrit C. f Ravelet C. Copper diffusion and photovoltaic mechanisms at Cu-CdS contact.
  173. J. Phys. D s Appl. Phys., 1979, v. D12, N 11, p.1917−1928.
  174. А. Основы теории фотопроводимости. /Пер. с англ. под ред. С.М.Рнвкина/. М.: Мир, 1966. — 192 с.
  175. Smith R.W. Low-field electroluminescence in insulating crystals of cadmium sulfide. Phys. Rev., 1954, v.105, N 3, p. 900−904.
  176. Гершун А.С.t Тиман Б. Л. Перенос вакансий и электрические процессы в кристаллах сульфида кадмия. ФТТ, 1968, т. 10, № 5, с. 1583−1585.
  177. В.В., Чашшк А. В. Ионизация мелких примесей ультразвуком. ФТП, 1976, т.10, № 9, CiI780−1781.
  178. Grill С., Bastide G., Sagnes G., Rouzeyre M. A study of the deep electron traps in semiconducting CdS. J. Appl. Phys., 1979, v. 50, N 3, p. 1375−1580.
  179. Carter M.A., Woods J. Photoconductive properties of cadmium sulphide. J. Phys. D: Appl. Phys., 1975″ v. D6, N5, p. 357−549.
  180. Wagner H.P., Besocke K.H. Alternating-current-method for separating the contact influence from bulk properties of semiconductor. J.Appl. Phys., 1969, v. 40, N 7″ p. 29 162 922.
  181. С.Г. Электричество. Изд. 3-е, стереотип. М.: М: Наука, 1970. — 667 о.
  182. Penunuri D., Lakin К.М. Surface acoustic wave velocities of isotropic metal films on selected cuts of Bi^GeOgQ, quartz, A120^, and LiNbO^. IEEE Trans., 1974, v. SU-21, N 4, p. 295−295.
  183. Tseng C.-G. Frequency response of an interdigital transducer for excitation of surface elastic waves. IEEE Trans., 1968, v. ED-15, N 8, p. 586−594.
  184. Smith W.R., Gerard H.M., Collins J.H., Reeder J.M., Shaw H.J. Analysis of interdigital surface wave transducers by use of an equivalent circuit model. IEEE Trans., 1969, v. MTI-17, N 11, p. 856−864.
  185. Duracz A. Detection of surface acoustic waves using acous-toelectric streaming of charge carriers. J. Appl. Phys., 1976, v. 47, N 2, p. 420−425.
  186. McMahon D.H. Acoustic second-harmonic generation in piezoelectric crystals. J. Acoust. Soc. Amer., 1968, v. 44,1. N 4, p. 1007−1013.
  187. Rohde H.J. Injection and field-induced excitation of charge carriers in CdS single crystals. Phys. Stat. Sol., 1969, v. 34, N 1, p. 229−235.
  188. Ohmori Y., Yamaguchi M., Yoshino K., Inuishi Y. Electron Hall mobility in reduced LiNbO^. Jap. J. Appl. Phys., 1976, v. 15, N 11, p. 2263−2264.
  189. Smith R.T., Welsh F.S. Temperature dependence of the elastic, piezoelectric and dielectric constants of lithium tan-talate and lithium niobate. J. Appl. Phys., 1971, v.42,1. N 6, p. 2219−2230.
  190. В.А., Соловьева H.M., Угокин E.M. Фото- и темновая проводимости в кристаллах ниобата лития. ФТТ, 1979, т.21, №.6, с.,.1879−1882.
  191. А., Берри Б. Релаксационные явления в кристаллах. /Пер. с англ. под ред. Э. М. Нагорного и Я.М.Соифера/. -М.: Атомиздат, 1975, 472 с.
  192. А.В., Шандаров G.M. Нелинейное взаимодействие упругих волн в акустических резонаторах. ФТТ, 1974, т.16, «6, с. 1761−1765. '
  193. Л.А., Папшгова И. А., Сутин A.M. Параметрическая генерация и усиление акустических волн в кольцевом резонаторе на твердом теле. ЖТФ, 1973, т. 43, $ 10, с. 2213−2215.
  194. С.Н., Малахов А. Н. О возможности использования параметрического взаимодействия волн для выделения слабых акустических сигналов. Акуст. ж., 1979, т. 25, № I, с. 53−59.
  195. Lee P.C.I. Extensional, flexural and width shear vibration of thin rectangular crystal plates. — J. Appl. Phys., 1971, v. 42, N 11, p. 4139−4144.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!