Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Короткоживущие радиационные дефекты во фторидах щелочных и щелочноземельных металлов

Диссертация: Короткоживущие радиационные дефекты во фторидах щелочных и щелочноземельных металлов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

АКТУАЛЬНОСТЬ ПРОБЛЕМЫ. Исследования природы и механизмов создания первичных дефектов в различных материалах занимают важное место в радиационной физике твердого тела. Необходимость проведения исследований в этом направлении тесно связана с проблемами внедрения в производство новых технологий с целью получения и обоснованного выбора материалов с различной стойкостью к действию радиации. Изменение… Читать ещё >

Короткоживущие радиационные дефекты во фторидах щелочных и щелочноземельных металлов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Список сокращений
  • ГЛАВА 1. КОРОТКОЖИВУЩИЕ ДЕФЕКТЫ В ГАЛОИДАХ ЩЕЛОЧНЫХ И ЩЕЛОЧНОЗЕМЕЛЬНЫХ МЕТАЛЛОВ
    • 1. 1. Развитие представлений о структуре АЭ в ЩГК и ФЩЗМ
      • 1. 1. 1. Модель АЭ в виде (Vk + е)
      • 1. 1. 2. Модель АЭ в виде близкорасположенной F-H пары
      • 1. 1. 3. Различные конфигурации F-H пар
    • 1. 2. Люминесценция нелокализованных состояний электронов и дырок в ионных кристаллах
    • 1. 3. Общая постановка проблемы исследований
  • ГЛАВА 2. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЙ
    • 2. 1. Объекты и выбор образцов для исследования
    • 2. 2. Методика эксперимента
    • 2. 3. Измерение энергетических параметров ИЭП
    • 2. 4. Методика оптических измерений при многократном облучении образцов
  • ГЛАВА 3. ВРЕМЯ-РАЗРЕШЕННАЯ ОПТИЧЕСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ КРИСТАЛЛОВ CaF
    • 3. 1. Спектроскопия CaF2-YF^ при каскадном возбуждении
    • 3. 2. Структура спектров поглощения и люминесценции АЭ в кристалле CaF2 при облучении ИЭП при 295 К
    • 3. 3. Влияние температуры и плотности возбуждения ИЭП на процессы создания первичных дефектов в кристалле CaF

АКТУАЛЬНОСТЬ ПРОБЛЕМЫ. Исследования природы и механизмов создания первичных дефектов в различных материалах занимают важное место в радиационной физике твердого тела. Необходимость проведения исследований в этом направлении тесно связана с проблемами внедрения в производство новых технологий с целью получения и обоснованного выбора материалов с различной стойкостью к действию радиации. Изменение физических свойств материалов при облучении определяется процессом накопления стабильных дефектов — результатом сложной совокупности протекающих во времени реакций создания, отжига первичных дефектов и их взаимодействия с вновь генерируемыми электронными возбуждениями и дефектами. Интенсивное изучение радиационно-стимулированных процессов в щелочногало-идных кристаллах (ЩГК) и фторидах щелочноземельных металлов (ФЩЗМ) вызвано их применением в качестве активных сред для оптических квантовых генераторов, материалов для оптических запоминающих устройств, термолюминесцентной дозиметрии и твердотельных электрических батарей.

Прямой перенос представлений о радиационно-стимулированных процессах, полученных с использованием ГЦГК в качестве модельных объектов исследований, на другие кристаллы, отличающиеся строением решетки и степенью ионности связи, не всегда оправдан.

СОСТОЯНИЕ ПРОБЛЕМЫ. Прогресс в развитии современных представлений о физике радиационно-стимулированных процессов в ионных кристаллах достигнут благодаря развитию скоростных методов регистрации. Установлено, что образование первичных радиационных дефектов (автолокали-зованных экситонов (АЭ), F-H и а-I пар) происходит, в основном, при безыз-лучательном распаде электронных возбуждений в ненарушенной решетке. Особое внимание уделялось выяснению природы того короткоживущего возбужденного состояния, которое было бы ответственно или предшествовало созданию первичных дефектов. Несмотря на то, что уже практически освоен субпикосекундный диапазон измерений (Е. Thoma et al. 1997), ответа на этот вопрос не получено.

Первые же эксперименты с использованием техники оптической спектроскопии с наносекундным разрешением позволили установить, что в ФЩЗМ при температурах облучения не выше комнатной преимущественно образуются АЭ (R. Williams, R. Kabler et al. 1976). Релаксация оптического поглощения и затухание люминесценции АЭ при низких температурах описываются экспоненциальной зависимостью с тремя постоянными времени в CaF2 и SrF2, но с четырьмя — в BaF2. Было не ясно, отдельные компоненты соответствуют временам жизни триплетных подуровней одной конфигурации АЭ, либо они отражают времена жизни нижайших состояний разных конфигураций. Предполагалось, что в кристаллах с «рыхлой» решеткой образуются различные конфигурации АЭ. В то же время, эффект теплового смешивания временных компонентов (~40 К в CaF2 и SrF2) хорошо объяснялся в рамках модели АЭ в виде одной конфигурации с тремя триплетными подуровнями. Позднее, с использованием техники каскадного возбуждения было установлено (Т. Eshita et al. 1984), что в кристаллах SrF2 АЭ также образуются с различной степенью пространственного разделения электронного и дырочного компонентов. Несмотря на то, что и в CaF2 релаксация наведенного поглощения при 80 К не описывается одним компонентом (К. Tammura et al. 1989), как это предполагалось ранее, вопрос о возможности образования различных конфигураций АЭ в этом кристалле остался открытым.

Недавно (Е. Thoma et al. 1997) оптическое поглощение в области электронного компонента АЭ в SrF2 изучено при 300 К с фемтосекундным разрешением. По сравнению с поглощением, измеренным с наносекундным разрешением, это поглощение оказалось уширенным в низкоэнергетической области спектра. Это предполагает, что в ФШЗМ, кроме АЭ, с высокой эффективностью образуются неизвестные короткоживущие дефекты.

В ЩГК, кроме АЭ, образуются короткоживущие и устойчивые френке-левские дефекты. При низких температурах короткоживущие дефекты и АЭ аннигилируют в ходе мономолекулярного процесса (N. Itoh, 1981). Для изучения свойств короткоживущих продуктов применяется техника каскадного возбуждения, когда после создания дефектов импульсом радиации производится их оптическое довозбуждение лазерным излучением. Показано, что оптическое возбуждение АЭ сопровождается в ЩГК образованием короткои долгоживущих F-H пар, а в ФЩЗМ — преобразованием одних конфигураций АЭ в другие. Техника синхронного воздействия ионизирующей радиации и оптического излучения ранее не использовалась.

Информация о влиянии температуры и плотности возбуждения импульсным электронным пучком (ИЭП) на процессы создания первичных дефектов в ЩГК и ФЩЗМ носила фрагментарный характер и была недостаточна для прогнозирования поведения материалов при высоких уровнях возбуждения. Например, плотностные зависимости выхода АЭ в ЩГК и ФЩЗМ носят сублинейный характер, что не укладывается в рамки общепринятых представлений. Выше 80 К спектрально-кинетические характеристики наведенного поглощения и люминесценции в ряду ФЩЗМ не были изучены. Не были исследованы первичные дефекты в кристаллах LiF.

ЦЕЛЬ РАБОТЫ — исследование спектрально-кинетических характеристик центров оптического поглощения и люминесценции во фторидах щелочных (LiF) и щелочноземельных металлов (CaF2, SrF2, BaF2) при облучении импульсным электронным пучком.

ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ. 1. Отработка методики измерений корот-коживущего оптического поглощения и люминесценции в режиме фотоэлектрической регистрации при многократном облучении образцов ИЭП.

2. Измерение спектрально-кинетических параметров оптического поглощения и люминесценции кристаллов ФЩЗМ при облучении ИЭП при комнатной температуре.

3. Измерение параметров люминесценции, возникающей при лазерном стимулировании электронно-дырочной рекомбинации в кристаллах CaF2-YF3 при температуре 80 К.

4. Измерение параметров наведенного оптического поглощения и люминесценции кристаллов LiF при облучении ИЭП при 80 К.

5. Изучение влияния температуры и плотности возбуждения ИЭП на образование АЭ и стабильных дефектов в кристаллах CaF2 и LiF.

6. Исследование влияния каскадного и синхронного оптического возбуждения на спектрально-кинетические параметры наведенного поглощения и люминесценции ФЩЗМ при облучении ИЭП.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА. 1. Показано, что рекомбинация оптически освобожденных из ловушек электронов с автолокализованными дырками в CaF2-YF3 при 80 К приводит к образованию АЭ в синглетных и триплетных состояниях, идентичных созданным облучением ИЭП в чистом CaF2.

2. Установлено, что при облучении ИЭП кристалла LiF при 80 К релаксация короткоживущего оптического поглощения и затухание люминесценция описываются экспоненциальной зависимостью с двумя постоянными времени.

3. Обнаружено, что с ростом плотности возбуждения ИЭП кристаллов CaF2 и LiF энергетический выход АЭ и стабильных F центров уменьшается.

4. Установлено, что с ростом температуры облучения ИЭП кристаллов LiF и CaF2 время жизни АЭ уменьшается, а выход F центров увеличивается.

5. Обнаружено, что при облучении кристаллов CaF2 выше комнатной температуры наряду со стабильными F и Н центрами эффективно образуются неизвестные ранее дефекты, оптическое разрушение которых сопровождается образованием F центров окраски.

6. Впервые показано, что синхронное воздействие на ФЩЗМ ИЭП и оптического излучения в электронных компонентах поглощения АЭ приводит к изменению эффективности их создания и появлению быстрозатухающего свечения в УФ области спектра.

НА ЗАЩИТУ ВЫНОСЯТСЯ СЛЕДУЮЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ.

1. При облучении кристаллов CaF2 в области температур, соответствующих тушению люминесценции АЭ, образуются экситоноподобные дефектные состояния, по степени пространственного разделения электронного и ядерного компонентов являющиеся промежуточными между АЭ и разделенными F и Н центрами.

2. В кристаллах LiF возможно образование АЭ в двух структурных морфологиях, различающихся временами жизни и структурой электронных переходов с поглощением и испусканием фотонов.

3. Совокупность экспериментальных данных по обнаружению в кристаллах CaF2, SrF2, BaF2 нового вида быстрозатухающего (х < 10 не) свечения в УФ области при синхронном электронном и оптическом возбуждении, спектрально-кинетические характеристики которого отличаются от параметров излучательной аннигиляции АЭ.

НАУЧНО-ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ. Результаты проведенных исследований влияния различных факторов (температуры, мощности импульсного радиационного воздействия, строения решетки) на процессы образования первичных дефектов в ФЩЗМ и ЩГК следует учитывать при разработке способов управления радиационной стойкостью материалов. Показана возможность использования импульсной катодолюминесценции полупроводников в исследовании спектроскопии короткоживущих дефектов. На основе результатов проведенных исследований предложен способ получения радиационно-стойких кристаллов ФЩЗМ, защищенный авторским свидетельством.

АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ И ПУБЛИКАЦИИ. Результаты работы доложены на: У, VI, VIII-X Всесоюзных конференциях по радиационной физике и химии ионных кристаллов (Рига, 1983, 1986; Томск, 1993, 1996, 1999) — III-VIII Всесоюзных совещаниях по радиационным гетерогенным процессам (Кемерово, 1982,1986,1990,1995, 1998, 2001) — VII, VIII Всесоюзных конференциях по физике ВУФ и его взаимодействию с веществом (Эзерниеки, 1986; Иркутск, 1989) — V Всесоюзном симпозиуме по люминесцентным приемникам и преобразователям ионизирующего излучения (Таллинн, 1985) — научно-технической конференции по материаловедению в атомной технике (Свердловск, 1986) — VI Всесоюзном совещании по физике люминофоров (Ставрополь, 1989) — I Всероссийском симпозиуме по твердотельным детекторам ионизирующих излучений (Екатеринбург, 1997) — I международной конференции по радиационно-термическим эффектам и процессам в неорганических материалах (Томск, 1998) — VII Всероссийской школе-семинаре по люминесценции и сопутствующим явлениям (Иркутск, 2001). Основные результаты опубликованы в 38 печатных работах, в том числе 12 в рецензируемых журналах.

ЛИЧНЫЙ ВКЛАД АВТОРА. В работах, выполненных с соавторами, автору принадлежит планирование и проведение экспериментов, а также анализ и обобщение результатов исследований.

ОБЪЕМ И СТРУКТУРА. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы. Краткий анализ состояния исследований и постановка задачи даны в первой главе. В последующих главах приводятся результаты экспериментов и анализ полученных данных.

4.4. ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ ПО ЧЕТВЕРТОЙ ГЛАВЕ.

1. Изучены процессы создания и дальнейшей эволюции первичной дефектности в чистых кристаллах LiF при воздействии импульса ускоренных электронов. Обнаружено, что облучение LiF при 80 К приводит к созданию дефектов с различной степенью устойчивости: короткоживущих АЭ двух типов и долгоживущих F и Vk центров окраски. Создание всех дефектов происходит безынерционно по отношению к длительности импульса радиации. С ростом температуры ЭС АЭ уменьшается, a F центров — увеличивается. Плотностные зависимости ЭС АЭ в LiF носят сублинейный характер. Процесс разрушения АЭ имеет мономолекулярную природу.

2. Предположена идентификация переходов в электронных и дырочных компонентах поглощения и люминесценции АЭ двух типов в кристаллах LiF. Совпадение энергии переходов в электронных компонентах поглощения АЭ обоих типов и поглощения F центров окраски обусловлено диффузным характером распределения внешних электронов. Изменение энергии переходов в дырочноых компонентах поглощения АЭ, по-видимому, связано с изменением структуры его дырочного ядра как результата переброса связи.

3. Методом абсорбционной и спектроскопии с наносекундным разрешением при комнатной температуре изучены закономерности создания и эволюции первичных дефектов в ФЩЗМ при воздействии импульса ускоренных электронов. Показано, что спектрально-кинетические характеристики АЭ, созданных в ненарушенных участках решетки чистых CaF2, SrF2, BaF2, качественно подобны. Усложнение структуры спектров переходного поглощения в этом ряду связано с образованием экситонов, локализованных на включениях гомологической катионной примеси. Спектральные характеристики экситонов, локализованных в ненарушенных участках решетки CaF2 и SrF2 и в их включениях в BaF2, совпадают, однако время релаксации последних оказывается меньше.

6. Впервые показано, что синхронное облучение ФЩЗМ ИЭП и ВИ полупроводников в области поглощения АЭ приводит к необратимому разрушению АЭ и возникновению БС в УФ области спектра, отличающегося по своим спектрально-кинетичеким характеристикам от параметров излучатель-ной аннигиляции АЭ.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Методом абсорбционно-люминесцентной спектроскопии с временным разрешением в диапазоне температур 80−650 К проведены исследования процессов создания и эволюции первичных френкелевских пар дефектов во фторидах щелочных (LiF) и щелочноземельных металлов (CaF2, SrF2, BaF2) при воздействии импульса ускоренных электронов. Выявлены температурные интервалы преимущественного создания АЭ и стабильных F центров окраски. Выполнены количественные оценки эффективности создания коротко-живущих дефектов в номинально чистых кристаллах. Основные результаты работы заключаются в следующем.

1. Облучение CaF2-YF3 при 80 К приводит к образованию дефектов с различной термической устойчивостью: неустойчивая окраска обусловлена созданием АЭ, а устойчивая — электронными и дырочными центрами окраски различных типов. С ростом содержания примеси иттрия эффективность создания АЭ уменьшается, а центров окраски — увеличивается. Измерены параметры люминесценции, возникающей при рекомбинации электронов, оптически освобожденных с ловушек, с автолокализованными дырками при 80 К. Спектрально-кинетические характеристики АЭ, созданных оптически в легированном кристалле и при возбуждении ИЭП в чистом CaF2, идентичны, что свидетельствует о возможности образования АЭ в синглетных и триплетных состояниях при захвате электронов автолокализованными дырками.

2. Исследовано влияние температуры на эффективность создания ко-роткоживущих дефектов в кристаллах CaF2. Установлено, что: в интервале температур 80−270 К преимущественно образуются АЭс ростом температуры облучения выше комнатной ЭС F центров увеличивается с энергией активации процесса 0.4 эВкроме разделенных F и Н центров эффективно образуются неизвестные ранее дефекты, ответственные за полосы поглощения на 2.5 и 4.5 эВ, ЭС которых максимальна при 500 Ксоздание всех дефектов при высокотемпературном облучении CaF2 происходит безынерционно, а их разрушение описывается кинетикой второго порядкаопределена энергия активации отжига F центров (0.6 эВ), значение которой превышает энергию активации миграции Н центров (0.17 эВ).

3. С помощью техники каскадного возбуждения показано, что в CaF2 оптическое возбуждение дефектов, поглощающих на 2.5 и 4.5 эВ, приводит к их разрушению и образованию при 500 К — F центров, а при 300 К — АЭ. Процессы преобразования дефектов описаны в рамках модели движения галоида по адиабатической потенциальной поверхности в окрестности F центра.

4. Исследованы спектры наведенного оптического поглощения и возбуждаемой люминесценции кристаллов LiF при воздействии ИЭП при 80 К. Установлено, что облучение приводит к созданию двух типов короткоживу-щих АЭ, имеющих различные спектрально-кинетические параметры и, дол-гоживущих F и Vk центров окраски. С ростом температуры облучения увеличение выхода стабильных F центров происходит за счет термоактивированного движения галоидного ядра АЭ в сторону F-H разделения.

5. В широком диапазоне плотностей энергии ИЭП изучены особенности создания и разрушения первичных радиационных дефектов в кристаллах CaF2 и LiF. Установлено, что энергетический выход как АЭ, так и стабильных F центров уменьшается с ростом плотности возбуждения ИЭП.

6. Установлено, что синхронное облучение ФЩЗМ ИЭП и ВИ полупроводников в области электронных компонентов поглощения АЭ приводит при комнатной температуре к возникновению БС в УФ области спектра. Спектрально-кинетические характеристики данного свечения отличаются от параметров излучательной аннигиляции АЭ. При каскадном возбуждении АЭ, прошедших стадию колебательной релаксации, свечение не возникает.

7. На основе результатов проведенных исследований предложен конкретный способ получения радиационно-стойких кристаллов, защищенный авторским свидетельством.

В заключение автор считает своим долгом выразить благодарность В. Ф. Штанько и В. М. Лисицыну за внимание и помощь в выполнении работы. Автор признателен Л. А. Лисицыной, В. Ю. Яковлеву, Б. П. Гриценко, В. А. Кравченко и И. В. Красноусову, принимавшим участие в проведении исследований, а также участникам физического семинара кафедры лазерной и световой техники ТПУ В. Д. Куликову, В. И. Олешко, В. Г. Глыбину и А. Н. Яковлеву за полезное обсуждение полученных результатов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Jette A.N., Gilbert T.L., Das T.P. Theory of the self-trapped hole in the alkali halides.// Phys. Rev. -1969. -V.186, № 3. -P.884−894.
  2. Norgett M.J., Stoneham A.M. The self-trapped hole in alkaline earth fluorides: Static properties. Hopping motion.// J. Phys. C: Sol. State Phys. -1973. -V.6, № 2. -P.229−246.
  3. Jette A.N., Das T.P. Theory of self-trapped hole in CaF2.// Phys. Rev. -1969. -V.186, № 3. -P.919−925.
  4. Beaumont J.H., Hayes W., Kirk D.L., Summers G.P. An investigation of trapped holes and trapped excitons in aikaline earth fluorides.// Proc. Roy. Soc. bond. -1970. -V.A315, № 1520. -P.69−97.
  5. Теория дефектов в твердых телах./ Стоунхэм А. М. М.: Мир. -1978. -Т.1. -569с.-Т.2.-357 с.
  6. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов./ Алукер Э. Д., Лусис Д. Ю., Чернов С. А. Рига: Зинатне. -1979. -251 с.
  7. Отрицательные ионы./Месси Т. М.: Мир.-1979.-754 с.
  8. Hayes W., Stoneham А.М. Colour Centres. In «Crystals with the fluorite structure».//Ed. W. Hayes. Oxford: Clar. Press. -1974. -Ch.4. -P.185−280.
  9. Suzuki Y., Hirai M. Picosecond spectroscopic studies on defect formation in alkali halides.//J. Semicond. andlnsulat. -1983. -V.5. -P.445−455.
  10. Kabler M.N. Low-temperature recombination luminescence in alkali halide crystals.// Phys. Rev. -1964. -V.A136, № 5. -P.1296−1303.
  11. Williams R.T., Kabler M.N., Hayes W., Stott J.P. Time-resolved spectroscopy of self-trapped excitons in fluorite crystals.//Phys. Rev. -1976. -V.B14, № 2. -P.725−740.
  12. Kabler M.N., Patterson D.A. Evidence for a triplet state of the self-trapped exciton in alkali halide crystals.//Phys. Rev. Lett.-1967.-V.19, Ш1.-Р.652−654.
  13. Blair I.M., Pooley D., Smith D. The lifetimes of fast recombinationluminescence transitions in alkali halides.// J. Phys. C: Sol. State Phys. -1972. -V.5, № 12. -P.1537−1551.
  14. Wood R.F. Luminescence from exciton and Vk-plus-electron states in alkali halide crystals.// Phys. Rev. -1966.-V.151, № 2. -P.629−641.
  15. Marrone M.J., Patten F.W., Kabler M.N. EPR in triplet states of the self-trapped excitons.//Phys. Rev. Lett. -1973. -V.31, № 7. -P.467−471.
  16. Song K.S., Stoneham A.M., Harker A.H.// J. Phys. C: Sol. State Phys. -1975. -V.18, № 8. -P.l 125−1135.
  17. Ikezawa M., Kojima T. Luminescence of alkali halide crystals induced by UV-light at low temperature.// J. Phys. Soc. Jap. -1969. -V.27, № 6. -P.1551−1563.
  18. Ю.М., Махов B.H., Родный П. А. и др. Собственная люминесценция фторидов стронция и кальция при импульсном возбуждении синхротронным излучением.// ФТТ. -1986. -Т.28, № 9. -С.2853−2855.
  19. Call P.J., Hayes W., Kabler M.N. Optical detection of exciton EPR in fluorite crystals.// J. Phys. C: Sol. State Phys. -1975. -V.8, № 4. -P.L60-L62.
  20. П.Г. Регистрация ЭПР возбужденных состояний по люминесценции в ионных кристаллах.// Изв. АН СССР. Сер. физ. -1981. -Т.45, № 2. -С.255−260.
  21. Hayes W., Lambourn R.F., Stott J.P.H. H-centres in alkaline-earth fluorides.// J. Phys. C: Sol. State Phys. -1974. -V.7, № 14. -P.2429−2433.
  22. Williams R.T. Creation of lattice defects in the bulk and at the surface of alkali halide crystals.// Rad. Eff. and Def. in Solids. -1989. -V.109, №l-4.-P. 175−187.
  23. Adair M., Leung C.H., Song K.S. Equilibrium configuration of the self-trapped exciton in CaF2 and SrF2.// J. Phys. C: Sol. State Phys. -1985. -V.18, № 28. -P.L909-L913.
  24. Н.Г., Ветров B.A., Баранов П. Г. Оптическая регистрация ЭПР автолокализованных экситонов по фотостимулированной люминесценции кристаллов.// Письма в ЖЭТФ. -1983. -Т.37, № 7. -С.325−328.
  25. Parker S., Song K.S., Catlow C.R.A., Stoneham A.M. Geometry and charge distribution of H centres in the fluorite structure.// J. Phys. C: Sol. State Phys.1981. -V.14, № 28. -P.4009−4015.
  26. Song K.S., Leung C.H., Spaeth J.M. Zero-field splitting of the self-trapped exciton in alkali fluorides and alkaline-earth fluorides.// J. Phys.: Condens. Matter. -1990. -V.2, № 30. -P.6373−6379.
  27. Leung C.H., Zhang C.G., Song K.S. Evaluation of the zero-field splitting of the triplet self-trapped exciton in CaF2, SrF2 and BaF2.// J. Phys.: Condens. Matter. -1992. -V.4, № 6. -P. 1489−1495.
  28. Block D., Wasiela A., Merle D’Aubigne. ENDOR of the self-rapped exciton in KC1.// J. Phys. C.: Sol. State Phys. -1978. -V.ll, № 20. -P.4201−4211.
  29. Г. Г., Соовик T.A. Кинетика триплетной люминесценции при сверхнизких температурах.// Изв. АН СССР. Сер. физ. -1978. -Т.42, № 3. -С.485−489.
  30. Brunet G., Leung С.Н., Song K.S. Off-center configuration of the self-trapped exciton in potassium halides.//Sol. State Comm. -1985. -V.53, № 7. -P.607−609.
  31. Rabin H., Klick C.C. Formation of F centers at low and room temperatures. // Phys. Rev. -1960. -V.117, № 4. -P.1005−1010.
  32. Song K.S., Leung C.H., Williams R.T. A theoretical basis for the Rabin-Klick criterion in terms off-centre self-trapped exciton relaxation.// J. Phys.: Condens. Matter. -1989. -V.l, № 4. -P.683−687.
  33. Baetzold R.S., Song K.S. A study of the structure of the self-trapped excitons in alkali halides by ab initio methods.// J. Phys.: Condens. Matter. -1991. -V.3, № 15. -P.2499−2505.
  34. Chen L.F., Song K.S., Leung C.H. The hopping motion of the off-center self-trapped excitons in alkali halide crystals.// Nucl. Instrum. Meth. in Phys. Res. -1990. -V. 46, № 1−4. -P.216−219.
  35. Itoh N., Eshita Т., Williams R.T. Anticorrelation between yelds of recombination luminescence and recombination-induced defect formation in alkali-metal halides.//Phys. Rev.: Condens. Matter. -1986. -V.b34, № 6. -P.4230−4234.
  36. Shluger A.L., Grimes R.W., Catlow C.R.A. A new model for the self-trapped exciton in alkali halides.// J. Phys.: Condens. Matter. -1991. -V.3, № 18.1. Р.3125−3138.
  37. В.М., Корепанов В. И., Яковлев В. Ю. Эволюция первичной радиационной дефектности в ионных кристаллах.// Изв. ВУЗзов. Физика. -1996.-№ 11.-С.5−29.
  38. Karasawa Т., Hirai М. F center formation in КС1 and KBr crystals below 4.2 KM J. Phys. Soc. Jap. -1976. -V. 40, № 3. -P.769−775.
  39. Song K.S., Leung C.H. A theoretical study of the rc-luminescence from self-trapped excitons in alkali halide crystals.// J. Phys.: Condens. Matter. -1989. -V 1,№ 44.-P.8425−8435.
  40. Hayashi Т., Yanase Т., Matsumoto Т., Kan’no K., Toyoda K., Nakai Y. Self-trapped exciton luminescence in КВг. х1х and RbBrixIx solid solutions.// J. Phys. Soc. Jap. -1992. -V.61, № 3. -P.1098−1112 .
  41. Ч.Б., Витол И. К., Эланго M.A. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах.// УФН. -1977. -Т.22, № 2. -С.223−251.
  42. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах./ Лущик Ч. Б., Лущик А. Ч. М.: Наука.-1989. -264 с.
  43. Nakaoka Y., Higashimura Т. Energy competion of self-trapped excitons in alkali halides.// Sol. State Commun. -1989. -V.69, № 4. -P.431−434.
  44. Itoh N. Creation of lattice defects by electronic excitation in alkali halides.// Adv. in Phys. -1982. -V.31, № 5. -P.491−551.
  45. Williams R.T., Song K.S. The self-trapped excitons.// J. Phys. and Chem. Solids. -1990. -V.51, № 7. -P.679−716.
  46. H.H., Захаров Н. Г., Родный П. А. Спектрально-кинетическое исследование характеристик собственной люминесценции кристаллов типа флюорита. // Опт. и спектр. -1982. -Т.53, № 1. -С.89−93.
  47. И.П., Кравченко В. А., Маловичко А. В., Яковлев В. Ю. Двухгало-идная дырочная автолокализация и люминесценция в галогенидах тяжелых металлов.// ФТТ. -1989. -Т.31, № 7. -С.22−25.
  48. Ю.М., Махов В. Н., Родный П. А. и др. Собственная люминесценция BaF2 при импульсном возбуждении синхротронным излучением. // ФТТ. 1984. -Т.26, № 9. -С.2865−2867.
  49. Kubota S., Kanai N., Ruan J. Fine structure of the fast luminescence component from BaF2 crystals excited by fast electron.// Phys. State Sol. -1987. -V.bl39, № 2. -P.635−639.
  50. Williams R.T., Kabler M.N. Excited-state absorption spectroscopy of self-trapped excitons in alkali halides. // Phys. Rev. -1974. -V. B9, № 4. -P.1897−1907.
  51. Williams R.T., Kabler M.N. Excitons perturbed by self-rapped excitons in alkali iodide crystals.// Sol. State Commun. -1972. -V.10, № 1. -P.49−51.
  52. Tanimura K., Itoh N. Generation of lattice defects by exciton interaction in Rbl: lattice instability under dense electronic excitation.// Phys. Rev. Lett. -1988. -V.60, № 26. -P.2753−2756.
  53. Williams R.T. Intersystem crossing, polarization and defect formation induced by optical excitation of self-trapped excitons in alkali halides.// Phys. Rev. Lett. -1976. -V.36, № 10. -P.529−532.
  54. Yoshinari Т., Iwano H., Hirai M. F-H center formation by the optical conversion in self-trapped excitons in KC1 crystals.// J. Phys. Soc. Jap. -1978. -V.45, № 3. -P.936−943.
  55. Tanimura K., Itoh N. Selective nonradiative transitions at excites of the self-trapped exciton in alkali halides.// J. Phys. Chem. Solids. -1984. -V.45, № 3. -P.323−340.
  56. Д.И., Семин Б. Н., Серобян E.C. Релаксация автолокализован-ных экситонов в кристаллах KI при высоких плотностях возбуждения.// Деп. в ВИНИТИ 24.02.88. -1988. -N2368-B88. -15 с.
  57. Ban Y., Tanimura К., Itoh N. De-excitation of electron- and hole-excited states of self-trapped excitons in Rbl.//Phys. Lett-1980. -V.A80, № 1.-P.53−56.
  58. Eshita Т., Tanimura K., Itoh N. Photo-induced transformation of close frenkel pairs in SrF2.// Phys. State Sol. -1984. -V.bl22, № 2. -P.489−500.
  59. Eshita Т., Tanimura K., Itoh N. Hopping of interstitial atoms by electronicexcitation of frenkel pairs in SrF2.// Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. -1984. -V.B1, № 2. -P.452−455.
  60. Tanimura K., Katoh Т., Itoh N. Lattice relaxation of higly excited self-trapped excitons in CaF2.// Phys. Rev. -1989. -V.B40, № 2. -P.1282−1287.
  61. Быстропротекающие радиационно-стимулированные процессы в щелоч-но-галоидных кристаллах./ Алукер Э. Д., Гаврилов В. В., Дейч Р. Г., Чернов С .А. Рига: Зинатне. -1987. -183 с.
  62. И.П., Яковлев В. Ю. Создание центров окраски в щелочно-галоидных кристаллах при импульсном радиационном воздействии.// ФТТ. -1990. -Т.32, № 2. -с.384−390.
  63. В.Ю. Образование анионных вакансий при распаде термически возбужденных триплетных экситонов в кристалле KI.// ФТТ. -1992. -Т.34, № 10. -С.3096−4000.
  64. И.Л., Лийдья Г. Г., Лущик Ч. Б. Люминесценция свободных и автолокализованных экситонов в ионных кристаллах.// Тр. ИФ АН ЭССР. -1976. -№ 46. -С.50−80.
  65. К., Саари П. Времена рапада кванта локального колебания N02″ на фононы в кристалле К1//Изв. АН СССР. Сер. физ.-1968.-Т.17, № 2.-С.241−244.
  66. Г. Г., Плеханов В., Саари П. Краевая фотолюминесценция экситонов в РЬВг2. // Изв. АН СССР. Сер. физ. -1975. -Т.24, № 3. -С.349−351.
  67. Mott NF. Transition to the metallic state. // Phil. Mag. -1961. -V.6, № 62. -P.287−309.
  68. Л.В. Электронно-дырочные капли в полупроводниках.// УФН. -1970. -Т.100. -С.514−517.
  69. B.C., Климов В. И., Мартыненко Е. Д. и др. Механизмы из-лучательной рекомбинации экситонов высокой плотности в кристаллах CdSV/ФТТ. -1983. -Т.25, № 11. -С.3243−3249.
  70. Tanimura К., Itoh N. Relaxation of excitons perturbed by self-trapped excitons in Rbl: Evidence for exciton fusion in inorganic solids with strongelectron-phonon coupling.//Phys. Rev. Lett. -1990. -V.64, № 12. -P. 1429−1432.
  71. Д.И., Семин Б. Н. Фундаментальная люминесценция ионных кристаллов при высоких уровнях ионизации.// Письма в ЖЭТФ. -1980. -Т.32,№ 3.-С. 197−200.
  72. Д.И., Пальянов П. А., Семин Б. Н. Прямое экспериментальное доказательство явления внутризонной радиолюминесценции диэлектриков.//Докл. РАН. -1993. -Т.ЗЗЗ. -С.452−456.
  73. Высокоэнергетическая электроника твердого тела.// Под ред. Вайсбурда Д. И. Новосибирск: Наука. -1982. -226 с.
  74. Д.И., Пальянов П. А., Семин Б. Н. и др. Одновременное наблюдение внутризонной электронной и межзонной дырочной радиолюминесценции на кристаллах Csl.// Докл. РАН. -1994. -Т.336, № 1. -С.452−456.
  75. В.И., Штанько В. Ф. Спектрально-временные параметры свечения электрических разрядов в ионных кристаллах при воздействии СЭП.// ЖТФ. -1987. -Т.57, № 9. -С.1816−1818.
  76. В.В., Мартынович Е. Ф. Внутризонная радиолюминесценция кристалла LiF.// Опт. и спектр. -2000. -Т.88, № 4. -С.593−597.
  77. В.И., Колесникова Т. А. Возбуждение собственных дефектов в ионных кристаллах мощными оптическими и электронными пучками.// ФТТ. -1998. -Т.40, № 6. -С.1030−1036
  78. Я.А., Рачко З. А., Янсонс Я. Л. Коротковолновая ультрафиолетовая люминесценция кристаллов BaF2, обусловленная перек-рестными переходами.// Письма в ЖТФ. -1985. -Т.42, № 4. -С.140−142.
  79. Crystals with the Fluorite Structure: electronic, vibrational and defect properties./ Ed. W.Hayes. Oxford: Clarend. Press. -1974. -448 p.
  80. Starostin N.V., Shepilov M.P., Alekseev A.B. Energy structure of the alkaline-earth fluorides.// Phys. State Sol. -1981. -V.b.103, № 2. -P.717−723.
  81. JI.K., Родный П. А., Старостин H.B. Расчет плотности состояний и вероятности оптических переходов в кристаллах BaF2, SrF2 и CaF2.// ФТТ. -1991. -Т.ЗЗ, № 9. -С.2542−2545.
  82. А.С., Михайлик В. Б., Родный П. А. и др. Кластерное моделирование спектров остовно-валентной люминесценции.// ФТТ. -1994. -Т.36, № 6. -С. 1666−1671.
  83. Ikeda Т., Kobayashi Н., Ohmura Y., Nakamatsu Н., Mukoyama Т. Electronic structure of alkaline-earth fluorides studied by model clusters. Auger-free luminescence.// J. Phys. Soc. Jap. -1997. -V.66, № 4. -P.1079−1087.
  84. Itoh M., Hashimoto S., Sakuragi S., Kubota S. Auger-free luminescence due to interatomic transitions of valence electrons into core holes in BaF2.// Sol. State Commun. -1988. -V.65, № 6. -P.523−526.
  85. Terekhin M.A., Svechnikov N.Yu., Tanaka S. et al. High-density effects due to interaction of self-trapped exciton with (Ba, 5p) core hole in BaF2 at low temperature.// Fizika Nizkikh Temperatur -1997. -V.23, № 4. -P.473−475.
  86. Kimura K., Matsujama Т., Kumagai H. High-density excitation by heavy ions: techniques of fast measurements of decay of BaF2 single crystal.// Radiat. Phys. and Chem. -1989. -V.34, № 4. -P.575−579.
  87. Shi Chao-shu, Kloiber Т., Zimmerer G. Special luminescence properties of BaF2 crystals.//J. Luminescence. -1988. -N40−41. -P.189−190.
  88. Shi Chao-shu, Kloiber Т., Zimmerer G. Time-resolved spectra of intrinsic emission from crystaline BaF2.// Phys. scr. -1990. -V.41, № 6. -P.1022−1034.
  89. Ч.Б., Савихин Ф. А., Махов B.H. и др. Рекомбинационное создание катионных экситонов и тушение кросслюминесценции в CsCl при больших плотностях возбуждения.// ФТТ. -2000. -Т.42, № 6. -С. 1020−1025.
  90. Itoh М., Kamada М., Ohno N. Temperature dependence of Auger-free luminescence in alkali and alkaline-earth halides.// J. Phys. Soc. Jap. -1997. -V.66, № 8. -P.2502−2512.
  91. Е.С., Чернов С. А., Яковлев В. Ю. Создание экситонов и дефектов в кристалле Csl при импульсном электронном облучении.// ФТТ. -1998. -Т.40, № 4. -С.640−644.
  92. А.С., Михайлик В. Б., Пидзырайло Н. С. и др. Спектрально-кинетические параметры быстрой рентгенолюминесценции кристаллов Csl.// ЖПС. -1992. -Т.56, № 5−6. -С.810−813.
  93. А.Н., Васильев А. Н., Гектин А. В. и др. Спектрально-кинетические характеристики УФ люминесценции легированных гомологическими примесями кристаллов Csl./ Харьков. -1991 (Препринт ИМК-91−13).
  94. Thoma E.D., Yochum Н.М., Williams R.T. Subpicosecond spectroscopy of hole and exciton self-trapped in alkali-halide crystals.// Phys. Rev. -1997. -V.B56, № 13. -P.8001−8011.
  95. Lindner R., Reichling M. Formation dynamics and luminescence of selfiLtrapped excitons in fluorides.// Abst. 10 Intern. Conf. «Radiation Effects in Insulators». Jena. Germany. July 18−23. -1999. -P.82.
  96. В.Ю. Время-разрешенная оптическая спектроскопия кристаллов CsCl при каскадном импульсном возбуждении.// ФТТ. -1992. -Т.34, № 4. -С.1231−1237.
  97. Э.Л. Экситоны в полупроводниковых кристаллах при больших уровнях возбуждения.// Труды ФИАН. М.: -1981. -Т. 128. -С.65−102.
  98. Квантоскопы./ Уласюк В. Н. -М.- Радио и связь. -1988. -256 с.
  99. А.П., Осипов В. В. Краевая люминесценция прямозонных полупроводников.// УФН. -1981. -Т.133, № 3. -С.427−477.
  100. В.Ф., Олешко В. И., Намм А. В. и др. Импульсная катодолю-минесценция CdS и CdSo.83-Seo.n, выращенных кристаллизацией из газовой фазы.// ЖПС. -1991. -Т.55, № 5. -С.788−793.
  101. В.Ф., Олешко В. И. Роль электрического поля объемного заряда в процессе преобразования энергии СЭП в ионных кристаллах.// ЖТФ. -1989. -Т.59, № 3. -С.99−105.
  102. Oswald R.B. Fracture of silicon and germanium induced by pulsed electron irradiation.// IEEE Trans, Nucl. Sci. -1966. -V.NS-13, № 6. -P.63−69.
  103. Д.И., Балычев И. Н. Разрушение твердых тел в результате сверхплотного возбуждения их электронной подсистемы.// Письма в ЖЭТФ. -1972. -Т.15, № 9. -С.537−540.
  104. В.Ф., Глыбин В. Г., Толмачев В. М. Негомогенное распределение поглощенной энергии в высокоомных материалах при воздействии импульсного электронного пучка.// ЖТФ. -1998. -Т.68, № 4. -С.53−59.
  105. В.Ф., Толмачев В. М., Глыбин В. Г., Лисицын В. М. Эволюция морфологии разрушения кристаллических диэлектриков при облучении импульсным электронным пучком.// ФХОМ. -1998. -N 3. -С.38−48.
  106. В.И., Штанько В. Ф. О природе периодических структур разрушения в ионных кристаллах, возбуждаемых мощным электронным пучком.//ЖТФ. -1987. -Т.57, № 12. -С.2401−2403.
  107. В.Ф., Олешко В. И., Толмачев В. М. Динамические и остаточные напряжения в КС1 при воздействии импульсного электронного пучка.//ФХОМ. -1991. -№ 2. -С.53−56.
  108. .И. Генерация вакансий и изменение плотности щелочно-галоидных кристаллов при пластической деформации.// ФТТ. -1991. -Т.ЗЗ, № 9. -С.2513−2526.
  109. Inorganic Solid Fluorides: chemistry and physics./ Ed. Hagenmuller P. Orlando e.a.: Acad. Press. -1985. -629 p.
  110. Jacobs P.W.M., Ong S.H. Point defect parameters for calcium fluoride from ionic conductivity measurements at low temperatures.// J. Phys. (France).-1976/1977. -V.37, № 12. -C.7.-P.331−335.
  111. Harding J.H. Calculation of the free energy of defets in calcium fluoride.//
  112. Phys. Rev. -1985. -V.B32, № 10. -P.6861−6872.
  113. Ч.Б., Клингер М. И. Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений.// УФН. -1985. -Т.147, № 3. -С.523−558.
  114. В.А., Рейтеров В. М., Трофимова Л. М. Природа поглощения кристаллов щелочноземельных фторидов в вакуумной УФ области спектра.// ЖПС. -1980. -Т.32, № 1. -С.103−109.
  115. Л.А., Рейтеров В. М., Лисицын В. М., Чинков Е. П., Трофимова Л. М. Влияние примеси на распад электронных возбуждений в кристаллах MF2.// Опт. и спектр. -1983. -Т.55, № 5. -С.875−878.
  116. Л.А., Чинков Е. П., Рейтеров В. М., Трофимова Л. М. Спектры оптического поглощения кристаллов CaF2, активированных фторидами иттрия и натрия.// ЖПС. -1983. -Т.38, № 6. -С.934−937.
  117. Л.А., Чинков Е. П., Рейтеров В. М. Образование и эволюция дефектности в активированных кристаллах CaF2.// Тез. У всес. сов. по рад. физике и химии ионных кристаллов. Рига. -1983. -4.1. -С.286−287.
  118. Л.А., Чинков Е. П., Рейтеров ВМ. Создание экситонов в легированных кристаллах CaF2.// Тез. VI межд. конф. по рад. физ. и химии ионных кристаллов. Рига. -1986. -4.2. -С.313−314.
  119. Е.П. Релаксация дефектности в CaF2, легированных гетерова-лентной примесью.// Тез. VI межд. конф. по рад. гетерог. процессам. Кемерово. Кузбассвузиздат. -1995. -4.1. -С. 124.
  120. В.И., Лисицын В. М., Лисицына Л. А. Образование околодефектных экситонов в щелочно-галоидных кристаллах.// Изв. Вузов. Физика. -1996.-№ 11.-С.94−108.
  121. Чинков Е. П, Штанько В. Ф. Автолокализованные экситоны в CaF2 разной предыстории.// Тез. IX межд. конф. по рад. физ. и хим. неорг. материалов. Томск: ТПУ. -1996. -С.399.
  122. Е.П., Штанько В. Ф. Создание и эволюция первичной дефектности в кристаллах фторида кальция различной предыстории.// ФТТ. -1999. -Т.41, № 3. -С.442−450.
  123. Г. И., Галусташвили М. И., Герасимов Ю. М. и др. О влиянии облучения у-квантами на реальную структуру кристаллов LiF в свободном состоянии и под нагрузкой.// Изв. АН СССР. Сер. физ. -1986. -Т.50, № 3. -С.491−495.
  124. Barsis Е., Taylor A. Lattice disorder in some CaF2-type crystals.// J. Chem. Phys. -1966. -V.45, № 4. -P.1154−1162.
  125. Birsoy R. Coloring of synthetic fluorite.// Phys. State Sol. -1980. -V.a62, № 1. -P.169−175.
  126. Call P.J., Hayes W., Stott J.P., Hughes A.E. Radiolysis of alkaline-earth fluorides.// J. Phys. C: Sol. State Phys. -1974. -V.7, № 14. -P.2417−2428.
  127. Hayes W., Lambourn R.F. Radiolysis of strontium fluoride.// J. Phys. C: Sol. State Phys. -1973. -V.6, № 1. -P.ll-26.
  128. Kozo A., Okada M., Nakagawa M. Production efficiency and pertubation of F center in alkaline-earth fluorides induced by neutrons at low temperature .//Annu. Rep. Res. Reactor Inst. Kyoto Univ. -1980. -V.13. -P.180−184.
  129. Hodby J.W. Electronic Properties. In «Crystals with the fluorite structure».// Ed. W. Hayes. Oxford: Clarendon Press. -1974. -Ch.l. -P. 1−42.
  130. Л.А., Лисицын B.M., Чинков Е. П. Образование элементарных радиационных дефектов в галоидных кристаллах с различным типом кристаллической решетки.//Изв. ВУЗов. Физика. -1995. -N 1. -С. 13−19.
  131. Электронные центры окраски в ионных кристаллах./ Парфианович И. А., Пензина Э. Э. Иркутск.: -1977. -208 с.
  132. Генерирование мощных наносекундных импульсов./ Месяц Г. А. М.: Советское радио. -1974. -256 с.
  133. С.П., Литвинов Е. А., Месяц Г. А., Проскуровский Д. И. Взрывнаяэмиссия электронов.// УФН. -1975. -Т. 115, -№ 1. -С. 101−121.
  134. Электрические конденсаторы и конденсаторные установки. / Берзан В. П., Геликман Б. Ю. и др. М.: Энергоатомиздат.-1987. -656 с.
  135. Полупроводниковые лазеры./ Богданкевич О. В. М.: Наука. -1976.-415 с.
  136. В.М., Штанько В. Ф., Яковлев В. Ю. Катодолюминесцентные импульсные источники света.// ЖТФ. -1985. -Т.55, № 6. -С.1187−1188.
  137. С.П., Кошелев В. И., Тимофеев М. Н. Исследование энергетического спектра электронов в сильноточном вакуумном диоде.// ЖТФ. -1974. -Т.44, № 9. -С.1917−1921.
  138. Е.Г., Месхи Г. О., Яблоков Б. И. Измерение энергетического спектра сильноточных электронных пучков.// ПТЭ. -1976. -№ 3. -С.39−41.
  139. В.Г. Измерение энергетических характеристик наносекундного электронного пучка, выведенного в воздух через фольгу.// ПТЭ. -1980. -№ 3. -С.165−167.
  140. И.Э. Измерение разрядных токов поясами Роговского.// ПТЭ. -1968.-№ 6.-С. 120−126.
  141. Дозиметрия ионизирующего излучения./ Штольц В., Бернхардт Р. Рига: Зинатне. -1982. -142 с.
  142. Введение в физику сильноточных пучков заряженных частиц./ Миллер Р. М.: Мир -1984. -432 с.
  143. В.М., Гриценко Б. П., Серикова Г. Н., Яковлев В. Ю., Штанько В. Ф. Энергия образования радиационных дефектов в CaF2.// ФТТ. -1978. -Т.20, № 9. -С.2610−2614.
  144. Е.П., Штанько В. Ф. Спектрально-кинетические характеристики переходного поглощения в кристаллах фторида кальция.// ФТТ. -1997. -Т.39, № 7, -С.1197−1201.
  145. В.Ю. Исследование процессов генерации сложных центров окраски в ионных кристаллах методами импульсной спектроскопии.// Ав-тореф. дисс. к.ф.-м.н. Свердловск. -1980. -16 с.
  146. Л.А., Чинков Е. П., Кузнецов М. Ф., Рейтеров В. М. Образование экситонов в кристаллах CaF2-YF3 при оптическом возбуждении.// Тез. V всес. сов. по рад. гетерог. процессам. Кемерово. -1990. -С.75.
  147. Р.Г., Флеров В. И. Температурная зависимость эффективности образования Vk-центров в CaF2.// Изв. АН Латвии, сер. физ.-техн. наук. -1977. -№ 6. -С.42−44.
  148. В.А., Киселев М. Н. Оптический дихроизм поглощения и структура некоторых дырочных центров в кристаллах MeF2-TR3+.// ФТТ. -1968. -Т.10, № 11. -С.3239−3242.
  149. П.В., Непомнящих А. И., Раджабов Е. А. Дырочные (F2~)ii центры в кристаллах CaF2./ Опт. и спектр. -1988. -Т.65, № 4. -С.940−942.
  150. П.В., Непомнящих А. И., Раджабов Е. А. Дырочные F3″ центры в кристаллах CaF2./ Опт. и спектр. -1989. -Т.67, № 6. -С. 1304−1308.
  151. Hall Т.Р.Р., Leggeat A., Twidell J.W. The structure of some trapped hole centres in CaF2-II.//J. Phys. C: Sol. State Phys. -1970. -V.3, Ш1.-Р.2352−2358.
  152. Chakrabarti K., Mathur V.K., Abbundi R.I. et al. Study of low temperature luminescence and thermoluminescence in calcium fluoride crystals.// J. Luminescence. -1991. -V.48/49, Pt. 2. -P.828−832.
  153. Е.П. Инерционное образование фотохромных центров в кристалле CaF2-YF3.// Тез. VIII межд. конф. по рад. физике и химии неорг. материалов. Томск. -1993. -4.2. -С, 127.
  154. Delbecq С.J., Shoemaker D., Yuster P.H. EPR and optical absorption study of BrCl" and associated centers in doped KC1 crystals.// Phys. Rev. -1971. -V.B3, № 2. -P.473−487.
  155. Hayes W., Lamboum R.F. Production of F and F aggregate centers in CaF2 and SrF2 by irradiation.// Phys. State Sol. -1973. -V.57, № 2. -P.693−698.
  156. В.Ф. Исследование процессов преобразования радиационныхдефектов в кристаллах CaF2.// Автореф. дисс.к. ф.-м. н. Томск.-1975.-15 с.
  157. В.М., Штанько В. Ф. Температурная зависимость накопления радиационных дефектов в легированных кристаллах СаF2.// Изв. ВУЗов. Физика. -1975. -N 5. -С.116−118.
  158. Alig R.C. Theory of photochromic centers in CaF2.// Phys. Rev. -1971. -V.B3, № 2. -P.536−545.
  159. Staebler D.L., Schnatterly S.E. Optical studies of a photochromic color center in rare-earth-doped CaF2.// Phys. Rev. -1971. -V.B3, № 2. -P.516−526.
  160. Hayes W., Staebler D.L. Oxidation-reduction reactions and photochromism. In «Crystals with the Fluorite Structure».// Ed. W. Hayes. Oxford: Clarendon Press. -1974. -Ch.7. -P.415−448.
  161. Catlow C.R.A. Radiation damage and photochromism in alkaline earth fluorides.// J. Phys. C: Sol. State Phys. -1979. -УЛ2, № 6. -P.969−988.
  162. В.В. Физико-химические основы получения монокристаллических материалов в твердых растворах фторидов щелочноземельных и редкоземельных элементов./ Автореф. дисс. д. х. н. Москва. -1985. -54 с.
  163. Bucci С.А., Fieschi R., Guidi G. Ionic thermocurrent in dielectric.// Phys. Rev. -1966. -V.148, № 2. -P.816−823.
  164. Parakash J., Nishad A.K. et al.' Appearance of depolarization current in ITC measurements.// J. Appl. Phys. Jap. -1986. -Pt 1. -V.25, № 5. -P.701−704.
  165. Van Veperen W., den Hartog H.W. Electric dipoles in rare-earth-doped SrF2. Relaxation parameters and dipole-dipole interaction.// Phys. Rev. -1978. -V.B18, № 6 -P.2857−2865.
  166. И.В., Глумов A.B., Рейтеров B.M. Реориентация диполей в BaF2:TR3+. // ФТТ. -1979. -Т.21, № 1. -С.298−300.
  167. Dorenbos P., den Hartog H.W. Space charges and dipoles in rare-earth-doped SrF2. // Phys. Rev. -1985. -V.B31, № 6. -P.3932−3938.
  168. Dorenbos P., Vrind S., Dolfing J., den Hartog H. Hopping ionic conductivity in Ce-doped SrF2. Ionic thermocurrent results.// Phys. Rev. -1987. -V.B35, № 11. -P.5766−5773.
  169. Fontanella J., Treacy D.J., Andeen C. The effect of quenching on the defect structure of calcium fluoride doped erbium.// J. Chem. Phys. -1980. -V.72, № 4. -P.2235−2244.
  170. Subramanian U., Mukheijee M.L. Ionic conductivity study of CaF2: Nd single crystals.// Pramana -J. Phys. (India) -1986. -V.27, № 4. -P.575−583.
  171. Chadwick A.V. High-temperature transport in fluorites.// Sol. State Ionics. -1983. -V.8, № 3. -P.209−220.
  172. Cheetham A.K., Fender B.E.F., Cooper M.J. Defect structure of calcium fluoride containing excess anions. Bragg scattering.// J. Phys. C: Sol. State Phys. -1971. -V.4, № 18. -P.3107−3121.
  173. Catlow C.R.A., Chadwick A.V., Corish J. The defect structure of anion excess CaF2.// Sol. State Chem. -1983. -V.48, № 1. -P.65−76.
  174. Corish J., Catlow C.R.A., Jacobs P.W.M., Ong S.H. Defect aggregation in anion-excess fluorites. Dopant monomers and dimers.// Phys. Rev. -1982. -V.B25, № 10. -P.6425−6438.
  175. Catlow C.R.A. The defect properties of anion-excess alkaline-earth fluorides. Low defect concentration.// J. Phys. C: Sol. State Phys. -1976. -V.9, № 10. -P. 1845−1857.
  176. Catlow C.R.A. The defect properties of anion-excess alkaline-earth fluorides. Intermediate and high dopant concentrations.// J. Phys. C: Sol. State Phys.-1976. -V.9, № 10. -P.1858−1869.
  177. Jacobs P.W.H., Ong S.H., Corish J. et al. Defect complexes in fluorite crystals.// Abst. Int. Conf. «Defect in Insulating Crystals». Riga: Zinatne. -1981. -P.217−218.
  178. Catlow C.R.A., Hayes W. The nature of disorder in the superionic state of fluorites.// J. Phys. C: Sol. State Phys. -1982. -V.15, № 3. -P.L9-L13.
  179. Catlow C.R.A. Defects in solid fluorides. In «Inorganic Solid Fluorides: Chemistry and Physics».// Ed. P. Hagenmuller. Orlando e.a.: Acad. Press. -1985. -P.259−273.
  180. П.Г., Романов Н. Г., Храмцов В.А и др. Кристаллы КС1 с примесью серебра: от точечных дефектов к ориентированным микрокристаллам AgCl в кристаллической матрице.//ФТТ. -2000. -Т.42, № 12. -С.2166−2170.
  181. Основы химической кинетики./ Еремин Е. Н. М.: Высшая школа. -1976. -541 с.
  182. Фок М. В. Разделение сложных спектров на индивидуальные полосы при помощи метода Аленцева.//Тр. ФИАН. -1972. -Т.59. -С.3−24.
  183. Eshita Т., Tanimura К., Itoh N., Nishimura Н. Two slowly decaying luminescence bands in alkali iodides.// J. Phys. Soc. Jap. -1985. -V.54, № 11. -P.4418−4430.
  184. Shibata Т., Iwai S., Tokizaki T. et al. Femtosecond spectroscopic studies of the lattice relaxation initiated by interacting electron-hole pairs under relaxation in alkali halides.// Phys. Rev. -1994. -V.49, № 18. -P.13 255−13 258.
  185. Е.П., Штанько В. Ф. Люминесценция автолокализованных экси-тонов во фториде кальция при импульсном облучении электронами.// ФТТ. -1998. -Т.40, № 7. -С.1226−1227.
  186. Е.П., Лисицына Л. А. Создание F-центров в кристаллах CaF2 под действием радиации.// Тез. VIII межд. конф. по рад. физ. и химии неорганических материалов. Томск. -1993. -4.2. -С.128.
  187. Orera V.M., Alcala R. Photothermal bleaching of Ca colloids in additively colored CaF2.// Sol. State Commun. -1978. -V.27, № 11. -P.1109−1112.
  188. Cavenett B.C., Hayes W., Hanter I.C. Faraday rotation of F centeres in alkaline earth fluorides.// Sol. State Commun. -1967. -V.5. -P.653−656.
  189. Toriumi K., Itoh N. Annealing of high density Frenkel pairs in alkali halides at high temperature.// Abst. Int. Conf. «Defects in Insulating Crystals». Riga: Zinatne. -1981. -P.60−61.
  190. Koyano A., Tanimura K., Toriumi K., Itoh N. Dynamical studies of radiation-induced volume change of KBr.// Cryst. Latt. Def. and Amorph. Matt. -1983. -V.10. -P.71−77.
  191. Stockmann H., Dubbers D., Grupp M. et al. Structure and annealing of (n, y)-induced point defects in CaF2JIZ. Phys. -1978. -V.B30, № 1. -P.19−27.
  192. H.E., Корниенко JI.C., Чернов П. В. Радиационные дефекты флюорита, нестабильные при температуре 77 К.// Опт. и Спектр. -1973. -Т.35, № 6.-С.1180−1181.
  193. Warren W W., Campbell J.B.F., Brennert G.F. Picosecond recombina-tion dynamics of electrons in ionic liquids.// Phys. Rev. Lett. -1987. -V.58, № 9. -P.941−944.
  194. Doan N.V., Adda Y, Nouveau mecanisme de diffusion dans les solides a haute temperature.// Phil. Mag. -1987. -V.A56, № 2. -P.269−283.
  195. Е.П., Яковлев В. Ю. Высокотемпературное создание дефектов в кристалле CaF2 при каскадном импульсном возбуждении.// Тез. VIII межд. конф. по рад. физ. и химии неорг. материалов. Томск. -1993. -4.2. -С. 126.
  196. В.А., Лисицын В. М., Яковлев В. Ю. Образование F центров и автолокализованных экситонов в кристалле CsBr под действием импульсных электронных пучков.//ФТТ. -1986. -Т.28, № 11. -С.3473−3477.
  197. Saidoh М., Itoh N. Ionic size effect on the radiation-induced dynamic motion of interstitial halogen in alkali halides.// Phys. State Sol. -1975. -V.b72, № 2, -P.707−717.
  198. Л.А. Сравнительный анализ свойств автолокализованных экситонов и ¥-г центров в щелочно-галоидных кристаллах,// Изв. ВУЗов. Физика. -1995. -№ 8. -С.115−118.
  199. Л.А. Закономерности создания электронных центров окраски в кристаллах LiF при импульсном радиационном воздействиии.// Изв. ВУЗов. Физика. -1996. -№ 11. -С.57−75.
  200. Электрические эффекты в радиоспектроскопии: электронный парамагнитный, двойной электронно-ядерный и параэлектрический резонансы./ Глинчук М. Д., Грачев В. Г., Дейген М. Ф. и др. М.: Наука. -1981. -336 с.
  201. Л.А. Влияние спина F2 центра на изменение его заряда под действием радиации. //Изв. ВУЗов. Физика. -1991. -№ 10. -С.109−120.
  202. Л.А., Кравченко В. А., Чинков Е. П. и др. Температурная зависимость радиационного выхода F и, а центров в LiF.// Тез. II респ. конф. по физ. тв. тела. Ош. -1989. -С.77.
  203. Л.А., Кравченко В. А., Чинков Е. П. и др. Автолокализован-ные экситоны в LiF.// Тез. VII всес. конф. по физ. ВУФ и его взаимод. с веществом. Иркутск. -1989. -4.1. -С.56.
  204. Л.А., Кравченко В. А., Чинков Е. П. и др. Автолокализован-ные экситоны в кристалле LiF.// ФТТ. -1990. -Т.32, № 8. -с.2458−2460.
  205. Л.А., Чинков Е. П. Короткоживущие собственные радиационные дефекты во фториде лития.// Тез. X межд. конф. по рад. физ. и химии неорг. материалов. Томск: Изд-во ТПУ. -1999. -С.235−238.
  206. Центры окраски и люминесценция кристаллов LiF./ Непомнящих А. И., Раджабов Е. А., Егранов А. В. Новосибирск: Наука. -1984. -113 с.
  207. Dakss M.L., Mieher R.L. ENDOR study of the H center in LiF.// Phys. Rev. -1969. -V.187, № 3. -P.1053−1061.
  208. E.A., Непомнящих А.И. HA центры в кристаллах LiF.// Опт. и спектр. -1980. -V.49, № 2. -С.409−410.
  209. Gassineiti R., Mieher R.L. Electron nuclear double resonance of self-trapped hole in LiF.//Phys. Rev. -1968. -V.175, № 2. -P.395−411.
  210. А.И., Раджабов E.A. Хз" центры в кристаллах LiF.// Опт. и спектр. -1980. -V.48, № 3. -С.618−619.
  211. А.Т., Эланго А. А. Начальный этап ассоциаций междоузельного галогена в Х-облученном КВг.// Тез. VI всес. конф. по рад. физ. и химии ионных кристаллов. Рига: -1986. -4.1. -С.109−110.
  212. В.И. Зависимость эффективности образования Vk центров от температуры во фтористом литии.// Изв. АН Латвии. -1977. -№ 1. -С.59−63.
  213. Delbecq C.J., Hayes W., Yuster P.H. Absorption spectra of F2 Cl2″, Br2″ and I2″ in alkali halides.// Phys. Rev. -1961. -V.121, № 4. -P.1043−1050.
  214. Chu J.H., Mieher R.L. ENDOR study of a 111. interstitial defect in LiF.11 Phys. Rev. -1969. -V.188, № 3. -P.1311−1319.
  215. E.A., Непомнящих А. И. Температурная зависимость рентгенолюминесценции в LiF.// Опт. и спектр. -1980. -Т.49, № 1. -С.184−188.
  216. П.А. Ультрафиолетовые полосы люминесценции фтористого лития.// Опт. и спектр. -1975. -Т.39, № 2. -С.409−411.
  217. Nahum J., Wiegand D. Optical properties of some F aggregate centers in LiF.//Phys. Rev. -1967. -V.154, № 3. -P.817−830.
  218. Nahum J. Optical properties and mechanism of formation of some aggregats centers in LiF.//Phys. Rev. -1967.-V. 158, № 3.-P.814−825.
  219. Dienes G.I., Smoluchovski R. Dynamics of replacement sequences and of crowdione.// J. Phys. Chem. Sol. -1976. -V.37. -P.95−98.
  220. .П., Вайсбурд Д. И. Исследование переноса дырок валентной зоны в LiF при наносекундном облучении плотными пучками электронов. // ФТТ. -1978. -Т.20, №.12. -С.3739−3740.
  221. В.И., Кузнецов М. Ф., Сергеев А. Г. Исследование процессоврелаксации F и Н центров в кристаллах КВг, КВг : Na, КВг: I при низкихтемпературах.// Тез. IX межд. конф. по рад. физ. и хим. неорг. материалов. Томск: ТПУ. -1996. -С.207.
  222. Pooley D., Runciman W.A. Recombination luminescence in alkali halides.// J. Phys. C: Sol. State Phys. -1970. -V.3, № 8. -P.1815−1824.
  223. В.И., Кузнецов М. Ф., Яковлев В. Ю. Радиационное создание и эволюция F центров в КВг при температурах выше 12.5 К.// Тез. VI межд. конф. по рад. гетерог. процессам. Кемерово. -1995. -4.1. -С.88−89.
  224. Е.С. Излучательный и безызлучательный распад электронных возбуждений в кристаллах галогенидов цезия.// Автореф. дисс.. к. ф.-м. н. Томск. -1998. -22 с.
  225. В.М. Образование и эволюция первичной дефектности в ионных кристаллах.// Изв. ТПУ. Томск: -2000. -Т.303, № 2. -С.7−25.
  226. Л.А., Гречкина Т. В., Корепанов В. И., Лисицын В. М. Короткоживущие первичные радиационные дефекты в кристалле LiF.// ФТТ. -2001. -Т.43, № 9. -С.1613−1618.
  227. Туннельные явления в химической физике./ Гольданский В. И., Трахтенберг Л. И., Флеров В. Н. М.: Наука. -1986. -294 с
  228. В.Ф., Чинков Е. П. Оптическое поглощение и люминесценция автолокализованных экситонов во фторидах щелочноземельных металлов.// Тез. I всерос. симп. по твердотельным детекторам ионизирующих излучений. Екатеринбург. -1997. -С. 175.
  229. В.Ф., Чинков Е. П. Время-разрешенная спектроскопия автолокализованных экситонов во фторидах щелочноземельных металлов при импульсном облучении электронами.//ФТТ.-1998.-Т.40, № 7. -С. 1228−1234.
  230. В.Ф., Чинков Е. П. Оптическая спектроскопия фторида бария с пространственно-временным разрешением.// ФТТ. -1998. -Т.40, № 8. -С.1460−1463.
  231. Shinozuka Y., Toyozawa Y. Self-trapping in mixed crystals. Clustering, dimensionality, percolation.// J. Phys. Soc. Jap. -1979. -V.46, № 2. -P.505−514.
  232. Arimoto O., Sasaki K., Kan’no K., Nakai Y. F-H pair creation from lokalized exciton in KBr-I.// J. Phys. Soc. Jap. -1984. -V.53, № 1. -P.70−73.
  233. В.Ф., Чинков Е. П. Структура спектров короткоживущего поглощения и свечения фторидов бария и кальция при импульсном облучении электронами.// Письма в ЖТФ. -1997. -Т.23, № 21. -С.45−50.
  234. А.С., Михайлик В. Б., Родный П. А. и др. Примесная остовно-валентная люминесценция как специфический канал релаксации высокоэнергетических возбуждений в ионных кристаллах.// Укр. Физ. Ж. -1996. -Т.41, № 1. -С.77−82.
  235. Способ получения кристаллов фторидов щелочноземельных металлов./ Лисицын В. М., Лисицына Л. А., Рейтеров В. М., Чинков Е. П., Трофимова Л.М./ АС, № 1 037 690 от 22.04.1983.
  236. Williams R.T., Craig В.В., Faust W.L. Study of F-centre formation in KC1 on a picosecond time scale.// Phys. Rev. Lett. -1975. -V.35, № 5. -P.300−303.
  237. Tokizaki Т., Makimura T. et al. Femtosecond cascade-excitation spectroscopy for nonradiative deexcitation and lattice relaxation of the self-trapped exciton in NaCl.// Phys. Rev. Lett. -1991.-V.67, № 19. -P.2701−2704.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!