ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚
АнтистрСссовый сСрвис

Π’Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€. 
Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ°, элСктроника ΠΈ схСмотСхника

Π Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Π’Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π°ΠΌΠΈ называСтся ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ класс элСктронных схСм, ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… двумя устойчивыми состояниями. Π˜Ρ… ΡΡ‚роят Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ транзисторных усилитСлСй, Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΏΠ° Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΡ… элСмСнтах. ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠΈΠΉ транзисторный Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 16.11. Он ΡΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΡ‚ Π΄Π²Π° ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… каскада, связанных Π΄Ρ€ΡƒΠ³ с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌ Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ°ΠΌΠΈ ПОБ: (Rocv Π‘,) ΠΈ (/?0Π‘2, Π‘2). Π§Π΅Ρ€Π΅Π· Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠžΠ‘ напряТСниС с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

Π’Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€. Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ°, элСктроника ΠΈ схСмотСхника (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

Π’Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π°ΠΌΠΈ называСтся ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ класс элСктронных схСм, ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… двумя устойчивыми состояниями. Π˜Ρ… ΡΡ‚роят Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ транзисторных усилитСлСй, Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΏΠ° Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΡ… элСмСнтах. ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠΈΠΉ транзисторный Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 16.11. Он ΡΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΡ‚ Π΄Π²Π° ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… каскада, связанных Π΄Ρ€ΡƒΠ³ с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌ Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ°ΠΌΠΈ ПОБ: (Rocv Π‘,) ΠΈ (/?0Π‘2, Π‘2). Π§Π΅Ρ€Π΅Π· Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠžΠ‘ напряТСниС с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзисторного каскада подаСтся Π½Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΈ Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚. ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ схСмы Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π° ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Π½Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ±Π° Π΅Π΅ Ρ‚ранзистора Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅, Ρ‚. Π΅. ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ транзистор находится Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π² ΡΠΎΡΡ‚оянии насыщСния, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° iB = iBmax (Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° Π 2 Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 16.12), Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ отсСчки, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° транзистор Π·Π°ΠΏΠ΅Ρ€Ρ‚ ΠΈ iB «0 (Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° Π , Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 16.12).

Как ΠΈ Π² ΡΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π° Π±ΠΈΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½Ρ‹Ρ… транзисторах, ΠΏΡ€ΠΈ качСствСнном Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π΅ схСмы Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π° (см. Ρ€ΠΈΡ. 16.11) ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΡΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ:

  • 1) сопротивлСниС участка ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ — эмиттСр ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ Π½ΡƒΠ»ΡŽ (ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ΅ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅), Π° Π·Π°ΠΏΠ΅Ρ€Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ — бСсконСчно Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎ (ΠΎΠ±Ρ€Ρ‹Π²);
  • 2) ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Π±Π»ΠΈΠ·ΠΎΠΊ ΠΊ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Ρƒ эмиттСра, Ρ‚. Π΅. Π² Π½Π°ΡˆΠ΅ΠΌ случаС Ρ€Π°Π²Π΅Π½ 0;
  • 3) ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ, Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΠΊ Π­Π”Π‘ источника ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ питания Π•ΠΊ (см. Π½ΠΈΠΆΠ΅).
Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π°.

Рис. 16.11. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π°

БостояниС транзистора Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅.

Рис. 16.12. БостояниС транзистора Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅.

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ