Полная длинна пробега иона обусловлена ядерными и электронными торможениями. Экспериментальные результаты по имплантации В, Р, As в кремний показали, что полная длина пробега ионов приблизительна пропорциональна первоначальной энергии падающего иона.
На практике для быстрой оценки профиля распределения примеси используют гауссово распределение в приближении двух параметров, а затем подбирают дозу и энергию ионов для получения лучших результатов имплантации. Профили распределения имплантированных атомов в амфорном и поликристаллическом кремнии с малым размером зерна (~ 10 им) одинаковы. Однако, распределение примесей, имплантированных в монокристаллические и крупнозернистые поликристаллические подложки, отличаются от распределения в амфорных подложках изза эффекта каналирования ионов.
Эффект каналирования наблюдается в монокристаллах при попадании иона в свободное пространство между рядами атомов. Ион постепенно теряет энергию за счет слабых скользящих столкновений со стенами канала и, в конце концов, покидает канал. Расстояние, проходимое ионам в канале, может в несколько раз превышать длину пробега иона в амфорной мишени.
Были сделаны попытки практического использования эффекта каналирования при имплантации примеси на большую глубину. Однако в этом случаи затруднено управления профилем распределения имплантируемой примеси и получения воспроизводимых результатов из-за очень высоких требований к точности разориентации ионного пучка относительно основных кристаллографических направлений в подложке.
Отклонение угла разориентации на 1 градус приводит к значительным изменениям профилей распределения имплантационных элементов.
11ри изготовлении приборов на поверхности мишени часто создают пассивирующие покрытия. Во время имплантации ионов мышьяка через пленки SiCb атомы кислорода и кремния могут быть выбиты из пленки оксида и внедрены в кремневую подложку. Длина пробега и количество атомов кислорода, выбитых из поверхностного покрытия, сравнимы с длиной пробега и концентрации имплантированных атомов мышьяка. На основании экспериментальных данных показано, что при имплантации мышьяка в кремневую подложку с ориентацией поверхности в направлении через слой SiCT уменьшение подвижности свободных носителей заряда не происходит, хотя такие уменьшения обнаружены при имплантации мышьяка в подложку, ориентированную в направлении .
