ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚
АнтистрСссовый сСрвис

ИсслСдованиС Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎ-оптичСских процСссов Π² Π½Π΅ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… срСдах Π½Π° основС пористых ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²

Π”ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌΠ½Π°ΡΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Однако монокристалличСский ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΈ Π½Π΅Π΄ΠΎΡΡ‚Π°Ρ‚ΠΊΠΈ. Один ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… связан с ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ нСвысокой ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ носитСлСй заряда (для элСктронов 1500 см2/ (Π’ с), Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ 600 см2/ (Π’ с)), Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ быстродСйствиС ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ². Для этих Ρ†Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ — арсСнид галлия GaAs, Ρƒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ элСктронов ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠ½Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ 8500 см2/ (Π’ с), Π° ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ кипСния… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

ИсслСдованиС Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎ-оптичСских процСссов Π² Π½Π΅ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… срСдах Π½Π° основС пористых ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

ΠœΠ˜ΠΠ˜Π‘Π’Π•Π Π‘Π’Π’Πž ΠžΠ‘Π ΠΠ—ΠžΠ’ΠΠΠ˜Π― И ΠΠΠ£ΠšΠ˜ Π ΠžΠ‘Π‘Π˜Π™Π‘ΠšΠžΠ™ Π€Π•Π”Π•Π ΠΠ¦Π˜Π˜ Π€Π΅Π΄Π΅Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ государствСнноС Π±ΡŽΠ΄ΠΆΠ΅Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΡƒΡ‡Ρ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹ΡΡˆΠ΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡ„Π΅ΡΡΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ образования

" ΠšΠ£Π‘ΠΠΠ‘ΠšΠ˜Π™ Π“ΠžΠ‘Π£Π”ΠΠ Π‘Π’Π’Π•ΠΠΠ«Π™ Π£ΠΠ˜Π’Π•Π Π‘Π˜Π’Π•Π’"

(Π€Π“Π‘ΠžΠ£ Π’ΠŸΠž " ΠšΡƒΠ±Π“Π£")

Π€ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΎ-тСхничСский Ρ„Π°ΠΊΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π΅Ρ‚

ΠšΠ°Ρ„Π΅Π΄Ρ€Π° оптоэлСктроники

Π”Π˜ΠŸΠ›ΠžΠœΠΠΠ― Π ΠΠ‘ΠžΠ’Π

ИсслСдованиС Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎ-оптичСских процСссов Π² Π½Π΅ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… срСдах Π½Π° основС пористых ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²

Π Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΠ» ΠšΡƒΡ‡Π΅Ρ€Ρ АлСксандр АлСксандрович Π‘ΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 210 401 — Π€ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠ° ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ° оптичСской связи Научный Ρ€ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΊΠ°Π½Π΄. Ρ„ΠΈΠ·. — ΠΌΠ°Ρ‚. Π½Π°ΡƒΠΊ, Π΄ΠΎΡ†Π΅Π½Ρ‚ Π›. Π . Π“Ρ€ΠΈΠ³ΠΎΡ€ΡŒΡΠ½ НормоконтролСр ΠΈΠ½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€ А. ΠŸΡ€ΠΎΡ…ΠΎΡ€ΠΎΠ²Π° ΠšΡ€Π°ΡΠ½ΠΎΠ΄Π°Ρ€ 2013

Π Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚

Дипломная Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°: ___ с., 24 рис., 17 ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… источников.

ΠŸΠžΠ Π˜Π‘Π’Π«Π™ ΠšΠ Π•ΠœΠΠ˜Π™, ПОРИБВОБВЬ, ЀОВОННО-ΠšΠ Π˜Π‘Π’ΠΠ›Π›Π˜Π§Π•Π‘ΠšΠ˜Π• БВРУКВУРЫ, ΠΠ•Π›Π˜ΠΠ•Π™ΠΠ«Π• ΠŸΠ ΠžΠ¦Π•Π‘Π‘Π«.

ΠžΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ΠΎΠΌ рассмотрСния Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ курсовой Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ являСтся многослойныС структуры Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ пористого крСмния.

ЦСлью Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ являСтся исслСдованиС Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Ρ… процСссов Π² Π½Π΅ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… срСдах Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ пористых ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ².

Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ выполнСния курсовой Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π±Ρ‹Π»ΠΈ рассмотрСны способы получСния пористых ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅ крСмния, процСсс формирования, ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ исслСдования, Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Π΅ процСссы Π² Π½Π΅ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… срСдах Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ пористых ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ².

  • Π’Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅
  • 1. Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ΄ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ крСмния
  • 1.1 ΠšΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» соврСмСнной элСктроники
  • 1.2 ΠœΠΎΠ½ΠΎΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»Π»ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠΉ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ
  • 2. ΠŸΠΎΡ€ΠΈΡΡ‚Ρ‹ΠΉ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ
  • 2.1 Π€ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ слоёв пористого крСмния
  • 2.2 Бвойства ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ пористого крСмния
  • 3. ΠŸΠΎΡ€ΠΈΡΡ‚Ρ‹ΠΉ фосфид галлия
  • 4. Π€ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎ-кристалличСскиС структуры Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ пористых ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²
  • 5. УпорядочСнныС оптичСски Π½Π΅ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ срСды Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ пористых ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²
  • 5.1 ΠžΠ΄Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎ-кристалличСскиС структуры Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ пористого крСмния
  • 5.1.1 Π‘ΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€Ρ‹ отраТСния
  • 5.1.2 ДиспСрсионныС свойства
  • 5.2 ΠžΠ΄Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎ-кристалличСскиС структуры Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ окислСнного пористого крСмния
  • 6. ΠœΠΎΠ΄ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΡ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΉ восприимчивости Π² ΠΏΠΎΡ€ΠΈΡΡ‚Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°Ρ…
  • 7. НСлинСйно-оптичСскиС процСссы Π² ΠΎΠΏΡ‚ичСски Π½Π΅ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… срСдах Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ пористых ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²
  • 7.1 ГСнСрация Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π³Π°Ρ€ΠΌΠΎΠ½ΠΈΠΊΠΈ Π² ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π°Ρ… Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ микропористого крСмния
  • 7.2 ГСнСрация Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠ΅ΠΉ Π³Π°Ρ€ΠΌΠΎΠ½ΠΈΠΊΠΈ Π² ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π°Ρ… Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ мСзопористого крСмния
  • Π—Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅
  • Бписок ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… источников

Π’ΠΎΠ·Ρ€Π°ΡΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ потрСбности Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ создания Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΈ ΡƒΡΡ‚ройств, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΎΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ быстроС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ частоту сигнала. Π”Π°Π»ΡŒΠ½Π΅ΠΉΡˆΠ΅Π΅ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… систСм Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π² ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½ΠΎΠΌ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡ‚ΡŒΡΡ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ оптичСский сигнал, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎ-оптичСскиС процСссы. Π’ Ρ‚ΠΎ ΠΆΠ΅ врСмя соврСмСнныС Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ°Ρ‚ΡŽΡ€ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ устройств для управлСния распространСниСм изучСния. Однако Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΡ…ΡΡ Π½Π° ΡΠ΅Π³ΠΎΠ΄Π½Ρ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎ-оптичСских кристаллов ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΉ Π²ΠΎΡΠΏΡ€ΠΈΠΈΠΌΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ этом Π² Π½ΠΈΡ… Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Π° большая Π΄Π»ΠΈΠ½Π° Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎ-оптичСского взаимодСйствия, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ Π·Π° ΡΡ‡Ρ‘Ρ‚ Ρ„Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ согласования процСсса, Π»ΠΈΠ±ΠΎ, Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚, ΠΏΡ€ΠΈ большой Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΉ восприимчивости Π΄Π»ΠΈΠ½Π° взаимодСйствия ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ°Π»Π° ΠΈ Π·Π°Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡƒΡŽ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π° нСсколькими Π΄Π»ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈ Π²ΠΎΠ»Π½. Π’ ΡΠ²ΡΠ·ΠΈ с ΡΡ‚ΠΈΠΌ встаСт Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠΈ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ², ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄ΡƒΡ‚ ΠΊ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡŽ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… искусствСнных ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ наноструктур, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΡΠΎΡ‡Π΅Ρ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΡƒΡŽ Π²ΠΎΡΠΏΡ€ΠΈΠΈΠΌΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ с Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΎΠΉ Π΄Π»ΠΈΠ½ΠΎΠΉ взаимодСйствия.

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ ΠΈΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² с Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΌΠΈ структурными ΠΈ ΠΎΠΏΡ‚ичСскими свойствами прСдставляСт собой Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Ρƒ соврСмСнной Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΈ, Ρ€Π΅ΡˆΠ°Π΅ΠΌΡƒΡŽ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ. Для этого проводится «ΡΠ±ΠΎΡ€ΠΊΠ°» Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‹ΠΌ способом нанокристаллов ΠΈΠ»ΠΈ нанокластСров, элСктронныС ΠΈ ΠΎΠΏΡ‚ичСскиС свойства ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈΡ… Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ ΠΈ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΎΠΉ. ΠžΠΏΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠ΅ свойства ансамбля наночастиц Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡ‚ΡŒΡΡ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ взаимодСйствиСм ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠ°ΠΌΠΈ, Π½ΠΎ ΠΈ Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠ½Ρ‹ΠΌ располоТСниСм нанокластСров, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΡ… ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΌΠ½ΠΎΠΉ Π΄ΠΎΠ»Π΅ΠΉ. Π’Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… срСд ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ пористыС ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΈ Π΄ΠΈΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚ричСскиС ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹, ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ процСсса элСктрохимичСского травлСния. Они ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой Π½Π°Π½ΠΎΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ срСды, ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ пустотами Π² ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΌΠ΅ (ΠΏΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ) ΠΈ ΠΎΡΡ‚Π°Π²ΡˆΠΈΠΌΠΈΡΡ послС удалСния части ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° нанокристаллами ΠΈΠ»ΠΈ нанокластСрами ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°.

Одним ΠΈΠ· ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±ΠΎΠ² создания Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² с Π·Π°Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ структурными, элСктронными ΠΈ ΠΎΠΏΡ‚ичСскими свойствами являСтся Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ наноструктурированных срСд. ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ для создания Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π½Π°Π½ΠΎΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… срСд ΠΈΠ³Ρ€Π°Π΅Ρ‚ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π», ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ для ΠΈΡ… ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚овлСния, Π½ΠΎ ΠΈ ΠΈΡ… микроструктура этих срСд. Бвойства Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… Π½Π°Π½ΠΎΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚ΠΎΠ² ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ, Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΎΠΉ ΠΈ ΡƒΠΏΠΎΡ€ΡΠ΄ΠΎΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΈΡ… Π½Π°Π½ΠΎΡ‡Π°ΡΡ‚ΠΈΡ†, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ заполнСния наночастицами.

Π‘Ρ€Π΅Π΄ΠΈ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… наноструктурированных срСд слСдуСт особо ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ пористыС ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ ΠΈ Π΄ΠΈΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΠΊΠΈ, ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ удалСния части ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° ΠΈΠ· ΠΎΠ±ΡŠΡ‘ΠΌΠ°. Π’ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ этом ΠΏΠΎΡ€Ρ‹ ΠΈ ΠΎΡΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ нанокристаллы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ ΠΎΡ‚ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ† Π΄ΠΎ ΡΠΎΡ‚Π΅Π½ Π½Π°Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². ЀизичСскиС свойства ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ²ΡˆΠΈΡ…ΡΡ структур ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΡ‚ ΡΠ²ΠΎΠΉΡΡ‚Π² исходного ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°, Π·Π°Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡƒΡŽ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ. МоТно Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚Ρ€ΠΈ основныС ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΌΠΎΠ΄ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈΡ… ΡΠ²ΠΎΠΉΡΡ‚Π²:

1) ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎ-Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ эффСкты для Π½Π°Π½ΠΎΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ², Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²ΠΎΡΡ…одят Π΄Π»ΠΈΠ½Ρ‹ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ Π΄Π΅ Π‘ройля элСктрона;

2) повСрхностныС эффСкты, связанныС с ΠΏΠΎΡΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… элСктронных ΠΈ Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… состояний повСрхности, ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½ΠΎ (ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π° Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ порядков) ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ»Π°ΡΡŒ послС образования ΠΏΠΎΡ€;

3) Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля Π² Π½Π°Π½ΠΎΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΉ срСдС, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°ΠΌΠΈ, Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΎΠΉ ΠΈ ΡƒΠΏΠΎΡ€ΡΠ΄ΠΎΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π½Π°Π½ΠΎΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ².

ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ элСктроника пористый

1. Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ΄ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ крСмния

1.1 ΠšΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» соврСмСнной элСктроники

ΠšΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ являСтся основным ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠΌ соврСмСнной элСктроники: Π½Π° Π΅Π³ΠΎ основС ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ 95% ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСм ΠΈ ΡΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅ 90% ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΈ ΡƒΡΡ‚ройств. Достоинством ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° являСтся Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ Π² Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… структурных модификациях (монокристалличСской, Π°ΠΌΠΎΡ€Ρ„Π½ΠΎΠΉ, поликристалличСской, микрокристалличСской, нанокристалличСской, пористой), каТдая ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Π½Π°Π±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ свойств, совмСстима Π΄Ρ€ΡƒΠ³ с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌ ΠΈ Ρ Ρ‚СхнологичСскими процСссами ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ. ΠŸΠΎΡ€ΠΈΡΡ‚Ρ‹ΠΉ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ (ПК) Π±Ρ‹Π» ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠ½Π΅ 50-Ρ… Π³ΠΎΠ΄ΠΎΠ² 20-Π³ΠΎ Π²Π΅ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ процСссов элСктрохимичСской ΠΏΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… пластин. ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ ΠΆΠ΅ исслСдования ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π»ΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ Π² ΠΌΠΎΠ½ΠΎΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚алличСском ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΈ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΎΠΉ сСти ΠΌΠ΅Π»ΠΊΠΈΡ… ΠΏΠΎΡ€ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΠΏΠΎΡΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ Π² ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π΅ ряда спСцифичСских явлСний, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ высокая ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ (Π΄ΠΎ 800 ΠΌ2/см3) ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Π°Ρ химичСская Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° скорости химичСских Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ†ΠΈΠΉ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² 10−100 Ρ€Π°Π· ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с ΠΌΠΎΠ½ΠΎΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚алличСским ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅ΠΌ. Π­Ρ‚ΠΈ свойства Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ Π² 60−70-Π΅ Π³ΠΎΠ΄Ρ‹ Π² ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ΅ для формирования толстых диэлСктричСских слоСв ΠΏΠΎ IPOS (Isolation by Porous Oxidized Silicon) ΠΈ FIPOS (Full Isolation by Porous Oxidized Silicon) тСхнологиям, для создания структур ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ-Π½Π° — изоляторС. ПослС открытия Π² 1990 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ ΠšΡΠ½Ρ…Π΅ΠΌΠΎΠΌ явлСния Π»ΡŽΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡ†Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ ΠŸΠš ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠ½Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ Π² Π²ΠΈΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠΉ области спСктра Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎΡΡŒ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ всСстороннСС ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ свойств ΠŸΠš. Если Π² ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ с 1980 ΠΏΠΎ 1990 Π³Π³. число ΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΉ ΠΏΠΎ Ρ‚Π΅ΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠΊΠ΅ ΠŸΠš Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π»ΠΎ 20 ΠΆΡƒΡ€Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… статСй Π² Π³ΠΎΠ΄, Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅ 1995 Π³ΠΎΠ΄Π° эта Ρ†ΠΈΡ„Ρ€Π° стала большС 400. ΠšΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΊΡΠ½Ρ‹Π΅ исслСдования ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π»ΠΈ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΈΠ΅ свойств ПК, Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Ρ‹ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ области примСнСния пористых ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… слоСв. Π’ Π½Π°ΡΡ‚оящСС врСмя Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΠŸΠš Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ элСмСнты ΡΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСм, оптоэлСктронныС ΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ-ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊ, устройства ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ элСктроники, солнСчныС элСмСнты, Π²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Ρ‹, Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ влаТности ΠΈ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π° Π³Π°Π·ΠΎΠ², ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹ для ΠΌΠΎΠ½ΠΈΡ‚ΠΎΡ€ΠΈΠ½Π³Π° ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды, биосСнсоры, Π±ΠΈΠΎΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹, Π°Π½Ρ‚ΠΈΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ покрытия, Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ кристаллы, ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ кондСнсаторы ΠΈ Ρ‚. Π΄.

1.2 ΠœΠΎΠ½ΠΎΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»Π»ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠΉ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ

Π¨ΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ использованиС монокристаллов крСмния Π² ΡƒΡΡ‚ройствах элСктроники стало Π½Π°ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠ°Π»ΠΎ ΠΊΡ‚ΠΎ задаСтся вопросом, ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΡŽ ΠΈΠ· Π²ΡΠ΅Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² отдаСтся ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ создании элСктронных ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ². Π’Π΅Π΄ΡƒΡ‰Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ крСмния связано с ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΌ Π½Π°Π±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… свойств, ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π½Π΅Ρ‚ Ρƒ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ². ΠšΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ ΠΊΠ°ΠΊ химичСский элСмСнт ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ распространСн Π² ΠΏΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ΄Π΅, ΠΈ Π΅Π³ΠΎ содСрТаниС Π² Π·Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΡ€Π΅ составляСт 29,5%. Он Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π΅Π½, ΠΈΠ½Π΅Ρ€Ρ‚Π΅Π½ Π² ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹Ρ… условиях, Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ высокиС Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹, ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠΆΠ΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ процСсс изготовлСния ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСм. Для создания диэлСктричСских слоСв Π½Π΅Ρ‚ нСобходимости ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ диэлСктричСскиС ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹ — собствСнный окисСл SiO2, Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ Π½Π° ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ высоких Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°Ρ… Π² ΠΎΠΊΠΈΡΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ срСдС, прСкрасно выполняСт ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΈ ΠΌΠ°ΡΠΊΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ. Π’ ΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚алличСской Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Ρ‚ΠΊΠ΅ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΡ‹ крСмния Π·Π°Π½ΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ 25% объСма, Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Ρ‡Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΌΠ°Π»ΡƒΡŽ ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ (2,32 Π³/см3, для Ge 5,35 Π³/см3) ΠΈ Π΄ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°Π΅Ρ‚ сильноС Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ элСмСнтами III ΠΈ V Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏ. ΠšΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π² ΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»Π» крСмния Π°Ρ‚ΠΎΠΌ III ΠΈΠ»ΠΈ V Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ добавляСт ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ заряда с ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Π·Π½Π°ΠΊΠΎΠΌ (Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΡƒ) ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ элСктрон соотвСтствСнно. ΠšΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡ носитСлСй заряда Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ этого ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΡ… ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… — ΠΎΡ‚ 1010 Π΄ΠΎ 1021 см-3. ВысокиС значСния коэффициСнтов Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… элСмСнтов Π² ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ области ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ ΡΡƒΠ±ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² с Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ (p-Si) ΠΈΠ»ΠΈ элСктронным (n-Si) Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠΌ проводимости, ΡΠΎΠ²ΠΎΠΊΡƒΠΏΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΈ ΡΠΎΡΡ‚авляСт основу любой ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмы ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΡΡ‚Π²ΠΎ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… монокристаллов ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 3000 Ρ‚ΠΎΠ½Π½ Π² Π³ΠΎΠ΄.

Однако монокристалличСский ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΈ Π½Π΅Π΄ΠΎΡΡ‚Π°Ρ‚ΠΊΠΈ. Один ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… связан с ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ нСвысокой ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ носитСлСй заряда (для элСктронов 1500 ΡΠΌ2/ (Π’ с), Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ 600 ΡΠΌ2/ (Π’ с)), Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ быстродСйствиС ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ². Для этих Ρ†Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ — арсСнид галлия GaAs, Ρƒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ элСктронов ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠ½Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ 8500 ΡΠΌ2/ (Π’ с), Π° ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ кипСния ΠΆΠΈΠ΄ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Π°Π·ΠΎΡ‚Π° (77 К) 250 000 см2/ (Π’ с). Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΠΌ этого стало появлСниС Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ тСхнологичСского направлСния, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ²ΡˆΠ΅Π³ΠΎ Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ арсСнид-Π³Π°Π»Π»ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΉ микроэлСктроники. Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ нСдостаток монокристалличСского крСмния Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΅Π³ΠΎ нСльзя ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для создания ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ². Π‘Π²Π΅Ρ‚ΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ структуры ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π° ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² (GaAs, GaP, GaN, ZnS, ZnSe ΠΈ Π΄Ρ€.), ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ этой Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π² ΠΏΠ΅Ρ€ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π΅ всС ΠΆΠ΅ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π² Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ… ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ. Π’ Π½Π°ΡΡ‚оящСС врСмя ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π΄Π²Π° ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΊ ΡΡ‚ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ΅. Один ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… состоит Π² Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ крСмния Ρ€Π΅Π΄ΠΊΠΎΠ·Π΅ΠΌΠ΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ элСмСнтами (Er, Eu, Gd), Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Ρ‡Π΅Π³ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠ΄ΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ свойствами Π² ΠΈΠ½Ρ„ракрасном Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅. Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности ΠΈΠ»ΠΈ Π² ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΌΠ΅ диэлСктричСских ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, SiO2) ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… кристаллов Π½Π°Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² (1 Π½ΠΌ = 1 10-9 ΠΌ). Бпособы получСния наноструктурированных ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² мноТСство. Π‘Ρ€Π΅Π΄ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… тСхнологичСских ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠΎΠ² Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ доступным ΠΈ Π΄Π΅ΡˆΠ΅Π²Ρ‹ΠΌ являСтся созданиС нанокристаллов посрСдством вытравливания Π² ΠΌΠΎΠ½ΠΎΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»Π»Π°Ρ… крСмния ΠΌΠ΅Π»ΡŒΡ‡Π°ΠΉΡˆΠΈΡ… пустот, Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Ρ‡Π΅Π³ΠΎ ΠΎΡΡ‚Π°Π²ΡˆΠΈΠ΅ΡΡ области крСмния ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ Π² Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½Π°Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². ΠœΠΎΠ½ΠΎΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»Π»ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠΉ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ, ΠΏΡ€ΠΎΠ½ΠΈΠ·Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΡΠ΅Ρ‚ΡŒΡŽ ΠΏΠΎΡ€ (пустот), ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ» Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ пористого крСмния. Π’Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π», ΠΊΠ°ΠΊ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½ΠΈΠΆΠ΅, Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ, Π½ΠΎ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ ΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ свойствами.

На Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅ 1 Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ сущСствуСт Π² Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… структурных модификациях. ВсС эти ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ физичСскиС свойства, Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Π΅ области примСнСния, Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ совмСстимы ΠΈ, Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠ½ΠΎ дополняя Π΄Ρ€ΡƒΠ³ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Π°, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠ΅ возмоТности ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ. ΠšΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ· ΡΠ΅ΠΌΠ΅ΠΉΡΡ‚Π²Π° ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… «Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒΠ΅Π²» достоин ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ рассмотрСния, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΉΠ΄Π΅ΠΌ ΠΊ ΠΎΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΡŽ самого Π·Π°Π³Π°Π΄ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… — крСмния с ΠΏΠΎΡ€ΠΈΡΡ‚ΠΎΠΉ структурой.

Рисунок 1 — БСмСйство крСмния ΠΈ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΠΈ примСнСния ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ²

2. ΠŸΠΎΡ€ΠΈΡΡ‚Ρ‹ΠΉ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ

2.1 Π€ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ слоёв пористого крСмния

ΠŸΠΎΡ€ΠΈΡΡ‚Ρ‹ΠΉ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ получаСтся ΠΏΡ€ΠΈ Π°Π½ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ элСктрохимичСской ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ монокристалличСского крСмния Π² Ρ€Π°ΡΡ‚Π²ΠΎΡ€Π°Ρ… Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΠΏΠ»Π°Π²ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ кислоты HF. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° травлСния являлись ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π°Π½ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° j, врСмя анодирования ta, состав элСктролита, ΠΎΡΠ²Π΅Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Ρ‚. Π΄. ΠŸΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π°Π½ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΠ»Π°ΡΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ:

j =Ia/S*,

Π³Π΄Π΅ Ia — Ρ‚ΠΎΠΊ анодирования, S* - ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠΉ пластины.

ΠšΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Π°Ρ пластина Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… экспСримСнтах (рисунок 2) являСтся Π°Π½ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, Π° ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ слуТит ΠΏΠ»Π°Ρ‚ΠΈΠ½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ элСктрод. Π’ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ пористый ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ Π±Ρ‹Π» ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ Π² ΡΠ΅Ρ€Π΅Π΄ΠΈΠ½Π΅ 1950;Ρ… Π³ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π² Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ исслСдований процСсса элСктрохимичСской ΠΏΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ повСрхности крСмния Π² Π²ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… растворах HF. Вакая опСрация Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠ° для придания Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ повСрхности идСально Π³Π»Π°Π΄ΠΊΠΎΠ³ΠΎ, Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ состояния. Π’ Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ травлСния Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠ΅Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ… (Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ плотности Π°Π½ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ HF Π² ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ‚Π΅) вмСсто процСсса элСктрополировки наблюдалось ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠΊΡ€Π°ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности крСмния. Π‘Ρ‹Π»ΠΎ установлСно, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ†Π²Π΅Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ слои ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π² ΡΠ²ΠΎΠ΅ΠΌ объСмС ΡΠ΅Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ΅Π»ΡŒΡ‡Π°ΠΉΡˆΠΈΡ… ΠΏΠΎΡ€. Π€ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΡ€ начинаСтся Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности пластины, с Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ Π°Π½ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Ρ‹ ΠΏΠΎΡ€ всС дальшС ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π²ΠΈΠ³Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π²Π³Π»ΡƒΠ±ΡŒ кристалла. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ этого Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π° ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ пористого крСмния Π² Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ травлСния ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ ΠΎΡ‚ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ½ (1 ΠΌΠΊΠΌ = 10-6 ΠΌ) Π΄ΠΎ ΡΠΎΡ‚Π΅Π½ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ½.

Рисунок 2 — ЭлСктролитичСскиС ячСйки для формирования слоСв пористого крСмния: Π° — ячСйка Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, Π± — двухкамСрная ячСйка с ΠΆΠΈΠ΄ΠΊΠΎΡΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠΌ ΠΊ Si.1 — фторопластовая Π²Π°Π½Π½Π°, 2 — крСмниСвая пластина, 3 — ΠΏΠ»Π°Ρ‚ΠΈΠ½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ элСктрод, 4 — ΡƒΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ, 5 — слой пористого крСмния, 6 — мСталличСский элСктрод

ПлСнки пористого крСмния Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ врСмя считали лишь Π»Π°Π±ΠΎΡ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΡƒΡ€ΡŒΠ΅Π·ΠΎΠΌ ΠΈ Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½Π΅ ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π°Π»ΠΈ. И Π²ΡΠ΅ ΠΆΠ΅ этот ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π»Π΅ΠΊΠ°Π» Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ исслСдоватСлСй, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌ Π΅Π³ΠΎ формирования Π±Ρ‹Π» ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎ нСпонятСн. Π”Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ ΠΎΠ΄Π½ΠΈ микрообласти Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности Si-Π°Π½ΠΎΠ΄Π° Ρ€Π°ΡΡ‚Π²ΠΎΡ€ΡΡŽΡ‚ΡΡ, Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ ΠΎΡΡ‚Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹ΠΌΠΈ? ΠŸΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ Ρ„Ρ€ΠΎΠ½Ρ‚ травлСния двиТСтся Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Π²Π³Π»ΡƒΠ±ΡŒ пластины, ΠΏΡ€ΠΈ этом ΠΏΠΎΡ€Ρ‹ Π½Π΅ ΠΎΠ±Π³ΠΎΠ½ΡΡŽΡ‚ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Π°?

ΠœΠΎΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ прСдставлСния ΠΎ ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΠ΅ порообразования Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΈ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ с ΡΠ΅Ρ€Π΅Π΄ΠΈΠ½Ρ‹ 1960;Ρ… Π³ΠΎΠ΄ΠΎΠ², Π½ΠΎ Π΅Π΄ΠΈΠ½Π°Ρ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° зрСния ΠΏΠΎΠΊΠ° Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π½Π΅ Π²Ρ‹Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π°. ΠžΠ±ΠΎΠ±Ρ‰Π°Ρ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅. ΠŸΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Si ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π΅ с Π²ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌΠΈ растворами HF насыщаСтся Π²ΠΎΠ΄ΠΎΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈ ΡΡ‚ановится химичСски ΠΈΠ½Π΅Ρ€Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ‚Ρƒ. Если Π½Π° ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ², Ρ‚ΠΎ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ Π² ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΉ пластинС Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‚ ΠΌΠΈΠ³Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π° ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ-элСктролит. ΠŸΡ€ΠΈ этом Π°Ρ‚ΠΎΠΌΡ‹ Si ΠΎΡΠ²ΠΎΠ±ΠΎΠΆΠ΄Π°ΡŽΡ‚ся ΠΎΡ‚ Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΈΡ… Π²ΠΎΠ΄ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π°, Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‚ Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ с ΠΈΠΎΠ½Π°ΠΌΠΈ ΠΈ ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ»Π°ΠΌΠΈ элСктролита ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…одят Π² Ρ€Π°ΡΡ‚Π²ΠΎΡ€. Если элСктролиз проводят ΠΏΡ€ΠΈ высокой плотности Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Ρ‚ΠΎ ΠΊ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности элСктрода поступаСт большоС количСство Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ. Они двиТутся ΠΊ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π΅ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π° ΡΠΏΠ»ΠΎΡˆΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ„Ρ€ΠΎΠ½Ρ‚ΠΎΠΌ ΠΈ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΡƒΡŽ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ практичСски ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌΡƒ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ Si. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ микровыступы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Ρ‡Π΅ΠΌ Ρ€ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ участки, Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ΠΈ Ρ€Π°ΡΡ‚Π²ΠΎΡ€ΡΡŽΡ‚ΡΡ быстрСС. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ Π°Π½ΠΎΠ΄Π° постСпСнно выравниваСтся. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΈ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ элСктрохимичСской ΠΏΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ.

Если ΠΆΠ΅ элСктролиз ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ плотности Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ»ΠΈΡ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π° Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ Π½Π΅ Ρ…Π²Π°Ρ‚Π°Π΅Ρ‚ для ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ сплошного Ρ„Ρ€ΠΎΠ½Ρ‚Π° ΠΈ ΠΏΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ происходит локальноС растворСниС крСмния Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности. Богласно Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ модСлям, Π·Π°Ρ€ΠΎΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΡ€ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π½Π° ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡƒΠ³Π»ΡƒΠ±Π»Π΅Π½ΠΈΡΡ…, Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚Π°Ρ… структуры, мСханичСски напряТСнных участках ΠΈΠ»ΠΈ Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… возмущСниях ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ поля повСрхности. Π‘ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ появившиСся ΠΏΠΎΡ€Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ°ΡŽΡ‚ свой рост Π²Π³Π»ΡƒΠ±ΡŒ элСктрода Π·Π° ΡΡ‡Π΅Ρ‚ Π΄Ρ€Π΅ΠΉΡ„Π° Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ ΠΊ ΠΊΠΎΠ½Ρ‡ΠΈΠΊΠ°ΠΌ ΠΏΠΎΡ€, Π³Π΄Π΅ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ элСктричСского поля Π²Ρ‹ΡˆΠ΅.

ΠžΡ‡Π΅Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΈ n — ΠΈ p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° количСство Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎ ΠΈ ΠΏΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ процСссы порообразования Π² n-Si ΠΈ p-Si ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ свои особСнности. Π’ p-Si Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ основными носитСлями заряда ΠΈ ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚рация составляСт 1014-1018 см-3. Π’ ΡΡ‚ΠΎΠΌ случаС, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎΡ€Ρ‹ Π½Π°Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ². Вонкая высокопористая структура Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π³ΡƒΠ±ΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅ 3, Π°. Π’ n-Si, Π³Π΄Π΅ основными носитСлями заряда ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ элСктроны, концСнтрация Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½Π΅ ΠΌΠ°Π»Π° (102-106 см-3). НСобходимоС минимальноС количСство Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π° ΡΡ‡Π΅Ρ‚ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ (ΠΏΡ€ΠΈ подсвСткС Si-элСктрода) ΠΈΠ»ΠΈ Π·Π° ΡΡ‡Π΅Ρ‚ Π»Π°Π²ΠΈΠ½Π½ΠΎΠΉ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ (ΠΏΡ€ΠΈ Π°Π½ΠΎΠ΄ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Π² ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΠΈ высоких напряТСний). ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Π°Ρ структура ΠΏΠΎΡ€ сущСствСнно отличаСтся ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΉ ΠΈ Ρ…арактСризуСтся Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΠΎΡ€ достаточно большого Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° (рисунок 3, Π±). На Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅ 3, Π°, Π± прСдставлСны Π΄Π²Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… случая Π² Ρ€ΡΠ΄Ρƒ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… пористых структур. ИзмСняя условия анодирования, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ пористый ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ с Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΡ€Ρ„ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ΠΉ (Π³Π΅ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΠ΅ΠΉ) ΠΏΠΎΡ€. На ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ R ΠΏΠΎΡ€ Π²Π»ΠΈΡΡŽΡ‚ ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° анодирования, врСмя, Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ подсвСтка, состав элСктролита, ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΠΈ Π²ΠΈΠ΄ лСгирования крСмния ΠΈ Ρ‚. Π΄., Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Ρ‡Π΅Π³ΠΎ этот Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ ΠΎΡ‚ 10 ΠΌΠΊΠΌ Π΄ΠΎ 1 Π½ΠΌ. По ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ классификации пористый ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ подраздСляСтся Π½Π° ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€ΠΈΡΡ‚Ρ‹ΠΉ (R < 2 Π½ΠΌ), мСзопористый (2 Π½ΠΌ < R < 50 Π½ΠΌ) ΠΈ ΠΌΠ°ΠΊΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€ΠΈΡΡ‚Ρ‹ΠΉ (R > 50 Π½ΠΌ).

Рисунок 3 — Π° — ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ структуры пористого крСмния Π½Π° p-Si, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΡΠ²Π΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ элСктронном микроскопС. Π Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ ΠΏΠΎΡ€ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 50 Π½ΠΌ, Π° ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅ Π½ΠΈΡ‚ΠΈ (Ρ‚Π΅ΠΌΠ½Ρ‹Π΅ области) ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 10 Π½ΠΌ.; Π± — элСктронно-микроскопичСский снимок структуры макропористого крСмния Π½Π° n-Si. Π Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ ΠΏΠΎΡ€ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ 0,7−1,0 ΠΌΠΊΠΌ. ВСмная ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ Π²Π½ΠΈΠ·Ρƒ — монокристалличСский ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ [9]

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ любого пористого ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° являСтся ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ пористости П. Он ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΠ΅Ρ‚, какая доля объСма ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° занята ΠΏΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ. Для пористого крСмния значСния пористости ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π°ΠΉΠ½ΠΎ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π»Π΅ ΠΎΡ‚ 5 Π΄ΠΎ 95% (!). Когда объСм, Π·Π°Π½ΠΈΠΌΠ°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ, Π½Π΅Π²Π΅Π»ΠΈΠΊ (5%), свойства Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈ ΠΊ ΡΠ²ΠΎΠΉΡΡ‚Π²Π°ΠΌ кристалличСского крСмния. ΠŸΡ€ΠΈ высоких показатСлях пористости ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½Π° сущСствСнно измСняСтся ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ пористый ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ проявляСт Π½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ свойства, ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ. Π’ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ сказанного Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ пористая структура крСмния ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π° ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ способами, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ ΠΏΡ€ΠΈ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΌ распылСнии крСмния ΠΈ Π΅Π³ΠΎ осаТдСнии Π½Π° Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΡƒΡŽ рядом ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΡƒ (ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ абляции).

2.2 Бвойства ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ пористого крСмния

Когда спСциалисты ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½ «ΠΏΠΎΡ€ΠΈΡΡ‚Ρ‹ΠΉ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ», Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π² Π²ΠΈΠ΄Ρƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ€Π΅Ρ‡ΡŒ ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π΅ Π½Π΅ Ρ Ρ„иксированными ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ, Π° Ρ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈΡΡ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌΠΈ свойствами, зависящими ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Сля пористости ΠΈ ΠΌΠΎΡ€Ρ„ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΡ€. Π˜Π·Π²Π΅ΡΡ‚Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΡ€Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‚ самыС ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΡƒΠ΄Π»ΠΈΠ²Ρ‹Π΅ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹ ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π²ΠΈΠ΄ кактуса с ΠΎΡ‚ростками, Π·ΠΈΠ³Π·Π°Π³ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ»ΠΎΠ΄Ρ†Π°, ΠΊΠΎΡ€Π½Π΅Π²ΠΎΠΉ систСмы Π΄Π΅Ρ€Π΅Π²Π°, цилиндричСских ΠΊΠΎΠ»ΠΎΠ½Π½ ΠΈ Ρ‚. Π΄. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΡ€Ρ„ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΡ€ пористого крСмния Π½Π΅ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΈΡŽ оптичСских, элСктричСских, мСханичСских характСристик ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ этого Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π² Π²ΠΈΠ΄Ρƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ стСнки ΠΏΠΎΡ€ ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Π°ΠΌΠΈ элСктрохимичСских Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ†ΠΈΠΉ ΠΈ Π°Π΄ΡΠΎΡ€Π±ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠ°ΠΌΠΈ, химичСский состав ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½ΠΎ влияСт Π½Π° ΡΠ²ΠΎΠΉΡΡ‚Π²Π° пористого крСмния.

Π₯Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΠΉ пористого крСмния являСтся большая суммарная ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅ΠΉ повСрхности. Π’ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ пористости ΠΈ Π³Π΅ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΡ€ ΠΎΠ½Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ для макропористого крСмния ΠΎΡ‚ 10 Π΄ΠΎ 100 ΠΌ2/см3, для мСзопористого ΠΎΡ‚ 100 Π΄ΠΎ 300 ΠΌ2/см3 ΠΈ Π΄Π»Ρ микропористого ΠΎΡ‚ 300 Π΄ΠΎ 800 ΠΌ2/см3. Для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ наглядно ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ сСбС послСднюю Ρ†ΠΈΡ„Ρ€Ρƒ, ΠΏΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ±ΡƒΠ΅ΠΌ мыслСнно Ρ€Π°Π·Π²Π΅Ρ€Π½ΡƒΡ‚ΡŒ 1 ΡΠΌ3 Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ нашСго экспСримСнта ΠΌΡ‹ Π·Π°ΠΊΡ€ΠΎΠ΅ΠΌ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ большС Ρ„ΡƒΡ‚Π±ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ поля! Для сравнСния слСдуСт ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ монокристалличСского крСмния составляСт всСго 0,1−0,3 ΠΌ2/см3. НаличиС Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΎΠΉ химичСски Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ повСрхности ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΠ»ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ области практичСского примСнСния пористого крСмния Π² ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ΅, Π΄Π²Π΅ ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ рассмотрСно Π½ΠΈΠΆΠ΅.

Для создания ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ², Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈ высоких напряТСниях, Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ»Π° Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² Ρ‚олстых диэлСктричСских слоях Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 10 ΠΌΠΊΠΌ. Π˜Π·Π²Π΅ΡΡ‚Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ диэлСктричСскиС ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΈ SiO2, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ тСрмичСского окислСния крСмния, Π½Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰Π΅ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ½. Для создания толстых диэлСктричСских ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠ½Π΅ 1970;Ρ… Π³ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ слои пористого крСмния. Если Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» ΠΏΠΎΠ΄Π²Π΅Ρ€Π³Π½ΡƒΡ‚ΡŒ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ тСрмичСского окислСния, Ρ‚ΠΎ Π·Π° ΡΡ‡Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΎΠΉ систСмы ΠΏΠΎΡ€ ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ»Ρ‹ кислорода способны ΠΏΡ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ Π½Π° Π²ΡΡŽ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρƒ пористого крСмния ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅ΡΡ‚ΠΈ ΠΊ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠΌΡƒ Π΅Π³ΠΎ окислСнию. Показано, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ для этих Ρ†Π΅Π»Π΅ΠΉ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ слои с ΠΏΠΎΡ€ΠΈΡΡ‚ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 50%. Π­Ρ‚ΠΎ связано с Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ мСханичСских напряТСний, Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈ окислСнии, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ этом происходит ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ объСма Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΎΠΉ Ρ„Π°Π·Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½Π° 56%, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ компСнсируСтся Π·Π° ΡΡ‡Π΅Ρ‚ пространства ΠΏΠΎΡ€. Π’Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ процСсс формирования диэлСктричСских ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ с ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ пористых слоСв происходит ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°Ρ… Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ…, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΌ тСрмичСском окислСнии крСмния.

К ΡΠ΅Ρ€Π΅Π΄ΠΈΠ½Π΅ 1970;Ρ… Π³ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ»Π° Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ. ΠŸΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСм ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ»Π°ΡΡŒ Π½Π°ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ элСмСнты стали ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΊ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌΡƒ. Для ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½ΠΈΠΌΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΡƒ Π±Ρ‹Π»Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π° структура «ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ Π½Π° ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΡΡ‚ΠΎΡ€Π΅» (КНИ). КНИ-структура прСдставляСт собой основу ΠΈΠ· Π΄ΠΈΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚ричСского ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° с Π²Ρ‹Ρ€Π°Ρ‰Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ монокристалличСским слоСм крСмния. Π’ ΡΡ‚ΠΎΠΌ случаС элСмСнты ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСм Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΌΠ΅ слоя, послС Ρ‡Π΅Π³ΠΎ выполняСтся опСрация локального окислСния ΠΏΠΎ ΠΈΡ… ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρƒ ΠΈ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ элСмСнт становится ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΎΡ‚ ΡΠ²ΠΎΠΈΡ… сосСдСй. Π’ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ основы КНИ-структур ΡƒΠΆΠ΅ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ… экспСримСнтах Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ Π·Π°Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄ΠΎΠ²Π°Π» сСбя окислСнный пористый ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ. ΠŸΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ тСхнологичСских ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π»Π° Π² ΡΠ΅Π±Ρ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ пористого крСмния, Π²Ρ‹Ρ€Π°Ρ‰ΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° Π΅Π³ΠΎ повСрхности слоя монокрСмния с ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ прокислСниСм пористого ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°.

Π”Π°Π»ΡŒΠ½Π΅ΠΉΡˆΠΈΠ΅ исслСдования ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π»ΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ пористый ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ слуТит Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ΅ΠΉ основой Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ для выращивания монокристалличСских ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ крСмния. НизкопористыС слои (П < 30%) оказались эффСктивными Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ Π±ΡƒΡ„Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ слоя ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Ρ€Π°Ρ‰ΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ (эпитаксии) монокристалличСских ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² Π½Π° ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΈ. Одним ΠΈΠ· ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Ρ… условий провСдСния процСсса эпитаксии являСтся условиС близости Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ постоянных Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Ρ‚ΠΎΠΊ крСмния ΠΈ Π½Π°Π½ΠΎΡΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°. Однако для ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² ΠΈ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΡ этот ΠΊΡ€ΠΈΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠΉ Π½Π΅ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΠ΅Ρ‚ся, Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Ρ‡Π΅Π³ΠΎ Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности растут ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΈ с ΠΏΠ»ΠΎΡ…ΠΈΠΌΠΈ структурными характСристиками. ИспользованиС ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… слоСв пористого крСмния ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΠ»ΠΎ Ρ€Π΅ΡˆΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Ρƒ выращивания качСствСнных ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² GaAs, PbS, PbTe ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… с Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠΌ рассогласованиСм ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² кристалличСских Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Ρ‚ΠΎΠΊ.

Π’ ΠΏΠΎΡ€ΠΈΡΡ‚ΠΎΠΌ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΈ Π² Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ элСктрохимичСского травлСния Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… элСмСнтов Π½Π°Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ². Для нанокристаллов с Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°ΠΌΠΈ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 4 Π½ΠΌ Π² ΠΏΠΎΡ€ΠΈΡΡ‚ΠΎΠΌ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΈ Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚Π΅ ΠΆΠ΅ ΡΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈ Π² Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… наноструктурированных ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°Ρ…: ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ энСргСтичСского спСктра, ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρ‹ Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Ρ‹ с 1,1 Π΄ΠΎ 1,8−2,9 эВ, ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ диэлСктричСской проницаСмости. ВозмоТности Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Π°Π½ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ травлСния ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ, ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π½ΠΈΡ‚ΠΈ, элСмСнты с Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ„Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ пористый ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ с П> 50% слСдуСт Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² наноэлСктроники. Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, пСрспСктивным ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π·Π°ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΡ€ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ химичСскими соСдинСниями, Ρ‡Ρ‚ΠΎ даст Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΡ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ элСмСнты Π² ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΌΠ΅ пористого крСмния. ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ экспСримСнты Π² ΡΡ‚ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΡƒΠΆΠ΅ Π½Π°Ρ‡Π°Ρ‚Ρ‹ Π² Π²Π΅Π΄ΡƒΡ‰ΠΈΡ… Π½Π°ΡƒΡ‡Π½Ρ‹Ρ… лабораториях ΠΌΠΈΡ€Π°.

НСобычайный интСрСс исслСдоватСлСй ΠΊ ΠΏΠΎΡ€ΠΈΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΡŽ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π»ΠΎ ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π² 1990 Π³. Π›. ΠšΡΠ½Ρ…ΡΠΌΠΎΠΌ ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ свСта пористым ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠΌ (П> 50%) ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠ½Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ Π² Π²ΠΈΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠΉ области спСктра ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ±Π»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π»Π°Π·Π΅Ρ€ΠΎΠΌ. Π£ΠΆΠ΅ Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΠ»ΠΎΡΡŒ ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ монокристалличСский ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ использован для создания ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… устройств, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π΅Π³ΠΎ ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½ΠΈΡ‡Ρ‚ΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΌΠ°Π»Π° (ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 0,001%). ΠžΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅ ΠšΡΠ½Ρ…ΡΠΌΠΎΠΌ интСнсивной Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ»ΡŽΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡ†Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ с ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 5% Π΄Π°Π»ΠΎ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΡΡ‚ΡƒΠΏΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ², ΠΈΡΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… свСт Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅. ИсслСдования ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π»ΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π»ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ Π», ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ†Π²Π΅Ρ‚ излучСния, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ измСняя условия анодирования. Оказалось Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ красный, Π·Π΅Π»Π΅Π½Ρ‹ΠΉ ΠΈ ΡΠΈΠ½ΠΈΠΉ Ρ†Π²Π΅Ρ‚Π°, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹Π΅ для изготовлСния Ρ†Π²Π΅Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… дисплССв. ВслСд Π·Π° ΡΡ‚ΠΈΠΌ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅ΠΌ Π² Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π΅ 1990;Ρ… Π³ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π±Ρ‹Π»ΠΈ созданы ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŽΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡ†Π΅Π½Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ ячСйки Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ пористого крСмния, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Π»ΠΈ свСт Π² ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡΠ»ΠΎΠΉΠ½ΠΎΠΉ структурС ΠΏΡ€ΠΎΠ·Ρ€Π°Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ элСктрод — пористый ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ — монокристалличСский ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ — ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π» ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Π­Ρ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ… ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŽΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡ†Π΅Π½Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² Π±Ρ‹Π»Π° Π½Π΅Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΠ° (10-5%), Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ»ΡŽΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡ†Π΅Π½Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŽΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡ†Π΅Π½Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ структуры быстро Π΄Π΅Π³Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π»ΠΈ. Π’ Π½Π°ΡΡ‚оящСС врСмя ΡƒΠ΄Π°Π»ΠΎΡΡŒ Π²Ρ‹ΡΡΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ старСния ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ пористого крСмния ΠΈ Π½Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡƒΡ‚ΠΈ создания ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π²ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ структур. Π―Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ»ΡŽΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡ†Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ эффСктивно поддСрТиваСтся ΠΏΡ€ΠΈ Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠΈ Π² ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΌ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ² ΡƒΠ³Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ΄Π° ΠΈΠ»ΠΈ ΠΆΠ΅Π»Π΅Π·Π°, Π° ΡΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŽΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡ†Π΅Π½Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ срок слуТбы нСсколько Π»Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ эффСктивности порядка 10-1%. НСкоторыС ΠΏΡ€ΠΎΠ³Π½ΠΎΠ·Ρ‹ говорят, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΌ Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π½ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŽΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡ†Π΅Π½Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… ячССк Π΄ΠΎ 10%.

ΠŸΠΎΡ€ΠΈΡΡ‚Ρ‹ΠΉ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ Π² Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ ΡƒΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠΉ травлСния ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΌ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π»ΠΎΠΌ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния (10-2-1011 Ом ΡΠΌ), диэлСктричСской проницаСмости (1,75−12) ΠΈ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Сля прСломлСния (1,2−3,5). Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ пористый ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ использован ΠΊΠ°ΠΊ Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ…, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π΄ΠΈΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚ричСских слоСв Π² ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°Ρ… ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСмах. Оказалось, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ… ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ процСсса травлСния Π²Π°Ρ€ΡŒΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ² (ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° анодирования, ΠΎΡΠ²Π΅Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ) ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ многослойныС структуры, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ слой ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΡ€ΠΈΡΡ‚ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ Π³Π΅ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΠ΅ΠΉ ΠΏΠΎΡ€. Вакая тСхнология содСрТит Π² ΡΠ΅Π±Π΅ большиС ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ возмоТности для Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… устройств. Наглядным ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ использования многослойных пористых структур являСтся созданиС свСтоводных элСмСнтов. НазначСниС свСтоводов Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡Π΅ свСтового Π»ΡƒΡ‡Π° Π±Π΅Π· ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ энСргии, Π² Ρ‚ΠΎΠΌ числС ΠΈ ΠΏΠΎ ΠΊΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΌ трассам.

Для Ρ†Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΊΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½Ρ‹Π΅ свСтоводы, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ собой ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½ΡƒΡŽ структуру, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ свСт распространяСтся Π² ΡΠ»ΠΎΠ΅ с Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΈΠΌ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ прСломлСния, ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ с Π΄Π²ΡƒΡ… сторон слоями с ΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΠΌ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ прСломлСния. Для пористого крСмния этот ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ зависит ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΡ€ΠΈΡΡ‚ости (Ρ‡Π΅ΠΌ большС ΠΏΠΎΡ€ΠΈΡΡ‚ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Ρ‚Π΅ΠΌ мСньшС ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ прСломлСния), ΠΈ ΠΏΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ многослойных структур с Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΡ€ΠΈΡΡ‚ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ позволяСт ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° ΠΈΡ… ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ элСмСнты с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ. ΠŸΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ Π½Π° ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ окислСниСм слоСв пористого крСмния.

Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ использования многослойных пористых структур являСтся ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ΠΎΠ² Π² ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ для инфракрасной, Π²ΠΈΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΎΠ»Π΅Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ области спСктра. Π˜Π½Ρ‚Π΅Ρ€Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ Π€Π°Π±Ρ€ΠΈ-ΠŸΠ΅Ρ€ΠΎ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ пористого крСмния прСдставляСт собой ΡΠ΅ΠΌΠΈΡΠ»ΠΎΠΉΠ½ΡƒΡŽ структуру, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½ΠΎΠΉ слоСв пористого крСмния ΠΈ ΠΈΡ… ΠΊΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ прСломлСния сущСствуСт опрСдСлСнная взаимосвязь. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ΠΎΠ² позволяСт ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠΈ свСта Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ· Π½Π΅Π³ΠΎ ΡƒΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π» Π΄Π»ΠΈΠ½ Π²ΠΎΠ»Π½ Π”Π»= 10 Π½ΠΌ. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ этого пористый ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ (Π½Π° Π΄Π²Π°-Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ порядка мСньшС, Ρ‡Π΅ΠΌ Ρƒ ΠΌΠΎΠ½ΠΎΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΡ), Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ тСплоизоляционного слоя Π² ΡƒΡΡ‚ройствах ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΉ элСктроники.

Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ΅ пСрспСктивы пористый ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ для создания Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² влаТности, Π³Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ…, химичСских ΠΈ Π±ΠΈΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΡ… сСнсоров. ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² основан Π½Π° Π²Π»ΠΈΡΠ½ΠΈΠΈ Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ» Π½Π° ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ΅ состояниС повСрхности. Π’ ΡΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ пористого крСмния Π·Π° ΡΡ‡Π΅Ρ‚ высокой ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ повСрхности это влияниС становится Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ эффСктивным ΠΈ ΡΠ΅Π½ΡΠΎΡ€Ρ‹ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ высокой Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ Ρ„ΠΈΠΊΡΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Смкостных, проводящих, Π»ΡŽΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡ†Π΅Π½Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… свойств пористого крСмния ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ срСдС Π·Π°Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ» ΠΈ Ρ…имичСских соСдинСний. Π˜Π½Ρ‚Π΅Ρ€Π΅ΡΠ½Ρ‹ΠΌ прСдставляСтся ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ пористого крСмния Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π³ΠΎ элСмСнта биохимичСских ΠΈ Π±ΠΈΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΡ… сСнсоров. Π­Ρ‚ΠΎ стало особСнно Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ послС Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ пористый ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ являСтся биосовмСстимым ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠΌ. Π‘ΠΈΠΎΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹ ΠΏΠΎ ΡΠ²ΠΎΠΈΠΌ свойствам ΠΏΠΎΠ΄Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° Π±ΠΈΠΎΠΈΠ½Π΅Ρ€Ρ‚Π½Ρ‹Π΅, Π±ΠΈΠΎΠ°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ Π±ΠΈΠΎΡ€Π΅Π·ΠΎΡ€Π±ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅. Π‘ΠΈΠΎΠΈΠ½Π΅Ρ€Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹ (Ρ‚ΠΈΡ‚Π°Π½) ΠΈΡΠΏΡ‹Ρ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ измСнСния Π² ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΊΠ°Π½ΠΈ, Π±ΠΈΠΎΠ°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹ (bioglass) ΠΏΠΎΠ΄Π²Π΅Ρ€Π³Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ измСнСниям Π² ΠΆΠΈΠ²ΠΎΠΌ ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΠ΅, Π° Π±ΠΈΠΎΡ€Π΅Π·ΠΎΡ€Π±ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ рассасывания Π² Ρ‚канях с Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. Оказалось, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ пористости пористый ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ отнСсСн ΠΊ Π»ΡŽΠ±ΠΎΠΌΡƒ ΠΈΠ· ΡΡ‚ΠΈΡ… классов, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ большиС пСрспСктивы Π² ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π½ΠΈΠΈ биомСдицинских ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ².

Новым этапом Π² ΠΈΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ пористого крСмния стало созданиС рСгулярных пористых ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ† — ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… кристаллов, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π² ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ порядкС сформированы Π³Π»ΡƒΠ±ΠΎΠΊΠΈΠ΅ (Π΄ΠΎ 500 ΠΌΠΊΠΌ) ΠΏΠΎΡ€Ρ‹ с ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ Π΄ΠΎ 20 ΠΌΠΊΠΌ (рисунок 4). Как Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ структуры? На ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ этапС Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΉ пластины n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° создаСтся ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠ° SiO2, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΈ формируСтся сСтка ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… отвСрстий (ΠΎΠΊΠΎΠ½). Π”Π°Π»Π΅Π΅ Π² ΠΎΠΊΠ½Π°Ρ… ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ямки травлСния Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π²Π΅Ρ€Π½ΡƒΡ‚Ρ‹Ρ… ΠΏΠΈΡ€Π°ΠΌΠΈΠ΄. ПослС этого проводится ΡƒΠΆΠ΅ Π·Π½Π°ΠΊΠΎΠΌΠΎΠ΅ Π½Π°ΠΌ элСктрохимичСскоС Ρ‚Ρ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ подсвСткС с Ρ‚Ρ‹Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ стороны.

Рисунок 4 - Π° — рСгулярная макропористая структура, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΠ°Ρ для создания ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… кондСнсаторов. Π’Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ срСз ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Π° ΠΏΠΎΠ΄ ΡƒΠ³Π»ΠΎΠΌ 45Β°. Π Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ ΠΏΡ€ΡΠΌΠΎΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°ΠΌΠΊΠΈ Π² Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π΅ — 2×3,5 ΠΌΠΊΠΌ; Π± — элСмСнт макропористой ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ†Ρ‹ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ кристалла. РасстояниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΏΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ 1,5 ΠΌΠΊΠΌ

Π’Π°ΠΊΠΈΠ΅ структуры ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… областях, Π² Ρ‡Π°ΡΡ‚ности для создания ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… кондСнсаторов ΠΈ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… кристаллов. Π€ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ кристаллы, Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ для примСнСния Π² ΡΠΈΡΡ‚Π΅ΠΌΠ°Ρ… Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… тСхнологиях, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой Π΄Π²ΡƒΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ структуры с ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉΡΡ Π² ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚ранствС диэлСктричСской ΠΏΡ€ΠΎΠ½ΠΈΡ†Π°Π΅ΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. Π­Ρ‚ΠΈ структуры ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Π½ΡƒΡŽ Ρ‰Π΅Π»ΡŒ, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰ΡƒΡŽ с Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ частоту Ρ€Π°ΡΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Ρ€Π°Π½ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉΡΡ элСктромагнитной Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ Π² Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΡ Π²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π²Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Ρ€Π°Π½ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΠΎ модулированная макропористая структура ΠΏΠΎΠ΄ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ кристалла. Π’ Π½Π°ΡΡ‚оящСС врСмя Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ макропористых пСриодичСских структур созданы Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ кристаллы для Π±Π»ΠΈΠΆΠ½Π΅ΠΉ инфракрасной области спСктра с Π”Π» = 4,9 ΠΌΠΊΠΌ.

О ΡΠ²ΠΎΠΉΡΡ‚Π²Π°Ρ… ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ пористого крСмния ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΡŒ достаточно ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ рисунка 5 ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ сСбС возмоТности ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°. Достаточно, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ пористого крСмния ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ созданы ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹, Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠΈ ΠΈ ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Ρ‹, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΎΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмС ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅Π½Ρ‹ Π² Π΅Π΄ΠΈΠ½Ρ‹ΠΉ комплСкс ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ — оптичСская срСда ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ — ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊ. Π›Π΅Π³ΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ управлСния свойствами пористого ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°, ΡΠΎΠ²ΠΌΠ΅ΡΡ‚ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ с Ρ‚СхнологичСскими опСрациями ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΉ микроэлСктроники ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ Π½Π°Π΄Π΅ΡΡ‚ΡŒΡΡ Π½Π° Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΡƒ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… элСктронных ΠΈ ΠΎΠΏΡ‚ичСских ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ слоСв с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ, срСднСй, высокой ΠΏΠΎΡ€ΠΈΡΡ‚ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ ΠΌΠ°ΠΊΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€ΠΈΡΡ‚Ρ‹Ρ… рСгулярных структур.

Рисунок 5 — ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ области примСнСния пористого крСмния

3. ΠŸΠΎΡ€ΠΈΡΡ‚Ρ‹ΠΉ фосфид галлия

ΠŸΠΎΡ€ΠΈΡΡ‚Ρ‹ΠΉ фосфид галлия (ΠŸΠ€Π“) прСдставляСтся вСсьма пСрспСктивным ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠΌ для Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… оптичСских ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ. Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠ°Ρ, Ρ‡Π΅ΠΌ Π² Ρ-Si, запрСщСнная Π·ΠΎΠ½Π° GaP Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ Π΅Π³ΠΎ использованиС Π² ΠΊΡ€Π°ΡΠ½ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΆΠ΅Π»Ρ‚ΠΎΠΉ ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… областях Π²ΠΈΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π° (Π΄Π»ΠΈΠ½Π° Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ большС 550 Π½ΠΌ), Π° Π½Π΅Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€ΠΎΡΠΈΠΌΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ кристалличСской Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Ρ‚ΠΊΠΈ обусловливаСт Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ Π΄ΠΈΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΊΠ²Π°Π΄Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‡Π½ΡƒΡŽ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΡƒΡŽ Π²ΠΎΡΠΏΡ€ΠΈΠΈΠΌΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ (200 ΠΏΠΌ/Π’), которая Π½Π° Π΄Π²Π° порядка ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ эту ΠΆΠ΅ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ для Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π° кристаллов, примСняСмых для удвоСния частоты. ВсС Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡ΠΈΡΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ свойства, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ нСоднородностСй (ΠΏΠΎΡ€ ΠΈ Π½Π°Π½ΠΎΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»Π»ΠΎΠ²), сравнимый с Π΄Π»ΠΈΠ½ΠΎΠΉ оптичСской Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹, Π΄Π΅Π»Π°ΡŽΡ‚ ΠŸΠ€Π“ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΎΠ±Π΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ΠΎΠΌ для исслСдования эффСктов Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ свСта

Π‘Π»ΠΎΠΈ ΠŸΠ€Π“ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ элСктрохимичСского травлСния пластин n-GaP, Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Te ΠΈΠ»ΠΈ S, Π² Ρ€Π°ΡΡ‚Π²ΠΎΡ€Π°Ρ… H2SO4 ΠΈ HF. ΠŸΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ высокого ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° (ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 15 Π’) ΠΊ ΠΏΠ»Π°ΡΡ‚ΠΈΠ½Π΅ GaP ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ ΠΈΠ·Π³ΠΈΠ±Ρƒ энСргСтичСских Π·ΠΎΠ½ Π½Π° Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π΅ GaP/элСктролит.

Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ·ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ туннСлирования элСктронов ΠΈΠ· Π²Π°Π»Π΅Π½Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Ρ‹ Π² Π·ΠΎΠ½Ρƒ проводимости Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности GaP образуСтся ΠΈΠ·Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΊ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Ρ€Π°ΡΡ…ΠΎΠ΄ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠ΅ травлСния (рисунок6).

НСравновСсныС носитСли заряда Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ освСщСнии кристалла GaP. ΠšΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ Π² ΠΏΡ€ΠΈΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ностной области GaP Π½Π΅ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π½Π° вдоль повСрхности, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Ρ€ΠΎΡΡ‚Ρƒ пористой структуры Π²Π³Π»ΡƒΠ±ΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Π°.

Рисунок 6 — БхСматичСскоС ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ энСргСтичСских Π·ΠΎΠ½ GaP Π½Π° Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π΅ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π° с ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ΠΎΠΌ

РСакция элСктрохимичСской диссоциации для GaP ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π²ΠΈΠ΄:

GaP + 6OH - + 6h+ > 0.5Ga2O3 + 3H2O.

РаспространСниС ΠΏΠΎΡ€ Π² GaP происходит, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, вдоль Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… кристаллографичСских Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΉ <111>, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ вдоль Π½ΠΈΡ… химичСская связь Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ слабая.

Π€ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΡ€ Π² GaP характСризуСтся Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π΄ΠΎΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ структурой (рисунок 7). Рост ΠΏΠΎΡ€ начинаСтся с Ρ‚равлСния повСрхностного Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ являСтся Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎΡΡ Π΄ΠΎΠΌΠ΅Π½Π° пористого GaP. Π—Π°Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΏΠΎΡ€Ρ‹ Ρ€Π°ΡΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Ρ€Π°Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π²Π³Π»ΡƒΠ±ΡŒ монокристалла, ΠΈ Π΄ΠΎΠΌΠ΅Π½ увСличиваСтся Π² Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°Ρ… Π΄ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ… ΠΏΠΎΡ€, ΠΏΠΎΠΊΠ° Π΅Π³ΠΎ рост Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ сосСдними Π΄ΠΎΠΌΠ΅Π½Π°ΠΌΠΈ. Π Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ Π΄ΠΎΠΌΠ΅Π½ΠΎΠ² ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ ΠΎΡ‚ 5 Π΄ΠΎ 20 ΠΌΠΊΠΌ Π² Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ ΡƒΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠΉ травлСния. C ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ напряТСния Π½Π° ΡΡ‡Π΅ΠΉΠΊΠ΅ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ Π΄ΠΎΠΌΠ΅Π½ΠΎΠ² ΠΈ ΡΡ€Π΅Π΄Π½ΠΈΠΉ радиус ΠΏΠΎΡ€ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ. Как ΡΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ изобраТСния повСрхностСй ΠŸΠ€Π“, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠ½ΠΎ-силовой микроскопии (АБМ), Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ нСоднородностСй (ΠΏΠΎΡ€ ΠΈ Π½Π°Π½ΠΎΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»Π»ΠΎΠ²) составляСт ΠΎΡ‚ 0,05 Π΄ΠΎ 1 ΠΌΠΊΠΌ (рисунок 8).

Π° Π±

Рисунок 7 — Π˜Π·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ повСрхности ΠŸΠ€Π“ (GaP: S (6 1017 см-3), 2 Πœ спиртовой раствор HF, U = 20 Π’), ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ растровой элСктронной микроскопии: a) домСнная структура повСрхностного слоя, Π±) пористая структура Π½Π° ΡΠΊΠΎΠ»Π΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Π°

Рисунок 8 — Π˜Π·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ повСрхностСй ΠŸΠ€Π“ c ΠΎΡ€ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ациями повСрхности (110) (Π°) ΠΈ (111) (Π±), ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠ½ΠΎ-силовой микроскопии

Рисунок 9 — Зависимости плотности Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ элСктрохимичСском Ρ‚Ρ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ монокристалличСского (111) GaP Π² 2M спиртовом растворС HF Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ стабилизации напряТСния. На Π²Ρ€Π΅Π·ΠΊΠ΅ прСдставлСна Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚-ампСрная характСристика для ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… условий

Рисунок 9 прСдставляСт зависимости плотности Ρ‚ΠΎΠΊΠ° травлСния GaP j Π² ΡΠΏΠΈΡ€Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΌ растворС HF ΠΎΡ‚ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ t для Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния смСщСния. На Π²Ρ€Π΅Π·ΠΊΠ΅ ΠΊ Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΡƒ 9 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚-ампСрная характСристика для Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Ρ‹ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π° GaP/элСктролит. Как Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, рост Ρ‚ΠΎΠΊΠ° начинаСтся ΠΏΡ€ΠΈ критичСском напряТСнии Uc =5 Π’, для ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ становится Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΡƒΠ½Π½Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ элСктронов, ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ°Π΅Ρ‚ся Π΄ΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ пассивации Upass=23 Π’; Π² ΡΡ‚ΠΎΠΌ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π»Π΅ напряТСний Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ пористого слоя. Π”Π°Π»ΡŒΠ½Π΅ΠΉΡˆΠ΅Π΅ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡΠΏΠ°Π΄Ρƒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, связанному с ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности оксидного слоя. Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ j (t) являСтся Π½Π΅ΠΌΠΎΠ½ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ, ΠΈ Π² Π½Π΅ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΎ нСсколько этапов:

ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ этап (0 — 1 с) — Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎ роста плотности Ρ‚ΠΎΠΊΠ° — соотвСтствуСт Π½Π°Ρ‡Π°Π»Ρƒ роста ΠΏΠΎΡ€ Π² ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°Ρ… повСрхности;

Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ этап (1 — 4 с) — рост плотности Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ максимума — соотвСтствуСт росту ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π΄ΠΎΠΌΠ΅Π½ΠΎΠ² ΠŸΠ€Π“; максимум Π² Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ j (t) достигаСтся, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π΄ΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‹ Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌ, послС Ρ‡Π΅Π³ΠΎ начинаСтся

Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΠΈΠΉ этап (с 4 с) — ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ спад плотности Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ Π΅Ρ‘ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ Π½Π° ΠΏΠΎΡΡ‚оянный ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ — соотвСтствуСт Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡƒ роста, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ Π΄ΠΎΠΌΠ΅Π½ΠΎΠ² постоянСн ΠΈ Ρ„ормируСтся плоская Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ пористым слоСм ΠΈ ΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»Π»ΠΎΠΌ GaP.

Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΠΎΡ€ Π² GaP, Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ…ΡΡ Π²ΠΎ Ρ„Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΠ΄Π½Ρ‹Ρ… элСктролитах, Π² Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ стСпСни зависит ΠΎΡ‚ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° ΡΡ‡Π΅ΠΉΠΊΡƒ. Π’ ΡΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ кристаллов с Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΈΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ лСгирования (~1018см - 3) Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ (j ~ 0, 5 A/см2) происходит ΠΏΡ€ΠΈ напряТСниях 12 — 14 Π’. ΠŸΡ€ΠΈ этом Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ спонтанноС ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΡ€ Π² Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ <111> Π½Π° ΡΡ‚Ρ‹ΠΊΠ°Ρ… Π³Ρ€Π°Π½Π΅ΠΉ 100 ΠΈ 110. Π‘Π½ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСний Π΄ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… ΠΊ Uc Π½Π΅ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΊ Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π°Π½ΠΈΠ·ΠΎΡ‚Ρ€ΠΎΠΏΠΈΠΈ Π² Ρ€Π°ΡΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Ρ€Π°Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΡ€ ΠΏΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ. Π’Π΅ΠΌ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅, ΠΏΠΎΡ€Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠΎΠ±Ρ€Π΅Ρ‚Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚Ρ€Π΅ΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ сСчСниС, ΠΈ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡΠ²Π»ΡΡ‚ΡŒΡΡ тСндСнция ΠΊ Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΈΡ… ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΡΠΌ <211>. МоТно Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΌ GaP, нСсмотря Π½Π° ΠΎΡ‚сутствиС явной привязки Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΏΠΎΡ€ ΠΊ ΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚аллографичСским осям, Ρ‚Ρ€Π°Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΈΠΈ ΠΈΡ… Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ Π»Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ прСимущСствСнно Π² ΠΏΠ»ΠΎΡΠΊΠΎΡΡ‚ях 110. Для Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ GaP (1016 — 1017 см-3), Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΡΠΏΠ»ΠΎΡˆΠ½Ρ‹Ρ… пористых слоСв становится Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ напряТСниях Π½Π° ΡΡ‡Π΅ΠΉΠΊΠ΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 20 Π’. Π’ ΡΡ‚ΠΈΡ… условиях практичСски утрачиваСтся связь ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ систСмы полостСй ΠΈ ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΈΡ… ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠ² Π² ΠΏΠΎΡ€ΠΈΡΡ‚Ρ‹Ρ… слоях со ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€ΠΎΠΉ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Ρ‚ΠΊΠΈ кристалла. ΠŸΡ€ΠΈ использовании Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ элСктролита Π²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ раствора H2SO4 структура ΠΏΠΎΡ€ получаСтся нСсколько Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ упорядочСнной (рисунок 8Π±).

4. Π€ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎ-кристалличСскиС структуры Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ пористых ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²

К Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌ кристаллам относятся Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ срСды, Ρƒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… нСоднородности пСриодичСски упорядочСны, ΠΏΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ сравним с Π΄Π»ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹. РаспространСниС свСта Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… срСдах Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½ΠΎ двиТСнию элСктрона Π² ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΎΠΌ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π΅ кристалла. Π’ Ρ‡Π°ΡΡ‚ности, для Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π° интСрфСрСнция Π²ΠΎΠ»Π½ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ½ΠΎΠ²Π΅Π½ΠΈΡŽ Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‚Π° Π½Π° Ρ€Π°ΡΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Ρ€Π°Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ свСта Π² Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… направлСниях. По Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ с Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄Ρ‹ΠΌ Ρ‚Π΅Π»ΠΎΠΌ, ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Π΅ (Π€Π—Π—). ΠžΠ³Ρ€ΠΎΠΌΠ½Ρ‹ΠΉ интСрСс ΠΊ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌ кристаллам ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½ΡΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΠ΅Ρ€ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈΡ… ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ для Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΊΠΈ ΠΈ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΈ: управлСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ излучСния, Ρ„Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ согласования процСсса Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ оптичСских Π³Π°Ρ€ΠΌΠΎΠ½ΠΈΠΊ, управлСния спонтанным ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΈ Π΄Ρ€.

Π€ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ кристаллы с ΡƒΡΠΏΠ΅Ρ…ΠΎΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ пористых ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ². ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΏΠΎΡ€ΠΈΡΡ‚ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ прСломлСния, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° элСктрохимичСского травлСния, Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈ Π²Π°Ρ€ΡŒΠΈΡ€ΡƒΡ эту Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ, ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ· ΠΏΠΎΡ€ΠΈΡΡ‚Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² структуры с Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈΡΡ слоями Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ пористости ΠΈ, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ прСломлСния. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ формируСтся ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ кристалл Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΠŸΠš ΠΈΠ»ΠΈ ΠŸΠ€Π“ (рисунок 10).

Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ созданиС структур с Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΠΌ Π² Π€Π—Π— ΠΈ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ². ΠŸΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹Π΅ структуры ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ своё ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ для управлСния Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ»ΡŽΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡ†Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ, создания Ρ†Π²Π΅Ρ‚ΠΎΡ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ², сСнсоров ΠΏΠ°Ρ€ΠΎΠ², биосСнсоров, усилСния эффСктивности Π˜Πš ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ рассСяния свСта, Π²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… структур ΠΈ Ρ‚. Π΄. На ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΠŸΠš Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Ρ‚ΡŒ Π»Π°Ρ‚Π΅Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ пСриодичСскиС структуры, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΡ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ процСсса травлСния ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΡƒΡŽ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½Ρƒ, ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΡƒΡŽ двумя Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΡƒΡ‡ΠΊΠ°ΠΌΠΈ. НаличиС ΠΏΠΎΡ€ ΠΈ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΡ… Π·Π°ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΡ Тидкостями ΠΈΠ»ΠΈ Π³Π°Π·Π°ΠΌΠΈ, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ внСдрСния Π² ΡΡ‚ΠΈ ΠΏΠΎΡ€Ρ‹ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… вСщСств, являСтся вСсьма Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ прСимущСством Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎ-кристалличСских срСд Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ПК, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° ΠΈΡ… ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅.

Рисунок 10 — БхСматичСскоС ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ многослойной структуры. ИзмСнСниС Π²ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ плотности Ρ‚ΠΎΠΊΠ° травлСния ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ многослойной структуры Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ПК

Π’ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΈ n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° удаСтся ΡΠΎΠ·Π΄Π°Ρ‚ΡŒ макропористыС структуры, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ собой Π΄Π²Ρƒ — ΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…ΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ кристаллы с Π€Π—Π— Π² ΠΈΠ½Ρ„ракрасном Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅. Π’Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π΅ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ мСста, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… появятся ΠΏΠΎΡ€Ρ‹, Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ травлСния Π² Ρ‰Π΅Π»ΠΎΡ‡ΠΈ Π² Π½ΠΈΡ… ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ямки, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ послуТат Π·Π°Ρ€ΠΎΠ΄Ρ‹ΡˆΠ°ΠΌΠΈ для ΠΏΠΎΡ€. ΠœΠ°ΠΊΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ‹ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠ΅ фотоэлСктрохимичСского травлСния. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π΄Π²ΡƒΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ кристаллы, Π€Π—Π— ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π»Π΅ΠΆΠΈΡ‚ ΠΎΡ‚ 8 Π΄ΠΎ 1,3 ΠΌΠΊΠΌ. ΠŸΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠ΅ измСнСния интСнсивности подсвСтки, приводящиС ΠΊ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° ΠΏΠΎΡ€Ρ‹, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΡΡ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…ΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ кристалл [4,11]. Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΡΡ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ структуры с Π½Π°Ρ€ΡƒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ пСриодичности — Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚Π°ΠΌΠΈ.

5. УпорядочСнныС оптичСски Π½Π΅ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ срСды Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ пористых ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²

Под оптичСски Π½Π΅ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ здСсь ΠΏΠΎΠ΄Ρ€Π°Π·ΡƒΠΌΠ΅Π²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ срСды, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π»ΠΈΠ±ΠΎ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… срСду ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ², Π»ΠΈΠ±ΠΎ расстояниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½ΠΈΠΌΠΈ сравнимо с Π΄Π»ΠΈΠ½ΠΎΠΉ оптичСской Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹. К Ρ‡ΠΈΡΠ»Ρƒ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… систСм относятся, с ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ стороны, нСупорядочСнныС срСды, ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ рассСяниСм, Π°, с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ стороны, срСды, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ областСй с Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌΠΈ показатСлями прСломлСния происходит упорядочСнным ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ пСриодичСски (Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ кристаллы). ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ для Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… систСм являСтся Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡƒΡ‡Ρ‘Ρ‚Π° ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ рассСянных (Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ случаС) ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΡ‘Π½Π½Ρ‹Ρ… (Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ) Π²ΠΎΠ»Π½.

РаспространСниС свСта Π² Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… кристаллах Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½ΠΎ двиТСнию элСктрона Π² ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΎΠΉ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Ρ‚ΠΊΠ΅ кристалла, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΈ ΠΎΠ±ΡƒΡΠ»ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΎ ΠΈΡ… Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅. ВслСдствиС пСриодичСской модуляции ΠΈΡ… ΠΎΠΏΡ‚ичСских свойств, Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ кристаллы Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ особыми Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°ΠΌΠΈ распространСния свСтовых Π²ΠΎΠ»Π½ Π² ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π»Π°Ρ… Π΄Π»ΠΈΠ½ Π²ΠΎΠ»Π½ ΠΈ Π²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π²Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ². Π’ Ρ‡Π°ΡΡ‚ности, интСрфСрСнция элСктромагнитных Π²ΠΎΠ»Π½, Ρ€Π°ΡΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Ρ€Π°Π½ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ…ΡΡ вдоль ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΉ Π² ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹Ρ… структурах, ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‚Ρƒ Π½Π° Ρ€Π°ΡΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Ρ€Π°Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²ΠΎΠ»Π½ с ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‘Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ΠΎΠΌ частот, Ρ‚. Π΅. возникновСнию Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π·ΠΎΠ½ (Π€Π—Π—). ΠŸΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹Π΅ Π·ΠΎΠ½Ρ‹ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ элСктронным Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·ΠΎΠ½Π°ΠΌ, Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Π² Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠ΅ Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚Π΅Π»Π°

Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅ ΠΌΡ‹ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΠΌ оптичСскиС свойства ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎ-кристалличСских структур, сформированных Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ пористых ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ².

5.1 ΠžΠ΄Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎ-кристалличСскиС структуры Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ пористого крСмния

5.1.1 Π‘ΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€Ρ‹ отраТСния

ΠžΠ΄Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎ-кристалличСскиС структуры Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΠŸΠš Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ пСриодичСского чСрСдования плотностСй Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈ элСктрохимичСском Ρ‚Ρ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ кристалличСского крСмния. Основной способ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… многослойных структур — это ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΡ… ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€Π° отраТСния ΠΈΠ»ΠΈ пропускания [1,11]. Π€ΠΎΡ€ΠΌΠ° Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ спСктра ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ рассчитана с ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π°. Π’ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… систСмах ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Ρ‹ опрСдСляСтся Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈ ΠΈ ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΌΠΈ показатСлями прСломлСния слоСв ΠŸΠš (Ρ‚.Π΅., Π² ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠΌ счётС, ΠΈΡ… ΠΏΠΎΡ€ΠΈΡΡ‚ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ) (рисунок 11).

Рисунок 11-Π‘ΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€Ρ‹ отраТСния многослойной структуры Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΠŸΠš с Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ

Π’ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡΠ»ΠΎΠΉΠ½ΠΎΠΉ систСмС, ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈΡΡ слоями с ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΌΠΈ показатСлями прСломлСния n1, n2 ΠΈ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈ d1, d2 соотвСтствСнно условиС возникновСния Π€Π—Π— ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ порядка с Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ Π½Π° Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ Π»Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π²ΠΈΠ΄:

n1d1 + n2d2 =Π»/2, (5.1)

ΠžΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° коэффициСнта отраТСния, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ† ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉΡΡ Π€Π—Π— опрСдСляСтся числом ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π² ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡΠ»ΠΎΠΉΠ½ΠΎΠΉ структурС (рисунок 12).

Рисунок 12 — Π‘ΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€Ρ‹ отраТСния многослойной структуры Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΠŸΠš для Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ количСства ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ²

ΠΠ°Ρ€ΡƒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ пСриодичности структуры являСтся Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠΌ Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚Π° Π² Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΎΠΌ Ρ‚Π΅Π»Π΅ ΠΈ Π²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ½ΠΎΠ²Π΅Π½ΠΈΡŽ ΡƒΠ·ΠΊΠΈΡ… полос пропускания Π² ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€Π°Ρ… (рисунок 13).

Рисунок 13-Π‘ΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€Ρ‹ отраТСния многослойной структуры Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΠŸΠš для Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ количСства ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ²

Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ Π΄Π²ΡƒΠ»ΡƒΡ‡Π΅ΠΏΡ€Π΅Π»ΠΎΠΌΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ слои ПК, ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ ΡΡ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ кристалл, Ρƒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ полоТСния Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π·ΠΎΠ½ зависит ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ (рисунок 14). ΠŸΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹Π΅ многослойныС структуры ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹ для создания Π΄ΠΈΡ…Ρ€ΠΎΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π» ΠΈ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ΠΎΠ².

Рисунок 14 — Π‘ΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€Ρ‹ отраТСния многослойной структуры Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ Π°Π½ΠΈΠ·ΠΎΡ‚Ρ€ΠΎΠΏΠ½ΠΎΠ³ΠΎ пористого крСмния [1]

5.1.2 ДиспСрсионныС свойства

ΠœΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡΠ»ΠΎΠΉΠ½Ρ‹Π΅ структуры ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ своим Π·Π°ΠΊΠΎΠ½ΠΎΠΌ диспСрсии, обусловлСнным ΠΈΡ… ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ΠΈΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. Для ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ бСсконСчной структуры элСктричСскоС ΠΈ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ΅ поля ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π² ΡΠΎΠΎΡ‚вСтствии с Ρ‚Π΅ΠΎΡ€Π΅ΠΌΠΎΠΉ Π‘Π»ΠΎΡ…Π° прСдставлСны Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ [12]:

eiKzu (z), (5.2)

Π³Π΄Π΅ u (z) — пСриодичСская функция, Π° K — блоховский Π²Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, ΠΏΠΎΠ΄Ρ‡ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉΡΡ для TE ΠΈ TM поляризованных Π²ΠΎΠ»Π½ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡΠΌ:

cos (Kd) =cos (k1d1) cos (k2d2) + (k2/k1+k1/k2) sin (k1d1) sin (k2d2), (5.3)

cos (Kd) =cos (k1d1) cos (k2d2) + (n22 k1/n12k1+ n12k1/ n22k1) sin (k1d1) sin (k2d2), (5.4)

Π³Π΄Π΅ d1, n1, k1=2Ρ€n1/Π» ΠΈ d2, n2, k2 = 2Ρ€n2/Π» — Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ прСломлСния ΠΈ Π²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π²Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ· ΡΠ»ΠΎΡ‘Π² соотвСтствСнно, Π» — Π΄Π»ΠΈΠ½Π° Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ Π² Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ΅, d = d1 + d2 — ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ структуры.

ΠœΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡΠ»ΠΎΠΉΠ½ΡƒΡŽ структуру, ΡΠΎΡΡ‚ΠΎΡΡ‰ΡƒΡŽ ΠΈΠ· ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ числа слоёв, Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ эффСктивным ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ прСломлСния neff = Kc/Π», Π³Π΄Π΅ K — эффСктивный Π²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π²Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, опрСдСляСмый диспСрсиСй всСй структуры ΠΊΠ°ΠΊ Ρ†Π΅Π»ΠΎΠ³ΠΎ, c — ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ свСта Π² Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ΅, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ диспСрсии ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ порядка u = Π΄Ρ‰/ Π΄K ΠΈ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ порядка k2 = Π΄2K/dΡ‰2. Π­Ρ‚ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Ρ‹ для Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ структуры, состоящСй ΠΈΠ· 12 Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡƒΡŽΡˆΠΈΡ…ΡΡ ΠΏΠ°Ρ€ слоёв ΠŸΠš Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ ΠΈ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠΉ пористости; спСктр отраТСния этой структуры ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ Π½Π° Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅ 15, Π°.

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ прСломлСния ΠΈ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹ слоёв Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΡƒΡ‚ΠΎΡ‡Π½Π΅Π½Ρ‹ ΠΏΡƒΡ‚Ρ‘ΠΌ ΠΏΠΎΠ΄Π³ΠΎΠ½ΠΊΠΈ расчётного спСктра ΠΏΠΎΠ΄ Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΠ»ΠΈ n1=1.42, d1 = 110 Π½ΠΌ, n2 = 1.22, d2 = 127 Π½ΠΌ. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ эффСктивный ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ прСломлСния Π±Ρ‹Π»ΠΈ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Ρ‹ расчёты коэффициСнта пропускания многослойной структуры для поля t ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ (коэффициСнт пропускания T = |t|2). Π’ΠΎΠ³Π΄Π° argt = Π”?, Π³Π΄Π΅ Π”? Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ„Π°Π· ΠΏΠ°Π΄Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π½Π° ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Ρƒ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡˆΠ΅Π΄ΡˆΠ΅ΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π΅Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½. ΠžΡ‚ΡΡŽΠ΄Π° удаётся Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ эффСктивного показатСля прСломлСния:

Re neff=Π”?Π»/2Ρ€L, (5.5)

Π³Π΄Π΅ L — Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π° ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Π°, ΠΈ Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠ½ΠΈΠΌΡƒΡŽ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ:

Im neff=? (Π»/2Ρ€L) ln|t | (5.6)

Зависимости эффСктивного показатСля прСломлСния ΠΎΡ‚ Π΄Π»ΠΈΠ½Ρ‹ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ прСдставлСны Π½Π° Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅ 15, Π±.

Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ управлСния диспСрсиСй многослойной структуры прСдоставляСт Π½Π°ΠΌ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ свободу для управлСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΈΡ… Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ². Π’ Ρ‡Π°ΡΡ‚ности, Ссли Π΄Π»ΠΈΠ½Π° Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ излучСния находится Π²Π±Π»ΠΈΠ·ΠΈ края Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Ρ‹, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΡ‡ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ значСния Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠΎΠ²ΠΎΠΉ скорости Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»Π΅Π½ΠΈΡŽ локального поля (рисунок 15, Π²) ΠΈ, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΊ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ эффСктивности ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎ-оптичСских процСссов. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π±Ρ‹Π»ΠΈ рассчитаны Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ для Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… структур. Π‘ΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€ k2 ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ Π½Π° Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅ 15, Π³. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ высокиС значСния k2 ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°ΡŽΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ„Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡ€Π΅ΡΡΠΈΡ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ³ΠΎ свСтового ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΎΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π»ΡΡ‚ΡŒΡΡ Π½Π° ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ нСбольшом расстоянии, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт ΡΠΎΠ·Π΄Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΠŸΠš ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ оптичСскиС компрСссоры ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‹Π΅ устройства для Ρ„Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎ-ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ².

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ