Установка «ИЗОФАЗ ТМ — 200»

(к Главе 9, 10)

Установка «ИЗОФАЗ ТМ — 200»

На Рис. П. 4.1, а представлен общий вид вакуумной установки плазмохимического нанесения покрытий из газовой фазы с плазменной активацией в ВЧ-разряде «ИЗОФАЗ ТМ — 200», которая предназначена для получения покрытий из проводящих и диэлектрических материалов (SiOi, S13N4, Si, SiC), а также для формирования алмазоподобных плёночных структур и выращивания углеродных нанотрубок.

Рис. П. 4.1, и.

На Рис. П. 4.1,0 представлена схема установки плазмохимического нанесения «ИЗОФАЗ ТМ — 200».

Рис. П. 4.1, 6

Особенности и характеристика:

• — источник плазмостимулированного газофазного осаждения (PECVD);
• — шлюзовая камера поштучной загрузки-выгрузки подложек или подложкодержателя диаметра — до 200 лш;
• — рабочий стол с нагревателем до 800 «С и источником напряжения смещения на подложку;
• — безмасляная система откачки на базе химически стойких турбомолекулярных и форвакуумных насосов;
• — микропроцессорная система управления;
• — возможность встраивания в «чистую» комнату;
• — возможность объединения в кластерный комплекс — стыковка отдельных установок через шлюзовую камеру или с платформой транспортно-загрузочного модуля;
• — неравномерность покрытий, но толщине ± 3%.

Установка «МВУ ТМ ИЗОФАЗА — CVD»

На Рис. П. 4.2, а представлен общий вид малогабаритной установки плазмохимического газофазного нанесения с плазменной активацией в ВЧ-разряде диэлектрических покрытий (Si0₂, Si₃N₄) «МВУ ТМ ИЗОФЛЗА — CVD».

Рис. П. 4.2, и.

Схема реактора установки «МВУ ТМ ИЗОФАЗА — CVD» представлена на Рис. П. 4.2, б.

Рис. П. 4.2, б.

Особенности и характеристика установки:

индивидуальная обработка подложек диаметра — до 150 мм; откачка реактора до предельного разряжения 0,5 Па; поддержание стабильности ВЧ-разряда в диапазоне рабочих давлений 2…30 Па;

регулирование и автоматическое поддержание уровня ВЧ-мощносги в диапазоне 30…200 Вт; нагрев подложкодержателя до 350 °C;

автоматизированное управление от персонального компьютера; мощность потребления не более 3 кВт; занимаемая площадь — 1,5 м²;

возможна реализация процесса плазмохимического селективного травления при охлаждаемом нодложкодержателе.

Установка с ICP источником «МВУ ТМ ИЗОФАЗА — CVD 1СР»

На Рис. П. 4.3, а представлен общий вид малогабаритной установки плазмохимического газофазного нанесения с ICP источником «МВУ ТМ ИЗОФАЗА — CVD 1СР».

Рис. П. 4.3, а

На Рис. П. 4.3, б представлена схема реактора установки «МВУ ТМ ИЗОФАЗА — CVD 1СР».

Рис. П. 4.3, б.

Особенности и характеристика установки:

• — плазмохимическое селективное и реактивно-ионное анизотропное травление при охлаждаемой подложке;
• — индивидуальная обработка подложек диаметра — до 100 мм;
• — реактор с источником ICP плазмы;
• — откачка реактора до предельного разряжения — 10'⁴ Па;
• — стабильность ВЧ-разряда в диапазоне давлений 0,5…5 Па;
• — изменение ВЧ смещения на ВЧ электроде-нодложкодержателе в диапазоне 0… 1000 В;
• — регулирование и поддержание ВЧ-мощности — 30…200 Вт;
• — нагрев подложкодержатсля до 400 «С;
• — автоматизированное управление от персонального компьютера;
• — мощность потребления не более 3 кВт.

Установка «ИЗОПЛАЗ ТМ»

На Рис. П. 4.4, а представлен общий вид установки плазмохимического осаждения диэлектрических покрытий при пониженном давлении «ИЗОПЛАЗ ТМ» для нанесения диэлектрических нелегированных и легированных слоёв оксида кремния (БЮз) и слоёв нитрида кремния (Si3N₄) при пониженном давлении с плазменной активацией реагентов.

Рис. П. 4.4, а.

На Рис. П. 4.4, б представлена схема установки плазмохимического осаждения «ИЗОПЛАЗ ТМ».

Рис. П. 4.4, б.

Особенности и характеристика установки:

• — однорсакторная электропечь резистивного нагрева горизонтального типа;
• — кварцевый реактор с герметизируемой рабочей зоной;
• — ВЧ генератор с возможностью управления мощностью в рабочем режиме;
• — трехсекционный спиральный нагреватель с платиновой термопарой в каждой секции;
• — многоканальная газовая система с электронными регуляторами расхода газа, регуляторами давления и фильтрами тонкой очистки;
• — малогабаритная безмасляная химически стойкая форвакуумная система откачки;
• — система контроля герметизации реактора;
• — автономная система водяного охлаждения;
• — высокая скорость осаждения слоёв при низких температурах 250…400 °С;
• — высокая однородность осаждаемых слоёв;
• — низкий уровень радиационных повреждений;
• — микропроцессорная система управления;
• — возможность встраивания в «чистую» комнату;
• — внутренний диаметр реактора — 150 лш;
• — длина рабочей зоны реактора — 300 лш;
• — диаметр обрабатываемых пластин — до 100 лш;
• — кол-во одновременно обрабатываемых пластин — до 25;
• — диапазон рабочих температур — 300. .650 «С;
• — неравномерность распределения температуры по длине рабочей зоны — не более ± 3 °C;
• — нестабильность поддержания температуры в рабочей зоне — не более ± 1 °C;
• — время разогрева до 900 °C — не более 25 мин;
• — предельное остаточное давление в реакторе — не более 1,3 Па;
• — рабочее давление — 26,6… 133 Па;
• — электропитание (3 фазы, 380 В) — не более 7 кВт;
• — габаритные размеры — 1020×1600×1800 лш.