Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Влияние модулированного облучения и генерационно-рекомбинационных процессов на работу микроволновых устройств на диодах Ганна

Диссертация: Влияние модулированного облучения и генерационно-рекомбинационных процессов на работу микроволновых устройств на диодах Ганна
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В третьей главе предложен единый подход к анализу генерационнорекомбинационных процессов как при представлении зависимости поперечного сечения рекомбинации от скорости носителей, так и от их энергии, определяемой теми разогревными процессами, которые характерны для диодов Ганна. В рамках локальной полевой модели проведен анализ влияния рекомбинационных нелинейностей на процесс преобразования… Читать ещё >

Влияние модулированного облучения и генерационно-рекомбинационных процессов на работу микроволновых устройств на диодах Ганна (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. Учет рекомбинационных нелинейностей при определении микроволновой проводимости диодов Ганна
    • 1. 1. Методы анализа нелинейных процессов в объеме арсенида галлия
    • 1. 2. Оптоэлектрические свойства арсенида галлия
    • 1. 3. Содержание генерационно — рекомбинационного процесса
    • 1. 4. Направления учета генерационно — рекомбинационных процессов
    • 1. 5. Итоги главы
  • ГЛАВА 2. Пути определения параметров рекомбинационной нелинейности объема полупроводников
    • 2. 1. Определение аппроксимационных параметров по известным зависимостям
    • 2. 2. Методика определения зависимости поперечного сечения рекомбинации носителей от их скорости и от их энергии (локальная полевая модель)

    2.3. Локальная полевая модель малосигнального процесса взаимодействия амплитудно — модулированного света с постоянным и переменным полями в арсениде галлия и пути определения аппроксимационных параметров рекомбинации.

    2.4. Итоги главы.

    ГЛАВА 3. Локальная полевая модель преобразования частот модуляции света и внешнего поля в объеме арсенида галлия.

    3.1. Анализ параметров уравнения кинетики, определяющих рекомбинацию.

    3.2. Анализ процесса преобразования концентрации носителей в рамках локальной полевой модели.

    3.3. Анализ тока в диоде Ганна без учета генерационно-рекомбинационных процессов в рамках локальной полевой модели.

    3.4. Параметры преобразования частот модуляции поля и света в рамках локальной полевой модели.

    3.5. Итоги главы.-

    ГЛАВА 4. Влияние генерационно — рекомбинационных процессов на детекторный эффект и микроволновую проводимость диодов Ганна.

    4.1. Приближение локальной полевой модели в определении микроволновой проводимости диода Ганна.

    4.2. Анализ влияния рекомбинационных процессов на детекторные свойства объема полупроводников типа, А В

    4.3. Направление компьютерного моделирования микроволновой объемной проводимости полупроводников типа полупроводников типа, А В с учетом рекомбинационных процессов.

    4.4. Об учете генерационно — рекомбинационных процессов при анализе двухчастотного полевого воздействия на диоды Ганна.

    4.5. Учет влияния генерационно — рекомбинационных процессов на микроволновую проводимость диодов Ганна.

    4.6. Итоги главы.

    ГЛАВА 5. Алгоритмы расчета параметров СВЧ устройств на диодах Ганна с учетом рекомбинационных нелинейностей.

    5.1 Теория нелинейного регенеративного усиления сигнала на частоте модуляции света и синхронизации автогенератора на диоде Ганна этой частотой.

    5.2. Алгоритм проектирования умножителей и автогенераторов гармоник без учета параметров эквивалентной схемы диода.

    5.3. Оптимизация нагрузки автогенераторов СВЧ на диодах Ганна с учетом влияния гармоник и параметров полной эквивалентной схемы диода.

    5.4. Итоги главы.

    ГЛАВА 6. Вопросы экспериментальной проверки и применения теоретических результатов.

    6.1. Экспериментальные исследования преобразовательных свойств и измерение температуры.

    6.2. О системах фазового и частотного управления.

    6.3. Итоги главы.

Современное развитие телекоммуникационных систем передачи информации вызвало большой интерес к исследованиям, направленным на увеличение быстродействия элементной базы. В настоящее время микроволновые системы работают практически на пределе своей пропускной способности, и какое-либо улучшение передающих характеристик этих систем затруднительно, чего нельзя сказать о системах оптической связи, перспективы развития которой огромны. Ряд фирм и университетов (Германии, Японии, США, Швейцарии и др.) в рамках приоритетных национальных программ ведут интенсивные исследования по созданию основных компонентов оптических систем со скоростью передачи информационных сигналов в диапазоне 20 — 100 Гбит/с. В России такие исследования проводятся, в частности, в ИРЭ РАН (Институт радиотехники и электроники РАН), Физико-техническом институте (г. Санкт-Петербург), НИИ «Сапфир», «Пульсар» (г. Москва) и др.

Более чем за двадцатилетний период техника оптической связи стала конкурентоспособной, причем источники и каналы передачи существенно изменились, в то время как приемные устройства не претерпели значительных усовершенствований.

Появление и широкое развитие оптических систем связи, в том числе оптоволоконное управление фазированными антенными решетками, заставляет подробно исследовать те физические процессы взаимодействия модулированного света и носителей заряда в полупроводниковых структурах, которые определяют работу этих систем. В основе этих физических процессов лежат явления тепловой и световой генерации свободных носителей, с одной стороны, и рекомбинация этих носителей с центрами, ответственными за рекомбинацию, с другой стороны. И, хотя эти процессы являются основой упомянутого взаимодействия и широко используются на практике, существует крайне мало работ, посвященных экспериментальному и, в особенности, теоретическому их исследованию. Это и определяет актуальность темы данной работы, ставящей своей целью восполнение упомянутого пробела в таких исследованиях.

Предметом исследований выбран диод Ганна (ДГ) на основе арсенида галлия (GaAs), так как в нем имеет место [5] та малость времени жизни свободных носителей заряда (< 10 ~ 8 с), которая существенно определяет влияние генерационно — рекомбинационных процессов при воздействии модулированного света высокими частотами и СВЧ, а также СВЧ полей на поведение прибора. Следует отметить, что нитрид галлия (GaN), который как и арсенид галлия, дает ганновскую генерацию, имеет время жизни электронов.

12 13 равное 7−10″ с, а дырок -10″ с [111], что дает основание надеяться на возможность управления диодами на основе GaN светом, модулированным до частот порядка 50 ГГц.

Вопросы упомянутого взаимодействия применительно к диодам Ганна нашли свое обобщение в работе [5], отражены, в частности, в Приложении 1 и посвящены, в основном, случаям воздействия немодулированного света. Они, к сожалению, совершенно не касаются сложного характера генерационнорекомбинационных процессов при таком взаимодействии в конкретных системах и зависимости этих процессов в полупроводниковых структурах от мощности воздействующих полей. Проведение указанных исследований осложнено тем, что для строгого теоретического анализа процессов, протекающих в полупроводниках при воздействии постоянного, переменного полей и модулированного оптического излучения, в частности, для определения спектра протекающего тока и оценки эффективности процессов преобразования частоты модуляции света, необходимо решать систему нелинейных дифференциальных уравнений, которая существенно усложняется в случае, когда на полупроводниковую структуру воздействует постоянное и переменное электрические поля и оптическое излучение, имеющее модуляцию.

Воздействие переменного СВЧ — поля и модулированного излучения оптического диапазона значительно обогащает спектр выходного тока полупроводникового прибора (в частности, ДГ), причем указанные эффекты могут быть не только вредными, но и могут быть использованы для создания фотоприемных элементов нового типа, а оптимизация их позволяет помочь улучшить параметры и характеристики ряда приемных оптических устройств [19].

В настоящей работе указанную проблему предполагается решить путем проведения теоретического анализа физических процессов, протекающих в неоднородной полупроводниковой структуре диода Ганна вначале в локальнополевом, а затем — в диффузионно — дрейфовом приближениях для определения полного спектра протекающего через диод тока, определения величин проводимости диода по частоте поля с учетом зависимости поперечного сечения рекомбинации от скорости и энергии носителей с целью оценки эффективности преобразования частоты модуляции света и влияния генерационно-рекомбинационных процессов на проводимость диода Ганна в отсутствии света.

Целью данной диссертационной работы является теоретическое и, частично, экспериментальное исследование процессов взаимодействия модулированного света, постоянного и переменного электрических полей в диоде Ганна с учетом того сложного характера упомянутого взаимодействия, которое вызвано спецификой генерационно — рекомбинационных процессов для определения влияния действия полей на параметры приборов и некоторых устройств на диодах Ганна и на процессы преобразования частоты модуляции света, в частности, при генерации диода.

Основные задачи диссертационной работы, в соответствии с поставленной целью, формулируются следующим образом:

1. На основе анализа зонной структуры арсенида галлия при наличии в нем примесей, его спектров поглощения и термолюминесценции установить предположительный характер генерационно — рекомбинационных процессов в арсениде галлия.

2. На основе имеющихся теоретических и экспериментальных работ по определению функции поперечного сечения рекомбинации от температуры и скорости дрейфа предложить методы определения параметров аппроксимации зависимости поперечного сечения рекомбинации носителей от их скорости, либо от их энергии.

3. Провести теоретическое и, частично, экспериментальное исследование полного спектра тока, протекающего через объем диода Ганна при воздействии на него переменного, постоянного электрических полей и модулированного светового потока, с учетом нелинейности рекомбинационных процессов и предложить математическую модель определения этого спектра.

4. Провести учет влияния на нелинейную объемную, а также на полную комплексную проводимость диода Ганна генерационно рекомбинационных процессов и предложить математические модели для расчета этих проводимостей.

5. Предложить алгоритмы учета генерационно — рекомбинационных процессов на параметры ряда устройств на ДГ, в частности, автогенераторов, умножителей, автогенераторов гармоник, усилителей на частоте модуляции света и синхронизованных ею генераторов.

6. Провести экспериментальное исследование и рассмотреть некоторые применения эффектов нелинейного взаимодействия модулированного света, постоянного и переменного полей в объеме ДГ для создания ряда элементов и устройств оптоэлектроники и оптотехники.

Содержание работы определили указанные цели и задачи. Диссертация состоит из шести глав, введения, заключения, и семи приложений.

Во введении и Приложении 1 дается постановка и краткое содержание работы, а также обзор известных ранее работ по влиянию оптического излучения на поведение диодов Ганна.

В первой главе дается краткое изложение известной [1, 63] теории объемной СВЧ проводимости арсенида галлия и полной СВЧ проводимости диода Ганна, описываются оптоэлектрические свойства арсенида галлия и на основе анализа его зонной структуры при наличии в нем примесей, а также из рассмотрения его спектров поглощения и термолюминисценции сделан вывод о характере происходящих в нем генерационно — рекомбинационных процессов. В конце главы приводятся известные результаты о той зависимости поперечного сечения рекомбинации носителей заряда от их скорости, которые встречаются в литературе, и намечаются четыре пути учета этих процессов на работу ДГ: приближение локальной полевой модели с учетом результатов определения объемной проводимости полупроводника из решения уравнений разогрева и дрейфа;

— то же приближение, но с учетом численного решения упомянутых уравненийиспользование результатов, полученных в первых двух методах в известных формулах полной проводимости диода Ганна, найденной из диффузионно — дрейфовой модели [1]. построение новой упомянутой модели с учетом генерационнорекомбинационных процессов и результатов, полученных в первых двух методах.

Во второй главе вначале даются результаты определения параметров аппроксимации зависимости поперечного сечения рекомбинации носителей заряда от их средней скорости либо их энергии на основании известных из литературы данных об этих зависимостях. Затем предлагаются методы экспериментального определения упомянутых зависимостей и параметров для случаев линейной и квадратичной рекомбинаций путем измерения зависимостей постоянного поля при облучении полупроводника постоянным и переменным световыми потоками. Затем предложены четыре метода определения тех же параметров при таком же облучении полупроводника, но при наличии кроме постоянного еще и переменного тока. Рассмотрены проведенные в работе [79] результаты оценочных измерений вышеуказанных параметров и отмечены условия, при которых такие измерения можно считать более достоверными.

В третьей главе предложен единый подход к анализу генерационнорекомбинационных процессов как при представлении зависимости поперечного сечения рекомбинации от скорости носителей, так и от их энергии, определяемой теми разогревными процессами, которые характерны для диодов Ганна. В рамках локальной полевой модели проведен анализ влияния рекомбинационных нелинейностей на процесс преобразования частот модуляции света и поля. Проведен более детальный, чем это было сделано ранее, анализ тока в ДГ в рамках локальной полевой модели без учета рекомбинационных процессов и впервые проанализированы детали процесса детектировании переменного поля диодом Ганна. В результате впервые получены с учетом рекомбинации (с использованием УМП Maple V) аналитические выражения, определяющие компоненты концентрации носителей (Приложение 2), а затем и тока через диод (Приложение 3), а также построена математическая модель анализа этого процесса как для случая линейного, так и для случая квадратичного законов рекомбинации.

В четвертой главе проанализировано влияние генерационнорекомбинационных процессов на нелинейную комплексную проводимость объема арсенида галлия и на детекторные свойства диодов Ганна. Путем расчетов (Приложение 4) показано, что это влияние может менять малосигнальную проводимость вплоть до 20%, причем с ростом частоты это влияние уменьшается, оставаясь заметным при таких частотах, когда юг0 si, где т0 — время жизни носителей заряда. В рамках локальной полевой модели проведено компьютерное моделирование нелинейных комплексных проводимостей по основной частоте и по частоте гармоники для случая умножителя микроволн объемом арсенида галлия и дан алгоритм учета генерационно — рекомбинационных процессов при построении теории поведения диодов Ганна при двухчастотном воздействии. Построена математическая модель расчета с учетом генерационно — рекомбинационных процессов полной нелинейной микроволновой проводимости диодов Ганна в дрейфоводуффузионном приближении.

В пятой главе на основе результатов третьей и четвертой глав предложены алгоритмы расчета и проектирования ряда СВЧ устройств на диодах Ганна с учетом влияния рекомбинационных нелинейностей. При этом построена теория нелинейного регенеративного усиления частоты модуляции света, облучающего ДГ, которая близка к резонансной частоте резонатора усилителя, а также теория синхронизации автогенератора на ДГ этой частотой модуляции света. Предложен общий алгоритм проектирования диодных СВЧ умножителей и автогенераторов гармоник, который конкретизирован применительно к диоду Ганна. В частности, для основной частоты и гармоник рассмотрены вопросы оптимизации нагрузки и при этом дан учет влияния всех параметров эквивалентной схемы диода и наличия второй гармоники применительно к автогенератору основной частоты.

В шестой главе приведены результаты некоторых экспериментов и дано описание ряда наиболее перспективных применений светового управления работой устройств с диодом Ганна. Экспериментально измеренные амплитуды токов разностной и суммарной частот преобразования частоты модуляции света и частоты генерации диода сопоставлены с результатами расчетов. Описано применение ДГ в качестве терморезистора для определения температуры внутренних участков человеческого тела. Затронуты вопросы светового управления частотой и фазой излучающих элементов фазированных антенных решеток и приведены экспериментальные результаты светового управления частотой генерации диода Ганна, полученные в работе.

В Приложениях 5, 6, 7 дано описание гетеродинного приема диодом Ганна амплитудно — модулированного света и усовершенствованного акустооптического приемника частотомера, использующего такой прием.

В заключении кратко приведены основные результаты, полученные в работе.

Научная новизна заключается в следующем:

1. Проведено теоретическое и, частично, экспериментальное исследование взаимодействия модулированного света, переменного и постоянного электрических полей в полупроводниковом объеме диода Ганна с учетом зависимости рекомбинационных процессов от параметров внешнего воздействия и определен полный спектр тока на выходе диода.

2. В рамках локального полевого приближения предложены новые математические модели расчета результатов упомянутого взаимодействия и расчета объемной микроволной проводимости арсенида галлия.

3. Построена теория детекторного эффекта и комплексной микроволновой квазилинейной проводимости ДГ с учетом влияния генерационнорекомбинационных процессов, зависящих от внешнего поля.

4. Развита теория нелинейного регенеративного усиления на частоте модуляции света и синхронизации автогенератора на диоде Ганна этой частотой.

5. Предложены алгоритмы (компьютерный и формульный) учета влияния гармоник на поведение ряда устройств (в частности, автогенераторов, умножителей частоты и автогенераторов гармоник) на диоде Ганна, а также алгоритмы оптимизации нагрузки этих устройств, в том числе и с учетом влияния генерационно — рекомбинационных процессов.

Практическая значимость определяется тем, что теоретические и экспериментальные результаты, полученные при исследовании влияния оптического излучения и переменного электрического поля на характеристики и параметры СВЧ устройств на диодах Ганна, предложенные математические модели могут быть использованы при создании нового класса твердотельных приборов с оптическим управлением. Показана возможность создания оптически управляемых, в частности, оптически перестраиваемых, синхронизуемых и включаемых СВЧ — генераторов на диодах Ганна, а также преобразователей и регенеративных усилителей на частоте модуляции света. Предложены алгоритмы проектирования оптимизированных по выходным параметрам устройств на диодах Ганна.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Анализ рекомбинационных процессов в объеме диодов Ганна и методы определения параметров аппроксимации поперечного сечения рекомбинации носителей как в приближении его зависимости от скорости носителей, так и в приближении этой зависимости от их средней энергии для диодов Ганна.

2. Физические и математические локальные полевые модели процессов взаимодействия модулированного света, постоянного и переменного электрических полей в объеме ДГ при различных законах рекомбинации носителей генерированных светом и теплом.

3. Математические модели для квазилинейного анализа процессов взаимодействия модулированного света, постоянного и переменного электрического полей в объеме ДГ, позволяющие учитывать рекомбинационные нелинейности при преобразовании частоты модуляции света и при определении составляющих объемной комплексной микроволновой проводимости объема диода Ганна.

4. Диффузионно — дрейфовая модель учета генерационно рекомбинационных процессов, позволяющая определять полную комплексную проводимость диода Ганна.

5. Методы и алгоритмы расчета параметров ряда устройств на ДГ (автогенераторов и умножителей частоты, приемников модулированного света и автогенераторов, синхронизуемых им) и оптимизация их выходных параметров и характеристик.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В работе на основе обзора отечественной и зарубежной литературы, показана актуальность постановки комплекса теоретических и экспериментальных исследований сложного оптико — полевого воздействия на полупроводниковые структуры, проведен анализ такого воздействия для диода Ганна с учетом квадратичного, либо линейного законов рекомбинации носителей заряда в приближении зависимости поперечного сечения рекомбинации носителей от их средней скорости движения или от их средней энергии, оценены параметры рекомбинации, построены математические модели для определения микроволновой проводимости диода Ганна с учетом рекомбинации, даны алгоритмы проектирования основных устройств на диодах Ганна, рассмотрен ряд устройств нетрадиционного их использования.

В работе поставлены и решены следующие задачи:

1. На основе анализа зонной структуры арсенида галлия при наличии в нем примесей, его спектров поглощения и термолюминесценции установлен наиболее вероятный характер генерационно — рекомбинационных процессов в арсениде галлия.

2. На основании имеющихся теоретических и экспериментальных работ по определению зависимости поперечного сечения рекомбинации от температуры и скорости дрейфа предложены методы определения параметров аппроксимации функции поперечного сечения рекомбинации носителей от их скорости, либо от их энергии.

3. Проведено теоретическое и, частично, экспериментальное исследование полного спектра тока, протекающего через объем диода Ганна при воздействии на него переменного и постоянного электрических полей и модулированного светового потока с учетом нелинейности рекомбинационных процессов, предложена математическая модель для определения этого спектра.

4. Произведен учет влияния на нелинейную объемную, а также на полную комплексную проводимость диода Ганна генерационно рекомбинационных процессов и предложены новые математические модели для расчета этих проводимостей.

5. Предложены алгоритмы расчета и проектирования ряда СВЧ устройств на ДГ с учетом влияния рекомбинационных нелинейностей, в частности, автогенераторов, умножителей, автогенераторов гармоник, усилителей на частоте модуляции света и синхронизованных ею генераторов.

6. Проведено экспериментальное исследование и рассмотрены некоторые вопросы применения эффектов нелинейного взаимодействия модулированного света, постоянного и переменного полей в объеме ДГ для создания ряда элементов и устройств оптоэлектроники и оптотехники. Основные результаты диссертационной работы опубликованы более чем в.

40 статьях, докладах и обсуждались на: конференции «Проблемы электроники и микроэлектроники», г. Харьков, Украина, 1993 г.- МНТК «Physic and Engeneering of Millimeter and Submillim. Waves», Charkov, Ukraina, 1994 г.- BHTK с международным участием, г. Таганрог, ТРТУ, 1994 г.- МНТК «Актуальные проблемы электроники и микроэлектроники», г. Дивноморск, 1995 г.- МНТК г. Таганрог, ТРТУ, 1995 г.- НТК «Современные проблемы электроники и радиофизики СВЧ», г. Саратов, 4 -8 сентября, 1997 г.- 7 -ой, 8 -ой Международной. Крымской конференция «СВЧ техника и телекоммуникационные технологии», г. Севастополь, Украина, 15−18 сентября, 1997 г.- 14 — 17 сентября 1998 г.- 6 -ой МНТК «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники», г. Дивноморское 6 — 11 сентября 1999 г.- 3 -ей МНТК «Радиоэлектроника в медицинской диагностике», г. Москва, 29 сентября — 1 октября 1999 г.- 3 -ей МНТК «Электроника и информатика — XXI век», г. Зеленоград, 22 — 24 ноября 2000 г.- 7, 8 -ой МНТК «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники», г. Дивноморское, 17 — 22 сентября 2000, 2002 г. г.- МНТК «Оптика полупроводников 2000», г. Ульяновск, 19−24 июня 2000 г.- ВНТК «Излучение и рассеяние ЭВМ» ИРЭМВ-2001, г. Таганрог. Россия, 18−23 июня, 2001 г.- МНТК «Оптика, оптоэлектроника и технологии», г. Ульяновск, 25 — 29 июня, 2001 г.

Результаты исследований вошли составной частью в ряд зарегестрированных в ВНИТЦ отчетов по научно — техническим работам в рамках гранта Министерства образования РФ «Научные исследования высшей школы в области производственных технологий» по разделу «Электроника», выполненных при участии автора («Квазилинейный анализ и экспериментальное исследование процессов преобразования световых и микроволновых сигналов на объемных и контактных нелинейностях приборов твердотельной электроники СВЧ». Отчет по НИР, гос. Per. № 01.9.80 009 587, инв. № 02.990 006 303, ТРТУ, г. Таганрог, 1999, 72/32 е.- «Анализ процессов взаимодействия модулированного света и переменного электрического поля в неоднородных полупроводниковых средах»: Отчеты по г/б НИР № 13 056/2, гос. Per. № 01.2.7 386, гос. Per. № 01.2.7 386, ч. 1, ч. 2, г. Таганрог, 2000. 2001.), используются в технологических процессах и НИОКРах: — в Азербайджанском Национальном Аэрокосмическом Агенстве в НИЭР (г. Баку, Азербайджан) — - «Тамлык» (г.Таганрог) — НИИС (г. Таганрог) — - в учебном процессе ТРТУ (в разделах курсов лекций «Применение электронных приборов и устройств», «Оптические устройства радиоэлектроники», «Цифровые системы связи») при подготовке инженеров, бакалавров, магистров и аспирантов по специальностям направления 550 700, о чем имеются соответствующие акты внедрения.

Автор приносит благодарность научному руководителю, доктору физикоматематических наук, профессору Малышеву В. А. за постановку темы и постоянное внимание и помощь при выполнении работы.

Во время работы над диссертацией автор неизменно ощущал поддержку заведующего кафедрой, доктора технических наук, профессора Червякова Г. Г., всего коллектива кафедры радиотехнической электроники ТРТУ, сотрудникам которой он выражает свою глубокую признательность и благодарность.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В. А. Бортовые активные устройства СВЧ. JL: «Судостроение», 1990. 264 с: ил.
  2. .Ю. Тенденции применения оптически управляемых полупроводниковых структур в устройствах СВЧ диапазона. Зарубежная радиоэлектроника. -1989 -№ 9, с. 75 — 81.
  3. Л.Д., Блискавский А. А. Использование оптомикроволновой техники в перспективных бортовых радиосистемах с активными ФАР (обзор). Часть 1. Вопросы радиоэлектроники. Серия «Общие вопросы радиоэлектроники».-1991-Вып. 14, с. 3 44.
  4. Л.Д., Блискавский А. А. Применение лазеров и волоконно-оптических систем для управления формированием СВЧ сигналов и их распределения в антенных решетках (обзор). Квантовая электроника.-1988. Т. 15, № 5, 46 — 92.
  5. Д.А., Скрипаль А. В. Физика работы полупроводниковых приборов в схемах СВЧ. Саратовский ун-т, 1999. 373 с.
  6. Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. -М: Мир, 1976. -432 с.: ил.
  7. Н. А. Меламид А.Е. Фотоэлектронные приборы. М.: Высшая школа, 1974. -376 е.: ил.
  8. Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука, 1977.-368 е.: ил.
  9. Е.А. Основы полупроводниковой фотоэлектроники. -Киев: Наукова думка, 1988. 280 с.
  10. . Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973, — 309 с.
  11. М.Д., Бараночников М. П. Приемники оптического излучения. Справочник. М.: Радио и связь, 1987, 296 с.
  12. П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1975.824 с.
  13. Л. Д., Блискавский А. А. Использование оптомикроволновой техники в перспективных бортовых радиосистемах с активными ФАР. Часть 2. Вопросы радиоэлектроники. Серия «Общие вопросы радиоэлектроники», — 1992. Вып. 5, с. 49 — 92.
  14. Seeds A.J., Salles А.А. Optical control of microwave semiconductor devices.-IEEE Trans. 1980, — V. MTT — 68, № 4, p. 37 -41.
  15. H.H. Радиотехнические устройства СВЧ на синхронизированных генераторах. М.: Радио и Связь, 1991.
  16. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М.: Мир, 1991, 632 с.
  17. У санов Д. А., Скрипаль А. В. Амплитудная и частотная модуляция СВЧ излучения генераторов на диодах Ганна оптическим сигналом. Электронная техника. Серия 1. Вып. 6. «Электроника СВЧ», — 1982, с. 57 -58.
  18. Д.А., Скрипаль А. В. Частотная модуляция диодов Ганна, работающих в режиме генерации, при воздействии на них лазерного излучения. Электронная техника. Серия «Электроника СВЧ». Выпуск 7,1984, с. 27−29.
  19. Г. Г. Избирательный фотоприем. Элементы, параметры, характеристики. ТРТУ, Таганрог, 1999, 75 с.
  20. П.И., Клочков В. П., Потыкевич И. В. Полупроводниковая электроника. Справочник. Киев.: Наукова думка, 1975, 794 с.
  21. Э. Д., Белецкий Н. И. Полупроводниковые материала для приборов с междолинным переносом электронов. Харьков.: Выща школа, Изд-во ХГУ, 1982, 144 с.
  22. Основы оптоэлектроники. / Под ред. Голанта К. М. М.: Мир, 1988, 288 с.
  23. Д.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1975, 206 с.
  24. Konstsntinesky L Rev. Roum. Phys. 1969, 14, 2. 189 p.
  25. Malyshev V.A., Sapelkin S.V., Yukhimets E.A., Chervijakov G.G. Nonlinear transformation of light- modulation signal in the case of quadratic recombination in a photodetector. Americ. Inst, of Physics Semicond/ 27 (1), 1993. p.179- 182.
  26. W. van Roosbroeck and W.Shockley. Radiative recombination of electrons and holes in Ge, Phys. Rev., 94, № 6, 1954, p. 1558.
  27. Э.П., Лазебников Ю. Е., Малышев B.A. Экспериментальная проверка частотных характеристик фотосопротивлений и люминофоров. Изв. Вузов, Физика, № 1, 1963, с. 142 146.
  28. В.А., Завадовская Э. П. Зависимость поперечного сечения рекомбинации в CdS от электрического поля. Изв. Вузов, Физика, № 3,1963.с.48 53.
  29. В.А. Теория разогревных нелинейностей плазмы твердого тела. Изд. Ростовского университета. 1979, с. 264.
  30. М.Е., Пожела Ю. К., Шур М.С. Эффект Ганна / под редакцией С. М. Рывкина. М.: Сов. Радио, 1975. 288 с.
  31. Д.А., Безменов А. А. Детектирование СВЧ полевыми транзисторами, работающими в активном режиме // Электронная техника. Серия 1. Электроника СВЧ. 1986. Вып. 2, с. 19−21.
  32. Д.А., Вагарин А. Ю., Безменов А. А. Об использовании детекторного эффекта в генераторах на лавинно пролетных диодах для измерения диэлектрической проницаемости материалов //Дефектоскопия. 1981, № 11, с. 106- 107.
  33. Д.А., Вагарин А. Ю., Вениг С. Б. Использование детекторного эффекта в СВЧ генераторе на диоде Ганна для измерения параметров диэлектриков // Дефектоскопия. 1985, № 6, с. 78 — 82.
  34. И.Б., Геворкян С. Ш., Хижа Г. С. Оптически управляемые СВЧ устройства // Зарубежная радиоэлектроника. 1987, № 9, с. 10 — 22.
  35. .Ю. Тенденции применения оптически управляемых полупроводниковых структур в устройствах СВЧ диапазона // Зарубежная радиоэлектроника. 1989, № 9, с. 75 — 82.
  36. Yen H.W. Optical technology for microwave and millimeter wave monolithic circuits // Symposium, June 4 5, 1986. Baltimore, 1986, p. 33 — 34.
  37. .Д., Невгасимый А. Ф., Скорик E.T. Оптоэлектронные СВЧ управляющие устройства//Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. 1978, Т. 21, № 12, с. 88−91.
  38. Shlafer J., Lauer R.B. Microwave packing of optoelectronic components // IEEE trans. Microwave Theoiy Tech. 1990. Vol. MTT 38, № 5, p. 518 — 523.
  39. В.В. Оптоэлектронные управляющие СВЧ устройства. // Вопросы радиоэлектроники. Сер. Общие вопросы радиоэлектроники. 1991. Вып.9, с. 20 — 28.
  40. Seeds A.J., Salles А.А. Optical Control of microwave Semiconductor Devices. // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1990. Vol. MTT-38, № 5, pp. 577 585.
  41. B.C., Макаров H.B. Оптическое управление полупроводниковыми приборами СВЧ. // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. 1995. Т. 38, № 10, с. 17 33.
  42. The optical control of IMP ATT oscillators / A.J. Seeds, J.F. Singleton, S. P. Brunt, J.R. Forrest. // Lightwave Technology/ 1987. Vol. LT 5, № 3, pp. 403 -411.
  43. Forrest J.R., Salles A.A. Optics control microwavees. // Microwave System News. 1981 Vol. 11, № 6, p. 112 -122.
  44. Yu Z., Lin W. A new way to optically control a millimeter wave oscillators // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1990. Vol. MTT 38, № 9, pp. 1360 — 1362.
  45. Lee С. H., Lin W. Picosecond optics and microwave technology // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1990. Vol. MTT 38, № 5. p.596 — 607.
  46. Harari J., Journet F., Rabii O., et. al. Modeling of waveguide PIN photodetectors under very high optical power // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1995. Vol. MTT 43, № 9. p. 2304 — 2310.
  47. Herzfeld P.R., Daryoush A.S., Rosen A. et. al. Inderect subharmonic optical injection locking of a millimeter-wave IMP ATT oscillator // IEEE Trans.
  48. Microwave Theory Tech. 1986. Vol. MTT 34, № 12. p. 1371 — 1376.
  49. Comparis on of infared optical injection-locking techniques of multiple X-band oscillators/ A.S. Daryoush, P.R. Herezfeld, Z. Turski, P.K. Wahi // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1986. Vol. MTT 34, № 12. p. 1363 — 1370.
  50. Dayoush A. S.,. Herzfeld P.R. Inderect optical injection-locking of multiple X-band oscillators // Electron. Left. 1986. Vol. 22, № 3. p. 133 134.
  51. Haydl W. H., Solomon R. The effect of illumination of Gunn oscillations of epitaxial GaAs // IEEE Trans. Electron Dev. 1968. Vol. ED 15, № 11. p. 941 -942.
  52. M.E. Влияние освещения на параметры диодов Ганна // ФТП. 1973. Т. 7, вып. 7. с. 1932 1937.
  53. Myers F.A., McStay J., Taylon B.C. Varablelenght Gunn oscillator // Electron Lett. 1968. Vol. 4, № 18. p.386 387.
  54. Adams R.F., Schulte H. J. Optically triggerable domains in Gunn diodes //Appl. Phys. Lett. 1969. Vol. 15, № 8, p. 265 387.
  55. Igo Т., Ohwado K., Nogichi J. Regenerative light pulse detection using the Gunn effect// Japan J. Appl. Phys. 1970. Vol. 9, № 10. p. 1283 1285.
  56. B.A., Синявский Э. П. О возможности управления ганновской неустойчивостью с помощью лазера // Письма в ЖТФ. 1975. Т.1, № 24. с. 1123- 1125.
  57. Nurmikko A.V., Schwarts B.D., Jamision S.A. Infrared field induced Gunn oscillations in GaAs // Solid State Electron. 1978. Vol. 21, № 1. p. 241 -245.
  58. Функиональные оптоэлектронные приборы на основе диодов Ганна с глубокими центрами / В. В. Жиделев, С. А. Костылев, JIM. Погорелая, В. Н. Привалов // Космические исследования на Украине: Респ. Межвед. Сб. Киев, 1974. Вып. 5. с. 25 28.
  59. М.М., Шинкаренко В. Г. Сигнальные характеристики автодинного фоторезистивного приемника на генераторе Ганна // Радиотехника и электроника. 1982. Т. 27, № 5. с. 1026 1034.
  60. М.М., Шинкаренко В. Г. Сигнальные характеристики автодинного фоторезистивного приемника на диоде Ганна при самодетектировании // Радиотехника и электроника. 1983. Т. 28, № 2 с. 380 -386.
  61. Э.М., Дерябкин В. Н., Скачков М. П. Простой метод регистрации фотопроводимости на сверхвысокой частоте // ПТЭ. 1976. № 3. с. 227 229.
  62. О.В. Перестройка частоты генератора на планарном диоде Ганна из фосфида индия с помощью оптической накачки // Радиотехника и электроника. 1995. Т. 40, вып. 1. с. 161 162.
  63. В.А. Метод анализа микроволновых нелинейных процессов в объеме полупроводников с переменной эффективной массой носителей заряда в сверхрешетках и в приборах на их основе. Известия ВУЗов. Электроника, № 4, 1999, с. З 10.
  64. Cohen M.G., Knight S., Elward J.P., Apple. Phys. Lett., 8, 1966, p.269.
  65. GuetinP., Boccon-Gibod D., Apple. Phys. Lett., 13, 1968, p. 161.
  66. Sewell K.G., Boather L.A., Multimode operation in GaAs oscillators induced by cooling and illumination, Proc. IEEE, 55 (7), 1967, pp. 1228 1229,.
  67. M.E., Пожела Ю. К., Шур M.C. Эффект Ганна. М.: Сов. Радио, 1985. 388 с.
  68. Reisz R.R. Optical interaction with high field domain nucleation in GaAs, IEEE Trans., ED-17 (1), 1970, p.p. 81 83.
  69. Haydl W.H., Solomon R., The effect of illumination on Gunn oscillation in epitaxial GaAs, IEEE Trans., ED 15 (11), 1968, p.p. 941 — 942.
  70. Sewell K.G., Boather L.A., Multimode operation in GaAs oscillators induced by cooling and illumination, Proc. IEEE, 55 (7), 1967, p.p. 1228 1229.
  71. Myers F.A., McStray j., Taylor В. C., Variable lenght Gunn oscillator, Electron. Lett., 4 (18), 1968, p.p.386 387.
  72. Cfrruthers T.F., Weller J.F., Triggering pulse duration in transferred electron devices, Electron Lett., 19, 23, 1983, p.p. 955 956.
  73. К. Принудительная синхронизация твердотельных СВЧ генераторов. ТНИЭР, 1973, т. 61, № 10, с. 12−40.
  74. Carruthers Т. F., Weller J. F., Tayller H. F., Mills T.G. Oscillation Burst Generation in Transferred Electron Devices with Picosecond Optical Pules. Appl. Phys. Lett., 1981. V. 38, pp. 202−204.
  75. В.И. Нелинейные и умножительные свойства диодов Ганна миллиметрового диапазона длин волн. Кандидатская диссертация. Таганрог, ТРТИ, 1986.
  76. П.В., Кротов В. И., Малышев В. А., Филь К. А. Учет влияния поля волн объемного заряда СВЧ проводимость диодов Ганна. Труды 6-ой МНТК ПЭМ 99, Таганрог, 1999, с. 91.
  77. А.Н., Кротов В.И, Филь К. А. Численное моделирование локальной полевой модели полупроводника. Труды 7-ой МНТК ПЭМ -2000, Таганрог, 2000, с. 108 110.
  78. В.А., Филь К. А. Компьютерное моделирование нелинейной СВЧ проводимости диодов Ганна с однородным полем. Радиотехника, 2001, № 2, с. 90−98.
  79. Г. Г. Нелинейное взаимодействие модулированного света и переменного электрического поля в полупроводниковых фотоприемниках. Докторская диссертация. Таганрог, ТРТУ, 2000 г.
  80. В.И., Малышев И. В. Феноменологическая теория диффузионных свойств носителей заряда в сверхрешетках и полупроводниках с произвольным законом дисперсии. Электронная техника. Сер. 6. Материалы, 1984, вып. 1 (186), с. 42 45.
  81. Grinberg А.А., KastaLskii А.А. Phys. Ststus Solidi, 26, 1968, p. 219-
  82. А.А. Генерация ультразвука при эффекте Ганна. -ФТП, 1968, т. 2., № 8, с. 1187 1189.
  83. Н.А., Шур М. С. Генерация ультразвука в диодах Ганна. -ФТП, 1970, т. 4, № 6, с. 1086 1092.
  84. Hagakawa H., Ishiguro R., Mikoshiba N., Kikuchi M., Appl. Phys. Lett., 14, 1969 p. 9.
  85. Hagakawa H., Ishiguro R., Takada S., Mikoshiba N., Kikuchi M., Appl. Phys. Lett., 1970, V. 41, p.4755.
  86. Lee R.E., White R.M., Appl. Phys. Lett., 1970, V. 16, p. 343.
  87. A.A., Шур M.C. Возможность модуляции ганновской генерации ультразвуковой волной. ФТП, 1969, т. 3, № 8, с. 1250 — 1253.
  88. Southgate P.D., Prager H.J., Chang K.K.N., Apple. Phys. Lett., 1968, V. 8, p. 2689.
  89. Shur M.S., Phys Lett., 1969, V. 29 A, p. 490.
  90. Г. Г., Дыгай А. И. Излучатель. Патент № 2 089 022, БИ № 24, 1997.
  91. В.А., Червяков Г. Г. Параметры внутриполостных излучателей. Известия ТРТУ, № 1, 1997, с. Ill 112.
  92. Е.И., Козловский В. В., Згуровский А. В. Микрополосковые излучающие и резонансные устройства. Киев.: Техника. 1990. 360 с.
  93. .А., Нефедов Е. И. Микрополосковые антенны. М.: Радио и связь. 1986, 143 с.
  94. Справочник по инфракрасной технике / Ред. У. Волф, Т. Уксис в 4 х томах, Т. 3. Приборная база ИК — систем. Пер. с англ. М.: 1999, 472 с.
  95. Dewey W.C., Freeman M.L., Raaphorst G.P. et al. Cell biology of hypertermia and radiation// In: Radiation biology in cancer reserch. Raven Press. N.Y. — 1980, p. 589 -621.
  96. В.И. Фотоэлектрические датчики в системах контроля, управления и регулирования. М., Наука, 1996, 410 с.
  97. В.В., Малышев В. А., Червяков Г. Г. Акустооптический приемник-частотомер. Патент РФ, МКИ GO R23/16, № 2 142 140, приоритет от 30.01.1998.
  98. И.С., Задорин А. С., Шарангович С. Н. Акустооптический частотомер. Авторское свидетельство СССР, МКИ G01 R23.16, № 1 265 636, БИ № 39. 1986.
  99. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. Физматгиз, М., 1963, 496 с.
  100. В.А., Червяков Г. Г. Устройство селекции сигналов по амплитуде. Авторское свидетельство СССР, М. Кл. НОЗк 5.18, № 418 969, приоритет от 10.07.72.
  101. B.C. Теория нелинейных электрических цепей. М.: радио и связь, 1982, с. 280.
  102. М.А. Фотоприемные устройства и ПЗС. Обнаружение слабых оптических сигналов. М.: Радио и связь, 1992, 400 с.
  103. Справочник по волоконно-оптическим линиям связи. /JI.M. Андрушко, В. А. Вознесенский, В. Б. Каток и др.- Под ред. С. В. Свечникова и Л. М. Андрушко. -К.: Техника, 1988, 239 с.
  104. .В., Иванов В. И., Крухмалев В. В. и др. Оптические системы передачи./ Под ред. В. И. Иванова. М.: Радио и связь, 1994, 224 с.
  105. Радиоприемные устройства. Под ред. Н. В. Боброва. М.: Сов. радио. 1971, 248 с.
  106. Н.В. и др. Расчет радиоприемников. М.: Воениздат. 1971,324 с.
  107. СВЧ полупроводниковые приборы и их применение. Под ред. Г. Уотсона, М.: Мир. 1972, 408 с.
  108. Н.В., Карпов В. Г. Теория радиотехнических цепей,— Л.: Энергия, 1972, 816 с.
  109. С.М. Проектирование СВЧ устройств радиолокационных приемников. М.: Сов. радио. 1973, 320 с.
  110. В.А. О воздействии малого гармонического сигнала узкополосные автоколебательные системы с запаздывающей обратной связью. Известия ВУЗов, Радиотехника № 5, 1961, с. 513 534.
  111. E.Alekseev, D.Pavlidis. Large Signal Microwave Performance of GaN — based NDR Diode Oscillators. Solid State Electronics. 2000, № 44, p.p. 941 — 947.
  112. A3. Кротов В. И., Малышев В. А., Супрунова Е. Ф., Червяков Г. Г. Анализ воздействия СВЧ а. м. света на нелинейные процессы в ДГ. Тез. докл. ВНТК «Проблемы электроники и микроэлектроники», г. Харьков, Украина, 1993, с. 80 -83.
  113. А4. Червяков Г. Г., Малышев В. А., Супрунова Е. Ф. Нелинейная теория фотоприемника с СВЧ модуляцией света на диоде Ганна Тез. докл. 39 НТК ТРТИ. г. Таганрог .1993, с. 113.
  114. А5. Krotov V.I., Malyshev V.A., Suprunova E.F., Cherviakov G.G. The Light Control Theory of Nonlinear Processes of Gunn Diodes. MHTK «Physic and Engeneering of Millimeter and Submillim. Waves», June 7−10, Charkov, Ukraine, 1994, V. 1, Тез. докл. p. 385.
  115. А8. Кротов В. И., Малышев В. А., Супрунова Е. Ф., Червяков Г. Г. Влияние СВЧ амплитудою модулированного света на нелинейные процессы в диоде Ганна. Тез. докл. ВНК, г. Таганрог, ТРТУ, 1994, с. 110.
  116. А9. Кротов В. И., Супрунова Е. Ф., Червяков Г. Г. Учет влияния квадратичной рекомбинации носителей на поведение усилителя на ДГ. Статья. МВНТК «Актуальные проблемы электроники и микроэлектроники», г. Дивноморск, 1995, ч. 1, с. 98.
  117. All. Супрунова Е. Ф. Фазовое детектирование частоты модуляции светового потока с помощью диода Ганна. Статья. Сб науч. трудов молодых ученых, ТРТУ, г. Таганрог, 1995, с. 39 44.
  118. А21. Супрунова Е. Ф. Учет параметров внешнего воздействия на электрические свойства объема полупроводника. Тез. докл. 6 -я МНТК «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники», 6−11 сентября, 1999, г. Дивноморское, с. 94.
  119. А22. Базарницкий Ю. Б., Супрунова Е. Ф., Червяков Г. Г. Оптоволоконный внутриполостной измеритель температуры. Тез. докл. 3 -я МНТК «Радиоэлектроника в медицинской диагностике», 29 сентября 1 октября, 1999, г. Москва.
  120. А29. Супрунова Е. Ф. Влияние параметров внешнего воздействия на электрические свойства объема полупроводников. Статья. Известия ТРТУ, № 3, г. Таганрог, 2000, с. 81−86.
  121. A35. Супрунова Е. Ф., Червяков Г. Г Методика определения параметров аппроксимации зависимости поперечного сечения рекомбинации носителей заряда в фотоприемниках от их скорости. Тез. докл. «Известия ТРТУ», № 1, г. Таганрог, 2001, с. 90.
  122. А40. Супрунова Е. Ф., Червяков Г. Г. Влияние рекомбинационных процессов на микроволновую объемную проводимость диода Ганна. Тез. докл. «Известия ТРТУ», г. Таганрог, 2002 № 3, с. 92.149
  123. А42. Супрунова Е. Ф., Червяков Г. Г. «Анализ процессов взаимодействия модулированного света и переменного электрического поля в неоднородных полупроводниковых средах»: Отчет по г/б НИР № 13 056/2, гос. Per. № 01.2.7 386, Таганрог, 2000.
  124. А43. Супрунова Е. Ф., Червяков Г. Г. «Анализ процессов взаимодействия модулированного света и переменного электрического поля в неоднородных полупроводниковых средах»: Отчет по г/б НИР № 13 056/2, гос. Per. № 01.2.7 386, Таганрог, 2001.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!