Установка «ПЛАЗМА Ф

(к Главе 5).

Установка «ПЛАЗМА Ф»

На Рис. П.2Л, а представлен общий вид установки «ПЛАЗМА Ф», которая используется в производстве полупроводниковых ИС в операциях технологического процесса ИС для плазмохимической удаления фоторезиста и очистки от органических примесей на пластинах диаметром до 150 мм.

Рис. П. 2.1, а.

Схема установки «ПЛАЗМА Ф» представлена на Рис. П. 2 Л, б.

Рис. П. 2.1, б.

Особенности и характеристики:

• — групповая обработка 10 пластин диаметром до 150 мм, размещенных в кварцевой лодочке;
• — стерилизация медицинских инструментов, приспособлений, ёмкостей, посуды и т. д.
• — поддержание стабильного ВЧ разряда в диапазоне рабочих давлений 10… 100 Па
• — регулирование и автоматическое поддержание уровня ВЧ мощности в диапазоне 100… 1000 Вт.
• — локализация плазмы в зоне обработки пластин за счет развязки ВЧ разряда от земли;
• — автоматизированное управление от микропроцессора.
• — потребляемая мощность нс более 4,5 кВт.

Система установки:

• — реакционная камера с индукционной системой возбуждения разряда системой согласования и развязкой ВЧ разряда от земли;
• — ВЧ генератор 13,56 МГц, 1000 В nr,
• — вакуумная система на базе форвакуумного насоса;
• — газовая система (2 канала) — каждый канал включает электронный регулятор расхода газа (РРГ), ручной запорный кран, регулятор давления (РДМ), манометр, электромагнитный клапан;
• — система водяного охлаждения;
• — микропроцессорная система управления.

Установка «Плазма ТМ-200»

На Рис. П. 2.2, а представлен общий вид вакуумной установки травления наноструктур «Плазма ТМ-200» для плазмохимического и реактивно-ионного травления проводящих и диэлектрических материалов.

Рис. П. 2.2, а.

Рис. Г1.2.2, б. Схема установки «Плазма ТМ-200».

Особенности и характеристики:

высокочастотный источник индуктивно связанной плазмы (ICP);

шлюзовая камера поштучной загрузки-выгрузки подложек или подложкодержателя диаметром — до 200 мм; безмасляная химически стойкая система откачки на базе турбомолекулярного насоса;

гелиевое охлаждение подложек на рабочем столе; микропроцессорная система управления;

возможность объединения в кластерный комплекс — стыковка отдельных установок через шлюзовую камеру или с платформой транспортно-загрузочного модуля; неравномерность травления +2%;

скорость анизотропного травления: кремния — 1 …3мкм/мин двуокиси кремния, кварца, стекла «пирекс» — 0,5… 1 мкм/мин аспектное соотношение — 1/10… 1/30.

Установка «МВУ ТМ Плазма — РИТ»

На Рис. П. 2.3, а представлен общий вид малогабаритной вакуумной установки реактивно-ионного травления (РИТ) «МВУ ТМ Плазма — РИТ» для травления тонких диэлектрических (SiOi, SijN₄), металлических (Мо, Сг и др.) и п/п материалов (GaAs, Si и др.) методом плазмохимического реактивноионного травления.

Рис. П. 2.3, и.

Реактивное ионное травление позволяет решить широкий круг технологических задач по изотропному и анизотропному сухому травлению широкого спектра материалов в микроэлектронике, микромеханике и нанотехнологии.

На Рис. П. 2.3, 6 представлена схема рабочей камеры установки «МВУ ТМ Плазма — РИТ».

Рис. П. 2.3, б.

Особенности и характеристика:

• — индивидуальная обработка подложек диаметром — до 150 мм;
• — откачка реактора до предельного разряжения 0,5 Па;
• — поддержание стабильности ВЧ-разряда в диапазоне рабочих давлений 20…30Па;
• — изменение ВЧ смещения на ВЧ электроде-нодложкодержателе в диапазоне 0… 1000 В;
• — водяное охлаждение подложкодержатсля;
• — автоматизированное управление от персонального компьютера;
• — мощность потребления не более 3 кВт;

Установка «МВУ ТМ Плазма — ПХТ»

Предназначена для вакуумного плазмохимического травления с диодной системой для селективного травления диэлектрических и металлических покрытий.

Базовая комплектация и общий вид установки «МВУ ТМ Плазма — ПХТ» аналогичны автоматизированной установке «МВУ ТМ Плазма — РИТ» Рис. П. 2.3, а.

На Рис. П. 2.4, а показана схема реактора установки «МВУ ТМ Плазма — ПХТ».

Рис. П. 2.4, и.

Особенности и характеристика:

• — индивидуальная обработка подложек диаметром — до 100 мм;
• — реактор с источником ICP плазмы;
• — откачка реактора до предельного разряжения 1 • 10^-4 Па;
• — поддержание стабильности ВЧ разряда в диапазоне рабочих давлений 0,5…5 Па;
• — изменение ВЧ смещения на ВЧ электроде-подложкодержателе в диапазоне о г 0 до 1000 В;
• — регулирование и автоматическое поддержание уровня ВЧ-мощности в диапазоне 30. .200 Вт;
• — охлаждение обрабатываемых подложек с подачей гелия.

Установка «МВУ ТМ Плазма — ПХТ 1СР»

На Рис. П. 2.5, а показана типовая схема реактора малогабаритной вакуумной установки плазменного травления с ICP источником плазмы для плазмохимического селективного (реактивно-ионного, анизотропного) травления диэлектрических и металлических покрытий типа «МВУ ТМ Плазма — ПХТ 1СР».

Базовая комплектация и общий вид аналогичны установке «МВУ ТМ Плазма — РИТ» Рис. П. 2.3, а.

Особенности и характеристики:

• — индивидуальная обработка подложек диаметра — до 100 мм;
• — реактор с источником 1СР плазмы;
• — откачка реактора до предельного разряжения 5 • 10'⁴ Па;
• — поддержание стабильности ВЧ разряда в диапазоне рабочих давлений 0,5…5 Па;
• — изменение ВЧ смещения на ВЧ электроде подложкодержателе в диапазоне 0… 1000 В;
• — регулирование и автоматическое поддержание уровня ВЧ-мощносги в диапазоне 30…200 Вт;
• — охлаждение обрабатываемых подложек с подачей гелия;
• — автоматизированное управление от персонального компьютера.

На Рис. П. 2.5, б показана схема реактора установки «МВУ ТМ Плазма — ПХТ 1РС».

Рис. П. 2.5, б.