Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Метод моделирования чувствительных элементов датчиков на основе фрактального подхода

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Необходимость поддержания высокой надежности и безаварийности сложных технических систем вынуждает разработчиков увеличивать число контролируемых параметров и, как следствие, применять множество разнообразных датчиков физических величин. Многообразие измеряемых параметров, конструктивных особенностей, принципов действия, используемых материалов, непрерывный рост требований… Читать ещё >

Метод моделирования чувствительных элементов датчиков на основе фрактального подхода (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Анализ состояния, тенденций развития и методов концептуального проектирования современных преобразователей
    • 1. 1. Анализ состояния и тенденций развития современных преобразователей
    • 1. 2. Обзор методов поискового проектирования преобразователей
      • 1. 2. 1. Комбинаторный метод поиска принципов действия
      • 1. 2. 2. Метод конструирования Коллера
      • 1. 2. 3. Компьютерные методы поискового проектирования.'
      • 1. 2. 5. Обзор работ по применению систематизированных физических знаний
      • 1. 2. 6. Моделирование и автоматизированное использование структурированных физических знаний
      • 1. 2. 7. Анализ методов поискового проектирования ЧЭ
    • 1. 3. Обзор областей применения теории фракталов
  • Выводы по первой главе
  • Глава 2. Концепция моделирования физического принципа действия ЧЭД на основе фрактального подхода к описанию явлений и процессов
    • 2. 1. Основные понятия концепции
    • 2. 2. Система типовых элементарных соединений звеньев
    • 2. 3. Концептуальные модели функциональных фракталов преобразователей на основе принципов нежесткого и жесткого самоподобия
    • 2. 4. Комплексный метод идентификации функционального фрактала на основе ретроспективной и текущей информации по преобразователям различных физических величин
    • 2. 5. Алгоритм итерационного построения функционального фрактала по ЭИМЦ преобразователя
    • 2. 6. Система критериев качества для сравнительной оценки разрабатываемых фрактальные моделей физического ФПД преобразователей
      • 2. 6. 1. Метод расчета диапазона измерения функционального фрактала
      • 2. 6. 2. Метод расчета нелинейности измерения функционального фрактала
    • 2. 7. Рекурсивный алгоритм расчета критериев качества функционального фрактала
    • 2. 8. Выбор класса преобразователей для реализации теоретических положений
      • 2. 8. 1. Микроэлектронные датчики
      • 2. 8. 2. Волоконно-оптические датчики
  • Выводы, по второй главе
  • Глава 3. Моделирование упругих преобразователей механических величин на основе фрактального описания их ФПД

3.1. Реализация первого этапа комплексного метода идентификации функционального фрактала на основе ретроспективной и текущей информации по упругим чувствительным элементам микроэлектронных датчиков давления'.

3.1.1. Анализ методов достижения требуемых эксплуатационных характеристик

3.1.2. Классификация упругих элементов преобразователей в микроисполнении.

3.1.3. Общие сведения о мембранах.

3.1.4. Обзор методов расчета плоской мембраны.

3.2. Реализация второго этапа комплексного метода идентификации функционального фрактала — энерго-информационное моделирование деформации упругих элементов преобразователей.

3.2.1. ПСС упругих элементов преобразователей.

3.2.2. Параметрические структурные схемы плоских мембран.

3.2.3. ПСС плоской мембраны как линия с распределенными параметрами.

3.2.4. ПСС плоской мембраны как линии с распределенными параметрами, нагруженной сосредоточенным в центре усилием.

3.2.5. ПСС плоской мембраны как линии с распределенными параметрами, нагруженной гидравлическим или пневматическим давлением.

3.2.6. ПСС плоской мембраны как линии с распределенными параметрами, нагруженной гидравлическим или пневматическим давлением и сосредоточенным в центре усилием.

3.2.7. Определение величин и параметров ПСС плоской мембраны из изотропного материала.

3.2.8. Определение величин и параметров ПСС плоской мембраны из анизотропного материала.

3.3. Реализация третьего этапа комплексного метода идентификации функционального фрактала — идентификация самоподобных структур ФПД упругих элементов преобразователей и построения на их основе функциональных фракталов.

3.3.1. Расчет выходных параметров лини с распределенными параметрами и величинами.

3.3.2. Разработка универсального образующего элемента лини с распределенными параметрами и величинами.

3.3.3. Численный метод расчета выходных параметров линии с распределенными параметрами и распределенными величинами на основе использования матриц с элементами фрактальной структуры.

3.3.4. Вывод расчетных соотношений дня определения погрешности лини с распределенными параметрами и величинами.

3.3.5. Вывод расчетных соотношений для определения чувствительности лини с распределенными параметрами и величинами.

Выводы по третьей главе.

Глава 4. Моделирование волоконно-оптических датчиков давления на основе фрактального описания ФПД.

4.1. Реализация первого этапа комплексного метода идентификации функционального фрактала на основе ретроспективной и текущей информации по волоконно-оптическим датчикам.

4.1.1. Физический принцип действия волоконно-оптических преобразователей.

4.1.2. Волоконно-оптические датчики фазовой модуляции.

4.2. Реализация второго этапа комплексного метода идентификации функционального фрактала — энерго-информационное моделирование по волоконно-оптических датчиков фазовой модуляции.

4.2.1. Разработка энерго-информационной моделей внутрицепных преобразований в волоконно-оптических датчиках фазовой модуляции.

4.2.2. Разработка энерго-информационной моделей межцепных преобразований в волоконно-оптических датчиках фазовой модуляции.

4.3. Реализация третьего этапа комплексного метода идентификации функционального фрактала — идентификация самоподобных структур ФПД волоконно-оптических датчиков фазовой модуляции давления и построения на их основе функциональных фракталов.

Выводы по четвертой главе.

Глава 5. Практическая реализация теоретических исследований.

5.1. Программа расчета эксплуатационных характеристик элементов преобразователей сложной структуры.

5.2. Алгоритмы структурно-параметрического синтеза новых технических решений.

5.2.1. Синтез многофункциональных датчиков на основе построения топограмм

5.2.2. Блочно-иерархический синтез ФПД преобразователей.

5.3. Оптимизация ФПД новых технических решений.

5.4. Автоматизированная система синтеза новых технических решений.

5.5. Инженерная методика расчета деформации плоской мембраны на основе итерационных процедур.

5.6. Итерационный алгоритм расчета деформации плоской мембраны на ЭВМ

5.7. Инженерная методика расчета деформации плоской мембраны на основе численного метода расчета линии с распрделенными параметрами и распределенными величинами на основе использования матриц с элементами фрактальной структуры.

5.8. Система автоматизированного расчета микроэлектронных датчиков давления

5.9. Оптимизация топологии тензорезисторов на поверхности полупроводниковой плоской мембраны.

5.10. Внедрение результатов исследования.

Выводы по пятой главе.

Глава 6. Проверка адекватности разработанных моделей.

6.1. Проверка адекватности моделей на этапе поискового проектиования. Синтез новых технических решении.

Результат реализации задания на синтез № 1.

Результат реализации задания на синтез № 2.

Результат реализации задания на синтез № 3.

Результат реализации задания на синтез № 4.

6.2. Анализ погрешности расчета упругой линии с распределенными параметрами методом ПСС по сравнению с классическим методом.

6.3.Анализ погрешности расчета упругой линии с распределенными параметрами и распределенными величинами на основе разработанной модели.

6.3.1. Анализ погрешности расчета упругой линии с распределенными параметрами и распределенными величинами на основе разработанной модели для мембраны из материала с анизотропными свойствами.

6.3.2 Анализ погрешности расчета упругой линии с распределенными параметрами и распределенными величинами на основе разработанной модели для мембраны из материала с анизотропными свойствами.

Выводы по шестой главе.

Рынок датчиковой аппаратуры в наиболее развитых странах на протяжении последних десятилетий имеет один из самых высоких показателей темпов роста в приборостроении. По оценкам экспертов, суммарный рынок датчиков общего применения в развитых странах увеличится с 1998 года с 27,6 млрд. до 43,0 млрд долл. к 2008 году.

Основной проблемой отечественной наукоемкой промышленности, является ее недостаточная конкурентоспособность, связанная с отставанием уровня ее технологического развития от уровня передовых стран. С целью обеспечения технологического развития отечественной промышленности на основе создания и внедрения прорывных, ресурсосберегающих, экологически безопасных промышленных технологий для производства конкурентоспособной наукоемкой продукции постановлением Правительства Российской Федерации от 29 января 2007 г. № 54 была утверждена Федеральная целевая программа «Национальная технологическая база» на 2007 — 2011 годы с объемом финансирования 99 458 млн. рублей. Одним из основных разделов этой программы является подпрограмма «Развитие электронной компонентной базы» на 2007 — 2011 годы с общим объемом финансирования 38 460 млн. рублей. Ожидается, что в 2011 году объем продаж электронной продукции составит около 45 млрд. рублей, темпы роста объемов производства электронной компонентной базы будут сопоставимы с мировыми показателями, что без широкого внедрения и использования информационно-измерительных систем.

Все современные информационно-измерительные системы (ИИС), построенные с применением микропроцессоров, контроллеров и компьютеров, непременно имеют на низовом уровне (процесс, установка, изделие, агрегат) датчики — преобразователи контролируемых параметров объекта [235]. Микроэлектронная «революция» второй половины двадцатого века затронула в основном подсистему анализа информации и принятия решений. Относительное отставание в подходах к созданию подсистем сбора информации (сенсоров) является слабейшим звеном систем управления. Но если первичные преобразователи не будут обладать требуемыми эксплуатационными характеристиками, то программно-аппаратными средствами невозможно обеспечить информативность измерений и контроль параметров объекта. Все это приводит не только к финансовым потерям, но может послужить причиной экологических и техногенных катастроф.

Необходимость поддержания высокой надежности и безаварийности сложных технических систем вынуждает разработчиков увеличивать число контролируемых параметров и, как следствие, применять множество разнообразных датчиков физических величин [235]. Многообразие измеряемых параметров, конструктивных особенностей, принципов действия, используемых материалов, непрерывный рост требований к быстродействиюточности измеренийнадежности, снижению массы и габаритов' и другим характеристикам, масштаб, комплексность и сложность задач проектирования современных первичных преобразователей, требования к учету все большего числа взаимосвязанных факторов, к сокращению времени на решение этих задач требуют системного подхода к анализу и синтезу первичных преобразователей. С другой стороны, специфика математического языка описания различных явлений и процессов, на которых основан принцип действия преобразователей, ограниченность доступа к информации по физическим эффектам и возможности ее полного использования^ в силу человеческого фактора существенно затрудняет разработку новых преобразователей с требуемыми эксплуатационными характеристиками.

Качество проектных решений во многом определяется результатами начальных этапов проектирования (стадии технического задания и технического предложения), на которых принимаются основополагающие решения о структуре и принципе действия проектируемого объекта. Начальные этапы проектирования характеризуются переработкой значительных объемов информации, большим количеством прорабатываемых вариантов реализации. Решение этих задач во многом определяется тем, как будет обеспечен разработчик новыми информационными технологиями, усиливающими, его интеллектуальные возможности, позволяющими автоматизировать процессы поиска и обработки информации на основе применения системного подхода к разработке основ теории чувствительных элементов систем управления, включающей обобщенное представление о классе объектов. Над созданием таких технологий работают многие исследователи А. И. Половинкин, В: А. Камаев, В. Н. Глазунов, В. М. Цуриков, Э. М. Шмаков, Р. Коллер, С. Лу, A.M. Дворянкин, С. А. Фоменков и др. [39,116−118, 121−123, 125, 146,154, 155, 277, 302, 316−318, 397].

Наиболее успешно задачи разработки единых принципов и концепции автоматизированной системы поискового проектирования решены на основе теории энерго-информационных моделей цепей (ЭИМЦ) в работах профессоров М. Ф. Зарипова, И. Ю. Петровой и их учеников [67, 169−174, 176, 180, 204, 225, 270, 271, 273j 396, 398]: Эта теория обеспечивает рассмотрение явлений различной физической природы, с помощью уравнений, инвариантных к самой физической природеграфическое представление принцйпа действия-преобразователяполучение аналитических зависимостей одной величины от другойвозможность относительно простой автоматизации поиска новых технических решений.

Однако выявлен ряд проблем применения теории ЭИМЦ, значительно сужающих область синтезируемых устройств. Причиной этих проблем является ряд вводимых ограничений вследствие недостаточно эффективной структуры синтезируемых систем, использующих элементы одного уровня декомпозиции. Усовершенствовать процесс поискового проектирования чувствительных элементов датчиков (ЧЭД) можно на основе теоретических положений моделирования их физического принципа действия. (ФПД) с использованием фрактального подхода к описанию протекающих в них процессов, позволяющих алгоритмизировать процесс поиска новых технических решений. Создание более эффективного подхода к анализу и синтезу ЧЭД и разработка на его основе математического, алгоритмического и программного обеспечения для автоматизации начальных этапов проектирования является актуальной научной проблемой, имеющей важное хозяйственное значение.

В настоящее время фракталы находят применение в компьютерном дизайне, в алгоритмах сжатия информации, используются в различных областях физики, биологии, медицины, социологии, экономики, в радиофизике, антенной технике, геомеханике, материаловедении.

Однако, несмотря на то, что исследователи теории решения изобретательских задач (ТРИЗ) считают фрактал принципиально обязательной и фундаментальной формой наращивания сложности любой структуры и рассматривают его как математическую основу закономерностей развития технических систем, до настоящего времени фракталы использовались только в узких специализированных областях проектирования технических устройств (ТУст).

Использование же фракталов для структурно-параметрического синтеза преобразователей, во-первых, позволит расширить область синтезируемых технических устройств (ТУстр), во-вторых, создать более универсальный по сравнению с существующим подход к их синтезу, объединив свойственную теории ЭИМЦ инвариантность к физической природе явлений и процессов с инвариантностью к их масштабу, в-третьих, расширить область применения самих фракталов.

Из этого следует перспективность разработки единого системного подхода вI области теории чувствительных элементов (ЧЭ), инвариантного к физичес-. кой природе № степени детализации используемых явлений и процессов-, на основе концепции фрактального моделирования.

Диссертационное исследованиеначатое в 1995 г., проводилось в соответствии с тематикой госбюджетных НИР Астраханского государственного технического университета (АГТУ) «Разработка методологических основ и инструментальных средств для создания интегрированных баз знаний», «Теоретический анализ и математическое моделирование информационных систем».

Объектом исследования является физический принцип действия первичных преобразователей.

Предмет исследования— методы, модели, алгоритмы и программы, для анализа и синтеза ЧЭД.

Цель исследования: разработка новых методов и инструментальных средств для анализа и синтеза ФПД ЧЭД на основе фрактального подхода к описанию процессов.

Для достижения поставленной > цели необходимо решить следующие задачи:

1. Разработать концепцию моделирования ФПД ЧЭД на основе фрактального подхода к описанию явлений и процессов.

2. Разработать концептуальную модель ФПД ЧЭД, инвариантную к физической природе и степени детализации используемых процессов и явлений.

3. Определить, совокупность критериев оценки качества синтезируемых ЧЭД и разработать расчетные соотношения для их вычисления:

4. Разработать метод фрактальной интерпретации ФПД первичных преобразователей на основе анализа ретроспективной и текущей информации.

5. Разработать алгоритмическое и. программное обеспечение для. анализа и синтеза ЧЭД, реализующих моделирование первичных преобразователей на основе фрактального подхода к описанию процессов.

6. Реализовать разработанные теоретические положения для элементов выбранного класса преобразователей.

7. Реализовать разработанные методы и алгоритмы в виде комплекса проблемно-ориентированных программ для проведения вычислительного эксперимента.

Методы исследования: до№решения поставленных задач в работе использованы методы теории энерго-информационных моделей цепей (ЭИМЦ) и аппарата параметрических структурных схем (ПСС), математического моделирования, теории фракталов, функционального анализа, теории графов, теории систем и системного анализа, общей теории чувствительности и погрешностей, теории электрических цепей, теории упругости, поискового проектирования.

Достоверность и обоснованность диссертационных исследований определяются корректным применением методов исследований, адекватность моделей подтверждается сравнением результатов с имеющимися точными решениями, успешным внедрением разработанных программных средств и результатами работы в различных организациях и предприятиях, что отображено в актах внедрения.

Научная новизна работы:

1. Создана концепция моделирования физического принципа действия ЧЭД на основе фрактального подхода к описанию явлений и процессов, которая, позволила за счет эффективной топологии структуры модели ФПД ЧЭД исключить ряд ограничений, вводимых в теории ЭИМЦ, что обеспечило расширение области синтезируемых решений и повышение адекватности моделей.

2'. Создана концептуальная модель ФПД ЧЭД для формализованного описания явлений и процессов различной физической природы, отличительной особенностью которой является инвариантность ю степени их детализации, что позволило разработать эффективную структуру базы данных, алгоритмы для машинного синтеза новых технических решений и расчета их выходных параметров, а также модели конкретных датчиков.

3. Получены новые расчетные соотношения для определения критериев качества, отождествляемых с эксплуатационными характеристиками (точность, чувствительность, диапазон измерения, нелинейность), для элементарных типовых соединений звеньев, используемые в эффективном универсальном рекурсивном алгоритме расчета выходных параметров датчика.

4. Создан новый комплексный метод фрактальной интерпретации ФПД датчиков и их элементов на основе анализа ретроспективной и текущей информации, обеспечивающий моделирование ФПД ЧЭД на основе фрактального подхода.

5. На основе фрактальной интерпретации ФПД ЧЭД разработана универсальная модель плоской мембраны фрактальной структуры, учитывающая различные виды нагрузки и анизотропность свойств материала, предназначенная для* расчета критериев качества, отождествляемых с эксплуатационными характеристиками, с целью использования этой информации для синтеза новых технических решений и предварительного подбора параметров плоской мембраны (материала и размеров) при ее проектировании.

6. Разработан численный метод расчета выходных параметров! линии с распределенными параметрами и распределенными, величинамина основе использования матриц с элементами фрактальной структуры, позволивший применять электронные таблицы.

Перечисленные результаты характеризуются системным подходом и образуют комплекс, определяющий создание основ теории чувствительных элементов датчиков различной физической природы с варьируемой степенью их детализации для систем управления.

Практическая ценность работы заключается в том, что полученные теоретические результаты явились, основой для создания программного и информационного обеспечения оригинальной системы, поискового проектирования новых технических решений, использование которой позволило разработать новые конструкции датчиков: При этом наибольшую практическую ценность представляют следующие результаты:

1. На основе полученных теоретических положений разработано информационное, алгоритмическое и программное обеспечение для анализа и синтеза ФПД ЧЭД, позволяющее существенно повысить качество проектирования за. счет расширения области синтезируемых решений и повышения точности расчета критериев качества, отождествляемых с эксплуатационными характеристиками, предназначенных для количественного сравнения синтезируемых вариантов принципа действия.

2. Использование новой информационной технологии поискового проектирования позволило разработать конструкции технических устройств: интегральный микромеханический тензорезисторный акселерометр-клинометр и совмещенный волоконно-оптический датчик давления и температуры (устройства запатентованы).

3. На основе созданной универсальной модели плоской мембраны разработана инженерная методика, алгоритмическое и программное обеспечение для ее расчета.

4. На примере плоской-мембраны показано, что на основе использования предложенного подхода могут быть рассчитаны и проанализированы выходные параметры ЧЭД. Сравнение с классическими методами расчета показало хорошее совпадение результатов при значительном сокращении времени расчета.

Реализация результатов работы Программные разработки автора внедрены в Научно-исследовательском институте физических исследований' и вычислительной, техники (г. Пенза), в ОАО КБЭ XXI века (г. Сарапул), в ФГУП ПКТБ «Вихрь» Внедрение программного обеспечения позволяет автоматизировать синтез ФПД датчиков нового поколения, сократить время проектирования датчиков давленияи их элементов в несколько раз с соответствующим повышением производительности труда, повысить качество научных изысканий и сократить время проведения научно-исследовательских работ. Разработки автора используются в>учебном процессе в, Астраханском государственном университете, (АГУ) и Московском! государственном институте электроники и математики (МИЭМ) при преподавании дисциплин, связанных с изучением проектирования технических систем: На защиту выносятся:.

1. Концепция-моделирования ФПД ЧЭД на основе фрактального подхода к описанию явлений и процессов, позволившая исключить ряд ограничений, вводимых в теории ЭИМЦ, за счет эффективной топологии структуры ФПД ЧЭД, что обеспечивает расширение области синтезируемых решений и повышение адекватности их моделей.

2. Концептуальная1 модель ФПД ЧЭД для формализованного описания явлений и процессов различной физической, природы, инвариантная к степени их детализации.

3. Новые расчетные соотношения для определения критериев качества, отождествляемых с эксплуатационными характеристиками, для элементарных типовых соединений звеньев, используемые в рекурсивном алгоритме их расчета.

4. Новый комплексный метод фрактальной интерпретации ФПД датчиков и их элементов на основе анализа ретроспективной и текущей информацииобеспечивающий моделирование ФПД ЧЭД на основе фрактального подхода.

5. Универсальная модель плоской мембраны фрактальной структуры, учитывающая различные виды нагрузки и анизоотропность свойств материала, предназначенная для расчета критериев качества, отождествляемых с эксплуатационными характеристиками.

6. Новый численный метод расчета линии с распределенными величинами и распределенными параметрами на основе использования матриц с элементами фрактальной структуры, позволивший применять электронные таблицы.

7. Информационное, алгоритмическое и программное обеспечение для анализа и синтеза ФПДЧЭД.

8. Синтезированные с использованием разработанного программного обеспечения датчики с улучшенными эксплуатационными характеристиками.1.

В первой главе выполнен анализ работ, посвященных решению задач автоматизация процесса проектирования ЧЭД на начальном его этапе, который показал, что наиболее эффективно эти задачи решает теория ЭИМЦ (М.Ф. За-риповИ.Ю Петрова). Однако, в настоящее время в связи с появлением новых уникальных возможностей, предоставляемых использованием современных технологий и материалов, возникли задачи, которые теория ЭИМЦ решить, не может. Это является следствием устанавливаемых в данной теории ограничений. Показано, что снять эти ограничения можно посредством использования иерархических самоподобных структур ТС на основе фрактального подхода. Определены задачи исследования.

В главе 2 представлена концепция моделирования физического принципа действия ЧЭД на основе фрактального подхода к описанию явлений и процессов и механизмы ее реализации. Введено понятие функционального фрактала как аналитической модели с графической интерпретацией физического принципа действия преобразователя, инвариантной к физической природе и степени детализации описываемых явлений и процессов. Определено пространство элементарных звеньев, операнды, операторы отображений и механизм формирования функциональных фракталов на основе отображений подобия на неметрическом пространстве. Разработана концептуальная, модель для описанияпроцессов в цепях различной физической природы с варьируемой' степенью детализации. Для формализации входной информации с целью заполнения базы данных разработаны комплексный метод фрактальной интерпретации ФПД преобразователей на основе анализа ретроспективной и текущей информации, алгоритм итерационного построения функционального фрактала по ЭИМЦ преобразователя, расчетные соотношения для определения критериев качества технических систем с типовым соединением звеньев, сочетание которых позволяет получить систему любой сложной структуры, рекурсивный алгоритм расчета выходных параметров функционального фрактала.

На основании анализа патентной и научно-технической литературы определен класс преобразователей для реализации разработанных теоретических положений — микроэлектронные и волоконно-оптические датчики давления.

Глава 3 посвящена моделированию плоской мембраны как линии с распределенными параметрами для трех различных случаев нагрузки и материалов мембраны как с изотропными свойствами, так и с анизотропными свойствами на основе фрактального подхода к описанию процессов.

Глава 4 посвящена моделированию волоконно-оптических датчиков фазовой модуляции на основе фрактального подхода к описанию процессов.

Глава 5 посвящена практической реализации разработанных теоретических положений для этапов поискового и эскизного проектирования.

В главе 6 выполнена проверка адекватности разработанных моделей, методик, алгоритмов и программного обеспечения для расчета выходных величин микроэлектронных датчиков давления и их упруги чувствительных элементов на основании разработанных теоретических положений.

Выводы по результатам выполнения задания на синтез № 4 Конструктивной реализацией результата синтеза является совмещенный волоконно-оптический датчик давления и температуры.

При синтезе учтены условия эксплуатации (высокая температура контролируемого объекта).

В синтезированном преобразователе достигнута цель: повышение точности измерений давления за счет учета дополнительной погрешности от температуры, снижение цены.

• Результатом синтеза является многофункциональный датчик второго типа по классификации многофункциональных датчиков (мультисенсор) с пересекающимися ФПД по каждой измеряемой величине.

• Получен патент на полезную модель [294].

Практическими результатами реализации разработанных теоретических положений для этапа эскизного проектирования первичных преобразователей являются инженерные методики, программное и результаты его использования. 3. Фрактальная интерпретация ФПД преобразователей позволяет использовать итерационные процедуры и рекурсивные алгоритмы для расчета их выходных параметров. Кроме того, был создан матричный метод расчета элемента с распределенными параметрами и распределенными величинами. Рекур1 сивные алгоритмы являются более предпочтительными для машинной обработки, но не эффективны при отсутствии средств автоматизации. Итерационные процедуры могут быть использованы как при машинной, так и ручной обработке данных. Но алгоритмы, созданные на их основе достаточно сложны. Матричный метод эффективно использовать на основе применения электронных таблиц.

3.1.Разработаны инженерные расчета деформации плоской мембраны микроэлектронного тензорезисторного датчика давления, прогиба плоской мембраны микроэлектронного емкостного датчика давления, напряжений диафрагмы резонансного датчика давления. Разработанные методики, в отличие от известных методов, являются универсальными: позволяет учесть различные варианты нагрузки, а также анизотропность полупроводниковых материалов.

3.2.Разработаны соответствующие алгоритмы расчета упругих элементов микроэлектронных датчиков давления.

3.3.Разработана система автоматизированного расчета микроэлектронных датчиков давления (Свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ № 2 005 610 506 от 24.02.2005 г.).

3.4.Выполнена оптимизация топологии тензорезисторов на поверхности плоской полупроводниковой мембраны. 4. Результаты диссертации внедрены в Научно-исследовательском институте физических исследований и вычислительной техники (г. Пенза), в ОАО КБЭ XXI века (г. Сарапул), в ФГУП ПКТБ «Вихрь» Внедрение программного обеспечения позволяет автоматизировать синтез ФПД датчиков нового поколения, сократить время проектирования датчиков давления и их элементов в несколько раз с соответствующим повышением производительности труда, повысить качество научных изысканий и сократить время проведения научно-исследовательских работ. Разработки автора используются в учебном процессе в Астраханском государственном университете (АГУ) и Московском государственном институте электроники и математики (МИЭМ) при преподавании дисциплин, связанных с изучением проектирования технических систем.

Апробация работы.

Материалы, входящие в диссертацию, обсуждались на II Международной научно-технической конференции «Новые информационные технологии в региональной инфраструктуре» (Астрахань, 1995), XL-XLII, XLVII-XLVIII научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава (Астрахань, 1996;1998, 2003, 2004), IX научно-технической конференции с участием зарубежных специалистов «Датчики и преобразователи информации систем измерения, контроля и управления». Датчик-97 (Гурзуф, 1997), 1П Международной научно-технической конференции «Новые информационные технологии в региональной инфраструктуре» (Астрахань, 1997), Международном форуме по проблемам науки, техники и образования (Москва, 1999), XVII, XVII международной научной конференции «Математические методы в технике и технологиях — ММТТ-17, 18» (Кострома, 2004, Астрахань, 2005), на международной конференции «Информационные технологии в образовании, технике и медицине» (Волгоград, 2006), III Всероссийской научно-практической конференции (Анжеро-Суджинск), научно-технической конференции «Технологии информатизации профессиональной деятельности (в науке, образовании, промышленности)» с международным участием в рамках форума «Высокие технологии — 2004» (Ижевск, 23−26 ноября 2004), IV-XIII Всероссийской научно-практической конференции (Томск, 18−19 нояб. 2005 — 14−15 мая 2009), Международной научно-практической конференции «Электронный университет как условие устойчивого развития региона», X Всероссийской научно-практической конференции «Научное творчество молодежи» (Томск, 21−22 апреля 2006), конференции «Тенденции развития современных информационных технологий, модели экономических, правовых и управленческих систем» (Рязань, 22 марта 2006), международных симпозиумах «Надежность и качество 2006, 2007, 2008, 2009» (Пенза, 22−31 мая 2006, Пенза, 21−31 мая 2007, 26−31 мая 2008, 25 — 30 мая 2009), научно-практических конференциях «Инновации в условиях развития информационно-коммуникационных технологий (Инфо-2006, 2007)» (Сочи, 1−10 октября 2006, Сочи, 1−10 октября 2007), Proceedings of the 5th Russian-Bavarian Conference on Biomedical Engineering, Munich, Bavaria, July ¼, 2009.

Заключение

.

Анализ состояния и тенденций развития современных преобразователей показал перспективность применения многофункциональных преобразователей на основе современных технологий. Выполнена классификация многофункциональных преобразователей по функциональным призанакам.

Результаты анализа исследований в области датчиковой аппаратуры, позволили выделить следующие основные направления в этой области:

Системный подход к задачам анализа, синтеза и улучшения эксплуатационных характеристик преобразователей.

Разработка моделей датчиков на основе представления процесса измерения как преобразования информации и энергии.

Системный подход подразумевает с одной стороны представление всех систем преобразования информации и всех операций, связанных с преобразованием информации как единое целое, во взаимосвязи друг с другом, с другой стороны — комплексный подход к решению вопроса достижения требуемых эксплуатационных характеристик, включающий три аспекта, которые несколько отличается у разных научных школ. Пензенская школа определяет следующие аспекты: научный (теоретические исследования, моделирование, анализ различных физических эффектов и проч.) — технологический (разработка и внедрение новых технологических процессов и операций) — материаловедческий (поиск и исследование новых материалов, в том числе и композитных).

Школа профессора М. Ф. Зарипова вместо научного аспекта рассматривает конструктивные методы, в остальном — подход такой же.

Разработка моделей датчиков на основе представления процесса измерения как преобразования информации и энергии предполагает: синтез информационно-энергетических моделей датчиков, предназначенных для оптимизации их основных характеристикразработку энерго-информационных моделей цепей, используемых для поискового проектирования новых технических решений и их расчета.

Известные модели и методы проектирования преобразователей классифицированы по этапам проектирования, на которых они применяются.

Анализ существующих методов поиска НТР показал, что лучшим для качественного проектирования преобразователей является энергоинформационный метод.

Теория ЭИМЦ и аппарат ПСС дают хорошие результаты при генерации не слишком сложных новых технических решений. Однако, был выявлен ряд проблем, возникающих при применении теории ЭИМЦ к моделированию преобразователей нового поколения, анализ которых показал возможность их решения на основе теории фракталов.

Выполненный анализ областей применения теории фракталов позволил выявить два крупных направления. Первое направление связано с использованием геометрических фракталов, второе — с моделированием нелинейных динамических систем. Однако для описания ФПД преобразователей, т. е. самой структуры процесса не подходят оба направления: первое — вследствие того, что входными параметрами такой системы не могут быть геометрические координаты, второе — вследствие отсутствия хаоса в синтезируемой системе. В рассматриваемом случае параметрами фракталов должны быть входные и выходные характеристики преобразователей. Сделан вывод о перспективности использования фракталов для моделирования преобразователей, которое, во-первых, позволит расширить область синтезируемых ТУст, во-вторых, создать более универсальный по с равнению с существующим подход к их синтезу, объединив свойственную теории ЭИМЦ инвариантность к физической природе явлений и процессов с инвариантностью к их масштабу, в-третьих, расширить область применения теории фракталов и методов системного анализа.

Разработана концепция моделирования физического принципа действия ЧЭД на основе фрактального подхода к описанию явлений и процессов, инвариантная к физической природе и степени детализации используемых явлений и процессов, на основе иерархической декомпозиции и систематизации преобразований с применением теоретико-множественного анализа, теории ЭИМЦ и теории фракталов.

В рамках данной концепции:

• понятийный аппарат теории фракталов адаптирован к рассматриваемой предметной области (введено понятие функционального фрактала);

• сформирована система элементарных звеньев, выполняющих функцию операндов отображения самоподобия;

• сформирована система образующих элементов (ОЭ), выполняющих функцию операторов отображения самоподобия;

• разработана концептуальная модель функциональных фракталов преобразователей для описания процессов в цепях различной физической природы с варьируемой степенью детализации.

Созданная концептуальная модель функционального фрактала является основой для разработки базы данных, алгоритмов расчета выходных параметров преобразователей и их синтеза.

На основе созданной концепции для реализации механизмов структурно-параметрического синтеза первичных преобразователей в виде функционального фрактала создана методология фрактального моделирования первичных преобразователей, определяющая основные этапы фрактальной интерпретации и структурно-параметрического синтеза первичных преобразователей и включающая:

• комплексный метод идентификации функционального фрактала на основе ретроспективной и текущей информации по преобразователям различных физических величин,.

• алгоритм итерационного построения функционального фрактала по ЭИМЦ преобразователя,.

• систему критериев качества для сравнительной оценки разрабатываемых фрактальные моделей физического ФПД преобразователей и расчетные соотношения для их определения,.

• методы расчета диапазона измерения и критерия структурной сложности функционального фрактала,.

• рекурсивный алгоритм расчета критериев качества функционального фрактала.

На основании анализа патентной и научно-технической литературы определен класс преобразователей для реализации этих теоретических положений — микроэлектронные и волоконно-оптические датчики давления. Выбор обусловлен актуальностью задачи измерения давления, перспективностью и уникальными возможностями, предоставляемыми применением микротехнологии и волоконной оптики, невозможностью автоматизации синтеза таких ТУст на основе известных методов, универсальностью реализуемых в конструкциях методов преобразования (14 тысяч различных конструкций датчиковдавления реализуют восемь основных методов, преобразования).

Представлена реализация, комплексного метода фрактальной интерпретации ФПД преобразователей на основе ретроспективной и текущей информации на примере моделирования ФПД упругих чувствительных элементов полупроводниковых датчиков давления — плоской мембраны, и диафрагмы.

8. В соответствии с первым (этапом-комплексного метода фрактальной интерпретации ФПД первичных преобразователейна основе анализа ретроспективной и текущей информации по преобразователям различных физических величин был проведен анализ различных упругих чувствительных элементов. Установлено, что общим упругим чувствительным элементом является миниатюрная кремниевая пластина (мембрана или диафрагма).

9. В соответствии со вторым этапом комплексного метода идентификации функционального фрактала на основе аналогий и подобия цепей различной физической природы, первого и’второго законов Кирхгофа, закона Ома, закона Гука для двухосного напряженного состояния разработаны, энергоинформационные модели деформации плоской мембраны для трех вариантов нагрузки: сосредоточенным в центре усилием, распределенным давлением, а также их сочетанием, прогиба плоской мембраны под давлением, напряжений в плоской мембране и диафрагме под давлением. Ю. На основе идентифицированных фрактальных структур ФПД плоской мембраны в виде образующего элемента с помощью соответствующего метода и алгоритма построен функциональный фрактал плоской мембраны, который описывает следующие частные случаи:

• нагрузка мембраны сосредоточенным в центре усилием;

• нагрузка мембраны давлением;

• нагрузка мембраны сосредоточенным в центре усилием и давлением;

• материал мембраны с изотропными свойствами;

• материал мембраны с анизотропными свойствами.

11 .Разработаны функциональные фракталы прогиба мембраны под давлением и напряжений мембраны и диафрагмы под давлением. 12. Введено понятие линии с распределенными параметрами и величинами для чувствительных элементов с распределенными параметрами под воздействием распределенной нагрузки. 13. Разработан образующий элемент идеальной упругой линии с распределенными параметрами и величинами и универсальный образующий элемент линии с распределенными параметрами и величинами.

Разработан матричный метод расчета элемента с распределенными параметрами и распределенными величинами.

• Первый этап комплексного метода идентификации функционального фрактала позволил выявить общие элементы ВОД ФМ, которые целесообразно моделировать для использования в дальнейшем при синтезе ТУст: опорное волокно с внутрицепными преобразованиями и рабочее волокно с межцепными преобразованиями.

• Разработаны энерго-информационные модели внутрицепных и межцепных оптических преобразований в опорном и рабочем волокне ВОД ФМ.

• Идентифицирован образующий элемент межцепных преобразований в ВОД ФМ давления, для внутрицепных преобразований использован полученный ранее функциональный фрактал линии с распределенными параметрами. На основе образующих элементов разработан функциональный фрактал ВОД ФМ на основе эффекта фотоупругости.

Адекватность моделей, используемых на стадии поискового проектирования, обусловлена совпадением некоторых полученных решений с известными техническими устройствами. Проверка адекватности разработанных моделей на этапе эскизного проектирования заключалась в определении погрешности расчета выходных параметров упругих чувствительных элементов микроэлектронных датчиков давления, а также их упругих чувствительных элементов, выполненных на основании разработанных фрактальных моделей, по сравнению с классическими методами расчета и экспериментальными данными. Для проведения вычислительного эксперимента было разработано алгоритмическое и программное обеспечение.

В результате того, что до настоящего времени не существовало единой методики расчета плоской мембраны, а анизотропность материалов вообще не учитывалась, адекватность разработанной универсальной модели можно проверить только для ее частных случаев:

• погрешность расчета линии с распределенными параметрами методом ПСС была определена сравнением его с классическим методом расчета длинных линий по полученным результатам.

• проверка адекватности расчета линии с распределенными параметрами и распределенными величинами выполнена сравнением результатов расчета плоской мембраны из изотропного материала под давлением по разработанной модели с результатами расчета по теории изгиба круглых пластинок.

Для линии с распределенными параметрами:

3. выявлено оптимальное количество звеньев ПСС с распределенными параметрами -5−6 (большее количество звеньев не влияет значительно на погрешность расчета).

4. показано, что погрешность расчета в рабочей области не превышает 10%.

Для линии с распределенными параметрами и распределенными величинами показано, что при расчете деформации, прогиба и напряжений плоской мембраны и диафрагмы из изотропного материала под давлением по разработанной универсальной модели в целом характер зависимости полученных значений деформации от радиальной координаты абсолютно соответствует реальному и достаточно точно позволяет выявить экстремальные точки (точки максимальной и минимальной чувствительности) на ее поверхности.

В целом проведенное исследование показало, что при расчетах упругих элементов микроэлектронных преобразователей с распределенными параметрами использование разработанной универсальной модели позволяет достигнуть достаточной на начальных этапах проектирования точности. Вместе с тем ее использование позволяет автоматизировать проектирование упругих элементов, что значительно ускоряет и упрощает процесс проектирования.

Выполненные исследования не только позволили решить комплекс проблем, возникающих на стадии поискового проектирования, но и применить системный подход на этапе эскизного проектирования.

Практическими результатами реализации разработанных теоретических положений для этапа поискового проектирования первичных преобразователей являются автоматизация их структурно-параметрического синтеза, а также результатов синтеза с использованием разработанного комплекса программ.

С целью автоматизации синтеза были разработаны информационно-логическая (и физическая модели базы данных, Программа расчета эксплуатационных характеристик элементов преобразователей сложной структуры, Система автоматизированного синтеза новых технических решений, результаты структурно-параметрического синтеза новых технических решений.

Программа расчета эксплуатационных характеристик элементов преобразователей сложной структуры предназначена для автоматизации расчета выходных параметров функциональных фракталов на следующих этапах: • идентификации функционального фрактала на основе ретроспективной и текущей информации при структуризации входной информации по преобразователям,.

• синтеза и оптимизации фрактальных моделей.

В первом случае она используется автономно, а во втором — как модуль автоматизированной системы синтеза новых технических решений.

Для реализации синтеза новых технических решений разработан комплекс алгоритмов, основанных на двух подходах: синтез многофункциональных датчиков на основе топограмм и блочно-иерархический синтез ФПД. Обоснована оптимальность алгоритма блочно-иерархического синтеза ФПД преобразователей и на его основе реализована автоматизированная система синтеза новых технических решений.

С целью проверки корректности выполненных теоретических исследований и определения эффективности разработанных алгоритмов был эксперимент.

Для определения эффективности созданных алгоритмов было разработано 50 тестовых заданий, реализуемых известной и новой системами, и выполнено тестирование обеих систем с использованием необновленного банка данных по ФТЭ. В результате количество полученных новых решений при использовании новой системы по сравнению со старой, основанной на традиционном подходе, в среднем на 20%.

Для проверки корректности выполненных теоретических исследований были разработаны четыре задания на синтез, которые невозможно реализовать на основе традиционного подхода, и позволяющие в полной показать возможность решения выявленных на этапе патентного исследования проблем. Выводы по результатам реализации задания на синтез № 1.

• Синтезированное решение представляет собой ФПД, конструктивной реализацией которого является изобретенный ранее мостовой индуктивный датчик перемещения [238].

• В синтезированном преобразователе достигнута цель: повышение чувствительности датчика.

• При синтезе реализовано достижение цели за счет применения конструктивных и схемных решений.

Показать весь текст

Список литературы

  1. A comparison between micromachined pressure sensors using, quartz or silicon vibrating beams / Dufour M., Delaye M. Т., Michel F., Danel J. S., Diem В., De-lapierre G. // Sens, and Actuators. A., 1992. 34, № 3. — C. 201−209. — Англ.-
  2. Bai Shao-hong // Zidonghua yibiao. Process Autom. Instrum., 1993. 14, № 2.
  3. C. 1−6. Кит. — Рез.: англ.
  4. Baizar, R. Semiconductor vibrational frequencyresponse sensor for pressure measurement: Pap. 30 Annu. Meet. Eur. High Pressure Res. group. / R. Balzar, E. Kras-nogenov, S. Abbasov // Физ. и техн. высок. Давлений, 1993, № 2. с. 25−27
  5. Beits, W. Systemtechnik der Maschinenkonstruktion. Unter-lagung zur Vorlesung. / W. Beits. TU Berlin, 1969
  6. Beitz, W. Ubersicht uber Moglichkeiten der Rechnerunterstusturzung beim Konstruieren / W. Beitz //Konstruktion, 1974, 26, № 5. P. 193−199
  7. Bobrow, D. C. Qualitative Reasoning about Physical Systems: An Introduction /
  8. D. С. Bobrow // Art. Intell, 24,1984. P. 1−5
  9. Bush, К. Programm «КЕТТ» zur rechnergestutzten Wirkprinzipsuche. Dummerstorf-Rostok: Akad der Landwirtschaftswissenschaften der DDR. Forschungszzentrum fur Tierproduktion. / K. Bush, 1985
  10. Capasitive pressure sensor with third encircling plate: пат. 4 951 174 США, МКИ5 H 01 G 7/00 / Grantham Daniel H., Latina Mario S.- United Technologies Corp. -№ 292 276- заявл. 30.12.88- опубл. 21.08.90.- НКИ 361/283
  11. Crazzolara, H. Silicon pressure sensor with integrated bid as stabilization and temperature compensation / H. Crazzolara, W. Munch, M. Nagele // Sens, and Actuators. A., 1992. 30, № 3. — C. 241−247. — Англ.-
  12. Diaphragm mounting system for a pressure transducer: пат. 5 264 820 США, МКИ5 H 01 С 10/10 / Kovacich John A., Hoinsky Christopher C., Van Vessm Peter D., Rado Ricardo A.- Eaton Corp. № 860 860- заявл. 31.3.92- опубл. 23.11.9.- НКИ 338/42
  13. Electronics, 1989. Vol. 62, № 1. -P. 104−106
  14. Electronics, 1990. Vol. 63, № 1. -P. 86−87
  15. Fangue E. Professional Creative Work / E. Fangue. Prentis-Holl, 1959
  16. Forbus, K.D. Qualitative Process Theory / K.D. Forbus // Art Intell., 24,1984. P.85−168
  17. Franke H. Untersuchungen zur Algoritmisierbarkeit des Konstruktions prozesses / H. Franke. Fortschnttsbenchte- VDI-Z, 1976,1/46. — P. 48−56
  18. Hix, С F. Physical Laws and Effects / С F. Hix, R P. Alley. New York: General Electric Company, 1958
  19. Hohl, G Rechnereinsatz in einer kreativen Phase des Konstruktons- prozesses / Hohl G // Feinwerktechn.+Messtechn., 1975, № 1. 83. — P. 14−18
  20. Hydro Carbon Processing, 1969, № 6. V. 48. — P. 189−190
  21. James, E.Hall. Silicon sensor upgrade pressure meashurements/ E.Hall. James// InTech, 1991, № 7. C. 32−33
  22. Jiang, H. Application of distributed fiber optic sensing in mine for methane detection / Jiang H., Shi H., Wang Y., Yaocai. // Fiber Optic Sensors V SPIE, 1996. Val. 2895
  23. Johnson, Dick Pressure sensing advances: are they in your process' future? / Dick
  24. Johnson // Contr. Eng. 1995. — 42, № 5. — C. 67,69,71,73. — Англ.
  25. Jones, J. Christopher Functional innovation / Jones J. Christopher // Design, 1970, № 258. V. l.-P. 78−79
  26. Jones, S. Query modeling for IR interface design / Jones S., Do Т., Paune L. // New Rev. Doc. and Text Manag J. Doc and Text Manag., 1995. -V. 1. P. 47−62
  27. JP 1 259 264 16.10.1989: (IPC1−7): G01P15/12 Semiconductor acceleration sensor / Nishimura Hitoshi
  28. Kersey, A.D. A review of recent development in fiber optic sensor technology / A.D. Kersey // Opt. fiber techn., 1996, № 3. V. 2
  29. Kim, H. F. optic voltage sensor based on the photoelastic effect in single-mode optical fiber / Kim Hoseong, Jun Jinwoo. Opt. Eng., 2000, 39, № 12. — P. 3281−3284
  30. Kim, H. Оптоволоконный датчик электрического напряжения. Fiber optic voltage sensor based on the photoelastic effect in single-mode optical fiber./ Kim Hoseong, Jun Jinwoo. Opt. Eng. 2000. 39, № 12, c. 3281−3284, 6 ил. Библ. 6. Англ.
  31. Kleer, J. A Qualitative Physics Based on Confluences / J. Kleer, J. S. Brown // Art Intell., 24, 1984. P. 7−83
  32. Koller, R Konstruktionsmethode fur den Maschinen, Gerate und Apparatebau / R. Koller. Berlin: Springer-Verlag, 1976. — 184 p.
  33. Krumhauer, P. Moglichkeiten der Rechnenmterstutzung fur die Konzeptphase der Konstruktions / P. Krumhauer // Zeitschrift fiir wirtschaftliche Fertigung, 1973, № 3.-68.-P. 119−126
  34. Krumhauer, P. Rechnenmterstutzung fur die Konzeptphase der Konstruktion. Ein Beitrag zur Entwicklung eines Programmsystems fur die Losungsfindung konstraktiver Teilaufgaben. Diss/W / P. Krumhauer. Berlin: TU, 1974. — 164 p.
  35. Lauwerier Н. A. Fractals images of chaos / H. A. Lauwerier. — Princetion Univ. Press, 1991
  36. Lee, Moon Key Датчик давления. A bipolar integrated silicon presssure sensor / Moon Key Lee, Bo Na Lee, Seung Min Jung // Sens, and Actuators. A., 1992. -34, № l.-C. 1−7.-Англ.-
  37. Li, S. Распределенный волоконно-оптический датчик деформации сжатия свысокой пространственной разрешающей способностью / Li Shangjun, Liuf
  38. Yongzhi. Dianzi keji daxue xuebao=J. Univ. Electron, and Technol. China, 2000, 29, № 4. — C. 373−376,4 ил. Библ.- 6. Кит.- рез. англ.
  39. Li, Zhengnong Численное моделирование гироскопа / Li Zhengnong, Jiang Desheng, Yang Zhiyong, Ни Wenbin. Wuhan ligong daxue xuebao=J. // Wuhan Univ.
  40. Technol., 2002, 24, № 11. c. 72−74,77, 4. ил. — Библиогр.: 4. Кит.- рез. англ.
  41. Mandelbrot, B.B. Fractals: form, chance and dimension./ B. B Mandelbrot. San Francisko: Freeman, 1977
  42. Massayoshi, Esashl Absolute pressure sensor by air-tight electrical feedthrough structure / Massayoshi Esashl, Matsumoto Yoshlnorl, Sojl Shulchi // Transud-ers'89 Lausame, 1990. C. 1048−1052
  43. Meclelland, S. Making out in Europe: vol: 10./S. Meclelland// Sensor Review, 1990, № 1.-P. 28−29.
  44. Messen von Druck und Differenzdruck // Ghem. Ing. Techn, 1993. — 65, № 12. -C. 1428. — Нем.
  45. Method for manufacturing semiconductor devices by use of dry etching: пат. 6 010 919 США: МПК7 H01L21/00 / Matsuhiro Yasushi, Asami Kazushi, Yo-shino Yoshimi- Nippon Soken, Inc. Denso Corp.
  46. Moles, A. Roland caude Creativite et methodes d’innovat / A. Moles. Fayard-Hame, 1970N
  47. Nan, S. Silicon planar epitaxial pressure sensors / S. Nan, A. Hangani, Jeane E. Valasi- M. Vasilache, I. Munteane // Rev. Roum. sei. techn. Ser. Electrotechn. et energ, 1992. 37, № 2. — C. 211−214. — Англ.
  48. Napolitano, F. Первая высококачественная инерциальная система навигации
  49. Nara Koichi, Okaji Masahiro, Kato Hiddeyuki // Teion kogaku. = Cryog. Eng., 1993. 28, № 12.- C. 21−27. — Яп.-
  50. Pang, Quan Применение нейронной сети при распознавании спектральных характеристик. / Pang Quan, Yiqi Xuebao, Chm. J. Sci. Instrum., 2001, 22, fc 6. -C. 588−591, 5. ил., 1. табл. Библиогр.: 8. Кит.- рез. англ.
  51. Presse, G. Aufbau und Anwendung emes Katalogs physicalicher Effekte / G. Presse // Maschinenbautechnik, 1977, № 7. P. 330−333
  52. Pressure transducers: пат. 5 317 923 США, МКИ5 G 01 L 7/08 / Erichsen Herman W., Panagotopulos Louis J., Levine Mark, Holmes William Т.- General Automotive Specialty, Co., Inc. № 972 118- заявл. 05.11.92- опубл. 07.06.94.- НКИ 73/727
  53. Resonant gauge with microbeam driven in constant electric field: пат. 5 275 055 США, МКИ5 G 01 В 7/16. / Zook James D., Burns David W.- Honeywell Inc. -№ 937 068- заявл. 31.08.92- опубл. 04.01.94- НК"73/778
  54. Resonant mechanical sensor: пат. 5 165 289 США, МКИ5 G 01 L 1/10 / Tilmans Hendricus A.C.- Johnson Service Co. № 551 523- заявл. 10.07.90- опубл. 24.11.92.- НКИ 73/862.59
  55. W. В. The role of materials in advanced sensor technology/ Sensor Review/ 2002/ Vol.22, № 4. P.289−299.
  56. Rodenacher, W. G. Methodisches Konstruieren: In. Konstruk- tionsbikher / W. G. Rodenacher. Bd. 27. Springer, Berlin West., Heidelberg, New- York, 1976
  57. Rodenacher, W. G. Methodisches Konstruieren: Regeln und Beispiele / W. G. Rodenacher. Berlin: Springer-Verlag, 1970.-233 p.
  58. Rodenacker, W. G. Methodisches Konstruieren: Regeln und Beispiele / W. G. Ro-denacker. Berlin: Springer-Verlag, 1970. — 233 p.
  59. Roth, K. Algorrthmisches Auswahlver-fahren zur Konstruktion mit Katalogen / K. Roth, H. Franke, R. Simolek. Feinwerktechnik, 1971, № 75
  60. Saigusa, Tokuji Преобразователи давления резонаторного типа. / Tokuji
  61. Saigusa, Michiaki Yamagata // Keisoku to migyo.= J. Soc. Instrum. And Contr. Eng., 1992. 31, № 6. — C. 689−691. — Яп.- 81. Schmidlin E.M. Fiber-optic components for single-mode fiber optic sensors//
  62. SPIE, 1996. V. 2872. P. 12. 82. Schrocht, H.J. Federn in mikromechanichen structuren/ H.J. Schrocht, M. Meissder, E. Wauro// Drant, 1994, № 4. -C.207−212- 224−228 83. Semiconductor acceleration sensor: пат.1 259 264 Япония, МКИ G01P15/12 /
  63. Stokes, N. A. D. Self-excitation in fibre-optic microresonator sensors / N. A. D. Stokes, R. M. A. Fatah and S. Venkatesh // Sensors and Actuators. A: Physical, 1990, February. — Vol. 21. — Issues 1−3. — P. 369−372
  64. Terry S. Silicon pressure transducer arrays for blood-pressure measurement / S. Terry J.S. Eckerle, R.D. Kornbluh, T. Low, С. M. Ablow // Transducers' 89.: Proc. 5th Int. Conf. Solid-State Sensors and Actuators and Eurosensors III, Montreux, 1989. 25
  65. June. Vol. 2. — Lausanne. — 1990. — C. 1070−1079. — Англ.
  66. Tetsuo, Fujii Fabrication of microdiaphragm pressure sensor utilizing micro-machining / Fujii Tetsuo, Gotoh Yoshitaka, Kuroyanagi Susumu // Sens, and Actuators. A. 1992. — 34, № 3. — C. 217−224. — Англ.-
  67. Vadecar, A. Pressure- sensitive integrated silicon optical guided-wave structures / A. Vadecar, A. Nathan, W. P. Huang // Microelectron. J., 1992. 23, № 6. — C. 471−477. — Англ.
  68. , В. Оптоволоконные импульсные датчики FX-301 фирмы Sunx. FX-301 Spifkove senzory s optickymi vlakny od firmy Sunx / Vesely Boleslav // Automattzace, 2001, № 12, C. 778−779. — 3 ил. Чеш.
  69. Wang, Xiaodong Guangz Xuebao Оптимизация датчика смещения / Wang Xiaodong Guangz Xuebao // Acta Photon. Sin., 2002, 31, № Ю. с. 1266−1269, 2. ил., 1. табл. — Библиогр.: 13. Кит.- рез. англ.
  70. Wang, Zheng-ping Анализ характеристик гироскопа / Wang Zheng-ping, Zhang Yan-shun, Shi Jin-hui, Huang Zong-jun, Yu Xin Harbm gongcheng daxue xuebao J.
  71. Harbin//Eng. Univ., 2002,23, № 3. С. 20−24, 10. ил. — Библиогр.: 5. Кит.- рез. англ.
  72. Werner, D.H. An Overview of the Fractal Antenna Engineering Research, IEEE Antennas and Propagation Magazine. / D.H. Werner, S. Ganguly, 2003. -Vol. 45.-№ 1.-P. 38−57
  73. Werthschutzky, r.Tehn. Mess Einzadz von Silizium sensoren inprozeBmeB-geraten/ r.Tehn. Mess Werthschutzky//Zar Druckmessung-Stand and Tendenzen, 1992, № 9. -С. 340−346
  74. Werthschutzky, R. Einsatz von Siliziumsensoren in Prozebmebgeraten zur Druckmessung-Stand und Tendenzen / R. Werthschutzky //Techn. Mess., 1992. 59, № 9. — C. 340−346. — Нем.
  75. Winzigers Druckmesselement // Autotechnik, 1995. 44, № 9. — C. 38. — Нем.
  76. Wu Jianmin, Tang Zhen’an, Niu Defang // Dalian ligong daxue xuebao. = J. Dalian Univ. Technol. 1995. — 35, № 4. — C. 540−543. — Кит. — Рез.: англ.
  77. Yaoling, Wang A novel pressure sensor structure for integrated sensors /
  78. , R. Разработка1 гироскопов с оптоволоконными элементами. / Zhang Rui, Zhang Yan-hua, Wang Sheng-wu. Shanghai Jiaotong daxue xuebao=J: Shanghai Jiaotong Univ., 2003″, 37, № 1. c. 145−148, 5 ил. Библиогр.: 3. Кит.- рез. англ.
  79. , Y. Особенности применения серии волоконно-оптических датчиков, на .нефтеналивных станциях / Zhao Yu, Chen АпЫао, Jiang Desheng Wuhan hgong daxue xuebao. J:. Wuhan // Univ. Technol, 2002, 24- № 5: C. 32−35. — 6 ил. Библ.: 5. Кит.- рез. англ.
  80. Zwicky, F. The morphological approach’to discovery invention research and construction / F. Zwicky. -Berlin: Springer, 1967
  81. , В. Б. Нелинейные радио- и< радиотехнические средства: современное состояние и перспективы, развития / В. Б. Авдеев, А. В: Бердышев, Г. Б: Волобуев, Н. И. Козачок, С. Н. Панычев // Нелинейный"мир, 2006, № 11
  82. Автоматизация поискового конструирования (искусственный интеллект в машинном проектировании): / Под ред. А. И. Половинкин. М.: Радио и связь, 1988:
  83. Автоматизация поискового конструирования: под ред. А. И: Половинкина. -Ml: Радио и связь, 1981. 344 с.
  84. Автоматизация поискового конструирования- под ред. А. И. Половинкина. Mi: Радио и связь, 1981. — 344 с.
  85. , Ж.И. Перспективы электроники в России. 4.1: Полупроводниковая электроника / Ж. И. Алферов // Датчики и системы, 2005, № 3. — С.72
  86. , Г. С. Алгоритм изобретения / Г. С. Альтшуллер. М.: Московский рабочий, 1973
  87. , Г. С. О представлении физических законов, эффектов и явлений в вепольной форме: Рукопись в фонде ЧОУНБ / Г. С. Альтшуллер, Ю. В. Горин, 1975. инв. № 213
  88. , Г. С. Творчество как точная наука / Г. С. Альтшуллер. — М.: Советское радио, 1979. — 175 с.
  89. , Л. Е. Упругие элементы приборов / Л. Е Андреева. М.: Машиностроение, 1981
  90. С.А. Методы оптимального проектирования: Текст лекций / С. А. Андронов. СПб.: СПбГУАП, 2001.-169 с.
  91. Басараб, М.А. R-функции, атомарные функции и их применение: Зарубежная радиоэлектроника. Успехи современной радиоэлектроники / М. А. Басараб, В. Ф. Кравченко, В. М. Масюк, 2001, № 8. С. 5−40
  92. , A.B. Малогабаритные датчики абсолютного давления / A.B. Белоглазов, В. И. Евдокимов, В. И. Суханов, Е. В. Котляревская, О. П. Кошевой // Приборы и системы управления, 1995, № 9. С. 8−10. — ISSN 0032−8154
  93. , JI. А. Теоретические основы электротехники. Электрические цепи / Л. А. Бессонов. М.: ВШ., 1978
  94. , JI.A. Теоретические основы электротехники. Электрические цепи / Л. А. Бессонов. М.: ВШ., 1978
  95. , А. Датчики нового поколения для вооружений и военной техники. / А. Блинов, С. Гамкрелидзе, М. Критенко, Д. Лебедев, Е. Мокров // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес, 2003, № 2, С.50−53
  96. , С. В. Фракталы и мультифракталы / С. В. Божокин, Д. А. Паршин. — Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2001. 128 с.
  97. , В.И. Волоконно-оптические датчики: физические основы, вопросы расчета и применения / В. И. Бусурин, Ю. Р. Носов. — М.: Энергоатом-издат, 1990.-256 с.
  98. , В.И. Волоконно-оптические датчики: физические основы, вопросы расчета и применения / В. И. Бусурин, Ю. Р. Носов. М.: Энергоатом-издат, 1990.-256 с.
  99. , М.М. Волоконная оптика и приборостроение / М. М. Бутусов, С. Л. Галкин, С. П. Орбинский, Б. П. Пал. Л.: Машиностроение, 1987. — 328 с.
  100. , Р.П. Миллиметровая радиолокация с фрактальной обработкой / Р. П. Быстров, А. А. Потапов, А. В. Соколов, М.: Радиотехника, 2005. — 368 с. -ISBN 5−93 108−030−9
  101. , В. В. Волоконно-оптический датчик вибрации / В. В. Воинов // Науч. тр. Моск. гос. ун-т леса. 2000, № 307, ч. 2, с. 204−207 паг. 7. 2 ил. Библ. 3. Рус.
  102. , В.А. Математические модели чувствительных элементов систем управления: Учеб. пособие/ В. А. Волков, В. В. Рыжаков, А. И. Тихонов, И. Н. Гонтарь, А. И1 Воячек, Н.И. Волчихин- под ред. Е. П. Осадчего. — Пенза: Пенз.политех.ин-т, 1990.—100с.
  103. Волоконно-оптический датчик. Faseroptischer Sensor: заявка 19 900 019 Германия, МПК7 G 01 N 21/55. D431 / Robert Bosch GmbH, Mueller Roland, Bernhard Winfried, Mueller Andre. № 199 000 190- заявл. 02.01.1999- опубл. 10.08.2000. Нем.
  104. , А.А. Оптимальные иерархические структуры / А. А. Воронин, СЛ. Мишин. М: ИПУ РАН, 2003. — 214 с.
  105. , С. Г. Методы решения задач по переходным процессам в электрических цепях / С. Г Гинзбург. М., 1967
  106. , В. Н. Поиск принципов действия технических систем / В. Н. Глазунов. М.: Речной транспорт, 1990. — 111 с.
  107. Глейк, Дж.Хаос. Создание новой науки / Дж. Хаос Глейк. — Санкт-Петербург: Амфора, 2001
  108. , А.Г. Волоконно-оптический датчик давления / А. Г. Годнев // Приборы и системы управления, 1993, № 5. С. 25−26. — ISSN 0032−8154
  109. , В. Многофункциональный датчик для электронных систем сбораданных. / В. Громов // Электроника: Наука. Технология. Бизнес, 2006, № 5
  110. , М.В. Математические модели оптимизации иерархических структур / М. В. Губко. М.: ЛЕНАНД, 2006. — 264 е.-
  111. Датчик положения или линейных перемещений. Lage- oder Wegsensor / Robert Bosch GmbH, Drabarek Pawel, Greif Hubert: заявка 19 743 156 Германия, МПК6 G 01 В 11/02, F 02' M 61/16. № 19 143 156.9- заявл 30.09.1997- опубл. 22.04.1999: Нем.
  112. Датчики.теплофизических и механических параметров: Справочник/ под ред. Ю-Н! Коптева. -М. :Изд-во предп. Редакции журн. «Радиотехника», 1988. 1 т. — 2 кн. — Библиогр.: с. 508
  113. , А. М. Автоматизация поискового конструирования. Модели, задачи, алгоритмы: автореф. дис.. д-ра техн. наук / А. М. Дворянкин. Волгоград: ВолгГТУ, 1996. — 46 с.
  114. , А. А. Курс физики: учеб. пособие для. втузов / А. А. Детлаф, Б. М. Яворский. 4-е изд., испр. — М.: Высш.шк., 2002
  115. , В. Э. Математические модели теплового дрейфа гироскопических датчиков инерциальных систем / В. Э. Джашитов, В. М. Панкратов. -СПб: Изд-во ГНЦ РФ ЦНИИ «Электроприбор», 2001.- 150 е., ил. — Библиогр.: 16. Рус. — ISBN 5−900 780−30−9
  116. , В.П. Полупроводниковый датчик для измерения быстроизме-няющегося давления газа / В. П. Драгунов // Приборы и системы управления, 1993, № 5. С. 23. — ISSN 0032−8154
  117. , И.А. Механические цепи / И. А. Дружинский. JL: Машиностроение, 1977. С. 25−66, 228−231
  118. , Л.Г. Теория и практика принятия решений / Л. Г. Евланов. М.: МИФИ, 1981
  119. , Э. Л. О термоупругом изгибе квадратной мембраны/ Э. Л. Еги-заров // Приборы и системы управления, 1997, № 4. С. 43−44
  120. , C.B. Многокритериальные методы принятия решений / C.B. Емельянов. М.: Наука, 1985
  121. Емкостный преобразователь давления. // Методы и средства электр. измерений. / ВНИИ электроизмерит. приборов. СПб., 1992. — С. 112. — Рус.
  122. , Е. В. Транзисторные СВЧ-генераторы сверхширокополосного хаоса на сосредоточенных элементах / Е. В. Ефремова // Нелинейный мир, 2007, № 5
  123. , И. Н. Определение геометрических параметров мембранных упругих чувствительных элементов с малой нелинейностью характеристики / И. Н. Жибарева // Приборы и системы управления, 1993, № 11. С. 36−40. -ISSN 0032−8154
  124. , М. И. К проблеме автоматического понимания полнотекстовых документов в информационном поиске / М. И. Забежапло // Изв. РАН Теория и системы управления, 1998. № 5. — С. 167−176
  125. М. Ф., Петрова И. Ю. Энергоинфориационный метод анализа и синтеза чувствительных элементов систем управления // Датчики и системы, 1999, № 5.
  126. , М. Ф. Информационные модели и межцепные эффекты в оптических элементах систем управления: препринт доклада / М. Ф. Зарипов, Н. Т. Супегшапов, И. Ю. Петрова. Президиуму Башкирского филиала АН СССР.-Уфа, 1980.-55 с.
  127. , М. Ф. Энерго-информационный метод научно-технического творчества: ВНИИПИ ГКНТ СССР. М., 1988. — 124 с.
  128. Зарипов, М. Ф Параметрические структурные методы проектирования первичных измерительных преобразователей. / М. Ф Зарипов, И. Ю. Петрова // VI Всесоюз. научн-технич. конферен. ИИС-83. Куйбышев: 1983.
  129. , М.Ф. Параметрические структурные методы проектирования первичных измерительных преобразователей. / М. Ф Зарипов, И. Ю. Петрова //VI Всесоюз. научн-технич. конферен. ИИС-83. Куйбышев, 1983
  130. , М.Ф. Преобразователи с распределенными параметрами для автоматики и информационно-измерительной техники. / М. Ф Зарипов. М.: Энергия, 1969. — 356 с.
  131. , М.Ф. Энерго-информационный метод научно-технического творчества: учебно-метод. пособие / М. Ф. Зарипов, Н. Р. Зайнуллин, И. Ю. Петрова. М.: ВНИИПИ, 1988. — 124 с.
  132. Зарипов, М. Ф. Элементы теории информационных моделей преобразователей с распределенными параметрами. / М. Ф. Зарипов, А. И. Никонов, И. Ю Петрова. Уфа: БН АН СССР, 1983. — 155 с.
  133. , В.М. Модели и комплексы программ для синтеза датчиков с поддержкой многопользовательской работы в сети: дис.канд.техн.наук. / В. М. Зарипова. Астрахань: АГУ, 2006. — 162 с.
  134. , А. О. Единство инструментов ТРИЗ. / Захаров А. О. Челябинск: «Технологии творчества», 1999, № 1. — с. 19-
  135. , А. О. Схема ЗРТС и неалгоритмические методы активизации творческого мышления / Захаров А. О. Бостон, 1999
  136. Заявка 2 235 773 Великобритания, МКИ5 G 01 Н 9/00. Indirectly excited resonant element sensor / Parsons Philip, Willson Joison Peter, Metealf Eric- Schlum-berger Ind. Ltd. № 90 170 820- заявл. 03.08.90- опубл. 13.03.91- НКИ GIG
  137. Заявка 2 664 979 Франция, МКИ5 G 01 L 13/02 Micro-capteur de pression / Isabelle Thomas, Pierre Olivier Lefort- Sextant Avionique S.A. № 9 009 468- заявл. 20.7.90- опубл. 24.1.92
  138. Заявка 317 526 Япония, МКИ5 G 01 L 19/14 / Вакаяма Киеси, Идзэки На-рито, Фукуда Мицухира- К. к. Дэруфай. № 1−151 343- заявл. 14.06.89- опубл. 25.01.91 // Кокай токке кохо. Сер. 6 (1). — 1991. -10. — С.179−182. — Яп.
  139. Заявка 4 125 398 ФРГ, МКИ5 G 01 L 9/02 Drucksensor und Kraftsensor / Offerins Henderikus L., Folkmer Bernd, Sandmaier Hermann- Fraunhofer-Ges. Zur Forderung der angewandten Forschung eV. -№ 41 253 981- заявл. 31.07.91- опубл. 04.02.93
  140. Заявка 4 133 061 ФРГ, МКИ5 G 01 С 9/00 Drucksensor / Marek Jiri, Weiblen Kurt- Robert Bosch GmbH. № 41 330 617- заявл. 04.10.91- опубл. 15.04.93
  141. Заявка 4 137 624 ФРГ, МКИ5 G 01 L 1/18 Silizium-Chip zur Verwendung in einen Kraftsensor / Herden Werner, Marek Jiri, Weiblen Kurt, Bantien Frank, Kuesell Matthias, Schmidt Steffen- Robert Bosch GmbH. № 41 376 242- заявл.1511.91- опубл. 19.05.93
  142. Заявка 4 206 174 ФРГ, МКИ5 G 01 L 9/06 Integrierter Sensor aus Silizium / Martin Wilimann, Joerg Muchow- Bosch Robert- GmbH. № 420 617 741- заявл. 28.02.92- опубл. 02.09.93
  143. Заявка 4 227 893 ФРГ, МКИ5 G 01 L 13/02 Differenzdrucksensor / Martin Mast, Andreas Blumenstock, Klaus Hirschberger- Robert Bosch GmbH. № 42 278 937- заявл. 22.08.92- опубл. 22.04.93
  144. , B.H. Метрологическое обеспечение преобразователей давления / В. Н. Зимин, В. И. Лурье, В. В. Панков, А. Ю. Петров // Sensors & Systems, 1999,№ 4.-С. 32−35
  145. , В.А. Емкостный датчик избыточного давления / В. А. Зиновьев,
  146. A.A. Шошин, В. Б. Акимов // Приборы и системы управления, 1992, № 5. С. 27.-ISSN 0032−8154
  147. , В. С. Фракталы. Инженерные приложения в материаловедении /
  148. B. С. Иванова, А. А. Оксогоев // Нелинейный мир, 2006, № 11
  149. , B.C. Введение в междисциплинарное наноматериаловедение / B.C. Иванова. М.: Сайнс-Пресс, 2005. — 208 с. — ISBN 5−88 070−081-Х
  150. , И.В. Исследование малогабаритных полупроводниковых датчиков давления./ И. В. Игнатьев, JI.B. Кипрская, Л. Г. Миносян // Тр. Центр, ин-та авиац. моторостр., 1992, № 1292. С. 111−122. — Рус.
  151. , Л.С. Полупроводниковые тензодатчики / Л. С. Ильинская, А. Н. Подмарьков // Библиотека по автоматике. Выпуск 189. М.-Л.: изд. «Энергия», 1966. — 149 с.
  152. Инерциальные датчики. Inertial sensors // News Prospace, 2002, № 48. С. 20−2, 3. ил. Англ.
  153. Интегральный микромеханический акселерометр-клинометр: пат.2 279 092 Рос. Федерация: МПК7 G01P 15/02 / Коноплев Б.Г.- Лысенко И.Е.
  154. , В.М. Введение в анализ, синтез и моделирование систем: Учебное пособие / В. М. Казиев. — М.: Интернет-Университет информационных технологий- БИНОМ. Лаборатория знаний, 2006. 244 с. — ISBN 5−95 560 060−4 (ИНТУИТ), ISBN 5−9474−511−9 (БИНОМ. ЛЗ)
  155. , Е. А. Унифицированные, струнные измерительные преобразователи / Е. А. Карцев- В. П. Короткой. М.: Машиностроение, 1982
  156. , Е.А. Датчики неэлектрических величин на основе унифицированного микромеханического резонатора / Е. А. Карцев // Приборы и системы управления, 1996, № 4. С. 32−35
  157. , И.Ю. Морфологический синтез чувствительных элементов систем управления по параметрическим структурным схемам: дис. канд.техн.наук / И. Ю. Квятковская. Астрахань: АГТУ, 1999.- 141с.
  158. , И.Ю. Теория принятия решений: Методическое пособие / И. Ю. Квятковская. Астрахань, АГТУ: — Изд-во ООО «ЦНТЭП», 2002. — 100 с.
  159. , Г. И. Тензометрический датчик давления / Г. И. Кикнадзе, A.A. Могильницкий, А. Г. Плещ, А. Л. Шенкевич // Приборы и техн. эксперим., 1991, № 5.-С. 175−176-
  160. , Н.П. Тензорезисторы: Теория, методика расчета, разработ-киУН.П.Клокова. М*.: Машиностроение, 1990.-224с.
  161. , Л.А. Хаотические колебания при движении двухкомпонентных смесей в пористых средах / Л. А. Ковалева, М. В. Мавлетов // Нелинейный мир, 2006, № 3
  162. , А.Г. Использование концепций системного подхода при изучении деформации и разрушения металлических материалов / А.Г. Колмаков1. Нелинейный мир, 2006, № 3
  163. , А.Н. Элементы теории функций и функционального анализа / А. Н. Колмогоров, C.B. Фомин. М.: Наука, 1972. — 496 с.
  164. , М.С. Нелинейные задачи теории пластин и пологих оболочек и методы их решения. / М. С. Корнишин. М.: Наука, 1964. — 192 с.
  165. , В.Ф. Булева алгебра и методы аппроксимации в краевых задачах электродинамики / В. Ф. Кравченко, М. А. Басараб. М.: Физматлит, 2004
  166. , В.Ф. Лекции по теории атомарных функций и некоторым их приложениям / В. Ф. Кравченко. М: Радиотехника, 2003
  167. , В.Ф. Новый класс фрактальных функций в задачах анализа и синтеза антенн: кн. З / В. Ф. Кравченко, В. М. Масюк. М.: Радиотехника, 2002. — 80с. — ISBN 5−93 108−030−9
  168. , P.M. Фракталы и хаос в динамических системах / P.M. Кроно-вер- пер. с англ. М.: Постмаркет, 2000
  169. , P.M. Фракталы и хаос в динамических системах. Основы теории / P.M. Кроновер. Москва: Постмаркет, 2000. 352 с.
  170. , С. В. Численный анализ многодиапазонных антенн на основе нерегулярных фрактальных структур / С. В. Крупенин, В. В. Колесов // Нелинейный мир, 2007, № 5
  171. , Л. В. Генерация сверхширокополосных хаотических радиоимпульсов / Л. В. Кузьмин // Нелинейный мир, 2007, № 5
  172. , Б. А. Применение волоконно-оптических датчиков в системах техносферного мониторинга: Безопас. жизнедеятельности / Б. А. Кузяков, 2002, № 6. С. 8 — 12, 5. ил. — Библиогр.: 12. Рус.
  173. Ю.Н. Распределенные волоконно-оптические датчики и измерительные сети / Ю. Н. Кульчин. Владивосток: Дальнаука, 1999
  174. Кульчин, Ю. Н'. Распределенные волоконно-оптические датчики и измерительные сети / Ю. Н. Кульчин. Владивосток: Дальнаука, 1999
  175. Кумунжиев, К В. Интеллектуальный интерфейс электромеханика: учебное пособие / К. В. Кумунжиев, Н. П. Кузьмин, Ю. В. Никитин. Уфа: УфАИ, 1984.- 100.с.
  176. В.В. Автоматизация синтеза структурных схем чувствительных элементов, систем управления на основе энерго-информационной модели: автореф. дис. канд.техн.наук. / В. В. Лаптев. Астрахань: АГТУ, 1997. — 22 с.
  177. , Н. Л. Влияние фазовых переходов на термодесорбцию с поверхности твердого тела / Н. Л. Левшин // ФТТ, 1997, № 3. Т. 39. — С. 573−576
  178. , А. Электромеханические системы: Системы с распределенными параметрами / А. Ленк- пер. с нем. М.: Энергоиздат, 1982
  179. Липовцев, Разностный метод решения задач устойчивости оболочек: Теория пластин и оболочек / Липовцев. М.: Наука, 1971. С.155−172-
  180. В.А.Логозинский, И. И. Сафутин, В. А. Соломатин. СПб: Изд-во ГНЦ РФ -ЦНИИ «Электроприбор», 2001. — С. 44−51 .Рус.
  181. Магниторезистивный датчик (варианты): пат. 2 236 066 Рос. Федерация: МПК7 НО 1L43/08 / С. И. Касаткин, A.M. Муравьев, В. Д. Ходжаев, JI.A. Ажаева-
  182. Малов, В В. Пьезорезонансные датчики./В.В-Малов Изд. 2-е, перераб. и доп.-М.: Энергоатомиздат, 1989--272х.
  183. Михайлов, П: Г. Многофункциональные микроэлектронные датчики / П. Г. Михайлов, А. П. Михайлов // Датчики и Системы, 2005, № 3 с.36
  184. Многоконтактное реле давления: пат. № 2 151 328 Рос. федерация: МПК 7 F 15 В 5/00 / Шикульская О. М., Ильичев С.А.- заявитель и патентообладатель Астраханский- государственный технический университет — № 96 118 876/ заявл. 23−09.1996- опубл. 20.06.2000г
  185. , АД. Введение в теорию фракталов / А. Д. Морозов.— Москва-Ижевск: Институт компьютерных исследований, 2002. 160 с. — ISBN 5−93 972−172−9
  186. , А.Я. Технология полупроводниковых материа-лов./А.Я.Нашельский. -М.: Металлургия, 1987
  187. , Э.Р. Блочно-иерархическое моделирование физического принципа действия многофункциональных преобразователей: дис. канд. техн. Наук / Э. Р. Незаметдинова. Астрахань, 2007. — 138 е.-
  188. , Э.Р. Анализ методов достижения требуемых метрологических характеристик микроэлектронных датчиков параметров движения / Э. Р. Незаметдинова // Метрология, 2007, № 1. С. 13 — 18
  189. , Э.Р. Оценка погрешностей элементов преобразователей по разветвленным параметрическим структурным1 схемам /Э.Р. Незаметдинова // Метрология, 2006, № 11. С. 11 — 15
  190. Нелинейная радиолокация: Ч. 2 / под ред. Горбачева А. А. М.: Радиотехника, 2006. — 168 с. — ISBN 5−93 108−030−9
  191. Нелинейная радиолокация: Ч. 3 / под ред. Горбачева А. А. М.: Радиотехника, 2007. — 128 с. — ISBN 5−93 108−030−9
  192. , В. Н. Фрактальная модель иерархического строения массивов горных пород: т.2 / В. Н. Одинцев, И. Ж. Бунин // Нелинейный мир, 2004, № 3-
  193. , Т. Волоконно-оптические датчики / Т. Окоси, К. Окамото и др. -Л.:Энергоатомиздат, 1990
  194. Оптоволоконный гироскоп. Optical fiber gyroscope: пат. 6 201 923 США, МПК7 G 02 В 6/00, G 01 В 9/02. Hitachi Cable, Ltd, NGK Insulators, Ltd. /
  195. УиЬага ТоБЫуа, Зоекаша Шгокаги, Те1зи ТоБЫуик^ ОЬпик! Wataru, Тоуос1а БЬиЬеь 1сЫё1 Такепоп- № 09/272 116- заявл. 19.03.1999- опубл. 13.03.2001- приор. 27.03.1998, № 10−82 175 (Япония) — НПК 385/137. Англ.
  196. А.И. Основы теории принятия решений: уч. пособие / А. И. Орлов. М., 2002
  197. , М.А. Основы классической ТРИЗ. Практическое руководство для изобретательного мышления / М. А. Орлов. — 2-е изд., испр. и доп. — М.: СОЛОН-ПРЕСС, 2006.-432 с.
  198. , Х.О. Красота фракталов. Образы комплексных динамических систем. / Х. О. Пайтген, П. Х. Рихтер. -М.: Мир, 1993
  199. Перспективы развития рынка систем автоматизации технологических процессов//Датчики и Системы, 1999, № 3. -С.53−56
  200. , И. Ю. Анализ механических систем на основе электромеханических аналогий. / И. Ю. Петрова, О. М. Шикульская // Тез. докл. III Межвузовская н/м конф. «Компьютеризация учебного процесса по электротехническим дисциплинам». Астрахань, — 1995
  201. , И. Ю. Классификация упругих элементов микроисполнении, используемых в приборостроении / И. Ю. Петрова, О. М. Шикульская // тезисы доклада XLI НТК проф.-преп.состава. Астрахань, 1997. — С. 23
  202. , И. Ю. Расчет мембран методом ПСС: тезисы доклада / И. Ю. Петрова, О. М. Шикульская // XLII НТК проф.-преп.состава. Астрахань, 1998
  203. , И.Ю. Общие принципы анализа микроэлементов систем управления с распределенными параметрами различной физической природы : Теория информационных систем и систем управления с распределенными параметрами / И. Ю. Петрова.- М: Наука, 1978
  204. , И.Ю. Универсальная структурно-параметрическая модель плоской мембраны / И. Ю. Петрова, О. М. Шикульская // Датчики и системы, 2000, № 2. С. 14−16. — ISBN 1992−7185
  205. , И.Ю. Физические основы энерго-информационных моделей и параметрических структурных схем./И.Ю. Петрова, М. Ф. Зарипов, А. И. Никонов: Препринт доклада. Уфа: БН АН СССР, 1984. — 25 е.-
  206. , И.Ю. Энерго-информационный метод анализа и синтеза чувствительных элементов систем управления: дис. докт. тех. наук. Самара, 1996.-С. 109−120
  207. , И.Ю., Вопросы анализа функциональных микроэлементов с распределенными параметрами различной физической природы. / И. Ю. Петрова // III межд. симп. «Теория информационных систем и систем управления с распределенными параметрами». Уфа, 1976
  208. , И.Ю., Физические основы энерго-информационных моделей и параметрических структурных схем/ И. Ю. Петрова, М. Ф. Зарипов, А. И. Никонов / Препринт доклада. Уфа: БФ АН СССР, 1984. — 25 с.
  209. , Т.Г. Упругие элементы малых сечений для приборов / Т. Г. Петрова, Л. Б. Жермкнская, В. Ф. Семенова и др. -Л.: Машиностроение, 1985. -128 с.
  210. , Л.А. Энерго-информационное моделирование волоконно-оптических датчиков фазовой модуляции: дис. канд. техн. наук / Л. А. Плешакова. Астрахань, 2007. — 152 с.
  211. , Р. П. Десятичная матрица поиска / Р. П. Повилейко. Рига: Знание, 1978
  212. , А. И. Основы инженерного творчества / А. И. Половинкин. -М.: Машиностроение, 1988. 368 с.
  213. Полупроводниковый акселерометр. Semiconductor accelerometer: пат. 5 567 880 США: МПК6 G01P15/08 / Yokota Yoshihiro, Naito Shotaro, Suzuki Toshihiko, Koide Akira- Hitachi, Ltd.
  214. Полупроводниковый датчик ускорения. Semiconductor acceleration sensor: пат. 5 567 878 США: МПК6 G01P15/08 / Mitsubishi Denki К. K. Kobayashi Eiji
  215. Полупроводниковый датчик физической величины. Semiconductor physical quantity sensor: пат. 5 987 989 США: МПК6 G01P15/125 / Yamamoto Toshimasa, Ao Kenichi, Takeuchi Yukihiro- Denso Corp.
  216. Преобразователь перемещений: пат. 2 279 632 Рос. Федерация: МПК7 G01B7/00, H01L49/00 / Былинкин С.Ф.- Вавилов В.Д.- Миронов С.Г.
  217. , М.А. Новые кварцевые преобразователи давления и температуры/ М. А. Прозоров // Приборы и системы управления, 1996, № 6. С. 27−28
  218. Разделение и линеаризация выходов волоконно-оптического датчика смодулированной поляризацией для двухпараметрических непрерывных измерений / Wang Xiaodong. Guangxue xuebao. Acta opt. sin, 2002. 22, № 4. С. 485−490, 8 ил. Библ.: 10. Кит.- рез. англ.
  219. Распознование. Аутодиагностика. Мышление (Синергетика и наука о человеке) / под ред. Чернавского Д. С. М.: Радиотехника, 2004. — 272 с. — ISBN 5−93 108−030−9
  220. , А. П. Странные аттракторы и фракталы как основа новой динамической модели радиолокационных сигналов, рассеянных растительным покровом: Т.1 / А. П. Реутов, А. А. Потапов, В. А. Герман // Нелинейный мир, 2003, вып. № 1−2
  221. Р. Фундаментальные алгоритмы на С++. Алгоритмы на графах. Анализ, Структуры данных, Сортировка, Поиск: Пер. с англ./ Роберт Седжвик. СПб.: ООО «ДиаСофтЮП», 2002. — 496 с.
  222. , Р. Фундаментальные алгоритмы на С++: Анализ, Структуры данных, Сортировка, Поиск: пер. с англ. / Роберт Седжвик. СПб.: ООО «ДиаСофтЮП», 2002. — 688 с.
  223. , Б.Я. Моделирование систем: учеб. для вузов / Б. Я. Советов Б.Я., С. А. Яковлев. — 4-е мзд., стер. — М.: Высш. Шк., 2005. — 343 е.-
  224. , Б.С. Основы теории и расчета надежности эементов и устройств автоматики и вычислительной техники./ Б. С. Сотсков. М.: Высшая школа, 1970.-270 с.
  225. Справочник по электротехническим материалам: т. 3- под ред. Ю. В. Корицкого, В. В. Пасынкова, Б. М. Тареева. Ленинград: Энергоатомиз-дат Ленинградское отделение, 1988. — С. 405−440
  226. , В.Ч. Перспективные датчики абсолютного давления / В. Ч. Станкевич, Ч. И. Шимкявичюс // Приборы и системы управления, 1996, № 6. -С. 25−28.-ISSN 0032−8154
  227. , В.М. Микроэлектронные датчики за рубе-жом/В.М.Стучебников // Приборы и системы управления, 1993.-N 1. -С. 18−20
  228. Техническое творчество: теория, методология, практика. Энциклопедический словарь-справочник- под ред. А. И. Половинкина, В. В. Попова.- М.: НПО «Информ-система», 1995.-408с.
  229. Техническое творчество: теория, методология, практика: Энциклопедический словарь-справочник- под ред. А. И. Половинкина, В. В. Попова. М.: НПО «Информ-система», 1995. — 408 с.
  230. , С.П. Пластинки и оболочки / С. П. Тимошенко, Войновский -Кригер Пер с англ./ Под ред. Г. С. Шапиро. М.: Физматгиз, 1963, 576 с.
  231. , С.П. Технология газового скалывания: Производство структур кремний на изоляторе и сенсоров на их основе / С. П. Тимошенков, В. В. Калугин,
  232. B.И. Графутин, Е. П. Прокопьев. // Межд. конф. «Датчики и Системы», 2002
  233. , А. А. Пути коммерциализации научных разработок в области датчиков / А. А. Тихонов, Н. Н. Новиков // Датчики и системы, 2002, № 4.
  234. C. 59−62, 68. Рус.- рез. англ.:
  235. , A.A. Высокотемпературные датчики перемещений на основе металлокерамических катушек индуктивности / A.A. Трофимов, Н.Д. Кона-ков // Межд. конф. «Датчики и Системы», 2002
  236. , Н.П. Полупроводниковые датчики/НП.Удалов. -M.-JL: Энергия, 240 е.-
  237. Упругие элементы датчиков механических величин: учеб. пособие/ А. И. Тихонов, И. Н. Гонтарь, А. И. Воячек, Н.И. Волчихин- под ред. Е. П. Осадчего.
  238. Пенза: Пенз.политех.ин-т, 1988. 88 с.
  239. , Е. Фракталы: пер. с англ. М.: Мир, 1991. — 254 с. ISBN 5−03−1 712−7
  240. В.И. Упругие элементы точного приборостроения / В. И. Федосеев. М.: Оборонгиз, 1949. — 344 с.
  241. , В.И. К расчету хлопающей мембраны: в Ют. / В. И. Федосеев // Прикладная математика и механика, 1946, вып. 2, с. 292−301
  242. , В.И. Об одном способе решения нелинейных задач устойчивости деформируемых систем / В. И. Федосеев // Прикладная математика и механика, 1946, т. XXVIII, вып. 2. С. 265−275-
  243. , В.И. Сопротивление материалов. / В. И. Федосеев. 9-е изд., перераб. и доп. — М: Наука: гл. ред. физ.-мат. лит., 1986-
  244. , С.А. Моделирование и автоматизированное использование структурированных физических знаний: монография / С. А. Фоменков, Д. А. Давыдов, В. А. Камаев. ВолГТУ. — М. Машиностроение-1, 2004. — 297 с. -ISBN 5−97 275−144−7
  245. , С.А. Представление физических знаний для автоматизированных систем обработки информации/ С. А. Фоменков, A.B. Петрухин, В. А. Камаев, Д. А. Давыдов / Монография. Волгоград: ТОО «Принт», 1998. — 152 с.
  246. , Ф. Основы общей методики конструирования/Ф. Ханзен- пер. с нем .-Л.: Машиностроение, 1966
  247. А. А. Исследование чувствительных элементов систем управления на основе гальваномагнитных эффектов Автореферат дис.. канд. техн. наук. -Астрахань: АГТУ, 1997 -21 с
  248. , Т.Е. Полупроводниковые и специальные материалы: учебное пособие по курсу «Полупроводниковые и специальные материалы» / Т. Е. Харламова. изд. Северо-западного заочного политехнического института, 1977.-С. 10−67
  249. , А.Я. Цепные дроби / А. Я. Хинчин. М: Наука, 1978. — 111 с.
  250. , В. Н. Экспериментальное исследование температурного дрейфа волоконно-оптических гироскопов. Навигация и управление движением:
  251. Материалы 4 конференции молодых ученых, Санкт-Петербург, 12−14 марта, 1авг.-30 нояб., 2002 / В. Н. Ходуров. СПб: Изд-во ГНЦ РФ — ЦНИИ «Электроприбор», 2002. — С. 165−170, 4. ил. — Библиогр:. 2. Рус.
  252. , В. А. Нелинейные эффекты в процессах разработки газовых залежей: т.2 / В. А. Черных // Нелинейный мир, 2004, № 3-
  253. , И.И. Малогабаритный датчик быстр опер еменного давления ЛД-6−1 / И. И. Чикин, В. Г. Караджи, Л. В'. Голубкова // Тр. Центр, ин-та авиац. Моторостр, 1992, № 1292. С. 125−131.- Рус.
  254. Чувствительный элемент мембранного типа: пат. 2 247 443 Рос. Федерация: МПК7 H01L29/84 / Лучинин В. В., Корляков A.B., Белых C.B., Ильков В. К., Ширшов A.A.
  255. Чувствительный элемент: Пат. 2 106 610 Рос. Федерация: МПК7 G01L1/22, G01L9/04. / Кобылянский П.А.- Тиняков Ю.Н.- Мишачев В.И.- Михайленко В.А.
  256. , Ю. М. Метод технического творчества / Ю. М. Чяпяле. Вильнюс: Мокслас, 1985
  257. , О.И. Фрактальные процессы в телекоммуникациях./ О.И. Ше-лухин. М.: Радиотехника, 2003. — 480 с. — ISBN 5−93 108−030−9
  258. О. М. Расчет диапазона измеренияi преобразователей и их элементов / О. М. Шикульская, Э. Р. Незаметдинова // Изв. вузов. Поволж. регион. Техн. науки, 2006, № 6. С. 263−270. — ISSN 1728−628Х
  259. О. М. Определение погрешностей длинной линии по параметрической структурной схеме (ПСС)/ О. М. Шикульская // Изв. вузов. Сев,-Кавк. регион. Техн. науки. 2006. — Прил. 5. — С. 7−10. — ISSN 0321−2653
  260. О.М. Блочный анализ и синтез новых технических решений на основе энерго-информационного метода / О. М. Шикульская // Изв. вузов. Поволж. регион. Техн. науки, 2006, № 6. С. 287−292. — ISSN 1728−628Х
  261. , О. М Расчет чувствительности энерго-информационных моделей цепей произвольной структуры / О. М. Шикульская, Э.Р. Незаметди-нова //Авиакосмическое приборостроение, 2006, № 12. С. 59−60
  262. , О. М. Определение погрешностей различных структур цепей с применением аппарата параметрических структурных схем / О. М. Шикульская, Э. Р Незаметдинова // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. -2006. Прил. 5. — С. 11−14
  263. , О.М. Классификация методов достижения требуемых эксплуатационных характеристик / О. М. Шикульская // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика, 2006, № 11. — С. 40−42
  264. , О. М. Модернизация концептуальной модели банка данных по физико-техническим, эффектам на базе современных информационных технологий / О. М. Шикульская, Э. Р. Незаметдинова // Измерительная техника № 1. С. 7−9.
  265. , О. М. Расчет чувствительности элементов с распределенными параметрами / О. М. Шикульская, JI.A. Плешакова // Авиакосмическое приборостроение,-2006 № 11- с. 17−18
  266. , О. М. Рекурентная модель линии с распределенными параметрами и величинами / О. М. Шикульская // Измерительная техника, № 3. С. 20−22
  267. , О. М. Анализ алгоритмов расчета однородных длинных линий: Специальный выпуск. Математическое моделирование и компьютерные технологии / О. М. Шикульская // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. Науки, 2006. С. 35−37. — ISSN 0321−2653
  268. , О. М. Определение погрешностей длинной линии по параметрической структурной схеме (ПСС) / О. М. Шикульская // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. Науки, 2006. Прил. № 5. — С. 7−10. — ISSN 0321−2653
  269. , О. М. Концепция блочного синтеза новых технических решений. / О. М. Шикульская // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. Науки, 2006. Прил. № 7. — С. 30−32. — ISSN 0321−2653
  270. , О.М. Анализ физико-технических эффектом с учетом свойств полупроводниковых материалов / О. М. Шикульская, Э. Р. Незаметдинова // Информационные технологии и математическое моделирование
  271. ИТММ-2005): Материалы IV Всероссийской научн.науч. практ. Конф. (1819 нояб. 2005 г.). — Томск: Изд-во Том. ун-та, 2005. -Ч. 1. — С. 121−124
  272. , О.М. Блочный анализ и синтез новых технических решений на основе энерго-информационного метода / О. М. Шикульская // Изв. вузов. Поволж. регион. Техн. Науки, 2006, № 6. С. 287−292. — ISSN 1728−628Х
  273. , О.М. Концептуальное моделирование принципа действия преобразователя на основе SADT-технологии / О. М. Шикульская, М.И. Ши-кульский // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. Науки, 2005. Прил. № 2. -С. 52−54. — ISSN 0321−2653
  274. Увайсова. -М.: МИЭМ, 2006. С. 187−190. —ISBN 5−7511−2015−3.1
  275. , О.М. Математическая модель расчета микроэлектронных емкостных датчиков давления. / О. М. Шикульская, М. И. Шикульский // Известия вузов. Сев.-Кавк. Регион Техн. Науки, 2005. Прил. № 1. — С.23−26.1.SN 0321−2653
  276. , О.М. Математическое моделирование деформации плоскоймембраны с применением метода ПСС / О. М. Шикульская // Вестник АГТУ. Телекоммуникации, новые информационные технологии и связь. Астрахань, 2000.-С. 112−115
  277. , О.М. Моделирование коррекции аддитивной температурной погрешности / О. М. Шикульская, А. И. Куксин // Авиакосмическое приборостроение, 2007, № 8. С.27−29
  278. , О.М. Разработка энерго-информационной модели цепи микроэлектронных тензорезисторных датчиков давления / О. М. Шикульская, М. И. Шикульский // Известия вузов. Сев.-Кавк. Регион Техн. Науки, 2005.
  279. Прил. № 1. с. 27−30. — ISSN 0321 -2653
  280. , О.М. Распределенные энергоинформационные модели упругих элементов микроэлектронных преобразователей механических величин: дисс.. канд. техн. наук. / О. М. Шикульская. Астрахань, 2000. — 130 е.-
  281. , О.М. Расчет чувствительности энергоинформационных моделей цепей произвольной структуры / О. М. Шикульская, Э.Р. Незаметдино-ва // Авиакосмическое приборостроение, 2006, № 12. С.59−60
  282. , О.М. Система автоматизированного расчета микроэлектронных датчиков давления / О. М. Шикульская, М. И. Шикульский // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. Науки, 2005. Прил. № 3. — С. 3−5. — ISSN 0321−2653
  283. , О.М. Сравнение результатов расчетов преобразователей различными методами : тезисы доклада / О. М. Шикульская // XL н/т конф. проф.-преп. Состава. Астрахань, 1996
  284. , О.М. Структурно-параметрическое моделирование микроэлектронных резонаторных датчиков давления / О. М. Шикульская, М. И. Шикульский // Известия вузов. Сев.-Кавк. Регион Техн. Науки, 2005. Прил. № 1.-С. 30−33. —ISSN 0321−2653
  285. , О.М. Фрактальное моделирование упругих элементов микроэлектронных преобразователей с учетом распределенных параметров:моногр. / О. М. Шикульская. Астрахань: изд-во АГТУ, 2006. — 128 с. — ISBN 5−89 154−202−1
  286. , О.М., Распределенные энергоинформационные модели упругих элементов микроэлектронных преобразователей давления: дис. канд. техн. наук. / О. М. Шикульская. Астрахань, 2000. — С. 36−39
  287. , М.И. Энерго-информационные модели микроэлектронных датчиков давления: дис. канд. техн. Наук / М. И. Шикульский. Астрахань, 2005. — 158 с.
  288. , Э. М. Особенности автоматизации и конструирования деталей и сборочных единиц информационно-измерительной техники: учебное пособие / Э. М. Шмаков. Л: ЛПИ, 1979. — 80 с.
  289. , О.В. Синтез чувствительных элементов систем управления на основе реляционной модели организации знаний: дис. канд. техн. наук. / О. В. Щербинина. — Астрахань, 2001. 111с.
  290. , В.Л. Прогнозирование процессов функционирования бортовых систем космических аппаратов на основе процедуры реконструкции фазового пространства / В. Л. Якимов, A.B. Назаров, В. П. Обрученков, А. Е. Давыдов // Нелинейный мир, 2006, № 3
  291. , Н.И. Высокочувствительные магниторезистивные микроэлектронные датчики / Н. И. Яковлев // Международная Конференция «Датчики и Системы», 2002
  292. , В.А. Экспериментальное исследование некоторых видов фрактальных нелинейных рассеивателей / В. А. Яшнов // Нелинейный мир, 2004, № 5−6
Заполнить форму текущей работой