Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Влияние структурных особенностей на оптические и электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических пленок

Диссертация: Влияние структурных особенностей на оптические и электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических пленок
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

На основе соединений типа, А В. Особенности физических свойств таких полупроводниковых материалов, отличающие их от традиционного кремния, позволяют создавать принципиально новые типы электронных приборов. Также как и в кремниевой электронике одним из важнейших элементов таких приборов служат диэлектрические слои на поверхности полупроводникового кристалла. Такие слои могут создаваться как… Читать ещё >

Влияние структурных особенностей на оптические и электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических пленок (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ОПТИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА БИНАРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ И ИХ ОКСИДОВ
    • 1. 1. Формирование диэлектрических покрытий на полупроводниках А3В
    • 1. 2. Оптические свойства диэлектрических пленок, полученных анодным окислением полупроводников АВ
    • 1. 3. Фотоинжекционные явления в ДП и МДП структурах на основе ОаАз и ОаР
      • 1. 3. 1. Методика измерения оптического заряжения
      • 1. 3. 2. Методика измерения инжекционных токов
      • 1. 3. 3. Методика термостимулированного опустошения ловушек
      • 1. 3. 4. Оптическое заряжение и фотоинжекционные токи в ДП и МДП структурах на основе ОаАэ
      • 1. 3. 5. Оптическое заряжение и фотоинжекционные токи в ДП и МДП структурах на основе ОаР
      • 1. 3. 6. Использование метода термостимулированного опустошения для определения энергии активации ловушек в АОП
      • 1. 3. 7. Энергетические зонные диаграммы МДП структур
    • 1. 4. Элементно-фазовый состав и природа ловушек заряда в оксидных слоях на поверхности ОаАэ и ОаР
      • 1. 4. 1. Элементно-фазовый состав АОП
      • 1. 4. 2. Природа ловушек носителей заряда в АОП
    • 1. 5. Влияние свойств приповерхностной области на спектры комбинационного рассеяния света полупроводниковых материалов, А В
      • 1. 5. 1. Структурное разупорядочение монокристаллического 1пР при ионной имплантации
      • 1. 5. 2. Влияние поверхностного потенциала на спектры КРС в InP
      • 1. 5. 3. Лазерноиндуцированное дефектообразование в полупроводниках
  • Выводы к Главе 1
  • ГЛАВА 2. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОКСИДНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ И
  • ПОРИСТЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
    • 2. 1. Получение тонко-пленочных ВТСП материалов и их фазовый состав
    • 2. 2. Оптическая анизотропия эпитаксиальных ВТСП пленок
    • 2. 3. Нанопористый кремний: методы формирования и структурные особенности
    • 2. 4. Спектры фотоотражения ПК
    • 2. 5. ИК спектры ПК
    • 2. 6. Исследование комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции ПК
    • 2. 7. Фотоакустическая спектроскопия ПК
    • 2. 8. Пространственная локализация центров люминесценции в ПК
    • 2. 9. Интерференционные искажения формы ФЛ спектров ПК
    • 2. 10. Сравнительное исследование оптических свойств пористого кремния и оксидов SiO и S
    • 2. 11. Оптические свойства пористого фосфида галлия
  • Выводы к Главе 2
  • ГЛАВА 3. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ И МОДИФИКАЦИИ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МАТЕРИАЛОВ
    • 3. 1. Лазерные методы осаждения и абляции ВТСП пленок
    • 3. 2. Лазерная абляция алмазных материалов
    • 3. 3. Использование лазерного излучения для осаждения алмазных пленок
  • Выводы к Главе 3
  • ГЛАВА 4. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА АЛМАЗНЫХ ПЛЕНОК
    • 4. 1. Синтез алмаза методом газофазного химического осаждения
      • 4. 1. 1. Краткая характеристика методов осаждения алмазных пленок
      • 4. 1. 2. Установка для осаждения алмазных пленок в плазме тлеющего разряда
      • 4. 1. 3. Подготовка подложек для осаждения алмазных пленок и нуклеация алмаза
    • 4. 2. Использование спектроскопии комбинационного рассеяния света для т-эйи диагностики газофазного химического осаждения алмаза
      • 4. 2. 1. Комбинационное рассеняие света в алмазе
      • 4. 2. 2. Спектрометр КРС для т-Бки исследования характеристик алмазных пленок
      • 4. 2. 3. Результаты экспериментального т-вки исследования алмазных пленок
    • 4. 3. Особенности оптических свойств поликристаллических алмазных пленок
      • 4. 3. 1. Некоторые физические свойства алмазных материалов
      • 4. 3. 2. Спектрофотометрические исследования алмазных материалов
      • 4. 3. 3. Фотоакустические измерения спектров оптического поглощения алмазных пленок и порошков
      • 4. 3. 4. Катодолюминесценция алмазных пленок
    • 4. 4. Оптическое заряжение на границе раздела кремний-алмаз
    • 4. 5. Использование фотоакустической спектроскопии для исследования теплофизических свойств алмазных материалов
      • 4. 5. 1. Теоретические предпосылки использования фотоакустического эффекта для исследования теплопроводности материалов
      • 4. 5. 2. Экспериментальное определение теплопроводности алмазных пленок с помощью фотоакустического эффекта
      • 4. 5. 3. Влияние структурных особенностей на теплопроводность поликристаллических алмазных пленок
  • Выводы к Главе 4
  • ГЛАВА 5. АВТОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ ИЗ УГЛЕРОДНЫХ МАТЕРИАЛОВ
    • 5. 1. Некоторые особенности автоэлектронной эмиссии из металлов и полупроводников
      • 5. 1. 1. Автоэлектронная эмиссия из металлов
      • 5. 1. 2. Особенности автоэлектронной эмиссии из полупроводниковых материалов
      • 5. 1. 3. Отрицательное сродство к электрону и автоэмиссия из алмазных материалов
      • 5. 1. 4. Влияние морфологии поверхности на автоэлектронную эмиссию
      • 5. 1. 5. Автоэлектронная эмиссия из углеродных пленок с аморфной структурой
      • 5. 1. 6. Автоэлектронная эмиссия из углеродных материалов с графитоподобным типом межатомных связей
      • 5. 1. 7. Автоэлектронная эмиссия из углеродных нанотрубок
    • 5. 2. Экспериментальное исследование автоэлектронной эмиссии из алмазных поликристаллических пленок
      • 5. 2. 1. Методические особенности исследования автоэлектронной эмиссии
      • 5. 2. 2. Взаимосвязь автоэмиссионных и структурно-морфологических свойств алмазных пленок
    • 5. 3. Экспериментальное исследование автоэлектронной эмиссии из графитоподобных пленочных материалов
    • 5. 4. Влияние остаточных газов на характеристики автоэлектронной эмиссии
    • 5. 5. Структурные и морфологические особенности графитоподобных пленок
      • 5. 5. 1. Электронографические характеристики
      • 5. 5. 2. Исследования с помощью атомно-силовой и туннельной сканирующей микроскопии
      • 5. 5. 3. Исследование с помощью электронной растровой микроскопии
      • 5. 5. 4. Исследования с помощью просвечивающей электронной микроскопии и микроскопии высокого разрешения
    • 5. 6. Электронная спектроскопия графитоподобных пленок
      • 5. 6. 1. Рентгеновские фотоэлектронные спектры
      • 5. 6. 2. Спектры выхода вторичных электронов
    • 5. 7. Катодолюминесценция графитоподобных пленок
    • 5. 8. Модели атомной и электронной структуры графитоподобных пленок и механизм полевой эмиссии электронов из углеродных материалов
    • 5. 9. Использование графитоподобных пленок в качестве холодных катодов электровакуумных устройств
      • 5. 9. 1. Катод о люминесцентные лампы диодного типа
      • 5. 9. 2. Катодолюминесцентные лампы триодного типа
  • Выводы к Главе 5

Взаимосвязь и взаимообусловленность оптических свойств материалов с их структурными характеристиками, элементно-фазовым составом, электронными свойствами делают оптические методы одними из самых универсальных и удобных для использования как в фундаментальных, так и в прикладных научных исследованиях. Обладая исключительно высокой информативностью, оптические методы исследования отличаются неразрузающим характером, оперативностью, относительной простотой в реализации. Как правило энергия квантов и интенсивность используемого оптического излучения невелики и не оказывают существенного влияния на характеристики исследуемого объекта. В то же время могут быть достаточно легко реализованы оптические методы, целью которых является именно существенная модификация материала или даже его формирование.

Одной из наиболеее привлекательных областей применения оптических методов является физика полупроводников и диэлектриков и, особенно, той ее части, которая связана с изучением и формированием различных приборных структур на основе этих материалов. По мере развития фундаментальных знаний и технологических приемов характерные размеры таких приборов и структур изменялись от милиметров до микрометров и продолжают уменьшаться, составляя в настоящее время, в ряде случаев, уже доли микрометров и даже единицы нанометров. Это обстоятельство часто делает практически безальтернативным необходимость использования оптических методов как для обеспечения пространственной избирательности анализирующего инструмента, так и из-за чрезвычайно высокой чувствительности столь малых объектов к любому внешнему воздействию.

Как правило, указанные приборные структуры формируются на основе тонкопленочных материалов или используя их тонкие приповерхностные слои. В зависимости от конретных особенностей исследуемых материалов, их назначения привлекаются те или иные экспериментальные методики и физические модели, позволяющие получить ответы на соответсвующие вопросы. Так сочетание методов оптической спектроскопии и изучения фотоинжекционных явлений позволяет получить исчерпывающую информацию о структурах диэлектрик-полупроводник (ДП), металл-диэлектри-полупроводник (МДП), предметом исследования в которых являются как свойства собственного самих диэлектрических и полупроводниковых материалов, так и характеристик границ раздела между ними и, в частности, межфазных энергетических барьеров. Знание спектральных особенностей коэффициентов поглощения, отражения позволяет сделать определенные заключения об их структурных, электронных свойствах. Чрезвычайно информативным для этого оказывается и метод комбинационного рассеяния света (КРС). Особую значимость эти параметры имеют при разработке методов обработки и формирования материалов с помощью мощного оптического излучения.

В настоящей диссертации представлены результаты исследований, проводившихся непосредственно автором, под его руководством или в рамках совместных исследований в период с 1985 по настоящее время по различным конкретным направлениям, находящимся в рамках одной общей задачи, заключающейся в выявлении взаимосвязи структурных особенностей полупроводниковых и диэлектрических тонкопленочных материалов с их оптическими и электрофизическими свойствами, а также формирования таких материалов с заданными свойствами. Диссертация состоит из пяти глав, введения и заключения.

Первая глава диссертации посвящена рассмотрению работ, направленных на изучение структур диэлектрик-полупроводник (ДП) и металл-диэлектрик-полупроводник.

3 5.

МДП) на основе соединений типа, А В. Особенности физических свойств таких полупроводниковых материалов, отличающие их от традиционного кремния, позволяют создавать принципиально новые типы электронных приборов. Также как и в кремниевой электронике одним из важнейших элементов таких приборов служат диэлектрические слои на поверхности полупроводникового кристалла. Такие слои могут создаваться как специально, так и самопроизвольно в результате окисления полупроводника при контакте с окружающей атмосферой. Параметры диэлектрических слоев (элементно-фазовый состав, структурное совершенство, электронные свойства), состояние границы раздела между диэлектриком и полупроводником определяют процессы переноса заряда, а, следовательно, параметры электронного устройства и саму его работоспособность. В представленных в диссертации исследованиях изучались диэлектрические оксидные слои на ряде полупроводниковых материалов, включая GaAs, GaP, GaAsP, InP. Проведено изучение их оптических характеристик, определен состав, структурные особенности. На основе данных, полученных при исследовании фотоинжекционных явлений, предложена модель энергетической зонной диаграммы для ДП и МДП структур. Определена природа зарядовой нестабильности в таких структурах и механизмы возникновения глубоких ловушек носителей заряда в диэлектрическом слое. Методом комбинационного рассеяния света (КРС) выявлены структурные изменения в приповерхностных слоях полупроводниковых монокристаллов, возникающих при воздействии мощного лазерного излучения или облучения ионами. Продемонстрирована высокая чувствительность КРС к состоянию электронной подсистемы приповерхностных слоев бинарных полупроводников А3В5.

Во второй главе рассматриваются результаты, полученные при исследовании пленок высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) и слоев пористых полупроводников. В рамках данной работы свойства этих материалов анализировались с точки зрения их зависимости от структурных особенностей нанометрового и суб-нанометрового масштаба. Одна из основных особенностей ВТСП материалов состоит в наличии линейных (или близких к линейным) цепочек — М — О —. Поэтому степень структурного совершенства и, особенно, стехиометрия по кислороду являются определяющими параметрами для наиболее важной особенности этих материалов — их сверпроводящих свойств. В результате проведенных нами исследованиях был разработан новый метод оптического контроля степени структурного совершенства ВТСП материалов, основанный на анализе их оптической анизотропии. Применение предложенного метода позволило оптимизировать технологию осаждения пленок и получить, в итоге, структурно совершенные эпитаксиальные пленочные материалы, на основе которых были созданы высокоэффективные сверпропроводниковые электронные приборы. Проведенное оптическими методами, включая КРС, изучение эпитаксиальных пленок позволило выявить взаимосвязь степени их структурного совершенства и стехиометричности состава по кислороду. Предложена физическая модель, объясняющая высокие сверхпроводящие свойства эпитаксиальных пленок с неполной стехиометрией по кислороду.

В отличие от ВТСП материалов основной особенностью пористых полупроводников является нарушение структурной упорядоченности материала. Получаемые, обычно, электрохимическим травлением монокристаллических пластин пористые полупроводники представляют собой слои, состоящие из элементов исходного монокристалла с размерами от нескольких микрон до нанометров, разделенных порами с такими же характерными размерами. Структура каждого такого элемента мало отличается от кристаллической решетки исходного монокристалла. Однако свойства (и особенно оптические) слоев пористых полупроводников претерпевают существенные изменения. Материалы этого типа имеют исключительно высокую удельную поверхность, что, с одной стороны, и определяет их свойства, а, с другой стороны, делает их чрезвычайно чувствительными к внешним воздействиям и затрудняет получение адекватных данных в ходе экспериментальных исследований. Для преодоления этой проблемы в данной работе был использован метод фотоакустической спектроскопии (ФАС), сочетающий в себе достаточно высокую информативность и неразрушающий характер измерений. Исследование методом ФАС слоев пористого кремния (ПК), полученных при варьировании определяющих их структурные особенности условий получения этих пленок, позволило впервые выявить ряд характерных особенностей спектров оптического поглощения. В сочетании с результатами исследования фотолюминесценции (ФЛ), спектров КР и некоторых других свойств, эти данные позволили показать, что слои ПК содержат несколько групп структурных особенностей, ответственных за формирование различных физических свойств этого материала. Множественный характер этих структурных особенностей, их разнообразие, сложный характер зависимости от условий приготовления и последующей обработки или хранения образцов позволяют сделать только наиболее общие заключения о их взаимосвязи с конкретными свойствами материала. Эти выводы были подтверждены исследованиями впервые полученного нами другого пористого материала — пористого фосфида галлия.

Результаты исследований, направленных на изучение методов формирования или модификации свойств материалов с помощью мощного оптического излучения, представлены в третьей главе. В частности, мощное оптическое (лазерное) излучение было использовано для формирования двумерных структур заданной конфигурации на тонких эпитаксиальных ВТСП пленках. Используя специфическую особенность этих материалов, заключающуюся в упоминавшейся выше зависимости их сверхпроводящих свойств от стехиометрии по кислороду, были разработаны методы, позволяющие путем нагрева ВТСП пленки лазерным излучением локально понижать содержание кислорода, создавая тем самым требуемую модификацию ее свойств. Предложенный метод нашел эффективное применение при изготовлении приборных структур на основе ВТСП пленок.

В этой же главе представлены результаты исследований по использованию лазерного излучения для обработки, модификации и осаждении алмазных материалов. Из-за большой величины запрещенной зоны алмаза (около 5,5 эВ) эффективное поглощение света, а значит и воздействие излучения на материал требует использования лазерных источников ультрафиолетового диапазона. Однако, в ходе проведенных нами исследований было установлено, что при определенных условиях эффективная лазерная обработка может производится, используя промежуточную стадию — графитизацию алмаза. Эта способность алмаза к графитизации была использована также при разработке лазерных методов внедрения нанометровых алмазных кристаллитов в материал подложек, используемых для последующего осаждения алмазных пленок. Предложенные на основе проведенных исследований методы позволили эффективно повысить плотность центров нуклеации и существенно улучшить параметры получаемых пленок, а также выращивать пленки с заданной конфигурацией.

Уникальные свойства алмаза делают его привлекательным объектом как для разнообразных применений, так и для фундаментальных научных исследований. Особый интерес к алмазным материалам в последнее время связан с разработкой методов получения их в виде тонких пленок достаточно большой площади. В четвертой главе диссертации представлены результаты исследования пленочных алмазных материалов, получаемых методом газофазного химического осаждения с помощью созданной нами оригинальной установки и разработаннных методик. Одной из отличительных особенностей этой установки является ее объединение со спектрометром комбинационного рассеяния света, позволившее получать информацию о структурных особеностях пленок непосредственно в ходе их осаждения. Используя метод фотоакустической спектроскопии были проведены исследования спектров оптического поглощения алмазных поликристаллических пленок и порошков, синтезированных при различных условиях. Сравнительный анализ результатов позволил выявить ряд специфических особенностей в оптических свойствах пленок, обусловленных их поликристаллической структурой. Некоторые особенности, касающиеся электронных свойств пленок, были выявлены также при исследовании их катод о люминесценции. Применение фотоакустических измерений оказалось чрезвычайно эффективным для изучения другого важного свойства алмазных материалов — теплопроводности. В работе предложен новый метод имерения этого важнейшего параметра.

Другой замечательной особенностью алмазных пленок, рассмотрению которой посвящена пятая глава, является высокая эффективность автоэлектронной эмиссии. Низкие значения пороговых напряженностей электрического для такой эмиссии в алмазе объяснялись отрицательным сродством к электрону на поверхности алмаза. Однако это объяснение находится в противоречии с рядом экспериментальных фактов, свидетельствующих о повышении эффективности полевой эмиссии с увеличением доли неалмазного углерода в поликристаллических пленках. В ходе наших исследований были получены углеродные пленочные материалы, которые продемонстрировали рекордно высокие параметры полевой эмиссии. Проведенные исследования показали, что такие пленки состоят из не алмазного, а графитоподобного углерода. Используя электронную микроскопию, было показано, что этот графитоподобный материал представляет собой углеродные нанотрубки и графитные кристаллиты, имеющие преимущественную пространственную ориентацию, способствующую локальному усилению электрического поля на участках поверхности, эмиттирующей электроны. На основе комплексного изучения структурных, морфологических, электронных особенностей таких графитоподобных пленок был предложен новый механизм полевой эмиссии, который позволяет также объяснить особенности полевой эмиссии для широкого класса других углеродных матералов, включая алмазные поликристаллические пленки, углеродные нанотрубки, алмазоподобные и другие аморфные углеродные пленки.

Направленность представленных в диссертации исследований на решение прикладных задач и выяснение связанных с ними фундаментальных закономерностей обуславливливают их актуальность. Представленное краткое описание результатов, изложенных в диссертации свидетельствует об их научной новизне, подверждаемой также как оригинальностью методических подходов, использованных при их получении, так и решением в ходе исследований научных проблем, остававшихся нерешенными к моменту их постановки. Научная и практическая ценность работы заключается в получении ряда новых научных результатов, разработке новых методов экспериментального исследования, созданнии для их реализации установок, в предложенных для объяснения ряда экспериментально наблюдаемых эффектов физических моделей, в том числе: данных об элементно-фазовом составе, структуре, ширине запрещенной зоны оксидных слоев на поверхности полупроводников ОаАз, ОаР, ОаАэР, энергетических барьерах на межфазных границах ДП и МДП структур, энергетическом и пространственном положении ловушек носителей заряда в оксидных слоях и построенных на их основе моделях энергетических зонных диаграммданных об особенностях структурной модификации при воздействии мощного лазерного излучения и ионной бомбардировки монокристаллических ОаР и 1пР, о состоянии электронной подсистемы этих материалов в приповерхностной областиданных об анизотропии оптических свойств эпитаксиальных ВТСП пленок, методе исследования, основанном на изучении этого свойств и позволяющем определять степень структурного совершенства пленок, взаимосвязи сверхпроводящих свойств пленок со степенью стехиометрии по кислородуданных о зависимости спектральных особенностей люминесценции, поглощения света и КРС пористых кремния и фосфида галлия от условий их получения, пространственной локализации различных центров, ответственных за формирование спектров поглощения и люминесценции пористого кремния их взаимосвязи со степенью окисления, а также об особенностях электронной подсистемы и теплопроводящих свойствах пористого кремнияданных о модификации свойств ВТСП пленок и алмазных материалов под воздействием лазерного излучения и разработанных на их основе методов и установок, предназначенных для лазерной обработки с целью формирования двумерных пленочных структур, а также данных о взаимодействии лазерного излучения с нанокристаллическим алмазным порошком и его внедрения в материал подложек для осаждения алмазных пленок с целью увеличения плотности нуклеацииданных об особенностях оптических свойств алмазных пленок и их взаимосвязи со структурными характеристиками, методами и режимами получения, методах и установках для исследования и получения алмазных поликристаллических пленок с различными структурными характеристиками, включая фотоакустический метод исследования теплофизических параметров алмазных материаловметодах формирования углеродных пленочных материалов с различными структурными характеристиками, включая поликристаллический алмаз, углеродные нанотрубки, аморфные углеродные материалы и данных об их автоэлектронных эмиссионных свойствах, структурных и электронных особенностях, механизме полевой эмиссии электронов и методах ее практического использования. К защищаемым положениям диссертации относятся утверждения, что основной компонентой анодных оксидных пленок на СхаАэ, ОаР, ОаАзР являются сложные оксидные соединения типа ОаАэСи, ОаРС>4, ширина запрещенной зоны которых находятся в диапазоне от 4,5 до 5 эВ а, ф также конкретные значения энергетических барьеров на границе раздела полупроводник-диэлектрик и полупроводник-металл указанные в тексте диссертацииметоде исследования оптического поглощения в диэлектрических пленках на полупроводниковых подложках, заключающемся в сравнении спектров возбуждения фотолюминесценции для подложек с пленкой и без пленкиприроде зарядовой нестабильности в ДП системах на основе указанных полупроводников, протяженности и плотности «хвостов» плотности состояний, и глубоких ловушек носителей заряда, а также их обусловленность структурными дефектами различного типаутверждения о взаимосвязи структурных параметров приповерхностного слоя полупроводниковых материалов ОаР, 1пР с воздействием мощного лазерного излучения и ионной бомбардировки, а также о влиянии структурных особенностей приповерхностного слоя полупроводника на его электронную подсистему и проявлении этих эффектов в спектрах КРСутверждение о взаимосвязи оптической анизотропии поглощения и отражения света со структурным совершенством и сверхпроводящими свойствами эпитаксиальных ВТСП пленок и метод диагностики сверхпроводящих свойств пленок, основанный на изучении их оптической анизотропииутверждение о различии природы центров, ответственных за формирование спектров оптического поглощения и фотолюминесценции пористого кремния, о множественном характере этих центров, об их взаимосвязи с характерными размерами, составляющих пористый кремний элементов и степенью их окисленияметоды и установки, использующие лазерное излучение для формирования двумерных пленочных структур ВТСП и алмазных материалов, в том числе путем лазерной абляции и внедрения наноразмерных частиц алмаза в подложки, используемые при газофазном химическом осаждении алмазаметоды и установки для осаждения алмазных поликристаллических пленок, исследования их оптических и теплофизических характеристиках, утверждения о взаимосвязи особенностей спектров оптического поглощения, катодолюминесценции, комбинационного рассеяния, теплопроводности поликристаллических алмазных пленок и порошков с их структурными характеристиками, электрофизических характеристках и зонной энергетической диаграмме структур алмазная пленка-кремний;

— методы и установки для проведения исследований автоэлектронной эмиссии из пленочных углеродных материалов, утверждения о возможности объяснения полевой эмиссии в различных углеродных материалах с точки зрения единого механизма, заключающегося в туннелировании электронов через энергетический барьер на границе графитоподобного материала с модифицированными электронными свойствами, обеспечивающими снижение эффективной работы выхода. Представленные в диссертации результаты прошли апробацию в ходе выступлений на различных научных конференциях и семинарах, в том числе: Всесоюзное совещание «Физика поверхностных явлений в полупроводниках», Киев (СССР), 1984; IV Bilateral Soviet-German Seminar on High Temperature Superconductivity, St. Petersburg (Russia), 1991; Int. Symp. on Superconductivity, Kobe (Japan), 1992; Int. VacuumCongress/Int.Conf. on Solid Surfaces, The Hague (The Netherlands), 1992; Applied Superconductivity Conf., Chicago (USA), 1992, Boston (USA), 1994; Int. Conf. on Raman Spectroscopy, Wurzburg (Germany), 1992; European Conf. on Diamond and Related Materials «DIAMOND», Heidelberg (Germany), 1992, II Ciocco (Italy), 1994, Tours (France), 1996, Edinburg (UK), 1997, Crete (Greece), 1998, Prague (Czech Republic) 1999; Int. Conf. on the New Diamond Science and Technology, Heidelberg (Germany), 1992, Kobe (Japan), 1994; Meeting of the Electrochemical Society / Int. Symp. on the Applications of Diamond Films and Related Materials, Honolulu (USA), 1993, Reno (USA), 1995, Paris (France), 1997, Phoenix (USA), 2000; IV Межрегиональное совещание «Тонкие пленки в электронике», Москва-Улан-Удэ, 1993, Йошкар-Ола, 1996; Int. Conf. on Physics of Low-Dim. Structures, Chernogolovka (Russia), 1993; Int. Conf. on Thin Films, Vienna (Austria), 1993; Int. Symp. on Diamond Films, Minsk (Belarussia), 1994, St. Petersburg (Russia), 1996; Meeting of Material Research Society, Boston (USA), 1994, 1998, 2000, San Francisco (USA), 1999; European MRS Meeting, Strasbourg (France), 1994; Int. Conf. on Solid State Devices and Materials, Yokohama (Japan), 1994; Int. Workshop on Laser Microtechnology and Laser Diagnostics of Surfaces, Chernovtsy (Ukraine), 1991; Conf. on Lasers and Electro-Optics Europe, Amsterdam (The Netherlands), 1994; NATO ASI Conf. on Application of Particle and Laser Beams in Materials Technology, Thessaloniki (Greece), 1994;

Конференция «Физика и технология алмазных материалов», Москва, 1992, 1996; Japan New Diamond Forum, Tokyo (Japan), 1995; Int. Conf. on Electron Microscopy SCANNING, (USA), 1997; Международная конференция «Лазеры», Москва, 1998, Int. Conf. on Porous Semiconductors Science and Technology, Mallorca (Spain), 1998; Int. Conf. on Lasers in Synthesis, Characterization and Processing of Diamond, Tashkent (Uzbekistan), 1997, Int. Symp. on Diamond Electronics Devices, Osaka (Japan), 1998; Российская конф. по электронной микроскопии, Черноголовка, 1998; Workshop on Surface and Interface Optics, Sainte-Maxime (France), 1999; Int. Vacuum Microel. Conf., Asheville (USA), 1998, Darmstadt (Germany), 1999; Int. Workshop on Electronic Properties of Novel Materials, Kirshberg (Austria), 1999, 2000; Int. Conf. on Nanostr. Mat., Stockholm (Sweden), 1998; Int. Conf. on Frontier Carbon Technol., Tsukuba (Japan), 1999; Н.-т. семинар «Дисплей-99», Фрязино, 1999; Int. Display Research Conf., Berlin (Germany), 1999; Workshop «Fullerenes and Atomic Clusters», St. Petersburg, 1999; Int.Symp. on Vacuum, Thin Films, Surface/Interfaces and Processessing, Seattle (USA), 1999.

Достоверность полученных и представленных в диссертации результатов подтверждается использованием апробированных и обоснованных методов, теоретических представлений, тщательностью проведенных измерений, согласия экспериментальных результатов, полученных независимыми методами исследований, работоспособностью созданных устройств и установок, а также с результатами других исследователей.

Личный вклад автора заключается в выборе направлений исследований, формулировке и постановке конкретных задач, проведении теоретических исследований, разработке схем установок и методов измерений, непосредственном участии в проведении экспериментов, в обработке и интерпретации полученных результатов.

Выводы к Главе 5.

1. Создано экспериментальное оборудование, разработана методика для проведения исследований полевых эмиссионных свойств пленочных автоэлектронных эмиттеров.

2. Обнаружено, что увеличение эффективности электронной эмиссии из алмазных пленочных материалов с ростом содержания в них неалмазной углеродной компонеты. Полевая эмиссия достигает наибольшей эффективности для пленок, полностью состоящих из графитоподобного материала. Достигнутые для таких пленок параметры полевой эмиссии имеют рекордные значения по пороговой напряженности электрического поля (менее 1,5 В/мкм), плотности эмиссионного тока (более 100.

2 7 2 мА/см) и плотности эмиссионных центров (более 10 см").

3. Полученны данные о фазовом составе, структурных, морфологических особенностей, а также электронных свойствах пленок графитоподобного углерода. Впервые обнаружена катодолюминесценция в ультрафиолетовом и видимом диапазонах света для графитоподобного материала. Впервые обнаружены экспериментальные свидетельства локального понижения работы выхода в наноструктурированном графитном материале.

4. Предложена модель зонной энергетической диаграммы для материалов этого рода. Предложен новый механизм полевой эмиссии электронов из наноструктурированных графитоподобных материалов. Показано, что с помощью аналогичного механизма полевой эмиссии могут быть объяснены эмиссионные свойства и других форм углеродных материалов, включая поликристаллический алмаз, углеродные нанотрубки, пленки аморфного углерода.

5. Созданы прототипы электровакуумных устройств, использующих пленки графитоподобного углерода в качестве полевых эмиттеров. Показана техническая возможность реализации с помощью указанных полевых катодов широкого класса свнтоизлучающих приборов, включая плоские дисплеи.

Заключение

.

Таким образом в результате представленных в диссертации исследований были достигнуты следующие основные результаты:

1. Определены особенности элементно-фазвого состава и структурных характеристик.

3 5 диэлектрических оксидных слоев на полупроводниковых материалах, А В и их влияние на оптические и электрофизические свойства структур ДП и МДП. Определены межфазные энергетические барьеры для носителей заряда, энергетическое положение глубоких ловушек заряда и протяженность «хвостов» плотности состояний в запрещенной зоне диэлекрика в ДП и МДП структурах на основе этих полупроводников. Впервые построена полная энергетическая зонная диаграмма таких структур. Предложены модели, объясняющие природу глубоких ловушек носителей заряда.

2. Обнаружена взаимосвязь параметров комбинационного рассеяния света в полупроводниковых материалах типа А3В5 со структурными особенностями приповерхностных слоев, обусловленными ионной имплантацией, лазерным облучением, различной обработкой поверхности. Предложен метод определения электрофизических характеристик приповерхностных слоев монокристаллических.

2 с полупроводников типа, А В с помощью метода комбинационного рассеяния света.

3. Впервые обнаружена оптическая анизотропия для макроскопических больших областей эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников. Предложен новый метод оптической диагностики структурного совершенства ВТСП материалов. Предложен механизм формирования бездвойниковых областей пленочных ВТСП материалов.

4. Показано наличие различных групп структурных дефектов в слоях пористого кремния, ответственных за формирование различных особенностей оптических свойств этого материала. Обнаружен множественный характер таких структурных дефектов, определяемых как размерами структурных элементов, так и степенью окисления пористого слоя. Впервые получены слои пористого фосфида галлия и выявлены аналогии поведения оптических свойств этого материала с пористым кремнием.

5. Разработаны методы и созданы соответствующие лазерные установки для формирования двумерных структур на эпитаксиальных ВТСП пленках и различных алмазных материалах. Предложены новые методы формирования тонких алмазных пленок, использующие лазерное распыление нанокристаллического алмаза. Предложен новый метод локального изменения плотности алмазных зародышей, позволяющий получать алмазные пленки с заданной конфигурацией.

6. Разработаны и созданы оригинальные установки, позволяющие проводить осаждение широкого класса углеродных пленочных материалов при условиях т-яки контроля их фазового состава и структурных особенностей методом комбинационного рассения света. Обнаружены особенности оптических свойств поликристаллических алмазных пленок, обусловленные их структурными характеристиками. Предложен новый метод определения теплофизических параметров алмазных материалов на основе фотоакустических измерений.

7. Впервые методом газофазного химического осаждения получены пленочные материалы, состоящие из пространственно ориентированных углеродных нанотрубок. Впервые предложена модель углеродного полевого эмиттера электронов и механизм, позволяющая объяснить с единой точки зрения эмиссионные свойства различных углеродных материалов, на основе механизма, включающего комбинацию локального усиления электрического поля на их наноразмерных структурно-морфологических особенностях и локальную модификацию электронных свойств, приводящую к понижению работы выхода. Продемонстрирована возможность практического использования пленочных углеродных полевых катодов на примере прототипов светоизлучающих электровакуммных устройств.

Благодарности.

Автор выражает свою искреннюю признательность и благодарность за полезные советы, общее руководство в процессе выполнения отдельных исследований, представленных в диссертации, профессорам Кислеву В. Ф., Кашкарову П. К., Ковалеву A.C., Снегиреву О. В., Окуши X., за сотрудничество и совместную работу — Павловскому И. Ю., Волкову А. П., Гоманюку A.A., Тимошенко В. Ю., Караванскому В. Г, Пирогову В. Г., Венгрусу И. И., Ватанабе X., Образцовой Е. Д., Микуленку A.B., Гусевой М. Б., Топильскому И. Ю. Автор искренне благодарен также Раковой Е. В. за проведение электронографических исследований, Кузнецову B.JI. за обеспечение исследований по электронной микроскопии высокого разрешения, Петрову В. И. и Сапарину Г. В. за помощь в катодолюминесцентных исследованиях, Воронину A.B. за фотоэлектронные измерерия, Наговицыну С. П. за общую поддержку работы. Автор выражает свою признательность всем другим соавторам, соисполнителям исследований, представленных в диссертации, а также тем, кто осуществлял техническую помощь, помогал полезными советами и информацией.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Физико-химические свойства окислов. Справочник под ред. Самсонова Г. В.//Металлургия, М., 1978, 237 с.
  2. Hasegawa Н., Forward К.Е., Hartnagel Н., Improved method of anodic oxidation on GaAsll Electronics Lett., 1975, v. l 1, N 3, p.53−59.
  3. Oberstar J.D., Streetman B.G., Thin film encapsulants for annealing GaAs and InPII Thin Solid Films, 1983, v.103, p. 17−23.
  4. Schwartz G.P., Gualtieri G.J., Griffits, J.E., Thurmond C.D., Schwartz В., Oxide-Substrate and Oxide-Oxide chemical reactiions in thermally annealed anodic films on GaSb, GaAs, GaPII J. Electrochem Soc., 1980, v. 127, N11, p. 2488−2495.
  5. И.Н., Петрова B.3., Чистяков Ю. А., Ангина Н. Р., Гатько Л. Е., Анодные оксидные пленки на поверхности полупроводников группы АЗВ5И Зарубежная электронная техника, 1979, т.14, с.3−25.
  6. Butcher D.N., Sealy B.I., Electrical properties of thermal oxides on GaAsll Electronic Lett., 1977, v.13, N19, p.558−563.
  7. Watanabe K, Hashiba M., Hirokata Y., Nishino M., Yamashina Т., Oxide layers on GaAs prepared by thermal, anodic and plasma oxidation: in-depth profiles and annealing effectdsll Thin Solid Films, 1979, v.56, p.63−71.
  8. Becke H.W., Hall R., White J., Gallium arsenide MOS transistors II Sol.-St. Electron., 1982, v.8, p.813−822.
  9. Kamimura K., Sakai Y., The properties of GaAs-Al203 AND iNp-Al203 interfaces and fabrication of MIS field-effect transistors! I Thin Soilid Films, 1979, v.56, p. 215−220.
  10. Smeltzer R.K., Chen C.C., Oxidazed metal film dielectrics for III-V devices II Thin Solid Films, 1979, v.56, p.75−83.
  11. M.K., Процессы эмиссии электронов ловушками границы раздела арсенид галлия-диэлектрикИ ФТП, 1978, т.12, с.2085−2095.
  12. Nishi H., Revesz A.G., GaAs-Ta205 and GaAs-Al203 in interface structures// J. Vac. Sci. Technol., 1979, v, 16, N5,p. 1487−1494.
  13. Bagratishvili R.D., Dzanelidze R.B., Kurdiani N.I., Pashintzev Yu.I., Saksaganski O.V., Skorikov V.A., GaAs-Ge3N4-Al structures and MIS field-effect transistors based on them// Thin Solid Films, 1979, v.56, p.209−215.
  14. Yokoyama S., Yukitomo K., Hirose M., Osake Y., GaAs MOS structures with A1203 grown by molecular beam reaction under UVexitation/7 Thin Solid Films, 1979, v.56, p.81−93.
  15. И.Н., Клебанов H.A., Носиков C.B., Влияние подложки на процессы дефектообразования в собственных оксидных пленках арсенида галлия// Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, 1984, т.20, № 5, с.737−742.
  16. Spitzer S.M., Schwartz F., Weigle G.D., Preparation and stabilization of anodic oxides on GaAs// J. Electrochem. Soc., 1975, v.122, N 3, p.397−403.
  17. Chang R.P.H., Some properties of plasma-grown GaAs oxides// Thin Solid Film, 1979, v.56, p. 89−115.
  18. Sugano Т., Mari Y., Oxidation of GaAsP surface by oxygen plasma and properties of oxide films// J. Electrochem. Soc., 1977, v. 121, p. 113−119.
  19. Yokoyama N., Mimura Т., Odani K., Fukuta H., Low-temperature plasma oxidation of GaAs// Appl. Phys. Lett., 1978, v.32, p.58−65.
  20. Koshiga F., Sugano Т., The anodic oxidation of GaAs in an oxygen plasma generated by d.c. electrical discharge// Thin Solid Films, 1979, v.56, p.39−43.
  21. Chester L.A., Robinson G.Y., Plasma anodization of GaAs// Appl.Phys. Lett., 1978, v.32, p.60−67.
  22. Breeze P.A., Hartnagel H.L., An assessment of the quality of anodic native oxides on GaAs for MOS devices// Thin Solid Films, 1979, v.56, p.51−59.
  23. Hasegawa H., Forward K., Hartnagel H., New anodic native oxide of GaAs with improved dielectric and interface properties//, Appl.Phys.Lett., 1975, v.26, p.567−573.
  24. Spitzer S.M., Schwartz В., Kuhn M., Electrical properties of a native oxide on gallium phosphide!'/ J. Electrochem. Soc., 1973, v. 120, p.669−674.
  25. Hasegawa H., Hartnagel H.L., Anodic oxidation of GaAs in mixed solution of glycol and water! I J. Electrochem. Soc., 1976, v.128, p.713−718.
  26. И.Н., Сосновских Ю. Н., Кашкаров П. К., Образцов А. Н., Формирование анодных оксидов на фосфиде галлия // Электронная техника. Сер. Материалы, 1985, вып. 9(208), с.28−30.
  27. Aspens D.E., Schwartz В., Studna А.А., Derich L., Koszi L.A., Optical properties of anodically grown native oxides on some Ga-V compounds from L5 to 6.0 eVU J.Appl.Phys., 1977, v.48, p.3510−3517.
  28. Palik E.D., Ginsburg N., Holm R.T., Gibson J.W., Optical studies of anodic oxide on GaAsll J.Vac. Sci. Technol., 1978, v.15, p.1488−1495.
  29. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников. Под ред. Луфт Б. А., М., Радио, 1982, 190 с.
  30. Spicer W.E., Lindon I., Skeath P., Su C.Y., Unified defect model and beyond! I J.Vac. Sci. Technol., 1980, v. 17, p. 1019−1025.
  31. П.К., Образцов A.H., Сорокин И. Н., Сосновских Ю. Н., Оптические и фотоэлектрические свойства анодных оксидных пленок на GaAs, GaP, GaAsP!/ Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1986, т.23, с. 1606−1611.
  32. М., Вольф Э. Основы оптики!/ М., Мир, 1973.
  33. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И. Н., Кайпер Р., Миронов А. Г., Эндерлайн Р., Эссер Б., Электронная теория неупорядоченных полупроводников!'! М., Мир, 1981.
  34. Н., Дэвис Э., Электронные процессы в некристаллических веществах. Т. 1−2 // М., Мир, 1983.
  35. Williams R., Injection by internalphotoemission in semiconductors andsemimetals! Acad. Press, NY, 1970.
  36. М., Марк П., Инжекционные токи в твердых телах! IМ., Мир, 1973.
  37. Berglund C.N., Powell R.J., Photoinjection into Si02: Electron scattering in the image potential well! I J. Appl. Phys., 1977, v. 42, p.573−578.
  38. Powell R.J., Interface barrier energy determination from voltage dependence of photoinjection currents! I J. Appl. Phys., 1970, v. 41, p.2424−2430.
  39. Электронные явления на поверхности полупроводников. Сб. под. ред. Ляшенко В. И., Киев, Наукова Думка, 1982.
  40. Goodman A.M., Photoemission of holes from silicon into silicon into silicon dioxide!7 Phys. Rev., 1966, v. 152, p.780−788.
  41. Kreutz E.W., Modi H., Pagnia H., Kinetics of processes variably distributed in recovery energy!7 Z. Angev. Phys., 1970, v. 30, p. 269−274.
  42. Дж., Виллард Дж. Радиационные дефекты в твердых телах!7, М., Мир, 1960.
  43. Primac W., Kinetics of process distributed in activation energy!7 Phys.Rev. 1955, v. 100, p. 1677−1683.
  44. Danchenko V., Desai U.D., Characteristics of thermal anneaking of radiation damage in MOSFET’sH J.Appl.Phys., 1968, v.39, p.2417−2422.
  45. П.К., Образцов A.H., Сорокин И. Н., Сосновских Ю. Н., Энергетическая диаграмма структур металл-оксид-арсенид галлия!7 Микроэлектроника, 1986, т. 15, с.129−134.
  46. А.В., Электронные процессы на поверхности полупроводников/7 М., Наука, 1971.
  47. Gatos Н.С., Lagowski J., Kazior Т.Е., GaAs MIS structures: hopeles or promising?/7 Jap. J. of Appl. Phys., 1983, v.22, p. 11−26.
  48. Spicer W.E., Lindon I., Skeath P., Su C.Y., Unified defect model and beyond!7 J. Vac. Sci. Technol., 1980, v. 17, p.1019−1028.
  49. Kashkarov P.K., Kazior Т.Е., Lagowski J., Gatos H.C., Interface states and internal photoemission inp-type GaAs metal-oxide-semiconductor surfacell J. Appl. Phys., 1983, v.54, p.463−468.
  50. Di Maria D.J., Weinberg Z.A., Aitken J.M., Location of positive charge in SiC>2 films!'/J. Appl. Phys., 1977, v.48, p.898−906.
  51. Bess M., Oswald R., Ohring M., Contact potential measurements on thin SiO2 films!7 Sol.St. Electron., 1974, v. 17, p.813−819.
  52. А.П., Кашкаров П. К., Образцов A.H., Сорокин И. Н., Сосновских Ю. Н., О фазовом составе анодных окислов на полупроводниках А3В5/7 Поверхность, 1985, № 8, стр.55−60.
  53. Neuroth N., Zuzamenstellung der Infrarothspectren von Glasbildern und Glasern! Glastechnishe Berichte, 1968, N6, p.243−250.
  54. Pagues-Ledent M.Th., Tarte P., Spectra infra-rouge et structure des compouses GaP04 2H20 et GaAs04 2H20H Spectrochimica Acta, 1969, v.25A, p. l 115−1121.
  55. Kern W., Chemical etching of silicon, germanium, gallium arsenide and gallium phosphide!7 RCA Review, 1978, v.39, p.278−282.
  56. П.К., Образцов A.H., Сосновских Ю. Н., Сорокин И. Н., Природа зарядовой нестабтльности в системах GaAs-оксид// Микроэлектроника, 1987, т. 16, с.376−379.
  57. Obraztsov A.N., Kashkarov Р.К., Zoteev A.V., Sorokin I.N., Sosnovskikh Yu.N., Nature of charge traps in anode oxide films on GaAsll J.Electrochem. Soc., 1996, v. 143, p. l 109−1114.
  58. И.М., Солоницын Ю. П., Сравнительное исследование фотосорбции кислорода и фотоиндуцированных сигналов ЭПР на окислах металлов! Кинетика и катализ, 1973, т.14, с.735−741.
  59. Wang K.W., Cheng C.L., Zima S.M., InP doping by Be implantation II Electron Lett., 1987, v.23, p. 1040−1047.
  60. B.C., Сущииекий М.М, Хашимов Р. Н., Комбинационное рассеяние света в полупроводниковых кристаллах типа АЗВ5// Тр. ФИ АН СССР, 1987, т. 180, с. 151−167.
  61. Shuker R., Gammon R., Size effect in Raman scattering of crystalsII Phys.Rev., v.25, 1970, p.222−231.
  62. Yu S.J., Asohi H., Emura S., Sumida H., Gonda S., Tanone H., Raman spectra of GaAs, GaP, InP semiconductors //J.Appl.Phys., v.66, 1989, p. 856−864.
  63. M.M., Спектры комбинационного рассеяния молекул и кристаллов! I М., Наука, 1969.
  64. Trommer R., Muller Н., Cardona М., Vogl P., Orientational dependence of Raman line polarization in GaAs and InP 11 Phys. Rev.Lett. B, v. 21, 1980, p.4879−4884.
  65. A.B., Образцов A.H., Пирогов В. Г., Стоянова И. Г., Трохин А. С., Исследование методом комбинационного рассеяния света структурного разупорядочения в имплантированных ионами Ве+ монокристаллах /"/7/ФТП, т.25, 1991, с. 1805−1809.
  66. Nakamuta Т., Katoda Т., Effects of optically excited carriers on Raman spectra from InPII J.Appl.Phys., v.55, 1984, p. 3064−3072.
  67. Maslar J.E., Bohn P.W., Ballageer D.G., Andideh E., Adesida I., Caneau C., Bhat R., Electron-phonon interaction in Raman scattering of crystals!/J.Appl.Phys., v.73, 1993, p. 2983−2988.
  68. В.И., Грехов A.M., Корбутяк Д. В., Литовченко Д. В., Оптические свойства полупроводников. Справочник! Киев, Наукова Думка, 1987, 228 с.
  69. Rama Rao C.S., Sundaram S., Schmidt R.I., Comas J., Defect induced modification of Raman spectra for InP crystals //J.Appl.Phys., v.54, 1993, p. 1808−1812.
  70. Bedel E., Landa G., Garles R., Redoules L.P., Renucci J.B., Orientational dependence of defectness inA3B5 crystalline materials/! J.Phys. C: Sol.St.Phys., v.19, 1986, p. 1471−1485.
  71. Рассеяние света в твердвых телах. Вып. IV. Электронное рассеяние и спиновые эффекты, морфические эффекты, под. ред. М. Кардоны, Г. Гюнтеродта, М., Мир, 1986, с. 24.
  72. А.Н., Гоманюк А. А., Микуленок А. В., Терра Ф. С., Влияние поверхностного потенциала на комбинационное рассеяние света в фосфиде индия!7 ФТП, т.29, 1995, с.2082−2087.
  73. Nowak V., Richter W., Sacks С., Plasmon mode Raman scattering in InP n-type //Phys.St.Sol., v.108, 1981, p.131−139.
  74. Kashkarov P.K., Timoshenko V.Yu., Chechenin N.G., Obraztsov A.N., Laser-induced defect formation and phase transition in III-V-compounds!7 Laser Physics, v.2, 1992, p.790−795.
  75. Gullis A.G., Webber H.C., Chew N.G., Melting and crystallization dependence on crystal orientation for GaAsll Appl.Phys.Lett. v.43, 1983, p. 875−879.
  76. Bednorz J.G., Muller K.A., High temperature superconductivity effect in Cu oxides// Z.Phys., v. B64, 1986, p.189−197.
  77. Blyablin A.A., Kovalev A.S., Korneev V.V., Obraztsov A.N., Pirogov V.G., Seleznev B.V. The use of lasers in microtechnology of hight-temperature superconducting thin films! SPIE Proc. v. 1723 LAMILADIS'91 Int. Workshop, p. 46−53.
  78. И.И., Красносвободцев С. И., Куприянов М. Ю., Маресов А. Г., Образцов А. Н., Пирогов В. Г., Снигирев О. В. Тонкопденочный ВТСП СКВИД-магнитометр на бикристаллической положке SrTi03! l Сверхпроводимость: физика, химия, техника, т.6, 1993, с.1730−1749.
  79. Stepantsov E.A., Tzalenchuk A.Ya., Might temperature vacuum formation ofSrTiOS bicrystallsll Phys. Scr., v. 160, 1991, p. 417−421.
  80. Huong P.V., Raman scattering characterization ofYBCO crystals //J. of Less-Com. Mat., V.164&165, 1990, p. l 193−1203.
  81. Matsubara G., Matsui Т., Okabe Y., Stress induced dependence of Raman shift for YBCOII Jp.J. of Appl.Phys., v. 30, 1991, p. L1794-L1799.
  82. Kovalev A.S., Krasnosvobodtsev S.I., Kupriyanov M.Yu., Maresov A.G., Ozerenko A.A., Pechen E.V., Pirogov V.G., Pogosova I.S., Snigirev O.V., Vengrus I.I., Laser deposition of YBCO thin films! I IEEE Trans, on Magn., v.21, 1991, p.2442−2447.
  83. ., Мишель К., Эрвье М., Родственные перовскитам сложные оксиды меди со смешанной валентностью в кн. Высокотемпературная сверхпроводимость! IМ., Мир, 1988, с. 154.
  84. Shi D., Xu М., Boley M.S., Welp U., Defect induced dependence of magnetic properties of HTSCII Physica C, v. 160, 1989, c.417−423.
  85. Murakami M., Processing of bulk YBCOI! Supercond. Sci. Technol., v. 5, 1992, p. 185−193.
  86. Власко-Власов B.JI., Доросинский Л. А., Инденбом M.B., Никитенко В. И., Полянский А. А., Антонов А. В., Гусев Ю. М., Емельченко Г. А., Влияние структурных дефектов на магнитные свойства YBCO пленок // СФХТ, т.4, 1991, с.1100−1106.
  87. Petrov М.Р., Grachev A.I., KrasnikovaM.V., Reflectivity anisotropy of superconducting YBCO single crystals in the a-bplanell Solid.St.Com., v.67, 1988, 1197−1203.
  88. Koch В., Geserich H.P., Wolf Th., Anisotropy of the reflectance spectrum and of the dielectric function ofYBCO within the (001) planell Solid.St.Com., v.71, 1989, p. 495−500.
  89. A.C., Образцов A.H., Охрименко B.H., Пирогов В. Г., Селезнев Б. В., Анизотропия коэффициента отражения света в эпитаксиальных пленках YBCOI! СФХТ, т.5, 1992, с.1044−1050.
  90. Kovalev A.S., Obraztsov A.N., Ohrimenko V.N., Pirogov V.G., Anisotropy optical reflection ofYBCO epitaxial films// Physica C, V.185&189, 1991, p. 1003−1004.
  91. C.H., Максимов Е. Г., Саврасов С. Ю., Успенский Ю. А., Анизотропия оптических свойств YBCO кристаллов //ЖЭТФ, т.97, 1990, с. 1688−1693.
  92. Н.М. Методы исследования оптических свойств кристаллов// М., Наука, 1970.
  93. К.Л. Электрические явления в тонких пленках// М., Мир, 1972, 225 с.
  94. Liu J.Z., Lan M.D., Klavinns P., Shelton R.N., Mechanical stress effect on magnetic properties ofHTSCH Phys.Lett. A, v. 144, 1990, c.265−271.
  95. Welp U., Fleshier S., Kwok W.K., Dovney J., Fang Y., Crabtree G.W., Liu J.Z., Electrical conductividy anisotropy in YBCO crystals //Phys. Rev. B, v.42, 1990, p. 10 189−10 194.
  96. Uhlir A., Electrolytic shaping of germanium and silicon// Bell System Techn. J., v.35, 1956, p.333−339.
  97. Turner D.R., Electropolishing silicon in hydrofluoric acid solutions // J.Electrochem.Soc., v.105, 1958, p.402−407.
  98. В.А., Бондаренко В. П., Борисенко В. Е., Пористый кремний в полупроводниковой электронике// Зарубежная электронная техника, М.: ЦНИИ «Электроника», 1978, 48 с.
  99. Canham L.T., Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers!/ Appl.Phys.Lett, v.57, 1990, p. 1046−1052.
  100. С.В., Саченко А. В., Сукач Г. А., Евстигнеев A.M., Каганович Э. Б., Светоизлучающие слои пористого кремния: получение, свойства и применение// Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, вып.27, 1994, с.3−27.
  101. Cardona М. Modulation spectroscopy! Academic Press, NY, 1969.
  102. Aspens D.E., Optical properties of semiconductors in Handbook of Semiconductors Ed. by Balkanski M.// NY, 1980.
  103. Bottka N., Gaskill D.K., Sillmon R.S., Henry R., Glosser R., Photoreflectance measurements for semiconductors II J. of Elect. Materials, v. 17,1988, p. 161−174.
  104. Obraztsov A.N., Pirogov Y.G., Timoshenko V.Yu., Dittrich Th., Photoreflectance analysis of porous silicoll Phys. Low-Dim. Struct., v.2, 1994, p.95−99.
  105. Sui Z., Leong P.P., Herman I.P., Size effect in Raman spectra of Si crystal //Appl.Phys.Lett., v.60, 1992, p. 2086−2091.
  106. Kozlovski F., Lang W., Defect induced variation of Raman spectra of Si //J.Appl.Phys., v.72, 1992, p.5401−5409.
  107. Seo Y.H., Lee H.-J., Jeon H.I., Oh D.H., Nahu K.S., Lee Y.H., Suh F.-k., Lee H.J., Photoluminescence of porous Si //Appl.Phys.Lett., v.62, 1993, p.1812−1821.
  108. Robinson M.B., Dillon A.C., Haynes D.R., George S.H., Optical spectra of porous Si in IR and visual ranges //Appl.Phys.Lett., v.61, 1992, p. 1414−1421.
  109. Lavine J.H., Sawan S.P., Shieh Y.T., Belleza A.J., IR spectral dependencies for porous silicon layers //Appl.Phys.Lett., v.62,1992, 1099−1104.
  110. А.И., Белогорохова Л. И., Караванский В. А., Образцов А. Н., Инфракрасная спектроскопия и фотолюминесцентные свойства пленок пористого кремния: влияние режимов формирования! IФТП, т.28, 1994, с.1424−1430.
  111. В.А., Образцов А. Н., Комбинационное рассеяние света и фотолюминесценция пористого кремния!7 ФТП, т.29, 1995, с.582−587.
  112. И.И., Гук Е.Г., Размерные эффекты в комбинационном рассеянии в пористом кремнии //ФТП, т.27, 1993, с. 728−735.
  113. Lannin J.S., Phonon-confmement effect in Raman scattering in Si crystals II J. Non-Cryst. Sol., v.141, 1992, p. 233−239.
  114. Richter H., Wang Z.P., Ley L., Raman line shape dependence on crystallites size II Sol.St.Comm., v.39, 1981, p. 625−631.
  115. Campbell I.H., Fauchet P.M., Phonon spectra of small size crystals/1 Sol.St.Comm., v. 58,1986, p. 739−747.
  116. M., Вольф Э. Основы оптики, M., Наука, 1973.
  117. Hoofit G.W., Kessener Y.A., Rikken G.L., Venhuizen A.H., Porous silicon absorption andphotoluminescence spectra //Appl.Phys.Lett., v.61, 1992, p. 2344.
  118. Averkiev N.S., Asnin V.M., Churilov A.B., Markov I.I., Mokrousov N.E., Silov A.Yu., Stepanov, Optical spectra peculiarity in porous Si layers// JETP Lett., v.55, 1992, p.954.
  119. Rosenbauer M., Fuchs H., Stutzmann M., Porous Si luminescence! IPhys. Lett., v.63, 1993, p. 565−572.
  120. Gupta M.C., Multilayer material optical interference //Appl.Optics, v.21, 1988, p.954−963.
  121. Webman I., Jortner J., Cahen M.H., Spectral behaviour of porous media //Phys. Rev. B, v. 15, 1977, p.5712−5724.
  122. Prokes S.M., Optical peculiarities ofporous silicon! I Interface, v.4, 1994, p. 341−349.
  123. Xie Y.H., Hybertsen M.S., Wilson W.L., Ipril S.A., Carver G.E., Brown W.L., Dons E., Weir B.E., Kortan A.R., Watson G.P., Liddle A. J., Porous silicon formation by chemical etching II Phys. Rev. B, v.49, 1994, p. 5386−5394.
  124. Massone E., Foucaran A., Camassel J., Optical absorption in porous silicon kayers II J. Luminescence, v.57, 1993, p.51−58.
  125. Lockwood D.J., Optical spectra of porous Si //Sol.St.Commun., v.92, 1994, p. 101−114.
  126. Rosencwaig A. Photoacoustics and Photoacoustic Spectroscopy! I Wiley&Sons, 1980, 309 p.
  127. A.H., Окуши X., Ватанабе X., Тимошенко В. Ю., Фотоакустическая спектроскопия пористого кремния! ФТП, т.31, 1997, с. 629−634.
  128. Obraztsov A.N., Okushi H., Watanabe H., Timoshenko V.Yu., Optical absorption in porous silicon studied by photoacoustic spectroscopy! Phys. St. Sol. B, v.203, 1997, p. 565.
  129. Tokumoto H., Tokumoto M., Ishiguro T., Photoacoustical spectra of microcrystalline materials II J.Phys.Soc. Jap., v.50, 1981, p. 1356−1360.
  130. Verleur H.W., Optical properties of Si single crystal H J.Opt.Soc.Amer., v.58, 1968, p.1356−1362.
  131. Amato G., Spagnolo G., Boarino L., Gavioso R., Benedetto G., Depth profiles for optical spectra of porous SI//J.Physique IV, Col. 7, v.4, 1994, p. C7-C15.
  132. Sze H.W., Physics of Semiconductor Devices, Wiley&Sons, 1981, p. 95.
  133. Koch F., Petrova-Koch V., Muschik T., Optical absorption spectra of porous Si //J.Luminescence, v. 57, 1993, p. 271−283.
  134. Boccara A.C., Fournier D., Badoz J., Thermal defection optical spectra of porous Si //Appl.Phys.Lett., v.36, 1980, p. 130−136.
  135. A.H., Караванский В. А., Окуши X., Ватанабе X., О пространственной локализации центров люминесценции в пленках пористого кремния // Поверхность, № 1, 1998, с.64−69.
  136. Oswald J., Nikl M., Pangrau J., Excitation spectra of blue luminescent band in porous Si //Solid St. Com., v.85, 1993, p.347−354.
  137. Kanemitsu Y., Raman and optical absorption spectra of porous silicon //Phys.Rep. v.263, 1995, p.1085−1094.
  138. A.H., Караванский B.A., Окуши X., Ватанабе X., Поглощение света и фотолюминесценция пористого кремния// ФТП, т.32, 1998, с. 1001−1006.
  139. Bustarret E., Ligeon M., Mihalcescu I., Oswald J., Spectral dependence of photoluminescence yield for porous Si //Thin Solid Films, v.255, 1995, p. 234−241.
  140. H.E., Торчинская T.B., Джумаев Б. Р., Булах Б. М., Смиян О. Д., Капитанчук A.JL, Антонов С. О., Оптические спектры пористого кремния И ФТП, т. 30,1996, с. 1507−1561.
  141. Carlos W.E., Prokes S.M., Oxygen associated defects near Si-Si02 interface in porous Si and their role in photoluminescence II J. Vac. Sci. Technol. В., v. 13, 1995, p. 1653−1657.
  142. Tamura H., Ruckschloss M., Wirschem Т., Veprek S., On the possible origine of the photoluminescence from oxidized nanocrystalline silicon II Thin Solid Films, v. 255, 1995, p.92−95.
  143. Gakeener F.L., Geissberg, SiO, Si02 Raman spectra II J. de Phys. C9, v.43, 1982, p.343−348.
  144. A.H., Тимошенко В. Ю., Окуши X., Ватанабе X., Сравнительное исследование оптических свойств пористого кремния и оксидов SiO, SiO^I ФТП, т.ЗЗ, 1999, с. 322−326.
  145. Gullis A.G., Canham L.T., Calcott P.D.J., Optical spectra of highly porous Si layers //J.Appl.Phys., v. 82, 1997, p.909−912.
  146. Philipp H.R., Optical properties of Si, SiO, Si02 II J.Phys.Chem.Sol., v.32, 1971, p.1935−1949.
  147. Shoz J.S., Grimberg I., Weiss B.-Z., Kurtz A.D., Porous SiC formation by electrochenmical etching II Appl.Phys. Lett, v.62, 1993, p.2836−2842.
  148. Matsumoto Т., Takahashi J., Tamaki Т., Size effect in optical spectra of microporous SiC И Appl. Phys. Lett., v. 64, 1994, p. 226−231.
  149. Hongtso S., YoudouZ., Yongbin W., Photoluminescence of porous SiGe //Proc. of 21st Int. Conf. on the Physics of Semicond., Beijing, China, Aug. 10−14, 1992, p.1459−1461.
  150. Hayashi S., Kanamori H., Raman spectra of microcrystalline GaP II Phys. Rev. B, v.26, 1982, p. 7079−7085.
  151. Hayashi S., Yamamoto K., Surface related Raman scattering in GaP II Superlat.&Microstr., v.2, 1986, p. 581−588.
  152. А.И., Караванский В. А., Образцов A.H., Тимошенко В. Ю., Интенсивная фотолюминесценция в пористом фосфиде галлия! I Письма в ЖЭТФ, т.60, 1994, с. 262−268.
  153. К., Физика полупроводников, пер. с английского под ред. Пожелы Ю. К., М., Мир, 1977.
  154. А.В., Кашкаров П. К., Образцов А. Н., Тимошенко В. Ю., Электрохимическое формирование и оптические свойства пористого фосфида галлия// ФТП, т.30, 1996, с. 1473−1476.
  155. Tonoguchi М., Sakaguchi Y., Kobayshi Т., Two dimensional structures formation on HTSCfilm //Jap. J. of Appl. Phys., v.27, 1988, p. L98-L105.
  156. Koch R.H., Umbach C.P., Clark G.J., Chaudhari P., Laibowitz R.B., Ion-beam etching of YBCO thin film material II Appl. Phys. Lett., v.51, 1987, p. 200−204.
  157. Hauser В., Diegel M., Rogalla H., UV laser ablation of YBCO thin films for two-dimensional structure formation И Appl. Phys. Lett., v.52, 1988, p. 844−850.
  158. Obraztsov A.N., Maresov A.G., Vengrus I.I., Snigirev O.V., Krasnosvobodtsev S.I., Optical diagnostics for fabrication of YBCO thin film dc SQUIDsll IEEE Transactions on Applied Superconductivity, v.5, 1995, p. 2517−2521.
  159. С.И., Маресов А. Г., Образцов А. Н., Пирогов В. Г., Снигирев О.В.,
  160. Влияние параметров YBCO пленок на свойства ВТСППТ сквидов// ЖТФ, т.65, 1995, с. 87−99.
  161. Zeidler J.R., Hewett С.А., Nguyen R., Zeisse C.R., Wilson R.C., A diamond driver-active load pair fabricated by ion implantation! I Diamond and Related Materials, v. 2, 1993, p. 1341−1347.
  162. Алмазы в электронной технике. Сб. ст. под ред. Кваскова В. Б., Энергоатоиздат, М., 1990.
  163. Zeidler J., Hewett С., Wilson R., Carrier activation and mobility of boron-dopant atoms in ion implanted diamond as a function of implanted conditions! Phys. Rev. B, v.47, 1993, p. 1236−1240.
  164. Jones B.L., Novel and Electronic Applications of Diamond Materials, in Proc. of 2nd Int. Conf. «Applications of Diamond Films and Related Materials», Saitama (Japan), 25−27 August, 1993, p. 43−44.
  165. Banholzer W., Spiro C.L., Nontraditional applications of diamond made possible by CVDII Diamond Films and Technology, v. 1, 1991, p. 115−127.
  166. Efremov N.N., Geis M.W., Flanders D.C., Ion-beam etching of CVD diamondfilms! J. Vac. Sci. Technol. B, v.3, 1985, p. 416−421.
  167. Rothischild M., Arnone C., Ehrich D.J., CVD diamond film ablation by eximer laser beam //J.Vac. Sci. Technol. B, v.4, 1986, p.314−319.
  168. А.И. Физические основы лазерной обработки алмазов, СПО «Кристалл», Смоленск, 1997, С. 73.
  169. Obraztsov A.N., Pirogov V.G. Direct laser writing on natural diamond monocrystals and polycrystalline diamond films!'! Diamond Films and Technology, v.4, 1994, p. 243.
  170. Popovichi G., Prelas M.A., CVD diamond nucleation //Phys. St. Sol. A, v. 132, 1993, p. 233−255.
  171. Vereschagin A.L., Sakovich G.V., Komarov V.F., Petrov E.A., Properties of ultrafine diamond clusters from detonation synthesisII Diamond and Related Mat., v.3, 1993, p.160−164.
  172. Г. В., Брыляков П. М., Губаревич В. Д., Верещагин A.JI., Комаров В. Ф., Получение алмазных кластеров взрывом и их практическое использование! I Журнал Всесоюзного Химического Общества им. Д. И. Менделеева, т.35. 1990, с.600−604.
  173. Kuznetsov V.L., Aleksandrov M.N., Zagoruiko I.V., Chuvilin A.L., Moroz E.M., Kolomiichuk V.N., Lokholobov V.A., Brylyakov P.M., Sakovitch G.V., Study of ultradispersed diamond powders obtained using explosion energy! I Carbon, v.29, 1991, p.665−672.
  174. Obraztsov A.N., Villafranca-Otero A.L., Guseva M.B., Babaev V.G., Bregadze A.Yu., Khvostov V.V., Valiullova Z.Kh., Bouilov L.L., Thin diamond films obtained by laser evaporation of detonation soot! Diamond Films and Technology, v.4, 1994, p. 233−247.
  175. Obraztsov A.N., Timofeyev M.A., Guseva M.B., Babaev V.G., Valiullova Z.Kh., Babina V.M., Comparative study of microcrystalline diamond! Diamond and Related Mat., v.4, 1995, p.968−972.
  176. Guseva M.B., Babaev V.G., Khvostov V.V., Valioullova Z.Kh., Bregadze A.Yu., Obraztsov A.N., Alexenko A.E., Deposition of thin highly dispersive diamond films by laser ablation! Diamond and Related Materials, v.3, 1994, p. 328−333.
  177. W.A. «Synthesis and Aplication of CVD Diamond» in Proc. of a SPIE, San Diego, USA, July, 1991, p. SC10−45.
  178. A.N., «Laser deposition and patterning of diamond films» in book «Application of particle and laser beams materials technology, Ed. by Misaelides, Kluwer Pub., The Netherlands, 1995, p. 269−281.
  179. Obraztsov A.N., Timoshenko V. Yu., Local monitoring of diamond nucleation density// J. Electrochem. Soc., v. 143, 1996, p. 1061−1066.
  180. И.Ю., Диссертация к.ф.-м.н., МГУ, 1999.
  181. .В., Дерягин Б. В., Патент СССР № 339 134, 1980.
  182. Д.В., Варнин В. П., Внуков С. П., // Изв. АН СССР, сер. Химия, 1978, 1252−1259.
  183. Matsumoto S., Sato У., Kamo М., Chemical vapor deposition of diamond films in hydrogen-methane plasma II Jpn.J.Appl.Phys., v. 21, 1982, L183-L190.
  184. .В., Федосеев Д. В., Варнин В. П., Формирование алмаза в плазме тлеющего разряда // ЖЭТФ, т. 69, 19 756 1250−1255.
  185. Kurihara К., Sasaki К., Kawarada М., Koshino N., Arc discharge plasma activation of CVD diamond growth II Appl. Phys. Lett., v.52, 1988, 437−442.
  186. Matsumoto S., Mates J., Diamond film growth in MW discharge II Sci. Letters, v.4, 1985, 600−605.
  187. Matsumoto S., Sato J., Tsutsumi M., RF excitation ofplasma for CVD diamond film growth II J.iMater.Sci., v. 17, 1982,3106−3182.
  188. Moustakas T.D., Growth of Diamond by CVD methods and effects ofprocess parameters. II In: Synthetic diamond: Emerging CVD science and technology. Ed. K.E.Spear and J.P.Dismukes, 1994, John Wiley & Sons, p. 161.191. Там же, p. 163.
  189. И.Ю., Образцов A.H., Автоматизированная установка для газофазного осаждения алмазных пленок в разряде постоянного токаП ПТЭ, № 1, 1998, с. 152−157.
  190. Pehrsson Р.Е., Celii F.G., Butler J.E., CVD diamond growth! I In: Diamond Films and Coatings, Ed. by Davis R.F., 1993, p.68−99.
  191. Obraztsov A.N., Pavlovsky I.Yu., Timoshenko V.Yu., Diamond seed incorporation by electrochemical treatment of silicon substrate! I Diamond and Related Materials, v. 6,1997, p. 1629−1633.
  192. B.C., Умаров Б. С., Введение в спектроскопию КРС в кристаллах// Душанбе, 1982.
  193. Ramaswamy С., Light scattering in diamond // Nature, v.125, 1930, 704−705.
  194. Vohra Y.K., Israel A., Catledge S.A., Raman scattering investigation of CVD diamond films // Appl.Phys.Lett, v.71, 1997, 321−328.
  195. Mermoux M., Fayette A., Marcus В., In-situ Raman spectroscopy of CVD diamond growth // Diamond and Related Materials, v.4, 1995, 745−749.
  196. The Properties of Diamond. Ed. by J.E.Field, London, Academic Press, 1990, p.61.
  197. Collins A.T., Davies G., Kanda H., Woods G.S., CVD diamond grown from C13 containing methane II J.Phys. C, v. 21, 1988, 1363−1367.
  198. Hass K.C., Tamor M.A., Anthony T.R., Banholzer W.F., C12/C13 ratio dependence of Raman spectra for diamond II Phys.Rev. B, v.45, 1992, 7171−7183.
  199. Hanfland M., Syassen K., Diamond Raman spectra variation under high pressure II J.Appl.Phys., v.57, 1985, 2752−2763.
  200. Ager III J. V., Kirk Veirs D., Rosenblatt G.M., Stress induced modification of Raman spectra for diamond 11 Phys.Rev.B., v.43, 1991, 6491−6498.
  201. Knight D.S., White W.B., Raman spectroscopy of CVD diamondfilms II J.Mater.Res., v.4, 1989,385−388.
  202. Tardieu A., Cansell F., Petitet J.P., Temperature dependence of diamond Raman spectra II J.Appl.Phys., v.68, 1990, p. 3243−3249.
  203. Johnston C., Crossley A., Chalker P.R., High-temperature variations of Raman spectra of CVD diamond films/1 Diamond and Related Materials, v. l, 1992, 450−455.
  204. Herchen H., Cappelli M.A., Homoepitaxial diamondfilms grown by CVD method // Phys.Rev.B, v. 43, 1991, 11 740−11 748.
  205. Bonnot A.M., Structure defect dependence of Raman spectra od CVD diamondfilms // Phys.Rev.B., v. 41, 1990, 6040−6046.
  206. Lopez-Rios Т., Sandre E., Leclercq S., Sauvain E., Polyacetylene in diamond filmsevidence by surface enhanced raman scattering // Phys.Rev.Lett., v. 76, 1996, 49 354 938.
  207. Brivio G.P., Mulazzi E., Raman spectra of polyacetylene molecules II Phys.Rev.B, v.30, 1984, 876−879.
  208. Nemanich R.J., Solin S.A., Raman spectroscopy of CVD diamond II Phys.Rev.B, v.20, 1979,392−404.
  209. Lespade P., Al-Jishi R., Dresselhaus M.S., Raman spectral features ofpoly crystalline graphite И Carbon, v.20, 1982, 427−433.
  210. И.Ю., Образцов A.H., KPC спектрометр для in-situ диагностики материалов в газоразрядной плазме! I ПТЭ, № 2, 1998, с.280−284.
  211. Wada N., Solin S.A., Comparative study of diamond and graphite by Raman spectroscopy II PhysicaB, v.105, 1981, p. 353−359.
  212. Spitsyn B.V., CVD diamond growth in Handbook of Crystal Growth. Vol.3. Ed. by D.T.J. Hurle. Amsterdam, Elsevier, 1994, p.21−45.
  213. Май Л.И., Малиновский Ю. А., Семилетов С. А., Кристаллические фазы углерода. II Кристаллография, т. 35, 1990, с.1029−1039.
  214. А.В., Смирнов Б. М., ФуллереныП УФН, т. 163, № 2, 1993, с. 33−57.
  215. Science of Fullerenes and Carbon Nanotubes. Ed. by Dresselhaus M.S., etc. Academic Press, 1996, p. 860.
  216. A.B. Углеродные нанотрубки //УФН, т. 167, № 9, 1997, с.945−968.
  217. Rousseaux F., Tchoubar D., Glassy carbon materials II Carbon, v. 15, 1977, p.63−77.
  218. Robertson J. Amorphous Carbon. II Advances in Physics, v. 35, 1986, 317−374.
  219. Reinkober O., Classification of diamonds by optical absorption peculiarities И Ann. Phys., v.34, 1911, p.342−355.
  220. Properties and growth of diamond. Ed. G. Davies, 1993, 437 p.
  221. Yoder M.N., In: Diamond Films and Coatings, Ed. by R.F.Davis, 1993, p.2−34.
  222. The Properties of Diamond. Ed. by J.E.Field, London, Academic Press, 1990, p.675.
  223. Kaiser W., Bond W.L., Nitrogen impurities in diamondII Phys. Rev., v. l 15, 1959, 857 861.
  224. Van Enckevort W.J.P. Optical spectra of CVD diamond films. In: Synthetic diamond: Emerging CVD science and technology. Ed. K.E.Spear and J.P.Dismukes, 1994, John Wiley & Sons, p. 322−356.
  225. Davidson J.L. Ion beam doping of diamond. In: Synthetic diamond: Emerging CVD science and technology. Ed. K.E.Spear and J.P.Dismukes, 1994, John Wiley & Sons, p. 356 374.
  226. Vavilov V.S., Guseva M.I., Konorova E.A. Diamond doping by ion implantation II Sov. Phys. Semicond., v. 4, 1970, p. 6−10.
  227. Landstrass M.I., Fleetwood D.M., In-situ p-type doping of CVD diamondfilmsll Appl. Phys. Lett., v.56, 1990, 2316−2319.
  228. Vavilov V.S., N-type diamonds II Phys. Stat. Sol. A, v.31, 1975, 20−27.
  229. Okumura K., Mort J., Machonkin M., Li ion implantation of diamondfilms II Appl. Phys. Lett., v.57, 1990, 29−32.
  230. Cifre J., Puigdollers J., Polo M.C., CVD growth ofp-type diamond films II Diamond and Rel. Mat., v.3, 1994, 628−633.
  231. Shinar R., Leksono M., Shanks H.R., Chemical vapor deposition of p-type conductivity diamond films II J. Vac. Sci. Tech. A, v. 11, 1993, 569−574.
  232. Prins J.F., Phosphorous doping of diamond from PI I3, I^OCHsjsJ^Os II Phys.Rev.B, v.31, 1985, 2472−2479.
  233. Koizumi S., Kamo M., Sato Y., Growth and characterization of phosphorous doped {111} homoepitaxial diamond thin films II Appl.Phys.Lett., v.71, 1997, 10 651 068.
  234. Chen C.-F., Lo S.-F., Chen S.-H. The synthesis and characterization of phosphorus-doped diamond films using trimethyl-phosphite as a dopping source // Diamond and Rel.Mat., v.5, 1996, 766−770.
  235. A.M. В книге Алмаз в электронной технике, М., Энергоатомиздат, 1990, с. 211.
  236. Zaitsev A.M., Photoluminescent and Cathodoluminescent spectra of diamonds. In: Handbook of Industrial Diamonds and Diamond Films. Ed. by M. A. Prelas, G. Popovici, L.K.Bigelow, Marcell Dekker Inc., 1998, p. 227−252.
  237. Nesladek M., Vanecek M., Stals L.M., Sub-band light absorption in polycrystalline CVD diamond films II Phys. Stat. Sol. (a), v.154, 1996, p. 283−288.
  238. Obraztsov A.N., Pavlovsky I.Yu., Izumi Т., Okushi H., Watanabe H. Size effect in optical spectra of microcrystalline diamond powders and CVD films //Appl. Phys. A, v. 65, 1997, p. 505−509.
  239. Краткий физико-технический справочник под ред. Яковлева К. П., 1960, т.1, с. 371.
  240. А.Н., Окуши X., Ватанабе X., Павловский И. Ю. Фотоакустическая спектроскопия алмазных порошков и поликристаллических пленок, //ФТТ, т.39, № 10, 1997, с. 1787.
  241. R. В. Jackman, Whitfield M.D., McKeag R.D., Pang L.Y.S., Thin film diamond UV photodetectors: Photodiodes compared with photoconductive devices for highly selective wavelength response! I Diamond and Related Materials, v.5, 1996, p. 829−834.
  242. Salvatori S., Vincenzoni R., Rossi M.C., Metal-semiconductor-metal photodiodes based on CVD diamond films II Diamond and Related Materials, v.5, 1996, p. 775−778.
  243. Полиморфные модификации углерода и нитрида бора. Справочник. М., Металлургия, 1994, с. 202.
  244. Tilgner R., Photoacoustical investigation of porous medial! Appl. Optics, v.20, 1981, p. 3780−3785.
  245. Г. С., Оптика //М., 1976, с. 926.
  246. Phillip H.R., Taft Е.А., Optical spectra of diamond in UV-IR range //Phys. Rev., v. 127, 1962, p. 159−167.
  247. Rosencwaig A., Photoacoustical spectroscopy of semiconductors! I Rev. Sci. Instr., v.48, 1977, p.1133−1138.
  248. Synthetic Diamond: Emerging CVD Science and Technology, Ed. by Spear K.E., Dismukes J. P, N.Y., Wiley&Sons Inc., 1994, p. 663.
  249. Saparin G.V., Obyden S. K, True color cathodoluminescent scanning electron microscopy //Scanning, v.10, 1988, p. 87−90.
  250. Obraztsov A.N., Saparin G.V., Obyden S.K., Pavlovsky I.Yu. Comparative study of CVD diamondfilms by color cathodoluminescece scanning microscopy!/ Scanning, v. 19, 1997, p.455.
  251. Collins A.T., Cathodoluminescence of nitrogen doped diamond! Diamond and Related Materials, v. 1, 1992, p.457−461.
  252. Walker J., Optical absorption and luminescence in diamond!1, Diamond and Related Materials, v.5, 1996, p. 1634−1639.
  253. А.П., Образцов A.H., Павловский И. Ю., Петров А. С., Петров В. И., Топильский И. Ю. Катодолюминесценция углеродных пленок, полученных методом газофазного химического осаждения // Поверхность, № 5−6, 1999, с.161−167.
  254. Obraztsov A.N., Okushi Н., Watanabe Н., Pavlovsky I.Yu., Comparative study of optical absorption in diamond powders and polycrystalline CVD films, //Diamond and Related Materias, v.6, 1997, p. 1124−1128.
  255. Obraztsov A.N., Guseva M.B., Petrukhin A.G., Petrov A.V., Silicon-Diamond Interface Band Structure //J. Electrochem. Soc., v. 143, 1996, p. 1112.
  256. Shroder R.E., Nemanich R.J., Glass J.T., Raman spectra of polycrystalline diamond! Phys. Rev. B, v.41, 1990, p. 3728−3733.
  257. Obraztsov A.N., Timofeev M.A., Guseva M.B., Babaev V.G., Valliulova Z.Kh., Babina V.M., Comparative study of microcrystalline diamond //Diamond and Related Materials, v.4, 1995, p968−972.
  258. Sugino Т., Furukawa A., Karatsutani K., Sakamoto Y., in book Advance in New Diamond Science and Technology, Ed. by Saito S., Fujimori N., Fukunaga O., Kamo M., Kobashi K., Yoshikawa M., MY, Tokyo, 1994, p.637−638.
  259. Obraztsov A.N., Pavlovsky I.Yu., Ralchenko V.G., Okushi H., Watanabe H. Determination of thermal conductivity of CVD diamond films via photoacoustic measurements, //Appl. Phys. A, v. 68, 1999, p. 663.
  260. Bachmann P.K., Wiechert D.U., Optical characterization of CVD diamondfilms. //Diamond and Related Materials, v. l, 1992, p. 422−428.
  261. B.C., Гиппиус A.A., Зайцев A.M., Дерягин Б. В., Спицын Б. В., Люминесценция алмаза, легированного кремнием II ФТП, т. 14, 1980, с. 1078−1083.
  262. Diamond: Electronic properties and applications. Ed. Pan S.L., Kania D.R., Kluwer, 1995.
  263. Graebner J.E., Reiss M.E., Seibles L., Harnett T.M., Miller R.P., Robinson C.J., Correlation of Raman spectra features and thermal conductivity properties of diamond! I Phys. Rev. B, v.50, 1994, p. 3702−3709.
  264. H., Okushi H., Ando Т., Kamo M., Sato Y. //in Proc. of the 6th European Conf on Diamond, Diamond-like and Related Mat., Barcelona, Spain, 1995, p. 8094.
  265. Obraztsov A.N., Pavlovsky I.Yu., Okushi H., Watanabe H. Direct measurement of CVD diamond film thermal conductivity by using photoacoustics //Diamond and Related Materials, v.7, 1998, p. 1513.
  266. Spitsyn B.V. in Handbook of Crystal Growth. VS., Ed. by Hurle D.T.J., Amsterdam, Elsevier Science B.V., 1994, p.407.
  267. Fowler R.H., Nordheim L., Electron emission in intense electric fields //Proc. Roy. Soc., 1928, ser. A, v. l 19, N781, p. 173−180.
  268. P., Нойман X., Автоэлектронная эмиссия полупроводников, Перевод с немецкого в серии «Современные проблемы физики», «Наука», М., 1971.
  269. Ненакаливаемые катоды, под ред. Елинсона М. И., «Сов. радио», М., 1971, 336 С.
  270. М.И., Васильев Г. Ф., Автоэлектронная эмиссия, М. 1958.
  271. Бонч-Бруевич В.М., Калашников С. Г. Физика полупроводников, М., Наука, 1977.
  272. Williams B.F., Simon R.E., Optical properties of diamond //Appl. Phys. Lett., v, 14(7), 1969, p. 214−222.
  273. Robertson J., Field emission from carbon materials!/Thin Solid Films, v.296, 1997, p.61−65.
  274. Himpsel F.J., Knapp J.A., Van Vechten J.A., Eastman D.E., Negative electron affinity of diamond surface //Phys. Rev. B, v. 20, 1979, p.624−633.
  275. Bandis C., Pate B.B., Electron affinity ofhydrogeneited diamond surface //Phys. Rev. B, v.52, 1995, p.12 056−12 067.
  276. Van der Weide J., Zhang Z., Baumann P.K., Wensell M.G., Bernholc J., Nemanich R.J., Defect induced field emission from polycrystalline diamond films!/ Phys. Rev. В v.50, 1994, p.5803−5810.
  277. . В. ,/i em о эл e ктро нные эмиттеры! У Радиотехника и электроника, т. 28(12), 1983, с. 2305−2310.
  278. А.Ю., Шаров В. Б., Петров Е. Н., Автоэлектронная эмиссия электронов // Электронная техника, Сер. Электровакуумные и газоразрядные приборы, вып. 1, 1990, с. 23.
  279. Spindt С.A., Field emitters with cone-like shape!'! J. Appl. Phys., v. 39, 1968, p.3504−3508.
  280. Givargisov E.I., Zhirnov V.V., Stepanova A.N., Rakova E.V., Kiselev A.N., Plekhanov P. S., Microstructure andfield emission of diamond particles on silicon tips! I Appl. Surf. Sci., v.87/88, 1995, p.24−30.
  281. Karabutov A.V., Konov V.I., Pimenov S.M., Frolov V.D., Obraztsova E.D., Polyakov V.I., Rossukanyi N.M., Field emission from DLC films! J. de Physique IV C5, v. 6, 1996, p.113−120.
  282. Schlesser R., McClure M.T., McCarson B.L., Sitar Z. Mechanisms offield emission from diamond coated Mo emitters II Diamond and Related Mat., v.7, 1998, 636−639.
  283. Geis M.W., Efremov N.N., Krohn K.E., Twichell J.C., Lyszczarz T.M., Kalish R., Greer J.A., Tabat M.D., New mechanism offield emission from diamond! У Nature, v.393, 1998, p.431−434.
  284. Bandis C., Pate B.B., Simultaneous field emission and photoemission from diamond!/ Appl. Phys. Lett., v.69,1996, p. 366−368.
  285. Koutecky J., Tomasek M., Surface states of graphite crystal // Phys.Rev., v.120, 1960, p. 1212−1217.
  286. Koutecky J., Graphite and diamond crystallites surface states //Czech. J. Phys. B, v. 11, 1961, p. 565−576.
  287. Koutecky J., Rehybridization of atomic bonds and electron properties of graphite surface!/ Czech. J. Phys. B, v. 12, 1962, p. 177−185.
  288. Я., Поверхностные состояния на кристаллических графите и алмазе! Кинетика и катализ, т. 11, 1961, с.319−341.
  289. Sugino T., Iwasaki Yu., Kawasaki S., Hattori R., Shirafuji K., Electron emission characteristics of metal/diamond field emitters II Diamond and Related Mat., v.6,1997,889−892.
  290. Djubua B.C., Chubun N.N., Carbon cold cathode //IEEE Trans. On Electron Device, v. 38,1991, p. 2314−2317.
  291. Dadykin A., Naumovets A.G., Andreev V.D., Nachalnaya T.A., Semenovich V.A., A study of stable low-field electron emission from diamond-like films II Diamond and Related Mat., v.5, 1996, p.771−774.
  292. Cheah L.K., Shi X., Tay B.K., Silva S.R.P., Sun Z., Field emission from undoped and nitrogen-doped tetrahedral amorphous carbon film prepared by filtered cathodic vacuum arc technique! I Diamond and Related Mat., v.7,1998, p.640−644.
  293. Satyanarayana B.S., Hart A., Milne W.I., Robertson J., Field emission from tetrahedral amorphous carbon!/Appl. Phys. Lett., v.71,1997, p.1430−1432.
  294. Weiss B.L., Badzian A., Pilione L., Badzian T., Drawl W., Electron emission from disordered tetrahedral carbon/! Appl. Phys. Lett., v.71,1977, p.794−796.
  295. Robertson J., Field emission from carbon materials!'/ Diamond Films and Tech., v.8,1998, p. 225−239.
  296. Tcherepanov A.Y., Chakhovskoi A.G., Sharov V.B., Flat panel display prototype using low-voltage carbon field emitters! I J. Vac. Sei. Tech. В., v.13,1995, p. 482−486.
  297. Suvorov A.L., Sheshin E.P., Protasenko V.V., Bobkov A.F., Cheblukov Yu.N., Dolin D.E., Bulk graphite field emitter arrays II Rev. «Le Vide, les Couches Mines», Supl. au N271, 1994, p.326−329.
  298. .В., Макуха В. И., Селиверстов В. А., Тишин Е. А., Шешин Е. П., Автоэлектронные эмиттеры на основе углеродных волокон! У Электронная техника. Сер. Электровакуумные и газоразрядные приборы, вып.1,1990,15−37.
  299. Shesterkin V.l., Grigoriev Y.A., Low-voltage electron emission from graphite material!/ Tech. Digest of IVMC'97 Kyongju, Korea 1997, p.739−740.
  300. Gulyaev Yu.V., Chernozatonskii L.A., Kosakovskaja Z.Ja., Sinitsyn N.I., Torgashov G.V., Zakharchenko Yu.F., Field emitter arrays on nanotube carbon structure films! I J. Vac. Sei. Technol. B, v.13,1995, p.435−436.
  301. Chernozatonskii L.A., Gulayev Yu.V., Kosakovskaya Z.Ya., Sinitsyn N.I., Torgashov G.V., Zakharchenko Yu.F., Fedorov E.A., Val’chuk V.P., Field emission from tubular carbon structures/1 Chem. Phys.Lett., v.233,1995, p. 63−65.
  302. З.Я., Чернозатонский Jl.A., Федоров E.A, Полевая эмиссия электронов из углеродных нанотрубок // Письма в ЖЭТФ, т.56,1992, с.26−30.
  303. Rinzler A.G., Hafner J.H., Nikolaev P., Lou L., Kim S.G., Tomanek D., Nordlander P., Colbert D.T., Smalley R.E.// Science 269(1995)1550.
  304. Saito Y., Hamaguchi K., Hata K., Uchida K., Tasaka Y., Ikazaki F., Yumura M., Kasuya A., Nishina Y., Conical structure of electron beam emittedfrom carbon nanotube// Nature, v. 389,1997, p.555−556.
  305. Saito Y., Hamaguchi K., Hata K., Tohji K., Kasuya A., Nishina Y., Uchida K., Tasaka Y., Ikazaki F., Yumura M., Carbon nanotube cold cathode// Ultramicroscopy, v.73,1998,1−14.
  306. Bonard J.-M., Salvetat J.-P., Stockli Т., De Heer W.A., Forro L., Chatelain A., Field emission from single-wall carbon nanotube films! I Appl. Phys.Lett., v.73,1998, p.918−920.
  307. Schmid H., Fink H.-W., Carbon nanotubes are coherent electron sources!/ Appl. Phys.Lett., v.70,1997, p.2679−2681.
  308. Chen Y., Patel S., Ye Y., Shaw D., Guo L., Field emission from aligned high-density graphitic nanofibers!/ Appl. Phys. Lett., v.73,1998, p. 2119−2121.
  309. Г. Н., Глазанов Д. В., Баскин Jl.M., Евгеньев А. О., Кочерыженков А. В., Полежаев С. А., Автоэлектронная эмиссия из нанометровых катодов!7 Микроэлектроника, т. 26,1997, с.89−93.
  310. Bonard J.-M, Т. Stockli, F. Maier, Field emission induced luminescence from carbon nanotubes! Phys. Rev. Let., v.81, 1998, p. 1441−1444.
  311. Ю.В., Синицын Н. И., Торгашов Г. В., Чернозатонский Л. А., Косаковская З. Я., Захарченко Ю.ФХолодные катоды на основе углеродных трубок! У Микроэлектроника, т. 26,1997, с. 84−87.
  312. Obraztsov A.N., Pavlovsky I.Yu., Volkov A.P., Petrov V.I., Petrov A.S., Rakova E.V., Roddatis V.Y., Nagovitsyn S.P., A mechanism offield electron emission from nanoclustered carbon materials! У Diamond Films and Technology, v.8, 1998, pp. 249−259.
  313. Stratton R., Field emission from semiconductors! yPhys. Rev., v. 125, 1962, p.67−73.
  314. Obraztsov A.N., Pavlovsky I.Yu., Volkov A.P., Rakova E.D., Nagovitsyn S.P. Electron field emission from CVD diamond films II J. Electrochem. Soc., v.145, 1998, p. 2572−2575.
  315. А.Ф., Кулишова Г. Г., Старовойтова Л. Н., Автоэлектронная эмиссия из кемниевых катодов/!Изв. АН СССР, сер. Физика, т.52, 1988, с. 1530−1534.
  316. Latham R.V., Salim М.А., Field emission from carbon tips //J. Phys. E: Sci. Instrum., v.20, 1987, p.181−186.
  317. A.H., Волков А. П., Павловский И. Ю. Механизм холодной эмиссии электронов из углеродных материалов//, Письма в ЖЭТФ, т. 68, вып. 1, 1998, с. 56−59.
  318. Obraztsov A.N., Volkov A.P., Pavlovsky I. Field emission from nanostructured carbon materialsII Diamond and Related Materials, v.9, 2000, p.1190−1195.
  319. Физические величины: Справочник. Под ред. Григорьева И. С., Мейлихова Е. З. -М., Энергоатомиздат, 1991, с. 569.
  320. Nilsson L., Groening О., Emmengger С., Kuettel О., Schaller Е., Schlapbach L., Kind H., Bonard J.-M., Kern K., Scanning field emission from patterned carbon nanotube films! I Appl. Phys. Lett., v. 76,2000, p. 2071−2073.
  321. Obraztsov A.N., Pavlovsky I.Yu., Volkov A.P. Low-voltage electron emission from chemical vapor deposition graphite films! I J. Vac. Sci. Technol. B, v. 17(2), 1999, pp. 674 678.
  322. A.H., Волков А. П., Павловский И. Ю., Чувилин A.JI., Рудина Н. А., Кузнецов В. Л., Роль кривизны атомных слоев в полевой эмиссии электронов из графитоподобного наноструктурированного yzoepodall Письма в ЖЭТФ, т.69, вып.5, 1999, с.381−386.
  323. Iijima S., Carbon nanotubesll Nature, v.354, 1991, p.56−57.
  324. Ю.Е., Попов A.M. Образование и рост углеродных наноструктур -фуллеренов, наночастиц, нанотрубок и конусов/У УФН, т. 167, № 7, 1997, с. 751−774.
  325. Moulder J.F., Stickle W.F., Sobol P.E., Bomben Handbook of XRay Photoelectron Spectroscopy// Perkin-Elmer, Eden Prairie, MN, 1992.
  326. Wagner C.D., Riggs W.M., Davis L.E., Moulder J.F., Muilenberg G.E. Handbook ofX Ray Photoelectron Spectroscopy, //Perkin-Elmer, Eden Prairie, MN, 1979.
  327. Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Под ред. Бриггса Д., Сиха М., Мир, М., 1987, 600 с.
  328. Pate В.В., Electron properties of carbon material surfacesII Surf. Sci., v. 165, 1986, pp.83−142.
  329. Н.П., Кораблев B.B., Кудинов Ю. А. Актуальные вопросы вторично-эмиссионной спектроскопии/У Ленинград, 1985, 88 с.
  330. А.П., Образцов A.H., Павловский И. Ю., Петров А. С., Петров В. И., Топильский И. Ю. Катодолюминесценция углеродных пленок, полученных методом газофазного химического осаждения/У Поверхность, № 5−6, 1999, с. 161−166.
  331. А.С., Стрельницкий В. Е. Структурные и физические свойства углеродных конденсатов/У М.: ЦНИИатоминформ, 1984, с. 11.
  332. Kuznetsov V.L., Chuvilin A.L., Butenko Yu.V., Stankus S.V., Khairulin R.A., Gutakovskii A.K. Closed curved graphite-like structures formation on micron-size diamond// Chem. Phys. Lett., v.289, 1998, pp. 353−360.
  333. Hiura H., Ebbesen T.W., Fujita J., Tanigaki K., Takada T. Role of sp3 defect structures in graphite and carbon nanotubes// Nature, v.367, 1994, p. 148−151.
  334. Scheibe H.-J., Banzhof H., Luft A., Kaspar J., Martin D., Meyer C.-F., Schalausky R., Schoneich В., Schultrich В., Ziegele H. Nano-structured amorphous carbon films// Int. Conf. DIAMOND'98, Abstr. No 11.56.
  335. Robertson J. Electron field emission from diamond and diamond-like carbon for field emission displays// Carbon, v.37, 1999, p. 759−763.
  336. Chen X.H., Yang H.S., Wu G.T. et al., Generation of curved or closed-shell carbon nanostructures by ball-milling of graflte II J. of Crystal Growth, v. 218, 2000, p. 57.
  337. Mordkovich V.Z., The observation of large concentric shell fuller eness and fuller ene-like baboparticles in laserpyrolysis carbon black, Chem. Mater., v. 12, 2000, p.2813.
  338. Jager C., Henning Th., Schlogl R., Spillecke, Spectral properties of caebon blackITS. of Non-cryst. Solids, v. 258, 1999, p. 161.
  339. Grieco W.J., Howard J.B., Rainey L.C., Sande J.B.V., Fullerenic carbon in combustion-generated sootll Carbob, v. 38, 2000, p. 597.
  340. Huang J.Y., Yasuda H., Mori H., Highly curved carbon nanostructures produced by ball-milling II Chem.Phys. Lett., v.303, 1999, p. 130.
  341. Salver-Disma F., Tarascon J.-M., Clinard C., Rouzaud J.-N., Transmission electron microscopy studies of carbon materials prepared by mechanical millingll Carbon, v. 37, 1999, p. 1941.
  342. Robinson K.E., Edie D.D., Microstructure and Texture of pitch-based ribbon fibers for thermal management II Carbon, v. 34, 1996, p. 13.
  343. Hong S.-H., Korai Y., Mochida I., Mesoscopic texture at the skin area of mesophase pitch-based carbon fiber II Carbon, v. 38, 2000, p. 805.
  344. Okuyama F., Hayashi T., Kawasaki M., Ibe K., Vapor-grovm atomic filaments of graphite II Applied Phys. Lett., v.76, 2000, p. 161.
  345. Sheshin E.P., Field emission of carbon fibers/! Ultramicroscopy, v.79, 1999, p.101.
  346. Sheshin E.P., Anashchenko A.V., Kuzmenko S.G., Field emission characteristics research of some types of carbon fibres II Ultramicroscopy, v.79, 1999, p. 109.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!