Мультивибратор на биполярных транзисторах

Один из вариантов схемы мультивибратора на биполярных транзисторах приведен на рис. 16.6. Выходным напряжением здесь является разность потенциалов между любым из коллекторов и общей точкой О: и_К] =

Kj — (р₀ или и_к> = ф_к> — ф₀. При правильном подборе параметров элементов схемы функции f/_Ki(?) и u_K (t) представляют собой периодическую последовательность однополярных прямоугольных импульсов с максимальным значением амплитуды, близким к ЭДС коллекторного питания Е_к.

В отличие от мультивибратора на О У (см. рис. 16.1) схема на рис. 16.6 позволяет изменять скважность выходных импульсов. Под скважностью п_скв понимается отношение периода следования импульсов Т к их длительности.

Рис. 16.6. Схема мультивибратора на биполярных транзисторах

t_n, т. е. п_скв = T/t_H. Например, при t_u = Т/2 скважность п_скв = 2. Такая скважность характерна для случая полной симметрии параметров цени на рис. 16.6.

Главные особенности схемы мультивибратора

Главные особенности исследуемой схемы мультивибратора (см. рис. 16.6) таковы.

1. Она содержит два усилительных каскада, взаимодействующих при помощи емкостной положительной обратной связи (сигнал с выхода одного усилителя подается через конденсатор па вход второго). Математически емкостная обратная связь определяется двумя уравнениями по второму закону Кирхгофа для контуров, содержащих базовый вход одного транзистора, подключенный к этому входу конденсатор и участок коллектор — эмиттер противоположного транзистора, а именно:

Из уравнений (16.12) следует, что.

Соотношения (16.13) лежат в основе анализа процессов, происходящих в цепи исследуемого мультивибратора (см. рис. 16.6).

2. Заданная схема симметрична по структуре и, если принять Т?_Б| = R^,

i?_K, ⁼ *_к, ⁼ Q>^т0 имеет место полная ее симметрия. Такой мультивибратор называется симметричным.

3. Начальное смещение транзистора в каждом из усилительных каскадов обеспечивается от источника коллекторного питания Е_к и задается базовыми токами г_Б|0 = г_Бг0 ~ E_K/R_bi = E_K/R_B. Причем величина /?_Б[ = R_itj берется значительно больше, чем /?_К| = R_Ki. При этом условии рабочая точка для каждого отдельно взятого усилительного каскада располагается на начальном (пологом) участке входной ВАХ транзистора — точка Мна рис. 16.7.

Рис. 16.7. Положение РТ на входной ВАХ транзисторов (точка М).