Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Упругие и неупругие свойства тонких пленок Si3N4, SiO2-SnO2, SiO2-B2O3 и системы Cu-Se, обусловленные включениями второй фазы

Диссертация: Упругие и неупругие свойства тонких пленок Si3N4, SiO2-SnO2, SiO2-B2O3 и системы Cu-Se, обусловленные включениями второй фазы
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В пленках Si02-Sn02 и ЗЮг-ВгОз, полученных по золь-гель технологии, обнаружены и проанализированы максимумы на температурных зависимостях ВТ и модуля упругости, обусловленные включениями водно-спиртовых растворов с температурой плавления от -60 до 0 °C. Концентрация водно-спиртовых включений в пленках системы Si02-Sn02, выращенных на ситалловых подложках, оказалась выше, чем для аналогичных… Читать ещё >

Упругие и неупругие свойства тонких пленок Si3N4, SiO2-SnO2, SiO2-B2O3 и системы Cu-Se, обусловленные включениями второй фазы (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА ВНУТРЕННЕГО ТРЕНИЯ ДЛЯ ОБНАРУЖЕНИЯ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
  • 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА И ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБРАЗЦОВ
    • 2. 1. Установки ВТ, использовавшиеся в работе
    • 2. 2. Другие методики измерения
    • 2. 3. Приготовление образцов
  • 3. ИЗУЧЕНИЕ МЕТОДОМ ВТ ФАЗОВЫХ ПРЕВРАЩЕНИЙ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ, ПОЛУЧЕННЫХ ИСПАРЕНИЕМ КОМПОНЕНТОВ
    • 3. 1. Оценка возможности наблюдения ВТ в тонких пленках
    • 3. 2. Наблюдение методом ВТ кристаллизации неконтролируемых включений в SisN
    • 3. 3. ВТ в пленочных структурах системы Cu-Se
  • 4. ВТ В СТРУКТУРАХ, ВЫРАЩЕННЫХ ПО ЗОЛЬ-ГЕЛЬ ТЕХНОЛОГИИ 69 4Л. Этапы получения пленок по золь-гель технологии и возможность применения для ее контроля метода ВТ
    • 4. 2. Результаты анализа водно-спиртовых включений в Si02-Sn
    • 4. 3. ВТ в системе Si02-B
  • 5. МЕХАНИЗМ ВТ, СВЯЗАННЫЙ С ПЛАВЛЕНИЕМ ВКЛЮЧЕНИЙ
    • 5. 1. Механизм плавления включений материалов, уменьшающихся в объеме при плавлении
    • 5. 2. ВТ в монокристаллах на основе В12Тез 86 ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И
  • ВЫВОДЫ
  • СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

Актуальность темы

.

Состояние научно-технического прогресса в настоящее время в значительной мере определяется уровнем развития физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Огромные успехи физики полупроводников послужили стимулом к развитию современной полупроводниковой техники. Применение полупроводников в науке и технике предъявляет все возрастающие требования к существенному повышению качества полупроводниковых приборов, к уменьшению их размеров и переходу на тонкопленочное исполнение. Проблема получения качественных пленок занимает одно из важнейших мест в технологии твердотельной электроники.

Совершенство пленок определяется, в том числе, и включениями второй фазы, которые способны влиять на электрофизические, гальваномагнитные, оптические и механические свойства полупроводниковых материалов. В полупроводниковых приборах, изготовленных из таких материалов с включениями, обнаруживается искажение вольт-амперных характеристик за счет преждевременного загиба обратной ветви, снижение напряжения пробоя [1], интенсификация процессов деградации р-n перехода [2] из-за перемещения таких включений в материалах под действием градиентов температуры и механических напряжений. Расплавление металлических включений при омическом нагреве в силовых устройствах таюке делает возможным их перемещение за счет эффекта Пельтье в поле градиента температуры на границе раздела твердой и жидкой фаз [3]. Поэтому для контроля микровключений требуются эффективные экспериментальные методики, способные давать информацию о них.

Одним из методов, успешно применявшимся для выявления включений второй фазы, является низкочастотное внутреннее трение (ВТ). Ранее оно было использовано для выявления включений второй фазы в объемных полупроводниках А3В5, А2В6, А4В6 и А2В5 [4]. На способ определения включений в твердых веществах было получено авторское свидетельство [5].

Поскольку в современном полупроводниковом приборостроении используются достаточно тонкие слои материалов, целесообразно и в них применить данный способ контроля включений второй фазы.

Данные, полученные методом ВТ, приобретают особую ценность при сопоставлении с результатами исследований другими независимыми методами — электронной микроскопией, термографическим анализом и др.

Работа является частью исследований, проведенных в рамках программы РФФИ № 04−03−32 509.

Цель работы.

Изучение структурных превращений во включениях второй фазы тонкопленочных полупроводниковых структур методом ВТ.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Оценить возможность наблюдения ВТ в системе тонкая пленка-подложка, обусловленного структурными превращениями в пленке.

2. Изучить релаксационный спектр в полупроводниковых тонких пленках Si3N4, Si02-Sn02, Si02-B2C>3 и системы Cu-Se.

3. Установить физические закономерности, связанные со структурными превращениями во включениях второй фазы.

4. Модернизировать экспериментальную установку для наблюдения низкочастотного ВТ в тонкопленочных структурах в области отрицательных температур.

Научная новизна.

1. Исследована температурная зависимость ВТ в пленках Si3N4. В интервале температур 270−380 °С обнаружены пики ВТ, которые обусловлены кристаллизацией включений второй фазы Si и А1.

2. Изучен температурный спектр ВТ в пленках системы Cu-Se и по положению максимума ВТ определена температура рекристаллизации зерен Cu2Se (~ 305 °С).

3. В пленках на основе тетраэтоксисилана SiC>2-Sn02 и ЗЮг-ВгОз, полученных по золь-гель технологии, в интервале температур от -60 до 0 °C обнаружены максимумы ВТ, обусловленные водно-спиртовыми включениями различного состава. Установлено, что плавление водно-спиртовых включений в исследуемых пленках приводит к появлению пика упругого модуля при той же температуре.

4. Предложен механизм, объясняющий увеличение упругого модуля в материале с легкоплавкими включениями второй фазы, уменьшающимися в объеме при плавлении, основанный на схлопывании микротрещин на границе матрица-включение.

Практическая значимость работы заключается в следующем:

1. На примере структур SisN4 с примесями Si и А1 экспериментально показано, что метод ВТ может быть использован для контроля инородных включений за счет наблюдения их кристаллизации.

2. В фотопреобразующих пленках системы Cu-Se показана возможность применимости метода ВТ для определения температуры рекристаллизации зерен Cu2Se.

3. Контроль наличия водно-спиртовых включений с помощью ВТ в пленках SiC>2-Sn02, Si02-B2C>3, может быть использован для совершенствования технологии их получения.

Основные положения и результаты выносимые на защиту * 1. Температурные спектры ВТ в электретных пленках SisN4, обусловленные кристаллизацией включений Si и А1, и в фотопреобразующих структурах системы Cu-Se, связанные с рекристаллизацией зерен Cu2Se.

2. Обнаруженные пики на температурных зависимостях упругих и неупругих свойств пленок Si02-Sn02 и S1O2-B2O3, полученных на различных подложках по золь-гель технологии, связаны с включениями второй фазы состоящими из водно-спиртовой смеси.

3. Механизм увеличения упругого модуля материалов, содержащих легко-^ плавкие включения второй фазы, уменьшающие свой объем при плавлении, основанный на схлопывании микротрещин на границе матрицаф включение.

Апробация работы.

Основные положения и научные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на:

5-й научной молодежной школе «Микрои наносистемная техника (материалы, технологии структуры и приборы)» (Санкт-Петербург, 2002) — «i Всероссийской научной конференции «Физика полупроводников и полуметаллов ФПП-2002» (Санкт-Петербург, 2002);

IX международной научно-технической конференции «Высокие технолоt гии в промышленности России» (Москва, 2003) — i.

I Международном симпозиуме «Аморфные и микрокристаллические полу | проводники», (Санкт-Петербург, 2004) — j.

Международной научной школе-конференции «Интерматик — 2004» (Москва, 2004);

21-й международной конференции «Нелинейные процессы в твердых телах» (Воронеж, 2004);

8-ой научной молодежной школе по твердотельной электронике «Актуальные аспекты нанотехнологии» (Санкт-Петербург, 2005) — а также научных семинарах кафедры физики, химии и технологии литейных процессов Воронежского государственного технического университета.

Публикации и личный вклад автора Основные результаты исследований опубликованы в 14 работах в виде статей и тезисов докладов. В работах, опубликованных в соавторстве и приведенных в конце автореферата, лично соискателю принадлежит: получение экспериментальных данных по низкочастотному ВТ, участие в обсуждении экспериментов, анализе полученных результатов и написании научных работ.

Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, 5 глав, выводов и списка литературы из 127 наименованийизложена на 107 страницах, содержит 37 рисунков и 4 таблицы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Показана принципиальная возможность наблюдения ВТ в твердотельных тонких пленках ОД мкм) на толстой подложке (-400 мкм). Произведена оценка вклада тонкой пленки в затухание колебаний системы пленка — подложка. Показано, что этот вклад может быть достаточно существенным при наличии в пленке фазовых превращений.

2. В аморфных пленках SisN4 при температурах 270−380 °С обнаружены пики ВТ, связанные с кристаллизацией включений Si и А1, что подтверждено электронографическими данными. Кристаллизация происходит в результате диффузии атомов Si и А1 из аморфной матрицы S13N4 к свободным поверхностям пленки.

3. По температурному спектру ВТ в фотопреобразующих структурах на основе Cu-Se определена температура рекристаллизации зерен Cu2Se (-305 °С), что подтверждено данными просвечивающей электронной микроскопии. Из электронномикроскопических исследований определено, что размер зерен в результате рекристаллизации увеличился в два раза.

4. В пленках Si02-Sn02 и ЗЮг-ВгОз, полученных по золь-гель технологии, обнаружены и проанализированы максимумы на температурных зависимостях ВТ и модуля упругости, обусловленные включениями водно-спиртовых растворов с температурой плавления от -60 до 0 °C. Концентрация водно-спиртовых включений в пленках системы Si02-Sn02, выращенных на ситалловых подложках, оказалась выше, чем для аналогичных пленок, выращенных на подложках из стекла.

Введение

модификаторов в пленки Si02-B203 приводит к образованию водно-спиртовых включений нескольких составов.

5. Предложен механизм увеличения упругого модуля материалов, содержащих легкоплавкие включения второй фазы, уменьшающейся в объеме при плавлении, основанный на схлопывании микротрещин на границе матрица-включение. Приведен расчет увеличения упругого) модуля, удовлетворительно совпадающий с экспериментом.

6. Модернизирована установка ВТ диапазона частот 5−30 Гц с целью • расширения температурного диапазона до минус 100 °C.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.И. Прямые вольт-амперные характеристики р-n переходов, содержащих металлические микровключения // Сб. Полупроводниковые структуры и системы контроля технологических процессов. Кишинев. 1982. С. 65.
  2. И.В. // Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов. Тез. Докл 1 Всес. Конф. Кишинев. 1982. С. 39. о г
  3. Миграция жидких включений в монокристаллах, А В / Д.К. Бела-щенко, A.M. Орлов, В. И. Пархоменко // Известия АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1975. Т. 11. № 10. С. 125−128.
  4. Н.П. Внутреннее трение, обусловленное дефектами в бинарных полупроводниках Автореф. докт. наук. Воронеж: ВГТУ, 1992. 32 с.
  5. . А. с. Способ определения инородных включений в твердых веществах Бюл № 1 179 183 СССР, МКИ3 G 01N 25/02. // В. И Митрохин, Н. П. Ярославцев, Н. В. Измайлов, С. И. Рембеза, В.Д. Лисовенко
  6. Неупругая релаксация в твердых телах, связанная с нарушениями их поверхности /Б.М. Даринский, Н. В. Измайлов, В. А. Логинов, В. И. Митрохин, Н. П. Ярославцев //ФТТ. 1987. Т. 29. № 12, С. 3529−3533.
  7. Влияние обработки поверхности кремния на низкотемпературное внутреннее трение /B.C. Постников, В. И. Кириллов, Ю. А. Капустин, B.C. Борисов //"Физ. и химия обработки материалов". 1985. № 6. С. 98−101.
  8. О влиянии реальной поверхности монокристаллического Si на низкочастотное внутреннее трение и поведение эффективного модуля сдвига /А.В. Олейнич-Лысюк, Н. П. Бешлей, И. М. Фодчук //ФТП. 2003. Т. 37. № 11. С. 1337−1340.
  9. Исследование внутреннего трения и эффективного модуля сдвига монокристаллического кремния на начальных стадиях преципитации кислорода /В.В. Моцкин, А.В. Олейнич-Лысюк, Н. Д. Раранский, И. М. Фодчук //ФТП. 2002. Т. 32. № 9. С. 1035−1039.
  10. Ab Initio Mechanical Response: Internal Friction and Structure of Diva-cancies in Silicon /Н. Usttinel, D. Roundy, T.A. Arias //Phys. Rev. Lett. V. 94. № 2. P. 5503−5507.
  11. Temperature dependence of the force sensitivity of silicon cantilevers /U. Gysin, S. Rast, P. Ruff, E. Meyer, D.W. Lee, P. Vettiger, C. Gerber //Phys. Rev. B. V. 68. № 10. P. 4203−4208.
  12. Internal friction of amorphous silicon in a magnetic field /Т.Н. Metcalf, Xiao Liu, R.O. Pohl//Phys. Rev. B. 2000. V. 61. № 5. P. 9902−9905.
  13. Generation of Low-Energy Excitations in Silicon /Xiao Liu, P.D. Vu, R.O. Pohl, F. Schiettekatte, S. Roorda //Phys. Rev. Lett. 1998. V. 81. № 4. P. 31 713 174.
  14. Amorphous Solid without Low Energy Excitations /Xiao Liu, B.E. White, Jr., R.O. Pohl, E. Iwanizcko, K.M. Jones, A.H. Mahan, B.N. Nelson, R.S. Crandall //Phys. Rev. Lett. 1997. V. 78. № 5. P. 4418−4421.
  15. Non-Arrhenius Reorientation Kinetics for the B-H Complex in Si: Evidence for Thermally Assisted Tunneling /Y.Michael Cheng, Michael Stavola //Phys. Rev. Lett. 1994. V. 73. № 2. P. 3419−3422.
  16. Reorientation B-Si complex /Р. Stoneham //Phys. Rev. Lett. 1989. V. 63, № 5. P. 1027−1031.
  17. Low-energy excitations in amorphous films of silicon and germanium / Xiao Liu, R.O. Pohl //Phys. Rev. B. 1998. V. 58. № 3. P. 9067−9081.
  18. Амплитудно-зависимое внутреннее трение в бездислокационных и содержащих дислокации роста монокристаллах германия /Т.В. Голуб, JI.B. Тихонов, Г. В. Харькова//ФТТ. 1981. Т. 23. № 11. С. 3499−3501.
  19. В.И., Яковнко А. Г., Шелонини Е. А. Определение растворимости меди в германии методом внутреннего трения // Внутр. трение в мет. и неорган, материалах М., 1982. С. 163−167.
  20. В.И., Яковенко А. Г., Шелонини Е. А. Релаксация атомов меди в ядре дислокаций в германии // Физ. и химия конденсир. сред. Воронеж, 1981. С. 66−71.
  21. Внутреннее трение, обусловленное диффузией атомов меди в ядре дислокаций /В.И. Фистуль, А. Г. Яковенко, Е. А. Шелонини //ФТТ. 1980. Т. 22. № 6. С. 1666−1670.
  22. Исследование поведения меди в германии методом внутреннего трения /В.И. Фистуль, А. Г. Яковенко, Е. А. Шелонини //ФТТ. 1980. Т. 22. № 1. С. 31−35
  23. В.И., Яковенко А. Г., Шелонини Е. А. Амплитудно-зависимое внутреннее трение в пластически деформированном германии // Легир. полупровод. М., 1982. С. 206−209.
  24. Observation of oxygen impurities in single-crystal silicon by means of internal friction /С.С. Lam, D.H. Douglass //J. Low Temp. Phys. 1981. V. 44. № 3−4. P. 259−264.
  25. Internal friction in intrinsic and n-type gennanium and silicon /А.Р. Gerk, S. Williams Wendell //J. Appl. Phys. 1982. V. 53. № 5. P. 3585−3606.
  26. P.M., Давидовский B.M., Максимюк П. А. Внутреннее трение, обусловленное распадом вакансионных комплексов в монокристаллах кремния // Внутр. трение в мет. и неорган, материалах. М., 1982. С. 157−163.
  27. Исследование квази-ян-теллеровских примесных центров в кремнии методом внутреннего трения /B.C. Постников, В. И. Кириллов, Ю. А. Капустин, B.C. Борисов//ФТТ. 1985. Т. 27, № 6. С. 1906−1908.
  28. Internal friction and symmetry of intrinsic point defects in GaAs /D. Laszig, H.G. Brion, P. Haasen //Phys. Rev. B. 1991. V. 44. № 4. P. 3695−3701.
  29. Internal friction study on the mobility of screw dislocations in undoped InSb /D. Quelard, P. Astie, J.L. Gauffier //Rev. phys. Appl. 1988. V. 23. № 7. P. 1291−1295.
  30. Изучение внутреннего трения антимонида индия с различной плотностью дефектов /П.А. Максимюк, А. В. Фомин, В. А. Глей, А. П. Онанко, М. Я. Скороход //ФТТ. 1989. Т. 31. № 5. С. 292−294.
  31. Е.Б., Заровник Н. В. Установка для измерения внутреннего трения в металлах и полупроводниках // Физика полупроводников и микроэлементов. Рязань, 1980. С. 109−111.
  32. Point defect in GaP single crystals investigated by mechanical damping /D. Klimm, P. Paufler //Cryst. res. and technol. 1987. V. 22. № 8. P. 1023−1030.
  33. Point defects in GaP single crystals investigated by mechanical damping / D. Klimm, P. Paufler // Halle-Wittenberg. Wiss. Beitr. M.-Luther Univ. 1987. P. 161−163.
  34. Photosensitive dislocation dependent internal friction in CdS /А.Н. Dur-garyon, H.S. Melkonyan //Solis State Commun. 1990. V. 73. № 3. P. 185−189.
  35. А.С. Обнаружение дефектов структуры в Hgo^Cdo^Te методом внутреннего трения и теплопроводности // Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках: Материалы Всесоюз. семин. по пробл. «Физ. и хим. полупровод.» 1987. С. 35−37.
  36. Использование метода внутреннего трения контроля микровыделений /Т.Т. Дедегкаев, Н. Е. Мокроусов, В. А. Мошников, Д. А. Яськов //ЖФХ. 1983. Т. 57. № 6. С. 1556−1559.
  37. Using a method of internal friction of checking the microseparations /Т.Т. Dedegkaev, N.E. Mokrousov, V.A. Moshnikov, D.A. Yaskov //Cryst. Res. Techn. 1983. V. 8. № 11. P. 119−123.
  38. Особенности процесса дефектообразования в сфалеритном нитриде бора по данным резонансных исследований /В.Б. Шипило, Н. А. Шишонок, А. В. Мазовко //Изв. АН СССР. Неорган, матер. 1990. Т. 26. № 8. С. 16 471 650.
  39. Влияние ультразвуковой обработки на внутреннее трение в кремнии /А.П. Онанко, А. А. Подолян, И. В. Островский //ПЖТФ. 2003. Т. 23. № 15. С. 40−44.
  40. Влияние ультразвуковой обработки на акустические и гальваномагнитные характеристики CdxHgixTe /А.Н. Аннаниязов, А. Е. Беляев, Г. Гаря-гдыев, А. П. Здебский, Е. А. Сальков //Укр. физ. ж. 1988. Т. 33. № 11. С.1694−1696.
  41. О природе температурного гистерезиса эффективного модуля сдвига в монокристаллическом кремнии /А.В. Олейнич-Лысюк, Б. И. Гуцуляк, И. М. Фодчук //ФТП. 2005. Т. 39. № 7. С. 769−771.
  42. Фазовые переходы в монокристаллах кремния, обусловленные ориентированной пластической деформацией /И.М. Шмытько, А. Н. Изотов, Н. С. Афонникова, С. Виейра, Г. Рубио //ФТТ. 1998. Т. 40. № 4. С. 746−749.
  43. .Н. Многослойные структуры и политипизм в металлических сплавах. Киев: Наукова думка, 1984. 356 с.
  44. В.М., Блецкан Н. И., Венгер Е. Ф. Кислород в монокристаллах кремния. Киев: Интерпрес ЛТД, 1997. 275 с.
  45. И.И., Лубочкова Г. А., Медведев Ю. В. Внутреннее трение в облученных монокристаллах РЬТе // Примеси и дефекты в узкозон. полупровод: Материалы Всесоюз. семин. по пробл. «Физ. и химия полупровод.» 1987. С. 90−92.
  46. Positron study of vacancy defects in proton and neutron irradiated GaP, InP and Si / G. Dlubek, C. Ascheron, R. Krause, H. Erhard, D. Klirnm // Phys. status solidi. 1988. V. 106. № 1. p. 81−88.
  47. Л.Н., Зотов М. И., Сурин Б. П. Исследование нестабильных дефектов методом внутреннего трения // Внутр. трение в исслед. мет. сплавов и немет. матер. М., 1989. С. 35−38.
  48. Влияние рентгеновского облучения на внутреннее трение в кремнии / Н. П. Кулиш, П. А. Максимюк, Н. А. Мельникова, А. П. Онашсо, A.M. Струтин-ский // ФТТ. 1998. Т. 40. № 7. С. 1257−1258.
  49. JI.C. Физические процессы в облученных полупроводниках. Новосибирск: Наука, 1977. 255 с.
  50. С.П., Кардашев Б. К. Упругость и дислокационная неупругость кристаллов. М.: Наука, 1985. 253 с.
  51. Л.Н., Зотов М. И. Внутреннее трение и дефекты в полупроводниках. Новосибирск: Наука, 1979. 158 с.
  52. Упругость и неупругость волоконных монолитов нитрид кремния/нитрид бора /Б.И. Смирнов, Ю. А. Буренков, Б. К. Кардашев, D. Singh, К.С. Goretta, A.R. de Arellano-Lopez //ФТТ. 2001. Т. 43. № 11. С. 2010−2014.
  53. Наблюдение электронно-механического резонанса на глубоких уровнях в полупроводниках АШВУ, имплантированных ионами железа /А.Г. Катукова, В. И. Митрохин, С. И. Рембеза, Н. П. Ярославцев // ФТП. 1987. Т. 21. № 7. С. 1335−1336.
  54. Электронно-механическая релаксация в пьезополупроводниках с глубокими уровнями / В. И. Митрохин, С. И. Рембеза, В. В. Свиридов, Н. П. Ярославцев // Внутр. трение и исслед. мет., сплавов и немет. матер. М., 1989. С. 266−271.
  55. Внутреннее трение, связанное с глубокими уровнями в полярных полупроводниках / В. И. Митрохин, С. И. Рембеза, В. В. Свиридов, Н. П. Ярославцев // ФТТ. 1985. Т. 27. № 7. С. 2081−2085.
  56. Воздействие оптического облучения на внутреннее трение в пьезополупроводниках с глубокими центрами / В. И. Митрохин, С. И. Рембеза, В. В. Свиридов, Н. П. Ярославцев // ФТП. 2002. Т. 36. № 2. С. 138−143.
  57. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. 365 с.
  58. А.И., Антипов С. А. Низкотемпературное затухание в кремнии. Воронеж: ВПИ, 1981. С. 12 .
  59. A.M., Дрожжин А. И., Антипов С. А. Аномальное затухание в монокристаллах кремния // Взаимодействие дефектов кристаллической решетки и свойства металлов и сплавов. Тула, 1983. С. 68−74.
  60. Пластичность и хрупкость нитевидных кристаллов системы кремний-германий /И.В. Курило, Р. И. Байцар, С. С. Варшава //Неорганические материалы. 1996. Т. 32. № 10. С. 1168−1170.
  61. С.А., Дрожжин А. И., Рошупкин A.M. Релаксационные явления в нитевидных кристаллах полупроводников. Воронеж: Изд-во ВГУ, 1967. 191 с.
  62. Исследование дефектной структуры нитевидных кристаллов кремния методом внутреннего трения /В.В. Господаревский // Физ. электроника. 1978. № 17. С. 41−45.
  63. В.П. Физика прочности и пластичности поверхностных слоев материалов. М.: Наука, 1983. 280 с.
  64. Методика исследования субмикровыделений в поликристаллических материалах методом внутреннего трения / Ю. Н. Андреев, М. В. Бестаев, Д. Ц. Димитров, В. А. Мошников, Ю. М. Таиров, Н. П. Ярославцев // ФТП. 1997. Т. 31. № 7. С. 841−843.
  65. Internal friction peaks due to a coating effect / W. Chomka, E. Denga, P. Moser // Phys. status solidi. 1980. V. 62. № 1. P. 53−55.
  66. Л.Н., Зотов М. И., Сурин Б. П. Влияние оксидных пленок на ВТ в кремнии // Физика и химия конденсированных сред, Воронеж, 1981. С. 14−17.
  67. О механизме образования микровключений компонента АШВ в полупроводниках AmBv /Е.А. Глушков, Н. В. Измайлов, С. И. Рембеза, А.М. Ту-ховский, С. К. Турков, Н. П. Ярославцев //Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1985. Т. 21. № 12. С. 2003−2005.
  68. Внутреннее трение связанное с изменением агрегатного состояния индия в сплавах системы Cu-In-Al /В.В. Путилин //"Физика металлов и металловедение". 1985. Т. 59. № 5. с. 1038−1040.
  69. Внутреннее трение при изменении формы малых включений ЯО.Н. Андреев, Б. М. Даринский, В. А. Мошников, Д. С. Сайко, Н. П. Ярославцев //ФТП. 2000. Т. 34. № 6. С. 644−646.
  70. Внутренне трение и модуль Юнга углеродной матрицы для биоморф-ной керамики карбида кремния /Б.К. Кардашев, Ю. А. Буренков, Б. И. Смирнов, J. Martinez-Fernandez, F.M. Varela-Feria //ФТТ. 2005. Т. 47. № 5. С. 860 864.
  71. Температурные зависимости модуля упругости биоморфных керамик карбида кремния /Б.И. Смирнов, Ю. А. Буренков, Б. К. Кардашев, F.M. Varela-Feria, J. Martinez-Fernandez, A.R. de Arellano-Lopez //ФТТ. 2003. T. 45. № 3. c. 456−459.
  72. Упругость и неупругость биоморфной керамики карбида кремния /Б.К. Кардашев, Ю. А. Буренков, Б. И. Смирнов, A.R. de Arellano-Lopez, J. Martinez-Fernandez, F.M. Varela-Feria//ФТТ. 2004. Т. 46. № 10. С. 1811−1815.
  73. The internal friction hysteretic in composite /D. Kovar, B.H. King, R.W. Trice, J.W. Halloran //J. Am. Cer.Soc. 1997. V. 80. № Ю. P. 2471−2476.
  74. Measurement of the acoustic properties of amorphous silica above 4.5 mK /Е. Nazaretski, R.D. Merithew, R.O. Pohl, J.M. Parpia //Phys. Rev. В. V. 71. № 3. P. 1442−1451.
  75. Internal Friction of Subnanometer a-Si02 Films /В.Е. White Jr., R.O. Pohl //Phys. Rev. Lett. 1995. V. 75. № 6. P. 4437−4439.
  76. Low-temperature energy excitations and thermal properties of silica aerogels /A.M. de Goer, R. Calemczuk, B. Salce, J. Bon, E. Bonjour, R. Maynard //Phys. Rev. B. 1989. V. 40. № 4. P. 8327−833.
  77. Синтез ориентированных пленок CuInSe2 на кристаллах NaCl /Е.К.Белоногов, В. М. Иевлев, А. Н. Харин //Вестник Воронеж, гос. техн. унта. Сер. Материаловедение. 2003. Вып 1.14. С. 3−7.
  78. Просветление оптики. /И.В. Гребенщиков, А. Г. Власов, Б.С. Непо-рент, Н. В. Суйковская М.: Госхимиздат, 1946. 211 с.
  79. А.И., Николаева JI.B. Тонкослойные стеклоэмалевые и стеклокерамические покрытия. JT.: Наука. 1970. 70 с.
  80. Н.В. Химические методы получения тонких прозрачных пленок. JL: Химия, 1971. 200 с.
  81. X. Осаждение окисных слоев из органических растворов // Физика тонких пленок. М.: Мир, 1972. Т. 5. С. 84−139.
  82. Тонкие неорганические пленки в микроэлектронике. /А.И. Борисенко, В. В. Новиков, Н. Е. Прихидько, И. М. Митникова, Л. Ф. Чепик JI.: Наука, 1972. 114 с.
  83. JI.B., Борисенко А. И. Тонкослойные стеклоэмалевые и стеклокерамические покрытия. Л.: Наука, 1980. 88 с.
  84. Brinker С.J., Scherer G.W. Sol-Gel Science. The Physics and Chemistry of Sol-Gel Processing. San Diego: Academic Press, 1990. 908 p.
  85. Sol-gel processing of optical and electrooptical materials /D. Levy, L. Es-quivias //Adv. Mater. 1995. V. 60. № 7. p. 120−129.
  86. B.A., Шульц M.M. Керамические и стекломатериалы. Перспективы развития // Стекло и Керамика XXI. Перспективы развития / Концепция акад. Шевченко В .Я. СПб.: Янус, 2001. С. 107−175.
  87. Structural characterization of iron titanium oxide synthesized by sol-gel spin-coating technique / A.R. Phani, S. Santucci // Materials Letters. 2001. V. 50. № 3. P. 240−245.
  88. Novel approached to form and pattern sol-gel polymethiylsilsesquioxane-based spin-on glass thin and thick films / Yu. Liu, T. Cui, R.K. Sunkam, P.J.
  89. Coane, M.J. Vasile, J. Geoettert // Sensors and Actuators B: Chemical. 2003. V. 88. № 1. P. 75−79.
  90. K.B., Вихлянцев О. Ф., Грибов Б. Г. Получение окисных пленок из растворов и их использование в электронной технике. // МЭП СССР. Обзоры по электронной технике. Сер. Материалы. М.: ЦНИИ Электроника. 1974. Вып. 13 (250). 61 С.
  91. Применение силикатных пленок, полученных из растворов, в планар-ной технологии / Б. Г. Грибов, З. А. Зайцевская, А. П. Звездочкин, К. В. Зиновьев // Электронная промышленность. 1978. Вып. 1. С. 44−48.
  92. К.В. Растворные композиции для электронной техники // Электронная промышленность. 1980. Вып. 8. С. 93−96.
  93. Свойства пленок, получаемых из растворов на основе тетраэтоксиси-лана, в зависимости от технологических аспектов их формирования / О. А. Шилова, Л. Ф. Чепик, Ю. З. Бубнов // ЖПХ. 1995. Т. 68. № 10. С. 1608−1612.
  94. Гидролитическая поликонденсация тетраэтоксисилана с солями и оксидами металлов в золь-гель процессе / В. А. Свидерский, М. Г. Воронков, B.C. Клименко, С. В. Клименко // ЖПХ. 1997. Т. 70. № 10. С. 1698−1703.
  95. Использование золь-гель технологии в проихзводстве тонкопленочных газовых сенсоров / Ю. З. Бубнов, Л. Ф. Чепик, О. А. Шилова, Л.Н. Вишев-ник // Температуроустойчивые функциональные покрытия. Тр. XVII совещ. Т. 1. СПб: ООП НИИХ СПбГУ, 1997. С. 99−104.
  96. С.В., Чепик Л. Ф., Кузнецова Л. А. Растворная технология получения стекловидных неорганических пленок и стеклокерамических покрытий // Физикохимия силикатов и оксидов / Отв. Ред. акад РАН М. М. Шульц. С-Пб.: Наука (ИХС РАН), 1998. С. 277−286.
  97. Золь-гель метод получения композиционных стекловидных и стекло-керамических пленок на основе неорганических полимеров / О. А. Шилова, С. В. Хашковский // Материалы. Технологии. Инструменты (MTI journal, HAH Беларуси). 2001. Т. 6. № 2. С. 64−68.
  98. Наноразмерные стекловидные пленки многофункционального назначения в технологии изготовления полупроводниковых газовых сенсоров /Ю.З. Бубнов, О. А Шилова // Технологии приборостроения. 2003. № 3. С. 6071.
  99. .В. Курс общей химии. М.: Госхимиздат, 1960. 970 с.
  100. Drying of Sn02 hydrogels: effect of the electrolyte /R.T. Presecatan, S.H. Pulcinelli, C.V. Santilli // J. Non-Cryst. Solids. 1992. V. 147. № 8. P. 340−345.
  101. Тонкие неорганические пленки в микроэлектронике /А.И. Бори-сенко, В. В. Новиков, Н. Е. Прихидько,. И. М. Митникова, Л. Ф. Чепик Л.: Наука, 1972. 255 с.
  102. Получение золь-гель пленок на содержащих диоксид олова /Л.Ф. Че-пик, Е. П. Трошина, Т. С. Мащенко, Д. П. Романов, А. И. Максимов, О.Ф. Луц-кая // ЖПХ. 2001. Т. 74. № Ю. С. 1569−1573.
  103. Внутреннее трение при изгибных колебаниях системы пленка-подложка / Б. М. Даринский, А. С. Ильин, В. И. Митрохин, Н. П. Ярославцев // Твердотельная электроника и микроэлектроника. Воронеж: ВГТУ, 2005. С. 212−215.
  104. А.В. Нитрид кремния в электронике. Новосибирск: Наука, 1982. 236 с.
  105. Prospects of application of silicon nitride /Y. Shi, X. Wang, T.-P. Ma // IEEE Trans. Electron. Dev. 1999. V. 46. № 3. P. 362−365.
  106. Nature of traps in silicon nitride / W.L. Warren, J. Kanichi, J. Robertson, E.H. Poindexter, PJ. McWhorter // J. Appl. Phys. 1993. V. 74. № 5. P. 4034−4037.
  107. Центры рассеяния в нитриде кремния / В. А. Гриценко, А. Д. Милов // ПЖТФ. 1996. Т. 64. № 4. с. 79.
  108. Внутреннее трение в пленках на основе SisN4 и Cu-Se /Е.К. Белоно-гов, Б. М. Даринский, А. С. Ильин, В. И. Митрохин, В. А. Мошников, А.Н. Ха-рин, Н. П. Ярославцев //Известия РАН, Сер. Физическая. 2005. Т. 69. № 8. С. 1172−1174.
  109. JCPDS International Centre of Diffraction Data 1998
  110. Частотная зависимость пика внутреннего трения в твердых телах, обусловленного включениями другой фазы / Б. М. Даринский, Н. П. Ярославцев //Высокочистые вещества. 1990. № 3. С. 80−83.
  111. Диаграммы состояния двойных металлических систем. / Под ред. Н. П. Лякишева. М.: Машиностроение, 1997. Справочник: В 3 т. Т. 2. С. 311 312.
  112. Исследование гибридных органо-неорганических пленок используемых в качестве диффузантов / А. С. Ильин, С. В. Кощеев, А. И. Максимов,
  113. B.А. Мошников, И. В. Смирнова, О. А. Шилова, Н. П. Ярославцев // Сб-к 14 Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел. РЭМ-2005. Черноголовка: Богородский печатник, 2005. С. 59−60.
  114. Внутреннее трение в полупроводниковых тонких пленках, полученных методом золь-гель технологии /А.С. Ильин, А. И. Максимов, В. А. Мошников, Н. П. Ярославцев //ФТП. 2005. Т. 39. № 3. С. 300−304.
  115. Внутреннее трение в наноструктурах на основе кремния, полученных по золь-гельной технологии / А. С. Ильин, В. И. Митрохин, В. А. Мошников, О. А. Шилова, Н. П. Ярославцев // Твердотельная электроника и микроэлектроника. Воронеж. ВГТУ, 2003. С. 12−15.
  116. Н.П. Внутреннее трение в монокристаллах некоторых по3 5лупроводников, А В Автореф. канд. наук. Воронеж: ВПИ, 1979. 16 с. ы
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!