Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Радиоэлектрический эффект в гетероструктурах карбид кремния на кремнии

Диссертация: Радиоэлектрический эффект в гетероструктурах карбид кремния на кремнии
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Для исследования распределения поля весьма перспективно использование полупроводниковых гальваномагнитных преобразователей. Устройство с гальваномагнитным преобразователем, в отличие от зондов-антенн, выполняет одновременно функцию приемной антенны и детектора. Гальваномагнитные преобразователи могут быть использованы для исследования амплитудного распределения поля СВЧ в фокальной области… Читать ещё >

Радиоэлектрический эффект в гетероструктурах карбид кремния на кремнии (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИЗМЕРИТЕЛИ СВЧ МОЩНОСТИ
    • 1. 1. Высокочастотный эффект Холла
    • 1. 2. Преобразователи уровня СВЧ мощности на основе высокочастотного эффекта Холла
    • 1. 3. Эффект магнетосопротивления на сверхвысоких частотах
    • 1. 4. Применение магниторезистивного эффекта для измерения СВЧ мощности
    • 1. 5. Радиоэлектрический эффект
    • 1. 6. Материалы для преобразователей СВЧ мощности
  • ГЛАВА 2. ТЕХНОЛОГИИ ВЫРАЩИВАНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР КАРБИД КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ
    • 2. 1. Рост монокристаллов из паровой фазы
    • 2. 2. Сублимационная эпитаксия
    • 2. 3. Жидкофазная эпитаксия
    • 2. 4. Газофазная эпитаксия
    • 2. 5. Эндотаксия
    • 2. 6. Легирование SiC примесями
    • 2. 7. Выращивание гетероструктур SiC/S
  • ГЛАВА 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ОБРАЗЦЫ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ СВЧ МОЩНОСТИ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР SiC/S
    • 3. 1. Влияние электрофизических параметров материала
    • 3. 2. Влияние геометрических размеров преобразователя
    • 3. 2. Влияние контакта металл — полупроводник в области сверхвысоких частот
    • 3. 3. Влияние сопутствующих эффектов
    • 3. 4. Технология получения преобразователей СВЧ мощности на основе гетероструктур карбид кремния на кремнии
    • 3. 5. Экспериментальные образцы
  • ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ РАДИОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЭФФЕКТА В
  • ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ SiC/S
    • 4. 1. Методика исследования радиоэлектрического эффекта
    • 4. 2. Исследование радиоэдс в гетероструктурах карбид кремния на кремнии
    • 4. 3. Исследование термоэдс

Интенсивное развитие СВЧ техники и быстрое продвижение в область коротких волн привело к проблеме создания малоинерционной и высокочувствительной измерительной радиотехнической аппаратуры. Одной из актуальных проблем в СВЧ технике является проблема измерения мощности излучения, т.к. мощность наиболее точно характеризует источник электромагнитной энергии. Это объясняется тем, что в СВЧ диапазоне измерение напряжения и тока затруднено, потому что размеры входных цепей измерительных устройств становятся соизмеримы с длиной распространяющейся по ним электромагнитной волны.

Для исследования распределения поля весьма перспективно использование полупроводниковых гальваномагнитных преобразователей. Устройство с гальваномагнитным преобразователем, в отличие от зондов-антенн, выполняет одновременно функцию приемной антенны и детектора. Гальваномагнитные преобразователи могут быть использованы для исследования амплитудного распределения поля СВЧ в фокальной области линзовой или зеркальной антенны, для измерения напряженности СВЧ электромагнитных полей, КСВ и комплексного коэффициента отражения в волноводных трактах на высоких уровнях мощности. Перспектива широкого применения СВЧ гальваномагнитных явлений и возможность создания различных устройств на их основе определили новые задачи по исследованию и применению гальваномагнитных явлений в полупроводниках на сверхвысоких частотах.

В настоящее время одним из важнейших направлений полупроводниковой электроники и техники является разработка СВЧ приборов, работающих в экстремальных условиях: повышенные температуры, радиация и т. п. Принципиальная возможность создания таких приборов обсуждалась в литературе давно, однако, реальная база для этого возникла лишь в последнее время, когда была разработана технология получения полупроводниковых материалов с высокой подвижностью носителей заряда и созданы приборы специальных конструкций.

Карбид кремния (SiC) — полупроводниковый материал по совокупности электрофизических, физико-химических, технических и технологических свойств являющийся одним из наиболее интересных материалов для электронной техники. По основным параметрам: ширине запрещенной зоны, теплопроводности, допустимой температуре, скорости дрейфа электронов SiC значительно превосходит традиционные полупроводниковые материалы, такие как кремний, германий, арсенид галлия. Карбид кремния имеет высокую термо-и радиационную устойчивость, большую механическую прочность, очень малую скорость диффузии и самодиффузии примесей, очень слабую химическую активность, что обусловлено высокой энергией связи в решетке карбида кремния (5эВ). В свою очередь такие свойства затрудняют применение традиционных технологических подходов, как к получению материала, так и к его обработке, включая механическую и химическую обработку. В настоящее время получение объемных монокристаллов карбида кремния связано с определенными трудностями.

В последние годы наблюдается интенсивное изучение пленочных структур карбида кремния, которые обладают целым рядом преимуществ по сравнению с объемными монокристаллами. Полупроводниковые пленки имеют гораздо больше структурных форм, нежели объемные монокристаллы. В ряде случаев в виде пленок удается изготовить материалы и реализовать типы кристаллических структур, которые невозможно получить в виде объемных монокристаллов. Приборы, созданные на основе пленочной технологии очень компактны. Применение пленочных структур в производстве полупроводниковых приборов позволяет существенно увеличить объем выпускаемых устройств на их основе.

В лаборатории кафедры электроники твердого тела Самарского госуниверситета разработана технология выращивания пленок карбида кремния на кремниевой подложке. Особенность данной технологии заключается в том, что фронт роста новой фазы движет перед собой сетку дислокаций, обусловленную несоответствием параметров решетки сопрягаемых полупроводников. Сетка выступает в роли буфера и выполняет дополнительно гетгерирующие функции. На основе структур SiC/Si изготавливались различные преобразователи физических величин, такие как термодатчики, тензодатчики, датчики Холла и др. Все они оказались работоспособными в широком интервале температур (от -100°С до 300°С).

Актуальность. Одним из основных направлений полупроводниковой электроники и техники СВЧ является разработка измерителей мощности, работающих в диапазоне сантиметровых и миллиметровых длин волн. Измерители мощности СВЧ колебаний на основе радиоэлектрического эффекта в полупроводниках обладают рядом уникальных параметров: низким уровнем шумов, практической безынерционностью, линейной зависимостью выходного сигнала от величины проходящей мощности.

Цель работы: исследование радиоэлектрического эффекта в гетероструктурах SiC/Si и исследование возможности создания на их основе измерителей больших уровней СВЧ мощности.

Положения, выносимые на защиту:

1. Кинетические явления, возникающие в гетероструктурах SiC/Si при воздействии СВЧ электромагнитной волны, приводят к возникновению радиоэдс.

2. Зависимость радиоэдс от уровня СВЧ мощности линейна в широком диапазоне величины мощности.

3. В исследуемом диапазоне длин волн на частотах до 40 ГГц инерционность носителей заряда не проявляется, таким образом, гетероструктуры 3C-SiC/Si могут быть использованы в качестве безынерционных измерителей СВЧ мощности.

4. Влияние разогрева невыпрямляющих контактов на радиоэдс и возникновение термоэдс устраняется путем выноса перехода металл-полупроводник из зоны действия СВЧ волны.

5. Технология получения экспериментальных образцов на основе гетероструктур 3C-SiC/Si совместима с широко распространенной кремниевой технологией и может быть использована для создания топологии различных приборов экстремальной электроники.

В настоящей работе изучаются свойства гетероструктур SiC/Si в области сверхвысоких частот (ЮГТц) и больших (до 10Вт) мощностей электромагнитной волны.

Научно-практическое значение. Результаты работы могут быть использованы для практического получения пленок 3C-SiC на кремниевых подложках и изготовления на их основе различных полупроводниковых приборов, в том числе и преобразователей радиоэдс, предназначенных для непосредственного измерения больших уровней СВЧ мощности.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы были использованы при выполнении договора с СПП РАН тема «Елец».

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 12 печатных работ, в том числе 3 статьи и 9 тезисов докладов на научно-технических конференциях.

Объем диссертации составляет 110 страниц, включая 59 рисунков, 2 таблицы и список использованных источников и литературы из 95 наименований.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1. Показано, что в гетероструктурах карбид кремния на кремнии при воздействии электромагнитной волны возникает эдс радиоэлектрического эффекта.

2. Радиоэдс линейно зависит от уровня мощности СВЧ волны, распространяющейся в волноводе, до 10 Вт непрерывной мощности.

3. Явление инерции носителей заряда в гетероструктурах карбид кремния на кремнии не проявляется на частотах до 40ГГц.

4. Влияние эдс побочных эффектов, таких как термоэдс в объеме образца, контактная термоэдс и др. существенно снижается путем выбора оптимальных параметров образца.

5. Разработанная технология получения образцов на основе гетероструктур 3C-SiC/Si совместима с кремниевой технологией изготовления полупроводниковых приборов. На основе данной технологии получены экспериментальные образцы, позволяющие изучать свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии.

6. В рамках данной работы создана специальная измерительная головка для исследования радиоэлектрического эффекта в полупроводниковых образцах.

7. Получены экспериментальные зависимости радиоэдс от уровня СВЧ мощности для различных типов образцов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А. Н., Чепурнов В. И., Щербак А. В. РадиоЭДС в гетероструктурах SiC/Si на частоте ЮГТц // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2003. Т.6. № 1 — С. 77−78. (автор — 30%)
  2. Комов, А Н., Колесникова А. А., Щербак А. В. Электрофизические свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии в области сверхвысоких частот. // «Кремний-2003», Москва, 2003 г. С. 227 (автор 30%)
  3. Колесникова А. А, Щербак А. В. Бифункциональный преобразовтель давления и температуры на основе структуры SiC/Si. // тезисы ВНКСФ-9, Красноярск, 2003 г. С. 246 (автор 50%)
  4. А.Н., Колесникова А. А., Чепурнов В. И., Щербак А. В. Инерционные явления в гетероструктурах SiC/Si // Оптика. Оптоэлектроника. Технология. Ульяновск, 2003 г. (автор 25%)
  5. А.Н., Колесникова А:А., Чепурнов В. И., Щербак А. В. Технология датчиков физических величин на карбиде кремния. // Оптика. Оптоэлектроника. Технология. Ульяновск, 2003 г. (автор 25%)
  6. А.Н., Колесникова А. А., Комов, А Н., Щербак А. В. Инерция носителей заряда в гетероструктурах SiC/Si Самарский государственный университет. Самара, 2003. 5 с., 3 назв. Рукопись деп. В ВИНИТИ РАН (автор 25%)
  7. А.Н., Чепурнов В. И., Воловик, А Н., Щербак А. В. Моделирование диффузионногою. механизма формирования эпитаксиального P-SiC/Si Самарский государственный университет. Самара, 2003. 5 с., 3 назв. Рукопись деп. В ВИНИТИ РАН (автор 25%)
  8. А.А., Щербак А. В. Пленки карбида кремния и датчики на их основе // Материалы нано-, микро- и оптоэлекгроники: физические свойства и применение, Саранск, 2003 г. С. 88 (автор 50%)
  9. В.Л. Распространение электромагнитных волн в плазме. М.: Физматгиз, 1960. 552 с.
  10. Д. Ш. Исследование магниторезистивного эффекта в полупроводнике в высокочастотном магнитном поле и возможность его применения для измерения высоких уровней СВЧ мощности // Дис. канд. физ.-мат. наук. Саратов, 1974. 120 с.
  11. А. А., Скорик Е. Т. Методы измерения мощности СВЧ. Киев: Гостехиздат УССР, 1962.171 с.
  12. М. А., Комов А. Н. Измерительные полупроводниковые СВЧ преобразователи. М.: Радио и связь, 1984. 152 с.
  13. П. А., Челноков В. Е. Полупроводниковый SiC технология и приборы //ФТП- 1995-Т.29-вып. 11-с. 1921−1943.
  14. Kataoka S. The measurement of 10Gc/s microwave power, employing the Hall effect in semiconductors // Res/ electrotechn. Lab. 1962. Vol. 61. № 626/ P. 7−13.
  15. A. c. 303 910 (СССР). Измерительная головка СВЧ-диапазона / Комов А. Н. Опубл. в Б.И. 1971. № 16.
  16. А. с. 951 168 (СССР). Устройство для измерения СВЧ-мощности / Комов А. Н., Смирнова Л. М., Клычков В. А. Опубл. в Б.И. 1982. № 30.
  17. Kataoka S. Sensitivity of a magneto-resistance wattmeter // Proc. IRE. 1962. Vol. 50. № 8. P. 1849−1850.
  18. O.Koike R., Barlow H.E.M. Microwave measurement of the Magnetoresistance effect in semiconductors // Proc. IEE. 1961 Vol. 109B. № 44. P.137−144.
  19. П.Катаока С. Чувствительность магниторезистивного ваттметра // ТИРИ (русский перевод). 1962. № 8. С. 1894−1895.
  20. А. с. 381 036 (СССР) Устройство для измерения проходящей мощности. Кац Л. И., Тержова В. П., Шехтер Д. А. Опубл. в Б.И., 1973. № 21.
  21. А. с. 356 578 (СССР) Устройство для измерения мощности СВЧ // Кац Л. И., Шехтер Д. А. Опубл. в Б.И. 1972. № 32.
  22. H.Barlow H.E.M. The Design of Semiconductor Wattmeter for Power-Frequency and Audio-Frequency Application. Proc Inst. Elec. Enges. 1955.102 В. P.186.
  23. Barlow H.E.M. Microwave Power Measurements Trans. Inst. Radio Engrs. 1962. Т. 11.P.257.
  24. .М., Чудновский А. Ф. Теплопроводность полупроводников. М.: Наука, 1972. 536 с.
  25. М. К, Шапиро А. А. О влиянии термоэлектрических сил на радиоэлектрический эффект в проводниках // ФТТ. Т. 12. Вып. 10. С.3019−3021.
  26. Ю. В. О возникновении постоянной ЭДС при распространении электромагнитной волны в проводящей среде // Радиотехника и электроника. 1968. Т. 13. № 4. С.688−694.
  27. В. К, Пинский Я. М. Постоянный ток в проводящей среде, обусловленный высокочастотным электромагнитным полем // ФТТ. 1973. Т. 15. Вып.4. С.996−1003.
  28. Л. Э., Мезрин О. А. Свето- и термоэлектрические эффекты, создаваемые электромагнитной волной в проводящей среде // ФТТ. 1974. Т.16. № 3. С.773−384.
  29. Carter D.L., Libhaber A. Helicon induced d.c. voltage in InSb // Solid State Communication. 1964. V.2. P.313−316.
  30. M. С., Якубовский А. Ю. Возбуждение постоянных разностей потенциалов полем СВЧ в висмуте // ЖЭТФ. 1971. Т.60. № 6. С.2214−2219.
  31. Э. Г. Радиоэлектрический эффект в висмуте // ЖЭТФ. 1975. Т.68.№ 3. С. 1127−1136.
  32. С .В., Кармазин С. В., Любченко В. Е. Медленные волны и радиоэлектрический эффект в структуре полосковая замедляющая система -полупроводник// Радиотехника и электроника. 1978. Т.23. № 9. С. 1948−1955.
  33. С. В. Поперечный радиоэлектрический эффект в полосковой линии передачи на слоистой подложке диэлектрик полупроводник // Радиотехника и электроника. 1983. Т.28. № 8. С. 1642−1648
  34. М. М, Трифонов В. И., Новичихин Е. ПО детектировании излучения миллиметрового диапазона датчиками холловского типа //Радиотехника и электроника. 1980. Т.25. № 9. С. 1965−1972.
  35. М. М., Трифонов В. И., Новичихин Е. П О детектирующих свойствах полупроводниковой пластины в прямоугольном волноводе миллиметрового диапазона // Радиотехника и электроника. 1982. № 1.С.170−172.
  36. Д. А., Кабанов Л. Н. Применение теории возмущений к расчету резонаторов, частично заполненными полупроводником // Физика полупроводников и полупроводниковая электроника. Саратов, 1981. С. 9396.
  37. А. Н., Трещев В. М., Яровой Г. П. Гальваномагнитные СВЧ преобразователи. М.: Радио и связь, 2000. С. 264.
  38. Хилсум К, Роуз-Инс А. Полупроводники типа AmBv. М.: Иностр. Лит-ра, 1963. С. 323.
  39. А. Ф. Датчик ЭДС Холла на основе мышьяковистого индия // Вестник электропромышленности. 1962. № 1. С.59−62.
  40. Kancellakos D. P., SchuckR. P., Todd А. С. Hall effect wattmeters // Trans. Inst. Radio Engrs. 1961. AU-9,5. № 1. P.5−9.
  41. Lely, J.A. II Ber. Deut. German. Ges. 1955, 32. — p. 229
  42. Campbell, R.B., Chang, H.C. II Semiconductors and Semimetals. 1970, 7B. — P. 625
  43. Vodakov, Yu.A., Mokhov, E.N., Ramm, M.G., Roenkov, A.D. II Kristal und Technik. 1979, 14.-p. 729
  44. , E.H., Водаков, Ю.А., Ломакина, Г. A. II Проблемы физики и технологии широко зонных полупроводников. 1979. — С. 136.
  45. Tairov, Yu.M., Tsvetkov, V.F. II J. Cfyst. Growth. 1978,43. — P. 209
  46. Tairov, Yu.M., Tsvetkov, V.F. II J. Cryst. Growth. 1979, 46. — P. 403
  47. , Ф., Таиров, Ю.М., Цветков, В.Ф. II Изв. АН СССР. Неорг. матер. -1983,19.-С. 67
  48. , В.И., Таиров, Ю.М., Траваджян, М.Г., Цветков, В.Ф. И Изв. АН СССР. Неорг. матер. 1978,14. — С. 1062
  49. Barrett, D.L., McHugh, J.P., Hobgood, Н.М., Hopkins, R.H., McMullin, P.G., Clarke, R.C. И J. Cryst. Growth. 1993, 128. -C. 358
  50. Davis, R.F., Carter, C.H., Hunter, C.E. II USA Patent N 4, 866, 005 (Sept. 12, 1989).
  51. , M.M., Гусева, Н.Б., Дмитриев, В.А., Сыркин, А.Л. II Изо, АН СССР. Неорг. матер., 20,1768 (1984).
  52. Konstantinov, А.О., Ivanov, P A. II Silicon Carbide and Related Materials, ed. by M.G. Spencer, R.P. Devaty, J.A. Edmond, M. Asif Khan, M. Rahman (inst. Phys.: Conf. Ser. N 137- Inst. Phys. Publ., Bristol and Philadelphia, 1993) p. 37.
  53. Yoo W., Nishino S., MatsunamiH. Epitaxial Growth of Thick Single Crystal in Cubic Silicon Carbide by Sublimation Method. // Mem. Fac. Eng. Univ. 1987, V.49, No 1. — pp21−31
  54. , В.А., Иванов, П.А., Коркин, И.В., Морозенко, Я.В., Попов, И.В., Сидорова, Т.А., Стрельчук, A.M., Челноков, В.Е. //ЖТФ. 1985, 11.-С. 238
  55. , В.Ф., Дмитриев, В.А., Емельянова, И.В., Иванова, Н.Г., Попон, И.В., Чернов, М.А., Циунелис, В.Г. II ЖТФ. 1986, 56. — С. 214
  56. Davis, R.F., Kelner, G., Shur, M., Palmour, J. W., Edmond, J.A. И Proc. IEEE. -1991,79.-p. 677
  57. Nishino S., Suhara H., Ono H., Matsunami H. Epitaxial Growth and electric characteristics of cubic SiC on Silicon. // J. Appl. Phys. V.61, 1987, p.p. 48 894 892
  58. Kong, H.S., Glass, J.T., Davis, R.F. II J. Appl. Phys. 1988, 64. — p. 2672
  59. Saidov, Kh.A. Shamuratov, M.A. Kadyrov Study of Growth conditions of Silicon Epitaxial layers. M.S. // Crystal Growth, V.87,1988, p.p. 519−522
  60. А.Н., Челноков И. Р. Полупроводниковый SiC технология и приборы. // ФТП.-1995, т.29, № 11. — С.1921−1943
  61. Ю.А., Moxoe Е.Н. Диффузия бора и алюминия в n-SiC // ФТТ. -1966, т.8, в.4.-С. 1298−1299
  62. Ю.Ф., Зверев Б. П., Жумаев Н. И. и др. Исследование диффузионного распределения бора в карбиде кремния // Свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1977, — С.135−139
  63. Ю.А., Moxoe Е.Н., Прохоров Н. А. и др. Замедление дислокациями диффузии примесями в карбиде кремния // ФТТ. 1976, т. 18, № 7. — С.2101−2104
  64. Ю.А., Зверев Б. П., Жумаев Н. И. и др. Карбид кремния, легированный бором // ФТП. 1977, т.11, № 2. — С.373−378
  65. Е.Н., Зверев Б. П., Рамм М. Г. и др. Поверхностное распределение бора при диффузии ф карбиде кремния // Изв. АН СССР. Неорг. Мат. 1980, т. 16, № 12. -С.2153−56
  66. Вейнгер А. И, Водаков Ю. А., Козлов Ю. И и др. Примесные состояния бора в карбиде кремния // Письма в ЖТФ. 1980, т.6, № 21. — С.1319−1323
  67. Ю.А., Ломакина Г. A., Мохов Е. Н. и др. Особенности диффузии бора в карбиде кремния // ФТП. 1980, т. 24, в.2. — С.377−379
  68. Е.Н., Водаков Ю. А., Ломакина Г. А. и др. Диффузия бора в карбиде кремния // ФТП. 1972, т. 6, в.З. — С. 482−487
  69. Е.Н., Гончаров Е. П., Рябова Г. Н. Изоконцентрационная диффузия бора в карбиде кремния // ФТТ. 19 886 т. 30, № 1. — С. 248−251
  70. Константинов, А О. О механизме диффузии бора в карбиде кремния // ФТТ. 1988, т. 22, № 1. — С. 143−145
  71. Ю.М., Цветков В. Ф. Исследование эпитаксиальных слоев SiC, легированных алюминием // Изв. АН СССР. 1973, т. 14, № 10. — С. 17 851 789
  72. Гук Н.Г., Зиновьев В. Б., Сафаралиев Г. К. и др. II Изв. ЛЭТИ. 1976, в. 186. -С. 68
  73. Е.Н., Водаков Ю. А., Ломакина Г. А. Диффузия алюминия в SiC // ФТТ, 1969, т. И, в. 2.-С. 519−522
  74. Vodakov Yu.A., Mokhov Е.М. Diffusion and solubility of impurities in silicon carbide// Silicon-Carbide-1973, Columbia, SC., 1974. p. 508−519
  75. Ю.А., Ломакина Г. А., Мохов Е. Н. Карбид кремния, легированный алюминием и галлием // Свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1977.-С. 48−53
  76. Vodakov Yu.A., Lomakina G.A., Mokhov E.M. Silicon Carbide doped with gallium // Phys. Stat, sol.(a), 1976, 35, № 1. p. 37−42
  77. E.H., Усманова M.M., Юлдашев Г. Ф. и др. II Изв. АН СССР. Неорг. Мат. 1981, т. 17, № 2. — С. 258−261
  78. Swiderski /., szczutowski W., Niemyski Т. Preparation of nitrogen-doped and phosphorus-doped epitaxial a-SiC layers on silicon carbide crystals // J. Cryst. Growth/ 1974, 23, № 31 — p. 185−189
  79. Ю.А., Махмудов Б.с., Мохов Е. Н. и др. Легирование карбида кремния фосфором и индием // Легирование полупроводников. М.: Наука, 1982, — 89с.
  80. Вейнгер А. К, Забродский А. Г., Ломакина Г. А. и др. // ФТТ. 1986, т. 28, № 6. -С. 1659−1664
  81. Е.Н., Горнушкина ЕД, Дидик В.А. и др. Диффузия фосфора в карбиде кремния // ФТТ. 1992, т.34, № 6. — С. 1956−1958
  82. Ю.А., Moxoe Е.Н., Одинг ВТ. Междоузельная диффузия В и Be в SiC // Изв. АН СССР. Неорг. Мат. 1983, т. 19, № 7. — С. 1086−1088
  83. Ю.П., Мохов Е.Н,. Водаков Ю. А. и др. Диффузия бериллия в карбиде кремния // ФТТ. 1968, т. 10, № 3. — С. 809−814
  84. Г. К., Таиров Ю. М., Цветков В. Ф. Исследование растворимости и коэффициента распределения Be в SiC // Изв. АН СССР. Неорг. Мат. -1977, т. 13, № 10. С. 1763−1766
  85. Ю.А., Ломакина Г. А., Мохов Е. Н. Бериллий как донорная примесь в карбиде кремния // ФТТ. 1978, т. 20, № 2. — С. 448−451
  86. В.И. Способ получения карбида кремния / АС СССР № 1 436 544 от 08.07.1988.
  87. В.И., Комов А. Н., Смыслов В. И., Блатов В. Г., Соколова А. А. / АС СССР № 179 902 от 10.10.1982.
  88. А.Н., Кочетков В. Ю., Чепурнов В. И. / АС СССР № 223 477 от 24.10.1984
  89. Barlow H.E.M., KataokaS. A Hall effect and its application to power measurement at lOGc/s. Proc. IEEE. 1958.Vol.105B. P. 53−60.
  90. Lippmann H.J., Kuhrt F. Der Geometriee flup auf den Hall-Effekt bei rechterkingen Halbleiterplatten. Z-t Naturforschung, 1958. Vol. 6. S. 474−483.
  91. Sikorsky S. Kobus A. Influence of the skin-effect on Hall voltage in semiconductors I I Solid-State Electronics Pergamon Press. 1968. Vol. 10. P. 10 631 068.
  92. Harrison R. J., Zucker J. Hat-carrier microwave detector // J. Proc. IEEE. 1966. Vol. 54. № 4. P.588−595.
  93. Ф. П. Фотолитография в производстве полупроводниковых приборов. М., «Энергия», 1968. 200 С.
  94. Ulman R., Trans N. Y. Acad. Sci., 1958, Vol. 20, P. 483.
  95. Anikin M.M., Rastegaeva M.G., Syrkin A.L., Chuico I.V. Ohmic contacts to silicon carbide devises. // Abstr. of 3-rd Int. Conf. of Amorph. and Crystalline SiC. USA. Washington. 1990. P.53.
  96. Anikin M.M., Rastegaeva M.G., Syrkin A.L., Chuico I. V. Ohmic contacts to silicon carbide devises. // Proc. of 3-rd Int. Conf. of Amorth. and Crystalline SiC, ed. by G.L. Harris etal, Springer-Verlag. Berlin. 1992. P. 183−189.
  97. Arnodo C., Tyc S., Wyczisk F., Brylinski C. Nickel and molybdenum ohmic contacts on silicon carbide I I Silicon carbide and Related Mat. Conf. Kyoto Japan. 1996. Ser. N142. P.577.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!