Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Высокотемпературный синтез и модификация свойств сегнетоэлектрических монокристаллов и шихты ниобата и танталата лития

Диссертация: Высокотемпературный синтез и модификация свойств сегнетоэлектрических монокристаллов и шихты ниобата и танталата лития
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Исследование температурно-временных интервалов получения гранулированной шихты НЛ и ТЛ, разработка промышленной технологии грануляции шихты. Исследование процессов получения номинально чистых оптически однородных монокристаллов НЛ в зависимости от химической предыстории исходных компонентов и характеристик шихты, условий и направления выращивания. Разработка технологических режимов получения… Читать ещё >

Высокотемпературный синтез и модификация свойств сегнетоэлектрических монокристаллов и шихты ниобата и танталата лития (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ц стр
  • Введение
  • 1. Литературный обзор
    • 1. 1. Влияние качественных характеристик исходной шихты для выращивания монокристаллов ниобата и танталата лития на их однородность и оптическое качество
    • 1. 2. Некоторые особенности твердофазного синтеза шихты ниобата и танталата лития
    • 1. 3. Влияние тепловых условий и особенностей роста монокристаллов ниобата лития методом Чохральского на оптическое качество монокристаллов
    • 1. 4. Особенности роста из легированных расплавов
      • 1. 4. 1. Равновесный и эффективный коэффициенты распределения примесей
      • 1. 4. 2. Дефектная структура ниобата лития
      • 1. 4. 3. Исследования в области легированных монокристаллов ниобата лития
  • 2. Методы контроля качества шихты и монокристаллов
    • 2. 1. Метод дифференциально-термического анализа (ДТА) для определения температуры Кюри HJI и температуры плавления
    • 2. 2. Монодоменизация монокристаллов ниобата лития. Контроль монодоменности пьезо-акустическим методом
    • 2. 3. Экспрес-оценка оптической чистоты монокристаллов ниобата лития по центрам рассеяния
    • 2. 4. Исследования монокристаллов методом КРС
    • 2. 5. Рентгеновское дифрактометрическое исследование
  • 3. Оптимизация метода твердофазного синтеза шихты ниобата и танталата лития. Определение оптимальных температурно-временных режимов отжига крупногабаритных монокристаллов танталата лития
    • 3. 1. Исследование процесса грануляции шихты ниобата и танталата лития
    • 3. 2. Исследования по примесному, стехиометрическому и фазовому fa составу шихты и монокристаллов ниобата лития
    • 3. 3. Температурно-временные режимы отжига крупногабаритных монокристаллов танталата лития
  • 4. Исследование влияния условий выращивания и технологических режимов на оптическое качество номинально чистого ниобата лития. j^
    • 4. 1. Исследование возможности получения оптических монокристаллов ниобата лития из ЦГН- и А- шихты
    • 4. 2. Выращивание крупногабаритных монокристаллов HJI (Y+36)-среза
  • 5. Получение и исследование монокристаллов ниобата лития легированных редкоземельными элементами
    • 5. 1. Выращивание монокристаллов ниобата лития, легированных редкоземельными элементами (Ег- Tb- Рг- Dy- Tm- Cd, Sm, Lu)
    • 5. 2. Исследование монокристаллов HJI, легированных РЗЭ

Актуальность работы.

Успех на рынке высоких технологий как в гражданском, так и в оборонном секторах экономики в значительной степени обусловлен прогрессом в разработке новых функциональных материалов и оптимизации их характеристик. При этом сегнетоэлектрические кристаллы формируют многие новейшие направления электроники, акусто — и оптоэлектроники, нелинейной оптики, лазерной техники, систем связи и автоматики, оптических запоминающих сред, технологии обработки материалов и медицинской техники.

В ряду широкого спектра функциональных диэлектрических материалов монокристаллы ниобата лития (НЛ) и танталата лития (ТЛ) занимают особое положение. Уникальное сочетание сегнетоэлекгрических и лазерных свойств, модификация их путем легирования, возможность получения однородных монокристаллов с высокой воспроизводимостью заданных характеристик, а также, широкое применение в массовом производстве выводит НЛ и ТЛ в ряд наиболее перспективных материалов и обеспечивает постоянный научный интерес.

Несмотря на значительные успехи в области фундаментальных исследований, многочисленные технологические разработки, задача получения однородных монокристаллов НЛ и ТЛ высокого оптического качества до сих пор является актуальной. Это связано, прежде всего, с тем, что нецетросимметричные монокристаллы НЛ и ТЛ являются фазами переменного состава и, согласно их фазовым диаграммам [1, 2] имеют достаточно широкую область гомогенности, в пределах которой образуют непрерывную цепь твердых растворов различного состава. В силу особенностей фазовой диаграммы, конгруэнтный состав монокристаллов НЛ и ТЛ существенно отличается от стехиометрического и характеризуется недостатком по литию [1−4]. Кроме того, монокристаллы НЛ и ТЛ в пределах области гомогенности имеют ярко выраженную зависимость многих свойств и параметров, таких как температура Кюри, угол скалярного фазового синхронизма, температура фазового согласования генерации второй гармоники (ГВГ), положение края оптического поглощения и т. д., от химического состава кристалла и, непосредственно, от соотношения основных компонентов [5−18]. Поэтому даже незначительные отклонения состава шихты от конгруэнтного, при выращивании монокристаллов методом Чохральского, приводят к появлению неоднородностей состава кристаллов и вызывают изменения свойств и параметров, которые напрямую зависят от соотношения основных компонентов. Задача получения однородных оптических монокристаллов HJI и TJI сводится к задаче получения монокристаллов с одинаковым соотношением основных компонентов во всем объеме.

Кроме того, степень однородности HJI и ТЛ, их оптическое качество существенно зависят от условий выращивания, ориентации монокристаллов и могут быть повышены при использовании особых режимов роста, послеростового отжига, последующей термоэлектрообработки [19−21].

В связи с этим, с целью улучшения технико-экономических показателей промышленной технологии получения оптических монокристаллов, весьма актуальна разработка критериев оценки оптимального качества шихты для выращивания оптических монокристаллов, стандартизация ее свойствизучение процессов получения гранулированной шихты, отличающейся повышенным насыпным весом, высокой воспроизводимостью характеристик и существенно улучшающей технико-экономические показатели технологии выращивания монокристаллов.

Новые приложения монокристаллов HJI в оптике требуют кардинально новых подходов к формированию фундаментальных основ их технологии. Так, современный подход к созданию твердотельных лазеров с диодной накачкой требует уширения полосы поглощения активного иона (обычно редкоземельного) в лазерной матрице с целью эффективной стабилизации процесса лазерной генерации. Решение этих проблем возможно путем реализации матриц на основе разупорядоченных монокристаллов НЛ и TJI. Однако задача получения бездефектных сильнолегированных РЗЭ монокристаллов HJI высокого оптического качества с однородным распределением примеси до настоящего времени является актуальной.

Поэтому необходимо изучение влияния тепловых условий выращивания на оптическое качество, как номинально чистых, так и легированных монокристаллов и получение монокристаллов HJI, легированных РЗЭ в широком диапазоне концентраций, сравнительное исследование их физических, сегнетоэлектрических свойств, характера распределения примесей, а также влияния РЗЭ на дефектную структуру HJI и оптические характеристики, с целью выращивания монокристаллов с высокой степенью оптического совершенства, содержащих минимальное количество центров рассеяния для новых приложений НЛ в интегральной, нелинейной и лазерной оптике. Цель работы.

Исследование температурно-временных интервалов получения гранулированной шихты НЛ и ТЛ, разработка промышленной технологии грануляции шихты. Исследование процессов получения номинально чистых оптически однородных монокристаллов НЛ в зависимости от химической предыстории исходных компонентов и характеристик шихты, условий и направления выращивания. Разработка технологических режимов получения оптически однородных монокристаллов HJI, легированных РЗЭ (Рг, Sm, Gd, Tb, Dy, Er, Tm, Lu) в широком диапазоне концентраций. Определение характера распределения примеси в системе расплав-кристалл, исследование концентрационных зависимостей физико-химических, сегнетоэлектрических и структурных характеристик легированных РЗЭ монокристаллов HJI. Исследование дефектной структуры и закономерностей внедрения редкоземельных катионов в кристаллическую решетку HJ1. При этом необходимо было решение следующих задач:

1. получить гранулированную шихту HJI и TJI.

2. разработать конструкции тепловых узлов и определить технологические режимы, обеспечивающие оптимальные условия выращивания номинально чистых высокооднородных оптических монокристаллов HJI, не зависимо от их диаметра и ориентации, из гранулированной шихты различного генезиса.

3.получить из гранулированной шихты в оптимальных тепловых условиях по единой методике серии монокристаллов HJI, легированных РЗЭ в широком диапазоне концентраций, исследовать характер распределения примесей в системе расплавкристалл, изучить их свойства и влияние на дефектную структуру HJI, на основании полученных зависимостей определить механизм вхождения РЗ-катионов.

Методы исследований.

В работе были использованы спектральный, рентгенофазовый (РФА), дифференциально-термический (ДТА), рентгенофлюоресцентный методы анализа, пьезоакустический метод контроля монодоменности кристаллов и экспресс-оценка оптической чистоты номинально чистых HJI по центрам рассеяния, метод порошковой дифрактометрии и КР-спектроскопия.

ДТА выполнен на экспериментальной высокочувствительной установке в ИХТРЭМС КНЦ РАН, для сборки стенда, позволяющего осуществлять контроль монодоменности кристаллов использовалась стандартная аппаратура: генератор низкой частоты (ГЗ-118), частотомер (ЧЗ-64), милливольтметр (ВЗ-Э8Б). Экспресс-оценка оптической чистоты монокристаллов производилась с использованием He-Ne лазера ЛГ-112 с длиной волны 632.8 нм. Для регистрации КРС использовался модернизированный спектрометр ДФС-24, а в качестве источника излученияионно-аргоновый лазер ILM-120.Рентгеновское дифрактометрическое исследование проводилось по стандартной методике на дифрактометре ДРОН-2.

Научная новизна работы.

1. Определены температурно-временные интервалы аномальной кристаллизации шихты HJI и ТЛ с целью получения гранулированной шихты высокой насыпной плотности.

2. Разработаны технологические режимы выращивания методом Чохральского номинально чистых высокооднородных монокристаллов ниобата лития оптического качества Zи У+36°-срезов из гранулированной шихты с различной химической предысторией.

3. Разработаны технологические режимы выращивания методом Чохральского высокооднородных монокристаллов ниобата лития, легированных РЗЭ в широком диапазоне концентраций. Впервые по единой методике получены серии монокристаллов ниобата лития, легированных РЗЭ (Рг, Sm, Gd, Tb, Dy, Er, Tm, Lu) в диапазоне концентраций 0.1 — 3.5 вес. %. Впервые подробно исследованы концентрационные зависимости физико-химических, сегнетоэлектрических и структурных характеристик легированных РЗЭ монокристаллов.

4. Впервые в широком диапазоне концентраций (от 0.1 — до 3.5 вес %) определены коэффициенты распределения примесей РЗЭ (Pr, Sm, Gd, Tb, Dy, Er, Tm, Lu) всистеме кристалл — расплав НЛ, их зависимость от концентрации примеси в расплаве и направления выращивания монокристалла.

5. На основании анализа концентрационных зависимостей физико-химических, сегнетоэлектрических и структурных характеристик и исследований спектров КРС в рамках модели литиевых вакансий предложен механизм внедрения редкоземельных катионов в решетку НЛ и изучено влияние концентрации РЗЭ на дефектную структуру монокристаллов.

Практическая значимость работы.

1. Разработана и внедрена (ОАО «Северные кристаллы») промышленная технология грануляции шихты НЛ и ТЛ, позволяющая получать оптически однородные монокристаллы методом Чохральского из расплава.

2. Разработана и внедрена (ОАО «Северные кристаллы») промышленная технология выращивания крупногабаритных монокристаллов НЛ (Y+360) — среза, позволяющая получать материал с высокой степенью воспроизводимости свойств и выходом, близким к 100%.

3. Разработаны технологические режимы получения оптически совершенных монокристаллов ниобата лития Z-ориентации из шихты различного генезиса для приложений в интегральной, нелинейной и лазерной оптике.

4. Разработаны оптимальные критерии качества шихты ниобата лития, позволяющие получать монокристаллы для оптических приложений.

5. Разработаны технологические режимы получения монокристаллов HJI, легированных РЗЭ (Pr, Sin, Gd, Tb, Dy, Er, Tm, Lu) в широком диапазоне концентраций. Впервые методом Чохральского в одинаковых условиях, в диапазоне концентраций примеси 0.1−3.5 вес. % в исходном расплаве получены серии монокристаллов HJI, легированных РЗЭ (Рг, Sm, Gd, Tb, Dy, Er, Tm, Lu).

6. Получены концентрационные зависимости коэффициента распределения примесей РЗЭ в системе кристалл — расплав HJI, физико-химических, сегнетоэлектрических и структурных характеристик, явлющиеся научной основой получения высокооднородных легированных РЗЭ кристаллов HJI для создания маломощных лазеров и оптических устройств с регулярной доменной структурой.

7. Оптимизирован и внедрен (ОАО «Северные кристаллы») технологический режим послеростового отжига монокристаллов TJI, позволяющий избегать их растрескивания при последующей механической обработке.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Технологические режимы синтеза-грануляции шихты НЛ и ТЛ в едином технологическом цикле.

2. Технологические режимы получения в условиях малого осевого температурного градиента однородных оптически однородных монокристаллов НЛ, выращенных в направлении Z-среза из гранулированной шихты с различной химической предысторией.

3. Технологические режимы воспроизводимого получения методом Чохральского в условиях малого осевого градиента крупногабаритных монокристаллов НЛ (Y+36°)-среза.

4. Экспериментально установленные зависимости коэффициента распределения РЗЭ в системе кристалл — расплав ниобата лития в зависимости от типа, концентрации примеси и кристаллографического направления выращивания кристалла.

5. Модель механизма внедрения примесей РЗЭ в кристаллическую решетку ниобата лития в широком диапазоне концентраций, влияние концентрации РЗЭ на характер дефектной структуры НЛ .

Личное участие автора. Материалы, представленные в диссертации получены самим автором или при его непосредственном участии.

Апробация результатов. Результаты работы обсуждались на российских и международных конференциях: на 9 национальной конференции по росту кристаллов.

Москва, 2000), ISRF-111 (2000), на 10 национальной конференции по росту кристаллов (Москва, 2002), на 4 Международной конференции «Кристаллы, рост, свойства, реальная структура, применение» (Александров, 1999), на шестой и седьмой международных конференциях «Кристаллы: рост, реальная структура, свойства, применение» (Александров, 2003, 2004), на восьмом международном совещании «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь, 2003), The 4th International seminar on Ferroelastic Physics (Voronezh, 2003), Romanian conference on advanced materials: ROCAM (Constanta, 2003), E-MRS Spring Meeting, (Strasburg, 2003) на 11 национальной конференции по росту кристаллов (Москва, 2004), на 12 конференции «Высокочистые вещества и материалы» (Нижний Новгород, 2004), IIth АРАМ seminar «The progresses in functional materials» (China, 2004), 7th European Conference on Application of Polar Dielectrics (Czechia, 2004). Публикации Основное содержание диссертации отражено в 27 публикациях Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, 5 глав, основных выводов, списка используемой литературы и приложения.

Основные результаты и выводы.

1. Оптимизирован метод твердофазного синтеза шихты НЛ и ТЛ, определены температурно-временные промежутки аномальной кристаллизации (LiNb03 Т = 1250 °C х = 5 часLiTa03 Т = 1610 °C х = 2,5 час) и разработана промышленная технология синтеза-грануляции, позволяющая с высокой воспроизводимостью получать гранулированную шихту НЛ и ТЛ конгруэнтного состава, с высоким насыпным весом. Технология внедрена в ОАО «Северные кристаллы» .

2. Определены оптимальные температурно-временные режимы послеростового отжига крупногабаритных монокристаллов ТЛ, обеспечивающих их последующую механическую обработку без появления трещин. Разработана и внедрена промышленная технология отжига монокристаллов. Температура отжига — 1350 °C, время отжига — 5 часов. Скорость нагрева и охлаждения- 50 град/час.

3. Определены оптимальные тепловые условия и технологические режимы выращивания монокристаллов оптического качества из ЦГНи Ашихты Установлены температурно-временные режимы подготовки расплава перед затравливанием, обеспечивающие его гомогенизацию.

4. Разработана и внедрена промышленная технология выращивания монокристаллов НЛ (У+36°)-среза для акустических приложений. Установлено, что существует узкий диапазон тепловых условий и соответствующих им скоростей роста, при которых возможно воспроизводимое получение крупногабаритных монокристаллов НЛ (У+36°)-среза без их растрескивания в процессе выращивания и послеростовой обработки.

Показано, что использование конусного экрана, позволяющего увеличить осевой градиент температуры на границе раздела фаз с одновременным сохранением протяженной изотермической зоны, позволяет существенно снизить продолжительность роста цилиндрической части кристалла за счет использования большей скорости перемещения.

5. Разработаны технологические режимы выращивания из смеси ЦГНи А-шихты конгруэнтного состава монокристаллов НЛ, легированных РЗЭ (Er, Tb, Pr, Dy, Tm .Sm, Gd, Lu) в широком диапазоне концентраций легирующей примеси в расплаве (от 0.1 до 3,5 вес %).В идентичных условиях получены серии одинаковых по размеру монокристаллов НЛ, легированных РЗЭ диаметром 30 мм и длиной цилиндрической части 30 мм (всего порядка 50 монокристаллов).

6. Предложена методика легирования и последующего расчета коэффициента распределения примеси в начальный момент выращивания, при заранее не известном КР> с учетом данных рентгено-флюоресцентного анализа о содержании РЗЭ в конусной и хвостовой части кристалла.

Определены концентрационные зависимости структурных параметров, коэффициента распределения, температуры плавления и Кюри в монокристаллах HJI, легированных РЗЭ, при содержании примеси в расплаве от 0.1 до 3.5 вес %.

7. На основании анализа концентрационных зависимостей физико-химических, сегнетоэлектрических, структурных характеристик и спектров КР в рамках модели литиевых выкансий предложен механизм внедрения катионов в кристаллическую решетку HJI: при малых концентрациях примеси РЗкатионы локализуются в регулярных литиевых октаэдрах, с повышением концентрации начинают наряду с этим вытеснять антиструктурные дефекты NbLи далее занимают регулярные позиции ниобия.

Показано, что характер распределения РЗ примесей между кристаллом и расплавом зависит от концентрации, ионного радиуса РЗ катиона и строения его электронной оболочки, а именно наличия спаренных или не спаренных электронов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Ю.С. Электрооптический и нелинейно-оптический кристалл ниобата лития. М.: Наука, 1978, 264 стр.
  2. Ю.С. Ниобат и танталат лития. Материалы для линейной оптики. М.: Наука, 1975, 223 стр.
  3. Rauber A. Chemistry and Physics of Lithium Niobate. Current Topic in Materials. Science/. Amsterdam. N. Y., Oxford: North- Holland Publishing Company, 1978, V.l.P 480−601.
  4. Abrahams S. C. Properties of Lithium Niobate. N.Y., 1989. p. 234.
  5. Carruthers J. R., Peterson G. E., Grasso M. Nonstoiciometry and Crystal Growth of Lithium Niobate // J. of Appl. Phys. 1971. V.42.1 5. 3. 1846- 1851.
  6. Sangeeta D., Rajpurkar M. K., Kothiyal G. P., Ghosh B. Growth of Single Crystals of LiNb03 and Measurement of its Curie Temperature // Indian J. Phys., 1987. V. 61. 1 4. P. 373- 376.
  7. Srivastava K.N., Gangarh J.R., Rishi M.V., Singh R. Effect of Melt Composition on Growth and Properties of LiNb03 Crystals // Indian J. of Pure and Appl. Phys. 1984. V. 22 '3. P. 154−160.
  8. P.H., Полгар К., Эрдеи Ш. Контроль оптической однородности кристаллов ниобата лития и конгруэнтного состава расплава методами генерации второй гармоноки // Кристаллография. 1987. Т. 32. 1 2. С. 482−485.
  9. Scott В. A., Burns G. Determination of Stoichiometry Variations in LiNb03 and LiTa03 by Raman Powder Spectroscopy//!. Am. Ceram. Soc. 1972. V.55. '5. P 225−230
  10. Chow K., McKhight H.G., Rothrock L. R. The Congruently Melting Composition of LiNb03 // Mater. Res. Bull. 1974. V.9. P. 1067−1072.
  11. Grabmaier B.C., Wersing W., Koestler W. Properties of Undoped and MgO-Doped LiNb03- Correlation to the Defect Structure // J. of Cryst. Growth. 1991. V.110. P.339−347.
  12. Born E., Willibald E., Hofmann K., et all. Dwtection of Non-Congruent Lihium Niobate Crustals Using the Nondestructive Derivative Spectrophotometru // IEEE Ultrasonics Symposium. 1988. P. 119−122.
  13. Arizmendi L. Simple Holographic Method for Determination of Li/Nb Ratio and Homogenity of LiNb03 Crystals // J. Appl.Phys. 1988.V.64. P. 4654−4656.
  14. Carruthers J. R., Peterson G. E., Grasso M. Nonstoichiometry and Crystal Growth of Lithium Niobate // J. of Appl. Phys. 1971. V.42.1 5. P. 1846- 1851.
  15. Krol D. M., Blasse G. The Influence of the Li/Nb Ratio on the Luminescence Properties of LiNb03 // J. Chem. Phys. 1980. V 73. P. 163−166.
  16. Foldvari I., Polgar K., Voszka K., Balasanyan R. N. A Simple Method To The Determine the Real Composition of LiNb03 Crystals // Cryst. Res. and Technol. 1984 V.19. 1 12. P. 1659−1661.
  17. CTBryan H.M. Gallagher P.K., Brandle C. D. Congruent Composition and Li-Rich Phase Boundary of LiNb03 // J. Am. Ceram. Soc. 1985. V. 68.1 9. P.493−496
  18. СГBryan H.M., Gallagher P.K. Characterization of LiNb03 by Dilatometry and DTA // J. Am. Cerem. Soc. 1985. V. 68 1 3. P.147−150.
  19. P.H., Габриелян B.T., Коканян Э. П., Фельдвари И. Состав и однородность кристаллов LiNb03 в их взаимосвязи с условиями выращивания. Влияние электрического поля. // Кристаллография. 1990. Т.35. № 6. стр. 1540−1544.
  20. В. А., Лучинский Г. Т., Рубинина Н. М., Холодных А. И. Влияние высокотемпературного отжига на оптическую однородность монокристаллов метаниобата лития // Журн. техн. физики. 1981. Т. 51. С. 1557- 1560.
  21. В. Н. Технология монокристаллов М.: Радио и связь, 1990.-272с.
  22. Акустические кристаллы: Справочник /под ред. Шаскольской М. Н. М.: Наука. 1982. 632 стр.
  23. Ю.С., Осико В. В. Нарушение стехиометрии в кристаллах ниобата лития // Кристаллография. 1994. Т. 39. № 3. С. 530−533.
  24. Ю.С. Определение химического состава кристаллов ниобата лития физическими методами // Кристаллография. 1995. Т.40 № 6. стр. 1034−1038.
  25. М.Н., Сидоров Н. В., Стефанович С. Ю., Калинников В. Т. Совершенство кристаллической структуры и особенности характера образования ниобата лития // Неорганические материалы 1998, т.34, № 8 с. 903−910.
  26. С.Л., Ахмадуллин И. Ш., Голенищев-Кутузов В.А., Мигачев С. А. Полоса оптического поглощения биполяронов в LiNb03// ФТТ. 1995. Т.37. № 10. стр. 3179−3181.
  27. Р.Н., Габриелян В. Т., Коканян Э. П. Состав и однородность кристаллов LiNb03 в их взаимосвязи с условиями выращивания. Испарение расплава // Кристаллография. 1990. Т. 35., № 6, стр. 1545−1547.
  28. В.А., Федоров П. П. Докл. РАН.-1999- 364, С.498−502.
  29. А.И., Серебряков Ю. А., Палатников М. Н., Агулянская Л. А., Балабанов Ю. И. Исследование взаимодействия гидроокиси тантала с карбонатом лития// Журнал общей химии.1985. Т.55 № 9. С.1923−1926.
  30. Методы получения ниобатов щелочных металлов: Сер. Реактивы и особо чистые вещества. М. НИИТЭХИМ. 1978.70с.
  31. Shimada S., Kodara К., Matsushuta Т. A study of the formation of LiNb03 in the system Li2C03-Nb205//Termochimica Acta. 1978. V.23. N3. P.135−144.
  32. А.И., Серебряков Ю. А., Палатников M.H. и др. Твердофазный синтез метатанталата лития// Изв. АН СССР. Неорг. матер. 1986.Т.32 N.3.стр.471−473.
  33. Ю.А., Палатников М. Н., Куртушина С. В., Агулянская Л. А., Балабанов Ю. И. Кинетика твердофазного синтеза метаниобата лития// Керамические конденсаторные сегнето- и пьезоэлектрические материалы. Тез. Докл. Рига. 1986. С. 59.
  34. В.М., Нейман А. Я. Формально-кинетический анализ твердрфазных взаимодействий. Изотермический метод: Методическое пособие. Свердловск. Уральский государственный университет. 1979. 52 с.
  35. В. Т. Исследование условий выращивания и некоторых физических свойств электрооптических и акустических монокристаллов-ниобата лития, молибдата свинца, германата свинца. Автореф. канд. дисс. ИКАН, М. 1978.
  36. Raksanyc К., Peter A., Szaller Zs., Forizs I., Erdei S. The distribution of metaphosphate ion. A new critikal impurity in LiNb03 singee crystals growht by the Czochralski technigue// Acta phys. hung., 1987. 61. N2. P.213−216.
  37. O.M., Коток Л. А., Бамик B.B. Состояние работ в области получения сырья для монокристаллов// Обз.инф.сер.: Монокристаллы ОСЧ М.НИИТЭХИМ. 1984.
  38. В.А., Хавин З. Я. Краткий химический справочник. Л.: Химия. 1978. 392 с.
  39. З.И., Ковригин А. И., Лучинский Г. В., и др. // Квантовая электроника, 1980. Т.7.,№ 5, стр. 1013−1018.
  40. М. Н. Автореферат канд. дис. Синтез и свойства сегнетоэлектрических твердых растворов на основе ниобатов-танталатов щелочных металлов- М.1990.
  41. Л.Г. Введение в термографию. М.: Наука. 1969. 396 с.
  42. Накамото К Инфракрасные спектры неорганических координационных соединений: Пер. с англ. М.: Мир. 1966. 412 с.
  43. А.И., Бессонова В. А., Кузнецов В. Я., Калинников В. Т. Взаимодействие диоксифторида ниобия с карбонатом лития // Ж. неорг. химии. 1984.Т.29.Т4. С. 1066.
  44. Н.Ф., Мельникова О. В., Владимирская JI. Е., Пивоварова А. П. Физико-химические свойства соединений Me3'Mev04, где Me'=Li, Na- Mev=Nb, Ta//)KypH. прикл. химии. 1983. T.56.N12.C.2735.
  45. Crenies J.C., Martin С., Pwif A. Etude cristallogrphique des ortoniobates of lithium// Bull.Soc.Frans.Miner.Crist. 1964.V.87. P.316−320.
  46. В.Г., Бурачас С. Ф., Дубовик и др. // Всесоюзная конференция. Материалы для оптоэлектроники.- Харьков. Изд. ВНИИ монокристаллов, 1980.- С.57-.
  47. С.Ф., Тиман Б. Л., Бондарь В. Г. и др. // Получение и исследование монокристаллов. Сб. научных трудов.- Харьков ВНИИ монокристаллов, 1978., № 1., стр. 1−6.
  48. Авторское свидетельство № 586 338 (СССР) Измеритель уровня расплава // Бурачас С. Ф., Маликов В .Я., Костенко В. И., Беленко Б. Г., Дубовик М. Ф., Назаренко Б .П. // Заявление 6.08.75- Опубл.- БИ.- 1977.-№ 48.-стр. 126- Реф.- РЖХ.-1978.-21И179.
  49. B.C., Шварц К. К., Зацепин А. Т. и др. // ФТТ.-1979, — Т21, № 6.-стр. 1897−1899.
  50. .Л., Бурачас С.Ф.// Физика и химия кристаллов Харьков: Издательство ВНИИ монокристаллов, 1977, стр. 1−6.
  51. Carruthers J. R. Flow transitions and interface shapes inthe Czochralski growth of oxide crystals // J. Crystal Growth V.36 1976. P.212−214.
  52. А.Г., Нефедов B.A., Полянский E.B. и др. // Тез. докладов VI Международной конференции по росту кристаллов. М.: Наука. 1980.- Т.2. С. 1895.
  53. С.Ч., Габриелян В. Г. и др. Экспериментальное и теоретическое исследование влияние гидродинамических процессов на форму фронта кристаллизации // Кристаллография, 1994., Т.39., № 1., С.124−134
  54. Trauth J., Grabmaier В. CM J. Crystal Growth V. l 12, N2−3,1991, P.451
  55. Perner В., Kvapil J., Kvapil Jos. Czech. J. Phys. B.23 // 1973. P. 1091.
  56. Uda S., Tiller W. А. Диссоциация и ионизация расплава LiNb03// J.Cryst. Growth, 121, N1−2, P. 155−190, 1992.
  57. Ф. Химия несовершенных кристаллов / Пер. с англ. Под ред. Полторака О.М.- М.: Мир, 1964 с. 654.
  58. J. R., Peterson G. E., Grasso M. // J. of Appl. Phys. 1971. V.42. 1 5. P. 1846−1851
  59. Н.Ф., Рашкович Л. Н. // ФТТ.-1974.-Т.16. B.2.-C. 555−557.
  60. И. Захват примесей при росте кристаллов из расплава //Рост кристаллов. Ереван, Изд. ЕГУ, 1975, Т.11., с.315−327.
  61. R.L., // Solid State Physics, Academie Press, New York and London, V.25.p.l52.
  62. И.А. Численное моделирование радиального распределения примеси в неизотермическом расплаве при выращивании кристаллов методом Чохральского// Неорг. матер. Т.20., N10., 1984, C.1633−1639.
  63. Мамян A. JL, Налбандян О. Г. Концентрационное переохлаждение при флуктуациях температуры расплава при выращивании кристаллов методом Чохральского //Физика и химия обработки материалов 1985, N3., С. 107−110.
  64. Ю.М., Цветков В. П. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. М.: Высшая школа, 1983. 271с.
  65. А.Я. Производство полупроводниковых материалов. М.:Металлургия, 1989. 270с.
  66. Burton J. A., Kolb Е. D., Slihter W.P., Struthers J.D. Distribution of Solute in Crystals Grown from the MeMJ.Chem. Phys. V.21., N11, P. 1991−1997.
  67. Burton Y.A., Prim R.C., Slichter W.P. The Distribution of Solute in Crystals Grown from the Melt// Journ. Chem. Phys., 1953. V21.11 P. 1987−1991.
  68. Favier J.J., Wilson L.O., J. Crustal Growth, 58,103(1982).
  69. Г. Выращивание кристаллов из расплава. Конвекция и неоднородности. Пер. с англ. Ан.В. Бунэ под ред. В. И. Полежаева, Москва, «Мир», 1991, 149с.
  70. Kuchar L. Reinststoffproblieme, Е. Rexer ed Akademieverlag Berlin 1966, Bandl, P.528.
  71. Pfann W.G. Zone Melting (2 nd ed.), Wiley, N.Y. 1966.
  72. Ремизов И А.// Неорганические материалы. 1984.T.20.N.10.C. 1633−1639.
  73. Camel D., Favier J.J., J. Crystal Growth, 67., p. 57 (1984).
  74. Camel D., Favier J.J., J. Crystal Growth, 67., p. 42 (1984).
  75. J. С.// J. Crystal Growth, 1971. V.10. p.205.
  76. Muller G. Proc. Europ. Materials Research Society Conf., Strasbourg, 2−5 June, 1987- Les Editions de Physique, Paris, vol.26,1987,P.l 17−130.
  77. Muller G., Kyr P., Proc. of Scientifik Results of the German Spacelab Mission Dl, Norderney, 27−29 Aug., 1986, eds. P.R. Sahm, R. Jansen, M.H.Keller, Wissenschaftl. Projektfuhrung, Dl, c/o DFVLR-Koln, 1987, p.226.
  78. Chernov A. A. Reinststoff in Wissenschaft und Technik, M. Balarin ed. Akademieverlag Berlin, 1972.
  79. Hall R. N.//J. Phys. Chem. Solids., 1957. V.3. p.63.
  80. Романенко B.H.// ФТТ.1960. T.2. c.793.
  81. Volk T. R., Wohlecke M. Optical Damage Resistatance in LiNb03 crystals// J. Ferroelectrik Review, 1998. V. l p. 195−262.
  82. M. Процессы затвердевания. М.:Мир.1977. 424 с.
  83. А.Л., Налбандян О. Г. Поведение скорости кристаллизации при флуктуациях температуры расплава в методе Чохральского. Физика и химия обработки материалов. 1983, N 1, С. 73.
  84. А.Л., Налбандян О. Г. Концентрационное переохлаждение при флуктуациях температуры расплава при выращивании кристаллов методом Чохральского // Физика и химия обработки матриалов, N 3., 1985, С.107−110.
  85. Schirmer O.F., Thimann О., Wohlecke М. Defects in LiNb03-l. Experimental Apects.//J. Phys. Chem. Solids., 1991. V.52. N.l. p. 185−200.
  86. Iyi N., Kitamura K., Izumi F. et al. Comparative study of defect structures in lithium niobate with different compositions //J.Solid State Chem., 1992. V.101. p.340.
  87. Abrahams S. C., Marsh P. Defect structure dependence on composition in lithium niobate.// Acta Cryst., 1986. V. B42. p.61
  88. Wilkinson A. P., Cheetham A. K., Jarman R. H. The defect structure of congruently melting lithium niobate. // J.Appl. Phys., 1993. V. 74. p. 3080.
  89. Zoton N., Boysen H., Frey F., Metzger Т., Born E. Cation substitution models of congruent LiNb03 investigated by X-ray and neutron powder diffraction.// J.Phys. Chem. Solids, 1994. V. 55.p.l45.
  90. Donnerberg H., Tomlinson S. M., Catlow C. R. A., Schirmer O. F. Computer-simulation studies of intrinsic defects in LiNb03 crystal.// Phys. Rev. ВД989. V.40. p. 11 909.
  91. DeLeo G. G., Dobson J. L., Masters M. F., Bonjack L.H. Electronic structure of an oxygen vacancy in lithium niobate. // Phys. Rev. ВД988. V.37.p.8394.
  92. Peterson G. E., Carnevale A Nb NMR linewidths in nonstoichiometric lithium niobate.// J.Chem.Phys., 1972. V.56. p.4848.
  93. Donnerberg H., Tomlinson S. M., Catlow C. R. A., Schirmer O. F. Computer-simulation studies of extrinsic defects in LiNb03 crystals. // Phys. Rev. В., 1991. V.44. p.4877.
  94. K.K. Температура Кюри твердых растворов сегнетоэлектриков типа 1л1ЧЬОз.Физические механизмы формирования волноводных слоев. // Изв.АН. сер.физ. 1997. Т.61. N.2-С.327−332.
  95. Kirkpatrick Е. S., Muller К. A., Rubins R.S.// Phys. Rev., 1964. V. l35, A86.
  96. Foran ovrview, see Muller K. A.// J. Physique, 1981. V.42.p.551.
  97. Possendriede E., Schirmer O. F. et al.// J. Ferroelectrics, 1989. V.92. p.245.
  98. Э. С., Казарян JI. M. и др. Влияние введенных в расплав примесей на свойства кристаллов ниобата лития.// Кристаллография, 1999.T.44.N.5., C.901−904.
  99. R., Nunez L., Tocho J.O., Cusso F. //Solid State Comm. 1993.V.88.N 6. p.439−442.
  100. Kovacs L., Rebouta L., Soares J.C., da Silva M.F. //Radiation Effects and Defect in Solids. 1991 .V. 119−121 .p.445−450.
  101. Munoz Santiuste J.E., Macalic В., Garsia Sole J. //Phys.Rev. 1993. V.47. N.l. p.88−94.
  102. Gill D.M., McCaughan L., Wright J.C. //Phus.Rev. 1996. V.53. N.5. p.23 342 344.
  103. Lorenzo A., Jaffrezic H., Roux В., Garsia Sole J. //Appl.Phus.Lett. 1995. V.67. N.25. p.3735−3737.
  104. Garsia Sole J., Petit Т., Jafferezic H., Boulon G. //Europhysisc Letters. 1993. V.24. N9. p.719−724.
  105. Garsia Sole J. //Physica Scripta. 1994. V. T55. p.30−36.
  106. Lorenzo A., Jaffrezic H., Roux В., Boulon G., Bausa L.E., Garsia Sole J. //Phys.Rev. 1995. V.52. N9. p.6278−6284.
  107. Dominiak-Dzik G., Golab S., Pracka I., Ryba-Romanowski W. //Appl.Phys. 1994. A58.
  108. Garsia Sole J., Lorenzo A., Petit Т., Boulon G., Roux В., Jaffrezic H. //Jornal de Physique IV. 1994. V.4 .C4−293-C4−296.
  109. Kovacs L., Rebouta L., Soares J.C., da Silva M.F., Hage-Ali M., Stoquert J.P., Siffert P., Sanz-Garcia J.A., Corradi G., Szallre Zs., Polgar K. //J.Phys.: Condens.Matter. 1993. V.5.p.781−794.
  110. K. //Ferroelectricity ed E.F. Weller (Amsterdam: Elsevier). 1967.
  111. C., Prieto C., Dexpert H., Fessler P. //J.Phys.: Condens.Matter. 1991. V.3. p.4135.
  112. Zhang Hong Xi, Xu Chong Guan, Chang Xuebin, Xu Yuheng. //Гуйсуаньянь сюэбао. J.Chim.ceram.Soc. 1991. V.19. N6. p.523−526.
  113. Tocho J.O., Camarillo E., Cusso F., Jaque F., Garsia Sole J. //Solid State Commun. 1992. V.80. p.575.
  114. H., Стейвли Л. Беспорядок в кристаллах. М.: Мир. 1982. Т.1. 434 с. т.2. 335 с.
  115. Nassau К Lines M E Stoichiometry Deviation in LiNb03 and LiTa03 and the Effect on the Curie Temperature// Jappl Phys 1970.V.41. p.533−537.
  116. M.H., Сидоров H.B., Стефанович С. Ю., Калинников В.Т.
  117. Неорганические материалы. 1998. Т.34. N.8. С.903−910.
  118. Volk Т. R., Wohlecke MM Ferroelectrics Review.-1998.-V.1-Р. 195−262.
  119. Т.Р., Рубинина Н. М. Нефоторефрактивные примеси в ниобате лития : магний и цинк // ФТТ. 1991.T.33.N4.C.1192−1201.
  120. Bermudez V., Serrano M.D., Dieguez Е. Bulk periodic poled lithium niobate crystals doped with Er and Yb. //J. Cryst. Growth. 1999.200, N1−2.P.185−190.
  121. Bermudez V., Callejo D., Caccavale F., Dieguez E. On the effect of Li diffusion in Er-doped bulk periodic poled lithium niobate crustais. // J. Cryst. Growth. 1999. 205. N.3. P.328−333.
  122. Canteral E., Sanz-Garcia J.A., Cusso F. Growth of LiNb03 co-doped with Er3+ /Yb 3+//J.Cryst. Growth. 1999. 205. N. l-2. C.196−201.
  123. Л 124 Sweeney K.L., Halliburton L.E., Bryan D.A., Rice R.R., Gerson R., Tomaschke
  124. H.E.// J.Appl. Phys. 1985. V.57. N4. P.1036−1041.
  125. Bryan D.A., Rike R. R., Gerson R., Gerson R., Tomaschke H. E., Sweeney K.L., Halliburton L. EM Opt. Engeneer. 1985. V. l 1. N4. P.230−232.
  126. A.M., Чакатян K.O., Оганесян A.C. Шаркатунян P.O. Влияние легирования на энергетику ОН-групп в монокристаллах ниобата лития // Кр. 1991.Т.6., В.6., С.1477−1480.
  127. Rauber A.// Current Topics in Material Science. Amsterdam-N.Y.-Oxford. 1978. V.l. P.550−601.
  128. Zhong G.G., Jin J., Zhong-Kang W.//Iith International Quantum Electronics Conference.P.631 .IEEE Cat. N80. CY 1561−0.1980.
  129. Arzmendi L., Powell R.C.// J. Appl.Phys. 1987. V.61. P.2128.
  130. Grabmaier B.C., Otto F.//J.Cryst. Growth. 1986. V.79. N1−3. P.682−688.
  131. .А., Волк T.P. и др Особенности кристаллической структуры ниобата лития допированной атомами цинка .// 14 Международное совещание по
  132. V рентгенографии минералов, посвященное 90-летию Г. Б. Бокия, С.-Пб., 21−24 июня1999. Тез. докл.-СПБ, 1999. С. 88.
  133. Satoshi Uda, William A. Tiller The influence of an interface electric field on the distribution coefficient of chromium in LiNb03// J. Crust. Growts .1992. V.121., P.93−110.
  134. J. K. Yamamoto, K. Kitamura//J. Cryst. Growth, 121, N, P.522−526.f 134 Nassau K., Levinstein G.M., Loiacono// J.Chem. Solids 27 (1986)551.
  135. Belabaev K.G., Kaminskii A.A., Sarkisov S.E.// Phys. Status Solidi (a) 28 91 975)kl7.
  136. Kovacs L., Rebouta L., Soares L. et all Lattice site of trivalent impurities in Mg-doped lithium niobate crystals //Mater. Sci. and Eng. 1991.V. В 9. N4. P.505−508.
  137. Naumova I.I., Evlanova N.F., Gilko O.A., Lavrishchev. Study of periodically poled Czochralski-grown Nd: Mg: LiNb03 by chemical etching andX-ray microanalysis //J. Crust. Growth. 1997. V.181. P. 160−164.
  138. YA-lin Lu, Yan-qing Lu., Xiang -fei Cheng, Gui-peng Luo, Cheng-cheng Xue, Nai-ben Ming. Formation mechanism for ferroelectric domain structures in a LiNb03 optical ssuperlattice // J. Appl. Phus. Lett .1996. V.68. N19. P.2642.-2644.
  139. Praska J., Swirkowic M., Surma B., Mozdronek M. The absorption spectra of Er3+ doped LiNb03 single crystals// Mater. elektron.-1995-.V.23, N4., P.38−39.
  140. G. Lifante, E. Canteralar, J. AMunoz, R Nevado, J.A.Sanz-Garcia, F. Cusso//, Opt. Mater, in press.
  141. Kovacs L., Rebouta L., J. C. Soares, M. F. da Silva // Radiat. Eff., submitted for % publication.
  142. Kovacs L., Foldvary I., Cravero I., Polgar K., Capeletti R.//Phys. Lett. A, 133(1988)433.
  143. Химия. Справочное руководство. ГДР. 1972. Пер. с нем. под. ред. Гаврюченково Ф. Г. и др., JI. Химия. 1975, 576 с.
  144. Santos Т.М., Rojo J.C., Arzmendi Е., Dieguez JFlat interface in the growth of LiNb03, Bii2 SiO20 and Bii2GeO20 crystais from the melt .//J. Crustal Growth. 1994. V.142. P.103.
  145. Bermudez V., Caccavale F., Sada С., Segato F., Dieguez E. Etching effect on periodic domain structures of lithium niobate crystals// J. Cryst. Growth, 1998. V.191. N.3.
  146. В. И., Колесников В. Н. Высокотемпературная термическая V установка для изучения диаграмм состояния солевых ситем// Экспериментальныеисследования процесса минералообразования в гипогенных условиях. Апатиты: Изд. КФАН СССР, 1980. С.51−56.
  147. Рез И.С., Поплавко Ю. М. Диэлектроки. Основные свойства и применение в электронике//М.Радио и связь, 1989.287 с.
  148. А.С., Струков Б. А. Введение в сегнетоэлектричество// М. «Высшая школа», 1970. 271 с.
  149. Н.В.Сидоров, Т. Р. Волк, Б. Н. Маврин, В. Т. Калинников. Ниобат лития: дефекты, фоторефракция, колебательный спектр, поляритоны. М.: Наука. 2003. 350с.
  150. А., Матье Ж.-П. Колебатальные спектры и симметрия кристаллов.//М., Мир, 1980. 480 с.
  151. Колебательная спектроскопия. Современные воззрения. Тенденции развития (под ред. Барнса А., Орвилл-Томаса У.) // М. Мир, 1981.480 с.
  152. Г. Н., Маврин Б. И., Шабанов В. Ф. Оптические колебательные спектры кристаллов.// М. Наука, 1984. 232 с.
  153. B.C., Умаров Б. С. Введение в спектроскопию комбинационного рассеяния света// Алма-Ата. Наука, 1981.152 с.
  154. Применение спектров комбинационного рассеяния (под ред. Андерсона А., Петрова К.И.)//М. Мир, 1977. 586 с.
  155. И.В., Осинцев В. В., Мусихин Л. А. Выращивание монокристаллов ниобата лития в направлениях Y+36 и Y+64 и исследование их свойств // Кристаллография. 1995, Т.40., № 5., С. 920−923.
  156. М.Н., Сидоров Н. В., Скиба Н. И., Макаров Д. В., Бирюкова И. В., Серебряков Ю. А., Кравченко О. Э., Балабанов Ю. И., Калинников В.Т.// Неорганические материалы. 2000. Т.36. N.5. С.593−598.г tл
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!