Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Термоактивационные процессы с участием медленных электронных ловушек в халькогенидах цинка

Диссертация: Термоактивационные процессы с участием медленных электронных ловушек в халькогенидах цинка
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Анализ теоретических и экспериментальных работ о кинетических параметрах электронных ловушек приводит к выводу о существовании в полупроводниках и люминофорах быстрых (отношение скорости захвата электрона к скорости его рекомбинации с дыркой R"l) и медленных (R"l) ловушек. Комплексные исследования методами фотои термоактивационной спектроскопии показывают, что быстрые ловушки обладают не только… Читать ещё >

Термоактивационные процессы с участием медленных электронных ловушек в халькогенидах цинка (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ВВЕДЕНИЕ
  • ГЛАВА I. КЛАССИФИКАЦИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ЛОВУШЕК В ПОЛУПРОВОДНИКАХ И ЛЮМИНОФОРАХ. МЕДЛЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ ЛОВУШКИ В ХАЛЬКОГЕНИДАХ ЦИНКА И МЕТОДЫ ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ (обзор)
    • 1. 1. Классификация глубоких центров в полупроводниках и люминофорах
    • 1. 2. Теория термостимулированных процессов с участием медленных ловушек в полупроводниках и люминофорах 14 1.2.1. Теория термостимулированных процессов
      • 1. 2. 2. Анализ формы спектров ТСТ и TCJI и методы определения характеристических параметров ловушек
      • 1. 2. 3. Спектры ТСТ и TCJJ в реальных полупроводниках и люминофорах
    • 1. 3. Природа и характеристические параметры электронных ловушек с глубокими уровнями в халькогенидах цинка
  • ВЫВОДЫ
  • ГЛАВА II. МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Характеристика исследованных образцов
    • 2. 2. Экспериментальная установка
    • 2. 3. Методика эксперимента
  • ГЛАВА III. ТЕРМОАКТИВАЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ С УЧАСТИЕМ МЕДЛЕННЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ЛОВУШЕК В МОНОКРИСТАЛЛАХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ЦИНКА
    • 3. 1. Термоактивационные спектры монокристаллов ZnS, ZnSe, ZnO и характеристические параметры электронных ловушек в них
    • 3. 2. Длинноволновая самоактивированная люминесценция монокристаллов ZnSe
    • 3. 3. Предполагаемая физико-химическая природа медленных ловушек в халькогенидах цинка
  • Объяснение экспериментальных результатов
    • 3. 4. Моделирование генерационно-рекомбинационных процессов с участием медленных ловушек методом вычислительной физики в реальном полупроводниковом материале
  • ВЫВОДЫ Г Л, А В АIV ЭФФЕКТ ПРОСТРАНСТВЕННОЙ МОДУЛЯЦИИ СЕЧЕНИЯ ЗАХВАТА МЕДЛЕННЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ЛОВУШЕК КОЛЛЕКТИВНЫМ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПОЛЕМ ПОВЕРХНОСТНОГО ЗАРЯДА ЗЕРЕН
    • 4. 1. Термолюминесцентные свойства порошков
  • Характеристические параметры электронных ловушек
    • 4. 2. Объяснение термолюминесцентных свойств порошков на основе халькогенидов цинка
    • 4. 3. Диагностика концентрационного распределения атомов ловушек в объеме зерен порошков на основе ZnS, ZnSe и ZnO
    • 4. 4. Влияние внешнего электрического поля на кинетические параметры электронных ловушек, локализованных в приповерхностной области пространственного заряда
  • ВЫВОДЫ

Актуальность темы

Анализ теоретических и экспериментальных работ о кинетических параметрах электронных ловушек приводит к выводу о существовании в полупроводниках и люминофорах быстрых (отношение скорости захвата электрона к скорости его рекомбинации с дыркой R"l) и медленных (R"l) ловушек. Комплексные исследования методами фотои термоактивационной спектроскопии показывают, что быстрые ловушки обладают не только большими сечениями захвата электронов см), но и фотонов (Sx). Вследствие последнего обстоятельства, быстрые ловушки проявляют высокую фотоактивность, обуславливая длинноволновую неравновесную фоточувствительность полупроводников.

Медленные же ловушки могут и не проявлять аналогичной активности, поэтому их эффективное исследование осуществляется методами термоактивационной спектроскопии [термостимулированный ток (ТСТ), тер-мостимулированная люминесценция (TCJI), емкостная спектроскопия (НСГУ)]. Несмотря на свою донорную природу, в полупроводниках п-типа медленные электронные ловушки могут иметь сечения St, которые экспоненциально падают до весьма малых значений 10″ 25 см² по мере уменьшения глубины их уровней. Особое внимание привлекают к себе медленные ловушки с аномальными кинетическими свойствами. Обладая дискретным энергетическим уровнем, эти ловушки имеют широкий спектр значений сечения St. Существующие модельные представления о физико-химической природе медленных ловушек допускают их связь с точечными дефектами, размещенными в области коллективных электрических полей макроскопических дефектов кристаллов. Эти модели являются пионерскими и требуют дополнительных экспериментальных доказательств.

Как отмечалось выше, исследование медленных ловушек осуществляется методами термоактивационной спектроскопии. Теория этих методов создавалась в 50-ые годы прошлого века и не полностью учитывает возможные генерационно-рекомбинационные процессы с участием электронных ловушек в реальных полупроводниках. Последнее обстоятельство создает трудности как в оценке достоверности полученных сведений о характеристических параметрах электронных ловушек, так и в восприятии реальности моделей генерационно-рекомбинационных процессов, предлагаемых для интерпретации экспериментально наблюдаемых спектров ТСТ и ТСЛ.

Поэтому исследования, проводимые с целью установления физико-химической природы медленных ловушек, их параметров (энергетического положения, сечения захвата электронов) и особенностей проявления в ге-нерационно-рекомбинационных процессах в полупроводниках и люминофорах с крупномасштабными нарушениями кристаллической структуры, являются актуальными.

Основная цель диссертационной работы — построение обобщенной модели генерационно-рекомбинационных процессов, обуславливающих термоактивационные спектры в реальных полупроводниках и люминофорах с нарушенной трансляционной симметрией.

Для достижения поставленной цели решаются следующие задачи: — методами фотои термоактивационной спектроскопии определяются характеристические параметры электронных ловушек и центров рекомбинации в образцах различной модификацииизучаются особенности генерационно-рекомбинационных процессов с участием медленных электронных ловушек в образцах с различным типом макроскопических дефектов, находятся диагностические признаки наличия коллективных электрических полей этих дефектов и предлагаются методы оценки характеристических параметров последнихна основании существующей теории термоактивационной спектроскопии разрабатываются алгоритмы и вычислительные процедуры позволяющие учесть генерационно-рекомбинационные процессы в реальных полупроводниках и люминофорахсравнением теоретически рассчитанных и экспериментальных термоак-тивационных спектров доказывается справедливость предлагаемой модели генерационно-рекомбинационных процессов, протекающих в реальных полупроводниках и люминофорах с нарушенной трансляционной симметрией.

В качестве объектов исследования выбраны соединения цинка с серой, селеном и кислородом, являющиеся представителями большого класса соединений А2Вб. Кристаллы, пленки и порошки ZnS, ZnSe и ZnO обладают многообразными и уникальными фотоэлектрическими и люминесцентными свойствами. Многообразные генерационно-рекомбинационные процессы в них носят ярко выраженный характер и по этой причине они относятся к модельным полупроводникам.

Научная новизна:

1. Получены экспериментальные доказательства существования в кристаллах ZnS, ZnSe и ZnO медленных электронных ловушек. Определена их физико-химическая природа, характеристические параметры и особенности проявления в термоактивационных процессах.

2. В порошкообразных люминофорах на основе ZnS, ZnSe и ZnO обнаружен эффект пространственной модуляции кинетических параметров медленных электронных ловушек коллективным электрическим полем объемного поверхностного заряда зерен порошка.

3. Экспериментально доказано и теоретически обосновано, что за сложные спектры TCJI и ТСТ в полупроводниках и люминофорах могут быть ответственны однотипные ловушки с дискретным энергетическим уровнем, если только их сечения St имеют расширенный спектр значений.

4. На основании существующей теории термоактивационной спектроскопии разработаны алгоритмы и вычислительные процедуры, позволяющие учесть генерационно-рекомбинационные процессы в реальных полупроводниках и люминофорах;

Научно-практическая значимость работы :

1. Разработаны, теоретически обоснованы и экспериментально проверены алгоритмы компьютерного моделирования термоактивационных процессов в реальных полупроводниках.

2. Определены характеристические параметры многочисленных медленных электронных ловушек в полупроводниках и люминофорах, нашедших практическое применение в современной оптоэлектронике.

3. Предложен метод определения параметров (Дер, D, Е) области пространственного заряда макроскопической неоднородности кристаллической решетки полупроводника или люминофора и концентрационного распределения в ней атомов электронных ловушек.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. В халькогенидах цинка медленные электронные ловушки связаны с точечными дефектами (вакансия халькогена, междоузельный цинк) до-норной природы. Многообразие уровней энергетического спектра этих ловушек и сложной структуры термоактивационных спектров — следствие ассоциации этих центров с центрами медленной рекомбинации. Аномально малые значения сечений захвата электрона медленными ловушкамирезультат их взаимодействия с макроскопическими дефектами кристаллической решетки.

2. Расширение спектра значений St у ловушек с дискретным энергетическим уровнем Et — результат распределения ловушек по всему объему пространственного заряда макроскопической неоднородности кристалла.

3. За сложные спектры TCJI и ТСТ в полупроводниках и люминофорах могут быть ответственны однотипные ловушки с дискретным энергетическим уровнем, если только их сечения St имеют расширенный спектр значений.

Апробация работы: материалы диссертационной работы обсуждались: на ежегодных конференциях профессорско-преподавательского состава физического факультета Дагестанского госуниверситетанаучно-практической конференции «Молодежь и наука Дагестана» (Махачкала, 2001 г.) — Международных конференциях «Оптика, оптоэлектроника и технологии» (Ульяновск, 2002 и 2003 г.) — IV Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (Санкт-Петербург, 2004 г.) — Международной конференции «Fizika-2005» (Баку, 2005 г.).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 8 печатных работ, в том числе 3 статьи, 2 доклада и 3 тезисов докладов.

Достоверность полученных результатов достигнута проведением исследований по апробированным методикам на автоматизированном спектрально-вычислительном комплексе (КСВУ-23), согласием экспериментальных результатов и теоретических моделей, развитых как самим автором, так и основоположниками теории термоактивационной спектроскопии, согласием результатов работы с данными других исследователей.

Личный вклад автора. В диссертационной работе изложены результаты, полученные как лично автором, так и в соавторстве. Все экспериментальные результаты работы, расчеты и обработка результатов получены и выполнены автором самостоятельно. Компьютерное моделирование гене-рационно-рекомбинационных процессов с участием электронных ловушек выполнено в соавторстве с М. Е. Зобовым. Научными руководителями С. А. Абдулгамидовым и Е. М. Зобовым оказана помощь в интерпретации некоторых экспериментов и разработке моделей.

Структура и объем диссертации

Диссертация изложена на 101 странице машинописного текста, имеет 11 таблиц и 28 рисунков. Список цитируемой литературы состоит из 121 наименования.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

На основании теоретических и экспериментальных методов исследования термостимулированных процессов в кристаллах и порошках халько-генидов цинка установлено:

1. Генерационно-рекомбинационные процессы с участием электронных ловушек в полупроводниковых кристаллах со сложными термостиму-лированными спектрами описываются классической моделью. Она допускает связь такого рода спектров с набором электронных ловушек, каждая из которых характеризуется индивидуальными дискретными параметрами Et, St и ответственна за отдельно взятую элементарную полосу.

2. Методами ТСТ и ТСЛ определены характеристические параметры медленных электронных ловушек в монокристаллах и порошках ZnS, ZnSe и ZnO. Наличие квазидискретного спектра медленных электронных ловушек в самоактивированных кристаллах халькогенидов цинка является результатом взаимодействия собственных точечных дефектов донорной и акцепторной природы друг с другом и с остаточными примесями.

3. При локализации ловушек в области макроскопических неодно-родностей кристалла, создающих коллективные электрические поля, величина сечения захвата на них электронов определяется не только индивидуальными особенностями ловушки, но и потенциалом коллективного электрического поля. Причиной аномально малых сечений захвата электронных ловушек является их взаимодействие с макроскопическими дефектами кристаллической структуры полупроводника или люминофора.

4. Расширение спектра значений St у ловушек с дискретным энергетическим уровнем Et — результат распределения ловушек по всему объему пространственного заряда макроскопической неоднородности кристалла.

5. В полупроводниках и люминофорах за сложные спектры ТСЛ и ТСТ могут быть ответственны однотипные ловушки с дискретным энергетическим уровнем, если только их сечения St пространственно промодули-рованы коллективным электрическим полем макроскопической неоднородности, т. е. имеют расширенный спектр значений St.

6. Внешнее электрическое поле напряженностью 2 105- 2 106 В/м приводит к увеличению эффективного сечения захвата St ловушек, что облегчает процесс их термической ионизации, при этом энергетические характеристики ловушек остаются неизменными.

7. Анализ экспериментальных спектров ТСТ и TCJI позволяет определить параметры (Дер, D, Е) области пространственного заряда макроскопической неоднородности кристаллической решетки полупроводника или люминофора.

8. Методами вычислительной физики представляется возможным моделировать генерационно-рекомбинационных процессы, протекающих в реальных полупроводниках и люминофорах с нарушенной трансляционной симметрией.

Показать весь текст

Список литературы

  1. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.// М.: изд-во «Физматгиз».- 1962. — 494 С.
  2. А. Основы теории фотопроводимости.// М.: изд во «Мир».-1966.-138 С.
  3. Р. Фотопроводимость твердых тел.// М.: изд-во «ИЛ».-1962.-558 С.
  4. Aven М., Prener J.S. Physics and Chemestry of II-VI Compounds// Amsterdam.- 1967. (Перевод под ред. С. А. Медведева Физика и химия соединений А2В6. М.: «Мир», — 1970.)
  5. Д. Люминесценция кристаллов// М.: изд-во «ИЛ».-1961.-1941. С.
  6. В.Е., Любченко А. В., Шейнкман М. К. Неравновесные процессы в фотопроводниках.// Киев: изд-во"Наукова Думка".-1981.-264 С.
  7. . Оптические процессы в полупроводниках.// М.: изд-во «Мир».- 1973.-456 С.
  8. В.Н., Сальман Е. Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах.//Новосибирск: изд-во «Наука».- 1979.- 333 С.
  9. . Ч.Б. Исследование центров захвата в щелочно-галоидных кристаллофосфорах. Тарту. (1955).
  10. А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках.// М.: изд-во «Мир».- 1977. 562 С.
  11. Физика соединений А2 В6 // (Под редакцией Георгобиани А. Н., Шейнкмана М.К.).- М.: «Наука».- 1986. 320 С.
  12. Е.А. Кинетические методы определения параметров уровней прилипания.// ФТТ.- 1963.- т.5.- № 1.- С. 240−245.
  13. Е.М. Фотоэлектрические и оптические свойства халькоге-нидных полупроводников, обусловленные глубокими центрами сложнойструктуры.// Автореферат докторской диссертации. Ульяновск, — 1999. -42 С.
  14. Bube R., Barton L. Some acpects of photoconductivity in cadmium selenide crystals.// J.Chem.Phys.- 1958.- v.29.- № i. p.128−137.
  15. M.A. Оъяснение линейчатых спектров индуцированной примесной фотопроводимости в CdS-CdSe на основе представлений о донорных молекулах.// ФТП.- 1982.- т. 16.- № 4. -С. 699−702.
  16. Robinson A., Bube R. Photoelectronic properties of defects in CdSe single crystals.// J. Appl.Phys.- 1971.- v.42.- № 13.- P. 5280−5295.
  17. P.B., Вайткус Ю. Ю., Сенулис Ф. Д. Определение спектральных зависимостей сечения захвата фотона по ИК-гашению и примесной фотопроводимости в монокристаллах CdSe.// Лит. физ. сборник.-1978.- т. 18.- № 1.- С. 109−111.
  18. Е.Н. Отношение оптической и термической энергии активации примесей в CdS, CdSe и CdTe.// ФТТ.- 1964.- т.6.- № 4.- С. 1034.
  19. М.А., Хамидов М.М Фотоэлектрически активные и неактивные медленные центры прилипания электронов в кристаллах ZnSe.// ФТП.- 1993.- т.27.- № 5.- С. 721−727.
  20. М.А., Габибов Ф. С. Спектральные сдвиги полос индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS.// ФТП.- 1979.- т.13.- № 7.- С.1324−1328.
  21. М.А., Гасанбеков Г. М., Шейнкман М. К. Зависимость сечения захвата электронов центрами прилипания в кристаллах CdS : Ag от их энергетического положения.// ФТП, — 1975.- т.9.- № 4.- С. 779−782.
  22. М.А., Хамидов М. М. Фотостимулированные явления нетепловой диффузии и ассоциации доноров в кристаллах ZnSe.// Письма в ЖТФ.- 1985.- т.11.- № 9.- С. 561- 567.
  23. М.А., Зобов Е. М. Неохлаждаемый примесный детектор ИК света среднего диапазона на основе неравновесно очувствленного CdSe.//ФТП.- 1980.- т.14.- № 12.-С.2407−2410.
  24. Е.М., Гарягдыев Г. Г., Ризаханов М. А. Новые квазилинейчатые спектры индуцированной примесной фотопроводимости в CdSe:Ag, обусловленные распределенными донор-донорными парами.// ФТП. -1987.- т.21.- № 9.-С. 1637- 1641.
  25. М.А., Зобов Е. М., Хамидов М. М. Структурно сложные двухдырочные и двухэлектронные медленные ловушки с бикинетически-ми свойствами в кристаллах p-ZnTe, n-ZnS.// ФТП.- 2004.- т. 38. № 1.- С. 49−55.
  26. By Куанг, Фок М. В. О соотношении между оптической и термической глубинами электронных ловушек.// Труды ФИАН СССР.- 1974.- т. 79.-С. 39−63.
  27. Brodribb J.D., D О' Colmain, Hughes D.M. The theory of photon-stimulated current spectroscopy.// J.Phys.D: Appl.Phys.- 1975, — v.8.- № 7.-P.856.
  28. И., Юрма Э. ИК стимуляция фотопроводимости монокристаллов ZnS-Cu.// Изв. АН ЭССР. Сер.физ.-мат.- 1975.- т.24.- № 2.- С .195 200.
  29. Ascarelli G., Rodrigues S. Recombination of electrons and donors in n-type germanium.// Phys. Rev., 124, № 3, 1321 (1961).
  30. B.A., Левшин В. Л. Термостимулированная и фотостиму-лированная проводимость монокристаллов ZnS.// Журн. прикл. спек-троск.- 1965, — т.З.- № 6.- С. 504−509.
  31. М.А., Габибов Ф. С., Гасанбеков Г. М., Шейнкман М. К. Основные особенности электронных центров захвата Ес-(0.14−0.55) эВ в халькогенидах кадмия и их объяснение.// Депонировано ЦНИИ «Электроника».- Р-3270/81.
  32. Opanowicz A. Determination of electron trapping parameters from thermally stimulated current in cadmium selenide.// Bull.Acad.Polon. Sci.Ser. Sci. math.astron.et phys.- 1969.- v. 17.- № 12.- C. 845−850.
  33. А.Г., Meccepep M.A. К анализу сильно компенсированных уровней ловушек методами термостимулированной проводимости.// ФТП.-1971.- Т.5.- № 2.- С. 178−180.
  34. Kindleysides L., Woods J. Electron traps in cadmium selenide.// J.Phys.- 1970.- D3.- № 4.- P. 451−461.
  35. Э.Б., Свечников C.B., Чалая В. Г. Термостимулирован-ные токи в слоях сульфида кадмия.// Укр.физ.журнал.-1969.-т.14.-№ 4.-С.670
  36. Morimoto J. et.al. Spectral analysis of deep level transient spectroscopy (SADLTS) of deep centers in CdTe single crystals.// Jap. J. Appl. Phys.(l).- 1988.- v.27.- № 12.- P. 2256−2259.
  37. О., Конончук О., Панин Г. и др. Исследование тел-лурида кадмия методом сканирующей спектроскопии глубоких уровней.// ФТП.- 1988.- т.22.- № 9.- С. 1687−1688.
  38. Ребане К.-С.К., Руттас В. И. Термостимулированная люминесценция и стимуляция ИК-светом фосфоров ZnS.// Журн.прикл. спектроскоп, — 1971.- т.15.- № 4.- С. 647−652.
  39. Л.С., Панасюк Е. И., Туницкая В. Ф. Мелкие уровни захвата монокристаллов самоактивированного сульфида цинка и особенности их заполнения.// Труды ФИАН СССР.- 1983.- т.138.- С. 135−156.
  40. И.А., Чиковани Р. И., Школьник А. Л., Джахуташви-ли Т.В. Определение параметров локальных уровней в монокристаллах ZnS.// ФТТ.- 1964.- т.6.- № 10.- С. 2945−2952.
  41. Satoh Shiro, Igaki Konso. Termally-stimulated Current of Zinc selenide Heat-treated in Controlied Partial Pressures of Constituent Elements.// Japan J. Appl. Phys.- 1980.- v. 19.- № 3.- P. 485−490.
  42. Wakim F.G. Stimulated photocurrent and thermally stimulated current excitation spectra in cubic ZnSe crystals.// J. Appl. Phys. -1970. -v. 41.- № 2.- p. 835.
  43. Ю.В., Тимофеев Ю. П. Термовысвечивание неактивированного сульфида цинка при электронном возбуждении.// Изв. АН СССР. Сер. физ.- 1969. т. 33, № 6, с. 951−960.
  44. Г. С., Ринкавичюс B.C. О методе термостимулиро-ванного разряда конденсатора.// ФТП.- 1969.- т.З.- № 3.- С. 445−446.
  45. Берман., Лебедев А. А. Емкостная спектроскопия глубоких центров.// М.: изд-во «Наука».- 1980.- 126 С.
  46. С., Murri R., Quirini А., е.а. Photoelectronic properitis of n-GaSe.// Phys. Stat. Sol. (a). 1976.- v. 38.- № 2, p. 685−693.
  47. В.Я., Цикин A.H., Штурбина H.A. Дефекты и старение монокристаллов титаната стронция.// Всесоюзн. Конф. «Физика диэлектриков и перспективы ее развития». Сб. рефератов. Л.: 1973.- Т. 2.- С. 190 192.
  48. В.П., Титов М. Н. Исследование глубоких примесных центров в СИД методом термостимулированной ЭДС. // ФТП.- 1976.- т. 10.-№ 2.- С. 256−261.
  49. De Muer D., Maenhout Van der Vorst W.// Thermoluminescence of ZnO porwder.//Physika- 1968.- v. 39.- p. 123−132.
  50. Nickolas K.H., Woods J. The evaluation of electron trapping parameters from conductivity glow curves in cadmium sulphide.// Brit. J .Appl. Phys.-1964, — v.15.- № 7, — P. 783−795.
  51. Lax M. Cascade capture of electrons in solids. // Phys. Rev.- 1960.-v. 119.-p. 1502.
  52. E.M., Ризаханов M.A. Эффект расширения в зону сечения захвата электрона ловушкой с дискретным энергетическим уровнем в кристаллах y-La2Sз.// ФТП.- 2001.- т. 35.- № 2.- С. 171−176.
  53. Антонов-Романовский В.В. О рекомбинационной фосфоресценции.// Изв. АН СССР. сер. физ.- 1946.- т. 10.- № 5−6.- С. 477−487.
  54. Garlic G.F.T., Gibson A.F.The electron traps mechanism of luminescence in sylphide and selenide phosphors. // Proc. Phys. Soc.- 1948.- v. A 60.-№ 342.- P. 574−590.
  55. Gobrecht H., Hofmann D. Spectroscopy of traps by fractional glow techique.// J. Phys. Chem. Sol.- 1966.- v. 27.- № 3.- p.509−532.
  56. Hoogenstraaten W. Electron traps in ZnS phosphorus.// Philips Res. Rep.- 1958.- v. 13.-№ 6.-p. 515−693.
  57. Ф. Химия несовершенных кристаллов.// (Под редакцией Полторака О.М.) М.: «Мир».- 1969. 654 С.
  58. Elmanharawy M.S., Abdel-Kader A. On the nature of fluorescent centers and traps in some ZnS-phosphors activated with silver and copper.// Acta Phys.Polon.- 1979.- v. A56.-№ 1.- P. 19−29.
  59. З.П., Панасюк Е. И., Туницкая В. Ф., Филина Т. Ф. К вопросу о происхождении центров свечения и уровней захвата электронов в самоактивированных кристаллах ZnS.// Журн. прикл. спектроскоп.- 1969.-т.10.- № 5.-С. 819−824.
  60. Bryant F.I., Flamid S.A. Electron-inducced traps in Zinc Sulfide single crystals.// Phys.Rev.Letters.- 1969.- v.23.- № 6.-P. 304−306.
  61. Ceva Т., Lambert B. Etude de la termoluminescence et de la contuc-tilide dun ZnS: Cu, Ce a dans bandes d’emission.// J. Phys.- 1965.- v.25.- № 10.- P. 587−590.
  62. B.A., Левшин В. Л. О влиянии вторичной локализации электронов на фотостимулированное свечение и проводимость монокристаллов ZnS.// Журн. прикл. спектроск.- 1966.- т.4.- № 4.- С. 316−322.
  63. В.А., Тале В. Г., Тале И. А., Таушканова Л. В. Энерге-четиский спектр в люминофорах ZnS.// Журн. прикл. спектроск.- 1981.-т.34.- № 2.- С. 253−259.
  64. В.Ф., Лепнев Л. С. Стимуляция свечения неактивированных монокристаллов ZnS инфракрасным светом.// Журн. прикл. спект-роск.- 1977.- т.26.- № 4.- С. 706−711.
  65. Ф.Ф., Гордиенко Ю. Н. Спектры ИК-стимулированной люминесценции монокристаллов ZnCdS:Cu.// Журн. прикл. спектроск.- 1974.- т.20.- № 1.- С. 76−80.
  66. М.М., Рамазанов П. Е., Сальман Е. Г. Локальные уровни пленок ZnS// Известия ВУЗов. Физика.- 1973.-№ 10.- С. 95−98.
  67. Отс А.С., Ребане К.-С.К. Создание парамагнитных центров в ZnS под действием механического давления.// ФТТ.-1971.- т. 13.- № 1.- С. 1219−1221.
  68. Ю.П., Туницкая В. Ф., Филина Т. Ф. О природе центра свечения полосы с максимумом 2.66 эВ, входящей в состав голубого излучения самоактивированного ZnS.// Журн. прикл. спектроск.- 1973.-т.19, — № 3.- С. 469−474.
  69. З.П., Панасюк Е. И., Туницкая В. Ф., Филина Т. Ф. Приготовление кристаллов сульфида цинка и природа центров голубого свечения самоактивированного ZnS.// Труды ФИАН СССР, М.: изд-во «Наука».- 1972.- т.59.- С. 38−64.
  70. З.П., Панасюк Е. И., Туницкая В. Ф., Филина Т. Ф. Свойства индивидуальных полос излучения самоактивированного сульфида цинка и природа соответствующих центров свечения.// Изв. АН СССР, сер. физич.- 1971.- т.35.- С. 1437−1440.
  71. Н.К., Кузнецов В. А. Сульфид цинка получение и свойства.//М.: изд-во «Наука».- 1987. 200 С.
  72. А.Н., Котляревский М. Б., Михайленко В. Н. Структура дефектов в ZnS с собственно-дефектной дырочной проводимостью.// Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1981.- т. 17.- № 7.- С.1329−1334.
  73. А.Н., Котляревский М. Б., Рогозин И.В. Глубокие акцепторные центры в
  74. А В .// Труды междунаодной конференции «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах».- Ульяновск: изд-во УГУ.- 1997.- С. 26−27.
  75. А.Н., Маев Р. Г., Озеров Ю. В., Струмбан Э. Е. Исследование глубоких уровней в монокристаллах сульфида цинка.// Изв. АН СССР. Сер. физ.- 1976.- т.40.- № 9.- С. 1079−1983.
  76. Joseph J.D., Neville R.C. Some optical properties of high-resistivity zinc sulfide.// Appl. Phys.- 1977.-v.48.-№ 5.- p. 1941−1945.
  77. Carlone C., Beliveau A., Rowele N.L. On the anti-Stokes fluorescence in Cdi. xZnxS crystals.// J. of Luminescence.- 1991.- v.47.- № 6.- P. 309 317.
  78. Simons A.J., Thomas C.B. Mexanisms' of electronic conduction through thin film ZnS: Mn.// Phil. Mag.B.- 1993, v.68, № 4, p. 465−473.
  79. Igaki Konso, Satoh Shiro. The electrical properties of Zinc selenide heat-treated in controlied partial pressures of constituent elements.// Japan J.Appl. Phys.- 1979.- v.18.- № 10.- P. 1965−1972.
  80. Aven M., Segal B. Carrier and Shalow Impurity States in ZnSe and ZnTe.//Phys. Rev.- 1963.-v.130.-№ p. 81−91.
  81. Shirakawa J., Kukimoto H. The electron traps associated with an anion vacancy in ZnSe and ZnSxSei.x.// Solid State Commun.-1980.- v. 34.- № 5.-P. 359.
  82. Leigh W.B., Wessels B.W. Nitrogen related centres in Zinc selenide.// J.Appl.Rhys.- 1984.- v.55.-№ 15.- P. 1614−1616.
  83. Verity D., Bryant F.I., Davies I.I. Nicholls I.E. et.al. Deep levels and associated carrier recombination processes in Zn-annedled ZnSe «Singl Crystals».// J.Phys.C. Solid Stat.Phys.- 1982.- v.15.- № 26.- P.5497−5505.
  84. Stringfellow G.B., Bube R. Photoelectronic properties of ZnSe crystals.// Phys. Rev.- 1968.- v.171.- № 3.- P. 903−915.
  85. B.C., Манжаров B.C., Ткачук П. Н., Цосопь В. М. Термовысвечивание селенида цинка легированного акцепторными примесями.// ФТП.- 1980.- т. 14.- № 8.- С. 1621−1624.
  86. Smith F.T.I. Evidence for a nature donor in ZnSe from high temperature electrical measurements.// Solid Stat.Commun.-1969.- v.24.- № 7.- P. 1757−1761.
  87. Ю.Ф., Малушин H.B., Сердюк B.B. Исследование спектров фотолюминесценции монокристаллов ZnSe легированных алюминием.// Журн.прикл.спектроск.- 1976.- т.25.- № 5.- С. 832−835.
  88. Д.Д., Симашкевич А. В. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка.// Кишинев: изд-во «ШТИИНЦА».-1984.- 150 С.
  89. У.А. Люминесценция селенида цинка, обусловленная дефектами замещения. // Автореферат диссертации канд. наук. М.: 1999.25 с.
  90. Коротков В.А., Маликова Л. В., Морозова В. И., Симашкевич А. В Исследование глубоких центров, связанных с собственными дефектами в ZnSe.//Изв. ВУЗов, сер. физика.- 1989.- № 3.- С. 42−46.
  91. А.А., Борисенко Н. Д., Коваленко А. В. Глубокие примесные уровни в кристаллах ZnSxSei.x.// Изв. АН СССР. сер. Неорган, материалы.- 1983.- т. 19.- № 3.- С. 376−379.
  92. Yodo Т., Yamashita К. Li-doped ZnSe epitaxial layers by ion implan-tatin.// Appl. Phys. Lett.- 1989.- v.53.- № 24.- P. 2403−2405.
  93. Lee Choon-Ho, Jeon Gyoung-Nam, Yu Seung-Cheoh, Ho Seok-Yong. Stimultaneus measurement of thermally stimulated luminescence and thermally stimulated current of ZnSe singl crystal.// J. Phys. D.-1995.-v.28.- № 9.-P. 1951−1957.
  94. Л.И., Горя O.C., Коротков B.A., Ковалев Л. Е., Маликова Л. Симашкевич А. В. Кинетика фотопроводимости кристаллов ZnSe при оптической перезарядке глубоких центров.// Неорган, материалы.- 1995.-т.31.- № 10.- С. 1296−1298.
  95. М.М., Махний В. Л. Свойства монокристаллических слоев ZnSe, легированных Cd.il Неорган, материалы.- 1995. т.31.- № 10.-С. 1299−1301.
  96. М.М., Махний В. П., Мельник В. В. Влияние примесей Li, Cd, In, As на оптоэлектронные свойства ZnSe.// Неорган, материалы." 1997.- т.ЗЗ.- № 2.- С.181−183.
  97. А.В., Борисенко Н. Д. Тип проводимости и глубокие центры захвата в кристаллах ZnSxSei.x.// ФТП.- 1994.- т. 28.- № 4.- С. 646 650.
  98. Н.Н. Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в селениде цинка с термическими и радиационными дефектами. // Автореферат диссертации канд. наук. Свердловск: 1991.- 23 с.
  99. Н.К., Гаврищюк Е. М., Каретников И. А., Блинов В. В., Зимогорский B.C., Галстян В. Г., Яшина Э. В. Люминесценция ZnSe, сильно легированного медью.// Неорган, материалы.- 2002.- т. 38.- № 6, — С. 674 680.
  100. И.П., Никитенко В. А. Оксид цинка. Получение и оптические свойства. //М.: «Наука», — 1984.- 166 с.
  101. К.В., Никитенко В. А. К изучению термолюминесценции монокристаллов оксида цинка.// Журнал прикл. Спектроскопии.-1975. Т. 22.-С. 667−670.
  102. К.Б., Акимов И. А. Термостимулированная проводимость поликристаллических слоев Agl и ZnO, сенсибилизированных красителями.// ФТП.- 1968.- т. 2.- № 1.- С. 210−215.
  103. Zwingel D. Trapping and recombination processes in the termolu-minescence of Li-doped ZnO single crystals.// J. Luminescence.- 1972.- v. 5.- P. 385−405.
  104. Tadatsugu Minami, Takashi Yamamoto, Toshihiro Miyata. Highly transparent and conductive rare earth-doped ZnO thin films prepared by magnetron sputtering.// J. Thin Solid Films.- 2000, — v. 366.- P. 63−68.
  105. B.A., Таркпеа К. Э., Пыканов И. В., Мухин С. В., Сто-юхин С.Г., Пасько П. Г. Термостимулированные электронно-дырочные и ионные процессы в кристаллах оксида цинка.// Журнал прикл. спектроскопии.- 2000.- т. 67. № 5.- С. 640−643.
  106. Kohan A.F., Ceder G., Morgan D., Chris G. Van de Walle. First-principles study of native point defects in ZnO. // J. Phys. Rev. В.- 2000.- v. 61.-№ 22.- P. 15 019- 15 027.
  107. М.Е., Камалудинова Х. Э. Электронные ловушки в кристаллах ZnSe.// Материалы региональной научно-практической конференции «Молодежь и наука Дагестана». Махачкала. 2001. С. 102−104.
  108. Е.М. Самоактивированная люминесценция соединений1. У f
  109. А В и ее связь с медленными электронными ловушками.// Тезисы докладов Международной конференции по люминесценции. М.: 2001. С. 27.
  110. Williams F. Radiative recombination on donor-acceptor pairs and higher associates// J.Luminescence.- 1973.-v.7.-N1.- P.35−50.
  111. E.M., Зобов M.E., Камалудинова Х. Э. Термоактивацион-ные процессы с участием медленных ловушек в полупроводниках.// Вестник ДНЦ РАН. 2005. (в печати).
  112. A.M. Введение в физическую химию кристаллофос-форов.// М.: изд-во «Высшая школа», 1971, 336 с.
  113. Е.М., Зобов М. Е., Камалудинова Х. Э., Ризаханов М.А.I
  114. Электронные ловушки с широким интервалом сечений захвата в порошкообразных люминофорах на основе ZnS.// ЖПС.- 2005.- Т.72.- № 2.- С.202−206.
  115. И.К. Электролюминесценция кристаллов.// М., «Наука» (1974).
  116. В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. //Новосибирск: «Наука».- 1984.- 253 С.
  117. А.Н. Георгобиани, П. А. Пипинис. Туннельные явления в люминесценции полупроводников.// М.: Мир. 1994.-220 С.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!