Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Закономерности эволюции первичной радиационной дефектности в ионных кристаллах с исходной дефектностью

Диссертация: Закономерности эволюции первичной радиационной дефектности в ионных кристаллах с исходной дефектностью
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

С другой стороны при исследованиях выявлены наиболее значимые и перспективные области практического применения результатов: совершенствование методов управления радиационностимулированными процессами в ионных кристаллах, разработка методов контроля и анализа материалов с использованием НЭП. Примеры возможных применений следующие. Ионные кристаллы используются в качестве сред при изготовлении… Читать ещё >

Закономерности эволюции первичной радиационной дефектности в ионных кристаллах с исходной дефектностью (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Постановка задачи и методы решения
    • 1. 1. Основные представления о структуре, процессах создания и накопления первичных радиационных дефектов в ионных кристаллах
    • 1. 2. Общая постановка задачи
    • 1. 3. Техника и методика исследований
      • 1. 3. 1. Импульсный спектрометр
      • 1. 3. 2. Методические особенности и погрешности измерений
  • Глава 2. Первичные радиационные дефекты в кристаллах MgF
    • 2. 1. Электронное строение и ядерная конфигурация АЛЭ в MgF
      • 2. 1. 1. Люминесценция АЛЭ в MgF
      • 2. 1. 2. Поглощение АЛЭ в MgF
  • Ф 2.1.3. Особенности электронного строения и конфигурации АЛЭ в MgF
    • 2. 2. Генерация первичных дефектов во фториде магния
      • 2. 2. 1. Основные закономерности создания АЛЭ и пар Френкеля в MgF
      • 2. 2. 2. Механизм генерации первичных дефектов в MgF
    • 2. 3. Кинетика аннигиляции F, H-nap в кристалле MgF
  • Выводы
  • Глава 3. Накопление центров окраски в MgF
    • 3. 1. Сравнительная характеристика накопления центров окраски в кристаллах LiF и MgF
      • 3. 1. 1. Строение и конфигурация АЛЭ в LiF при низких температурах
      • 3. 1. 2. Особенности процессов создания и накопления первичных дефектов в кристаллах LiF и MgF
    • 3. 2. Эффективность выживания центров окраски в MgF
    • 3. 3. Закономерности пространственного разделения компонентов F, H-пар в ионных кристаллах
      • 3. 3. 1. Исходные состояния
      • 3. 3. 2. Результаты моделирования пространственного разделения Р, Н-пар в ионных кристаллах
      • 3. 3. 3. Энергия активации процесса разделения
  • Выводы
  • Глава 4. Накопление вторичных радиационных дефектов в кристаллах фторида магния
    • 4. 1. Центры окраски
      • 4. 1. 1. Дырочные центры окраски
      • 4. 1. 2. Электронные центры окраски
    • 4. 2. Фотостимулированные процессы
    • 4. 3. О механизмах фотостимулированных преобразований
    • 4. 4. Термостимулированные процессы
  • Выводы
  • Глава 5. Закономерности взаимодействия первичных и вторичных радиационных дефектов в
  • Р2при электронном облучении
    • 5. 1. Основные результаты стационарных исследований процессов преобразования центров окраски
    • 5. 2. Динамика преобразования дефектов при возбуждении НЭП
    • 5. 3. Импульсная катодолюминесценция облученных кристаллов М? р
  • Выводы
  • Глава 6. Взаимодействие первичных радиационных дефектов с локальными деформациями решетки в ионных кристаллах
    • 6. 1. Взаимодействие электронных возбуждений с димерами тяжелой анионной гомологической примеси в ЩГК
    • 6. 2. Взаимодействие электронных возбуждений с мономерами тяжелой анионной гомологической примеси в ЩГК
    • 6. 3. О причинах локализации электронных возбуждений в дефектной области кристалла
    • 6. 4. Каналы диссипации энергии локализованных экситонов
    • 6. 5. Взаимодействие первичных пар френкелевских дефектов с гомологическими примесями
  • Выводы
  • Глава 7. Импульсная катодолюминесценция минералов
    • 7. 1. ИКЛ полевых шпатов
    • 7. 2. Переходное поглощение и импульсная катодолюминесценция кальцитов
      • 7. 2. 1. Поглощение
      • 7. 2. 2. Люминесценция кальцитов
    • 7. 3. Радиационные эффекты в кристаллах топаза
  • Выводы

Актуальность. Технический прогресс во многом обусловлен применением материалов с заданными свойствами. Технологии их получения часто основаны на создании сверхчистых материалов и последующем наведении заданного типа и пространственного распределения дефектов. Для этих целей.

Ф применяют и ионизирующие излучения. Основной результат их воздействия.

— образование новых и преобразование существовавших до облучения дефектов — проявляется в изменении свойств материалов, параметров и характеристик изделий. В основе практического использования ионизирующих излучений лежат знания всей совокупности процессов происходящих в материале при радиационных воздействиях. Этим определяется интерес к изучению элементарных стимулированных радиацией процессов в твердых телах различных классов.

Для большого круга широкощелевых материалов в стимулированных радиацией процессах велика роль электронных возбуждений (ЭВ) из-за их возможности локализовываться в регулярных узлах решетки или дефектных местах и с высокой эффективностью превращаться в пары френкелевских дефектов. Поэтому в ионных кристаллах основные усилия исследователей были сосредоточены на расшифровке механизмов автолокализации электронных возбуждений и каналов их излучательного и безызлучательного распада. Достаточно подробно изучены структура и свойства конечных продуктов облучения — центров окраски. Однако, процессы, определяющие конечный результат радиационного воздействия, то есть эволюция первичной дефектности изучены явно недостаточно.

На каждую стадию накопления центров окраски в процессе эволюции первичных дефектов оказывают влияние различные внешние и внутренние факторы: температура образца, световые, механические, электрические и другие воздействия. Наличие дорадиационной дефектности (примеси, локальные деформации и т. д.) вносит дополнительные, существенные возмуф щения в эти процессы. Это сказывается на топографии распределения созданных радиацией первичных дефектов и определяет результат радиационного воздействия. Поэтому выяснение характера и степени влияния исходной дефектности, в том числе созданной на начальных стадиях облучения, на процессы эволюции первичных дефектов является важной фундаментальной проблемой. Закономерности взаимодействия первичных дефектов с исходной ^ дефектностью изучены явно недостаточно в ионных соединениях, и это определяет актуальность работы. Цель и задачи исследований.

Основная фундаментальная проблема, на решение которой направлена работа — выяснение причин и последствий взаимодействия первичных радиационных дефектов между собой и с существующими в кристалле дефектами, в том числе в условиях фототермической стимуляции, и выявление наиболее значимых и перспективных областей их возможного применения, в частно-4 сти, для разработки методов контроля и анализа материалов и изделий с использованием мощных наносекундных ускорителей электронов. Цель: изучить основные физические процессы, вызывающие и сопровождающие образование, распад, эволюцию, накопление и преобразование радиационных дефектов при электронном облучении, фототермической стимуляции на примере чистых и содержащих дефекты радиационного происхождения кристаллов фторида магния, содержащих гомологические примеси кристаллов щелочных галогенидов, кристаллов природного происхождения (кальцитов, полевых шпатов, топазов). Задачи:

1. Разработать импульсный оптический спектрометр, позволяющий с высокой надежностью и стабильностью исследовать эволюцию первичной дефектности в оптических материалах при возбуждении образцов наносекунд-ными электронными пучками (НЭП) при температурах 12.5−700 К.

2. Изучить закономерности и механизмы создания, эволюции и накопления первичной радиационной дефектности (автолокализованных экситонов.

АЛЭ и Р, Н-пар) в кристаллах фторида магния при импульсном электронном возбуждении в температурном диапазоне 15−500 К и выявить основные причины отличия этих процессов от таковых в щелочно-галоидных кристаллах (ЩГК).

3. Изучить оптические характеристики поглощения и люминесценции Р2-центров в кристаллах MgF2. Установить причины высокой устойчивости электронных центров окраски в кристаллах фторида магния по отношению к аннигиляции с дырочными. Выявить закономерности и механизмы фототермических преобразований электронных центров окраски в кристаллах MgF2.

4. Изучить основные закономерности и последствия взаимодействия первичной радиационной дефектности с накопленными предварительным облучением центрами окраски в кристаллах фторида магния.

5. Исследовать электронное строение и ядерные конфигурации локализованных экситонов (ЛЭ) в смешанных кристаллах щелочных галогенидов. Установить причины локализации ЭВ в области, возмущенной гомологическими примесями. Изучить основные каналы распада ЛЭ при оптическом разрушении лазерными импульсами. Исследовать процессы взаимодействия Н-центров с тяжелыми анионными гомологическими примесями.

6. Исследовать основные закономерности импульсной катодолюминесценции (ИКЛ) и структуру центров свечения при возбуждении минералов кальцита, полевых шпатов, топаза импульсами НЭП. Изучить первичную радиационную дефектность в этих системах (исключая полевые шпаты). На основе полученных результатов выявить наиболее информативные способы импульсного катодолюминесцентного анализа минералов.

Объекты для исследований. Выбор кристаллов обусловлен целью исследований и решаемыми для ее достижения задачами.

Фторид магния — кристалл удобный для изучения процессов эволюции первичных дефектов и преобразования накопленных. Например, в MgF2 легко создаются АЛЭ и /^-центры, но эффективность выживания-центров низка, а дырочные центры оптическими методами не обнаружены. Накопленные.

• облучением при комнатной температуре центры окраски в MgF2 могут сохраняться годами, но при нагревании или световом воздействии легко превращаются в более сложные.

Смешанные ионные кристаллы могут быть использованы в качестве модельных систем для изучения характера и степени влияния локальных деформаций решетки на пространственное распределение поглощенной энер-^ гии радиации, генерацию и эволюцию первичных радиационных дефектов.

Изучение процессов взаимодействия первичных дефектов с такими деформациями, всегда присутствующими в реальных кристаллах, является актуальным для многих систем.

Выбранные для исследования ИКЛ природные объекты являются наиболее типичными представителями разных групп распространенных в земной коре минералов и могут служить модельными системами для выявления наиболее информативных параметров ИКЛ для целей анализа, ф Научная новизна. Впервые с использованием методов импульсной с наносекундным временным разрешением и стационарной оптической спектрометрии при температурах 12.5−700 К изучены закономерности взаимодействия первичных радиационных дефектов с накопленными центрами окраски в кристаллах MgF2 и установлены основные механизмы и реакции, определяющие конечный результат этого взаимодействия.

В кристаллах MgF2 установлены особенности электронного строения, ядерных конфигураций автолокализованных экситонов и первичных пар френкелевских дефектов, установлены механизмы их образования и закономерности разрушения. Определены причины более высокой радиационной стойкости фторида магния по сравнению с ЩГК, выявлены детали и особенности механизмов фототермического преобразования и разрушения электронных центров окраски, в том числе в мощных световых полях (до 20 Длс/см'2), идентифицированы ультрафиолетовые полосы поглощения Г2-центров.

Изучены закономерности и установлены причины влияния характера локальной деформации решетки на процессы локализации электронных возбуждений в деформированной гомологической примесью области кристалла в смешанных ЩГК. Обнаружен ряд новых экситоноподобных состояний, локализованных мономерами и димерами анионных гомологических примесей. Показано, что наиболее вероятная ядерная конфигурация этих экситоновоколопримесная с электронным строением, подобным строению собственного автолокализованного экситона. Впервые изучены основные каналы и особенности диссипации энергии локализованных около примеси экситонов при их оптическом разрушении. В кристаллах КС1:1, КВг:1, КС1-Вг, NaCl. Br обнаружены локализованные анионными гомологическими примесями //-центры (названы нами Яд-центры), идентифицированы полосы их поглощения и установлены закономерности образования.

Впервые измерены спектрально-кинетические характеристики импульсной катодолюминесценции минералов кальцита, полевых шпатов, топаза после возбуждения НЭП при температурах 28−300 К в спектральной области 18 2.

6.2 эВ во временном диапазоне 10″ -10″ с и создан банк данных. Выявлены спектры поглощения предполагаемых первичных радиационных дефектов в кристаллах исландского шпата и топаза. Установлены основные закономерности влияния условий происхождения минералов на спектрально-кинетические характеристики импульсной катодолюминесценции, предложены модели некоторых центров окраски и свечения. Выявлены наиболее информативные параметры ИКЛ исследованных минералов для целей люминесцентного спектрального анализа.

Научно-практическое значение. В работе представлены результаты исследований наименее изученных в ионных кристаллах фундаментальных физических процессов взаимодействия первичных радиационных дефектов между собой и с существующими в кристалле дефектами, в том числе в условиях фототермической стимуляции. Поэтому, основное научное значение результатов исследований заключается в существенном расширении современных представлений о процессах образования и эволюции первичных дефектов в материалах данного класса, особенно в кристаллах, содержащих исходную дефектность.

С другой стороны при исследованиях выявлены наиболее значимые и перспективные области практического применения результатов: совершенствование методов управления радиационностимулированными процессами в ионных кристаллах, разработка методов контроля и анализа материалов с использованием НЭП. Примеры возможных применений следующие. Ионные кристаллы используются в качестве сред при изготовлении изделий, предназначенных для работы в поле радиации или подвергающихся радиационной обработке для приобретения необходимых свойств (детекторы в дозиметрах, люминесцентные индикаторы излучения, среды для записи и хранения информации, активные среды лазеров на центрах окраски). Проведенные исследования показали, что локальные деформации решетки в области дефектов могут приводить к существенному изменению в объеме кристаллов топографии распределения созданных электронных возбуждений, изменению процессов генерации и эволюции первичных дефектов. Поэтому, результаты этих исследований позволяют, с одной стороны, определять способы повышения качества изделий, например, эффективность сцинтилляторов на основе ЩГК с примесями, с другой — разрабатывать методы управления радиационными свойствами этих материалов путем создания заданного типа дефектов.

Результаты исследования механизмов фото-, термои радиационностиму-лированных процессов преобразования электронных центров окраски в кристаллах фторида магния очень полезны при разработке ВУФ источников и приемников излучения, способов наведения стойких в условиях эксплуатации лазерных материалов на центрах окраски.

На основе выявленных наиболее информативных характеристик ИКЛ минералов и созданного банка данных предложены новые подходы к ее использованию для целей анализа материалов, основанные на измерении спектрально-кинетических характеристик люминесценции после возбуждения НЭП. Результаты исследований могут быть использованы:

— при разработке физических моделей эволюции вновь созданных и существующих в кристаллах дефектов в поле радиации;

— в ядерной энергетике и космической технике для прогнозирования поведения конструкционных материалов в поле радиации;

— в электронной технике при разработке методов контроля качества материалов, модификации их свойств, корректировке характеристик приборов;

— в геологии для изучения геохимических условий формирования пород;

— в экологии при проведении мониторинга состояния окружающей среды. Положения, выносимые на защиту:

1. Основной механизм генерации /" -центров в MgF? — создание френкелев-ской пары из преддефектного состояния. Кинетика аннигиляция F, H-nap во фториде магния определяется процессами в парах, в том числе, образующихся после разделения компонентов. При Т< 180 /¿-" процесс разделения F, H-пар в MgF2 происходит за счет избыточной энергии //-центра, а при Т > 180 if определяется температурой кристалла, в накоплении /" -центров участвуют преимущественно более разделенные на стадии формирования ФНР F, H-пары. Причины низкой эффективности накопления /" -центров в MgF2: при /<110 К — низкая эффективность генерации, более высоких — низкая эффективность выживания F, H-u.ap.

2. Особенности ФС преобразований центров окраски в MgF2: диффузия F-и переориентация /¿—центров — результат возбужденияфототермические воздействия не приводят к рекомбинации /" -центров со стабильными дырочными центрами окраскиотжиг дефектов — результат термической стимуляции дырочных центров. Спектры поглощения F2(C2!l) — и F2(Ci)-центров в MgF2.

3. Закономерности взаимодействия ЭВ и F, H-пар с центрами окраски в кристаллах MgF2: в поле радиации не создаются стабильные заряженные центрыЭВ при 30−300 К стимулируют коагуляцию /" -центров в результате их возбуждения, люминесценцию-центров и F2<-+F2 превращенияпри Т> 150 К-Центры возбуждаются в триплетное состояниепри Т>%0К эффективны взаимодействия центров окраски с созданными Fи Н-центрами.

4. Существование в исследованных смешанных кристаллах щелочных га-логенидов околопримесных, локализованных мономерами и димерами экси-тонов, причины и закономерности их создания, в основе которых лежит характер локальных деформаций ионов решетки примесью. Наиболее вероятные ядерные конфигурации и электронное строение этих экситонов — собственные околопримесные. Основной канал диссипации энергии при оптическом разрушении ОЭ — преимущественная передача энергии другим типам ЛЭ. Существование в кристаллах КС 1:1, KBr: I, KCl: Br, NaCl: Br дырочных центров, локализованных тяжелой анионной гомологической примесью (Яд-центры).

5. Спектрально-кинетические характеристики ИКЛ минералов. Основные факторы, влияющие на спектр и кинетику затухания ИКЛ ионов Fe3' и Мп «в полевых шпатах и кальцитах различного происхождения — степень локальных возмущений центров. Предполагаемое происхождение УФи ИК полос в спектрах ИКЛ полевых шпатов. Существование различных типов марганцевых центров в кальците. Спектры поглощения пар комплементарных первичных дефектов в исландском шпате.

Личный вклад автора. Диссертационная работа — результат обобщения многолетних исследований, часть которых выполнена лично автором, а часть совместно с сотрудниками и аспирантами кафедры лазерной и световой техники Томского политехнического университета. Автором, при его руководстве и личном участии в большинстве конструкторско-технологических работ совместно с Кузнецовым М. Ф. и Луканиным A.A. разработан и изготовлен импульсный спектрометр. Все экспериментальные исследования, их планирование, обработка и анализ проводились при руководстве и непосредственном участии соискателя. Автору принадлежит та часть результатов опубликованных в совместных с другими исследователями работах, которые вошли в сформулированные в работе защищаемые положения. Часть результатов составила основу кандидатских диссертационных работ Бочканова П. В. (1985г.), Гречкиной Т. В. (2003г.), Полисадовой Е. Ф. (2004г.), Вильчин-ской С.С. (2005г.). Постановка общих и конкретных задач исследований, выбор методов их решения, анализ и обобщение результатов исследований, формулировка выводов и защищаемых положений, представленных в диссертационной работе сделаны лично автором.

Апробация работы. По теме диссертации опубликовано 110 работ в виде статей, докладов конференций. Основное содержание диссертационной работы отражено в 50 публикациях. Результаты исследований докладывались и обсуждались на следующих конференциях: Всесоюзное совещание по люминесценции (Рига, 1970 г.) — Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов (Рига, 1975 г., 1978 г.) — Всесоюзное совещание «Воздействие ионизирующих излучений и света на гетерогенные системы» (Кемерово, 1982 г.) — Всесоюзное совещание «Синтез, свойства, исследования, технология и применение люминофоров» (Ставрополь, 1985 г.) — Всесоюзная конференция по радиационной физике и химии неорганических материалов (Рига, 1989 г.) — Всесоюзное совещание по кинетике и механике химических реакций (Черноголовка — Алма-Ата, 1986 г.) — Международная конференция «ИЛПАМ'95» (Томск, 1995 г.) — Международная конференция «Радиационные гетерогенные процессы» (Кемерово, 1995 г.) — Международная конференция «Физико-химические процессы в неорганических материалах» (Кемерово, 1998 г., 2001 г., 2004 г.) — Международные конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов (Томск, 1996 г., 1999 г., 2000 г., 2003 г.) — Всероссийский симпозиум по твердотельным детекторам (Екатеринбург, 1997 г.) — International conf. on Electric Charge in Solid Insulators (Tours, France, 1998 г.) — Всероссийская школа-семинар «Люминесценция и сопутствующие явления» (Иркутск, 1997 г., 1999 г., 2000 г., 2001 г.) — Межнациональное совещание «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь, 1999 г.);

Международная конференция «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах» (Томск, 2000 г., 2002 г., Томск-Улан-Удэ, 2004 г.) — Международная конференция «Catodoluminescence in Geosciences» (Freiberg, Germany, 2001 г.) — Международная конференция (Усть-Каменогорск, 2002 г.) — III Ural Workshop on Advantaged Scintillation and Storage Optical Materials (Ekaterinburg, 2002 г.) — Международный научно-технический семинар «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах (метрология, диагностика, технология)» (Москва, 2002 г.) — Международная летняя школа (Бишкек-Каракол, 2004 г.) — Международная конференция по физике твердого тела (Алматы, Казахстан, 2004 г.) — Международная конференция «Vacuum ultraviolet spectroscopy and radiation interaction with condensed matter» (Irkutsk, 2005r.).

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, семи глав, заключения и выводов, содержит 312 страниц, включая 106 рисунков, 9 таблиц и список цитируемой литературы из 400 наименования. Основное содержание работы.

Основные выводы.

1. Создан измерительный комплекс для исследовании люминесцентных и оптико-абсорбционных характеристик твердых тел с параметрами: спектральная область измерений — 200−1200 нмвременное разрешение — 7 нетемпературный диапазон измерений — 12.5−700 Кдлительность импульса тока электронов — 2−10 неплотность тока пучка электронов — 0,1−1000 А/см2- максимальная энергия электронов — до 400 КэВ.

2. Выявлены особенности строения и образования первичных дефектов в кристаллах MgF2. Показано, спектр поглощения АЛЭ во фториде магния обусловлен переходами в электронном компоненте экситона о//-\ентрового типа с ориентацией ядра, не совпадающей с кристаллографическими направлениями кристалла, и обладает низкой вероятностью преобразования в пару Френкеля. Наиболее вероятный механизм генерации /^-центров — прямое создание френкелевской пары из преддефектного состояния, образованного автолокализующимся экситоном. Кинетика аннигиляция F, H-пар во фториде магния многокомпонентна, первого порядка, с медленной скоростью даже при 300 К и является результатом процессов в близких парах (вероятно, электронно-дырочных), образующихся после создания (при Т< 180 Я) и разделения компонентов (при Т > 180 К).

3. Установлены особенности процессов на разных этапах накопления Я центров в MgF2. При низких температурах Т< 180 К разделение компонентов F, H-nap в MgF2 происходит в результате атермического смещения Я-центра за счет избыточной энергии в процессе образования пары Френкеля. При высоких температурах процесс пространственного разделения Я, Я-пар определяется температурой кристалла, в накоплении центров окраски участвуют, по-видимому, преимущественно более разделенные на стадии формирования функции начального распределения Fи Я-центры. Рост эффективности накопления и вероятности образования разделенных в пространстве Я и Я-центров при Т> 180 Я в кристаллах MgF2 лимитируется вероятностью пространственного разделения компонентов созданной пары ФренкеляР?<�пл.{Т), а количество накопленных Яцентров определяется эффективностью преобразования Я-центров в стабильные дырочные центры. Показано, что радиационное дефектообразование в кристаллах LiF и MgF? в температурном диапазоне 12.5−500 Я отличается процессами генерации, эффективностью создания, разделения и преобразования в стабильные центры окраски пар Френкеля. Основные причины низкой эффективности накопления центров окраски в кристаллах MgF2: при Т< 110 Я — низкая эффективность генерации ЯЯ-пар, при Т> 180 Я — низкая эффективность выживания Я, Я-пар из-за низкой эффективности преобразования Я-центров в стабильные дырочные центры окраски.

4. Установлены основные закономерности преобразования центров окраски при фототермических воздействиях. Идентифицированы ультрафиолетовые полосы поглощения F2(C2)Jи ЯГ^-центров в MgF2. Показано, дырочные центры окраски, образующиеся в кристалле MgF2 при Т > 180 Я, неподвижны и стабильны до 680 К, имеют низкое сечение захвата электронных центров, электронов и дырок. Поэтому при фототермических возбуждениях поведение наведенных радиацией электронных центров в кристалле MgF? подобно их поведению в аддитивно окрашенных ионных кристаллах — реализуются только F<^F2 преобразования. Термическое разрушение центров окраски в MgF2 при 60 К, 160 К, 680 К происходит, по-видимому, в результате освобождения междоузельных атомов из ловушек и их последующей рекомбинации с Я-центрами. Фототермические воздействия не приводят к накоплению в кристаллах MgF2 стабильных заряженных центров окраски. Наиболее вероятный механизм фотостимулированной коагуляции Яцентров во фториде магния — движение Я-центра в возбужденном состоянии. Мощное импульсное световое возбуждение приводит к статистическому количественному распределению между F2(C2h)~ и Я2(С/)-центрами.

5. Определена совокупность процессов приводящих к взаимным и.

F2±+F2 преобразованиям в кристаллах MgF2 при электронном воздействии в температурном диапазоне 20−700 К.

Показано, при низких температурах во фториде магния в процессе облучения преобладает взаимодействие F2- и Яцентров с подвижными высокоэнергетическими ЭВ. Это стимулирует агрегатизацию Я-центров, Я^Я превращения и люминесценцию, интенсивность которой определяется пробегом до автолокализации (локализации) ЭВ. Кинетика изменения светопро-пускания в максимумах полос F2(Ci)~ и F2(C2^-центров при этих температурах описывает процессы установления равновесия между ними {F2^F2 реакции). При Т> 150 К взаимодействие с ЭВ приводит к возбуждению F2(C2f1) — и F2(Ci)~центров в триплетное излучательное состояние.

При Т> 180 К становятся эффективными взаимодействия центров окраски с созданными за импульс подвижными Fи Я-центрами, кинетики F2^F и F2^F2 процессов определяются зависящими от температуры вероятностями взаимодействия ЭВ и Я-центров с различными типами центров окраски. Показано: F2-^F преобразования — процессы, сравнимые с длительностью возбуждающего электронного импульсаЯ—>Я2 преобразования — процессы, ответственные за конечные стадии кинетики в минутном временном диапазоне при Т> 300 Кв Я^Я преобразованиях присутствуют быстрые (1 < 0.3 мкс).

3 2 и медленные (в диапазоне 10″ -10 с) стадии.

Установлено, в облученных кристаллах Л/§ Я2 при импульсном электронном возбуждении не создаются долгоживущие заряженные электронные центры окраски (Я, Я?+, наиболее вероятный механизм радиационно-стимулированного движения Я центров в при всех температурахпрыжковая диффузия в возбужденном состоянии. Разрушение-центров при облучении происходит при всех температурах с помощью подвижных Я-центров. Температурная зависимость вероятности разрушения Я2-центров соответствует температурной зависимости эффективности создания разделенных в пространстве компонентов Я, Я-пар: Рразр (Т) = Рген (ТуРраз0(Т). Энергетические затраты на разрушение одного Я2-центра при 300 Я (100 эЯцентр) совпадают с энергетическими затратами на генерацию Я, Я-пар.

6. Выявлены особенности и определены основные результаты взаимодействия первичных дефектов с анионными гомологическими примесями в смешанных ЩГК.

В кристалле КС1.1 обнаружены экситоны, локализованные около димеров примеси /, ответственные за полосы излучения 3.4 эВ и 3.8 эВ. Показано, в ЩГК локализованные мономерами тяжелой анионной гомологической примеси экситоны, как и экситоны, локализованные легкими катионными примесями, имеют околопримесную конфигурацию ядра (Х2)У в поглощательном и излучательном состояниях и схожее с собственными АЛЭ электронное строение.

Установлено, что основная причина высокой эффективности образования в ЩГК двухгалоидных ОЭ в области возмущенной тяжелыми анионными и легкими катионными гомологическими примесями — одинаковый характер локальной деформация решетки. Вблизи этих примесей создаются пары анионных узлов, на которых, возможно, облегчен процесс двухузельной локализация электронных возбуждений.

Показано, распад локализованных около мономеров примеси экситонов в кристаллах КС 1:1, КВг:1 на пары френкелевских дефектов не эффективен, основной канал диссипации энергии при оптическом разрушении этих экситонов — возбуждение свечения димеров примеси с эффективностью передачи энергии от мономеров к димерам, достигающей значения 0.75. Показано, что введение гомологических примесей изменяет соотношение компонентов кинетики релаксации созданных электронным импульсом пар френкелевских дефектов.

В кристаллах КС1:1, КВг:1, КС1: Вг, NaCl. Br обнаружены новые центры окраски — //-центры, локализованные около тяжёлой анионной гомологической примеси, которые названы Д?-центрами.

7. Установлены основные закономерности вызывающие и сопровождающие люминесценцию минералов кальцита, полевых шпатов, топаза при возбуждении сильноточным электронным пучком.

В кристаллах исландского шпата обнаружено существование двух типов марганцевых центров, излучающих в области 1.9 эВ и 2.0 эВ. Показано, конкретные значения параметров кинетики затухания свечения в спектрах импульсной катодолюминесценции минералов близки в каждом типе минерала, но индивидуальны для образцов различного происхождения. Установлено, длительность затухания свечения примесных ионов (Ке3+ и Мп2 ') существенно более чувствительна к локальным возмущениям структуры решетки, чем положение максимума полосы излучения. Поэтому кинетика затухания ИКЛ является более информативной характеристикой происхождения минералов, позволяют производить более тонкое и точное их диагностирование, различать образцы различного происхождения.

Ультрафиолетовые полосы свечения в исследованных минералах 4.35 эВ в альбитах и 5.39 эВ и 3.75 эВ в микроклинах, 4.28−4.35 эВ в топазах, 4.35 эВ в кальцитах, вероятно, обусловлены собственным (может быть околопримесным) свечением кристаллов. Первичной радиационной дефектностью в кристаллах исландского шпата являются центры, ответственные за полосы поглощения 4.28 эВ и 3.54 эВ, которым, по-видимому, соответствует пара комплементарных дефектов вида СО/ и Ca, создающаяся в результате ионизационных процессов. В топазах первичными, возможно собственными, являются центры окраски, ответственные за поглощение в области 3.0−4.3 эВ.

Создан банк данных по спектрально-кинетическим характеристикам импульсной катодолюминесценции исследованных минералов.

В заключение автор выражает глубокую благодарность профессору Лисицыну В. М. за постоянное внимание и помощь в выполнении настоящей работы, а также признательность за помощь, содействие и участие при выполнении и оформлении работы, плодотворные дискуссии и поддержку основных научных идей коллегам по работе: Бочканову П. В., Гречкиной Т. В., Вильчинской С. С., Кузнецову М. Ф., Лисицыной Л. А., Олешко В. И., Полисадовой Е. Ф, Путинцевой С. С., Ципилеву В. П., Яковлеву А.Н.

Заключение

и выводы.

В результате проведенных исследований установлены общие закономерности наименее изученных в ионных кристаллах фундаментальных физических процессов, обусловленных взаимодействием первичных радиационных дефектов между собой и с существующими в кристалле дефектами, в том числе в условиях фототермической стимуляции. Эти результаты существенно расширяют представления о процессах образования и эволюции первичных дефектов в материалах данного класса содержащих исходную дефектность, а также составляют реальную научную основу для их использования на практике: в качестве базы для метода импульсного катодолюминесцентного анализа искусственных и природных объектовосновы совершенствования диэлектрических материалов нашедших практическое применение в качестве детекторов в термолюминесцентных и термоэмиссионных дозиметрах, люминесцентных индикаторов излучения, сред для записи и хранения информации, активных сред для лазеров на центрах окраски и других областях.

Поэтому совокупность приведенных в диссертации результатов, обобщений и выводов, позволяют говорить о том, что работа представляет собой результат решения крупной научной задачи в области развития перспективного в радиационной физике направления, связанного с трансформацией полученных на основе изучения модельных кристаллов фундаментальных научных достижений на реальные объекты — диэлектрические материалы.

Кроме того, в работе получен ряд частных результатов фундаментального характера, существенно повышающих уровень понимания стимулированных радиацией процессов в ионных соединениях, полезных для обоснования оптимального практического использования этого класса материалов.

В кристалле фторида магния обнаружены интересные особенности в процессах образования и накопления центров окраски. Эти особенности позволили изучить в «чистом виде» генерацию дефектов из «преддфектного состояния», обосновать новый механизм аннигиляции пар френкелевских дефектов, понять основные причины низкой радиационной стойкости ионных кристаллов и способы управления ею, детально изучить механизмы преобразования центров окраски в термических, световых и радиационных полях.

Установлены конфигурация, причины образования триплетных двухгало-идных экситонов, локализованных в области кристалла, возмущенной изова-лентными примесями в смешанных ЩГК. Установлены эффективности излу-чательных и безызлучательных каналов их распада. Обнаружена возможность захвата //-центров анионными гомологическими примесями. Эти результаты имеют важное значение для понимания причин и последствий изменения свойств многих чистых материалов после введения дефектов, вызывающих локальные деформации решетки, позволяют обоснованно находить подходы для решения проблемы нейтрализации негативных последствий появления таких деформаций.

Впервые детально изучена динамика стимулированных НЭП процессов в природных кристаллах: кальциты, топаз, полевые шпаты. Выявлены наиболее информативные для целей импульсного катодолюминесцентного спектрального анализа характеристики ИКЛ исследованных минералов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. A.M. Теория дефектов в твердых телах.- М.: Мир, 1978, Т. 1. -569с.- Т.2.- 357с.
  2. Ч.Б., Лущик А. Ч. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах,— М.: Наука, 1989.- 264 с.
  3. Song K.S., Williams R.T. Self-Trapped Excitons.- Berlin: Springer, 1993.404 p.
  4. Высокоэнергетическая электроника твердого тела // Под ред. Вайсбурда Д.И.- Новосибирск: Наука, 1982.- 226 с.
  5. М.А. Элементарные неупругие радиационные процессы. -М.: Наука, 1988, — 152 с.
  6. Э.Д., Лусис Д. Ю., Чернов С. А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов.- Рига: Зинатне, 1979.252 с.
  7. А.И., Раджабов Е. А., Егранов А. В. Центры окраски и люминесценция кристаллов LiF.- Новосибирск: Наука, 1984, — 112 с.
  8. А.С. Спектроскопия, люминесценция и радиационные центры в минералах.- М.: Недра, 1975.- 327 с.
  9. Э.Д., Гаврилов В. В., Дейч Р. Г., Чернов С. А. Быстропротекающие радиационно-стимулированные процессы в щелочно-галоидных кристаллах.-Рига: Зинатне, 1987.- 183 с.
  10. CastnerT.G., Kanzig W. The electronic structure of V-centers // J. Phys. Chem. Sol.- 1957.- Vol. 3, № 3−4, — P. 178−195.
  11. Delbecg C. J., Smaller P., Yuster P.H. Optical absorption of СЬ'-molecular ions in irradiated potassium chloride//Phys. Rev.- 1958.- V. Ill, № 5.- P. 12 351 240.
  12. Delbecg C. J., Hayes W, Yuster P.H. Absorption spectra of F2—, C12—, Br2— h~-in alkali yalides //Phys. Rev.- 1961, — V. 121, № 4, — P. 1043−1050.
  13. Jette A.N., Gilbert T.L., Das T.P. Theory of the self-trapped hole in the alkali halides // Phys. Rev.- 1969.- V. 184, № 3. p. 884−894. 14. Мотт H., Герни P. Электронные процессы в ионных кристаллах.- М.: Иностранная лит-ра, 1950.- 304 с.
  14. Jouanin С., Gout. С. Valence band structure of magnesium fluoride by the tight-binding method // J. Phys. C: Solid State Phys.- 1972, — V. 5, № 15, — P. 19 451 952.
  15. Kadchenko V.N., Elango M. Diffusion parameters of hot holes created by ionizing radiation in NaCl (Ag)//Phys. Stat. Sol. (a).- 1978, — V. 46, № 1.- P. 315−319.
  16. T.A., Riley M.E., Richards P.M., Loubriel G.M., Jennison D.R., Williams R.T. // Phys. Rev. В.- 1989.- V.39.- P. 5407.
  17. Williams R.T., Song K.S. The Self-Trapped Excitons // J. Phys. Chem. Sol.-1990.-V. 51, № 7.-P. 679−716.
  18. Suzuki Y., Hirai M. Picosecond spectroscopic studies on defect formation in alkali halides // J. Semicond. and Insulat.- 1983.- V.5.- P. 445−455.I
  19. Thoma E.D., Yochum H.M., Williams R.T. Subpicosecond spectroscopy of hole and exciton self-trapped in alkali-halide crystals // Phys. Rev.- 1997.- V. B56, № 13, — P. 8001−8011.
  20. Lindner R., Reichling M. Formation dynamics and luminescence of self-trapped excitons in fluorides // Abst. 10th Intern. Conf. «Radiation Effects in Insulators». — Jena, Germany, 1999.- P.82.
  21. Fujiwara H., Suzuki Т., Tanimura K. Femtosecond time-resolved spectroscopy * of the Frenkel-pair generation and self-trapped-exciton formation in KC1 and RbCl
  22. J. Phys. Condens. Matter.-1997, — V 9.- P. 923−936.
  23. Sugiyama Т., Fujiwara H., Suzuki Т., Tanimura K. Femtosecond time-resolved spectroscopy of self-trapped processes of holes and electron-hole pairs in alkali bromide crystals//Phys.Rev. В.-1996.- V. 54, № 21.- P. 15 109−15 119.
  24. Williams R.T., Bradford J.N., Faust W.L. Short-pulse studies of exciton relaxation and F center formation in NaCl, KC1 and NaBr // Phys.Rev. B.-l 978.- V. 18, № 12,-P. 7038−7057.).
  25. Schoemaker D. g and hyperfme components of-centers // Phys. Rev. B.-1973,-V. 7, № 2.-P. 786−801.
  26. Goldberg L. S., Meistrich M.L. Optical and electron-spin-resonance studies of the JCF-^-centers in KC1-J // Phys. Rev.- 1968. V. 172, № 8, — P. 877−885.
  27. Hirai M. Formation of color centers in anion-doped crystals //1. Chem. Solids.- 1990.- V. 51, № 7, — P. 737−745.
  28. BacHJiMeHKo E.A., JlymHK H.E., JlymHK H.E. // OTT.- 1970.- T.12, № 1.- C. 211−215.
  29. Purdy A.E., Murray R. B // Sol. Stat. Commun.- 1975.- V. 16, — P. 1293.
  30. Tanimura K., Itoh N. The hopping motion of the self-trapped exciton in NaCl // J. Phys. Chem. Solids.- 1981.-T. 42, № 10.- P.901−910.
  31. Song K. Calculation of activation energy of Vk-center migration in alkali hal-ides // Solid St. Commun.-197l.-V. 9, № 14, — P. 1263−1266.
  32. Kabler M.N. Low-temperature recombination luminescence in alkali halides crystals // Phys. Rev.- 1964.- V. 136A, № 5, — C.1296−1302.
  33. Kabler M.N., Patterson D.A. Evidence for a triplet state of the self-trapped exciton in alkali halides crystals // Phys. Rev. Lett.-1967.- V. 19, № 11, — P.652−654.
  34. Williams R.T. Creation of lattice defects in the bulk and at the surface of alkali halide crystals // Rad. Eff. and Def. in Solids.- 1989, — V. 109, № 1−4.- P. 175−187.
  35. Itoh N. Creation of lattice defects by electronic excitation in alkali halides // Adv. in Phys.- 1982.- V. 31, № 5. P. 491−551.
  36. Marrone M., Patten F.W., Kabler M.N. EPR in triplet states of the self-trapped exciton // Phys. Rev. Lett.- 1973, — V. 31, № 7.- P. 467−471.
  37. Fuller R.G., Williams R.T., Kabler M.N. Transient optical absorption by self-trapped exciton in alkali halide crystals // Phys. Rev. Lett.- 1970.- V. 25, № 7.- P. 446−449.
  38. Mukai Т., Kan’no К., Nakai Y. Relaxation Processes in the Triplet States of Self-Trapped Excitons in KI and KBr // J. Phys. Soc. Jap.- 1989.- V. 58, № 5, — P. 1838−1849.
  39. Williams R.T., Kabler M.N., Hayes W., Stott J.P. Time-resolved spectroscopy of self-trapped excitons in fluorite crystals // Phys. Rev. -1976.- V. B14, № 2.- P. 725−740.
  40. П.Г. Регистрация ЭПР возбужденных состояний по люминесценции в ионных кристаллах // Изв. АН СССР. Сер. Физ.- 1981, — Т. 45, № 2,-С. 254−260.
  41. Г. Г., Соовик Т. А. Кинетика триплетной люминесценции при сверхнизких температурах // Изв. АН СССР. Сер. Физ.- 1978.- Т. 42, № 3.- С. 485−489.
  42. Call P.J., Hayes W, Hazimura R., Kabler M.N. // J. Phys. C: Solid. Shtate Phys.- 1975, — V. 8, № 4, — P. L56-L59.
  43. Block D., Wasiela A., Merle D' Aubigne Y. // J. Phys. C: Solid. Shtate Phys.-1978,-V. 11, № 20.- P. 4201−4211.
  44. Marrone M., Kabler M.N. Magnetic circular polarization of luminescence from self-trapped excitons in alkali halides // Phys. Rev. Lett.- 1971.- V. 27, № 19.-P. 1283−1285.
  45. M.H., Мароне М.Дж., Фаулер В. В. Магнето-оптические эффекты в рекомбинационной люминесценции самолокализованных экситонов // Изв. АН СССР, — 1973.- Т. 37, № 2, — С. 341−346.
  46. Fischbach J.U., Frohlich D., Kabler M.N. Recombination luminescence lifetimes and self-trapped exciton in alkali halides // J. Luminescence.-1973.-V. 6, № 1.- P.29−43.
  47. Yoshinari Т., Hirai M. Intrinsic luminescence in KI and Rbl under two-photon excitation // J. Phys. Soc. Jap.- 1975.- V. 39, № 6, — P. 1498−1505.
  48. Т.Н., Таращан A.H., Багмут H.H., Мельников B.C. Кристаллохимия и спектроскопия минералов.- Киев: Наукова думка, 1984.- 109 с.
  49. Edamatsu K., Hiramatsu T., Hirai M. Luminescent decay of the relaxed excitons localized at iodine dimmers in NaCl: I and KCl: I// J. of Luminescence.-1994.- 60&61.-P. 607−610.
  50. Shirai M, Kan’no K. Time-Resolved ODMR Study of the Type II Relaxed Ex-citon in KBr: I. II J. Phys. Soc. Jap.- 1998.- V. 67, № 6.- P. 2112−2119.
  51. Song K.S., Stoneham A.M., Harker A.H. Luminescence and electronic structure of the self-trapped exciton in alkali fluorides and chlorides // J. of Lumines* cence.- 1976, — V. 12, — P. 303−308.
  52. Song K.S., Leung C.H., Stoneham A.M. Singlet-triplet splittings in free and self-trapped excitons // Sol. State Commun.- 1981.- V. 37, № 12, — P. 949−951.
  53. Matsumoto T., Shirai M., Kan’no K. Correlation between the Spin State and Structure of Self-Trapped Excitons in Alkali Halides // J. Phys. Soc. Jpan.- 1995.-V. 64, № 1.- P. 291−301.
  54. Williams R.T., Liu H., Williams G.P., Jr., Piatt K.J. New features of self-trapped exciton luminescence in rubidium iodide // Phys. Rev. Lett.- 1991.- V. 66, I16.-P. 2140−2143.
  55. Song K.S., Stoneham A.M., Harker A.H. Electronic structure of the self-rapped exciton in alkali fluorides and chlorides // J. Phys. C: Sol. State. Phys.-1975.- V. 8,-P. 1 125−1135.
  56. Song K.S., Leung C.H. A theoretical study of the ir-luminescence from self-trapped excitons in alkali halide crystals // J. Phys.: Condens. Matter.- 1989.- V. 1, № 14.-P. 8425−8435.
  57. Williams R.T., Kabler M.N. Excited-state absorption spectroscopy of selftrapped excitons in alkali halides // Phys. Rev.- 1974, — V. B9, № 4, — P. 1897−1907.
  58. Williams R.T., Kabler M.N. Excitons perturbed by self-trapped excitons in alkali iodide crystals // Sol. State Commun.- 1972, — V. 10, № 1, — P. 49−51.
  59. Stoneham A.M. Eltctronic structure of the self-trappecl excitons in sodium chloride // J. Phys. C: Sol. State. Phys.- 1974, — V.7.- P. 2476−2486.
  60. Itoh N., Stoneham A.M., Harker A.H. The initiated production of defects in alkali halides: F and H centre production by non-radiative decay of self-trapped excitons // J. Phys. C: Sol. State. Phys.- 1977.- V. 10, № 21, — P. 4197−4209.
  61. Tanimura K., Itoh N. Selective nonradiative transitions at excites of the self-trapped exciton in alkali halides // J. Phys. And Chem. Solids.- 1984, — V. 45, № 3,-P. 323−340.
  62. Soda K., Itoh N. F center formation at highly excited triplet states of selftrapped excitons in KC1 // J.Phys. Soc. Jap.- 1980, — V. 48, № 5.- P. 1618−1624.
  63. Soda K., Tanimura K., Itoh N. Orientation of the optical dipole moments of the lowest-to-higher-states transitions of self-trapped excitons in alkali chlorides // J. Phys. Soc. Jap.- 1981.- V.50, № 7.- P. 2385−2394.
  64. Iwai S., Nakamura A., Tanimura K., Itoh N. A study of ultrafast self-trapping processes of electron-hole pairs in Rbl by femtosecond pump and probe spectroscopy // Sol. State Commun.- 1995.- V. 96, № 10, — P. 803−807.
  65. Williams R.T., Liu H., Williams G.P., Jr. Picosecond and subpicosecond optical spectroscopi for the study of F-center formation in KBr and RbBr at 296/v// Rev. of Sol. Stat. Science.- 1990, — V. 4, № 2&3.- P. 445−458.
  66. Purdy A.E., Murray R.B., Song K.S., Stoneham A.M. Studies of self-trapped exciton luminescence in KC1//Phys. Rev. B.- 1977,-V. 15, № 4.-P. 2170−2176.
  67. Hirota S., Edamatsu K., Hirai M. Transient absorption due to the self-trapped exciton localized at an iodide dimer in KC1: I // Phys. Rev. Lett.- 1991.- V. 67, № 23,-P. 3283−3285.
  68. Edamatsu K., Sumita M., Hirota S., Hirai M. Transient absorption due to selftrapped exciton in NaBr and Nal // Phys. Rev. B.- 1993.- V. 47, № 11.- P. 67 476 750.
  69. Tanimura K., Suzuki T., Itoh N. Resonance Raman scattering of the self-trapped exciton in alkali halides // Phys. Rev. Lett.- 1992.- V. 68.- P. 635.
  70. Call P.J., Hayes W., Kabler M.N. Optical detection of exciton EPR in fluorite crystals // J. Phys. C: Sol. State Phys.- 1975.- V. 8, № 4.- P. L60-L62.ft
  71. Parker S., Song K.S., Catlow C.R.A., Stoneham A.M. Geometry and charge distribution of H centres in the fluorite structure // J. Phys. C: Sol. State Phys.-1981, — V. 14, № 28, — P. 4009−4015.
  72. Song K.S., Leung C.H., Spaeth J.M. Zero-field splitting of the self-trapped ex-citon in alkali fluorides and alkaline-earth fluorides // J. Phys.: Condens. Matter. -1990, — V. 2, № 30, — P. 6373−6379.
  73. Leung C.H., Zhang C.G., Song K.S. Evaluation of the zero-field splitting ofthe triplet self-trapped exciton in CaF2, SrF2 and BaF2// J. Phys.: Condens. Matter.1992.-V.4,№ 6.-P. 1489−1495.
  74. Ю.М., Махов B.H., Родный П. А. и др. Собственная люминесценция BaF2 при импульсном возбуждении синхротронным излучением // ФТТ, — 1984, — Т. 26, № 9, — С. 2865−2867.
  75. Williams R.T., Song K.S., Faust W.L., Leung C.H. Off-center self-trapped exciton and creation of lattice defects in alkali halide crystals // Phys. Rev. В.- 1986.-V. 33, №.10.-P. 7232−7240.
  76. Song K.S., Leung C.H., Williams R.T. A theoretical basis for the Rabin-Klick criterion in terms off-centre self-trapped exciton relaxation // J. Phys.: Condens. Matter.- 1989, — V. 1, № 4, — P. 683−687.
  77. Baetzold R.S., Song K.S. A study of the structure of the self-trapped excitons in alkali halides by ab initio methods // J. Phys.: Condens. Matter.- 1991, — V. 3, № 15.- P.2499−2505.
  78. Chen L.F., Song K.S., Leung C.H. The hopping motion of the off-center self-trapped excitons in alkali halide crystals // Nucl. Instrum. Meth. in Phys. Res. -1990.-V. 46, № 1−4.- P. 216−219.
  79. Shluger A.L., Grimes R.W., Catlow C.R.A. A new model for the self-trapped exciton in alkali halides // J. Phys.: Condens. Matter.- 1991.- V. 3, № 18.- P. 31 253 138.
  80. Hayashi Т., Yanase Т., Matsumoto Т., Kan’no K., Toyoda K., Nakai Y. Self* trapped exciton luminescence in KBrixIx and RbBrj. xIx solid solutions // J. Phys.
  81. Soc. Jap.- 1992.- V. 61, № 3.-P. 1098−1112.
  82. Rabin H., Klick C.C. Formation of F centers at low and room temperatures. // Phys. Rev.- I960,-V. 117, № 4,-P. 1005−1010.
  83. Kan’no K., Tanaka K., Hayashi T. // Rev. Solid State Science.-1990.- V. 4, — P. 383.
  84. Y. // Rev. Solid State Science.- 1990.- V. 4, — P. 403.
  85. Tanimura K., Itoh N. Relaxation of excitons perturbed by self-trapped excitons in Rbl: evidence for exciton fusion in inorganic solids with strong electron-phonon coupling // Phys. Rev. Lett. -1990. -V. 64, № 12.- P. 1429−1432.
  86. Matsumoto Т., Shirai M., Kan’no K. Time-resolved spectroscopic study on the type I self-trapped excitons in alkali halides crystals: II. excitation spectra and relaxation process // J. Phys. Soc. Jpan.- 1995, — V. 64, № 3.- P. 987−1001.
  87. J., Teegarden K. // Intrinsic luminescence of Rbl and KI at 10 К // Phys. Rev.- 1966, — V. 145.- P. 698−703.
  88. И.П., Яковлев В. Ю. Создание центров окраски в щелочно-галоидных кристаллах при импульсном радиационном воздействии // ФТТ.-1990,-Т. 32, № 2, — С. 384−390.
  89. К., Itoh N., Hauashi Т., Nishimura H. // J. Phys. Soc. Jap.- 1992, — T. 61,-P. 1366.
  90. Л.А., Корепанов В. И., Лисицын B.M. Сравнительный анализ спектральных характеристик триплетных автолокализованных экситонов и /^-центров в щелочно-галоидных кристаллах // ФТТ.- 2002.- Т. 44, № 12.- С. 2135−2138.
  91. Tanimura К., ItohN. Generation of lattice defects by exciton interaction in Rbl: lattice instability under dense electronic excitation // Phys. Rev. Lett.- 1988.-V. 60, № 26,-P. 2753−2756.
  92. Williams R.T. Intersystem crossing, polarization and defect formation induced by optical excitation of self-trapped excitons in alkali halides // Phys. Rev. Lett.-1976.- V. 36, № 10.- P. 529−532.
  93. Yoshinari Т., Iwano H., Hirai M. F-H center formation by the optical conversion in self-trapped excitons in KCl crystals // J. Phys. Soc. Jap.- 1978.- V. 45, № 3,-P. 936−943.
  94. Ban Y., Tanimura K., Itoh N. De-excitation of electron- and hole-excited states of self-trapped excitons in Rbl // Phys. Lett.- 1980, — V. A80, № 1.- P.53−56.
  95. Yoshinari Т., Iwano H., Hirai M. Luminescence and color center formation by the optical conversion in STE in KBr and NaCl // J. Phys. Soc. Jap.- 1978.- V. 45, № 6.-P. 1926−1932.
  96. Eshita Т., Tanimura K., Itoh N. Photo-induced transformation of close frenkel pairs in SrF2//Phys. State Sol.- 1984.- V. B22, № 2.- P. 489−500.
  97. Eshita Т., Tanimura K., Itoh N. Hopping of interstitial atoms by electronic excitation of frenkel pairs in SrF2 // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res.- 1984,-V. Bl, № 2.- P. 452−455.
  98. Tanimura К., Katoh T., Itoh N. Lattice relaxation of higly excited self-trapped excitons in CaF2 //Phys. Rev.- 1989.- V. B40, № 2.- P. 1282−1287.
  99. Tanimura K., Katoh T., Itoh N. Lattice relaxation of higly excited self-trapped excitons in CaF2 // Phys. Rev.- 1989, — V. B40, № 2.- P. 1282−1287.
  100. Tanimura K., Itoh N. Lattice instability at excited states of the self-trapped excitons in MgF2 // J. Appl. Phys.-1991.- V. 69, № 11.- P. 7831−7835.
  101. A.K. Современная радиационная химия. Основные положения. Экспериментальная техника и методы.- М.: Наука, 1985.- 375 с.
  102. JI.T., Кузьмин М. Г., Полак Л. С. Химия высоких энергий.- М.: Химия, 1988.- 368 с.
  103. Д.И., Королева О. С., Харитонова C.B. Мгновенный спектр ио-низационно-пассивных электронов в диэлектрике, который облучается мщным электронным пучком // Изв. вузов. Физика.- 1996.- Т. 39, № 11.- С. 136−144.
  104. Д.И., Семин Б. Н. Фундаментальная люминесценция ионных кристаллов при высоких уровнях ионизации // Письма в ЖЭТФ, — 1980.- Т. 32, № 3.- С. 197−200.
  105. Д.И., Пальянов П. А., Семин Б. Н. Прямое экспериментальное доказательство явления внутризонной радиолюминесценции диэлектриков // Докл. РАН, — 1993, — Т. 333, — С. 452−456.
  106. Д.И., Пальянов П. А., Семин Б. Н. и др. Одновременное наблюдение внутризонной электронной и межзонной дырочной радиолюминесценции на кристаллах Csl // Докл. РАН.- 1994.- Т. 336, № 1.- С. 452−456.
  107. Ф.А., Васильченко В. П. Спектры внутризонной люминесценции диэлектриков и полупроводников, возбуждаемых импульсными пучками электронов или электрическим полем// ФТТ.- 1997.- Т. 39, № 4, — С. 613−617.
  108. В .В., Мартынович Е. Ф. Внутризонная радиолюминесценция кристалла LiF // Опт. и спектр.- 2000.- Т. 88, № 4.- С. 593−597.
  109. В.И., Колесникова Т. А. Возбуждение собственных дефектов в ионных кристаллах мощными оптическими и электронными пучками // ФТТ.- 1998.- Т. 40, № 6.- С. 1030−1036.
  110. Ильмас Э. Р, Лущик Ч. Б. Элементарные процессы размножения электронных возбуждений в ионных кристаллах // Тр. ИФА АН ЭССР.- 1966.-№ 34, — С. 5−29.
  111. Suzuki Y., Ohtani Н., Taragi Sh., Hirai M. Self-trapping of holes followed by STE and F-centres formation in KI in picosecond range // J. Phys. Soc. Jap.-1981 .V. 50, № 11, — P. 3537−3538.
  112. Williams R.T., Craig B.B., Faust W.L. F center formation in NaCl: picosecond spectroscopic evidence for halogen diffusion on lowest potencial surface // Phys. Rev. Lett.- 1984, — V. 52, № 19.- P. 1709−1712.
  113. Song K.S., Chen L. Modeling of self-trapped exciton ти-luminescence in alkali halides // J. Phys. Soc. Jap.- 1989.- V. 58, № 8.- C. 3022−3027.
  114. Т., Ohata Т., Koshino S. // J. of Luminescence.- 1987, — V. 38, — P. 9698.
  115. Song K.S., Fu Chun-Rong. Relaxation of excitons in ionic halides: a molecular dynamics study // J. Phys.: Condens. Matter.- 2001.- V. 13.- P. 2355−2362. Song K.S. Fizika nizkikh temperatur.- 2003, — V. 29, № 9/10, — P. 1001−1006.
  116. Ueta M., Kondo Y., Hirai M., Yoshinary T. F center formation in KCl crystals by pulsed electron beam at 80 К // J. Phys. Soc. Japan.- 1969.- V. 26, № 4, — P. 1000−1006.
  117. D’hertoghe J., Jacobs G. Self-trapped exciton and F-centre formation by picosecond laser pulses in alkali bromides and iodides // Phys. Stat. Sol. (b).- 1979.- V. 95,-P. 291−300.
  118. B.M., Корепанов В. И., Яковлев В. Ю. Эволюция первичной радиационной дефектности в ионных кристаллах // Изв. вузов. Физика.- 1996.-№ 11,-С. 5−29.
  119. В.И., Кузнецов М. Ф., Яковлев В. Ю. Радиационное создание и эволюция F центров в KBr при температурах выше 12.5 К // Тез. VI межд. конф. по рад. гетерог. процессам.- Кемерово, 1995, — Ч. 1.- С. 88−89.
  120. Баранов А. И, Лисицын В. М., Рейтеров В. М., Шишацкая Л. П., Шишкин И. С. Изменение спектральной прозрачности LiF, MgF2, CaF2, BaF? под действием плазмы // 2 Всесоюзный симпозиум по взаим. ат. частиц с тв. телом. Сб. докл.- Москва, 1972.- С. 235−236.
  121. Е.К., Лисицын В. М., Шишкин И. С. Образование радиационных дефектов в ионных кристаллах с различной структурой решетки // 2fc Всесоюзный симпозиум по взаим. ат. частиц с тв. телом. Сб. докл. Москва.1972,-С. 350−351.
  122. В. М. Корепанов В.И. Энергия образования первичной пары радиационных дефектов в кристалле MgF2 //Изв. вузов, Физика.- 1977, — № 9.-С. 146−147.
  123. В.М., Лисицына Л. А. Фокусированные соударения в кристаллах MgF2// Деп. ВИНИТИ. Per. № 1563−75.
  124. В.М., Лисицына Л. А., Сигимов В. И. Пространственное разделение компонентов первичных пар радиационных дефектов в ионных кристаллах // ФТТ, — 1977, — Т. 19, В. 5, — С. 1495−1497.
  125. В.М., Сигимов В. И. Вероятность аннигиляции компонентов первичной РД-пары при термоактивированном движении //Изв. вузов, Физика.-1977. № 10. с.41−44.
  126. В.М. О температурной зависимости накопления радиационных дефектов в ионных кристаллах // Изв. вузов. Физика.- 1979.- № 2, — С. 86−91.
  127. .М., Месяц Г. А., Семин Б. Н., Шпак В. Г. Сильноточный на-носекундный ускоритель для исследования быстропротекающих процессов // ПТЭ,-1981,-N4.- С. 15−18.
  128. М.И. Измерения оптического излучения в электронике.-2-е изд., перераб. и доп.- М.: Энергоатомиздат, 1990.- 254 с.
  129. М.М. Сборник задач по основам светотехники.- М.-Л.: «Энергия», 1966.- 176 с.
  130. В.И., Куренков В. В., Стародубцев В. А., Ягушкин Н. И. Изменение оптических свойств стекол, легированных церием, при импульсном и стационарном облучении электронами средних энергий. Стекло и кер.
  131. Ueda Y., Kazumata Y., Nishi M. Interstitial fluorine centers in the neutron-irradiatied MgF2// Solid State Commun.- 1976.- V. 19, № 3.- P. 181−183. Ueda Y. // J. Phys. Soc. Jpan.- 1976, — V. 41.-P. 1255.
  132. Jouanin C., Gout.C. Valence band structure of magnesium fluoride by the tight-binding method // J.Phys.C: Solid State Phys.- 1972, — V. 5, № 15, — P. 19 451 952.
  133. Norman C.D., Halliburton L.E. Radiation-induced fluorine interstitial atoms in MgF2 // Phys. Rev. В.- 1977.- V. 15, № 12, — P. 5883−5889.
  134. Williams R.T., Marquardt C.L., Williams J.W., Kabler M.N. Transient absorption and luminescence in MgF2 following electron pulse excitation // Phys. Rev. В.- 1977.- V. 15, № 10.-P. 5003−5011.
  135. Hills M.E., McBride W.R. Absorption bands of irradiated magnesium fluoride // J. Chem. Phys.- 1964.- V. 40, № 7.- P. 2053−2054.
  136. Blunt R.F., Cohen M.I. Irradiation-induced color center in magnesium fluoride//Phys. Rev.-1967.-V. 153, № 3.- P. 1031−1038.
  137. Unruh W.P., Nelson L.G., Lewis J.T., Kolopus J.L. The F-center in MgF2 I: EPR and Endor // J. Phys. C: Sol. St. Phys.- 1971, — V. 4.-P. 2992−3006.
  138. Kolopus J.L., Lewis J.T., Unruh W.P., Nelson L.G. The F-center in MgF2 II // J. Phys. C: Sol. St. Phys.- 1971.- V. 4.- P. 3007.
  139. Sibley W.A., Facey O.E. Color centers in MgF2//Phys. Rev.- 1968, — V. 174, № 3. P. 1076−1082.
  140. Buckton M.R., Pooley D. The radiation damange process in MgF?// J. Phys. C: Solid State Phys.- 1972.- V. 5, — P. 1553−1562.
  141. В.М., Яковлев В. Ю. Оптическое поглощение в кристаллах MgF2 после импульсного облучения электронами // Опт. и спектр.- 1978.- Т. 44, № 2.- С. 408−409.
  142. В.И., Лисицын В. М., Сахнова Л. В., Яковлев В. Ю. Оптическое поглощение автолакализованных экситонов в кристаллах MgF2. // Опт. и спектр.-1983, № 2, — С.535- 538.
  143. Л.А., Корепанов В. И., Гречкина Т. В. Влияние температуры на процессы радиационного создания первичных дефектов в кристаллах MgF2 // Оптика и спектроскопия.- 2003.- Т.95, № 5.- С. 797−801.
  144. Л. А. Лисицын В.М., Корепанов В. И., Гречкина Т. В. Эффективность создания первичных радиационных дефектов в кристаллах фторидов Li и Mg // Оптика и спектроскопия, — 2004.- В. 96, № 2.- С. 288−292.
  145. Ершов Н. Н, Захаров Г. М., Никитинская Т. Н., Никулин Н. М., Рейтеров В. М. Рентгенолюминесценция неактивированных кристаллов фтористого магния//ЖПС, — 1978.-Т. 26, №.1.- С. 162−163.
  146. Н.Г., Никитинская Т. И., Родный П. А. Свойства автолокализо-ванных экситонов в MgF, // ФТТ.~ 1982, — Т. 24, № 4.- С. 1249−1251.
  147. В.И., Копайлова Е. Ф. Генерация F-центров в кристаллах MgF2 при низких температурах // Тез. докл. 6 междунар. конф. «Радиационные гетерогенные процессы».- Кемерово, 1995.- Ч. 1.- С. 86.
  148. Т.В., Корепанов В. И., Лисицына Л. А. Радиационное дефекто-образование в кристалле MgF2 // Тезисы лекций и докладов VII Всероссийской школы семинара «Люминесценция и сопутствующие явления».- Иркутск: Иркутский госуниверситет, 2001.- С. 24−25.
  149. Grechkina T.V., Lisitsyna L.A., Korepanov V.l. Self-trapped excitton in MgF2 // III Ural Workshop on Advantaged Scintillation and Storage Optical Materials. Program and Abstracts.- Ekaterinburg: USTU-UPI, 2002, — C. 29−30.
  150. Hayes W, Stoneham A.M. Crystals with fluorite structure.- Clarendon Press. Oxford, 1974,-448 p.
  151. Л.А. Закономерности создания электронных центров окраски в кристаллах LiF при импульсном радиационном воздействии // Изв. вузов. Физика.- 1996, — Т. 39, № 11, — С. 57−75.
  152. X. Фотохимия малых молекул.- М.: Мир, 1981.- 504 с.
  153. Chen L., Zhou L., Song К. A study of the self-trapped exciton and F centre in MgF2 // J. Phys.: Condens. Matter.- 1997.- V. 9.- P. 6633−6642.
  154. R.T. // Opt. Engineering.- 1989, — V. 28, № 10.- P. 1024. 168 Лущик Ч. Б., Витол И. К., Эланго М. А. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах // УФН.- 1977.- Т. 122, № 2,-С. 223−251.
  155. В.М. Эволюция дефектности в ионных кристаллах после импульсного радиационного возбуждения // В сб. «Сильноточные импульсные электронные пучки в технологии».- Новосибирск: Наука, 1983.- С. 61−72.
  156. В.М., Корепанов В. И. Температурная зависимость накопления F и M центров окраски в кристаллах MgF2 // Изв. вузов. Физика.-1975, — N11 .С. 158. Депонировано ВИНИТИ, — Per. № 2778−75.
  157. П.А., Корепанов В. И. Моделирование методом Монте-Карло процесса накопления нейтральных френкелевских пар в щелочно-галоидных кристаллах // Деп.- ВИНИТИ. Per. № 3972−84.- 17 с.
  158. П.А., Корепанов В. И., Лисицын В. М. Изменение со временем функции пространственного распределения F- и Н-центров // Деп. ВИНИТИ.-Рег. № 3874−85, — 27 с.
  159. П.В., Корепанов В. И., Лисицын В. М. Моделирование эволюционного процесса дефектообразования первичных френкелевских пар в щелочно-галоидных кристаллах. // Изв. Вузов. Физика.- 1985, — № 2.- С. 19−23.
  160. П.В., Корепанов В. И., Лисицын В. М. Кинетика релаксации коррелированных нейтральных френкелевских пар дефектов в щелочно-галоидных кристаллах // Изв. вузов. Физика.- 1989.- № 3, — С. 16−21.
  161. П.В., Корепанов В. И., Лисицын В. М. Пространственное разделение элементов заряженной пары дефектов Френкеля в щелочногалоидных кристаллах//Изв. вузов. Физика. -1989.- № 3.- С. 21−25.
  162. В.М., Корепанов В. И., Яковлев А. Н. Энергия активации пространственного разделения компонентов Френкелевских пар // ФТТ.- 1998.Т. 40, № 1.- С. 79−80.
  163. В.М., Корепанов В. И., Яковлев А. Н. Образование и эволюция первичной радиационной дефектности в щелочно-галоидных кристаллах // Труды школы-семинара «Люминесценция и сопутствующие явления».- Иркутск, 1999.-С. 5−14.
  164. В.М., Яковлев А. Н. Кинетика релаксации первичных пар радиационных дефектов в ионных кристаллах // ФТТ.- 2002, — Т. 44, № 9.- С. 7980.
  165. Chu J.H., Mieher R.L. ENDOR study of a 111. interstitial defect in LiF // Phys. Rev.- 1969.-V. 188, № 3,-P. 1311−1319.
  166. Lisitsyn V.M., Korepanov V.M., Lisitsyna L.A., Yakovlev A.N. Relaxation of primary defects in ionic crystals // Proceedings of 12th International conference on Radiation physics and chemistry of inorganic materials.- Tomsk, 2003.- P. 47−52.
  167. И.П., Яковлев В. Ю. Образование экситонов и дефектов в ЩГК при импульсном электронном облучении // Изв. АН. Латв. ССР. Сер. физ. и хим. наук.-1990.- № 3.- С. 66−72.
  168. С.М. Метод Монте-Карло и смежные вопросы,— М.: Наука, 1975.- 471 с.
  169. А.Ч., Васильченко Е. А., Галаганов В. Г., Колк Ю. В., Семан В. О., Фрорип, А .Г.// Изв. АН Латв. ССР. Сер. физ. и техн.наук.-1990, — № 3, — С. 33.
  170. Kondo Y., Hirai M., Ueta M. Transient formation of color centres in KBr crystals under the pulsed electron beam // J. Phys. Soc. Japan.- 1972.- V. 33, № 1,-P. 151−157.
  171. В.И., Лисицын B.M. Исследование процессов взаимного преобразования F и М-центров в MgF2. Тез.докл. 3 Всесоюзн. сов. по рад. физике и хим. ионных кристаллов. Рига, 1975.- Ч. II.- С. 253.
  172. Л.А., Гречкина Т. В., Корепанов В. И., Лисицын В. М. Корот-коживугцие первичные радиационные дефекты в кристалле LiF // ФТТ.-2001.-Т. 43, В.9.- С. 1613−1617.
  173. Durand P., Farge G., Lambert М. The creation of Freenters in lithium fluoride between 77 and 600 К and their interpretation by recombination model of interstitial-vacancies //J. Phys. Chem. Sol.- 1969.- V. 30, № 6.- P. 1353−1374.
  174. Kantorovich L. Multipole theory of the polarization of solids by point defects // Phys. Stat. Sol (b).- 1987, — V. 144, — P. 719−726.
  175. Polley D., Runciman W.A. Recombination luminescence in alkali halides // J. Phys. С: Solid St. Phys.- 1970.- V. 3.-P. 1815−1824.
  176. И.Л., Лущик Ч. Б. Собственная люминесценция ионных кристаллов с автолокализуюгцимися экситонами // Известия АН СССР. Сер. физ, — 1976.- Т. 40, № 9, — С. 1785−1792.
  177. В.Г., Емельяненко А. В. Люминесценция экситонов и F-центров в кристаллах LiF // Тезисы докладов VIII Всесоюзной конференции по физике вакуумного ультрафиолета и его взаимодействию с веществом.-Иркутск, 1989,-Ч. 1.- С. 36−37.
  178. Dietrich Н.В., Murray R.B. Low temperature luminescence in LiF // Bull. Amer. Phys. Soc. Ser. 2, 1969. V. 14, № 1, — P. 131.
  179. П.А. Ультрафиолетовые полосы люминесценции фтористого лития // Оптика и спектрометрия.-1975.- Т. 39, № 2.- С. 409−411.
  180. В.М., Лисицына Л. А., Чинков Е. П. Образование элементарных радиационных дефектов в галоидных кристаллах с различным типом кристаллической решетки//Изв. вузов. Физика.- 1995,-№ 1, — С. 13−19.
  181. Е. Центры свечения в кристаллах фтористого лития с примесью Li20 // Люминесцентные приемники и преобразователи рентгеновского излучения.-Новосибирск: Наука, 1985.-С. 106−110.
  182. А.В., Рейтеров В. М., Родный П. А. Собственная люминесценция фторида лития // Тез. докл. «Люминесценция молекул и кристаллов».- Таллин, 1987, — С. 107.
  183. Н.Н., Захаров Г. М., Никитинская Т. И., Родный П. А. Люминесценция и центры окраски монокристаллов LiF при рентгеновском возбуждении // Оптика и спектроскопия.-! 974, — Т.36, — С. 209−211.
  184. О.Т., Брилинский М. И., Вовк П. К., Пидзырайло Н. С. О люминесценции монокристаллов топаза // Конституция и свойства минералов 1977-Вып. 11. — С. 68 -71.
  185. А.В., Раджабов Е. А. Спектроскопия кислородных и водородных примесных центров в ЩГК Новосибирск- Наука, 1992.
  186. McCall R., Grossweiner I. Metastable F aggregate color centers in irradiated KC1 // J. Appl. Phys.- 1967, — V. 38, — P. 284−288.
  187. Wasiela A., Block D. Optically detected E.P.R. of self-trapped ecxitons in alkali fluorides-luminescence identification // Journal de Physique. Colloque С7,1976, — V. 37, № 12.- P. C7−221−224.
  188. Block D., Wasiela A. Self-trapped exciton in alkali fluorides: ODMR study // Solid State Commun.- 1978, — V. 28, Iss. 6.- C. 455−458.
  189. Song K.S., Leung C.H., Spaeth J.M. Zero-field splitting of the self-trappedexciton in alkali fluorides and alkaline-earth fluorides // J. Phys.: Condens. Matter. 1990.- V. 2, № 30.- P. 6373−6379.
  190. И.А., Пензина Э. Э. Электронные центры окраски в ионных кристаллах, — Иркутск: Восточно-Сибирское книжное издательство, 1977.-208 с.
  191. О.Е., Sibley W.A. МCenters in MgF2 Crystals // Phys. Rev В.- 1970,-V. 2, № 4.-P. 1111−1116.
  192. Fujita T., Takiyama К., Nishi M. M (D2h) Center in MgF2 Crystal // Memoirs of the Faculty of Engineering Hiroshima University.- 1978.- № 3. P. 21−27.
  193. B.M., Яковлев В. Ю., Корепанов В. И. Кинетика разрушения М-центров после импульсного облучения электронами в кристалле MgF2 // ФТТ.- 1978, — Т. 20, В. 3.- С. 731−733.
  194. В.И., Лисицын В. М., Радиационно-стимулированные процессы преобразования центров окраски в кристаллах MgF2. Деп. ВИНИТИ.- Per. 1813−75,-7 с.
  195. Van Dorn C.Z. Anisotropy of Colour Centres in Alkali halides // Philips Res. Rep.- 1957.-V. 12.-P. 309−323.
  196. P.А. Происхождение F2 (.Ц)-полос в спектре поглощения ще-лочногалоидных кристаллов // Оптика и спектроскопия.- 1964.- Т. 16, вып. 2,-С. 361−370.
  197. Neubert T. J, Susman S. M. Centers in Potassium Bromide // J. Chem. Phys.-1963.-V. 43, № 8,-P. 2819−2829.
  198. П.П. Поляризованная люминесценция атомов, молекул и кристаллов,— М.: Физматгиз, 1959.- 288 с.
  199. Lambe С.J., Compton W.D. Luminescence and symmetry properties of color centers // Phys. Rev.- 1957.- V. 106. c. 684.
  200. П.П. Поляризованная люминесценция Я-центров в СаF2 II ДАН СССР.- 1953.- 92.- С. 545−548.
  201. П.П. Поляризованная люминесценция Я-центров в кристаллах щелочно-галоидных солей // ДАН СССР, — 1953, — 92, — С. 743−746.
  202. Korepanov V.I., Lisitsyn V.M., Vilchinskaya S.S. Interaction of primary radiation defects with color centers in MgF2 crystals // Book of abstracts International conference «VUVS 2005″. — Иркутск: Изд. инст. географии СО РАН, 2005.- Р. 23.
  203. М. Е. and McBride W.R. Absorption Bands of Irratiated Magnesium Fluoride // J. Chem. Phys.- 1964.- V.40.- C. 2053−2054.
  204. B.M. Накопление собственных радиационных дефектов в кристаллах фторидов щелочноземельных металлов // Докторская диссертация.-Томск, 1977 г.
  205. Nahum J. Wiegand D.A. Optical properties of some F-aggregate centers in LiF //Phys. Rev.- 1967, — 154, — P. 817−830.
  206. Д. Люминесценция кристаллов // М.: Иностр. лит., 1961.- 200 с. Smakulla A. Zs. Phys., 1927, 45, 1.
  207. В.Л., Холодарь Г. А. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках.- Киев: Наукова думка, 1969.
  208. Casasent D, Caimi F. Hurter-driffield exposure characteristics of oriented M centers in NaF // J. Appl. Pys.- 1976, — V. 47, № 6, — P. 2371−2374.
  209. Jun M.J., Neubert T.J. F-aggregate centers in sodium chloride I // J. Chem. Phys.-1971,-V. 55.-P. 1583−1587.
  210. Delbecg C.J. A study of M-center formation in additively colored KC1 // Zs. Phys.- 1963,-B. 171.-S. 560−581.
  211. Facey O.E., Lewis D.L. and Sibley W.A. Electron and Neutron Damage in MgF2 Crystals //Phys. Stat. Sol.- 1969, — V. 32, — C. 831- 837.
  212. Deshpande В. V., Chandratillake M.R., Hamblett I., Newton G. W., Patil S. F,• Robinson V.J. Bleaching of F-type Centers in Alkali Halides // J. Chem. Soc., Faradaj Trans. 2.- 1981, — V. 77.- P. 135−142.
  213. Schneider I. On the formation of F-aggregate centers in KC1 // Sol. St. Comm.- 1971.-V. 9.-P. 2191−2194.
  214. Jague F., Agullo-Lopez F. Anion-vacancy processe occuring after room-temperature F-light bleaching or irradiation of NaCl // Phys. Rev. B: Sol. St.-1970.-V. 2, № 10, — 4225−4233.
  215. Н.Н., Горбенко Н. К. О кинетике фотохимической реакциипревращения F-центров в М-центры в кристаллах КС1 // Оптика и спектроскопия, — 1964, — Т. 16.- С. 475−479.
  216. Guillot G., Nouailhat A., Dynamic equilibrium between F and F? centres in alkali halides at room temperature // Radiation Effects.- 1979.- V. 40.- P. 71−74.
  217. Sastry P.V. On the colloid evolution in alkali halide crystals: a proposed tentative mechanism // J. Phys. Soc. Jap. -1969. V.26, № 1.- P. 73.
  218. Sonder E. Radiation annigilation of F- in centers KC1 // Phys. Rev.- 1972, — V. B5, № 8, — P. 3259−3269.
  219. Crawford J.H. Model for radiation equilibrium between F- and M-centers in KC1 // Phys. Rev. Lett.- 1964.- V. 12.- P. 28−30.
  220. Vehse W.E., Facey O.E., Sibley W.A. Additive coloration of MgF2// Phys. Stat. Sol. (a).- 1970, — V.I.- P. 679−683.
  221. Paul J.Z., Scott A.B. The mechanism of F-center aggregation // Phys. Stat. Sol. (b).- 1972, — V.52.-P. 581−590.
  222. Jain S.C., SoothaG.D. Optical, electron-spin-resonance and electrical studies of colloidal and F-aggregate centers in highly pyre KC1 crystals. II F-aggregate centers//Phys. Rev.- 1968,-V. 171,-P. 1083−1089.
  223. Jain S.C., Jain V.K. Optical and electrical studies of colloidal and F-aggregate centers in highly pyre KBr ciystals // Phys. Rev.- 1969.-V. 181.-P. 1312−1318.
  224. Nahum J. Optical properties and mechanism of formation of some F-aggregate center in LiF // Phys. Rev.- 1967, — V. 158.- P. 814−825.
  225. Durand D, Chassagne G., Serughetti J. Dislocation-induced precipitation of colloids in additively colloured KC1 // Phys. Stat. Sol. (a).- 1972, — V. 12, — P. 389 397.
  226. Д.К. Р2-центры в щелочно-галоидных кристаллах // Ученые зап. Латв. госун-та.- 1976.- Т. 254, В. 5, — С. 76−90.
  227. Van Dorn C.Z. Thermal Equilibrium between F- and M-Centers in Potassium Chloride // Phys. Rev. Letters.- 1960.- V. 4.- P. 236.
  228. Sonder E., Sibley W.A., Radiation of F- and M-centers in KC1 // Phys. Rev.-1963.-V. 129.-P. 1578−1582.
  229. Compton W.D., Rabin H. F-Aggregate Centers in Alkali Halide Crystals // Solid State Phys.- 1964.- V. 16, — P. 121.
  230. T.B., Корепанов В. И., Лисицын B.M., Лисицына Л. А. Динамика преобразования центров окраски в MgF2 //Труды третьей международной конференции „Радиационные термические эффекты и процессы в неорганических материалах“.- Томск.- 2002.- С. 48−49.
  231. В.И., Котомин Е. А. Образование кластеров радиационных дефектов // Физика фазовых переходов.- Рига, 1980.- С. 132−146.
  232. Baldacchini G., Gallerano G.P., Grassano U.M., Luty F. Bound triplet state ofthe F1 center inNal //RadiationEffects.- 1983, — V. 72.- P. 153−159.
  233. A.B., Головин A.B., Родный П. А. Люминесценция центров окраски во фториде магния. Опт. и спектр.- 1986.-Т. 60, вып. 2.- С. 297−300.
  234. Н.Н., Никитинская Т. И. Поляризация рентгенолюминесценции монокристаллов фтористого магния // Опт. и спектр.- 1979.- Т. 46, — С. 827 828.
  235. Schneider I., Kelier F. M-center singlet to triplet excitation in KC1 // Phys. „Stat. Sol. (b).- 1973, — V. 60.- P. 175−184.
  236. Goldberg L. S. Luminescence from 1СГ Vk-Center-Electron Recombination and Localiszed Exciton Decay in KC1: I // Physical Review.- 1968.- V. 168, № 3,-P. 989−991.
  237. Itoh M. Nakai Y. Energy transfer due to excitons and holes under host sensitization in NaCl: Br//J. Phys. Soc. Jap.- 1919.- V. 46, № 2, — P. 546−552. ¦
  238. Kanno K., Itoh M., and Nakai Y. Luminescent from KC1: I at low temperatures //J. Phys. Soc. Japan.- 1919.- V. 47, № 3.- p. 915−920.
  239. Kanno К., Nakatani H., Mukai Т., Arimoto О. and Nakai Y. Luminescent lifetimes and decay processes of hetero-nuclear relaxed excitons С1Г (Vk)+e. in Relaxation KCl. i andRbCU // J. Phys. Soc. Japan.- 1986.- V. 55, № 7.- p. 24 432 456.
  240. Mahr H, Duckett W, Lifetime of the excited I“ center in KC1 // Phys. Rev.-1965,-V. 138A.-P. 276−281.
  241. Toyoda K., Nakamura К and Nakai Y. Luminescence of Iodine Dimers in • KC1: I // J. Phys. Soc. Japan.- 1975.- V. 39, № 4.- P. 994−998.
  242. A.A., Яковлев В. Ю. Релаксированные гетероядерные эксито-ны в кристалле KC1-I // ФТТ.-1982.- Т. 24, вып.8.- С. 2296−2299.
  243. Wakita S. Luminesce of KBr-KI solid solutions under X-ray irradiation at liquid helium temperature// J. Phys. Soc. Japan.- 1971.-V. 31.- P. 1505−1512.
  244. Nagasawa N., Itoh M., Nakay Y. Absorption and luminescence of (Br»)2-centers in NaCl: Br // J. Phys. Sos. Jap.- 1972,-V.32, N4,-P. 1037 1043.
  245. И.А. Люминесценция щелочно-галоидных кристаллов с примесями анионов VII группы. Изв. АН СССР. Сер. физ, — 1965.- Т. 29, — С446.
  246. В.И., Лисицын В. М., Стреж В. В., Бочканов А. В., Малышев А. А. Преобразование электронных возбуждений в кристаллах KC1:J. // ФТТ.-1985.-V. 27, вып. 10.- С. 3052−3056.
  247. Hirota S., Edamatsu K., Kondo Y. and Itoh T. Infrared transient absorption and electronic state of localized self-trapped excitons in KC1: I // Phys. Rev. B.-1995,-V. 52, № 11,-P. 7779−7782.
  248. E.A., Саломатов B.H., Тайиров M.M. Образование F-центров при распаде экситонов в кристаллах КС1:Вг // Тез. V Всесоюзногосовещания по рад. Физике и химии ионных кристаллов.- Рига, 1983.- С. 142-
  249. Тр. ИФ АН ЭССР.-1986.- вып. 58.- С. 100−110.
  250. В.И., Кузнецов М. Ф., Малышев А. А., Стреж В. В. Н-центры в ЩГК с тяжелой анионной гомологической примесью // ФТТ.- 1990.- Т. 32, N5.- С. 1317−1322.
  251. М. Ф., Корепанов В. И., Малышев А. А. Рекомбинационное создание околопримесных экситонов в КС1:1 // ФТТ. 1991.- Т. 33, № 12.- С.3471−3474.
  252. Toyoda К., Nakamura К., Nakai Y. Luminescence from self-trapped excitons in KBr: Na // J. of Luminescence.- 1976, — V. 12&13.-P. 321−324.
  253. Hirano Y., Itoh N. Self-trapped excitons perturbed by Na+ in KC1 crystal // Phys. Lett.- 1977.- V. 60A.- № 5.- P. 465−467.
  254. Tanimura K., Nurakami Т., Itoh N. Restoration of fluorescence from the lowest singlet state in the self-trapped exciton by perturbation with monovalent cation impurities in alkali halides // J. Phys. Soc. Japan.- 1982.- V. 51, № 3.- P. 888−897.
  255. М.Ф., Корепанов В. И. Экситонное поглощение в кристаллах КВг-1 // Опт. и спектр.-1988.- Т. 64, вып.4, — С. 960−961.
  256. Nagasawa N. Localized excitons and band excitons in alkali chloride- alkali iodide solid solutions // J. Phys. Sos. Jap.- 1969.- V. 27, № 6.- P. 1535 1548.
  257. С.А., Гаврилов B.B., Малышев A.A. Генерация радиационных дефектов в щелочногалоидных кристаллах с примесью натрия // ФТТ.- 1984.
  258. Т. 26, вып. 1,-С. 289−291.
  259. В.М., Малышев А. А., Яковлев В. Ю. Локализованные примесью экситоны в щелочно-галоидных кристаллах // ФТТ, — 1983.- Т. 25, вып. 11.- С. 3356−3360.
  260. В.И., Кузнецов М. Ф., Сергеев А. Г. Влияние примесей Na и I на процессы создания F, H-nap в кристаллах КВг // Тез. докл. 6 междунар. конф. «Радиационные гетерогенные процессы».- Кемерово, 1995.- Ч. 1.- С. 87.
  261. В.И., Лисицын В. М., Лисицына Л. А. Образование околодефектных экситонов в щелочно-галоидных кристаллах // Изв. вузов. Физика,-1996.-Т. 39, № 11.-С. 94- 108.
  262. В.М., Корепанов В. И., Лисицына Л. А. Влияние дефектов решетки на топографию распределения электронных возбуждений в ионных кристаллах // Тез. докл. 1 Всероссийского симпозиума по твердотельным детекторам.-Екатеринбург, 1997.- С. 116−117.
  263. С.С., Корепанов В. И., Кузнецов М. Ф. Локализованные эк-ситоны в кристаллах КС1:1 и КС: Вг // Тезисы лекций и докладов VI Всероссийской школы-семинара «Люминесценция и сопутствующие явления».- Иркутск, 2000,-С. 20−21.
  264. В.И., Вильчинская С. С., Кузнецов М. Ф. Люминесценция локализованных экситонов в КС1:1, КС1: Вг // Труды IV Международной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах».- Томск, 2004.- С. 264−267
  265. В.И., Вильчинская С. С., Кузнецов М. Ф., Турутанова А. Ю. Примесная катодолюминесценция кристалла КС1:1. Доклады Международной конференции «Физико-химические процессы в неорганических материалах».- Кемерово: Кузбассвузиздат, 2004.- С. 39−43.
  266. Korepanov V.l., Vilchinskaja S.S., Kuznitsov M.F. Cathodoluminescence of KCl: Br crystals // Сборник тезисов 8-ой международной конференции по физике твердого тела Алматы, 2004.- С. 88−89.
  267. М.Ф., Корепанов В. И., Малышев А. А. Рекомбинационное создание и преобразование примесных экситонов в смешанных щелочногалоид-ных кристаллах // Тезисы докладов конференции «Радиационные гетерогенные процессы».- Кемерово, 1990.
  268. Itoh M. and Nakai Y. Energy transfer due to excitons and holes under host-sensitization in KBr: I // Solid State Communications. 1978.- V. 27.- P. 1155−1158.
  269. Kan’no K., Nakatani H., Mukai T., Arimoto 0. and Nakai Y. Luminescentlifetimes and decay processes of hetero-nuclear relaxed excitons ClT (Vk)+e. in Relaxation KC1: I and RbCl: I // J. Phys. Soc. Japan.- 1986, — V. 55, № 7.- P. 24 432 456.
  270. Kan’no K., Tanaka K., Kosaka H. and Nakai Y. Three types of emission bands from hetero-nuclear relaxed excitons in NaBr: I, KBr: I and RbBr: I // J. Luminescence." 1991,-V. 48&49.-P. 147−151.
  271. Nakatani H., Mukai T., Arimoto 0. and Naka Y. Luminescent Lifetimes and Decay Processes of Hetero-Nuclear Relaxed Excitons С1Г (Vk) + e. in KC1: I and
  272. RbCl.T // J. Phys. Soc. Japan.- 1986, — V. 55, № 7.- P. 2443−2456.
  273. Nakai Y., Itoh M. Migration of excitons and holes to T-impurities under host-sensitization in KBr. I // J. Luminescence- 1979.- V. 18/19.- P. 789−792.
  274. Tanaka K., Kosaka H., Kan’no K. and Nakai Y. Two tyres of lattice relaxed of self-trapped excitons in KCl-KBr mixed crystals // Sol. Stat. Commun.- 1989.-V. 71, № 11,-P. 903 -906.
  275. Tanaka K., Mukai T., Arimoto O., Kan’no K. and Nakai Y. Time resolved measurements of polarized luminescence from relaxed excitons due to Г dimmers in KBr. I II Journal of Luminescence.- 1987, — V. 38.- P. 207−209.
  276. Tanaka K., Kanno K. and Nakai Y. Lattice Relaxation of Self-Trapped Excitons in Binary Mixed Crystals of KC1 and KBr // J. Phys. Soc. Japan.- 1990, — V. 59, № 4,-P. 1474−1487.
  277. Chen L. F., Leung С. H. and Song K. S. Luminescence and F-H Pair Creation from Self-Trapped Exciton in KC1: I, RbCl: I and KCl: Br // J. Phys. Soc. Japan.- 1989.- V. 58, № 8. P. 2968−2975.
  278. Matsumoto T., Kawata T., Miyamoto A. and Kan’no K. Time-Resolved Spectroscopic Stady on the Type I Self-Trapped Excitons in Alkali Halide Crystals: I. Emission Spectra and Decay Behavior // J. Phys. Soc. Japan.- 1992.- V. 61, № 11.-P. 4229−4241.
  279. Matsumoto T., Shirai M. and Kan’no K. Time-Resolved Spectroscopic Stady on the Type I Self-Trapped Excitons in Alkali Halide Crystals: II. Excitation Spectra and Relaxation Processes // J. Phys. Soc. Japan.- 1995.- V. 64, № 3.- P. 9 871 001.
  280. Matsumoto T., Ichinose K. and Kan’no K. Time-Resolved Luminescence Stady of Relaxed Excitons in KBr: I and KClrBr.// J. Phys. Soc. Japan.- 1993.- V. 62,-№ 6.-P. 1860−1863.
  281. Fujita M., Nakamura K., Nakai Y. Movement of iodine ions in KC1: I under uv-light irradiation // J. Phys. Soc. Japan.- 1980, — V. 49, № 5, — P. 937 -1943.
  282. Higashimura T., Nakatani H., Itoh M., Kan’no K., Nakai Y. Luminescent of Localised Excitons in KC1: I at Low Temperatures // J. Phys. Soc. Japan.- 1984.- V. 53, № 5.-P. 1878−1885.
  283. Hayashi T., Yanase T., Matsumoto T., Kanno K., Toyoda K. and Nakai Y. Self-Trapped Excitons Luminescence in KBr: I and RbBr: I solid solutions // J. Phys. Soc. Japan.- 1992.-V. 61, № 3,-P. 1098−1112.
  284. F. J., Murray R. В., Abraham M. M., Weers R. A. // Phys. Rev.- 1967.-V. 154, № 3. p. 812−816.
  285. Katsuyama T, Wakita S., Hirai M. The complex H-center in KC1-KI crystals // J. Phys. Soc. Japan.- 1973.- V. 36, № 4, — P. 1058−1064.
  286. Maki M, Nagasawa N. and Hirai M. Effect of Br" ions on the F-center formation in KC1 crystals under u. v. light irradiation // Sol. Stat. Commun.- 1975.- V. 17,-P. 1409−1413.
  287. Н.Л., Гаврилов B.B., Дейч Р. Г. // Некоторые особенности сцин-тилляционного процесса в Csl-Na // Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук-1982.-№ 4,-С. 57−64.
  288. В.Б., Крейнин O.JI. Расчет ионных смещений, возникающих в решетках щелочногалоидных кристаллах с примесями // Деп в ВИНИТИ, № 1606−74.
  289. И.Г. О причинах локализации дырки на двух ионах галогенида в щелочногалоидных кристаллах // ЖЭТФ.- 1977.- Т.72, вып. 6.- С. 2152−2160.
  290. Дж. Динамика радиационных повреждений // УФН.- 1961.- Т. 74, вып. 3.- С. 435−459.
  291. В.М., Кирсанов В. В. Проблемы моделирования радиационных повреждений в кристаллах // УФН.- 1976.- 118, вып. 1, — С. 3−51.
  292. Catlow C.R.A., Diller К.М. Hobbs L.W. Interionic potentials for alkali hal-ides // J. Phys. C, Sol Stat. Phys.- 1977, — V.10, № 9.- P. 1397−1412.
  293. Catlow C.R.A., Diller K.M., Hobbs L.W. Irradiation-induced defects in alkali halide crystals // Philosphical Magazine A.- 1980.- V. 42, № 2.- P. 123−150.
  294. H.H. Теория примесных центров малого радиуса в ионных кристаллах.- М.: Наука, 1974.- 336 с.
  295. А.Ч., Лущик Н. Е., Фрорип А. Г. Создание и отжиг изолированных пар френкелевских дефектов // ФТТ, — 1984, — Т. 26, № 9.- С. 2829−2834.
  296. Nishimura Н., Kubota Т., Tomura М. Intrinsic Luminescence and exciton diffusion in NaJ crystals // J. Phys. Soc. Japan.- 1977.- V. 42, № 1.- P. 175−183.
  297. Lisitsyn V.M., Korepanov V.I., Yakovlev V.Yu. The use of lasers in the investigation of radiation-induced processes in the ionic crystals // Proceeding SPIE.-1995,-V. 2619.-P. 264−269.
  298. Delbecq C, Hutchinson E., Schoemaker D. e. a. ESR and optical-absorption study of the Vt in KCkNaCl // Phys. Rev. 1969, — V. 187, № 6, — P. 1103—1119.
  299. Schoemaker D. Electron-Paramagnetic-Resonance study of the structure and motions of HAA and HAA center in Na± and Li+ doped KC1 // Phys. Rev. В.- 1971.-V.3, N2,-P. 3516−3531.
  300. В. Я., Бауманис Э. А. Структура НА- У1(-полосы поглощения и фотохимические реакции в рентгенизованных кристаллах KBr-Na // Учен, зап. Латв. ун-та, — 1975.- Т. 245, № 4.- С.82—98.
  301. Schoemaker D. Interstitial centres: optical absorption and magnetic resonance // defects and their struct, nonmetal solids. New York-London, 1976.-P. 173−202.
  302. В. M., Малышев А. А., Яковлев В. Ю. // Всес. совещ. по радиационной физике и химии ионных кристаллов.- Рига, 1983.- С. 155—156.
  303. В. Я., Брауманис Э. А. Рекомбинационные механизмы генерации и терморазрушения V4- центров в кристаллах КВг // Уч. зап. Латв. ун-та.- 1976.- Т. 254, № 5.- С. 101—128.
  304. А. К. Вг3"-центры в кристаллах КВг с примесями Li+ и Na+ // Тр. ИФАНЭССР,-1981,-Т. 52,-С. 121−137.
  305. Шункеев Н. ILL, Гиндина Р. И., Плоом Л. А. Создание и разрушение С13~-центров и катионные дефекты в кристалла KCl-Na // Тр. ИФАН ЭССР.-1981.- Т. 52, — С. 101- 120- Шункеев Н. Ш, Гиндина Р. И., Плоом Л. А. // Тр. ИФАН ЭССР.- 1980, — Т. 51.- С. 143—162.
  306. В.И., Вильчинская С.С, Лисицын В. М., Кузнецов М. Ф. Като-доюминесценция димеров йода в кристаллах КС1. Т // Оптика и спектроскопия, — 2005.- Т. 98, № 3, — С. 442−445.
  307. В.И., Лисицын В. М., Олешко В. И. Применение сильноточных электронных пучков наносекундной длительности для контроля параметров твердых тел // Изв. вузов, — 2000.- Т. 43, № 3.- С. 22−30.
  308. В.В., Осипов В. В., Соломонов В. И. Люминесценция минералов под действием мощных наносекундных электронных пучков // Геофизика. Журнал Евро-Азиатского геофиз. общества.- 1994, — № 6. С. 37−46.
  309. С.Г., Осипов В. В., Соломонов В. И. Импульсно-периодическая катодолюминесценция минералов // ЖТФ, — 1993.- Т. 63, № 2.- С. 52−64.
  310. В.М., Корепанов В. И., Полисадова Е. Ф. Люминесценция минералов при импульсном электронном возбуждении.// Тезисы лекций и докладов 5-ой всероссийской школы- семинара «Люминесценция и сопутствующие явления».- Иркутск, 1999, с. 20−22.
  311. В.И., Лисицын В. М., Полисадова Е. Ф. Импульсный катодо-люминесцентный анализ материалов и веществ // Светотехника, — 1999.- № 6.-с. 13−15.
  312. В.М., Корепанов В. И., Олешко В. И. Импульсный катодолюми-несцентный анализ//Физика твердого тела: Материалы VII Международной конференции.- Усть-Каменогорск: ВКГТУ, 2002.- С. 316−317.
  313. В.И., Лисицын В. М., Олешко В. И., Ципилев В. П. Импульсная катодолюминесценция азидов тяжелых металлов // ПЖТФ.- 2002.- том 28, вып. 24, — С. 48 52.
  314. Polisadova Е. F., Korepanov V.l., Lisitsyn V.M. Application of High Current Electron Beams for Luminescence Analysis // Proceedings of the 7-th International Conference on Electron Beam Technologies (Varna 2−5 June 2003).- Sofia, 2003 -P. 536−537.
  315. Патент 2 231 774 РФ, (51)МПК7 G 01 N 21/62. Способ спектрального люминесцентного анализа // Корепанов В. И., Лисицын В. М., Лисицына Л. А., Олешко В. И., Полисадова Е. Ф. Заявл.26.12.2002, опубл. 27.06.2004 Бюл. № 18.
  316. H.H., Макагон В. М., Жукова А. И. Влияние геохимическихфакторов на образование люминогенов в калиевом полевом шпате из редко-металльных пегматитов//Геохимия.- 1996.-№ 12. С. 1202−1209.
  317. Е.Ф., Олешко В. И., Корепанов В. И., Лисицын В. М. Импульсная катодолюминесценция полевых шпатов // Труды 12-й Междунар. конф. по радиационной физике и химии неорганических материалов (сентябрь 23−27, 2003).- Томск, 2003.- С. 408−413.
  318. В.И., Полисадова Е. Ф. и др. Импульсная катодолюминесценция полевых шпатов. // Тезисы докладов 2-ой международной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». -Томск ТПУ, 2000.- С. 131−132.
  319. Г. В., Таращан А. Н. Люминесценция минералов гранитных пегматитов.- Киев: Наукова думка, 1988.- 178 с.
  320. Gotze J. Cathodoluminescence microscopy and applied mineralogy. Freiberg: TU Bergakademie, 2000.- 128 p.
  321. Petrov I., Yude F., Bershov L.V., Hafner S.S., Kroll H. Order-disorderof Fe3"'" ions over the tetrahedral position in albite // Amer. Miner.- 1989.- V. 74, — P. 604 609.
  322. Petrov I., Mineeva R.M., Bershov L.V., Agel A. EPR of Pb-Pb.3"'" mixced valence pairs in amazonite type microcline // Amer. Miner- 1993. V.- 78. P. 500−510.
  323. А.Н. Люминесценция минералов.- Киев: Наукова думка, 1978.296 с.
  324. В.М., Корепанов В. И., Кузнецов М. Ф., Полисадова Е. Ф., Полу-эктова Т.И., Баженов А. И. Люминесценция кальцитов при импульсном электронном возбуждении//ЗВМО.- 2001.- № 1. С. 114−118.
  325. Е.Ф., Корепанов В. И. Люминесценция ионов Мп2+ в исландском шпате. // Тезисы лекций и докладов VI Всероссийской школы-семинара «Люминесценция и сопутствующие явления». Иркутск. — 2000.- С. 63.
  326. В.И., Кузнецов М. Ф., Полисадова Е. Ф. и др. Импульсная катодолюминесценция кальцитов. Материалы 10-ой международной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов, — Томск, ИПФ ТПУ, 1999,-С. 198−200.
  327. В.Г., Таращан А. Н. Конституция и свойства минералов, — Киев: Наукова думка, 1979.- ып. 13. С. 106.
  328. Б. С. Рогожин А.А. Спектры люминесценции минералов. Справочник.- М.: Издательство ВИМС, 2001.-312 с.
  329. В.Г., Таращан А. Н. // Кристаллохимия и спектроскопия минералов. Киев: Наукова думка, 1984.- С. 69.
  330. Ч., Лущик А., Кярнер Т., Кирм М., Долгов С. Релаксация, автолокализация и распад электронных возбуждений в широкощелевых оксидах // Изв. вузов. Физика.- 2000.- Т.43, № 3.- С. 5−16.
  331. Г. В., Таращан А. Н. Люминесценция минералов гранитных пегматитов.- Киев: Наукова думка, 1988.- 178 с.
  332. А.Н., Плаудис А. Э. Исследование собственной люминесценции Si02// ФТТ.- 1979.- Т. 21, № 4.-С. 1109−1113.
  333. .П., Лисицын В. М., Степанчук В. Н. Поглощение и люминесценция кристаллического кварца при наносекундном облучении электронами // ФТТ, — 1981.- Т. 23, № 2.- С. 393−396.
  334. .С., Гафт М. Л., Подольский A.M. Люминесценция минералов и руд,— М.: ИПК, Мингео, 1989, — 35 с
  335. .К., Фриукин В. М., Инденбом В. Л. Современная кристаллография (в 4-х томах).- М.: Наука, 1979.
  336. В.М., Барсанов Г. П. Типы и механизмы образования радиационных дефектов в карбонатах // Вестник Моск. ун-та. Сер. 4. Геология.-1974,-№ 4,-С. 44−51.
  337. В.И., Полисадова Е. Ф. Первичные дефекты в СаС03 при облучении электронами // Труды третьей международной конференции «Радиационные термические эффекты и процессы в неорганических материалах». -Томск, 2002.-С. 290−291.
  338. Л.В., Самойлович М. И. О природе розовой окраски кальцита. // Записки минералогического общества.- 1968.- Ч. 97, вып. 3, С. 357−360.
  339. Kolbe W.F., Smakula A. Anisotropy of Color Centers in Calcite // Phys. Rev.-1964, — V. 124, N6.-P. 1754−1757.
  340. Е.И. Радиационные дефекты в кристаллах кальцита // ФТТ.-1976,-Т.- 18, № 10.-С. 3142−3144.
  341. Е.В., Матвеева О. П., Скропышев А. В. Наведенное поглощение кристаллов исландского шпата при ультрафиолетовом облучении // Журнал прикл. спектр, — 1982, — Т. 36, N5.- С.803−805.
  342. Cunningham J. Luminescence from Calcite Single Crystals Irradiated at 4.2 К // Phys. Chem.- 1967.- V. 3.- P. 467−474.
  343. B.M., Барсанов Г. П. Природа розовой окраски кальцита // Вестник моек, ун-та. Сер. 4. Геология.- 1973.- № 2. С. 115−117.
  344. Ovenall D.W., Whiffen D.H. Electron spin resonance and structure of the C02"radical ion // Molec. Phys.- 1961, — V. 4, № 2, — P. 135−144.
  345. Serway R. A, Chan S.S.L., Marshall S.A. Temperature dependence of hyper-fine structure splittings of molecule ions in single crystal calcite // Phys. Status Solidi (b).- 1973.- V. 57, № 1.- P. 269−276.
  346. Serway R. A, Marshall S.A. Electron spin resonance absorption spectrum of orthorhombic C03″ molecule ions in irradiated single crystal calcite // J. Chem. Phys.- 1967, — V. 47, № 2.- P. 868−869.
  347. Serway R.A., Marchall S.A. Electron Spin Resonance absorption Spectra ofо
  348. C03″ and C03 «Molecul Ions in Irradiated Single Crystall Calcite // J.Chem. phys. -1967.- V. 46,-P. 1949−1951.
  349. М.Ш. Исследование природы центров окраски в оптических кристаллах кальцита. Автореферат дис-ции на соиск. степени к.ф.-м.н.-Томск: Томский политехнический университет, 1981.- 24 с.
  350. Л.В., Минеева P.M. Сверхтонкое взаимодействие РЬ3+ в кальците // ФТТ, — 1969, — Т. 11, вып. 3, — С. 803−804.
  351. К.С. Ультрафиолетовая фотолюминесценция оптического кальцита // Физические процессы в твердых телах. -Караганда: Изд. КарГУ, 1994.-С. 3−15.
  352. O.A., Куприяноав И. И., Таращан А. Н. Окраска и люминесценция флюорита критерий разбраковки грейзеновой минерализации берилия// Минералогический журнал.- 1986.- № 5.- С. 28−38.
  353. М.Л., Горобец Б. С., Наумова И. С. и др. Связь люминесцентных свойств с кристаллохимическими особенностями минералов марганца // Минерал. Журнал.-1981.- Т. 3, № 2.- С. 80−90.
  354. Минералогическая энциклопедия // Под ред. К. Фрея: пер. с англ.- Л: Недра, 1985, — 512 с.
  355. Типоморфизм минералов: Справочник // под ред. Л. В. Чернышевой.- М: Недра, 1989.- 560 с.
  356. Arizuki М., Hampar М.С., Zussraan J. An explanation f anomalous optical properties of topas // Miner. Mag.- 1979, — Vol. 43, № 326, — P. 237−241.
  357. А.И. Породообразующие силикаты: оптические спектры, кристаллохимия, закономерности окраски, типоморфизм.- Казань: изд-во Казан, ун-та, 1985.- 192 с.
  358. O.A., Коровкин М. В. Применение люминесцентных свойств топаза для решения геологоразведочных задач // Изв. ТПУ.- Т. 309, вып. 1,-2001.-С. 85−92.
  359. Е. К., Павлишин В. И., Латыш В. Т., Сорокин Ю. Г. Минералогия и генезис камерных пегматитов Волыни.- Львов: Вища школа, 1973.- 360 с.
  360. В.Г., Киевленко Е. Я., Никольская Л. В., Самойлович М. И. Минералогия и кристаллофизика ювелирных разновидностей кремнезема // М.: Недра, 1979.- 149 с.
  361. Руб. А. К. Типоморфные особенности минералов спутников танталового и оловянного оруденения.- М: Недра, 1980.
  362. Azorin N.J., Salvi R.P.C., Gutiemrez С.А. Some minerals as TL dosimeters // Health Physics.- 1982.- V.43, № 4, — P. 590−595
  363. Moss A.L., Mc. Klveen J.W. Termoluminescent properties of topaz // Health Physics.- 1978,-V.34.-P. 137−140.
  364. A.H., Таран M.H., Балицкий B.C. Природа окраски самоцветов.- М.: Недра, 1984.- 196 с.
  365. А.Н. Природа окраски минералов.- Киев: Наукова думка, 1976.- 264 с.
  366. H.H., Нартова О. Ю., Дидык А. Ю., Крылова Г. И. Воздействие ионизирующих излучений на природный топаз // Перспективные материалы, 1998.-№ 6.- С. 71−75.
  367. Rossman Goorge R. Irradiation of colored genstones // Int. Gemol. Symp. Prbc.- Santa Monica: New York, 1982, — P 91−99.
  368. Schmetzer K. Farbung und Best-rahlungschaden in elektronenbestrahlten blauen Topasen // Z. dtsch. gemmol. Ges.- 1986.- 35. № 1−2, — 27−38
  369. A.H., Беличенко В. П. Окраска и термолюминесценция волынских топазов // Минерал, сб. Льв. ун-та.- 1964.-Вып. 4, № 18.- С.412−421.
  370. М.В., Иванова O.A., Полисадова Е. Ф., Корепанов В. И. Люминесцентные свойства природных кристаллов топаза // Изв. ТПУ.- 2003.- Т. 306, № 1.- С. 50−58.
  371. Е.Ф., Корепанов В. И., Коровкин М. В. Радиационно-индуцированная люминесценция в кристаллах топаза// Труды третьей международной конференции «Радиационные термические эффекты и процессы в неорганических материалах».- Томск, 2002.- С. 318−320.
  372. Polisadova E.F., Korepanov V.I., Korovkin M.V. Pulsed cathodolumines-cence in topaz crystals // III Ural Workshop on Advantaged Scintillation and Storage Optical Materials. Abstracts.- Ekaterinburg: USTU-UPI, 2002, — C. 37.
  373. Korepanov V.I., Korovkin V.M., Polisadova E.F. Pulsed catodoluminescence in topaz crystals. // Abstracts «Catodoluminescence in Geosciences».- Freiberg, Germany, 2001.-P. 69−70.
  374. Ogorodnikov I. N, Kirm М., Pustovarov V.A., Cheremnykh V.S. A time-resolved VUV- spectroscopy study of self-trapped excitons in hydrogen bonded non-linear optical crystals // Book of abstracts International conference VUVS 2005,-Irkutsk, 2005,-P. 35.
  375. Л.В., Салецкий A.M. Люминесценция и её измерения.- М: Изд. МГУ, 1989.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!