В и. 1.2.2.6. Задача 1 параметры ИДМ определены при постоянной плотности тока в сечениях витков катушки и диска. Они имеют следующие численные значения:
Паразитная индуктивность =4.12−10 Гн;
_э.
Паразитное активное сопротивление Rn =8.24−10 ' Ом;
Активное сопротивление диска Rd =1.14 10-5 Ом;
Активное сопротивление катушки RK =0.0169 Ом;
Индуктивность диска по формуле (1.9 , а) Ld = 80.2 • I О-9 Г и;
Индуктивность катушки по формулам (1.9,а) и (1.13) LK = 190 • 10-6 Гн ;
Взаимная индуктивность катушки и диска М = 3.088 • К) 6 Гн.
Используя эти значения, можно определить параметры одноконтурной схемы замещения (рис. 1.17), а затем рассчитать частоту и ток разряда конденсатора в ИДМ.
Аналитическое определение частоты и токов ИДМ
По результатам Задачи 1 для эквивалентного контура (рис. 1.17) последовательно вычисляем:
-активное сопротивление
-эквивалентную индуктивность.
Как видно из сопоставления частот со^ и ОУ, при таких исходных данных для ИДМ, которые указаны в Задаче 1, собственная частота контура и частота тока в катушке практически совпадают. В этом случае учитывать перераспределение плотности тока и его влияние на параметры ИДМ можно по любой из частот.
Выражения (1.26) и (1.30) являются решением системы уравнений (1.21) при принятом допущении о том, что активное сопротивление диска в двухконтурной схеме замещения ИДМ (рис. 1.16) равно нулю: R2=0. Графики токов в катушке и диске, но формулам (1.26) и (1.30) для параметров ИДМ, полученных в Задачах 1 и 2, показаны на рис. 1.18.
Рис. 1.18.
Ток в катушке изображён сплошной линией, ток в диске — штриховой. Амплитудное значение тока в катушке для первой полуволны затухающей синусоиды составляет -1256 А. Ток в диске находится в противофазе току катушки и для первой полуволны составляет +4837 А.