Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Управление электрофизическими параметрами слоев карбида кремния и создание приборов для эксплуатации в экстремальных условиях

Диссертация: Управление электрофизическими параметрами слоев карбида кремния и создание приборов для эксплуатации в экстремальных условиях
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Современное развитие атомной промышленности, ядерной энергетики, военной и космической техники остро нуждается в разработках электроники нового поколения, способной работать в экстремальных условиях — повышенных уровнях радиации, температуры и химической активности. Проблема создания таких приборов весьма актуальна для обеспечения безопасности работы на атомных и космических станциях, при… Читать ещё >

Управление электрофизическими параметрами слоев карбида кремния и создание приборов для эксплуатации в экстремальных условиях (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Облучение SiC высокоэнергетичными частицами
    • 1. 1. Облучение электронами
      • 1. 1. 1. Микроструктурные исследования
        • 1. 1. 1. 1. Облучение высокоэнергетичными электронами
        • 1. 1. 1. 2. Облучение низкоэнергетичными электронами
      • 1. 1. 2. Электрические исследования образцов, облученных электронами
    • J. /.'
      • 1. 2. Облучение нейтронами
      • 1. 3. Облучение ионами
        • 1. 3. 1. Облучение протонами
        • 1. 3. 2. Облучение средними ионами
          • 1. 3. 2. 1. Облучение при низких температурах мишени
          • 1. 3. 2. 2. Облучение в нагретую мишень
      • 1. 4. Выводы
  • Глава 2. Свойства и легирование карбида кремния
    • 2. 1. Основные сведения о свойствах карбида кремния
    • 2. 2. Особенности легирования-SiC и легирующие примеси
    • 2. 3. Особенности ионного легирования карбида кремния
      • 2. 3. 1. Возможности и теоретические аспекты ионного легирования
      • 2. 3. 2. Дефектообразование при ионной имплантации А1 в SiC
    • 2. 4. Практические
  • выводы
  • Глава 3. Отработка оптимальной технологии создания ионно легированных алюминием р-п переходов в 6Н-SiC
    • 3. 1. Требования к диодным структурам
    • 3. 2. Основные методы создания р-п переходов в карбиде кремния
      • 3. 2. 1. Диффузионные р-п переходы
      • 3. 2. 2. Жидкофазная эпитаксия
      • 3. 2. 3. Р-п переходы, сформированные сублимационным методом
      • 3. 2. 4. Р-п переходы, сформированные газотранспортной эпитаксией
    • 3. 3. Диоды на основе ионно легированных р-п переходов
    • 3. 4. Методика эксперимента по отработке технологии формирования ионно-легированных алюминием р- слоев
    • 3. 5. Электрические характеристики ионно легированных алюминием р-п переходов
      • 3. 5. 1. Профиль р-п переходов в зависимости от условий ионного легирования и отжигов
      • 3. 5. 2. Распределение электрически активных акцепторов в области р-п переходов
      • 3. 5. 3. Вольт-амперные характеристики р-п переходов при малых плотностях прямого тока
      • 3. 5. 4. Вольт-амперные характеристики при больших плотностях прямого тока
      • 3. 5. 5. Обратные вольт-амперные характеристики р-п переходов
    • 3. 6. Выводы
  • Глава 4. Структурные и электрофизические особенности ионно-легированных алюминием слоев в 4#-SiC диодных структурах
    • 4. 1. Исследования влияния буферных слоев на качество я-4/7-SiC CVD эпитаксий
      • 4. 1. 1. Методика исследования CVD эпитаксиальных слоев
      • 4. 1. 2. Влияние LPE буферных слоев на характеристики CVD эпитаксий
    • 4. 2. Структурные и электрические характеристики ионно легированных алюминием р± слоев
      • 4. 2. 1. Создание и методики исследования р± слоев
      • 4. 2. 2. Структурные исследования р+ -слоев
      • 4. 2. 3. Электрические характеристики /?±слоев
    • 4. 3. Влияние процесса формирования ионно-легированных алюминием р±областей на качество CVD слоев
      • 4. 3. 1. Методики исследования CVD слоев
      • 4. 3. 2. Эффекты радиационно-ускоренной диффузии дефектов и их геттерирования в CVD слоях
      • 4. 3. 3. Влияние эффектов радиационно-ускоренной диффузии дефектов и их геттерирования на электрические характеристики GVD слоев
    • 4. 4. Выводы
  • Глава 5. Диоды на основе ионно — легированных алюминием. р±п- п структур в 4i7-SiC
    • 5. 1. Технология создания и методики исследованияр±п- п+ структур
    • 5. 2. Электрические характеристики диодов с ионно-легированными р±п переходами
      • 5. 2. 1. Вольт-фарадные и DLTS измеренияр±п переходов
      • 5. 2. 2. Прямые вольт-амперные характеристики при малых плотностях тока
      • 5. 2. 3. Прямые вольт-амперные характеристики при больших плотностях тока
      • 5. 2. 4. Обратные вольт-амперные характеристики
    • 5. 3. Выводы
  • Глава 6. SiC детекторы частиц высокой энергии
    • 6. 1. SiC детекторы высокоэнергетичных частиц
      • 6. 1. 1. Требования к детекторным структурам
      • 6. 1. 2. Детекторы на основе SiC (Обзор)
      • 6. 1. 3. Анализ механизма собирания носителей заряда в SiC детекторах
    • 6. 2. Детекторы на основе 4#-SiC CVD эпитаксиальных слоев
      • 6. 2. 1. Методика эксперимента
      • 6. 2. 2. Детекторы с барьерами Шоттки
      • 6. 2. 3. Детекторы на основе ионно-легированных алюминием р-п переходов
        • 6. 2. 3. 1. Работа детекторов при комнатной температуре
        • 6. 2. 3. 2. Работа детекторов и матриц при повышенных температурах 173 6.3. Выводы
  • Глава 7. Облучение высокоэнергетичными частицами карбида кремния и приборов на его основе
    • 7. 1. Облучение карбида кремния тяжелыми ионами
      • 7. 1. 1. Облучение тяжелыми ионами кристаллов SiC (Обзор)
      • 7. 1. 2. Структурные нарушения при облучении ЛН-SiC CVD слоев ионами B
    • 7. 2. Облучение частицами высоких энергий приборных структур на основе карбида кремния
      • 7. 2. 1. Облучение приборных структур на основе 6//-SiC (Обзор)
      • 7. 2. 2. Облучение ионно-легированных алюминием р±п г п+ структур в 4#-SiC
        • 7. 2. 2. 1. Облучение нейтронами и у — квантами
        • 7. 2. 2. 2. Облучение ионами Кг и B
        • 7. 2. 2. 3. Облучение структур рентгеновскими импульсами
    • 7. 3. Выводы

Современное развитие атомной промышленности, ядерной энергетики, военной и космической техники остро нуждается в разработках электроники нового поколения, способной работать в экстремальных условиях — повышенных уровнях радиации, температуры и химической активности. Проблема создания таких приборов весьма актуальна для обеспечения безопасности работы на атомных и космических станциях, при утилизации ядерных отходов и работе в радиоактивно-зараженных районах. Кроме того, для проведения физических экспериментов с большой радиационной нагрузкой, которые планируются на ускорителях будущего поколения в ЦЕРНе — большой адронный коллайдер (LHC) и его модернизация (SLHC), требуются приборы, способные обеспечить долговременный дозиметрический контроль во внутренних треках ядерных установок. Приборы с указанной совокупностью свойств не выпускаются в мире и не могут быть реализованы с использованием традиционных полупроводниковых материалов (Ge, Si, CdTe, GaAs). ' Одним из перспективных полупроводников для создания подобных приборов является карбид кремния. Большая ширина запрещенной зоны SiC (2.4 — 3.3 eV в зависимости от политипа) обеспечивает работоспособность приборов до высоких температур, вплоть до 1000 °C и выше. SiC имеет большую напряженность поля лавинного пробоя (3−6 MB см" 1), высокую теплопроводность (3−5 Вт см" 1 град" 1), химическую и механическую прочность, а также высокие значения пороговой энергии дефектообразования {Еа = 25−35 эВ), что является предпосылкой высокой радиационной стойкости полупроводника.

Уже первые работы в 50−60х годах прошлого столетия по изучению влияния облучения нейтронами и ачастицами на свойства SiC и приборов на его основе показали перспективность использования этого материала для высокотемпературных радиационно-стойких приборов и детекторов ядерных излучений. Однако ввиду низкого качества исходного материала, данные по изучению радиационного дефектообразования в нем и исследованию электрических характеристик SiC приборов после облучения оказались неоднозначными. Высокое содержание дефектов и высокие значения концентраций носителей в материале не позволяли получить значения разрешения по энергии в SiG детекторах выше 8−9%. В" последние годы достигнут значительный прогресс в промышленном выпуске пластин до 10 см в диаметре и в выращивании чистых эпитаксиальных слоев и-SiC с диффузионными длинами и временами жизни неосновных носителей заряда в десятки микрон и единицы микросекунд, соответственно. Появление высококачественного материала объясняет повышенный интерес, который наблюдается в последнее десятилетие в мире к изучению фундаментальных вопросов радиационного дефектообразования в SiC при облучении его различными видами ядерных излучений. Кроме того, для создания приборных структур, в настоящее время все более широко исследуется и используется облучение SiC ионами как метод легирования. •.

К началу данной работы отсутствовали сведения об электрических характеристиках ионно-легированных р-п переходов в SiC, их структурных особенностях, взаимосвязи этих характеристик с режимами изготовления, а также влияния процессов имплантации на свойства исходного материала. Несмотря на значительное количество материала по облучению SiC различными частицами высоких энергий, практически отсутствовали сведения по облучению тяжелыми ионами высоких энергий (>1 МэВ / а.е.м.), моделирующими структурные нарушения, которые создаются осколками деления ядер. Кроме того, к моменту начала работы отсутствовали данные о высокотемпературных характеристиках выпрямительных диодов и детекторов ядерных излучений, сформированных на основе ионно-легированных р-п переходов в SiC. Настоящая диссертационная работа направлена на решение этих важных проблем.

Целью работы является создание карбид кремниевых высокотемпературных радиационно стойких выпрямительных и детекторных структур на основе ионно-легированных алюминием р-п переходов. А также исследование влияния облучения высокоэнергетичными частицами на структурные, оптические и электрофизические характеристики SiC и приборов на его основе для изучения процессов радиационного дефектообразования и управления электрофизическими параметрами материала.

Объектами исследований в работе были кристаллы политипа бЯ-SiC я-типа проводимости и эпитаксиальные слои, выращенные на таких кристаллах сублимационным сэндвич-методом (SSE). Также в работе использовались структуры с эпитаксиальными слоями тз-4/7-SiC, выращенными методом газотранспортной эпитаксии (CVD) на высоколегированных подложках n±4H-SiC. Для исследования электрофизических характеристик исходного материала и приборных структур, формировались барьеры Шоттки (БШ) и ионно-легированные (ИЛ) р-п переходы.

Основные задачи, решаемые в работе:

1. Теоретический анализ особенностей ионного легирования карбида кремния различными ионами и выбор основных направлений в технологии создания низкоомных ионно-легированных р± слоев.

2. Разработка оптимальной технологии формирования ионно-легированных алюминием р±п переходов в SiC путем изучения взаимосвязей их структурных особенностей с режимами ионного легирования. Легирование проводилось в образцы 6Н с концентрациями некомпенсированных доноров. 1×1017 — 5×1018 см" 3 ионами А1 в диапазоне.

1С I п п доз 3×10 -5×10 см" и отжигались термически в интервале температур 1450 — 1950 °C в течение 5 — 2700 с.

3. Разработка технологии улучшения качества 4H-SIC CVD эпитаксиальных слоев при их росте введением тонких буферных слоев, сформированных методом жидкофазной эпитаксии (LPE) на подложках, выращенных методом ЛЭТИ.

4. Изучение процессов управления проводимостью ионно-легированных алюминием р±слоев в карбиде кремния, и их влияние на структурные и электрофизические свойства исходного материала.

5. Изучение влияния облучения нейтронами, а также ионами А1, Кг и Bi.

О 1 *7 в широком интервале их энергий (40 кэВ — 710 МэВ) и флюенсов (10 — 10 см") на дефектообразование в 6Н и 4#-SiC.

6. Создание эффективных детекторов ядерных излучений на основе структур с ионно-легированными алюминием р±п переходами, работающих в экстремальных условиях. t.

Научнаяновизна работы состоит в следующем:

1. Разработана модель, объясняющая формирование прямоугольных профилей алюминия, имплантированного в карбид кремния. Согласно предложенной модели, в процессе быстрого высокотемпературного термического отжига аморфизованных имплантацией слоев, наблюдается аномально быстрая диффузия примеси в процессе твердофазной эпитаксиальной кристаллизации.

2. Впервые показано, что имплантация ионов А1 в SiC дозами аморфизации и последующий быстрый высокотемпературный термический отжиг приводят к улучшению качества исходного материала. Это объясняется эффектами радиационно-ускоренной диффузии дефектов в процессе имплантации и геттерирования дефектов в объеме образца в процессе быстрого термического отжига. Оба этих явления связаны с трансформацией метастабильных состояний в карбиде кремния.

3. Переменный профиль электрически активной примеси вблизи ионно-легированных р±п переходов в SiC объясняется неравновесно-ускоренной диффузией атомов А1 в процессе быстрого термического отжига. Концентрационный профиль примеси в области неравновесно-ускоренной диффузии имеет поверхностную и объемные ветви, на границе которых формируются ионно-легированные р±п переходы.

4. Впервые наблюдалось улучшение спектрометрических характеристик карбид кремниевых детекторов ядерных излучений с ростом температуры до 400 °C, что объясняется структурными особенностями ионно-легированных алюминием р±п переходов, указанными выше.

5. При облучении карбида кремния высокоэнергетичными частицами в широком диапазоне их масс и энергий, образуются радиационные дефекты одинаковой природы. Показано, что в пAH-SiC дефектные центры с уровнями Ес — 0.37 эВ и Ес — 0.74 эВ являются компенсирующими, а центр Ес — 0.68 эВ (Zi) ответственен за время жизни неосновных носителей заряда.

Научная и практическая значимость работы состоит в следующем:

1. Разработаны оптимальные режимы имплантации ионов А1 в SiC и быстрого высокотемпературного термического отжига, формирующие р±слои с удельным сопротивлением < 0.5 Ом см, что обеспечивает формирование низкоомных А1 омических контактов с удельным контактным сопротивлением < 4×10″ 4 Ом см2.

2. Разработана технология создания ионно-легированных алюминием SiC диодов, работающих др плотностей тока 8 кА см-2 в прямом направлении и обратными напряжениями, близкими к расчетным. При плотности прямого.

О о тока 1 кА см" дифференциальные сопротивления составляют менее 3×10.

Ом см" за счет модуляции базовой и-области неравновесными носителями заряда. Нагрев структур до 500 °C приводит к улучшению характеристик в прямом направлении без необратимых процессов.

3. Разработан способ улучшения структурного качества CVD эпитаксиальных слоев с помощью формирования на подложках SiC, выращенных по методу ЛЭТИ, тонких я±буферных слоев (< 0.1 мкм) методом жидкофазной эпитаксии, что приводит к уменьшению количества и равномерному распределению по площади образца микропор, дислокаций и концентраций глубоких дефектных центров в GVD слоях.

4. Предложен метод улучшения качества исходного материала карбида кремния за счет эффектов ускоренной диффузии радиационных дефектов в процессе высокодозовой имплантации ионов А1 и геттерирования дефектов в объеме при последующем быстром высокотемпературном термическом отжиге. Этот метод открывает широкие возможности по управлению параметрами исходного материала и является новым направлением в технологии SiC.

5. Предложен метод увеличения быстродействия карбид кремниевых приборов путем управления временем жизни носителей заряда при облучении быстрыми нейтронами. Измененные значения времени жизни остаются постоянными вплоть до рабочих температур 400−500 °С.

6. Показано, что низкотемпературный отжиг радиационных дефектов увеличивает радиационный ресурс карбид кремниевых приборов при облучении. Структуры на основе ионно-легированных алюминием р-п переходов, деградированные в процессе облучения различными видами высокоэнергетичных частиц, частично восстанавливают свои электрические характеристики при рабочих температурах 400−500 °С.

7. Разработана технология создания, на основе ионно-легированных алюминием р±п переходов, карбид кремниевых детекторов ядерных излучений в единичном и матричном исполнении с разрешением по энергии, соизмеримой с лучшими кремниевыми детекторами и с улучшением спектрометрических характеристик при рабочих температурах до 400 °C.

8. По результатам исследований получено авторское свидетельство № 969 125 «Способ создания р-п перехода на SiC и-типа проводимости». ю.

В результате проведенных исследований разработан новый класс приборов, в том числе детекторов ядерных излучений, на основе ионно-легированных алюминием р±п переходов в SiC, с увеличенным радиационным и временным ресурсами при повышенных рабочих температурах 400−500 °С в процессе ядерных облучений.

Научные положения, выносимые на защиту:

16 2.

Положение 1. Сочетание высокодозовой (5×10 см") имплантации ионов алюминия в карбид кремния и-типа проводимости, создающей аморфные слои с Гауссовым распределением примеси, и быстрого (15 с) термического отжига при 1750 °C формирует прямоугольный профиль примеси. Перераспределение А1 в имплантированных слоях происходит по механизму твердофазной эпитаксиальной кристаллизации.

Положение 1. Быстрый высокотемпературный термический отжиг слоев, аморфизованных имплантацией ионов алюминия в карбид кремния п-типа проводимости, приводит к улучшению качества исходного материала. Увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в исходном материале объясняется распадом метастабильных состояний в процессе: совместного действия эффектов ускоренной диффузии радиационных дефектов при имплантации и генерирования дефектов при отжиге;

Положение 3. Расположение ионно-легированных алюминием р±п переходов в карбиде кремния и переменный профиль электрически активной примеси в области переходов обусловлены неравновесно-ускоренной диффузией имплантированных атомов в процессе быстрого термического отжига. Наличие двух ветвей в диффузионном распределении алюминия связано с особенностями образования метастабильных дефектов при различной концентрации имплантированной примеси.

Положение 4. Наличие метастабильных состояний, образующихся в карбиде кремния при воздействии различных видов радиации и отжигаемых в различных температурных интервалах, позволяет управлять свойствами материала и приборов на его основе, работающих в экстремальных условиях:

— низкотемпературный отжиг радиационных дефектов увеличивает радиационный и временной ресурс приборов при облучении;

— высокотемпературный отжиг радиационных дефектов позволяет изменять время жизни неравновесных носителей заряда, т. е. частотный диапазон приборов.

Положение 5. Разработанная технология формирования тонких (< 0.3 мкм) ионно-легированных алюминием р±п переходов в карбиде кремния позволяет создавать высокотемпературные детекторы ядерных излучений нового класса. При нагреве детекторов до 400 °C в процессе облучения наблюдается улучшение как эффективности собирания неравновесного заряда, так и разрешения по энергии.

Результаты исследований, выполненных в диссертационной работе, представляют фундаментальный интерес и могут быть использованы при разработке новых высокотемпературных карбид кремниевых приборов силовой электроники и детекторов ядерных излучений.

Апробация результатов работы.

Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и совещаниях:

— II Всесоюзное совещание по широкозонным полупроводникам (С.Петербург, 1979);

— 37я Конференция по материалам для электроники (С.-Петербург, 1995);

— 23й Международный симпозиум по сложным полупроводникам (С.Петербург, 1996);

— 2 и Зя Международные конференции по высокотемпературной электронике (NiTEN: Manchester, England, 1997; Berlin, Germany, 1999);

— 9я Международная конференция по Алмазам и Алмазоподобным материалам, Нитридам и Карбиду Кремния (Diamond: Crete, Grecce, 1998);

— 5я Международная конференция «ЕХМАТЕС» (Crete, Grecce, 2000);

— два Европейских симпозиума по исследованию материалов (E-MRS: Strasbourg, France, 1996; 2001);

— 3, 4, 5й Международные семинары «Карбид кремния и родственные материалы» (ISSCRM: Великий Новгород, Россия, 2000,2002, 2004);

— 5, 8, 9, 11я Международные конференции по карбиду кремния и родственным материалам (ICSCRM: Washington, USA 1993; Research Triangle Park, North Carolina, USA, 1999; Tsukuba, Japan, 2001; Pittsburg, Pennsylvania, USA, 2005);

— Зя Российская Международная* конференция по учету, контролю и физической защите ядерных материалов (Обнинск, Россия, 2005);

— 8я Международная конференция «Зондовые методы исследования микроструктур на основе полупроводников» (С.-Петербург, Россия, 2006);

— 1, 3−7я Европейские конференции по карбиду кремния и родственным материала (ECSCRM: Heraklion, Crete, Greece, 1996; Klaster Banz, Germany, 2000; Linkoping, Sweden, 2002; Bologna, Italy, 2004; Newcastle upon Tyne, UK, 2006; Barselona, Spain, 2008).

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, семи глав, заключения. Она содержит 251 страницу текста, включая 121 рисунок, 8 таблиц и 356 ссылок на литературные источники.

Основные результаты работы могут быть сформулированы следующим образом:

1. Проведен анализ влияния облучения различными высокоэнергетичными частицами в широком интервале их масс (от электронов до ионов Bi), энергий (от десятков эВ до-единиц Гэв) и доз (10 919 2.

10 см") на дефектообразование в SiC различных политипов. Показаны общие с другими полупроводниками и выявлены характерные для SiC закономерности радиационного дефектообразования: Наиболее важным выводом является то, что активный отжиг простых дефектов происходит при температурах 400−500°С, при этом мала скорость, образования высокотемпературных сложных дефектных комплексов: На основе проведенного анализа подтверждена радиационная стойкость SiC и предсказана возможность повышения, радиационного и временного ресурсов приборов на его основе при повышенных рабочих температурах.

2. На основе анализа особенностей электрофизических свойств SiC и трудностей его легирования1 акцепторными примесями, показана эффективность, получения, низкоомных //-слоев неравновесным методом, легирования — имплантацией ионов. А1. С, учетом, теоретических • и экспериментальных данных по особенностям имплантации А1 и дефектообразованию в SiC, разработана технология формирования А1 ионно-легированных р±п переходов путем изучения взаимосвязей их структурных особенностей с режимами ионного легирования в широком диапазоне доз легирования (ЗхЮ15 — 5×1017 см" 2), с режимами термического отжига в широком интервале температур (1450−1950°С) и длительностей отжигов 52 700 с, а также с концентрациями нескомпенсированных доноров в исходных образцах (1−50)х1017 см «3.

3. Впервые для SiC разработана методика получения ионно-легированных А1 р±п переходов с охранными кольцами, сформированными диффузией В. Это позволило исключить поверхностный пробой в диодных структурах и исследовать характеристики в б/7-SiC одиночных или нескольких объемных микроплазм, а также «однородного» пробоя в направлении электрического поля Е || С.

4. Разработана технология улучшения качества 4#-SiC CVD эпитаксиальных слоев с применением LPE буферных слоев толщиной <0.1 мкм, что обеспечивает снижение концентрации компенсирующих примесей А1 и В в 4−5 раз, плотности микропор в 5−6 раз, плотности дислокаций более, чем на порядок и концентрации глубоких центров в 3−4 раза по сравнению с CVD слоями, выращенными непосредственно на п± подложках или с использованием толстого буфера.

5. Детально исследованы структурные и электрические характеристики имплантированных А1 тонких (> 0.3 мкм) р±слоев, сформированных в чистых 4/7-SiC CVD слоях по отработанной технологии. Показано, что после имплантации формируются аморфные слои с Гауссовым распределением А1 по глубине. Быстрый (15 с) термический отжиг при 1700 °C формирует низкоомные р±слои с «box» профилем внедренной примеси и сложным структурным составом по механизму твердофазной эпитаксиальной кристаллизации.

6. Впервые при имплантации ионов А1 в 4/7-SiC CVD эпитаксиальные-слои и последующем быстром термическом отжиге наблюдались эффекты дальнодействия и геттерирования дефектов, совместное действие которых привело к улучшению структурного качества CVD слоев, что сопровождалось уменьшением на порядок концентрации глубоких центров, и увеличением диффузионной длины Ьр в 1.5−2 раза по сравнению с* исходными образцами.

7. По разработанной технологии в чистых 4Л-SiC CVD слоях сформированы А1 ионно-легированные р±п-п+ структуры, стабильно работающие до плотностей тока 8 кА см с дифференциальным сопротивлением < ЗхЮ" 3 Ом см" 2, с удельными контактными сопротивлениями (4−8)хЮ" 4 Ом см2 и обратными напряжениями < 1750 В. При повышении рабочей температуры диодов до 500 °C их сопротивление уменьшалось, что подтверждает высокую работоспособность приборов на основе SiC при повышенных температурах с улучшением их характеристик в пропускном направлении.

8. Впервые при облучении 4#-SiC CVD' слоев тяжелыми ионами Bi получены экспериментальные данные о распределении радиационных дефектов вдоль траектории ионов, совпадающие с теоретическими.

Показано, что даже для максимального уровня потерь энергии 34 кэВ/нм не было замечено образования аморфной фазы, что указывает на высокую радиационную стойкость материала.

9. Впервые на детекторных структурах, выполненных в виде барьеров Шоттки на высококачественных CVD слоях 4i7-SiC, при тестировании а-частицами с энергией 5.1−5.5 МэВполучено разрешение по энергии 0.34%, соизмеримое с лучшими образцами Si-детекторов. Этому способствовало.

10 э низкое содержание дефектных центров (< 2×10 см") в эпитаксиальных слоях, что обеспечило высокие и однородные по объему слоев значения диффузионных длин Lp = 8−13 мкм: Диоды Шоттки имели обратные токи < 1 пА при обратных напряжениях 500 В.

10: Впервые измерения спектрометрических характеристик 4H-SIC детекторов на базе ионно-легированных А1 р±п переходов проводились при температурах до 400 °C, недоступных для детекторов, выполненных на более узкозонных материалах. Показано, что увеличение рабочей температуры-детекторов приводит к повышению эффективности собираниязаряда и значительному улучшению разрешения по энергии. Впервые для важной в. спектрометрии' константы — средней? энергии образования парыэлектрон-дырка, получено значение sSic = 7.7 эВ. Указанные характеристики позволяют рассматривать результат работы в целом, как появление высокотемпературных детекторов нового класса на основе SiC.

11. Облучение SiC нейтронами приводит к уменьшению времени жизни неосновных носителей заряда в температурном диапазоне 25−500°С. Это открывает возможности повышения быстродействия SiC приборов даже при рабочих температурах 400−500°С, контролируемо изменяя времена жизни носителей заряда.

12. 4H-SiC диодные структуры с А1 ионно-легированными р±п переходами, деградированные при облучении нейтронами, ионами Кг и Bi, частично восстанавливали выпрямляющие свойства при нагреве до 400−500°С. Это указывает на увеличение радиационного ресурса приборов на основе SiC при повышенных рабочих температурах.

13. Впервые исследовано влияние мощных рентгеновских импульсов (1.77×1010 рад с" 1) длительностью 22 не на степень деградации 4i7-SiC приборов и скорость их восстановления. Было показано, что SiC имеет более высокую стойкость по сравнению с Si приборами к мощным импульсам рентгеновского излучения и более высокую скорость восстановления электрических характеристик, измененных в процессе облучения.

В заключение хочу выразить глубокую благодарность и искреннюю признательность моему научному руководителю проф. Г. Ф. Холуянову и доценту ЛЭТИ Г. Н. Виолиной, инициаторов данной работы, которые внесли неоценимый вклад в проведение исследований, передавая свой богатый опыт научной и экспериментальной работы.

Считаю своим приятным долгом поблагодарить за дружескую поддержку и помощь заведующего лабораторией «Физики полупроводниковых приборов» д.ф.-м.н., проф. А. А. Лебедева и коллег, сотрудников лаборатории.

Особую благодарность выражаю всем моим соавторам, высокий профессиональный уровень которых и постоянный интерес к рассматриваемым проблемам позволили наблюдать и интерпретировать новые эффекты в карбиде кремния, а также на его основе создавать высокотемпературные приборы нового класса. Это Е. Н. Мохов, Н. Б. Строкан, В. Г. Коссов, А. П. Коварский, О. В. Александров, A.M. Иванов, A.M. Стрельчук, А. С. Зубрилов, А. О. Константинов, В. А. Скуратов, М. В. Заморянская.

Список публикаций, включенных в-диссертацию.

1. Калинина Е. В. Прокофьева Н.К., Суворов А. В., Г. Ф. Холуянов, В. Е. Челноков. Электрические свойства р-п-переходов, полученных ионным легированием n-SiC. // ФТП, 1978, Т. 12, С.2305−2308.

2. Калинина Е. В. Суворов А.В., Холуянов Г. Ф. Электрические свойства карбид-кремниевых р-п переходов, полученных имплантацией алюминия: Сб. Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. / Ленинград, 1979, 333−339 с.

3. Калинина Е. В., Суворов А. В., Холуянов-Г.Ф: Структура и свойства ионно-легированных р-п переходов в SiC.// ФТП, 1980, Т. 14, № 6, С. 1099−1102.

4. Виолин Э. Е., Калинина Е. В., Холуянов Г. Ф. Способ создания р-п переходов на SiC n-типа проводимости. — Заявка № 3 237 481 от 14.01.81, гриф «Т», А.С. № 969 125 от 22.06.82.

5. Одинг В. Г., Водаков Ю. А., Калинина Е. В., Мохов Е. Н, Демаков К. Д., Столярова В. Г., Холуянов Г. Ф. Катодолюминесценция SiC, ионно-легированного А1 и Аг. // ФТП, 1984, Т. 18, В.4, С. 700−702.

6. Калинина Е. В., Ковальчук Ю. В., Прищепа Г. В., Смольский О. В. Влияние воздействия, ультракоротких лазерных импульсов на электрофизические свойства карбида кремния.// Письма в ЖТФ- 1985, T. l 1, № 11, С.669−671.

7. Боровик А. С., Гражданкин В-А., Демаков К. Д., Иванов П. В., Калинина Е. В., Рамм М. Г., Холуянов Г. Ф. Особенности профилей ионно-легированных р-п переходов. // ФТП, 1986, Т.20, № 9, С. 1748.

8. Водаков Ю. А., Демаков К. Д., Калинина Е. В., Мохов Е. Н., Рамм М. Г., Холуянов Г. Ф. Электрические свойства структуры р-п-п+ в карбиде кремния, полученной ионным легированием алюминия. // ФТП, 1987, Т.21, В.9, С.1685−1689.

9. Kalinina E.V., Kholujanov G.F. Structure and electrical properties of implantation-doped pn junctions in SiC. // Inst. Phys. Conf. Ser. № 137, Chapter 6, 1993, P.675−677.

10. Kalinina E.V., Kholujanov G.F., Zubrilov A.S., D: V. Tsvetkov, M.P. Vatnik, V.A. Soloviev, V.D. Tretjakov, H. Kong, V.A. Dmitriev. Effect of ion doping on the electrical and luminescent properties of 4H-SiC epitaxial p-n junctions. // Mat. Sci Eng. В, 1997, V.46, P.259−262.

11. E. Kalinina, G. Kholujanov, A. Shchukarev, N. Savkina, A. Babanin, M. Yagovkina, N.I. Kuznetsov. Pd ohmic contacts to p-SiC 4H, 6H and 15 R polytypes. // Diamond and Related Materials, 1999, V.8, P. l 114 -1117.

12. E.V. Kalinina, A.S. Zubrilov, N.I. Kuznetsov, I.P. Nikitina, A.S. Tregubova, M.P. Shcheglov, V. Bratus'. Structural, electrical and optical properties of bulk 4H and 6H p-type SiC.//Mat. Sci. Forum, 2000, V. 338−342, P.497−500.

13. E. Kalinina., A. Zubrilov, V. Solov’ev, N. Kuznetsov, A. Hallen, A. Konstantinov. S. Karlsson, S. Rendakova, V. Dmitriev. 4H-SiC CVD epitaxial layers with improved structural quality grown on SiC waters with reduced micropipe density. // Mat. Sci. Forum, 2000, V.338−342, PI505−508. 14. Kalinina E., Kholujnov G., Solov’ev V., Strel’chuk A., Zubrilov A. High-dose Al-implanted 4H SiC p±n-n+ junctions. // Appl. Phys. Lett., 2000, V.77, № 19, P.3051.

15. Виолина Г., Шкребий П., Калинина Е., Холуянов Г., Косов В., Яфаев Р., Халлен А., Константинов А. Карбидкремниевые детекторы частиц высокой энергии: Сб. докладов // III. Международный семинар Карбид кремния и родственные материалы. (ISSCRM-2000) — Великий Новгород, 2000, 213−221с.

16. Виолина Г., Калинина Е&bdquoХолуянов Г., Косов*В., Яфаев! Р., Халлен А., Константинов А., Онушкин Г. Фотоэлектрические свойства 4H-SiC ионно-легированных алюминием р±п переходов: Сб. докладов / III Международный семинар Карбид кремния и родственные материалы (ISSCRM-2000) — Великий Новгород, 2000, 136−141с.

17. G.N. Violina, Е. У. Kalinina, G.F. Kholujanov, V. Kossov, R. Yafaev, A. Hallen, A. Konstantinov, G. Onushkin. Photoelectrical Properties of 4H-SiC A1 Ion-Doped p±n Junctions.// Journal of Wide Bandgap Materials, 2000, V.8, No. l, P. 41−48.

18. Kalinina E., Kholujnov G., Zubrilov A., V. Solov’ev, D. Davydov, A. Tregubova, M. Sheglov, A. Kovarskii, M. Yagovkina, G. Violina, G. Pensl, A. Hallen, A. Konstantinov, S. Karlsson. Structural, electrical, and optical properties of low-doped 4H-SiC chemical vapor deposited epitaxial layers. // J. Appl. Phys., 2001, V.90, № 10, P.5402−5409.

19. Kalinina E., Kossov V., Shchukarev A., V. Bratus', G. Pensl, S. Rendakova, V. Dmitriev, A. Hallen. Material quality improvements for high voltage 4H-SiC diodes. // Mat. Sci. Eng. B, 2001, V.80, P.337−341.

20. Kalinina E., Kholujnov G., Solov’ev V, Strel’chuk A., Kossov V., Yafaev R., Kovarski A., Shchukarev A., Obyden S., Saparin G., Ivannikov P.- Hallen A., Konstantinov A. Influence of ion implantation on the quality of 4H-SiC CVD epitaxial layers. // Appl. Surf. Sci., 2001, V. 184, P:323−329.

21. V.Ya. Bratus', T.T. Petrenko, H.J. von Bardeleben, E.V. Kalinina, A. Hallen. Vacancy-related defects in ion-beam and electron irradiated 6H-SiC.// Appl. Surf. Sci., 2001, V. 184, P.229−236.

22″. Kalinina E., Onushkin G., Strel’chuk A., D. Davidov, V. Kossov, R. Yafaev, A. Hallen, A. Kuznetsov, A. Konstantinov. Characterization of Al-implanted 4H SiC high voltage diodes. // Physica Scripta T, 2002, V. 101, P.207.

23. А. ЮНикифоров, E. B'. Калинина, В. В. Лучинин, A.M. Стрельну к, Д. В. Давыдов. В сб.: Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2002» (М., Паимс, 2002), 5, с: 169.

24. Kalinina Е., G. Kholujanov, A. Sitnikova, V. Kossov, R. Yafaev, G. Pensl, S. Reshanov, A. Hallen, A. Konstantinov. Gettering effect with implanted A1 in 4H-SiG CVD epitaxial layers.// Abstracts for IV International Seminar on Silicont Carbide and Related Materials, Novgorod the Great, Russia, 2002, P.37.

25. Kalinina E., G. Kholujanov, G. Onushkin, D.- Davidov, A. Strel’chuk, A. HallenA. Konstantinov,.V. Skuratov, J. Stano. Electrical study of 4H-SiC CVD* epitaxial layers irradiated, with swift heavy ions.// Abstracts for IV International Seminar on Silicon Carbide and Related Materials, Novgorod the Great, Russia, 2002, P.53.

26. Kalinina E" G. Kholujanov, D. Davidov, A. Strel’chuk. Electrical study of the neutron irradiated 4H-SiC CVD epitaxial layers.// Abstracts for IV International Seminar on Silicon Carbide and Related Materials, Novgorod the Great, Russia, 2002, P.56.

27. Kalinina E., Kholujanov G., Goldberg Yu., Blank Т., Onushkin G., Strel’chuk A., Violina G., Kossov V., Yafaev R., Hallen A., Konstantinov A. Ion implantation tool for fabrication of advanced 4H-SiC devices. // Mat. Sci. Forum, 2002, V.389−393, P.835−838.

28. Виолина Г. Н., Калинина E.B., Холуянов Г. Ф., Онушкин Г. А., КоссовВ.Г., ЯфаевР.Р., ХалленА., Константинов А. О. Фотоэлектрические свойства р±п-переходов на основе 4H-SiC, ионно-легированного алюминием.// ФТП, 2002, Т. 36, № 6, С.746−749.

29. Виолина Г. Н., Калинина Е. В., Холуянов Г. Ф., В. Г. Косов, P.P. Яфаев, А. Hallen, А. О. Константинов. Карбидкремниевые детекторы частиц высокой энергии. // ФТП, 2002, Т. 36, № 6, С.750−755.

30. Kalinina Е., Kholujanov G., G. Onushkin, D. Davydov, A. Strel’chuk, A. Hallen, A. Konstantinov, V. Skuratov, J. Stano. Electrical and optical study of 4H-SiC CVD epitaxial layers irradiated with swift heavy ions. // Mat. Sci. Forum, 2003, V.433−436, P.467−470.

31. Kalinina E. Kholujanov G., Sitnikova A., V. Kossov, R. Yafaev, G. Pensl, S. Reshanov, A. Hallen, A. Konstantinov. Gettering effect with A1 implanted into 4H-SiC CVD epitaxial layers. //Mat. Sci. Forum, 2003, V.433−436, P.637−640.

32. Калинина E.B., Холуянов Г. Ф., Давыдов Д. В., Стрельчук A.M., A. Hallen, Константинов A.O., Лучинин В. В., Никифоров А. Ю. Влияние облучения быстрыми нейтронами на электрические характеристики приборов на основе CVD эпитаксиальных слоев 4H-SiG. // ФТП, 2003, Т.37, С.1260−1264.

33. A.Y. Nikiforov, PiK. Skorobogatov, D.V. Boychenko, V.S. Figurov, V.V. Luchinin, E.V. Kalinina. Dose Rate Behavior of 4H-SiC Diodes.// Proceedings for RADECS 2003, Noordwijk, 2003, 15−16 p.

34. EKalinina E, G. Kholujanov, G. ViolinaG. Onushkin, A. Ivanov, N. Strokan, A. Konstantinov. High energy resolution detectors based on 4H-SiC for ions and nuclear particles. // Abstracts for V International Seminar on Silicon Carbide and Related Materials, Velikiy Novgorod, Russia, 2004, P. 103−104.

35. E. Kalinina, G. Onushkin, D. Davidov, A. Strel’chuk, A. Konstantinov, A. Hallen, A. Nikiforov, V. Skuratov, K. Havancsak. Optical and electrical properties of 4H-SiC irradiated with neutrons and heavy ions.// Abstracts for V International Seminar on Silicon Carbide and Related Materials, Velikiy Novgorod, Russia, 2004, P. 50−51.

36. A. Strel’chuk, E. Kalinina. G. Onushkin, A. Konstantinov, A.Hallen. Features of current-voltage characteristics of Cr Schottky diodes based on low-doped 4H-SiC.// Abstracts for V International Seminar on Silicon Carbide and Related Materials, Velikiy Novgorod, Russia, 2004, P. 116−117.

37. Иванов A.M., Калинина E.B., Константинов A.O., Онушкин Г. А., Н. Б. Строкан, Г. Ф. Холуянов, A.Hallen. Детекторы короткопробежных ионов с высоким энергетическим разрешением на основе 4H-SiC пленок. // Письма в ЖТФ, 2004, Т.30, В.14, С.1−7.

38. Калинина Е. В., Холуянов Г. Ф., Онушкин Г. А., Д. В. Давыдов, A.M. Стрельчук, А. О. Константинов, A. Hallen, А. Ю. Никифоров, В. А. Скуратов, К. Havancsak. Оптические и электрические свойства 4H-SiC, облученного нейтронами и тяжелыми ионами высоких энергий. // ФТП, 2004, Т.38, № 10, С.1223−1227.

39. Kalinina Е. Kholuyanov G., Strel’chuk A., D. Davydov, A. Hallen, А. Konstantinov, A. Nikiforov. Electrical study of the fast neutrons irradiated devices based on 4H-SiC CVD epitaxial layers. // Mat. Sci. Forum, 2004, V.457−460, P.705−708.

40. Kalinina E" Kholujanov G., Onushkin G., D. Davydov, A. Strel’chuk, A. Konstantinov, A. Hallen, V. Skuratov, A. Kuznetsov. Comparative study of 4H-SiC irradiated with neutrons and heavy ions. // Mat. Sci. Forum, 2005, V.483−485, P.377−380.

41. Strel’chuk A.M., Kalinina E.V., Konstantinov A.O., A. Hallen. Influence of gamma-ray and neutron irradiation on" injection characteristics of 4H-SiC pn' structures. // Mat. Sci. Forum, 2005, V.483−485, P!993−996.

42. Ivanov A., Kalinina E., Kholujanov G., G. Onushkin N. Strokan, A. Konstantinov, A. Hallen. High energy resolution* detectors based on 4H-SiC. // Mat. Sci. Forum, 2005, V.483−485, P.1029−1032.

43. Строкан Н. Б., Иванов A.M., Калинина E.B., Холуянов Г. Ф., Онушкин-Г.А., Давыдов Д. В., Виолина Г. Н. Спектрометрия короткопробежных ионов детекторами на основе CVD пленок 4H-SiC. // ФТП, 2005, Т.39, В. З, С.382−387.

44. Калинина Е. В., Косов В. Г., Строкан Н. Б., Иванов A.M., P.P. Яфаев, Холуянов Г. Ф. Спектрометрические свойства SiC-детекторов на основе ионно-легированных р±п-переходов. // ФТП, 2006, Т.40, В.9, С. 1123−1127.

45. Kalinina Е., Strel’chuk A., Lebedev A., Strokan N., Ivanov A., Kholuyanov G. Radiation hard devices based on SiC. // Mat. Sci. Forum, 2006, V.527−529, P.1473−1476.

46. Калинина E.B., Скуратов B.A., Ситникова A.A., Колесникова А. А., Трегубова А. С., Щеглов М. П. Структурные особенности 4H-SiC, облученного ионами висмута. // ФТП, 2007, Т.41, №.4- С.392−396.

47. Калинина Е. В. Влияние облучения на свойства SiC и приборы" на его основе // ФТП, 2007, Т.41, №.7, С.769−805. (Обзор).

48. Kalinina E., Strokan N., Ivanov A., A. Sadohin, A. Azarov, V. Kossov, R. Yafaev, S. Lashaev. 4H-SiC high temperature spectrometers. // Mat. Sci. Forum, 2007, V.556−557, P.941−944.

49. E.V. Kolesnikova, E.V. Kalinina, A.A. Sitnikova, M.V. Zamoryanskaya, T.B. Popova. Investigation of 4/f-SiC layers implanted by Al ions. // Solid State Phenomena, 2008, V. 131−133, P. 53−58.

50. Калинина E.B., Строкан Н. Б., Иванов A.M., A.A. Ситникова, A.M. Садохин, А. Азаров, В. Г. Косов, P.P. Яфаев. Высокотемпературные матрицы детекторов ядерного излучения на основе 4H-SiC ионно-легированных р±п переходов. // ФТП, 2008, Т.42, № 1, С.87−93.

51. Е. В. Калинина, A.M. Иванов, Н. Б. Строкан. Р-п-детекторы ядерного излучения на основе пленок 4H-SiC для работы при повышенных температурах (375 °С). // Письма в ЖТФ, 2008, Т.34, № 5, С.63−70.

52. A.M. Иванов, Е. В. Калинина, Н. Б. Строкан. Перенос заряда в полупроводниковых SiC-детекторах ионизирующих излучений при наличии слоя центров захвата.// Письма в ЖТФ, 2008, Т.34, № 24, С. 61−67.

53. О. В. Александров, Е. В. Калинина. Перераспределение А1 в имплантированных слоях SiC в процессе термического отжига.// ФТП, 2009, Т.43, № 5, С.584−589.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Livingston M.S. and BetheH.A. Nuclear Physics C. Nuclear Dynamics, Experimental // Rev. Mod. Phys. 1937. — V.9 — P.245−390.
  2. МоттН. иМессиГ. Теория атомных столкновений, 1936.
  3. Seitz F. On the disordering of solids by action of fast massive particles // Disc. Farad. Soc. 1949. — V.5 — P.271−282.
  4. Кинчин Г. Х, Пиз P.C. Смещение атомов в твердых телах под действием излучения // УФН. 1956. -V. 60, № 4 — Р. 590−615.
  5. Бор Н. Прохождение атомных частиц через вещество. Пер. с англ. М.: ИЛ, 1960.
  6. B.C., Ухин Н. А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969.
  7. Л.С. Вопросы радиационной технологии полупроводников. Новосибирск. Наука, 1980.
  8. B.C., Горин Б. М., Данилин Н. С., Кив А.Е., Нуров- Ю.Л., Шаховцов В. И. Радиационные методы в твердотельной электронике. М: Радио и связь, 1990.
  9. Shockley W. Forming Semiconductor Devices by Ionic Bombardment, U.S. Patent № 2 787 564 (1957).
  10. Д. Палмер. Успехи ионной имплантации. // Сб. Ионная имплантация в полупроводники и другие матриалы. Ml, Мир, 1980, с.7−64.
  11. СтильбансЛ.С.- М.: Физика полупроводников, Сов. Радио 1967, 167с.
  12. Ballandovich V.S., Violina G.N. An investigation of radiation defects in silicon carbide irradiated with fast electrons.//Cryst. Lattice Defects Amorphous Mater.-l987. V. l3 — P. 189−193.
  13. Schneider J., Maier K. Point defects, in silicon carbide // Physica B.-1993 — V.185 —P.199−206.
  14. А.И., Кулешин B.A., Мокрушин А. Д., Мохов Е. Н., Свирида С. В., Шишкин А. В. Позитронная диагностика вакансионных дефектов в облученном электронами SiC. // ФТП. -1989/ Т. 23, № 12 — С. 2159−2163.
  15. Inui Н., Mori Н., Fujuta Н. Electron-irradiation-induced crystalline to amorphous transition in a -SiC single crystals. // Phil. Mag. B. 1990: — V.61, № 1 -P.107−124.
  16. Son N., Sorman E., Chen W., Hallin C., Kordina O., Monemar M., Janzen E., Lindstrom J.L. Optically defected magnetic resonance studies of defects in electron-irradiated 3C SiC layers. // Phys. Rev. B. 1997. — V. 55, № 5 — P. 28 632 865.
  17. Kawasuso A., Itoh H., Cha D., Okada S. Characterization of defects in electron irradiated 6H-SiC by positron lifetime and electron spin resonance. // Mat. Sci. Forum. 1998. — V.264−268 — P. 611−614.
  18. Staab Т., Torpo L.M., Puska M.J., Nieminen R.M. Calculated positron annihilation parameters for defects in SiC. // Mat. Sci. Forum. 2001. — V. 353 356 — P.533−536.
  19. Brauer G., Anward W., Nicht E.-M., Kuriplach J., Sob- M., Wagner N., Poleman P: G., Puska M.J., Korhonen T. Evaluation of some basic positron-related characteristics of SiC II Phys. Rev. B. 1996. — V. 54-P.2512.
  20. Sorman E., Son N.T., Chen W.M., Kordina O, Hallin C, Janzen E. Silicon vacancy related defect in 4H and 6H-SiC. // Phys. Rev. B. -2000. V.61, № 41. P.2613−2620.
  21. Wagner Mt., Thinh N.Q., Son N.T., Baranov P.G., Mokhov E.N., Hallin C., Chen W.M. and Janzen E. The neutral silicon vacancy in SiC: ligand hyperfine interaction. // Mat- Sci. Forum- 2002. — V. 389−393 — P.501−504.
  22. Kawasuso A., Yoshikawa M., Maekawa M., Itoh H., Chiba Т., Redmann F., Krause-Rehberg R., Weidner M., Frank T. and1. Pensl G. Polytype-dependent vacancy annealing studied by positron- annihilation: // Mat- Sci. Forum. — 2003. — V.433−436 P. 477−480
  23. Seitz C, Rempel A.A.,.Mageri A., Gomm M-, Sprengel W. and. Schaefer HE. High-accuracy lattice constant measurements of electron-irradiated: 6H-SiC single crystals- // Mat: Sci. Forum:.- 2003. V.433−436 — P.289−292.
  24. Son N T.,.Hai РЖ, Wagner Mr., Chen-W.M, Ellison! A., HallincC ,.Monemar. B. and Janz6n E. Optically detected magnetic resonance studies of intrinsic defects in 6H SiC // Semicond. Sci. and Technol. 1999. — V.14 — P:1141.
  25. Bratus' V.Ya., Makeeva I.N., Okulov S.M., Petrenko T.L., Petrenko T.T., von Bandeleben H.J. EPR study of carbon vacancy-related: defects in electron-irradiated 6H-SiC. // Mat. Sci. Forum. 200L — V.353−356 — P.517−520.
  26. Cha D., Itoh H., Morishita N., Kawasuso A., Ohshima T., Watanabe Y., Ко J., Lee K. and Nashiyama I. ERS studies of defects in p-type 6H-SiC irradiated with 3MeV-electrons. // Mat. Sci. Forum. 1998. — V.264−268 — P.615−618.
  27. Kanazawa S., Okada M., Nozaki Т., Shin K., Ishihara S. and Kimura I. Radiation-induced defects in p-type silicon carbide. // Mat. Sci. Forum. 2002. -V.389−393 — P.521−524.
  28. Son N.T., Hai P.N. and Janzen E. Carbon vacancy-related defect in 4H and 611 ' SiC II Phys. Rev. B. 2001. -V.63 — P: 201 201®.
  29. Bratus V.Ya., Petrenko T.T., von Bardeleben H.J., Kalinina E.V., Hallen A. Vacancy-related defects in ion-beam and electron irradiated 6H-SiC // Appl. Surf. Sci. 2001. — V. 184 — P.229−236.
  30. Umeda Т., Isoya J., Morishita N., Ohshima Т., and Camiya T. EPR identification of two types of carbon vacansies in 4H- SiC // Phys. Rev. B. -2004. V.69 — P.121 201®.
  31. Torpo L., Mario M., Staab T.E.M., and Nieminen R.M. Comprehensive ab initio study of properties of monovacancies and antisites in 4H-SiC // J. Phys.: Condens. Matter 2001. — V. 13 — P.6203−6231.
  32. Bratus V.Ya., Petrenko T.T., Okulov S.M. and Petrenko T.L. Positively charged carbon vacancy in three ineguivalent lattice sites of 6H-SiC: Combined EPR and density functional theory study. // Phys. Rev. B. 2005. — V.71 -P. 125 202−1-125 202−22.
  33. Zolnai Z., Son N.T., Magnusson В., Hallin C. and Janzdn E. Annealing behaviour of vacancy- and antisite-related defects in electron- irradiated 4H-SiC. // Mat. Sci. Forum. 2004. — V.457−460 — P.473−476.
  34. B.C., Ильин B.C. ЭПР обменносвязующих пар вакансий в гексагональном карбиде кремния // ФТТ. 1981. — Т.23, № 12 — С. 3659.
  35. Bockstedte М., Pankratov О. Ab initio study of intrinsic point defects and, dopant-defect complexes in SiC: application to boron diffusion// Mat. Sci. Forum.-2000- V.338−342 P.949−952.
  36. Dannefaer S., Avalos V., Syvajarvi M: and Yakimova R*. Vacancies in As-grown and, electron- irradiated 4H-SiC epilayers investigated by positron annihilation. // Mat. Sci. Forum. 2003. — V.433−436 — P.173−176.
  37. Dannefaer S. and Kerr D. Positron annihilation investigation of electron irradiation-produced defects in 6H-SiC // Diamond and Relat. Mater. 2004. -V.13 — P.157−165.
  38. Pinheiro V.B., Lingner Т., Caudepon F., Greulich-Weber S. and Spaeth J.M. Annealing study on radiation-induced defects in 6H-SiC. // Mat. Sci. Forum. -2004. V.457−460 — P.517−520.
  39. Bockstedle M., Heid M., Mattausch A. and Pankratov O. Identification and annealing of common intrinsic defect centers // Mat. Sci. Forum. 2003. — V.433−436-P.471−476.
  40. Choyke W.J. and Patrik Lyle. Photoluminescence of radiation defects in cubic SiC: localized modes and Jahn-Teller effect // Phys. Rev. B. 1971. — V.4 -P. 1843−1847.
  41. Rauls E., Gerstmann U., Pinheiro M.V.B., Greulich-Weber S., Spaeth J.-M. A new model for the Di-luminescence in 6H-SiC // Mat. Sci. Forum. 2005. -V.483−485 — P.465−468.
  42. Rauls E., Frauenheim Th., Gali A., Deak P. Theoretical study of vacancy diffusion and vacancy-assisted clustering of antisites in SiC // Phys. Rev. B. — 2003. — V.68 P.155 208−155 217.
  43. Torpo L., Nieminen R.M., Laasonen K.E., Poykko S://Appl. Phys. Lett. -1991 -V.74— P.221 -225.
  44. Von Bandeleben H.J.,. Cantin J.I., Baranov P. and Mokhov E.N. Intrinsic defects in 6H-SiC generated by electron irradiation at the silicon displacement threshold. // Mat. Sci. Forum. -2001. V.353−356-P.509−512.
  45. Von Bandeleben H.J., Cantin J.I. Electron irradiation induced defects in monocrystalline 4H-SiG and 6H-SiC: the influence of the electron- energy and' doping.// Appl. Surf. Sci. 2001. — V.184 -P:237−241.
  46. Aradi' B*., Gali A., Deak P, Lowther J.E., Son N.T., Janzen E., Choyke W.J. Ab initio^ density functional supercell calculations of hydrogen defects in cubic SiC // Phys. Rev. B. 2001. — V.63 — P.245 202.
  47. Rempel A. A, Sprengel W., Blaurock K., Reichle K.J., Major J and Schaefer H.-E. Identification of lattice vacancies on the two sublattices of SiC. // Phys. Rev. Lett. 2002. — V.89, № 18 — P.185 501−185 505.
  48. Arpiainen S., Saarinen K., Hautojarvi P., Henry L., Barthe M.-F., Corbel C. Optical transitions of the silicon vacancy in 6H- SiC studied by positron annihilation spectroscopy. // Phys. Rev. B. 2002. — V.66 — P.75 206−1.
  49. Egilsson Т., Bergman J.P., Ivanov I.G., Henry A. and Janzen E. Properties of the D’i bound exciton in 4H-SiC. // Phys. Rev. B. 1999. — V.59, № 3 — P.1956−1963.
  50. Sullivan W., Steeds J.W., von Bardeleben HJ., Cantin J.-L.A ombined photoluminescence and electron paramagnetic resonance study of low energy electron irradiated 4H-SiC // Mat. Sci. Forum. 2006. — V.527−529 — P. 477−480.
  51. Windl W., Lenosky T.J., Kress J. D, Voter A.F. First-principles investigation ¦ of radiation induced defects in Si and SiC // Nucl. Instr. Meth. В. 1998. -V. 141-P.61−65.
  52. Devanathan R. and Weber W.J. Displacement energy surface in 3C and 611 SiC // J. Nucl. Mater. 2000. V.278 — P.258−265.
  53. Gao F., Weber W.J., Devanathan R. Defect production, multiple- ion-solid interactions and amorphization in SiC. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. -2002. — V. 191 P.487−496. .
  54. In-Tae Bae, Ishimaru M. and Hirotsu Y. Electron-irradiation-induced amorphization5 of 6H-SiC by 300 keV transmission electron microscope equipped with-a field-emission-gun. II Mat: Sci. Forum: 2002: — V.389−393— P:467−470:
  55. Devanathan R., Weber W. J and Gao F. Atomic scale simulation? of defect production in irradiated 3C-SiG // J. Appl. Phys. 2001. — V.90 — P.2303−2309.
  56. Sridhara S.G., Persson P.O., Carlsson F. l 1.С., Bergman P.J., Janzen E., Evans G. and Steeds J.W. Electron Irradiation of 4H SiC by ТЕМ: an optical study // MRS Symp.- 2001.-V.640- H6.5.1.
  57. B.C. Релаксационная спектроскопия радиационно-индуцированных дефектов в 6H-SiC // ФТП. 1999. — Т. ЗЗ — С. 1314.
  58. Dalibor Т., Pens! G-, Matsunami Н., Kimoto Т., Choyke W.J., Sch. oner А, Nordell N. Deep defect centers in silicon carbide monitored with deep level transient spectroscopy // Phys. Stat. Sol. (a). 1997. — V. 162 — P. 199.
  59. Pensl G.- Choyke W.J. Electrical and optical' characterization of SiC // Physica В. 1993. — V. l85 — P.264−283.
  60. Gong M., Fung S., Beling C. D!, You Z. Electron-irradiation-induced deep levels in n-type 6I-I-SiC // J. Appl. Phys. 1999:.- V.85 — P.7604.
  61. Hemmingsson С., Son N.T., Kordina О., Bergman J.P. and Janzen E., Lindstrom J. L, Savage S., Nordell N. Deep-bevel Defects in Electron-irradiated 4H SiC Epitaxial Layers. // J. Appl. Phys. 1997. — V.81 — P.6155.
  62. Doyle J.P., Linnarsson M.K., Pellegrino P., Keskitalo N.,. Svensson B.G., Schoner A., Nordell N., Lindstrom J.L. lectrically active point defects in n-type 4H-SiC // J. Appl. Phys. 1998. -V.84 — P. 1354−1357.
  63. Pintilie I, Pintilie L., Irmscher K., Thomas B. Formation of the Zi^ deep-level defects in 4H-SiC epitaxial layers: Evidence for nitrogen participation // Appl. Phys. Lett. 2002. — V.81 — P.4841−4943.
  64. Alfieri G. Monakhov E.V., Svensson B.G., Linnarsson M.K. Annealing behavior between room temperature and 2000 °C of deep level defects in electron-irradiated n-type 4H silicon carbide // J. Appl. Phys. 2005. — V.98 — P.43 518. '
  65. Castaldini A., Cavallini A., Rigutti L., Nava F. Low temperature annealing of electron irradiation induced defect in 4H-SiC. // Appl: Phys. Lett. 2004. — V.85, № 17 — P.3780−3782.
  66. Gong M., Fung S., Beling C.D., You Z. A deep-level transient spectroscopy study of electron irradiation induced deep levels in p-type 6H-SiC // J. Appl. Phys. 1999. — V.85 — P.7120−7122.
  67. Watt B.E. Energy spectrum of neutrons from thermal fission of U // Phys. Rev. 1953. — V.87 — P.1037−1041.
  68. E. //Neutron transmutation doping in semiconductors. (Plenum, 1979).
  69. Nagest V., Farmer J.W., Davis R.F., Kong H.S. Defects in neutron irradiated SiC
  70. Appl. Phys. Lett. 1987.-V. 50-P.l 138−1140.
  71. De Balona L.A. and Loubser J.H.N. ESR in irradiated silicon carbide // J. Phys. С 1989. — V.3 -P.2344−2351.
  72. A.A., Мохов E.H., Одинг В. Г., Трегубова А. С. Карбид кремния, облученный высокими дозами нейтронов // ФТТ. — 1991. — V.33 — Р.2217.
  73. Kanazawa S., Kimura I., Okada M., Nozaki Т., Kanno I., Ishihara S., Watanabe M. Electron spin resonanse neutron-irradiated n-type 6H-Silicon Carbide. // Mat. Sci. Forum. 2000. — V.338−342 — P.825−828.
  74. Orlinski S.B., Schmidt J., Mokhov E.N., Baranov P.G. Silicon and carbon vacancies in neutron-irradiated SiC: A high-field electron paramagnetic resonance study // Phys. Rev. В 2003. — V.67 — P. 125 207.
  75. Ilyin I.V., Muzafarova M.V., Mokhov E.N., Baranov P: G., Orlinski S.B., Schmidt J. Multivacancy clusters in silicon carbide // Physica B. — 2003. V.340−342 -РЛ28−131.
  76. Ilyin I.V., Muzafarova M.V., Mokhov E.N., Konnikov S.G., Baranov P.G. High-temperature stable multi-defect clusters in neutron irradiated silicon carbide: electron paramagnetic resonanse study. // Mat. Sci. Forum. — 2005. V.483−485 — P.489−492.
  77. Patrick L. and Choyke W.J.Localized vibrational modes of a persistent defect in ion-implanted SiC. // J.Phys. Chem. Sol. -1973. V.34 -P:565.
  78. Chen X. D, Fung S., Ling C.C., Beling A.C., Gong M. Deep level transient spectroscopic study of neutron-irradiated n-type 6H-SiC // J. Appl. Phys. 2003. -V.94 — P:3004−3010.
  79. Kanazawa S., Okada MI, Ishii J., Nozaki Т., Shin К., Ishihara S.,.Kimura I. Electrical properties of neutron-irradiated silicon' carbide. // Mat. Sci. Forum2002.-V.389−393 P.517−520.
  80. Tamura S., Kimoto Т., Matsunami H., Okada M., Kanazawa S., Kimura I., Nuclear transmutation doping of phosphorus into 6H-SiC. // Mat. Sci. Forum. -V.338−342 — P.849−852.
  81. Baranov P.G., Ilyin I.Y., Mokhov E.N., von Bandeleben H.J., Cantin J.L. Phosphorus-related shallow and deep defects in 6H-SiC. // Mat. Sci. Forum.2003, — V.433−436 P.503−506
  82. Carlsson F.H.C., Storasta L., Magnusson В., Bergman J.P., Skold K., Janzen E. Neutron irradiation of 4H-SiC. // Mat. Sci. Forum. 2001. -V.353−3561. P.555−558.
  83. Seitz C., Magerl A., Hock R., Heissenstein H., Helbig R. Defect structures in neutron* irradiated 6H-SiG studied by X-ray diffraction line profile analysis // Mat. Res. Soc. Symp: 2001. — V.640 — P: H6.4.1−6.
  84. Snead L.L., Zinkle S.J., Hay J.C., Osborne M.C. Amorphization of SiC under Ion and Neutron Irradiation. // Nucl. Instr. Meth. B. 1998 — V. 141 — P. 123−132.
  85. М. И. Вологдин Э.Н., Бармин П. Т. Физические основырадиационной технологии твердотельных электронных приборов.- Под ред. А. Ф. Лубченко. Киев: Наукова думка, 1978, 151−175 с.
  86. В.В. Модифицирование полупроводников пучками протонов.- Санкт-Петербург: Наука, 2003.
  87. В.М., Ладыгин Е. А., Шаховцов В. И., Вологдин Э. Н., Андреев Ю. Н. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники.-Под ред. Е. А. Ладыгина. М.: Советское радио, 1980, 34 с.
  88. Zeigler J.F., Biersack J.P., Littmamark U. The stopping and range of ions in solids. Pergamon, Oxford, 1985, V.l.
  89. Itoh H., Yoshikawa M., Nashiyama I., Misawa S., Okumura H., Yoshida S. Radiation induced defects in CVD-grown 3C-SiC // IEEE Trans. Nucl. Sci. -1990. V.37 — P.1732−1738.
  90. M.M., Зубрилов A.C., Лебедев A.A., Стрельчук A.M., Черенков
  91. A.Е. Рекомбинационные процессы в 6H-SiC р-п-структурах и влияние на них глубоких центров // ФТП. 1991. — Т.25 — С. 479−486.
  92. Von Bandeleben H.J., Cantin J.I., Vickridge I., Battistig G. Proton-implantation-induced defects in n-type 6H- and 4H-SiO: An electron paramagnetic resonance study. // Phys. Rev. В 2000. — V.62, № 15 -P: 10 126−10 134.
  93. Storasta L., Garisson F.H.C., Shidhara S.G., Aberg, Bergman J.P., Hallen A., Janzen E. Proton irradiation induced defects in 4H-SiC. // Mat. Sci. Forum. — 2001. -V.353−356 -P.431−434.
  94. David M.L., Alfieri G., Monakhov E.V., Hallen A., Barbot J.F., Svensson
  95. B.G. Evidence for two charge states of the S-center in ion-implanted 4H-SiC. // Mat. Sci. Forum. -2003. V.433−436 -P.371−374.
  96. Martin D.M., Kontegaard Nielsen H., Leveque P., Hallen A., Alfieri G. and Svensson B.G. Bistable defect in mega-electron-volt proton implanted 4H silicon carbide. // Appl. Phys. Lett. -2004. -V.84, № 10 P. 1704−1706.
  97. Puff W., Balogh A.G., Mascher P. Microstructural evolution of radiation-induced defects in semi-insulating SiC during isochronal annealing // Mat. Sci. Forum 2000 -V.338−342 -P.965−968.
  98. Davydov D. V., Lebedev A.A., Kozlovski V., Savkina N. S., StrePchuk A. M. DLTS study of defects in 6H- and 4H-SiC created by proton irradiation. // Physica B. 2001. — V.308−310 — P.641−644.
  99. E.B., Козловский B.B., Румянцев Д. С., Волкова А. А., Лебедев А. А. Формирование и исследование захороненных слоев SiC с высоким содержанием радиационных дефектов. // ФТП. — 2004. -Т.38, В. 10 -С.1211−1214.
  100. Н.Б., Иванов A.M., Савкина Н. С., Лебедев А. А., Козловский В.В., Syvajarvi М, Якимова Р. Радиационная стойкость SiC-детекторов транзисторного и диодного типов при облучении протонами 8 МэВ. // ФТП. 2004. — Т.38, В.7 — С.841−845.
  101. А.А., Вейнгер А. И., Давыдов Д. В., Козловский В. В., Савкина Н. С., Стрельчук A.M. Радиационные дефекты в n-4H-SiC, облученном протонами с энергией 8 МэВ. // ФТП. 2000. — Т.34, В.9 — С. 1058−1062.
  102. Козлов- В.А., Козловский В. В., Титков А. Н., Дунаевский М. С., Крыжановский А. К. Скрытые наноразмерные дефектные слои, сформированные в кристаллах Si и SiC высокодозной имплантацией протонов- // ФТП. 2002.- Т. З6, В. 11 — С. 1310−1317.'
  103. Patrick L. and Choyke WJ. Photoluminescence of radiation defects in ion-implanted 6H-SiC // Phys. Rev. B. 1972. — V.5, № 8 — P.3253.
  104. Anwand W., Brauer G., Coleman P.G., Voelskow M., Skorupa W. Characterization of defects in ion implanted SiC by slow positron implantation spectroscopy and Rutherford backscattering. // Appl. Surf. Sci. — 1999. — V.149 — P.148−150.
  105. Sridhara S.G., Nizhner D.G., Devaty R.P., Choyke W.J., Dalibor Т., Pensl G., Kimoto T. Dn revisited in modern guise 6H and 4H SiC // Mat. Sci. Forum. -1998. — V.264−268 — P.493−496.
  106. Gong M., Reddy C.V., Beling C.D., Fung S., Brauer G., Wirth H., Skorupa W. Deep level traps in the extended tail' region of boron-implanted n-type 6H-SiC // Appl. Phys. Lett. 1998. — V.72 -P.2739−2741.
  107. Pacaud Y., Skorupa W., Stoemenos J. Microstructural characterization of amorphized and reciystallized 6H-SiG // Nucl. Instr. Meth. B. -1996. V.120 -P.181−185.
  108. Chechenin N., Bourdelle K., Suvorov A., Kastilio-Vitlosh A. // Nucl. Inst. Meth. Phys. Res. 1992.-V.65 -P.341−345.
  109. Jiang W., Weber W.J., Thevuthasan S., McCready D.E. Displacement energy measurements for ion-irradiated 6H-SiC. // Nucl. Instr. Meth. B. 1999. — V.148 -P.557−561.
  110. Jiang W., Thevuthasan S., Weber W.J., Grotzschel R. Deuterium channeling analysis for He±implanted 6H-SiC. // Nucl. Instr. Meth. B. 2000. — V. 161−163 -P.501−504.
  111. Khanh N.Q., Zolnai Z., Lohner Т., Toth L., Dobos L., Gyulai J. He ion beam density effect on damage induced in SiC during Rutherford backscattering measurement. // Nucl. Instr. Meth. B: 2000. — V.161−163 — P.424−426.
  112. Kawasuso A., Weidner M., Redmann F., Frank Т., Sperr P., Krause-Rehberg R., Triftshauser W., Pensl G. Vacancies in He-implanted 4H and 6H SiC epilayers studied by positron annihilation. // Physica B: 2001. — V.308−310 — P.660−663.
  113. Aberg D., Hallen A., Svensson B.G. Low-dose ion implanted epitaxial 4H-SiC investigated by deep level transient spectroscopy // Physica B. — 1999. -V.273−274 P.672−676.
  114. Frank Th., Pensl G., Song Bar, Devaty R.P., Choyke W.J. Correlation between DLTS and photoluminescence in He-implanted 6H-SiC. // Mat. Sci. Forum. 2000. — V.338−342 — P.753−756.
  115. Ling C.C., Chen X.D., Brauer G., Anwand W., Skorupa W., Wang H.Y., Weng H.M. Deep-level defects in n-type 6H silicon carbide induced by He implantation. // J. Apph Phys. 2005. — V.98 — P.43 508−1-43 508−6.
  116. Frank Th., Weidner M., Itoh H., Pensl G. Generation and annihilation of intrinsic-related defect centers in 4H/6H-SiC.// Mat. Sci. Forum. 2001. — V.353−356-P.439−442.
  117. Tanaka Y., Kobayashi N., Okumura H., Suzuki R., Ohdaira Т., Hasegawa M., Ogura M., Yoshida S., Tanoue H. Electrical and structural properties of A1 and В implanted 4H-SiC. // Mat. Sci. Forum. 2000. — V.33 8−342 — P.909−912.
  118. Ruggiero A., Libertino S., Mauceri M., Reitano R., Musumeci P., Roccaforte F., La Via F., Calcagno L. Defects in He+ irradiated 6H-SiC probed by DLTS and LTPL measurements. // Mat. Sci. Forum. 2004. — V.457−460 — P.493−496.
  119. Ruggiero A., Zimbone M., Roccaforte F., Libertino S., La Via F., Reitano R., Calcagno L. //Mat. Sci. Forum. -2005. V.483−485 -P1485−488.
  120. Gao F., Weber W.J., Jiang W. Primary damage states produced by Si and Au recoils in SiC: A molecular dynamics and experimental investigation // Phys. Rev. B. 2001. — V.63 -P.214 106.
  121. Uedono A., Tanigawa S., Frank Т., Pensl G., Suzuki R., Ohdaira Т.,-Mikado T. Crystallization of an amorphous layer in P± implanted 6H-SiC studied by monoenergetic positron beams // J. Appl.-Phys. 2000: — V.87, № 9 — P.4119−4125.
  122. Nakashima S., Mitani Т., Senzaki J., Okumura H., Yamamoto T. Deep ultraviolet Raman scattering characterization of ion-implanted SiC crystals. // J. Appl. Phys. 2005. — V.97 — P.123 507−123 509.
  123. Janson M.S., Slotte J., Kuznetsov A.Yu., Saarinen K., Hallen A. Vacancy-related defect distributions in nB-, 14N-, and 27A1- implanted 4H-SiC:Role of channeling // J. Appl. Phys. 2004. — V.95, № 1 — P.57−62.
  124. Janson M.S., Hallen A., Godignon P., Kuznetsov A.Yu., Linnarsson M. K., Morvan E., Svensson B. G. Channeled implants in 6H silicon carbide. // Mat. Sci., Forum. 2000. — V.338−342 — P.889−892.
  125. Jiang W., Weber W.J. Multiaxial channeling study of disorder accumulation and recovery in gold-irradiated 6H-SiC // Phys. Rev. B. 2001. — V.64 -P. 125 206.
  126. Wong-Leung J., Janson M. S., Svensson B. G. Effect of crystal orientation on the implant profile of 60 keV A1 into 4H-SiC crystals // J. Appl. Phys. 2003. -V.9-P. 8914−8914.
  127. Carlsson F.H.C., Sridhara S.G., Hallen A., Bergman J.P., Janzen E. Dn PL intensity dependence on dose, implantation temperature and implanted species in4H- and 6H-SiC. // Mat. Sci. Forum. 2003. — V.433−436 -P.345−348.
  128. Anwand W., Brauer G., Coleman P.G., Yankov R., Skorupa W. Characterization of vacancy-type defects in Al+ and N4″ со- implanted spectroscopy. / Appl. Surf. Sci.-1999.-V.149 -P.140−143.
  129. Slotte J., Saarinen K., Kuznetsov A. Yu., Hallen A. Vacancy type defects in A1 implanted 4H-SiC studied by positron annihilation spectroscopy // Physica B. — 2001. V. 308−310 — P.664−667.
  130. Zhang Y., Weber W.J., Jiang W., Wang C.M., Hallen A., Possnert G. Effects of implantation temperature and ion flux on damage accumulation in Al-implanted 4H-SiC // J. Appl. Phys. 2003. — V.93, № 4 — P. 1954−1960.
  131. Wendler E, Helf A., Wesch W. Ion-Beam Induced Damage and Annealing Behaviour in SiC // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 1998. -V. 141 — P.105−117. r
  132. Kuznetsov A. Yu., Wong-Leung J., Hallen A., Jagadish C., Svensson1 B.G. Dynamic annealing in ion implanted SiC: Flux versus temperature-dependence. // J. Appl. Phys. 2003. — V.94, № 11 — P.7112−7115.
  133. Verma A. RE, Krishna P. Polymorphism and Polytypism hr Crystals. New York: Wiley, 1966.142. 2−2] Tairov Y.A., Tsvetkov V.P. Growth of polytypic crystals. // Crystals. Berlin Sprinser Verley. 1984. — V. 10 — P. 1−35.
  134. Г. Б. Сверхструктура, энергетический спектр и политипизм в кристаллах карбида кремния // ФТТ. 1971. — Т. 13, № 8 — С. 2505−2507.
  135. А. Природа химических связей. HJI — 1947.
  136. Taylor A., Jones R.M. The crystal structure and thermal expansion of cubic and hexagonal silicon carbide. Silicon Carbide a High Temperature Semiconductor. Eds. J.R. O’Connor, I. Smiltens. Pergamon Press. — London: 1960, 147−154 p.
  137. РайанЧ.Э. Карбид кремния. M.: Мир, 1972, 9−22 с.
  138. Г. А., Водаков Ю:А., Мохов Е. Н., Одинг В. Г., Холуянов Г. Ф Сравнительные исследования электрических свойств трех политипов SiC // ФТТ.- 1970.-Т. 12, № 10-С. 2918−2922.
  139. Ю.А., Ломакина Г. А., Мохов Е. Н., Одинг В. Г., Семенов В. В., Соколов В. И. Современные представления о полупроводниковых свойствахкарбида кремния: Сб. Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. / JL, 1979. 164−184 с.
  140. Levinshtein М.Е., Rumyantsev S.L., Shur M.S., editors. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, A1N, InN, SiC, SiGe. John Wiley & Sons- New York, 2001.
  141. JI. Зависимость физических свойств от структуры политипа. Сб. Карбид кремния. Райан Ч. Э. М.: Мир, 1972, 142−152 с.
  142. ФостД. Травление полупроводников, — М.: Мир, 1965, 265−292 с.
  143. Е.Н., Усманова М. М., Юлдашев Г. Ф., Махмудов Б. С. Легирование карбида кремния элементами IIIA подгруппы при росте кристаллов из паровой фазы // Неорганические материалы. 1984. — Т. 20, № 8-С. 1383−1386.
  144. Vodakov Y.A., Mokhov E.N., Ramm M.G., Roenkov A.D. Doping Peculiarities of SiC Epitaxial Layers Grown by Sublimation Sandwich-Method // Springer Proceed, in Phys.- 1992: V. 56 — P. 329−334.
  145. E.H., Водаков Ю. А., Ломакина Г. А. Диффузия алюминия в карбиде кремния.// ФТТ. 1969. — Т. 11, № 2 — С. 519−522.
  146. Е.Н., Водаков Ю. А., Ломакина-F.А., Одинг В.Г.| Холуянов Г. Ф., Семенов В. В. Диффузия бора в карбиде кремния // ФТП. 1972. — Т. 6, № 3-С. 482−487.
  147. Ю.П., Мохов Е. Н., Водаков Ю. А., Ломакина Г.А.Диффузия бериллия в карбиде кремния // ФТТ. 1968. — Т. 10, № 3 — С. 809−814.
  148. С.А., Мирзабаев М. М., Рейфман М. Б., Хайруллаев Ш. А. Анизотропия эффекта термоэде и поперечного эффекта Нернста-Эттингсгаузена (ПЭНЭ) в n-SiC (6Н) // ФТП. 1977. — Т. 11, № 1 — С. 120 123.
  149. Г. А., Водаков Ю. А. Сравнительные исследования анизотропии электропроводности в разных политипах SiC // ФТТ. -1973. Т. 15, № 1 — С. 123−128.
  150. А.П., Константинов А. О., Литвин Д. П., Санкин В. И. Ударная ионизация и сверхрешетка в 6H-SiC // ФТП. 1983. — Т. 17, № 6 — С. 10 931 098.
  151. Konstantinov А.О., Wahab Q., Nordell N. Lindefelt U. Ionization Rates and Critical Fields in 4H-SiC Junction Devices // Mat. Sci. Forum. 1998. — V. 264 268, P.'513−516.
  152. E.H. Примеси и собственные дефекты в карбиде кремния в связи с условиями роста, легирования и релаксационного отжига: Дисс. доктора ф.м.наук 01.02.05. защищена 25.03.83- Утв. 22.06: 4 830 005 565. -М., 1982. -145 с. • .
  153. Ф. Химия несовершенных кристаллов. М.: Мир, 1969- 654 с.
  154. Е.Н., Водаков Ю. А., Ломакина Г. А. Проблемы управляемого получения легированных структур на базе карбида кремния: Сб. Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. / Л., 1979. 136−149 с.
  155. Vodakov Yu.A., Lomakina G.A., Mokhov E.N., Radovanova E.I., Sokolov V.I., Usmanova M.M., Yuldashev G. F, Machmudov B.S. Silicon Carbide Doped with Gallium // Phys. St. Sol. 1976. — V.35a — P.37−43.
  156. Мохов E. H, и др. Исследование особенностей легирования монокристаллического карбида KpeMH^j сублимационным «сэндвич-' методом» // М.: ИМЕТ, 1982. 40−45 с.
  157. Lindhard J., Scharff М., Schiott Н. Range concepts and-heavy ion range // Danske. Videnskab. Selskab., Mat. Fys. Mёdd. 1963.- V. 33, № 14.
  158. Addamiano A., Anderson G. W., Comas J., Hughes H. L., Lucke W. Ion Implantation by N1″, B+, Al+ in 6H-SiC // J. Electrochem. Sot. 1972. — V. 119 -P.1355.
  159. Gibbons J.F. Ion implantation in semiconductors—Part I: Range distribution theory and experiments.// Proceedings of the IEEE. 1968. — V. 56, № 3 — P. 295−319.
  160. Gibbons J.F., Mylroie S. Estimation of impurity profiles in ion-implanted amorphous targets using joined half-Gaussian distributions // Appl. Phys. Lett. -1973. V.22, № 11 — P. 568−569.
  161. Gibbons J.F., Johnson W.S., Mylroie S. Projected Range Statistics // 2nd Edition, Dowden Hutchinson and Ross, Stroudsburg, 1975.
  162. Pearson K. On the constans of index distribution // Biometrika. 1910.- V. 7 -P. 531−568.
  163. Pearson E.S., Hartley H.O. Biometrika Tables for Statisticians New.York.: Cambridge University, 1972, V. II.
  164. Winterbon K.B. Pearson distribution for ion ranges // Appl. Phys. Lett. -1983.-V. 42- P. 205−206.
  165. Ashworth D G., Oven R., Mundin B. Representation of ion implantation by distribution curves profiles Pearson frequency // J. Phys. D: Appl. Phys. 1990. -V. 23-P. 870−876.
  166. Janson M. S., Linnarsson M. K., Hallen A., Svensson B. G. Ion implantation range distributions in silicon carbide // J. Appl. Phys. 2003. V. 93 — P. 89 038 909.
  167. Zieglar J. F., Biersack J. P., Iittmark U. The Sropping and Range of Ions in Solids // (Permagon, New York, 1985) V. 1.
  168. Ahmed S., Barbero C. J., Sigmon T. W. and Erickson J. Empirical depth profile simulator for ion implantation in 6Ha-SiC // J. Appl. Phys. — 1995. V. 77 -P. 6194−6200.
  169. Albertazzi E., Lulli G. Monte Carlo simulation of ion implantation in crystalline SiC //Nucl. Instr. and Meth. B. 1996. — V.120- P. 147−150.
  170. Bianconi M., Albertazzi E., Garnera A., Lulli G., Nipoti R., Sambo*A. RBS-channeling analysis of virgin 6H-SiC: Experiments and Monte Carlo simulations. // Nucl. Instr. and Meth. B. 1998. — V.136−138 -P.1267−1271
  171. S.E. Saddow, A. Agarwal, editors. Advances in Silicon Carbide Processing and Applications. Artech House, Inc., Boston/London, 2005.
  172. Morvan E., Godignon P., Vellvehi M., Hallen A., Linnarsson M., Kuznetsov A. Yu. Channeling implantations of A1 into 6H silicon carbide // Appl. Phys. Lett. 1999. -V.74 — P. 3990−3992.
  173. Christel L.A., Gibbons J.F. Stoichiometric disturbances in ion implanted compound semiconductors.// J. Appl. Phys. 1981. — V.52, № 8 — P.5050−5055.
  174. Avila R.E., Fung C.D. Stoichiometric disturbances in compound semiconductors due to ion implantation // J. Appl. Phys. 1986. — V. 60, № 5 -P. 1602−1606.
  175. Lucke W., Comas J., Hubler G., Dunning K. Effects of annealing on profiles of aluminum implanted in silicon carbide.// J. Appl. Phys. 1975. — V.46, № 3 -P.994−997.
  176. Rao MlV., Griffiths P.1, Hollands. W., Kelner G., Freitas J. A., Jr., Simons D.S., Chi P.H., Ghezzo M- A1 and В ion-implantations in 6H- and 3C-SiC. // J. Appl. Phys. 1995. — V.77, № 6 — P.2479−2485.
  177. Zolnai Z., Khanh N.Q., Szilagyi E., Kotai E., Ster A., Posselt M., Lohner Т., Gyulai J. Investigation of ion implantation-induced damage in the carbon and silicon sublattices of 6H-SiC. // Diamond and Related Mat. 2002. -V.ll-P. 1239−1242.
  178. W.J., Jiang W., Zhang Y., На11ёп A. Damage evolution and recovery in 4H and 6H silicon carbide irradiated with aluminum ions.// Nucl. Instr. and Meth. В'.-2002-V. 191 P.514−518.
  179. Heera V., Stoemenos J., Kogler R., Skorupa W. Amorphization and recrystallization of 6H-SiC by ion-beam irradiation: // J. Appl. Phys. 1995. -V.77, № 7. — P.2999−3009.
  180. Nipoti R., Albertazzi E., Bianconi M., Lotti R., Lulli G., Cervera M. Ion implantation induced swelling in 6H-SiC. // Appl. Phys. Lett. 1997. — V.70, № 25 — P.3425−3427.
  181. Lulli G., Albertazzi E., Bianconi M., Nipoti' R. Binary collision approximation modeling of ion-induced damage effects in crystalline 6H-SiC. // Nucl. Instr. and Meth. B. -1999. V.148 -P.573−577.
  182. Romano A., Bertolus M., Defranceschi M., Yip S. Modeling SiC swelling under irradiation: Influence of amorphization. // Nucl. Instr. and Meth. B. 2003. -V.202-P. 100−106. s
  183. Yankov R.A., Fukarek W., Voelskow M., Pezoldt J- and Skorupa W. Ion beam synthesis: a novel method of producing (SiC)ix (A1N)X Layers. // Mat. Sci. Forum. 1998. — V.264−268 — P.753−756.
  184. С. van Opdorp С. Anomalous diffusion of Aluminium in Silicon carbide // Solid State Electronics. 1971. V. 14 — P. 643−650.
  185. Павличенко В. И, Рыжиков И. В., Кмита Т. Г. Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов. Л.: Наука, 1969, 101 106 с.
  186. В.А., Холуянов Г. Ф. Некоторые свойства р-п переходов на основе n-SiC, полученные легированием А1 // Изв. ЛЭТИ. 1969. — В.80 -С. 14−29.
  187. Веренчикова. Р: Г., Водаков Ю. А., Литвин Д. П., Мохов Е. Н., Роенков А. Д., Санкин В. И. Ультрафиолетовые карбид-кремниевые фотоприемники // ФТП.-1992.-Т. 26, № 6-С. 1008−1014.
  188. Gao Y., Soloviev S. I., Sudarshan Т. S: Selective doping of 4H-SiC by codiffusion of aluminum and boron // JAP. 2001. — V. 90 — P. 5647−5651.
  189. Soloviev S., Cherednichenko D., Gao Y., Grekov A., Ma Y., and Sudarshan T. S. Forward voltage drop degradation in diffused SiC p-i-ndiodes // JAP. -2004. -V. 95 -P. 4376−4380.
  190. Brander R. W. and Suttons R. P. Solution* grown SiC p-n junctions // J. Phys. D 2. 1969. — P. 309−320.
  191. Suzuki A, Ikeda M., Nagao N., Matsunami H., Tanaka T. Liquid-phase epitaxial growth of 6H-SiC by the dipping technique for preparation of blue-light-emitting diodes // JAP: 1976. — V. 47 — P. 4546−4550.
  192. B.B., Стрельчук A.M: Нейтронно-облученные SiC (6H) p-n структуры: токопрохождение // ФТП. 1996. — Т. 30, № 1 — С. 92−99.
  193. В.А., Иванов П.А, Левин В. И.,.Попов И. В., Стрельчук A.M., Таиров Ю. М., Цветков В. Ф., Челноков В. Е. Создание SiC эпитаксиальных р-п структур на подложках, полученных из объемных кристаллов SiC // Письма вЖТФ: — 1987. — Т. 13-С. 1168−1171.
  194. Rendakova S.V., Ivantsov V., Dmitriev V.A. High Quality 6H- and 4H-SiC p-n Structures with Stable Electric Breakdown Grown by Liquid Phase Epitaxy // Mat. Sci. Forum. 1998. — V. 264−268, P. 163−167.
  195. Kuznetsov N., Bauman D., Gavrilin A., Kalinina E. Electrical Characteristics of 4H-SiC p-n Diode Grown by LPE Method // Mat. Sci. Forum. 2002. — V. 389−393, P. 1313−1316.
  196. Sarov G., Kakanakov R., Cholakova Т., Kassamakova L., Hristeva N., Lepoeva G., Philipova P, Kuznetsov N., Zekentes K. Reliability of 4H-SiC p-n diodes on LPE grown layer // Mat. Sci. Forum. 2003. — V. 433−436, P: 929−932.
  197. C. van Opdorp C., Vrakking.J. Avalanche breakdown voltage in epitaxial SiC p-n junctions // J. Appl. Phys.-1969. V. 40, № 5-P. 2320−2322.
  198. Ю:А. Водаков, Е. Н. Мохов. Способ получения полупроводникового карбида кремния //Патенты: Франция: No 2 264 589 (1975), Англия No 1 458 445 (1977), ФРГ: No 24 09 005 (1977).
  199. Syvajarvi М., Yakimova R., Tuominen M., Kakanakova-Georgieva A., MacMillan M.F., Henry A., Wahab Q., Janzen E. Growth of 6H and 4H-SiC by sublimation epitaxy // Journal of Crystal Growth. 1999: — V. 197 — P. 155−162.
  200. Р.Г., Водаков Ю. А., Литвин Д. П., Мохов Е.Н, Рамм М. Г., Санкин В. И, Остроумов А. Г., Соколов В. И Электрофизические характеристики 6H-SiC р-п переходов с эпитаксиальным р± слоем // ФТП. -1982.-Т. 16, № 11-С. 2029−2032.
  201. Ю.А., Константинов А. О., Литвин Д. П., Санкин В. И. Лавинная ионизация в карбидкремниевых р-п структурах // Письма в ЖТФ.- 1981.-Т. 7, № 12-С. 705−708 .
  202. А.О., Литвин Д. П., Санкин В. И. Резкие структурносовершенные карбидкремниевые р-п переходы.// Письма в ЖТФ: — 1981. -Т. 7, № 21 -С. 1335−1339.
  203. Syrkin A., Dmitriev V., Yakimova R., Henry A., Janz6n E. Power Schottky and' p-n Diodes- on SiC Epi-Wafers with Reduced Micropipe Density // Mat. Sci. Forum.- 2002.- V. 389−393. -P.l 173−1176.
  204. Matsunami H., Nishino S., Okada M., Tanaka T. Epitaxial growth of 1-SiC layers by chemical vapor deposition technique // J. Cryst. Growth.- 1975.-V. 31.-P. 72−75.
  205. Powell J. A., Larkin D. J., Matus L. G., Choyke W. J., Bradshaw J. L., Henderson L., Yoganathan M., Yang J., Pirouz P. Growth of high quality 6H-SiC epitaxial films on vicinal (0001) 6H-SiC wafers // Appl. Phys. Lett. 1990. — V. 56-P. 1442−1444.
  206. Kordina O., Hallin C., Ellison A., Bakin A.S., Ivanov I.G., Henry A., Yakimova R., Touminen M., Yehanen A., Janzen E. High Temperature Chemical Vapor Deposition of SiC // Appl. Phys. Lett.- 1996. V. 69, № 10 — P. 1456 -1458.
  207. Nordell N., Savage S., Sconer A. Aluminum doped 6H-SiC: CVD growth and formation of ohmic contacts Kyoto ICSCRM 1996, P. 573−576.
  208. Matus L. G., Powell J. A., Salupo G. S. High-voltage 6H-SIC p-n junction diodes // Appl. Phys. Lett. 1991. — V. 59 — P. 1770−1772.
  209. Larkin D: J., Neudeck P.G., Powell J. A., Matus L.G. Site-competition epitaxy for superior silicon carbide electronics // Appl. Phys. Lett. 1994. — V. 65, № 13-P. 1659−1661.
  210. Kordina O., Bergman J. P., Henry A., Janzen E., Savage- S., Andre J., Ramberg L. P., Lindefelt U., Hermansson W., Bergman К. A 4.5 kV 6H Silicon Carbide Rectifier// Appl. Phys. Lett. 1995.- V. 67, № 11 — P. 1561−1563.
  211. Ivanov P.A., Levinshtein M.E., Irvine K.G., Kordina O., Palmour J.W., Rumyanrsev S.L., Singh R. High hole lifetime (3.8 11 s) in 4H-SiC diodes with 5.5 kV blocking voltage // Electronics Letter 1999.- V. 35, № 16 — P. 1382−1383.
  212. Liu J.Q., Skowronski M., Hallin G., Soderholm R., Lendenmann H. Structure of recombination-induced stacking faults in high-voltage SiC p-n junctions // Appl. Phys. Lett., 2002.- V. 80, № 5 — P. 749−751.
  213. П.А., Левинштейн M.E., Мнацаканов T.T., Palmour J.W., Agarwal A.K. Мощные биполярные приборы на основе карбида кремния*// ФТП.- 2005'- Т. 39.- № 8.- С. 897−913.
  214. Гусев В. М, Демаков К. Д., Касаганова>М.Г., Рейфман М. Б., Столярова
  215. B.Г. Исследование электролюминесценции кристаллов> a-SiO, ионно-легироваанных бором, алюминием и галлием. // ФТП'. — 1975 Т.9, № 7 —1. C.1238−1242.
  216. В.Д. Полупроводниковый карбид кремния, легированный ионным внедрением. — Автореферат канд. Дисс. Л., 1977.
  217. В.Е. Влияние физико-технологических факторов на люминесцентные свойства SiC. Автореферат канд. Дисс. Л., 1981.
  218. М.М., Лебедев А. А., Выпрямительный диод на основе SiC. // Письма в ЖТФ.- 1984 Т. 10, № 17 — С. 1053−105.
  219. Avila R.E., Kopanski J.J., Fung C.D. Behavior of ion-implanted junction diodes in 3C-SiC. // J. Appl. Phys. 1987 — V.62 — P.3469−3471.
  220. Edmond J.A., Das K., Davis R.F. Electrical properties of ion-implanted p-n junction diodes in b-SiC.// J. Appl. Phys. 1988.- V.63, № 3 — P.922−930.
  221. Negoro Y., Kimoto Т., Matsunami H. Technological aspects of ion implantation in SiC device processes // Mat. Sci. Forum 2005. — V.483−485 -P.599−604.
  222. Kawase D., Ohno Т., Iwasaki Т., Yatsuo T. Amorphization and re-crystallization of Al-implanted 6H-SiC. // Inst. Phys. Conf. Ser. № 142 1996. -Chapter 3-P.513−516.
  223. Takemura O., Kimoto Т., Matsunami H., Nakata Т., Watanabe M., Inoue M. Implantation of A1 and В acceptors into alpha-SiC and pn junction diodes. // Mat. Sci. Forum. 1998. — V.264−268 -P.701−704.
  224. Negoro Y., Miyamoto N., Kimoto Т., Matsunami H. High-voltage SiC pn diodes with avalanche breakdown fabricated by aluminum or boron ion implantation. //Mat. Sci. Forum.- 2002.- V. 389−393. -P.1273.
  225. Raynaud C., Lazar M., Planson D., Chante J.-P. and Sassi Z. Design, fabrication and characterization of 5 kV 4H-SiC p+n planar bipolar diodes protected by junction termination extension // Mat. Sci. Forum.- 2004.- V. 457−460.-P. 1033−1036
  226. Rao M.V., Gardner J., Griffiths P., Holland 0. W., Kelner G., Chi P.H., Simons D.S. P-n junction formation in 6H-SiC by acceptor implantation into- n-type substrate. //Nucl. Instr. and Meth. В 1995. — V.106. — P.333−338.
  227. Ramungul N., Khemka V., Tyagi R., Chow T.P., Ghezzo Mi, Neudeck P.G., Kretchmer J., Hennessy W., Brown D.M. Comparison of Aluminum- and Boron-Implanted Vertical 6H-SiC p+n Junction Diodes. // Abstract for ICSCRM-95, Kyoto, Japan 1995. -P.561−562.
  228. Bluet J. M., Pernot J., Camassel J., b) Contreras S, Robert J.L., Michaud J.F., Billon Т. Activation of aluminum implanted at high doses in 4H-SiC.// J. Appl. Phys. 2000.- V.88, № 4- P.1971−1978. '
  229. Nipoti R., Bergmini F., Moscatelli F., Poggi A., Canino M., and Bertuccio G. Gurrent analisis of ion implanted p+/n 4H-SiC junctions: post- implantation annealing in Ar ambient // Mat. Sci. Forum. 2006. — V.527−529 -P.815−818.
  230. Bergmini F., Rao S.P., Poggi A., Tamarri F., Saddow S.E., Nipoti R. Ion implanted p+/n diodes: post- implantation annealing in a Silane ambient in a cold-wall ion-pressure CVD reactor // Mat. Sci. Forum. 2006. — V.527−529 — P.819−822.
  231. Peters D., Elpelt R., Schorner R., Dohnke K.O., Friedrichs P., Stephani D. Large area, avalanche-stable 4H-SiC PIN diodes with VBr > 4.5 kV. // Mat. Sci. Forum. -2005. -V. 483−485 -P.977−980.
  232. Seshadri S., Eldridge G.W., Agarwal A.K. Comparison of the annealing behavior of high-dose nitrogen-, aluminum-, and boron-implanted 4H-SiC.// Appl. Phys. Lett. 1998.- V.72, № 16 — P.2026−2028.
  233. Itoh H., Troffer Т., Pensl G. Coimplantation effects on the electrical properties of boron and aluminum acceptors in 4H-SiC. // Mat. Sci. Forum. 1998.- V.264−268 P.685−688.
  234. A. // Ber. Dtsch. Keram. Ges. 1955. — Bd 32 — S.229−238
  235. Vodakov Y.A., Mokhov E.N., Ramm N.G., Roenkov A.D. Epitaxial growth of SiC by sublimation sandwich method (1). Growth kinetice in vacuum. // Kristal und Techn. 1979. -V. 14, № 6 -P.729−741.
  236. C.A., Макарова И'.А. и др. Структура и морфология эпитаксиальных слоев, карбида кремния, выращенных из систем метилтрихлорсилан-толуол-водород. // Науч тр. ГИРЕДМЕТа 1960: — В.103- С.85−92.
  237. Vodakov Yu. A., Mokhov E.N. Diffusion and solubility of impurities in Silicon Carbide.// Proc. Ill Intern. Conf. on SiC «SiC -1973».- Univ. South. Carolina Press.- 1974.- P.508−514.
  238. Ю.А., Демаков К. Д., Калинина, Мохов Е.Н., Рамм М. Г., Холуянов Г. Ф. Электрические свойства структуры р-п-п+ в карбиде кремния, полученной ионным легированием алюминия // ФТП. — 1987. Т.21, В.9 -С.1685−1689.
  239. Дж. А., Ларди Л. И. Полупроводниковые приборы, изготовленные методом ионного легирования.-Легирование полупроводников ионным внедрением. — М.: Мир, 1971.
  240. А.С., Гражданкин В. А., Демаков К. Д., Иванов П. В., Калинина Е. В., Рамм М. Г., Холуянов Г. Ф. Особенности профилей ионно-легированных р-п переходов. // ФТП. 1986. — Т.20, № 9 — С. 1748.
  241. Э.Е., Калинина Е. В., Холуянов Г. Ф. Способ создания р-п переходов на SiC n-типа проводимости. Заявка № 3 237 481 от 14.01.81, гриф «Т», А.С. № 969 125 от 22.06.82. .
  242. Е.В. Исследование электрофизических свойств р-п переходов, полученных ионным легированием А1 в SiC: Автореферат дисс. канд. ф.-м. JL, 1986.
  243. JI.C. Емкостные методы исследования полупроводников. — Л.: Наука, 1972.
  244. Е.В., Суворов А. В., Холуянов Г. Ф. Структура и свойства ионно-легированных р-п переходов в SiC. // ФТП' 1980 — Т.14, № '6 -С. 1099−1102.
  245. Дж., Эриксон Д., Дэвис Дж.- Ионное легирование полупроводников.-М.: Мир, 1973.
  246. Г. А. Ионное внедрение в полупроводниковые соединения: Сб. Физические процессы в облученных полупроводниках. / Наука" — Новосибирск, 1977.-220−225 с.
  247. Sze С.М., Gibbons G. Avalanche breakdown voltages of abrupt and linearly graded' p- n junctions in Ge, Si, GaAs and GaP. // Appl. Phys. Lett. 1966. -V.8, № 5 — P. l 11−113.
  248. Kalinina E.V., Kholujanov G.F. Structure and electrical properties of implantation-doped pn junctions in SiC. // Inst. Phys. Conf. Ser. № 137: Chapter, 6 1993. -P.675−677.
  249. С. Технология ионного легирования. М.: Сов. Радио, 1974, 55 с.
  250. Е.И., Павлов П. В., Тетельбаум Д. И. Ионное легирование полупроводников. -М.: Энергия, 1975, 29 с.
  251. Е.В., Суворов А. В., Холуянов Г. Ф. Электрические свойства карбид-кремниевых р-п переходов, полученных имплантацией алюминия: Сб. Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. // Ленинград, 1979. 333−339 с.
  252. Sah С.Т., Noyce R.N., Shockley J. Carrier generation and recombination in p-n junctions and p-n junction characteristics // Proc. IRE. — 1957. V.45, № 9 — P. 1228.
  253. Г. Е. Основы теории полупроводниковых приборов— М.: 1965. 159−192 с.
  254. Э.И., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А. Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках.// М.: Советсткое радио, Д 978.
  255. Liu J. Q., Skowronski M., Hallin C., et al. Structure of recombination-induced stacking faults in high-voltage SiC p- n junctions./ Appl. Phys. Lett. -2002.-V.80, № 5 P.749−751.
  256. Persson P.O.A., Hultman L., Janson M.S., et al. On the nature of ion implantation induced dislocation loops in 4H-silicon carbide. // J. Appl. Phys. -2002. V.92, № 5 — P.2501−2505.
  257. Von Opdorp C., Vrakking J* Avalanche breakdown voltage in epitaxial SiC p- n junctions. // J. Appl. Phys. 1969. — V.40, № 5 — P.2320−2322.
  258. Mclntyre R.J. Theory of microplasma instability in silicon // J. Appl. Phys. 1961. — V.32, № 6 — P.983−995.
  259. A.O. Температурная зависимость ударной ионизации и лавинного пробоя в карбиде кремния // ФТП. 1989. — Т.23, № 1 — С.52−57.
  260. B.C., Омар O.A., Попов B.A. Фотоэлектрические свойства барьеров Шоттки на основе n-SiC и n-GaP. // Известия ЛЭТИ, 1979, Т.250, С.20−29.
  261. Е.В., Скуратов В. А., Ситникова А. А. Колесникова А.А., Трегубова А. С., Щеглов М. П. Структурные особенности 4H-SiC, облученного ионами висмута. // ФТП, 2007, Т.41, №.4, С.392−396.
  262. Kalinina Е., Kossov V., Shchukarev А., V. Bratus', G. Pensl, S. Rendakova, V. Dmitriev, A. Hallen. Material quality improvements for high voltage 4H-SiC diodes. // Mat. Sci. Eng. B, 2001, V.80, P.337−341.
  263. Ikeda M., Matsunami H., and Tanaka T. Site effect on the impurity levers in 4H, 6H, and 15R SiC. // Phys. Rev. B, 1980, V.22, P.2842.
  264. Kalinina E., Onushkin G., Strel’chuk A., D. Davidov, V. Kossov, R. Yafaev, A. Hallen, A. Kuznetsov, A. Konstantinov. Characterization of Al-implanted 4H SiC high voltage diodes. // Physica Scripta T, 2002, V.101, P.207
  265. Kalinina E., Kholujnov G., Solov’ev V. Strel’chuk A., Zubrilov A. High-dose Al-implanted 4H SiC p±n-n+ junctions. // Appl. Phys. Lett., 2000, V.77, № 19, P.3051.
  266. Reeves G.K. Specific contact resistance using a circular transmission line model.// Solid State Electron. 1980. — V.23, № 5 — P.487−490.
  267. Kalinina E., Strokan N., Ivanov A A. Sadohin, A. Azarov, V. Kossov, R. Yafaev, S. Lashaev. 4H-SiC high temperature spectrometers. // Mat. Sci. Forum, 2007, V.556−557, P.941−944.
  268. Heera V., Reuther H., Stoemenos J., Pecz B. Phase formation due to high dose aluminum implantation into silicon carbide. // J. Appl. Phys., 2000, V.87, № 1, P.78−85.
  269. Калинина E. B, Строкан Н. Б., Иванов A.M., Ситникова A.A., A.M.' Садохин, А. Азаров, В. Г. Косов, P.P. Яфаев. Высокотемпературные матрицы детекторов ядерного излучения на основе 4H-SiC ионно-легированных р±п переходов. // ФТП- 2008, Т.42, № 1, С.87−93-.
  270. G., Khanh N. Q., Petrik P. A view of implanted SiC damage by Rutherford backscattering spectroscopy, spectroscopic ellipsometry, and transmission electron microscopy. // J. Appl. Phys., 2006, V.100, P.93 507.
  271. O.B., Калинина E.B. Перераспределение А1 в имплантированных слоях SiC в процессе термического отжига // ФТП 2009, Т. 43, № 5, С.584−589.
  272. E.V. Kolesnikova, E.V. Kalinina, А.А. Sitnikova,, M.V. Zamoryanskaya, T.B. Popova1. vestigation of 4#-SiC layers implanted by A1 ions.//Solid State Phenomena, 2008, V.131−133, P.53−58.
  273. Н.И., Тетельбаум Д. И. Глубокое проникновение радиационных дефектов из ионно-имплантированного слоя в объем полупроводника. // ФТП, 1983, Т. 17, В.5, С.838−842″.
  274. П.В., Семин Ю. А., Скупов В. Д. Влияние упругих волн, возникающих при ионной бомбардировке, на структурное совершенство полупроводниковых кристаллов. // ФТП, 1986, Т.20, В. З, С. 503.
  275. B.A., Скупов В. Д. Геттерирование примесей и дефектов в полупроводниках. Н.Новгород.: Нижегородский госуниверситет, 2002.
  276. B.C., Виолина Г. Н. Влияние отжига на диффузионную длину неосновных носителей заряда в n-SiC (6Н). // ФТП, 1981, Т. 15, № 8, С.1650−1652.
  277. С.Г., Поссе В. А., Соловьев В. А., Определение электрофизических параметров полупроводников. методом математического моделирования сигнала индуцированного тока, ФТП, 24(2), 271−275 (1990).
  278. Strel’chuk A.M., Savkina N.S. Ideal 4H-SiC pn junction -and its characteristic shunt. // Mat. Sci. and Eng. B80 2001. — P.378−382.
  279. A.M., Времена жизни и диффузионные длины неравновесных носителей заряда в SiC р-п структурах. // ФТП. — 1995. Т.29, № 7-Т.1190−1206.
  280. М.М., А.А. Лебедев, И. В. Попов. Выпрямительный диод на основе карбида кремния // ФТП. 1984. — Т.10, В.17 — С.1053−1056.
  281. Moscatelli F., Scorzoni A., Poggi A., Cardinali G.C. and Nipoti R. Al/Ti ohnic contacts to p-type ion-implanted 6H-SiC: mono- and two-dimensional analysis of TLM data. // Mat. Sci. Forum. 2003. — V.433−436 — P.673−676.
  282. Konstantinov A.O., Nordell N., Wahab Q., Lindefelt U. Temperature dependence of avalanche breakdown for epitaxial diodes in 4H silicon carbide. // Appl. Phys. Lett. 1998. — V.73, № 13 — P. 1850.
  283. F Nava F., Bertuccio G., Cavallini A. and Vittone E. Silicon carbide and its use as a radiation detector material. // Meas. Sci. Technol. — 2008.- V.19. P. 102 001−102 026.
  284. C.P. Capera, P. Malinaric, R.B. Campbell, J. Ostroski. High temperature nuclear particle detector. // JEEE Transactions on Nuclear Sci., 1964, NS-11, № «3, P. 262−270.
  285. Г. Н. Исследование электрических и оптических свойств карбида кремния с целью его применения в резисторах и счетчиках : Диссертация к.т.н, спец. 01.04.09, защита март 1966 г. ЛЭТИ им. В.и. Ульянова (Ленина), утв.- июнь 1966.
  286. В.А., Федосеева О. П., Холуянов Г. Ф. Свойства карбид-кремниевых счетчиков сильно ионизирующих излучений, полученных диффузией бериллия // ФТП. 1972. — Т. 6, В. 10 — С.957−959:
  287. В.А., Федосеева О. И., Большаков В:В. Карбидкремниевые детекторы как счетчики деления в реакторе. // Измерительная техника 1973. — № 6 — С.67−68.
  288. F. Н., Williams J.G. Power monitoring inf space nuclear reactors using silicon carbide radiation detectors. // Proceedings-of the- Space Nuclear Conference 2005, San Diego, California, 2005, Paper 1072.
  289. Dulloo A.R., Ruddy F.H., Seidel J.G., Simultaneous measurement of neutron and gamma-ray radiation levels from a TRIGA reactor core using silicon carbide semiconductor detectors. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1999. — V.46 -P.275−279.
  290. Ruddy F. H., Seidel J.G., Chen H., Dulloo A.R., Ryu S-H. High-resolution alpha-particle spectrometry using silicon carbide semiconductor detectors. // IEEE Trans. Nucl. Sci 2005.- V.53 — P. 1231−1235.
  291. Ruddy F. H, Dulloo A. R., Seidel J. G., Seshadri S., Rowland L.B. Development of a silicon- carbide radiation detector // IEEE Trans. Nucl. Sci. -1998. -V. 45, № 3 P. 536−541'.
  292. Bertuccio G., Casiraghi R., Cetronio A., Lanzieri C., Nava F. Silicon carbide for high resolution X-ray detectors operating up to 100 °C // Nucl. Instr. Meth. A. 2004. — V.522, № 3 -P.413−419.
  293. Ruddy F.H., Dulloo A. R., Seidel J. G., Das M. K, Ryu S-H., Agarwal A.R. The fast neutron response of silicon carbide semiconductor radiation detectors. // IEEE Trans Nucl. Sci. 2004. — V.7 -P.4575−4579.
  294. Moscatelli F., Scorzoni A., Poggi A. Measurements of charge collection efficiency of p± n junction SiC detectors. // Mat. Sci. Forum, 2005, V.483−485, P.1021−1024.
  295. B.B. Исследование p-n переходов в карбиде кремния как детекторов сильноионизирующих излучений: Диссертация к.ф.-м.н., спец. 01.04.09 (физика п/п и диэл), защита декабрь 1971 г., ЛЭТИ им. В. И. Ульянова (Ленина) г. Ленинград, утв.-июнь 1972 г.
  296. Г., Шкребий П., Калинина Е., Холуянов Г., Коссов В., Яфаев
  297. Р., Халлен А., Константинов А. Карбидкремниевые детекторы- частицвысокой энергии Сб. докладов / III Международный семинарКарбид tкремния и родственные материалы (ISSCRM-2000) Великий Новгород, 2000. -213−221с.
  298. Т.Н., Калинина Е. В., Холуянов Г.Ф», Коссов ВТ., Яфаев P.P., Халлен А., Константинов А. О. Карбидкремниевые детекторы частиц высокой энергии. // ФТП. 2002.- Т. 36, № 6 — С.750−753.
  299. Н.Б., Иванов A.M., Калинина Е. В., Холуянов Г. Ф., Онушкин Г. А., Давыдов Д. В., Виолина Т. Н. Спектрометрия короткопробежных ионов детекторами на основе CVD пленок 4H-SiC. // ФТП. 2005. — Т.39, В. З -С.382−387.
  300. Ivanov A., Kalinina Е., Kholujanov G., Strokan N., Onushkin G., Konstantinov A., Hallen A., Kuznetsov A. High energy resolution detectors based on 4H-SiC. // Mat. Sci. Forum. 2005. — V.483−485 — P.1029−1032.
  301. Н.Б., Иванов A.M., Лебедев A.A., Syvajarvi M., Yakimova R Предельное разрешение по энергии карбид-кремниевых детекторов при спектрометрии ионов. // ФТП. 2007. — Т.39, В.12 — С.1469−1474.
  302. A.M., Калинина Е. В., Константинов' А.О., Онушкин Г. А., Строкан Н. Б., Холуянов Г. Ф., Hallen А. Детекторы короткопробежных ионов с высоким энергетическим разрешением на основе 4H-SiC пленок. // Письма в ЖТФ. 2004. — Т.30, В. 14 — С. 1−7
  303. Е.В., Косов В. Г., Строкан Н. Б., Иванов A.M., Яфаев P.P., Холуянов Г. Ф. Спектрометрические свойства SiC—детекторов на основе ионно-легированных р±п-переходов. // ФТП — 2006: — Т.40, В.9 С. 11 231 127.
  304. Калинина Е. В, Иванов A.M., Строкан Н. Б. Р-п детекторы ядерного излучения на основе пленок 4H-SiC для работы при повышенных температурах (375°С).// Письма в ЖТФ 2008.- Т.34, В.5 — С.63−69.
  305. A.M. Иванов, Е. В. Калинина, Н. Б. Строкан. Перенос заряда в полупроводниковых SiC-детекторах ионизирующих излучений при наличии слоя’центров захвата.// Письма в ЖТФ- 2008, Т.34, № 24, С. 61−67.
  306. А.И., Дидык А. Ю., Мокрушин А. Д., Мохов Е. Н., Кластеризация вакансий в процессе термического отжига карбида кремния, облученного тяжелыми^ионами // Письма в ЖТФ. 1989. — Т.15, В.12 — С.24−27.
  307. Liszkay L., Havancsak К., Barthe M-F., Desgardin P., Henry L., Kajcsos Zs, Battistig G., Szilagyi E., Skuratov V.A. Swift heavy ion irradiation effect in SiC measured by positrons // Mater. Sci. Forum. — 2001. — V.363— P.123−125.
  308. Levalois M., Lhermitte-Sebire Г., Marie P, Paumier E., Vicens J. Optical and electrical properties of 6H a-SiG irradiated by swift xenon ions // Nucl. Instr. Meth. В. 1996. — V. 107 — P.239−241'.
  309. Zinkle S.J., Jones J.W. and Skuratov V.A. Microstructure of swift heavy ion irradiated SiC, Si3N4 and A1N // Eds. Lucas G.E., Snead L., Kirk M.A., Jr.,-Elliman R.G. MRS Symp. Proc. 2001. — V.650 — R3.19.l-R3.19.6.
  310. E.B., Скуратов B.A., Ситникова A.A., Колесникова А. А., Трегубова А. С., Щеглов М. П. Структурные особенности 4H-SiC, облученного ионами висмута // ФТП. 2007. — Т.41, № 4 — С.392−396.
  311. И.В., Касаткин И. Л., Уваров Е. Ф. Исследование монополярной и двойной инжекции и инжекционной электролюминесценции. В a-SiC (6Н), облученном нейтронами. // Электрон. Техн. сер.2 -1981. Т.4, № 4(147)-С.9−22.
  312. В.В., Стрельчук A.M. Нейтронно-облученные SiC (6Н) р-п-структуры: токопрохождение // ФТП. 1996. — Т. ЗО, В.1 — С.92−99.
  313. А.Ю., Афанасьев А. В., Ильин В. А., Лучинин В.В., Петров
  314. A.А. Электрофизические свойства высокотемпературных диодов Шоттки на основе 6H-SiC при комплексном воздействии нейтронов и у излучений: Сб. Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2001» / Паимс -Москва., 2001. — В. 4-Л45 с.
  315. Nava F., Vanni P., Verzellesi G., Castaldini A., Cavallini A., Polenta L., Nipoti R., Donolato C. Charged particle detection properties of epitaxial 4H-SiC schottky diodes // Mat. Sci. Forum. 2001. — V.353−356 — P.757−762.
  316. Nava F., Vittone E., Vanni P., Verzellesi G., Fuochi P.G., Lanzieri C., Glaser M. Radiation tolerance of epitaxial silicon carbide detectors for electrons, protons and gamma-rays // Nucl. Instr. and Meth. A. 2003'- V.505 — P. f645−655.
  317. A.M., Лебедев A.A., Строкан Н.Б., Влияние экстремальных доз радиации на характеристики SiC-детекторов ядерных частиц // ФТП4. — 2006. -Т.40, В.10 —С.1259−1263.
  318. Н.Б., Лебедев А. А., Иванов A.M., Давыдов Д. В., Козловский В. В. Особенности регистрации alpha-частиц тонкими полуизолирующими пленками 6H-SiC // ФТП. 2000. — Т.34 — С.1443-.
  319. A.M., Строкан Н. Б., Давыдов Д. В., Савкина Н. С., Лебедев А. А., Миронов Ю. Т., Рябов Г. А., Е.М. Иванов Е.М. Радиационная стойкость SiC-детекторов ионов к воздействию релятивистских протонов // ФТП. — 2001. -Т.35, В.4 Р.495−498.
  320. Sciortino S., Hartjes F., Lagomarsino S., Nava F., Brianzi M., Cindro V., Lanzieri C., Moll M., Vanni P. Effect of heavy proton and neutron irradiations on epitaxial 4H-SiC Schottky diodes // Nucl. Instr. and Meth. A. 2005. — V.552 -P.138−145.
  321. Strel’chuk A.M., Kalinina E.V., Konstantinov A.O., Hallen A. Influence of gamma-ray and neutron irradiation- on* injection- characteristics of 4H-SiC pn structures // Mat. Sci. Forunr. 2005. — V.483−485 — P.993−996.
  322. Strel’chuk A.M., Kozlovski V.V., SavkinaN.S., Rastegaeva M.G.,-Andreev A.N. Influence of proton irradiation- on recombination' current in 6H-SiC pn structures.//Mat. Sci. and Eng., 1999, B61−62, P.441−445.
  323. Y. Tanaka, K. Kojima, K. Takao. Lifetime control-of the minority carrier in PiN diodesby He+ ion implantation // Mat. Sci. Forum.- 2005.-V. 483−485- P: 985 988.
  324. A.B., Ильин B.A., Петров A.A. Высокотемпературные диоды Шоттки на основе SiC. // Петербургский журнал электроники. -2000. -Т.3−4- С. 12−20.
  325. Г. Н., Холуянов Г. Ф. а-Фотопроводимость и отрицательное сопротивление у р-п переходов в SiC.// Радиотехника и электроника. 1966. — T. XI, В. 11 — С.2034−2038.
  326. F. Н., Williams J.G. Power monitoring in space nuclear reactors using silicon carbide radiation detectors. // Proceedings of the Space Nuclear Conference 2005, San Diego, California, 2005, Paper 1072.
  327. Kalinina Е., Kholujanov G., Onushkin G., D. Davydov, A. Strel’chuk, A. Konstantinov, A. Hallen, V. Skuratov, A. Kuznetsov. Comparative study of 4H-SiC irradiated with neutrons and heavy ions. // Mat. Sci. Forum. 2005. — V.483−485 — P.377−380.
  328. B.B., Петров H.H. Влияние ионной бомбардировки на катодолюминесценцию карбида кремния // ФТТ. 1966. — Т.8, В.5 — С. 16 021 607.
  329. Kalinina Е., Strel’chuk A., Lebedev A., Strokan N., Ivanov A., Kholuyanov G. Radiation hard devices based on SiC. // Mat. Sci. Forum. 2006. — V.527−529 -P.1473−1476.
  330. A.Y. Nikiforov, P.K. Skorobogatov, D.V. Boychenko, V.S. Figurov, V.V. Luchinin, E.V. Kalinina. Dose Rate Behavior of 4H-SiC Diodes // Proceedings for RADECS2003.-2003.- Noordwijk The Netherlands — 15−19 September — P. 15−16.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!