Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Новая многокомпонентная полупроводниковая система InSb-CdTe. Ее поверхностные физико-химические свойства

Диссертация: Новая многокомпонентная полупроводниковая система InSb-CdTe. Ее поверхностные физико-химические свойства
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Твердые растворы системы 1п8Ь-СсГГе являются весьма перспективными и в будущем найдут широкое применение в различных областях науки и техники. Ее бинарные компоненты уже сегодня используются в современной технике. 1п8Ь-полупроводниковый материал для оптоэлектроники, фотоприемников ИК-излучения, датчиков эффекта Холла, усилителей электрической мощности. СсГГе-полупроводниковый материал для… Читать ещё >

Новая многокомпонентная полупроводниковая система InSb-CdTe. Ее поверхностные физико-химические свойства (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава1. Литературный обзор
    • 1. 1. Физико-химические свойства ГпБЬ и Сс1Те
      • 1. 1. 1. Методы получения 1пБЬ и Сс1Те
      • 1. 1. 2. Кристаллохимические свойства 1п8Ь и С (!Те
      • 1. 1. 3. Оптические свойства 1п8Ь и Сс1Те
      • 1. 1. 4. Электрические свойства
      • 1. 1. 5. Влияние нагревания на физические свойства 1п8Ь и Сс1Те
    • 1. 2. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников
      • 1. 2. 1. Фундаментальные свойства поверхности полупроводников
      • 1. 2. 2. Физико-химическое состояние поверхности
      • 1. 2. 3. Адсорбционные и каталитические свойства
    • 1. 3. Влияние у-облучения на поверхностные свойства полупроводников
      • 1. 3. 1. Образование радиационных дефектов под воздействием у-облучения
      • 1. 3. 2. Стабильность радиационных дефектов в соединениях А3В
      • 1. 3. 3. Возникновение ориентационных эффектов при у-облучении соединений типа А3В
      • 1. 3. 4. Влияние у-облучения на свойства СсПГе
    • 1. 4. Общая характеристика твердых растворов на основе соединений А*В5 и А2В
    • 1. 5. Характеристика системы 1п8Ь-С (1Те
      • 1. 5. 1. Область существания твердых растворов 1п8Ь-С (1Те
      • 1. 5. 2. Методы получения твердых растворов (1п8Ь)1х- (Сс1Те)х
    • 1. 6. Физико-химические свойства системы 1п8Ь- Сс1Те
      • 1. 6. 1. Кристаллохимические свойства твердых растворов системы 1п8Ь-С (1Те
      • 1. 6. 2. Электрические свойства системы 1п8Ь — Сс1Те
      • 1. 6. 3. Магнитные свойства твердых растворов 1п8Ь-Сс1Те
      • 1. 6. 4. Оптические свойства твердых растворов 1п8Ь-Сс1Те
    • 1. 7. Получение тонких пленок полупроводников типа А3В5,
  • А2В6 и их твердых растворов
    • 1. 8. Полупроводниковые сенсоры- датчики для газового анализа
    • 1. 9. Каталитическое обезвреживание отходящих газов от оксида азота (IV) и оксида углерода (II)
  • Глава 2. Экспериментальная часть
    • 2. 1. Исследуемые объекты и способы их получения
      • 2. 1. 1. Получение твердых растворов в виде порошков
      • 2. 1. 2. Получение тонких пленок
    • 2. 2. Рентгенографическое исследование полученных образцов и установление их структуры
    • 2. 3. Термогравиметрический анализ
    • 2. 4. Определение ширины запрещенной зоны
    • 2. 5. Гамма-облучение образцов
    • 2. 6. Исследование кислотно-основных свойств
      • 2. 6. 1. Определение рН- изоэлектрического состояния
      • 2. 6. 2. Исследование кислотно-основных свойств методом механохи-мии
      • 2. 6. 3. Кондуктометрическое неводное титрование
    • 2. 7. Исследование адсорбционных свойств
    • 2. 8. Исследование каталитической активности
      • 2. 8. 1. Проточный метод
      • 2. 8. 2. Проточно-циркуляционный метод
    • 2. 9. Получение газов
  • Глава 3. Результаты эксперимента
    • 3. 1. Идентификация твердых растворов
      • 3. 1. 1. Идентификация твердых растворов рентгенографическим методом
      • 3. 1. 2. Определение ширины запрещенной зоны
      • 3. 1. 3. Термографический анализ
      • 3. 1. 4. Удельная электропроводность компонентов системы МЬ-СсГГе
    • 3. 2. ИК-спектроскопическое исследование поверхности компонентов системы 1п8Ь-Сс1Те
    • 3. 3. Кислотно-основные свойства
      • 3. 3. 1. Водородный показатель изоэлектрического состояния поверхности
      • 3. 3. 2. Механохимические исследования
      • 3. 3. 3. Кондуктометрическое титрование
    • 3. 4. Адсорбционные свойства компонентов 1п8Ь-С (1Те
      • 3. 4. 1. Адсорбция N02 на Сс1Те и твердых растворов на его основе
      • 3. 4. 2. Адсорбция N02, NN3 и их смеси на теллуриде кадмия
      • 3. 4. 3. Адсорбция СО, 02 и смеси СО и Огна теллуриде кадмия
    • 3. 5. Каталитические свойства компонентов системы 1п8Ь-Сс1Те
      • 3. 5. 1. Каталитические свойства CdTe и (InSb)o, os-(CdTe)o, в реакции окисления СО
      • 3. 5. 2. Каталитические свойства компонентов системы по отношению к реакции селективного восстановления оксида азота (IV) аммиаком
  • Глава 4. Обсуждение результатов
    • 4. 1. Химическое состояние и кислотно-основные свойства поверхности компонентов системы InSb-CdTe
    • 4. 2. Адсорбционные свойства компонентов системы InSb-CdTe по отношению к NO
    • 4. 3. Исследования каталитических свойств
      • 4. 3. 1. Реакция селективного восстановления оксида азота (IV) аммиаком
      • 4. 3. 2. Каталитическое окисление оксида углерода (И)
    • 4. 4. Основные закономерности изменения кислотно-основных, адсорбционных и каталитических свойств от состава системы
  • Выводы

Развитие полупроводниковой техники предъявляет все новые требования к полупроводниковым материалам. Поэтому задачей химии полупроводников является получение новых систем на основе традиционных бинарных соединений, которые, обладая свойствами исходных веществ, давали бы новые качества, возможно, заранее программируемые. К таким системам следует отнести полупроводниковые твердые растворы. При сохранении на твердых растворах основных механизмов и закономерностей адсорбционных и каталитических процессов, типичных для бинарных полупроводников, отмечаются и специфические особенности их поведения [1, 2, 80].

Твердые растворы системы 1п8Ь-СсГГе являются весьма перспективными и в будущем найдут широкое применение в различных областях науки и техники. Ее бинарные компоненты уже сегодня используются в современной технике. 1п8Ь-полупроводниковый материал для оптоэлектроники, фотоприемников ИК-излучения, датчиков эффекта Холла, усилителей электрической мощности. СсГГе-полупроводниковый материал для источников и приемников ИК-излучения, термоэлектрических генераторов и детекторов рентгеновского излучения.

Актуальность темы

обусловлена как практической неизученностью поверхностных свойств твердых растворов системы 1п8Ь-СёТе, что значительно затрудняет их эффективное использование, так и необходимостью создания новых материалов для экологического контроля и обезвреживания.

Информация о химическом состоянии, кислотно-основных, адсорбционных и каталитических свойствах поверхности выбранной системы, о возможностях их регулирования является необходимой при создании сенсоров-датчиков экологического назначения, а также при поиске новых катализаторов.

Цель работы. Получить и идентифицировать твердые растворы системы.

1п8Ь-Сс1Те, изучить важнейшие физико-химические свойства поверхности, установить закономерности их изменения в зависимости от условий и состава, взаимосвязь между закономерностями и сделать заключение о возможности практического применения полученных результатов с точки зрения экологического контроля и обезвреживания.

В соответствии с целью в ходе выполнения диссертационной работы были поставлены следующие задачи:

1. Получить твердые растворы системы 1п8Ь-Сс1Те в виде порошков и тонких пленок и идентифицировать их на основе структурных, термографических, электрофизических и оптических исследований.

2. Исследовать химический состав, кислотно-основные, адсорбционные и каталитические свойства поверхности полученных образцов.

3. Сделать заключение о природе активных центров и механизме взаимодействия поверхности с N02, СО — токсичными компонентами газовых выбросов и участниками каталитических реакций.

4. Установить закономерности изменения кислотно-основных, адсорбционных, каталитических свойств и взаимосвязь их между ними.

5. Определить возможности использования полученных материалов в качестве первичных преобразователей для газового анализа и обезвреживания указанных токсичных компонентов.

Научная новизна работы.

1. Впервые получены твердые растворы системы 1п8Ь-Сс1Те в области растворимости 1пБЬ в Сс1Те в форме порошков и для всего интервала растворимости бинарных компонентов друг в друге в форме тонких пленок.

2. Изучены структурные, оптические и электрофизические свойства полученных образцов. Показано, что порошки и пленки компонентов системы имеют структуру сфалерита.

3. Впервые выполнены исследования физико-химических свойств поверхности компонентов данной системы:

— химический состав и кислотно-основные свойства;

— адсорбционные свойства по отношению к N02, NN3, СО — компонентам технологических газовых выбросов и выбранных каталитических реакций при их индивидуальном и совместном проявлениях;

— каталитические свойства в реакциях окисления СО и селективного восстановления N02 аммиаком.

4. Подтвержден механизм и установлены закономерности адсорбционного взаимодействия в зависимости от условий и от состава системы.

5. Подтвержден механизм изученных каталитических реакций с привлечением исследований индивидуальной и совместной адсорбции соответствующих реагентов.

6. Найдена взаимосвязь между закономерностями в изменении с составом исследуемой системы кислотно-основных, адсорбционных и каталитических свойств;

7. На основе полученных диаграмм «свойство-состав» и корреляций между ними показана возможность использования компонентов системы для экологического контроля и обезвреживания, которая реализована в лабораторном практикуме по дисциплине «Экология и катализ».

Защищаемые положения.

1. Результаты идентификации и исследования структуры, химического состава, кислотно-основных, адсорбционных и каталитических свойств поверхности системы ГпБЬ-СсГГе.

2.

Заключение

о природе активных центров, в качестве которых выступают координационно-ненасыщенные поверхностные атомы и вакансионные дефекты, изменяющие свои функциональные способности под влиянием координационного окружения в многокомпонентных системах типа «твердые растворы» и о закономерностях изученных поверхностных процессов.

3. Общность и специфичность в поведении твердых растворов по сравнению с бинарными полупроводниками, проявляющаяся во взаимном влиянии компонентов системы и, соответственно, в наличии экстремальных эффектов на диаграммах «свойство — состав». Параллелизм основных опытных зависимостей кислотно-основных, адсорбционных и каталитических свойств, что подтверждает единую природу активных центров.

Рекомендации по созданию на основе полученных новых материалов активных элементов сенсоров-датчиков на микропримеси N02 и использования их для экологического контроля и защиты.

Практическая значимость работы Предложены методы синтеза твердых растворов в пленочном и порошкообразном состояниях.

Найдены режимы термовакуумной обработки пленочных бинарных компонентов и твердых растворов, обеспечивающие упорядочение кристаллической структуры.

Показана возможность использования полученных диаграмм «свойство-состав» для выявления активных адсорбентов и соответственно оптимальных первичных преобразователей и активных катализаторов. Найдены твердые растворы с повышенной чувствительностью к N02 ((1п8Ь)о, оз-(С (1Те)о, 97) и повышенной каталитической активностью в реакциях селективного восстановления оксида азота (IV) аммиаком ((1п8Ь)о, оз-(Сс1Те)о, 97) и окисления СО ((1п8Ь)о, о5-(Сс1Те)о, 95). Даны практические рекомендации по их применению как активных элементов сенсоров-датчиков на микропримеси N02 и модельных катализаторов обезвреживания N02 и СО.

Выводы.

1. Синтезированы твердые растворы системы 1п8Ь-Сс1Те в пленочном и порошкообразном состояниях. На основе рентгенографических, термографических, оптических и электрофизических исследований установлено образование твердых растворов замещения в исследуемых областях концентраций.

2. На основе измерений рН-изосостояния, механохимических, кондуктомет-рических и ИК-спектроскопических исследований дана оценка кислотно-основных свойств поверхности компонентов системы 1п8Ь-СсПГе.

— На исходной поверхности присутствует несколько типов кислотных центров: Льюиса (электронно-акцепторные) и Бренстеда (адсорбированные молекулы Н20, С02 и группы ОН").

— В ряду 1пБЬ — (1п8Ь)о, ог (Сс1Те)о, 99 — (1п8Ь)о, оз-(Сс1Те)о, 97 — (1п8Ь)о, о4-(Сс1Те)о, 9б -(1п8Ь)о, о5-(Сс1Те)о, 95 — Сс1Те кислотность поверхности нарастает (рН-изо СсГГе = 7,34, рН-изо 1п8Ь = 6,67) через максимум для твердого раствора (1п8Ь)о, оз-(Сс1Те)о, 97 (рН-изо = 7,60).

— Под влиянием газов кислотность изменяется неодинаково: в Ы02 растет, в ТчГНз падает. При у-облучении на поверхности накапливаются кислотные центры Льюиса.

3. Установлены температурные области протекания индивидуальной химической адсорбции, которая характеризуется соответствующими теплотами (716 кДж/моль) и энергиями активации (43−80 кДж/моль). При адсорбции смеси С0+02 наибольшую активность проявляет СОпри адсорбции смеси >Ю2 + ЫН3 — Ш2.

По данным исследований индивидуальной и совместной адсорбции газовых компонентов предварительно определены наиболее оптимальные температурные условия протекания каталитических реакций окисления СО и восстановления И02.

4. На основе выполненных исследований и ранее полученных (для СсГГе и подобных соединений) результатов кислотно-основных и адсорбционных свойств сделано заключение о природе активных центров адсорбции. В роли первичных активных центров по отношению к изученным газам преимущественно выступают координационно-ненасыщенные атомы.

5. Прямые каталитические исследования свойств компонентов системы ГпБЬ-СёТе по отношению к реакциям окисления СО и селективного восстановления оксида азота (IV) аммиаком позволили установить:

— температурные области каталитического превращения практически совпадают с температурными областями адсорбционного химического взаимодействия газов, определенных на основе исследований индивидуальной и совместной адсорбции;

— реакции протекают преимущественно по ударному механизму;

— с изменением состава системы каталитическая активность ее компонентов в реакции восстановления N02 изменяется экстремально. Наибольшая степень превращения данного газа — 96% наблюдается при 300 К на твердом растворе (1п8Ь)0,оз-(Сс1Те)о, 97.

— при переходе от Сс1Те к твердому раствору (1п8Ь)о, о5-(Сс1Те)о, 95 степень превращения СО повышается от 38 до 82% уже при 383 К.

6. Установлены закономерности в изменении кислотно-основных, адсорбционных и каталитических свойств в зависимости от внешних условии и от состава системы, а также найдена параллельная взаимосвязь между этими закономерностями.

7. Показана возможность использования корреляций между диаграммами «свойство-состав» для поиска новых материалов — первичных преобразователей сенсоров датчиков и катализаторов.

8. Твердый раствор состава (1п8Ь)о, оз-(Сс1Те)о, 97 рекомендован в качестве материала для изготовления сенсоров-датчиков на N02 и модельного катализатора его обезвреживания. По отношению к СО такую функцию может выполнять твердый раствор (1п8Ь)о, о5-(Сс1Те)о, 95 • Рекомендованные новые материалы прошли лабораторные испытания и используются в учебном процессе.

Показать весь текст

Список литературы

  1. И.А. Истоки, задачи и перспективы исследований поверхности алмазоподобных полупроводников// Омский научный вестник, 1999. Вып. 9. С. 43−44.
  2. И.А. Методология исследований физико-химических свойств поверхности алмазоподобных полупроводников и основные направления практических разработок // Омский научный вестник, 2001. вып. 14. С. 66−68.
  3. Ю.В., Мартовицкий В. П., Медведев С. А. Особенности дефектной структуры текстурированных слитков нелегированного CdTe, выращенных свободным ростом из газодинамического потока паров // ФТП, 2003. Т. 37. Вып. 2. С. 129−133.
  4. В.М., Чижевская С. Н., Глаголева H.H. Жидкие полупроводники. — М.: Наука, 1967.-е. 6.
  5. Н.Х. и др. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства. М.: Наука, 1967. — с. 5.
  6. В. Физика и химия соединений А2В6. М.: Мир, 1970. — 173 с.
  7. С.Н. Введение в технологию полупроводниковых материалов. — М.: Высш. школа, 1970. с. 247−466.
  8. Физико-химические свойства полупроводников. Справочник. — М.: Наука, 1979.-220с.
  9. Ю.М., Чудаков B.C., Каневский В. М. и др. Получение однородных монокристаллов теллурида кадмия // Поверхность, 2001. № 10. с.65−68.
  10. В.Ф., Ильчек Г. А., Рудь Ю. В., Степанов А. Ю. Фотолюминисцен-ция ZnTe и CdTe, выращенных с применением транспортирующих газов, содержащих галогены. // ФТТ, 2002. т. 44. вып. 12. с. 2117−2119.
  11. И.А., Мигаль В. П. Обобщенный характер диэлектрического отклика кристаллов CdTe, выращенных из расплава. // ФТП, 2002. т. 36. вып. 4. с. 397−400.
  12. А.И., Галкина Т. И., Клоков А. Ю., Клевков Ю. В. Распостранение неравновесных фононов в высокочистом CdTe. // ФТТ, 2003. т. 45. вып. 1. с. 156−159.
  13. Я.А. Введение в химию полупроводников. М.: Высш. школа, 1975. -320 с.
  14. Н.С., Юрова Е. С., Каратаев В. В. Связь неоднородности электрофизических параметров полупроводников с неоднородностью распределе-распределения примеси. //ФТП, 1980. т. 14. № 10. с. 1979−1984.
  15. Е.С., Аронов А. Ш., Юрьева И. М. и др. Потенциальный однозон-довый метод измерения неоднородности антимонида индия и арсенида индия. // Завод, лаб., 1979. № 45. с 344−347.
  16. М.Р., Миргаловская М. С. Об однородности антимонида индия с эффектом грани. // Изв. АН СССР. Неорг. матер., 1968. т.4. № И. с. 19 571 961.
  17. Е.С., Ивлева B.C., Селянина В. И. и др. Объемное распределение неоднородности электрических свойств в нелегированном антимониде индия. //Изв. АН СССР. Неорг. матер., 1981. т. 17. № 9. с. 1545−1549.
  18. Т.И., Кеворков М. Н., Попков А. Н. и др. Неоднородность антимонида индия, легированного теллуром, германием, кремнием и кадмием. // Изв. АН СССР. Неорг. матер., 1985. т. 21. № 12. с. 2080−2081.
  19. Н.С., Юрова Е. С., Кеворков М. Н. и др. О природе формирования неоднородности в антимониде индия. // ФТП, 1985. т. 19. № 8. с. 1585−1588.
  20. B.C., Раухман М. Р., Арсентьев И. М., Юрова Е. С. Монокристаллы антимонида индия, выращенные методом Чохральского в магнитных полях. // Неорг. матер., 1994. т. 30. № 4. с. 460−466.
  21. Scharma R.C., Ngai T.L., Chang J.A. The In-Sb System // Bull. Alloy Phase Diagrams, 1989. v. 10. № 6. p. 657−664.
  22. Hall R.N. Solubility of Column III Liquids //J. Elektrochem. Soc, 1963. v. l 10. № 5. p. 385−388.
  23. В.И., Гейдерих В. А., Герасимов Я. И. Термодинамические свойства сплавов In с InSb // Журнал физ. химии, 1983. т. 57.№ U.c. 2708−2710.
  24. De Winter J. С., Pollack M.A. Liquidus Measurement of In Rich InSb Solutions in the 300−525 °C Range // J. Appl. Phys. 1988. v. 63. № 9. p. 4774−4775.
  25. Т. В., Бублик Т. В., Морозов А. Н. Структурный тип преобладающих собственных точечных дефектов и область гомогенности InSb // Изв. АН СССР. Неорг. матер., 1988. т. 24. № 1. с. 15−18.
  26. В.М., Петров Д. А. О термической устойчивости антимонидов алюминия, галлия и индия в жидком состоянии // Изв. АН СССР. Отделение техн. наук, 1957. № 4. с. 125−129.
  27. Ju S.C., Spain J.L., Skelton E.F. Polymorphism and Crystfk Structures of InSb at Elevated Temperature and Pressure // J. Appl. Phys. 1978. v. 49. № 9. p. 47 414 745.
  28. A.M., Чарыков H.A. Новый термодинамический метод расчета фазовых диаграмм двойных и тройных систем, содержащих In, Ga, Ar, Sb // Изв. АН СССР. Неорг. матер., 1991. т. 27. № 2. с. 225−230.
  29. И.А., Шелимова Л. Е., Косяков В. И., Шестаков В. А. Критическая оценка и согласование данных по диаграмме состояния системы In — Sb // Неорг. матер., 1994. т. 30. № 4. с. 467−473.
  30. В.М., Павлова Л. М. Оценка степени диссоциации конгруэнтно плавящихся соединений в приближении регулярных растворов с учетом тем-пературно-концентационной зависимости энергии смешения // Журнал физ. химии, 1976. т. 50. № 11. с. 2764−2768.
  31. В.Д., Раухман М. Р., Боровик В. И. и др. Построение диараммы состояния системы In -Sb по предкристаллизационным охлаждениям // Изв. РАН. Металлы, 1992. № 6. с. 184−195.
  32. С.А. Введение в технологию полупроводниковых материалов. — М.: Высш. школа, 1970.-279 с.
  33. Pearson W.B. A Hadbook of Lattice Spacings and Structures of Metals and Alloys. N.Y.: Pergamon Press, 1967. v. 2. 1446 p.
  34. Smith P.L., Martin J.E. Structure of the High-Pressure Phase of Indium Antimonide // Nature, 1962. № 24. p. 763.
  35. Banus M.D., Lavine M.C. The P T Phase Diagram of InSb at High Temperatures and Pressures//J. Appl. Phys, 1969. v. 20. № 1. p. 409−413.
  36. О. Физика полупроводниковых соединений III и V групп / Под ред. Б. И. Болтако. Пер. с англ. М.: Мир, 1967. — 477 с.
  37. Jayaraman A., Newton R.C., Kennediy G.C.//Nature, 1961. v. 191. p. 1288.
  38. A.B., Бродовой B.A., Кнорозок JI.M. Аномальные магнитные свойства твердых растворов (InSb)!.x-(CdTe)x // ФТП, 1997. т. 31. № 9. с. 1052−1054.
  39. И.Х., Иванов Ю. М., Зорин А. В. Проблема полиморфных переходов в CdTe. // Поверхность, 2001. № 10. с. 82−88.
  40. Л.С., Сорокин В. К., Маричева В. Н. // Изв. АН СССР. Сер. не-орг. матер., 1974. № 10. с. 413.
  41. Н.Г., Иванов Ю. М., Ванюков А. В. // Журнал физ. химии, 1974. т. 48. вып. 8. с. 2103.
  42. L. //Kristall una Technik, 1971. v. 6. № 1. s. 101.
  43. С.А., Скумс В. Ф. Исследование электропроводности CdSe и CdTe при повышенных температурах и давлениях.//Неорг. матер., 2001. т. 37. № 12. с. 1449−1453.
  44. Jing Zhu Ни. F New High Pressure Phase of CdTe // Solid State Commun, 1987. v. 63. № 6. p. 471−474.
  45. B.B. Термо-э.д.с. фазы высокого давления халькогенидов цинка и кадмия. // Расплавы, 1988. т. 2. № 2. с. 33−40.
  46. Onodera F. High Pressure Transition in Cadmium Tellyride.// Rev. Phys. Jpn., 1969. v. 39. № 2. p. 79−92.
  47. Reddy R.R., Nazeer Ahmmed Y., Rama Gopal K., Abdul Azeem P. Optikal and magnetical susceptibilities for semiconductor and alkali halides // J. Of Magnetism and Magnetic Materials, 1999. V. 192. P. 516−522.
  48. Zanio K.R. In: Semiconductors and semimatals. Vol. 113. Academic press, NY. — San-Francisco, 1978. 235 p.
  49. И.А., Ермакова Н. Г., Лаптев A.B., Раухман М. Р. Влияние термообработки на свойства антимонида индия // Ноерг. матер., 1993. Т. 29. №.3.с. 430−431.
  50. А.Г. Зонно-кластерная модель плавления и кристаллизации тонких слоев InSb, GaSb и Ge // Неорг. матер., 1999. Т. 35. № 4. С. 396−401.
  51. Van Laar J., Scheer I.I. Influence of volume dope on Fermi level position at gallium arsenide surfaces // Surf. Sci, 1967. Vol. 8. P. 342−356.
  52. Spicer W.E., Chye P.W., Skeath P.R. et al. New and unified model for Schot-tky barrier and III-V- insulator interface states formation // J. Vac. Sci. Technol.-1979. Vol. 16. № 5. P. 1422−1433.
  53. Eastman D.E., Freeouf I.L. Relation of Schottky Barriers to Emply Surface states on III-V Semiconductors // Phys. Rev. Lett, 1975. Vol. 36. № 26. P. 16 241 627.
  54. Kreutz E.W., Rickus E., Sotnik N. Barrier height and surface states at cleaned InSb (llO) Surface//Thin Solid Films, 1983. Vol. 101. P. 153−165.
  55. Современные проблемы физической химии поверхности полупроводников. -Новосибирск: Наука, 1988. 238 с.
  56. Duke С.В., Meyer R., Paton A. et al. Surface atomic geometry of covalent bonded semiconductors: InSb (110) and its comparison with GaAs (110) and ZnTe (110)//J. Vac. Sci. Techno!, 1980. Vol. 17. № LP. 501−505.
  57. Williams R.H., Me Lean A.B., Evans D.A., Herrenden-Harker W.C. The interaction of Al, Mn, and Ag with clean and oxidized GaAs and InP (110) surfaces // J. Vac. Sci. Technol. B, 1986. Vol. 4. № 4. P. 966−973.
  58. И.А. Возможные пути регулирования свойств поверхности ал-мазоподобных полупроводников и некоторые аспекты их практической реализации // Неорг. матер., 1994. Т. 30. №.2. с. 147−152.
  59. И.А. Химический состав и природа активной поверхности соединений типа А3В5 // Журн. физ. химии, 1998. Т. 72. №.5. с. 912−917.
  60. И.А. Физико-химические свойства поверхности соединений InBv // Неорг. матер., 1999. Т. 35. №. 5. С. 535−540.
  61. И.А. Физико-химические свойства поверхности теллурида кадмия // Журн. физ. химии, 1997. Т. 71. № 12. С. 2241−2244.
  62. И.А. и др. Кислотно-основные свойства поверхности алмазо-подобных соединений А3В5, А2В6, А’В7 // Деп в ВИНИТИ, 1984. № 367. Вып. 84. С. 9.
  63. И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Адсорбция газов. Иркутск: ИГУ, 1984. 167с.
  64. И.А. Химическое состояние реальной поверхности соединений типа А2В6 // Изв. АН СССР. Сер. неорг. матер., 1989. Т. 25. № 9. С. 1472−1475.
  65. И.А. Поверхностные явления. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2001. 174 с.
  66. O.A. Физико-химические свойства поверхности полупроводниковой системы CdTe-HgTe: Дис.канд. хим. наук. Омск, 1998. 170 с.
  67. И.А., Штабнова В. Л., Вотякова И. В. Исследование поверхности электролитически окисленного антимонида индия // Изв. АН СССР. Неорг. матер., 1983. Т. 57. № 6. С. 2065.
  68. И.А., ЖелтоножкоА.А. Магнитные и адсорбционные свойства полупроводников изоэлектрического ряда германия // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер., 1971. Т. 7. №.6. с. 921.
  69. И.А., Майдановская Л. Г. Кинетика адсорбции газов на полупроводниках типа цинковой обманки // Труды ТГУ им. В. В. Куйбышева. — Изд-во ТГУ, 1971. Т. 204. С. 230−235.
  70. В.В., Кировская И. А. О механизме взаимодействия водорода с поверхностью соединений типа AB// Журнал физ. химии, 1988. Т. 72. С. 1648−1651.
  71. И.А., Лобанова Г. Л., Старовойтенко Л. М. Адсорбция паров воды на арсениде галлия // Журн. Физ. химии, 1971. Т. 45. №. 9. С. 2374.
  72. Л.Г., Кировская И. А. Влияние адсорбированных газов и паров на электропроводность и работу выхода полупроводников типа цинковой обманки // Глубокий механизм каталитических реакций. М.: Наука, 1967. Т. 12. С. 134−143.
  73. И.А., Сазонова И. С., Майдановская Л. Г. Влияние адсорбции газов и паров на работу выхода полупроводников со структурой цинковой обманки // Поверхностные и контактные явления в полупроводниках. Изд-во ТГУ им. В. В. Куйбышева, 1964. С. 380.
  74. И.А., Майдановская Л. Г., Князева Э. И. Адсорбция окиси углерода на арсениде галлия // Труды ТГУ им. В. В. Куйбышева. Изд-во ТГУ, 1971. Т. 204. С. 386.
  75. И.А. Химическое состояние реальной поверхности соединений типа А2В6//Неорг. матер., 1989. Т. 25. № 9. С. 1472−1476.
  76. Г. Л., Кировская И. А., Майдановская Л. Г. Совместная адсорбция водорода и кислорода на арсениде галлия // Журнал физ. химии, 1971. Т. 45. № 8. С. 2101
  77. Л.Г., Кировская И. А., Балаганская В. П. Каталитическая активность полупроводников типа цинковой обманки в реакции разложения муравьиной кислоты // Труды ТГУ им. В. В. Куйбышева. Изд-во ТГУ, 1965. Т. 185. С. 124
  78. И.А., Филимонова В. М. Каталитическая активность и ЭДС в гальванических элементах С/СгИг/ваАБ // Арсенид галлия. Изд-во ТГУ, 1970. С.229−236.
  79. И.А. Адсорбционные процессы. — Иркутск: Изд-во Ирк. ун-т, 1995.304 с.
  80. И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Твердые растворы. Томск: Томск, ун-т, 1984. 133 с.
  81. И.А., Зелева Г. М. О взаимодействии водорода и кислорода на поверхности алмазоподобных полупроводников // Журн. физ. химии, 1978. Т. 52. № 7. С. 1744−1747.
  82. Г. М. Адсорбционные и некоторые другие свойства системы GaAs-ZnSe: Дис.канд. хим. наук.-Томск, 1973.-е. 65−68.
  83. И.А., Даньшина В. В., Скутин Е. Д. Исследование адсорбции методом пьезокварцевого взвешивания // Матер. I Всесоюз. Семинара по адсорбции и жидкостной хроиатографии эластомеров. М.: Наука, 1985. С.
  84. В.В. Адсорбционные взаимодействия водорода и оксида углел /рода (II) на поверхности бинарных соединений типа, А В. Автореферат дис. Канд. хим. наук. Иркутск: Изд-во ИГУ, 1986. 16 с.
  85. И.А., Юрьева А. В., Даньшина В. В. Исследование поверхностной активности алмазоподобных полупроводников в процессе их диспергирования //Журнал физ. химии, 1982. Т. 56. № 4. С. 911.
  86. И.А. Об адсорбции смесей близких и различных по электронной природе газов на изоэлектронных аналогах германия // Журнал физ. химии, 1970. Т. 44. № 1. с. 159−164.
  87. И.А., Жукова В. Д. Адсорбция смесей газов СО + 02 на арсени-де галлия // Журнал физ. химии, 1970. Т. 44. № 1. С. 155.
  88. Г. Л., Кировская И. А., Майдановская Л. Г. Изменение электропроводности арсенида галлия под влиянием адсорбции смесей газов // Арсе-нид галлия. Изд-во ТГУ, 1970. С.*236.
  89. И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Химический состав поверхности. Катализ. Иркутск: Изд-во Иркут. ун-т, 1988. 170 с.
  90. Л.Г., Кировская И. А. Исследование связи между каталитическими и электрофизическими свойствами германия и его изоэлектронных аналогов // Труды ТГУ им. В. В. Куйбышева. Изд-во ТГУ, 1965. Т. 185. С. 23.
  91. О.В., Фокина Е. А. Каталитические свойства новых полупроводников со структурой цинковой обманки // Журнал физ. химии, 1961. Т. 35. № З.С. 651.
  92. О.В., Рогинский С. З., Фокина Е. А. Катализ на полупроводниках в области собственной проводимости // АН СССР. Физика и физико-химия катализа, 1960. Т. 10. с. 117.
  93. В. Г., Волькенштейн Ф. Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников М.: Наука, 1978. 288 с.
  94. Л.Г., Мурашкина B.C. Влияние примесей на изоэлектриче-ское состояние окиси цинка // Труды ТГУ им. В. В. Куйбышева. Изд-во ТГУ, 1963. Т. 157. С. 289−293.
  95. B.C., Кекелидзе Н. П., Смирнов JI.C. Действие излучений на полупроводники. М.: Наука, 1988, 192 с.
  96. В.А., Вялый Н. Г., Кнорозок JI.M. Оптические свойства кристаллов твердых растворов (InSb)i.x-(CdTe)x Н ФТП, 1988. т. 32. № 3. с. 303−306.
  97. JI.A. Автореферат канд. диссертации.- JL, 1965.-18 с.
  98. H.A., Котович В. А., Франк-Каменецкий В.А. Рентгеновское исследование изоморфизма некоторых соединений галлия и цинка. // ДАН СССР, 1955. 103. № 4. С.659−662.
  99. М.А. Квазиравновесные состояния твердых растворов. // ФТТ, 1999. т. 41. № I.e. 60−63.
  100. .С., Бокштейн С. З., Жуховицкий A.A. Термодинамика и кинетика диффузии в твердых телах. М.: Металлургия, 1974. 280 с.
  101. .Я. Диффузионные процессы в неоднородных твердых средах. — М.- Мир, 1981.296 с.
  102. Всесоюзное совещание по полупроводниковым соединениям А2В6 и их применению: Тезисы докладов.-Киев: Наукова думка, 1966.
  103. Ku S.M., Bodi L.J. Synthesis and properties of ZnSe: GaAs solid solutions // J. Phys. Chem. Sol., 1968. v. 29. № 12. p. 2077−2082.
  104. И.И., Королевский Б. П. О возможности образования твердых растворов в системе GaSb-ZnTe // Учен. Зап. Тирасп. пед. ин-та, 1966. вып. 16. с. 127−128.
  105. В.М., Павлова JI.M., Грязева H.JI. Исследования фазового равновесия и анализ характера межмолекулярного взаимодействия в квазибинарных системах GaSb-Zn(Cd)Te // Термодинамические свойства металлических сплавов. Баку- Элм, 1975. с. 368−371.
  106. В.М., Павлова JI.M., Грязева H.JI. Фазовое равновесие характер межмолекулярного взаимодействия в квазибинарных системах GaSb-Zn(Cd)Te // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер., 1975. т. 11. № 3. с. 418−423.
  107. А.В., Панченко Л. Б. О получении монокристаллов твердых растворов (GaP)x-(ZnS).x // Физика тверд, тела. Киев: Киев. пед. ин-т, 1975. с. 24−26.
  108. А.В., Панченко Л. Б. Микроструктурное исследование кристаллов системы GaP-ZnS // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер., 1977. т. 13. № 1.с. 160−161.
  109. Ku S.M., Bodi L.J. Synthesis and properties of ZnSe: GaAs solid solutions // J. Phys. Chem. Sol., 1968. v. 29. № 12. p. 2077−2082.
  110. И.И., Королевский Б. П. О возможности образования твердых растворов в системе GaSb-ZnTe // Учен. Зап. Тирасп. пед. ин-та, 1966. вып. 16. с. 127−128.
  111. В.М., Павлова Л. М., Грязева Н. Л. Исследования фазового равновесия и анализ характера межмолекулярного взаимодействия в квазибинарных системах GaSb-Zn(Cd)Te // Термодинамические свойства металлических сплавов. Баку- Элм, 1975. с. 368−371.
  112. В.М., Павлова Л. М., Грязева Н. Л. Фазовое равновесие характер межмолекулярного взаимодействия в квазибинарных системах GaSb-Zn(Cd)Te // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер., 1975. т. 11. № 3. с. 418−423.
  113. А.В., Панченко Л. Б. О получении монокристаллов твердых растворов (GaP)x-(ZnS)i.x // Физика тверд, тела. — Киев: Киев. пед. ин-т, 1975. с. 24−26.
  114. А.В., Панченко Л. Б. Микроструктурное исследование кристаллов системы GaP-ZnS // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер., 1977. т. 13. № 1. с. 160−161.
  115. А.В., Стеценко Г. П. О получении монокристаллов твердых ратсворов (GaP)x-(ZnSe)i.x методом химических газотранспортных реакций // Исследования по молекулярной физике и физике твердого тела. — Киев: Киев. пед. ин-т, 1976. с. 38−40.
  116. А., Колосов Е., Оснач JI. и др. Некоторые исследования тверл г л /дых растворов на основе соединений типа, А В -А В // Изв. АН СССР. Сер. физическая, 1964. т. 28. № 6. с. 1110−1116.
  117. Васильев A. JL, Ермолов А. В., Завьялова А. А. и др. Исследование гетеро-структур соединений A, nBv-AnBVI высокоразрешающими электронно-микроскопическими и рентгендифракционными методами.// Поверхность. Физика, химия, механика. 1990. № 5. с. 101−105.
  118. А.В., Пащун А. Д., Митюрев В. К. О взаимодействии арселнида галлия с соединениями типа, А В // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер., 1970. т. 6. № 2. с. 379−380.
  119. Sonomura H., Uragaki T., Miyauchi T. Synthesis and some properties of solid solutions in the GaP-ZnS and GaP-ZnSe pseudobinary systems // Jap. J. Appl. Phys., 1973. v. 12. № 7. p. 968−973.
  120. B.M., Мильвидский М. Г., Пелевин O.B. Диаграмма состояния системы GaAs-ZnSe // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер., 1975. т. 11. № 7. с. 1311−1312.
  121. В.М., Павлова Л.М, Передерий Л. И. Анализ характера межмело-кулярного взаимодействия арсенида галлия с теллуридом цинка и кадмия // Термодинамические свойства металлических сплавов. — Баку: Элм., 1975. с. 372−375.
  122. Э.В., Вигдорович В. Н., Пелевин О. В. Фазовое равновесие в системе GaAs-ZnTe // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер., 1974. т. 9. № 4. с. 587−591.
  123. Т.Е., Белая А. Д., Замсков B.C., Шварц H.H. Фазовое равновесие в системе In-Sb-Zn-Te // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер., 1973. т. 9. № 10. с. 1811−1815.
  124. В.М., Крестовников A.M., Нагиев В. А., Рзаев Ф. Р. Фазовые равновесия в квазибинарных системах InP-ZnTe и InP-CdTe // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер., 1973. т. 9. № 11. с. 1883−1889.
  125. A.B., Дробязько В. П., Митюрев В. К., Василенко В. П. Твердые растворы в системах InAs-CdS и InAs-CdSe // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер., 1968. т. 4. № 10. с. 1681−1684.
  126. АнищенкоВ.А., Войцеховский A.B., Пащун А. Д. Некоторые физико-химические свойства сплавов системы GaAs-ZnTe // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер., 1980. т. 16. № 2. с. 759−760.
  127. Г. И., Балагурова Е. А., Рязанцев A.A., Хабаров Э. Н. Твердые растворы в системе InAs-CdTe // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер., 1974. т. 19. № 10. с. 1770−1773.
  128. Г. И., Балагурова Е. А., Рязанцев A.A., Хабаров Э. Н. Т-х проекция фазовой диаграммы InAs-CdTe // Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. — Новосибирск: Наука, 1975. — Ч. 2. — с. 236−239.
  129. A.B., Бродовой В. А., Вялый Н. Г. и др. Магнитная восприимчивость кристаллов твердых растворов (InSb)i.x- (CdTe)x// ФТТ, 1996, т.38. № 6. С. 1763−1766.
  130. В.Ф. Электрические свойства тонких слоев AlSb, InSb, GaSb, полученных по методу С.А. Векшинского // Труды первой межвузовской конференции по современной технике диэлектриков. — Л.: 1957. С. 170−177.
  131. В.Ф., Маскаева JI.H. Полупроводниковый чувствительный элемент газоанализатора оксидов азота на основе сульфида свинца// Журнал аналит. химии, 2001, т. 56. № 8. с. 846−850.
  132. П.И., Клочков В. П., Потыкевич И. В. Полупроводниковая электроника. Справочник. Киев: Наукова думка, 1975, 682 с.
  133. В.А., Бродовой В. А., Вялый Н. Г., Влияние комплексообразо-вания на электрические свойства твердых растворов системы InSb-CdTe// Неорг. Материалы. 1993 Т.29. N2. С. 197−199. 18
  134. Горюнова Н. А, Аверкин Г. К, Шаравий П. В, Товпенцев Ю. К. Доклады 19 конференции ЛИСИ. Вып. Физика и химия, с. 22, 1961 г. 17
  135. JI.A., Хабаров Э. Н., ФТП, 1974, N.8, с. 401.24
  136. H.A., Аверкиева Г. К., Шаравский П. В., Товпенцев Ю. К. Исследование четвертных сплавов на основе сурьмянистого индия и теллури-стого кадмия. В кн.: Физика и химия. — Л.: Ленингр. инж.-строит. ин-т, 1961. с. 10.
  137. H.A. Химия алмазоподобных полупроводников. — Л.: Изд-во ЛГУ, 1963. 220 с.
  138. H.A., Карнаухова E.H., Кузьмина Г. А. Фазовые диаграммы и растворимость компонентов в системах А3В5- CdTe // Журнал неорг. химии, 1980. т. 25. вып. 3. с. 802−805.
  139. В.А., Вялый Н. Г., Кнорозок Л. М. Особенности изменения постоянной решетки твердых растворов (InSb)l-x (CdTe)x // Неорг. матер., 1997, T.33,N3. С. 303−304.
  140. Е.В., Коржов В. И., Морозов В. Н. и др. Получение материалов твердых растворов A1IIBV-AIIBVI, близких к собственным. — В кн.: Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука, 1975. Ч. 2. С. 232−236.
  141. В.М., Павлова Л. М. Термодинамика донорно-акцепторного взаимодействия в полупроводниках. I. Растворимость и донорно-акцепторное взаимодействие при двойном легировании полупроводников // Журн. физ. химии, 1986. Т. 60. Вып. 2. С. 273−285.
  142. H.A., Хабаров Э. Н. К вопросу об упорядочении компонентов в системе твердых растворов // Физика полупроводников, 1974. № 11. С. 2240.
  143. И.А., Старцева O.A. Влияние у-облучения на некоторые свойства образцов CdTe. / Изв. РАН Неорг. Материалы. 1997, т. ЗЗ, № 3, с. 314−316.
  144. Войцех1вський О.В., Дробязко В. П. Про тверд1 розчини в систем! InSb-HgTe // Укр. Физ. журнал, 1967. Т. 12. №. 3. С. 460−461.
  145. И.А. Полупроводниковый анализ и контроль состояния окружающей среды // Аналитика Сибири и Дальнего Востока: Тез. Докл. — Новосибирск, 2000.-с. 164−165.
  146. A.B., Горюнова H.A. Твердые растворы в некоторых четвертных полупроводниковых системах // Физика. — JI.: Ленингр. инж.-строит. ин-т, 1962. С. 12−14.
  147. И.А., Азарова О. П., Шубенкова Е. Г., Дубина О. Н. Рентгенографические исследования твердых растворов систем типа An, Bv-AnBVI // Омский научный вестник, 2001. Вып. 14. С. 69−70.
  148. Ф. Химия несовершенных кристаллов. М.: Мир, 1969. 450 с.
  149. В.М., Нагиев В. А. Экспериментальное исследование донорно-акцепторного взаимодействия в твердом растворе на основе арсенида индия //ФТП, 1973. Т. 7.№ 11. С. 2212−2215.
  150. В.М., Нагиев В. А., Раиев Ф. Р. О взаимосвязи между растворимостью и концентрацией носителей заряда при легировании фосфида индия элементами донорного и акцепторного типов // ФТП, 1973. Т. 7. №. 2. С. 280 285.
  151. П.И., Клочков В. П., Потыкевич И. В. Полупроводниковая электроника. Справочник. Киев: Наукова думка, 1975, 682 с.
  152. В.К. Периодический закон Менделеева и электронное строение металлов. М.: Наука, 1996. С. 145.
  153. Физико-химические свойства полупроводников. Справочник. М.: Наука, 1979. 70. С.
  154. ДешманС. Научные основы вакуумной техники. М.: Мир, 1964. С. 411.
  155. G., Migley D., Shevchenko A., Tovstyuk К. // Phys. Stat. Sol., 1974. V. 63. P. 663.
  156. Galazka R. Proc. of the Int. Cont. On II VI Semicond and Semimagnet. — Semicond Linz. Fustria, 1994. P. 22.
  157. JI.A., Хабаров Э. Н. Зонные параметры системы твердых растворов (InSb)x-(CdTe)ix// Физика полупроводников, 1974. Вып. 2. С. 401 403.
  158. Тонкие пленки антимонида индия. Кишинев: Штиница, 1989. 162 с.
  159. И.П., Алесковский В. Б., Симашкевич A.B. Эпитаксиальные пленки соединений А2В6 . JL: Изд-во ЛГУ, 1978. 312 с.
  160. В.А., Кот М.В. Электрические свойства тонких слоев антимонида индия // Тез. Докл. На Всесоюзном совещании по полупроводниковым соединениям. -Л.: Изд-во АН СССР, 1961. С. 37.
  161. В.А., Кот М.В. Некоторые оптические и электрические свойства тонких слоев антимонида индия // Изв. Вузов. Сер. Физика, 1963. Вып. 5. С. 14−20.
  162. В.А., Кот М.В. О влиянии структуры слоя на величину подвижности носителей тока в пленках антимонида индия // Изв. АН СССР. Сер. Физика, 1964. Т. 28. С. 993−995.
  163. Л.Д., Дубровин И. В., Комащенко В. Н. и др. Физико-химические исследования поликристаллических пленок твердых растворов ZnxCd,.xSe // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер., 1990. Т. 26. №. 6. С. 11 771 180.
  164. Oswaldowsli M. Effect of evaporation conditions on electrical properties of InSb thin layers // Acta Physica Polonica, 1970. Vol. A37. P. 617−624.
  165. К. Испарение и взаимодействие элементов // Полупроводниковые соединения А3В5 / Под ред. Р. Виллардсона и X. Геринга- Пер с англ. — М.: Металлургия, 1967. С. 443−462.
  166. Gunther K.G. Aufdampfschichten aus halbleitenden III-V verbindungen // Z. Natuforschung, 1958. Vol. 13A. P. 1081−1089.
  167. Hanlein W., Gunther K.G. Advances in vacuum science and technology. N.Y.: Pergamon Press, 1960. Vol. 2. P. 727−733.
  168. Gunther K.G., Fleller H. Feigenschaften aufgedempfter InSb und InAs schichten//Z. Natuforschung, 1961. Vol. 16A. P. 279−283.
  169. C.A., Агаларзаде П. С. Структура и электрические свойства тонких пленок InSb // Кристаллография, 1964. Т. 9. С. 490−497.
  170. С.А., Агаларзаде П. С. К методике получения пленок антимо-нида индия испарением в вакууме // Кристаллография, 1963. Т. 8. с. 298−299.
  171. В.А., Кетруш П. И., Пасечник Ф. И. и др. Диодные структуры типа кристалл пленка на основе InSb // Микроэлектроника, 1975. Т. 4. Вып. 3. С. 275−277.
  172. П.В., Касьян В. А., Кетруш П. И. Гетеропереходы между соединениями А3В5 и А2В6 // Фотоэлектрические свойства гетеропереходов. Кишинев: Штиница, 1980. С. 98−109.
  173. Ю.А., Зюзин С. Е. Электропроводность пленок n-InSb в сильных электрических полях // ФТП, 2001. Т. 35. Вып. 2. С. 182−183.
  174. Ю.А. О механизме токопрохождения в пленках n-InSb // ФТП, 2001. Т. 35. Вып. И. С. 1309−1310.
  175. Gervenak J., Zivcakova A., Bush J. Structure and electrical properties of InSb thin films prepared by plasmatic sputtering // Czhech. Lourn. Phys. 1970. Vol. B20. P. 84−93.
  176. Green J.E., Wickersham C.E. Structural and electrical characteristics of InSb thin films grown by rf sputtering // Journ. Appl. Phys. 1976. Vol. 47. № 8. P. 3630−3639.
  177. Ling C.H., Fisher J.H., Anderson J.C. Cerrier mobility and field effect in indium antimonide films //Thin.-Sol. Films. 1972. Vol.14, p. 267−288.
  178. А.П., Рубец В. П., Калинкин И. П. Начальные стадии образованиял /эпитаксиальных пленок соединений, А В в резко неравновесных условиях на подложке их слюды-мусковита // ФТТ, 1997. Т. 39. № 2. С. 382−386.
  179. А.П., Рубец В. П., Кукушкин С. А. Сенсорные исследования начальных стадий формирования пленок теллурида кадмия из паровой фазы // ФТТ, 2001. Т. 43. Вып. 10. С. 1901−1903.
  180. В.П., Беляев А. П., Калинкин И. П. Рост пленок соединений АПВУ| при резко неравновесных условиях // Неорг. матер., 1999. Т. 35. № 6. С. 657−660.
  181. А.П., Рубец В. П., Нуждин М. Ю., Калинкин И. П. Влияние резко неравновесных условий на стехиометрию состава слоя теллурида кадмия, конденсируемого из паровой фазы // ФТП, 2003. Т. 37. Вып. 6. С. 641−643.
  182. А.П., Рубец В. П. Гетероэпитаксия полупроводниковых соединений AnBVI на охлажденной подложке // ФТП, 2001. Т. 35. Вып. 3. С. 294−297.
  183. К., Дас С. Тонкопленочные солнечные элементы. М.: Мир, 1986. 435 с.
  184. А.П., Рубец В. П., Нуждин М. Ю. Электрические свойства пленок теллурида кадмия, синтезированных в тепловом поле градиента температуры // ФТП, 2003. Т. 37. Вып. 6. С. 671−673.
  185. П.А., Гнидаш В. И., Любов В. Н. и др. Структура и оптические свойства пленок теллурида кадмия, полученных осаждением из ионно-молекулярного потока // Поверхность. Физика, химия, механика, 1993. № 12. С. 89−97.
  186. Ю.К., Клюйков А. И. Формирование поверхностных наноструктур халькогенидов кадмия из атомно-молекулярных пучков // Журнал физ. химии, 2000. Т. 74. № 10. С. 1828−1831.
  187. Paulson P.D., Dutta V., Singh С. A comparative study of compositional and structural properties of CdTe thin films prepared by different electroplating techniques // Conf. Ree. 24th IEEE Photovolt. Spec. Conf., 1994. C. 331−333.
  188. Froment M., Cachet H., Essaaidi H., Maurin G. Metal chalchodenide semiconductors growth from aqueous solutions // IUPAC Congr., Instanbul, 1995. Sec. 1−3.C. 285.
  189. Iayakrishnan R., Nair I.P., Kuruvilla B.A. Composition, structure and morphology of dip-cjated rapid thermal annealed CdS and non-aqueous electrodepos-ited CdTe // Semicond. Sci. And Techol., 1996. 11. V. l.C. 116−123.
  190. Schulz D.L., Pehnt V., Rose D.H. et al. CdTe thin films from nanoparticle precursors by spray deposition//Chem. Mater., 1997. Vol. 9. № 4. C. 889−890.
  191. Кот M.B., Тырзиу В. Г. О методике получения тонких слоев переменного9 f% 9 Лсостава полупроводников типа, А В, А В // Полупроводниковые соединения и их твердые растворы. — Кишинев, 1970. С. 28−30.
  192. Arai К., Zhu Z.Q., SeKiguchi Т., Yasuda Т. et al. Photoluminescence and ca-thodoluminescence studies of ZnSe quantum structures embedded in ZnS // J. Crystal Growth, 1998. 184/185. P. 254−258.
  193. Seki H., Koukitu A. Solid composition of alloy semiconductors grown by MOVPE, MBE, VPE and ALE//J. Crystal Growth, 1989. N. 1−2. P. 118−126.
  194. Herman I.P. Laser-assisted deposition of thin films from gas-phase and surface-adsorbed molecules // Chem. Rev., 1989. V. 98. № 6. P. 1323−1357.
  195. В.П. Синтез тонкослойных структур методом ионного наслаивания // Успехи химии, 1993. Т. 62. № 3. С. 249−259.
  196. Lokhande C.D., Patil P. S., Tribusch Н., Ennaoui A. ZnSe thin films by chemical bath deposition method // Solar Energy Materials and Solar Cells, 1998. V. 55. C. 379−393.
  197. И.А., Азарова О. П., Дубина O.H., Шубенкова Е. Г. Ренгено-графические исследования твердых растворов систем типа1. An, Bv AIIBVI /7
  198. Омский научный вестник, 2001. Вып. 14. С. 69−70.
  199. Р. Ф. Химия полупроводниковых наночастиц// Успехи химии. 1998. Т.67.С. 125−139.
  200. .Ф., Давыдов А. В. Химические сенсоры: возможности и перспективы //Журн. аналит. химии. 1990. Т. 45. № 7. С. 1259−1278.
  201. И.А., Пименова JI.H., Чернышов А. И., Вотякова И. В. Электрофизические исследования поверхности селенида цинка. — Деп. В ВИНИТИ, 1980. № 4038. С. 80.
  202. И.А., Скутин Е. Д., Штабнов В. Г. Датчик влажности газов. — Автор, свидетельство № 1 798 672, Бюл. Изобретений и открытий, № 8, 1993.
  203. Патент № 179 672. Датчик влажности газов / И. А. Кировская, A.B. Юрьева, Е. Д. Скутин, В. Г. Штабнов. — 1993.
  204. Патент № 2 125 260. Датчик влажности газов / И. А. Кировская. — 1999.
  205. Патент № 2 141 639. Пьезорезонансный датчик влажности газов / И. А. Кировская, O.A. Федяева. 1999.
  206. Патент № 2 161 794. Полупроводниковый датчик влажности газов / И. А. Кировская. — 2001.
  207. Патент № 4829. Электрический детектор для колоночной хроматографии/ И. А. Кировская, O.A. Старцева, A.B. Юрьева. 1995.
  208. Ю. Ф., Сердюк В. В., Смынтына В. А.// Журн. физ. химии 1982. Т. 56. Вып. 2. С. 198.
  209. В. В., Гудис Ф. И., Смынтына В. А.// Журн. аналит. химии. 1991. Т. 46. Вып. 12. С. 2374.
  210. А. М., Румянцева М. Н. Выбор материалов для твердотельных газовых сенсоров.//Неорг. матер. 2000. Т.36. № 3. С. 369−378.
  211. Арутюнян В, М. Микроэлектронные технологии магистральный путь для создания твердотельных сенсоров. // Микроэлектроника, 1991, т. 20, N 4, с. 331−355.
  212. И.А., Клушин В. Н., Систер В. Г. Технологические процессы экологической безопасности / Учебник, Калуга. Из-во Н. Бочкарёвой, 2000, 800с.
  213. Г. К. Гетерогенный катализ. М.: Наука, 1986. 304 с.
  214. С.Н. Современные проблемы селективного каталитического восстановления оксидов азота (NOx) // Теоретич. и экспер. химия, 2001. Т. 37. № З.С. 133−157.
  215. Патент RU № 1 839 632. Катализатор для селективного восстановления оксидов азота аммиаком и способ его получения / М.Г. Марценюк-Кухарук, И. Ф. Миронюк, В. А. Остаток, В. В. Шимановская. 1993. Бюл. № 47−48.
  216. Fountzoula Ch. et al. //J. Catal., 1997. Vol. 172. № 2. P. 391−405.
  217. Патент RU № 2 050 186. Способ приготовления катализатора для очистки отходящих газов от оксидов азота / JI.A. Соколова, О. В. Невская, Н. М. Попова и др. заявлено 04.09.1992, опубликовано 20.12.1995.
  218. Патент RU № 2 046 653. Способ приготовления катализатора для очистки газовых выбросов автотранспорта и промышленности / Г. М. Льдокова, Н. М. Попова, К. Ж. Кайгалтырова и др. — заявлено 29.04. 1992, опубликовано 27.10.1995.
  219. Патент RU № 2 054 322. Способ получения катализатора окисления оксида углерода / В. М. Мухин, С. Г. Киреев, Н. П. Васильев и др. заявлено 01.03.1993, опубликовано 20.02.1996.
  220. Патент RU № 2 156 164. Катализатор окисления оксида углерода / Л. А. Воропанова, О. Г. Лисицына. заявлено 29.10.1998, опубликовано 20.09.2000.
  221. Патент RU № 2 171 712. Катализатор окисления оксида углерода / В. И. Кононенко, И. А. Чупова, В. Г. Шевченко и др. — заявлено 13.03.2000, опубликовано 10.08.2001.
  222. С.Е. Справочник по рентгеноструктурному анализу. — М.: Гос. физ.-мат. лит-ры, 1961.- 863 с.
  223. С.С., Расторгуев Л. Н., Скаков Ю. А. Ренгенографический и электронооптический анализ. -М.: Металлургия, 1970. 107 с.
  224. Л.Г. О водородном показателе изоэлектрического состояния амфотерных катализаторов// Каталитические реакции в жидкой среде. — Алма- ата, АН КазССР, 1963. с. — 212- 217.
  225. И.А. Кинетика химических реакций. Омск, 1994. — с. 76−78.
  226. А.П., Казарян H.A. Кислотно-основное титрование в неводных растворах. — М.: Химия, 1967. 192 с.
  227. И.П. Охрана природы. Справочник. М. Химия, 1980.-376с.
  228. Проблемы теории и практики исследований в области катализа / Под ред. В. А. Ройтера. Киев: Наук, думка, 1973. — 364с.
  229. И.П., Анохин В. Н., Проскуряков В. А. и др. Катализ в кипящем слое. JL, Химия, 1978, 229с.
  230. Ф.М., Ильинская A.A. Лабораторные методы получения чистых газов. -М.: Госхимиздат, 1963.
  231. И.А., Зелева Г. М., Высоцкий И. В., Липович В. П. Катализатор для дегидрирования изопропилового спирта: A.c. 793 642 СССР// Б.И. 1981. № 1.
  232. И.А., Зелева Г. М. Катализатор для дегидрирования изопропилового спирта: A.c. 1 225 616 СССР// Б.И. 1986. № 15.
  233. И.А., Вотякова И. В. Катализатор для гидрирования двуокиси углерода: A.c. 1 001 993 СССР // Б.И. 1989.
  234. И.А., Зелева Г. М. Катализатор для гидрирования двуокиси углерода: A.c. 1 097 366 СССР// Б.И. 1984. № 22.
  235. И.А., Зелева Г. М. Катализатор для окисления водорода: A.c. 1 197 206 СССР//Б.И. 1985.
  236. И.А., Зелева Г. М. Катализатор для окисления водорода: A.c. 11 073 771 СССР//Б.И. 1984.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!