Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs

Диссертация: Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Экспериментально исследованы зависимости эффективности излучательной рекомбинации от уровня возбуждения для одиночных массивов квантовых точек 1пАз, выращенных на подложках ваАБ (001), разориентированных на 0, 2, 4 и 6 градусов в сторону. Показано, что внутренняя эффективность излучательной рекомбинации увеличивается с увеличением угла разориентации. Значение внутренней эффективности 28… Читать ещё >

Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ И ГЕТЕРОЛАЗЕРЫ НА ОСНОВЕ НИЗКОРАЗМЕРНЫХ ГЕТРОСТРУКТУР ЬЮаАз/АЮаАз И ОаАз/АЮаАв (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧ)
    • 1. 1. Излучательная рекомбинация и гетеролазеры на основе квантовых ям 1пОаАэ/АЮаАэ и ОаАз/АЮаАБ
    • 1. 2. Излучательная рекомбинация и гетеролазеры на основе массивов квантовых точек 1п (Оа)А
    • 1. 3. Постановка задач
  • ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ УСТАНОВКИ, МЕТОДИКА ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБРАЗЦОВ И ИЗМЕРЕНИЙ, РАСЧЕТНЫЕ МЕТОДЫ
    • 2. 1. Методика изготовления образцов
    • 2. 2. Фотолюминесцентные методики
      • 2. 2. 1. Исследование спектров фотолюминесценции
      • 2. 2. 3. Исследование эффективности излучательной рекомбинации
      • 2. 2. 4. Исследование Оже рекомбинации
    • 2. 3. Методы расчета энергий переходов в квантовых ямах ваАэ и ЫваАБ
  • ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ИЗЛУЧАТЕЛЬНОЙ РЕКОМБИНАЦИИ В
  • КВАНТОВЫХ ЯМАХ АЬОАА8/ОАА8 И ЬСаАз/АЮаАз
    • 3. 1. Изготовление и предварительный анализ гетероструктур
  • СаАБ/АЮаАБ с квантовыми ямами различной ширины
    • 3. 2. Эффективность излучательной рекомбинации в квантовых ямах ОаАз/АЮаАБ
    • 3. 3. Изготовление и предварительный анализ гетероструктур с квантовыми ямами ГпОаАБ/АЮаАБ
    • 3. 4. Эффективность излучательной рекомбинации в квантовых ямах 1пОаАз/АЮаА
    • 3. 5. Прямое экспериментальное наблюдение Оже-рекомбинации в квантовых ямах ¡-пваАБ
    • 3. 6. Выводы
  • ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬНОЙ РЕКОМБИНАЦИИ В КВАНТОВЫХ ТОЧКАХ 1пАз
    • 4. 1. Изготовление и исследование методом атомно силовой микроскопии открытого массива КТ 1пАб на разориентированных в сторону [010] подложках СаАв (001)
    • 4. 2. Исследование спектров фотолюминесценции зарощенных массивов квантовых точек 1пАз
    • 4. 3. Исследование эффективности излучательной рекомбинации в однослойных массивах квантовых точек ¡-пАз
    • 4. 4. Выводы

Актуальность темы

определяется тем, что полупроводниковые гетероструктуры, содержащие низкоразмерные квантовые объекты, в последние годы заняли ведущее место в физике полупроводников и оптоэлектроники.

Интенсивные исследования полупроводниковых гетероструктур с квантовыми ямами, квантовыми нитями и квантовыми точками позволили существенно развить теорию полупроводников, привели к открытию, явлений ранее неизвестных в физике полупроводников. На основе этих исследований создаются принципиально новые полупроводниковые приборы и улучшаются параметры уже существующих.

Однако к началу диссертационной работы ряд особенностей излучательной рекомбинации в квантоворазмерных объектах не был исследован. Так, не было проведено детального исследования зависимости эффективности излучательной рекомбинации от параметров квантовой ямы и уровня возбуждения в реальных гетероструктурах. В работах, посвященных фотолюминесцентным исследованиям квантовых точек, практически не приводятся конкретные значения эффективности излучательной рекомбинации, а характер её зависимости от температуры и уровня возбуждения не обсуждается. Знание этих характеристик важно, как для понимания происходящих в низкоразмерных гетероструктурах фундаментальных процессов, так и для реализации уникальных свойств этих гетероструктур в оптоэлектронных приборах.

Цель данной работы — исследование особенностей излучательной рекомбинации и выявление основных механизмов, определяющих её эффективность в низкоразмерных гетероструктурах: квантовых ямах ОаАБ/АЮаАБ, ГгКлаАз/АЮаАз и однослойных массивах квантовых точек ГпАб.

Объектами исследования являлись гетероструктуры ваАз/АЮаАз, содержащие квантовую яму ОаАз в диапазоне толщин 28−180Л, гетероструктуры? пОаАз/АЮаАБ, содержащие квантовую яму In0.2Ga0.gAs в диапазоне толщин 28−70Л, и гетероструктуры ЫОаАз/АЮаАБ, содержащие массивы квантовых точек ГпАв.

Методом исследования эффективности излучательной рекомбинации был выбран метод стационарной фотолюминесценции. Исследовалась неполяризованная фотолюминесценция, обусловленная рекомбинацией оптически возбужденных неравновесных носителей заряда.

Задачи исследования. Для достижения поставленной цели в данной работе решались следующие задачи:

— изготовление методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур ваАз/АЮаАз и ГпОаАз/АЮаАБ, содержащих высококачественные квантовые ямы ОаАэ и ¡-гЮаАБ с заданными значениями толщин и высот барьеров;

— проведение в широком диапазоне температур исследований спектров фотолюминесценции выращенных гетероструктур с целью точного определения параметров квантовых ям;

— исследование характера зависимости эффективности излучательной рекомбинации от концентрации неравновесных носителей для различных по толщине и ширине запрещенной зоны квантовых ям;

— разработка способа получения высокоднородных массивов квантовых точек 1пАб на основе метода молекулярно-пучковой эпитаксии;

— исследование характера зависимости эффективности излучательной рекомбинации от концентрации неравновесных носителей для однослойных массивов квантовых точек ГпАб.

Результаты работы.

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены гетероструктуры высокого качества, содержащие квантовую яму ОаАв шириной в диапазоне 28−180А. Использование сверхрешеток А1Аз/ОаАз в качестве ограничивающих квантовую яму слоёв позволило достичь для квантовых ям с шириной 40А лучшего из известных значения эффективности излучательной рекомбинацииболее 60%.

Экспериментально исследованы зависимости эффективности излучательной рекомбинации от уровня возбуждения для гетероструктур с квантовой ямой ОаАэ при температуре 300К. На основе анализа экспериментальных и теоретических зависимостей эффективности излучательной рекомбинации от уровня возбуждения показано, что основным механизмом, ответственным за уменьшение эффективности излучательной рекомбинации при уменьшении ширины квантовой ямы и увеличении уровня возбуждения, является безызлучательная рекомбинация в ограничивающих квантовую яму слоях.

Выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктуры 1гЮаАз/АЮаА8 высокого качества, содержащие квантовую яму 1пОаАз с содержанием 1п около 20% и с шириной 28−70А.

Изучены зависимости эффективности излучательной рекомбинации от уровня возбуждения для гетероструктур с квантовыми ямами ГпОаАэ. Из сопоставления экспериментальных и теоретических зависимостей показано, что в отличие от квантовых ям ваАБ для квантовых ям ¡-гЮаАз с шириной менее 50А необходимо учитывать дополнительный канал безызлучательной рекомбинации — Оже рекомбинацию в квантовой яме. Влияние этого канала усиливается при уменьшении ширины квантовой ямы.

Экспериментально получено прямое подтверждение наличия беспороговой Оже рекомбинации в тонких квантовых ямах 1пОаАБ при низких температурах (Т=77К).

Разработана оригинальная методика выращивания методом молекулярно пучковой эпитаксии высокооднородных массивов квантовых точек на разориентированных в сторону [010] подложках ваАз (001).

Показано, что увеличение угла разориентации подложки приводит к улучшению однородности по размерам квантовых точек 1пА8, уменьшению их размеров, уменьшению количества больших &bdquo-островов" 1пАб, являющихся, как правило, центрами безызлучательной рекомбинации.

Обнаружено, что при молекулярно пучковой эпитаксии 1пАб квантовых точек на разориентированных поверхностях ОаАэ (001) уменьшение времени прерывания роста после осаждения слоя 1пАб увеличивает однородность квантовых точек по размерам.

Экспериментально исследованы зависимости эффективности излучательной рекомбинации от уровня возбуждения для одиночных массивов квантовых точек 1пАз, выращенных на подложках ваАБ (001), разориентированных на 0, 2, 4 и 6 градусов в сторону [010]. Показано, что внутренняя эффективность излучательной рекомбинации увеличивается с увеличением угла разориентации. Значение внутренней эффективности 28%, полученное на образцах с углом разориентации 6 градусов, является лучшим для одиночного массива квантовых точек ГпАб.

Обнаружено, что характер зависимости эффективности излучательной рекомбинации в квантовых точках от уровня возбуждения сильно отличается от зависимостей для квантовых ям 1пОаАз.

Представляемые к защите научные положения.

Положение 1.

Основным каналом безызлучательной рекомбинации в квантовых ямах ОаАз/АЮаАя и ТпОаАэ/АЮаАз с шириной менее 100А при больших уровнях возбуждения при Т=300К является безызлучательная рекомбинация термически выброшенных неравновесных носителей в барьерных слоях.

Положение 2.

При низких температурах (Т=77К) в узких квантовых ямах 1пОаАз проявляется беспороговый механизм Оже рекомбинации.

Положение 3.

Дополнительное снижение эффективности излучательной рекомбинации в квантовых ямах ЫваАз/АЮаАз с шириной менее 50А при больших уровнях возбуждения обусловлено Оже рекомбинацией.

Положение 4.

Применение разориентированных в направлении [010] подложек О, а Аз (001) для роста квантовых точек 1пАз приводит к изменениям спектров их фотолюминесценции: сдвигу положения пика фотолюминесценции в сторону больших энергий и уменьшению полуширины линии при увеличении угла разориентации.

Положение 5.

Эффективность излучательной рекомбинации в 1пАз квантовых точках, выращенных на разориентированных в сторону [010] подложках ОаАэ (001) возрастает с увеличением угла разориентации подложки.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы.

Основные результаты диссертационной работы сводятся к следующему:

1. Исследованы зависимости эффективности излучательной рекомбинации в квантовых ямах ОаАв/АЮаАз. Показано, что скорость безызлучательной рекомбинации неравновесных носителей на границах квантовой ямы пренебрежимо мала и практически не влияет на эффективность люминесценции ОаАз квантовой ямы во всем диапазоне толщин (28А-180А). Основной причиной спада эффективности люминесценции гетероструктур ОаАз/АЮаАБ, содержащих квантовую яму, при увеличении уровня возбуждения является безызлучательная рекомбинация термически выброшенных неравновесных носителей в ограничивающих квантовую яму слоях.

2. Изучены зависимости эффективности люминесценции в квантовых ямах ТпваАз/АЮаАз. Основной причиной спада эффективности люминесценции в гетероструктурах с квантовыми ямами? пОаАз/АЮаАз при увеличении уровня возбуждения является безызлучательная рекомбинация термически выброшенных неравновесных носителей в ограничивающих квантовую яму слоях. При больших уровнях возбуждения (>500А/см) в квантовых ямах 1пСаАз/АЮаА8 появляется дополнительный канал безызлучательной рекомбинации, связанный с Оже-рекомбинацией неравновесных носителей.

3. В специально выращенных гетероструктурах обнаружена антистоксовская люминесценция, свидетельствующая о проявлении беспороговой Оже-рекомбинации неравновесных носителей заряда в узких квантовых ямах InGaAs.

4. Исследованы спектры фотолюминесценции квантовых точек InAs, выращенных на разориентированных в сторону [010] подложках GaAs (001). Обнаружен коротковолновый сдвиг положения линии фотолюминесценции InAs КТ, величина которого связана с углом разориентации. Увеличение угла разориентации подложки GaAs (001) приводит к уменьшению полуширины линии ФЛ квантовых точек InAs. Обнаруженные особенности спектров ФЛ коррелируют с изменениями размеров и однородностью по размерам квантовых точек InAs, исследованных методом АСМ.

5. Изучена эффективность люминесценции квантовых точек InAs, выращенных на разориентированных в сторону [010] подложках GaAs (001). Эффективность люминесценции квантовых точек InAs возрастает с увеличением угла разориентации. Зависимость эффективности излучательной рекомбинации в квантовых точках InAs от уровня возбуждения принципиально отличается от аналогичных зависимостей для квантовых ям GaAs/AlGaAs и InGaAs/AlGaAs.

Работа выполнена в лаборатории полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН.

От души благодарю моего научного руководителя и моих колег по работе за поддержку и помощь при написании этой работы.

Приношу глубокую благодарность Виктору Борисовичу Халфину за обсуждение результатов работы и помощь в теоретических расчетах.

Основные материалы диссертации опубликованы в следующих работах:

1. D.Z.Garbuzov, V.P.Evtikhiev, S.N.Zhigulin, A.B.Komissarov, E.J.Kotelnikov, V.P.Kochereshko, I.V.Kudryashov, V.E.Tokranov, D.R.Yakovlev «AlGaAs/GaAs CW quantum-well lasers fabricated with home — made MBE installation» Third International Symposium of Molecular Beam Epitaxy, 2−7 Oct, 1989, Velico Tarnovo, Programme and Abstracts, p.87.

2. V.P.Evtikhiev, A.B.Komissarov, I.V.Kudryashov, V.E.Tokranov et al., «AlAs/GaAs superlattices grown on GaAs vicinal surfaces.», Twelfth International Vacuum Congress, Hague, 12−160ct, 1992, conference proceedings p.483.

3. V.P.Evtikhiev, I.V.Kudryashov, V.E.Tokranov et al., «Performance of 980 nm pump laser diodes with GaAs/AlAs graded short period superlattice waveguides», IEEE Laser and Electro-Optics Society 1995 Annual Meeting, conference proceedings v. 1, p.255.

4. G.G.Zegrya, V.P.Evtikhiev, I.V.Kudryashov, V.E.Tokranov «Direct experimental observation of non-threshold Auger recombination in A3B5 type I heterostructures», II National physics of semiconductor conference, Zelenogorsk, 26Feb-lMar, 1996, conference proceedings volume 2, p.125.

5. G.G.Zegrya, V.P.Evtikhiev, I.V.Kudryashov, V.E.Tokranov, «Direct observation of non-threshold process of Auger recombination in type-I A3B5 quantum wells», Proceeding of 23th international symposium on Compound Semiconductors, St Petersburg, 1996, p.795−798.

6. Д. Г. Васильев, В. П. Евтихиев, В. Е. Токранов, И. В. Кудряшов, В. П. Кочерешко «Влияние разориентации подложки на распределение квантовых точек по размерам в системе InAs/GaAs» ФТТ, 1998, т. 40, N5, с.855−857.

7. I.V.Kudryashov, V.P.Evtikhiev, V.E.Tokranov, A.K.Kryganovskii, A.N.Titkov, «Effect of GaAs (001) surface misorientation on the emission from MBE grown InAs quantum dots», Tenth International.

Conference on Molecular Beam Epitaxy, Cannes, France, conference proceedings, 1998, p.425.

8. В. П. Евтихиев, И. В. Кудряшов, Е. Ю. Котельников, В. Е. Токранов, А. Н. Титков, И. С. Тарасов, Ж. И. Алферов «Непрерывная генерация при 293 К РО ДГС лазеров с одним слоем InAs квантовых точек в активной области, выращенных на вицинальных поверхностях GaAs (001), разориентированных в направлении [010]» ФТП, 1998, т. 32, N 12, с.1482−1486.

9.1.V.Kudryashov, V.P.Evtikhiev, V.E.Tokranov, E.Ju.Kotel'nikov, A.K.Kryganovskii, A.N.Titkov, «Effect of GaAs (OOl) surface misorientation on the emission from MBE grown InAs quantum dots», J. Cryst. Growth, 201/202, 1999, pp.1158−1160.

10. V.P.Evtikhiev, I.V.Kudryashov, E.Yu.Kotel'nikov,.

A.K.Kryganovskii, A.S.Shkolnik, A.N.Titkov and V.E.Tokranov «Effect of GaAs (001) surface misorientation on the emission from MBE grown tli.

InAs quantum dots", Proceedings of 7 Int. Symp. «Nanostructures: physics and technology», St Petersburg, 1999, p.50.

11. Г. В. Астахов, В. П. Кочерешко, Д. Г. Васильев, В. П. Евтихиев,.

B.Е.Токранов, И. В. Кудряшов, Г. В. Михайлов «Фотолюминесценция квантовых точек InAs, выращенных на разориентированных подложках GaAs» ФТП, 1999, т. 33, N 9, с. 1084−1087.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. and Kazarinov, R.F. (1963). Semiconductor laser with electrical pumping, U.S.S.R. Patent 181 737.
  2. , H. (1963). A proposed class of heterojunction lasers, Proc. IEEE 51, 1782−1783.
  3. Woodall J.M., Rupprecht H., and Pettit G.D. (1967). Solid state device conference, June 19, 1967, Santa Barbara, California.
  4. Alferov Zh., Andreev V.M., Garbuzov D.Z., Zhilyaev Yu.V., Morozov E.P., Portnoi E.L., and Trofim V.G. (1971). Sov.Phys.Semicond. 4, 1573.
  5. Hayashi I., Panish M.B., Foy P.W.- and Sumski S. (1970). Junction lasers wich operate continuously at room temperature, Appl.Phys.Lett. 17, 109.
  6. P.K., Neave J.H., Joyce B.A., «Angle-resolved photoemission from As-stable GaAs (001) surfaces prepared by MBE», J.Phys. C., v. 14, p. 167 (1981).
  7. Olsen G.H., Nuese C.J., Ettenbery M. Low threshold l, 25mkm Vapor-grown InGaAsP lasers. Appl.Phys.Lett., 1979, v.34, p.262−264.
  8. Nagarayan R., Mirin R.P., Reynolds Т.Е., and Bowers J.E., «Effect of the confinement-layer composition on the internal quantum efficiency and modulation response of quantum well lasers», IEEE Photon.Tech.Lett. PTL-4, 832 (1992).
  9. Thompson G.H.B., Kirby P.A. (GaAl)As lasers with a heterostructure for optical confinement and additional heterojunctions for extreme carrier confinement. IEEE J. Quantum Electron., 1973, QE-9, N2, p.311.
  10. J.P. van der Ziel, R. Dingle, R.C. Miller, Wiegman, W.A. Nordland, «Laser oscillation from quantum states in very thin GaAs-Alo.2Gao.8As multilayer structures», Appl.Phys.Lett, 26, 463(1975).
  11. Nelson R.J., and Sobers K.G., «Minority-carrier lifetimes and internal quantum efficiency of surface free GaAs», J.Appl.Phys. 49, 6103 (1978).
  12. Krahl M., Bimberg D., Bauer R.K., Mars D.E., and Miller J.N., «Enchancement of nonradiative interface recombination in GaAs coupled quantum wells», J.Appl.Phys.Lett. 67, 434 (1990).
  13. Krahl M., Kirstaedter N., Bauer R.K., Bimberg D., Meier H.P., and Harder C., «Corelation of time-resolved electroluminescence and cathodeluminescence measurements on quantum well light emitters with varying barrier widths», J.Appl.Phys. 70, 5561 (1991).
  14. Blood P., Colak S., and Kucharska I., «Influence of broadening and high-injection effect on GaAs-AlGaAs quantum well lasers», IEEE J. Quantum Electron. QE-24, 1593 (1988).
  15. Blood P., Fletcher E.D., Woodbridge K., Heasman K.C., and Adams A.R., «Influence of the barriers on the temperature dependence of threshold current in GaAs/AlGaAs quantum well lasers», IEEE J. Quantum Electron. QE-25, 1459 (1989).
  16. .Л., «Трех-зонная модель Кейна и Оже рекомбинация», ЖЭТФ 48, 268 (1978).
  17. A., «Auger recombination in InGaAsP», Appl.Phys.Lett. 42, 512 (1983).
  18. M., «Green's-function formalism of band-to band Auger recombination in semiconductors. Correlation effect.», Phys.Rev. В 26, 917 (1982).
  19. Agrawal G.P.and Dutta N.K., Long-Wavelength Semiconductor Lasers (Van Nostrand Reinhold, New York, 1983).
  20. Г. Г., Харченко В. А., «Новый механизм Оже-рекомбинации неравновесных носителей тока в полупроводниковых гетероструктурах», ЖЭТФ 101,327(1992)
  21. Polkovnikov A.S., Zegrya G.G., Auger recombination in semiconductor quantum wells. Phys.Rev. В 58, 4039−4056 (1998).
  22. Chen H.Z., Ghaffari A., Morkoc H., and Yariv A., Effect of substrate tilting on molecular beam epitaxial grown AlGaAs/GaAs lasers having very low threshold current densities. Appl.Phys.Lett., 51, pp.2094−2096 (1987).
  23. Zhang G., Nappi J., Vanttinen K., Asonen H., and Pessa M., Low threshold current InGaAs/GaAs/GalnP lasers grown by gas-source molecular beam epitaxy. Appl.Phys.Lett., 61, pp.96−98 (1992).
  24. Ни S.Y., Young D.B., Corzine S.W., Gossard А. С, Coldren L.A., «High-efficiency and low-threshold InGaAs/AlGaAs quantum-well lasers», J.Appl.Phys. 76, 3932 (1994).
  25. Navid Gratteau, Lubyshev D., and Miller D.L., InGaAs/GaAs/AlGaAs GRIN-SCH quantum-well lasers grown by solid-source molecular-beam epitaxy using CBr4 doping. J.Vac.Sci.Technol. B, 17, pp.1285−1288 (1999)
  26. Anders Larsson, Jeffrey Cody, Robert J. Lang, Strained layer InGaAs/GaAs/AlGaAs single quantum well lasers with high internal quantum efficiency. Appl.Phys.Lett. 55, p.2268 (1989).
  27. Y., Sakaki H. «Multidimensional quantum well laser and temperature dependence of its threshold current», Appl.Phys.Lett., 40, 939(1982).
  28. L., Glas F., Marzin J.Y., Charasse M.N., Roux G.Le. «Growth by molecular beam epitaxy and characterisation of InAs/GaAs strained-layer superlattices», Appl.Phys.Lett., 47, 1099(1985).
  29. Petroff P.M., DenBaars S.P. «MBE and MOCVD growth and properties of self-assembling quantum dot arrays in III-V semiconductor structures», Superlat. Microstruct., 15, N1, 15(1994).
  30. M., Miayamoto M., Suematsu Y. «Gain and threshold of three-dimensional quantum-box lasers», IEEE J.Quant.Electron., QE-22, 1915 (1986).
  31. Egorov A.Yu., Zhukov A.E., Maximov M.V., Kop’ev P. S., Alferov Zh.I.
  32. Gain and differential gain of single layer InAs/GaAs quantum dot injection lasers", Appl.Phys.Lett., 69, 1226(1996).
  33. Sotomayor Torres C.M., Wang F.D., Ledentsov N.N., Y.-S.Tang. Proc SPIE -The International Society for Optical Engineering (1994) v.2141, p.2.
  34. In: Optical properties of Low Dimensional Semiconductors, ed. By G. Abstreiter, A. Aydinli, J.-P. Leburton, NATO ASI Series. Series E: Applied Sciences (Kluwer Academic Publishers, Dordrecht, The Netherlands. 1997), v.344,
  35. А.И., Онущенко A.A., «Квантовый размерный эффект в трехмерных микрокристаллах полупроводников», Письма в ЖЭТФ, 34, 363 (1981).
  36. А.Г. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов, (М., Наука, 1974).
  37. Stranski I.N., L. Von Krastanov. Akad. Wiss. Lit. Mainz Abh. Math. Maturwiss. Kl. Lib., 146, 797 (1939).
  38. Ratsch C., Zangwill A., Similauer P. and Vvedensky D. D. «Saturation and scaling of epitaxial island densities», Phys.Rev.Lett. 72, 3194 (1994).
  39. J.M., Houzay F., Barthe F., Leprince L., Andre E., Vatel O. «Self-organized growth of regular nanometer-scale InAs dots on GaAs», Appl.Phys.Lett. 64, 196 (1994).
  40. D., Krishnamurthy M., Reaves C.M., Denbaars S.P., Petroff P.M. «Direct formation of quantum-sized dots from uniform coherent islands of InGaAs on GaAs surfaces», Appl.Phys.Lett. 63, 3203 (1993).
  41. Hirayma H, Matsunaga K, Asada M and Suematsu Y, «Lasing action of GaO.67InO.33As/GaInAsP/InP tensile-strained quantum-box laser», Electron.Lett. 30, 142 (1994).
  42. Mukai K., Nakata Y., Shoji H., Sugawara M., Otsubo K., Yokoyma N., IshikawaH., Electron.Lett. 34, 1588 (1998).
  43. G., Shchekin O.B., Csutak S., Huffaker D.L., Deppe D.G., «Room-temperature continuous operation of a single-layered 1.3 mkm quantum dot laser», Appl.Phys.Lett. 75, 3267 (1999).
  44. Asryan L.V., Suris R.A., Inhomgeneous line broadening and the threshold current density of a semiconductor quantum dot laser. Semicond.Sci.Technol. 11,554(1996).
  45. Chu L., Arzberger M., Bohm G., Abstreiter G., Influence of growth conditions on the photoluminescence of self-assembled InAs/GaAs quantum dots. J.Appl.Phys. 85, 2355 (1999).
  46. Zaitsev S.V., Gordeev N.Yu., Kopchatov V.I., Ustinov V.M., Zhukov A.E., Egorov A.Yu., Kovsh A.R., Kop’ev P. S., «Multi-stacked InAs/InGaAs/InP quantum dot laser (Jth=l lA/cm2, ^=1.9mkm (77K))», J.J.Appl.Phys. 38, 601(1999).
  47. S., Frechengues S., Lambert В., Loualiche S., Paillard M., Marie X., Amand Т., «Carried dynamics of self-assembled InAs quantum dots on InP (311)B substrates», Appl.Phys.Lett. 75, 3530 (1999).
  48. U., Egeler Т., «Electron relaxation in quantum dots by means of Auger processes», Phys.Rev. В 46, 15 574 (1992).
  49. D., Perret N., Fafard S., «Carrier energy relaxation by means of Auger process in InAs/GaAs self-assembled quantum dots», Appl.Phys.Lett. 75, 3593 (1999).
  50. W.T., Swaminathan V., «The effect of As/Ga flux ratio on the photoluminescent spectra from molecular beam epitaxially-grown Sn-doped AlxGal-xAs», Appl.Phys.Lett. 39, 486 (1981).
  51. К., Makila Y., Takayasu I., Nomura Т., Kobayashi Т., Izumi Т., Matsumori Т., " Photoluminescence spectra of undoped GaAs grown by molecular-beam epitaxy at very high and low substrate temperatures", J.Appl.Phys. 59, 888 (1986).
  52. В.П., Котельников Е. Ю., Кудряшов И. В., Токранов В. Е., Фалеев Н. Н., «Связь надежности лазерных диодов с кристаллическим совершенством эпитаксиальных слоёв, оцениваемым методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии». ФТП 33, 634 (1999).
  53. В.Г., Новиков Б. В., Вербин С. Ю., Новиков А. Б., Тхак Динь Шон, Гобш Г., Гольдхан Р., Штейн Н., Голомбек А., Цырлин Г. Э.,
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!