Возможности контролируемого роста и легирования монокристаллов SiC различными примесями позволили разработать на их базе различные приборы, такие как светодиоды, фотоприемники, выпрямительные диоды, полевые транзисторы с р-п- переходом.
Светодиоды были созданы методом имплантации алюминия в кристаллы 6Н — SiC п -типа и жидкофазной эпитаксией [18, 69], а также CVD — эпитаксией [22]. Наибольшее внимание было привлечено к коротковолновым светоизлучающим диодам (СИД) [109, 16]. Была показана возможность получения различных типов СИД с излучением, охватывающим весь видимый диапазон спектра. При этом в качестве активаторов люминесценции использовались примеси: В, Al, Ge, Sc, Be, N, О [38]. Приборные структуры в основном формировались на базе политипов 6Н и 4Н. При этом слои политипа 4Н — SiC выращивались на подложках политипов 6Н или 15R [38].
Солнечно-слепые ультрафиолетовые фотоприемники на основе политипа 6Н — SiC изготовляются с использованием полупрозрачных барьеров Шоггки [86] и на основе мелких р-п — переходов, создаваемых имплантацией [113] и эпитаксией [165].
Выпрямительные высокотемпературные диоды на основе SiC разработаны на обратное напряжение от 1,4 кВ [91] до 4,5 кВ [129], а также ряд других типов диодов.
Наиболее быстро развивающимся классом приборов на основе SiC-монокристаллов являются нолевые транзисторы [19, 51], в которых SiC-кристаллы изготавливаются по сублимационной технологии, а также транзисторы, собираемые с применением кристаллов 6Н — SiC, полученных CVD — эпитаксией [150, 20].
Авторами [2, 90] были изготовлены полевые транзисторы с р — п -переходом с использованием 4Н — SiC-политипа, подвижность электронов в которых в 2 раза больше по сравнению с транзисторами на основе политипа 6H-SiC. Важным обстоятельством является тот факт, что вертикальные транзисторы, изготовленные как на основе 6Н — SiC [148], так и на основе 4Н — SiC [151] сохраняют свою работоспособность до температуры 573 К.
В настоящее время на основе политипов SiC изготавливают также микроволновые транзисторы [152, 167], биполярные транзисторы и тиристоры [149], а также ячейки памяти на основе политипа 6Н — SiC [108, 100].
Таким образом, краткий обзор по проблеме использования монокристаллов SiC в электронной технике позволяет заключить, что этот материал прочно занял свое достойное место в ряду классических полупроводниковых материалов.
