Исследование воияния антеркалирования и состояния поверхности на оптические свойства кристаллов селенида галлия
Диссертация
Наличие слабых связей между слоями приводит к возможности простого получения фактически идеальных стойких к адсорбции плоскостей скола и тонких монокристаллических пластинок слоистых кристаллов. Это их свойство нашло практическое применение для изготовления гетеропереходов методом прямого оптического контакта двух различных полупроводников [ 19,207. Надежность таких структур в большой мера… Читать ещё >
Список литературы
- Гинзбург В. Л, К вопросу о поверхностной сверхпроводимости^ 1ЭТФ, 1964, т.47, № 8, с.2318−2323″ Проблема высокотемпературной сверхпроводимости. — УФН, 1968, т.95,в.1,с.91-П0-
- Little W.A. Possibility of Synthesizing an Organic Superconductor. -Phys. Rev., 1964, v. 134, N 6A, p. A 1416-A 1424.
- Shinada M., Sugano S. Interband Optical Transitions in Extremely Anisotropic Semiconductor a. I. Bound and Unbound Exciton Absorption.- J. Phys. Soc. Jap., 1966, v. 21, N. 10, p. 1936−1946.
- Лисица М.П., Яремко A.M."Тарасов Т.Г., Валах М. Я., Бережинский М. И. Особенности экситонных эффектов в слоистых кристаллах.-ФТТ, 1972, т.14,№ 11,0.3219−3224.
- Данилевич-Товстюк К.К., Берча Д. М. Давыдовское расщепление в од-ночастичных спектрах jb-O-a&C.1 -Препринт ИТФ-81−4Р, 1981,16 с.
- Бродин М.С., Блонский И. В., Крочук А. С., Ницович Б. М., Франив А. В. Экситонное поглощение света в слоистых кристаллах ЖЭТФ, 1982, т.83, № 3(9), с.1052−1058.
- Бродин М.С., Блонский И. В., Крочук А. С., Ницович/, Франив А. В. Проявление изгибных волн в экситон-фононном взаимодействии слоистого кристалла PBJ2 • -ФТТ, 1982, т.24, № 3,с.681−684.1
- Товстюк К.Д. Квазисвязанные экситон-фононные состояния в &(Х§>е. В кн. «Спектроскопия молекул и кристаллов», т.1, г. Киев, «Наукова думка», 1981, с.140−143.
- Forney J.J., Maschke К. and Mooser Е. influence of Stacking Disorder on Wannier Excitons in Layered Semiconductors.- J.Phys. C., 1977, v .10, К 11,. p. 1887−1894.
- V Литовченко В. Г, Основы физики полупроводниковых слоистых систем. Киев, Наукова думка, 1980 — 282 с.
- Булаевский Л.Н. Сверхпроводимость и электронные свойства слоистых соединений. УФНД975, т. П6,№ 3,ci449−488i!
- Wilson J.A., Yoffe-A.D. The transition metal dichalcogenid. es,
- Adv. Phys., 1961, 18, IT 73, P. 193−355.
- Лисица М.П., Моцный Ф. В. Свойства трвхиодистого висмута при обычном и лазерном возбуждении (обзор). -Квантовая электроника. Киев, Наукова думка, 1979, т.17,с.26−45.
- Voitchovsky J.P., Mercier A. Photoluminescence of GaSe.-Nuovo Cim., 1974, V.22B, N2, p. 273−292.17? Gapozzi «V., Minafra A. Photoluminescence of GaSe (Gu) doped by ion implantation.- Solid St. Commun., 1981, v .38, H4, pp. 341−343.
- Гнатенко Ю.П., Ковалюк З. Д., Скубенко П. А. Краевая люминесценция кристаллов &CI&G, легированных примесями группы железа. -УФЖ, 1982, т.27, № 6, с.838−842.
- Schubert К., Dorre Е., Kluge Ы. 2ш? Kristallchemie dea Б- Metalle. IIX. Kri stalls tructur -von GaSe und IaTe.- Z. Metallk., 1955″ В.46, S.216−224.
- Kuhn A., Chevy A., Chevalier R. Crystal Structure and Interatomic Distances in GaSe.- Phys. Stat.Sol. (a), 1975, v.21, N2, p. 469−475.
- Terhell J.C.J.M., Lieth R.M.A. Preparation and Crystallography of Gallium Sulfide-Selenide Solid Solution.-Phys.Stat.Sol.(a), 1971, v.5, HJ, p.719−724.
- Terhell J.C.J.M., Lieth R.M.A. Structure and Compound in the System Ga^Se^.- Phys. Stat .Sol. (a), 1972, v. 10, N2, p. 529−535.
- Hahn H. Uber die Structuren des Chalcogenide des Gallium, Indium und Tallium.- Angewandte Chemie., 1953, В 65, H.8, S. 538−546.
- Jellinek F., Hahn R. Zur Polytypie des Galliummonoselenids, GaSe.- Z. Naturf., 1961, B.16b, H.11, 1. S. 713−715.
- Basinski Z.S., Dove D.B., Mooser E. Relationship Between Structure and Dislocations in GaS and GaSe.- Helv .Phys. Acta, 1961, v.34, N.5, p. 373−378.
- Fischer G. and Brebner J.2. Electrical Resistivity and Hall Effect of Single Crystalls of GaTe and GaSe.-J.Phys. Ghem. Solids, 1962, v.2 $, N10, p. 1363−1370.
- Minder R., Zschokke -Granacher I. Die Beweglichkeit von Ladungstragern in Galliumselenids Kristallen.-Iielv. Phys. Acta, 1974, v.47, N2, p. 173-I88.
- Медведева З.С. Халькогениды элементов Ш Б подгруппы периодической системы. М., Химия, 1968. — 215 с.35* Klem V/., Vogel A. Uber die Chalkogenide von Gallium und Indium.- Z.Anorg. Allgem.Chem. 1934, В .219,S.45−64 .
- Мехтиев Р.Ф., Абдуллаев Г. Б., Ахундов Г. А. Методика выращивания монокристаллов GaSe и исследование их некоторых свойств. Докл. АН Аз.ССР, 1962, т.18,№ I, с. П-16.
- Рустамов П.Г., Мардахаев Б. Н. Выращивание монокристаллов некоторых сульфидов галлия из газовой фазы. Изв. АН СССР, Неорг. материалы, 1967, т. З, № 3, с.575−577.
- Fischer G. Speculations on the Band Structure of the Layer Compounds GaS and GaSe.- Helv. Phys .Acta, 1963, v.36, N3, P. 316−353.
- Bassani F. Bastori Earravicini G. Band Structure and Optical Properties of Graphite and the Layer Compounds GaS and GaSe.- Nuovo Cim., 1967, v.30, H1, p. 93−128.
- Kamimura H., Makao H. Band Structure and Optical Propertiesof the Layer Compounds GaS and, GaSe.- J.Phys.Soc. Jap. 1968, v.24, N6, p. 13−1325.
- Bourdon A. Structure de bandes electronique de GaSe.-J.
- Physique, v. 35, Ш, p. 03−261 0^-267.
- Ыс.Canny J.V., Murray R.B. The Band Structures of Gallium and Indium Selenide.- J.Phys.C., 1977, v.10, E8, p. 12 111 222.
- Nagel S., В alder esc hi А», laschke К" Tight Binding Study of the Electronic State in GaSe Polytypes.- J.Phys.G., 1979, v.12, N9, p. 1625−1639.
- Robertson J. Electronic Structure of GaSe, GaS, InSe and GaTe.- J.Phys.C., 1979, v.12, H.22, p. 4777−4789.
- Bashenov VJU, Garyainov S.A., Ivlarvakov D.J. Band Structure of Layer Gallium Selenide.- Phys. Stat .Sol. (b}f 1977, v.22, H. 1, p. K95- E96.
- Баженов В.К., Марваков Д. И., Петухов А. Г. Зонная структура селенида галлия в двухмерном приближении. ФТП, 1978, тЛ2,в.7, 0Л442−1444.
- Schluter М. Die Electronische Bandstructur von Hexagonalen GaSe.- He lv. Phys .Acta, 1972, v.45,, p. 73−76.
- Schluter M. The Electronic Structure of GaSe.-Huovo Gim., 1973, V.13B, Ж .2, p. 313−360.
- Schluter M., Camassel J., Kohn S. Voitchovsky J.P., Schen Y.R. and Cohen M.L. Optical Properties of GaSe and GaSxSe1-x Mixed Crystals.- Phys.Rev., В., 1976, v.1.5, HS, P. 3534−3547.
- Depeursinge I. Electronic Band Structure of the Polytypes of GaSe.- Nuovo Cim., 1977, v.SB, Ж1, p. 155−169.
- Mooser E., Schiuter to. The Band-Gap Excitons in Gallium-SelenideNuovo Gim., 1973, V.1SB, N1, p. 164−207.
- Ottaviani G., Canali C., Nava P., Schmid Ph., Mooser E., Minder E., Zschokke J. GaSe:-A Layer Compound With Anomalous Valence Band Anisotropy.-Solid St.Commun., 1974, v .14,N10,1. P. 933−936.
- Brebner J.L. and Mooser E. Excitons in GaSe Polytypes.-Phys.Lett., 1967, v.24A, N5, p. 274−275.
- Багаев В.С., Беленький Г, Л., Зайцев В. В., Салаев Э. Ю., Стопачин-ский В. В. Горячая люминесценция в селениде галлия, ФТТ, 1979,37,21,в.8, с.2217−2222.
- Schepherd E.R., Williams P.M. Photoelectron studies of the densities of states in gallium chaleogenides.-Phys.Rev.,
- В., 1975, v.12, p. 5705−5713.
- Margaritondo G., Rovve J.E., Christman S.B. Synchrotron Radiation Photoemission Spectroscopy of III-YI Compounds.
- Phys.Rev., В., 1977, v.15, n8, p. 3844−3854.
- Aulich E., Brebner J.L., Mooser E. Indirect Energy Gap in GaSe and GaS.- Phys.Stat.Sol., 1969, v.31, N1, p.129−131.
- Thanh Le Chi, Depeursinge C. Absorption and Electroabsorp-tion Near the Indirect Edge of GaSe.- Solid St. Commun., 1977, v. 21, N3, p. 317−321.
- Williams P.M. Direct Evaluation of Electronic Band Structures of Layered Solids using Angular Resolved Photoemission.-xjuovo Gim., 1977, v. 3SB, N.1, p. 216−224.
- Thiry P., Pet г off У., Pinchaux R., Guillot C., Ballu J. Lecante J., Paigne J., Levy F. Experimental Bandstructure of GaSe Obtained by Angular Resolved Photoemission.-Sol. St.Gommun., 1977, v.22, N11, p. 685−689.
- Nahory R.E., Shacklce K.Z., Leheny R.F., De Winter J.G. Stimulated Enmission and Type of Bandgap in GaSe.-Solid St. Commun., 1971, v.9, N13, p. 1107−1111.
- Deverin J.A. Contributions a’la theorie des excitonsde Warinier dans les cristals anisotropes.-Helv .Phys .Acta, 1969, v.42, N3, p. 397−419.
- Агранович В.M., Гинзбург В. Л., Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии и теория экситонов."Наука", М., 1979 -432 с.
- Gerlach В., Pollman J., Wannier G. Excitons in Layered Semiconductors.- Nuovo Cimento, 1977, v.138B, N8, p.423−432.
- Baldereschi R., Diaz M.G. Anisotropy of Excitons in Semiconductors.- Nuovo Cimento, 1970, v.68B, N2, p. 219−229.
- Schmid Ph., Voitchovsky J.P., Mercier A. The Effect of Iii^urities on the low temperature photoluminescence of GaSe.- Phys.Stat.Sol.(a), 1974, v .21, N2, p. 443−450.
- Mercier A., Mooser E., Voitchovsky J.P. Resonant Exciton in GaSe.- Phys .Rev .В., 1975, v.12, N10, p. 4307−4311.
- KurodaN., Nishina J. Near-Edge Spontaneous Photoluminescence in GaS^Se^.- Phys .Stat .Sol. (b), 1975 .72, N1, p .81−89.
- Басов Н.Г., Богданкевич О. В., Печенов A.H., Абдуллаев Г. Б., Ахундов Г. А., Салаев Э. Ю. Индуцированное излучение в монокристалле GaSe при возбуждении быстрыми электронами. -ДАН СССР, 1965, т.161, № 5, с.1059−1062.
- Ugumori Т., Masuda К., Namba S., Spontaneous and Stimulated Emission in GaSe Under Intence Excitation.-Solid State Commun., 1973, v"12, N5, p. 3S9−391.
- Kuroda N., Nishina Y., Stacking-Fault Splitting of Exciton States in GaSe.- Nuovo Gimento, 1976, v .3253, H1, p .109−115.
- Беленький Г. Л., Годжаев М.0., Нани Р. Х., Салаев Э. Ю., Сулейма~ нов Р. А. Излучательный распад прямых и непрямых экситонов в
- GaSe при низких температурах. ФТП, 1977, т. II,№ 5,с.859−866.
- Разбирин В.С., Мушинский В. П., Караман М. И., Старухин A. Hi-, Гамарц Е. М. Спектр непрямого экситона и фазовый переход в смешанных кристаллах Gc& Ga&e • - ФТП, 1978, т.12, в.1, с.38−42.
- Matsumura Т., Sudo М., Tatsuyam. a G. Ichimura S. Photolumi-nescence in GaSe.- Phya.Stat.Sol.(a), 1977, v.43, N2, p., 683−693.
- Абдуллаев Г. Б., Беленький Г. Л., Нани Р. Х, Салаев Э. Ю., Сулей-манов Р. А. Непрямые экситоны в селениде галлия. ДАН Аз. ССР, 1976, т-32, Ш 8, с.13−15.
- Depeursinge С., Thanh Le Chi. Observation of the indirect Exciton Transition in GaSe.- Phys.Semicond.Eroc. 13th Int. Conf., Eome, 1976, Rome, 1976, p. 388−391.
- Gavaleshko W.P., Lyakhovich A.K., Vatamanyuk P.P. and Savchuk A.J. Faraday Effect in IIX-VI Layer Compound.Phys. Stat .Sol. (b), 1982, v.113, N2, p. 447−431.
- Курик M.В., Савчук А. Й., Раренко И. М. О природе тонкой структуры поглощения &а?>е . Оптика и спектроскопия, 1968, т.24, с.999−1002.
- Brebner J.L., Halpern J., Mooser E. Finestructur des Excitonen Spectrum in GaSe .-He 1л/ .Phys. Acta, 167, v.40, N4, p. 382−385.
- Беленький Г. JI, Особенности спектров экситонного поглощения C-aSe при 4,2 KiJ -ФТП, 1976, т. Ю, в, б, с.1208−1209.
- Abdullaev G.B., Belenkii G.L., Salaev Е. Yu. and Suleima-nov R.A. Inter layer Interaction and Exciton Spectrum of GaSe at Low Temperatures.- Nuovo Gim., v.38B, N2, p.469−476.
- Thanh Le Ghi, Depeursinge G. Рале Structure of Exciton Spectrum in GaSe.- Solid State Coinmun., 1978″ ^"25,1. N7, p. 499−303.
- Tong B.J. Localization of Electron States in One-Dimensional Disordered Systems.- Phys.Rev., A", 1970, v .1, Ы1, p. 52−38.
- Eorney J.J., Maschke K., Mooser E., Fine-Structure
- Splitting of the Ground-State Excitons in Layer Materials. With Stacking Eaults-Uuovo Gim., 1977, v.3SB, N2, pp.418−422.
- Maschke K., Schmid Ph. Influence of Stacking Disorder on. Electronic Properties of Layer Semiconductors.Phys.Rev .В ., 1975, v.12, N10, p. 4312−4315.
- Sasaki J. and Nishina J. Mobile and Immobile Localized Excitons Induced by the Stacking Faults, in GaSe.-Physica B+G 1981, v. ЮЗЕ, И 1−3, p. 45−49.
- Разбирин B.C., Мушинский В. П., Караыан М. И., Старухин А.Н.% Гамарц Е. М. Оптическое выстраивание экситонов в &г?>е. -Изв.АН СССР, сер.физ., 1976, т.40, № 9, с.1872−1875.
- Вешунов Ю.П., Захарченя Б. П., Леонов Е. М.,-Оптическая ориентация экситонов и эффект Ханле в Oa^e. ФТТ, 1972, т.14,в.9, с.2678−2681.
- Kushida Т., Minami Р., Oka J., Nakazaki J., kanaka. Г.
- Population Dynamics and Spin Relaxations of Excitons in GaSe.- Nuovo Oim., 1977, v. 38B, N2, p. 650−654. 91. Voitchovsky J.P. Mercier A. Long-Lifetime Photoluminescence in GaSe.- Phys. Stat.Sol. (a), 1975, v"18, N2, p. 545−551.
- Morigaki K., Dawson 2?", Cavenett B.C. Optical Detection of Triplet Exciton Resonance in GaSe.-Sol. St.Commun., 1978, v.28, N9, p. 829−854.
- Mercier A., Mooser E., Voitchovsky J.P. Resonant Exciton in GaSe.- Phys. Rev. B, 1975, v.12, N 10, p. 4307−4311.
- Baltramie junas R., Guseinov G., Narkevicius V., Iliunka. V., Vaitkus J. and Viscakas J. The Temperature Dependence of the Edge Emission of GaSe Single Crystal at High Excitation Levels.- Optics Commun. 1974, v.11, N3, p. 274−275.
- Baltramie junas R., Narkevicius V., Skaistys E., Vaitkus J. and Viscakas J. Polarisation of Luminescence Spectra and. Electron- Hole Plasma Radiation in GaSe Single Crystals at High Level of Excitation.- Nuovo Oim., 1977, V.38B, N2, p. 6O3−6O9.
- Catalano J.M., Cingolani A., Eerrara M., Minafra A. Luminescence by Exciton-Exciton Collision in GaSe.-Phys.
- Stat.Sol.(b), 1975, v.68, N1, p. 341−547.
- Дирочка А.И., Сосин В.A, 0 природе рекомбинационного излучения ыоноселенида галлия. Труды МФТИ, сер."Радиотехника и электроника", 1975, № 10, с.75−84.
- Курбатов Л.Н., Дирочка А. И., Сосин В. А., Синицын Е. В. Излуча-тельные переходы в ыоноселениде галлия. ФТТ, 1977, т.19, № 3, с.820−825.
- Агекян В.Т., Соломонов Ю. Ф., Степанов Ю. А., Субашиев В. К. Спектр излучения селенида галлия при сильном оптическом возбуждении.- ФТ11,1976,т.Ю, № 4, с.707−711.
- Leite E.G.С., Meneses Е.А., Jannuzzi Ж. and Ramos J.G.P. Carrier Assisted Radiative Recombination of Eree Exciton in GaSe.-Solid St.Commun., 1972, v"11, N12, p.1741−1744.
- К us hid a T,., Minami P., Oka J., Nakazaki I. Tanaka J. Population Dynamics and Sp) in Relaxation of Exciton in GaSe.- Muovo Cim., 1977, v. 39B, N2, p. 650−64.
- Leung P.C., Anderman G., Spitzer W.C., Mead С .A. Dielectric constants and infrared absorption of GaSe.-J.Phys.Chem.Sol., 1966, v.27, N5, P. 849−855.
- Беленький Г. Л., СтопачинскиЙ В. В. Электронные и колебатель3 бные спектры слоистых полупроводников группы, А В. -УФН, 1983, т.140, № 2,с.231−270.
- Gamble F.R., Osiecki J.H., Cais М., Pisharody R. Intercalation Complexes of Lev/is Bases and Layered Sulfides: A Large class of Hew Superconductor .-Science, 1971, v.174, Ж 4008, p. 493−497.
- Проблема высокотемпературной сверхпроводимости / Под ред. Гинзбурга B. JI, и Киркица Д.А./. М., Наука, 1977, 400 с.
- ПО. Кошкин ВЖ', Мильнер А. П., Куколь В. В., Забродский Ю. Р^',
- Дмитриев Ю.Н.', Бринцев Ф. И. Новые интеркалированные кристаллы Pi.2 и В1]ь ФТТ, 1976, т.18, № 2, с.609−611-
- Кошкин В.М., Катрунов К. А. Оверхрешетки и квантовый размерный эффект /КРЭ/ в интеркалированных кристаллах. Письмав ЖЭТФ, 1979, т.29, № 4, с.205−209.
- Рыбалка А.И., Милославский В. К. Ультрафиолетовые спектры тонких пленок РЬ.2 интеркалированных пиридином. -Оптика и спектроскопия, 1976, т.41, в.2, с, 252−256.
- Ковалюк З.Д., Минтянский И. В., Электрические свойства монокристаллов JnSe, интеркалированных антраценом. -УФК, 1982, т.27, № 4, с.616−617.
- Acri-vos J.V., Liang W.J., Wilson J.A., Yoffe A.D. Optical Studies of Metal-Semiconduction Produced by Intercalation.-J.Phys.G., Solid St. Phys. 1971, v .4, N1, p. L18-L20.
- Балла Д.Д., Мамалуй А. А. Температурная зависимость электросопротивления 2H-JW>be2 интеркалированного в растворе LdTCNQ. /4,24 78 К/ ФНТ, 1978, т, 4, № 5, с.617−621.
- Acrivos J.V., Salem J.R. Charge transfer complexes in intercalated layer compounds.- Phil.Mag., 1976, v.30, p. 603−619.
- Murphy D.W., Trumbore 3?.A. Metal Chalcogenides as Reversible Electrodes in Nonaqueous Lithium Batteries.-J. Cryst. Growth., 1977, v.39, N1, p.183−189.
- Scholz G., Joensen P., Reyes J.M. and Erindt R.E. Intercalation of Ag in TaS2 and TiSg.- Physica B+C, 1981, v. 105B, N 1−3, p. 214−217.
- Bree A., Kydd R.A. Infrared Spectrum of Antracene Crystals.-J.Chem.Phys., 1968, v.4S, N 12, p. 3319−5323.
- Ищенко С.С., Иванийчук М. Т., Корбутяк Д. В., Окулов С. М., Ковалюк З. Д., Григорчак И. И. Некоторые характеристики интеркалированного селенида галлия, полученные СВЧ и оптическими методами.-ФТП, 1981, т.15,в.Ю, с.2045−2047.
- Ищенко С. 0., Окулов С. М., Абудллаев Г. Б., Беленький Г. Л., Грачев В. Г., Дейген М. Ф., Нани Р. Х., 0алаев Э.Ю., Семенов ЭПР JUn1+ в монокристаллах GaSe. -ФТТ, 1975, т.17, в.6,с.1794−1796.
- Коновалов В.М.-, йщвнко 0.С., Окулов С. М. Аксиальное кристаллическое поле и ЭПР в &й?е. ФТТ, 1980, т.22,№ 6,с.1842−1844.128.хигаси К., Баба Х., Рембаум А. Квантовая органическая химия.1 Мир, М., 1967 380 с.
- Пул Ч^' Техника ЭПР спектроскопии. М., Мир, 1970. 557 с. 120. lib. Canny J.V. The Electronic Structure of Lithiated SnSg.-Phys .Stat .Sol. (b), 1979, v.93, N1, p. K29-K34.
- Mc .Canny J.V. A Theoretical Stadys of the Effects of Lithium Intercalation of the Electronic Structure of TiS2.-J. Phys.C., 1979, v.12, U 16, p. 3263−3276.
- Кардона M, Модуляционная спектроскопия. M., Мир, 1972.-416 с.
- Гавриленко В.И., Рубан М. А. Использование системы автоматической записи спектров элекгроотранения для экспериментального исследования слоистых структур Si-St02 . Сб. Полупроводниковые пленки и слоистые структуры, с.91−97, Науко-ва думка, Киев, 1977.
- Balzarotti A., Piazentini М., Burattini Е., Picozzi Р. Electroreflectance and band structure of gallium seleni-de.-J.Phys.C., 1971, v.4, N13, p. L275-L278.
- Sasaki J., Hamaguchi C., Nakaji J. Electroreflectance of GaSe.- I. Around 3,4 eV.-J.Phys .Soc «Jap., 1973, v.38,1. N1, p. 162−168.
- Piacentini M. Electroreflectance of GaSe: the interpretation of the structure above the edge.-Solid.St.Commun., 1976, v.19, N8, p. 775−778.
- Тягай В.А.', Снитко О. В., Бондаренко В. Н., Витриховский Н. И., Попов В. Б., Красиков А.Н.* Спектры электроотражения монокристаллов ZnxCcl{&bdquo-xТе .-ФТТ, 1974, т.16,в.5,0.1373−1382.
- Seraphin В.О., Bottka N. Band-Structure Analysis from Electroreflectance Studies.- Phys.Rev., I966, v.145» N2, p. 628−636.
- Yang E. Excitonic Effects on Dielectric Properties of Solids in a Uniform Electric Field .-Phys.Rev .B, 1971, v.4, N6, p. 2046−2053.
- Лисица M.П., Бойко С. А., Терехова С. Ф. Дисперсия показателя преломления и экситонное поглощение G-aSe . -<Ш1,1978, т.12,в.II, с.2092−2095}
- Grandolfo М., Somma F. and Yecchia P. Temperature Modulation of the Optical Constants of Layer Compounds GaSe and GaS.- Phys.Rev. B, 1972, v.5, N2, p. 428−434.
- Физико-химические свойства полупроводниковых веществ.Справочник.-М.Наука, 1979. -368 с.
- Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И. П., Кайпер Р., Миронов А. Г., Эндер-лайн Р., Эссер Б. Электронная теория неупорядоченных полупроводников.-М.-, Наука, 1981.-384 с.
- Нокс Р., Холд А. Симметрия в твердом теле.-М., Наука, 1970, -424 с.
- Бабенко В.П.!, Броуде В. Л., Медведев B.C. и др.' Методы и аппаратура низкотемпературных оптических и спектральных исследований. ПТЭ, 1959, т. I, № 1,с.II5−120.
- Зарубин Л.И., Немиш Й. Ю. Полупроводниковая криогенная термометрия. -ПТМ, 1974, в.16,с.3−12.
- Барановский С.Д., Эфрос А. Л. Размытие краев зон в твердых растворах. -ФТП, 1978, т.12,в.II, с.2233−2237.
- Суслина Л.Г., Плюхин А. Г., Федоров Д, Л., Арешкин А. Г. Ушира-ние экситонных состояний в твердых растворах полупроводников .-ФТП, 1978, т.12,в.11,с.2238−2242.
- Kukimoto Н., Shionoya Sh., Toyotomi S., Ivlorigaki К.,
- Skreening and Sbark Effects Due to Impurities on Excitons in CdS.-J.Phys.Soc.Jap., 1970, v.28, N1, p. 110−119.
- Райе Т., Хенсел Дж., Филлипс Т., Томас Г. Электронно-дырочная жидкость в полупроводниках^-М., Мир, 1980
- Baran J.N., Tovstyuk K.D. The Impurity in Dynamical Lattice.- Phys .Stat .Sol. (a), 1975, p.694−700.
- Бродин М.С., Крицкий А. В., Мясников Э. Н. и др. Влияние состояния поверхности на спектры отражения и люминесценции кристаллов Cot2> .-УФЖ, 1973, т. 18,№ 5,с.828−833.
- Зуев ВД., Корбутяк Д. В., Литовченко В. Г. и др.! Коллективные эффекты на поверхности полупроводников / GaAs /. -ЖЭТФ, 1975, т.69, № 4,с.1289−1300.
- Агранович В.М., Лозовик Ю.Е.' 0 переходе полупроводник-металл под действием сил электростатического изображения. -Письма в ЖЭТФ, 1973, т.17,в.4,с.209−212.
- Кособуцкий П.С. Особенности спектров экситонного излучения монокристаллов zEn.Se -УФК, т.22,№ 6,1977,с.977−980j
- Скайтис Э., Сугаков В. Влияние неоднородного поверхностного потенциала на экситонное отражение света. -Лит.физ.сб., т.14, № 2,1974,с.297−304.
- Evangelisti F., Fischbach I.U., ErovaA. Dependence of
- Exciton Reflectance of Field and other Surface Characteristic: the GaSe of InP.-Phys.Rev., B9, N4, p.1516−1524,1974.
- Blaslev J. The Excitonic Surface Potential in Semiconductors.- Physica Stat.Sol.(b), 1978- v. 88, N1, p. 155−182.
- Evangelisti F., Frova A., Patella P. Nature of the D^ad Lauer in CdS and its Effect an Exciton Reflectance Spectra.- Phys.Rev., 1974, В 10, Ну, p. 4253−4261.
- Lagpis J., Hummer K. Experimental and Theoretical Effects of Surface Layers and Spatial Dispersion on the Free Exciton Reflectance of ZnO.- Phys.Stat.Sol.(b), 1975, v .72, M1, p. 393−402.
- Billman J., Grossmann M., Nikitine S. Experimentall Effects of Spatial Dispersion on the Excitonic Spectra of PbJ2. Investigations on Oscillator Strengs.-Proceedingof Toarmina Conference on Polaritons.- Rg. E. Bur stein, 1. Roma, 183−19 1973.
- Пермогоров С.А., Селькив А. В. Пропускание излучения границей кристалла в окрестности экситонных резонансов при на-личйространственной дисперсии.-ФТТ, 1973, т.15,в.10,с.3025
- Давыдов А., Мясников Э. Особенности оптических 3028. спектров, обусловленные поверхностью кристалла.-Препринт ЙТФ, 1972,72, 40Р, 14 с.
- Давыдов Н.А., Мясников Э. Н., Страшникова М. И. Особенности спектральных свойств монокристаллов CcLS>e обусловленных их поверхностью. -ФТТ, 1974, т.16,в.4,с.П73-П76.
- Пекар С.И. Теория электромагнитных волн в кристалле, в котором возникают экситоны.-ЖЭТФ, 1957, т.38,№ 4,с.1022−1036.
- Дейген М.Ф., Глинчук М. Д. Экситоны вблизи поверхности гомео-полярного кристалла. -ФТТ, 1963, т.5,№ 11,с.3250−3258.
- Берил С.И., Покатилов Е. П. Поверхностный полярон в магнитном поле.-ФТП, 1978, т.12,в.6,с.П84-П86.
- Киселев В.А. Поверхностные механические экситоны. -ФТТ, 1978, t.20,b.4,c.II9I-II95. Экситонное отражение света при произвольном поверхностном потенциале.-ФТТ, 1978, т.20,в.7,с.2173−2176,
- Корбутяк Д.В., Курик М. В., Литовченко В. Г. Дараненко Е.Ю. Оптические характеристики поверхности ColS в экситонной области спектра. Поверхность. Физика, химия, механика, 1982, № 6,с.51−58.
- Личный вклад диссертанта в работы, опубликованные в соавторстве
- Диссертантом проведена ионно-плазменная обработка кристаллов селенида галлия, а также исследование спектров экситонного отражения и фотолюминесценции.
- Гавриленко В.И., Иванийчук М. Т., Корбутяк Д. В. Оптические и люминесцентные свойства интеркалированного селенида галлия. Материалы У Респ.конф.молодых ученых-физиков, посвященной 60-летию Азербайджанской ОСР и Компарти Азербайджана. — Баку, 1980, с.42−43.
- Диссертантом проведены исследования экситонных спектров отражения, фотолюминесценции и электроотражения интеркалированных кристаллов селенида галлия.
- Диссертантом проведены экспериментальные исследования спектров экситонного отражения и фотолюминесценции интеркалированных и ионно-бомбардированных кристаллов Gcl
- Ищенко С.С., Иванийчук И, Т., Корбутяк Д. В., Окулов С. М., Кова-люк З.Д., Григорчак И. И. Некоторые характеристики интеркалиро-ванного селенида галлия, полученные ОВЧ и оптическими метода. ми. ФТП, 1981, г. 15, в.10, с.2045−2047.
- Диссертантом проведены экспериментальные исследования экситонных спектров отражения и фотолюминесценции исходных и интеркалированных кристаллов селенида галлия.
- Корбутяк Д.В., Зуев В. А., Иванийчук М. Т., Литовченко В. Г., Курик М. В., Ковалюк З. Д. Экситонные спектры фотолюминесценции и отражения интеркалированного селенида галлия. ФТП, 1981, т.15, в. З, с.577−579.
- Диссертантом проведены измерения спектров электроотражения исходных и интеркалированных образцов. Совместно с Гавриленко В. И. дана интерпретация полученных экспериментальных результатов.
- Диссертантом выполнены исследования фотолюминесценции кристаллов селенида галлия, легированных редкоземельными элементами.
- Диссертант совместно с руководителями принимал активное участие в постановке исследований и интерпретации полученных результатов.
- Рекомендации по практическому применению результатов диссертации
- Черновицкое отделение ИПМ АН УССР является ведещим предприятием по получению, интеркалированию и использованию слоистых кристаллов
- Исходя из результатов исследований, проведенных в работе Иванийчук М. Т., получены рекомендации для подбора технологических режимов выращивания совершенных кристаллов и их интеркалированию.
- Зав. отделом слоистых кристаллов, канд. физ.-мат. наук /подпись/1. З.Д.КОВАЛЮК