Сходства и различия в устройстве и принципе действия МДП-и биполярных транзисторов

РефератПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В устройстве и принципе действия двух типов транзисторов имеются принципиальные различия, которые связаны со свойствами области переноса носителей заряда и иллюстрируются табл. V.I.2. Оба рассматриваемых прибора состоят из элементов одинакового функционального назначения (см. параграф. Принципиальные различия в устройстве и принципе действия МДПи биполярных транзисторов. Перпендикулярна плоскости… Читать ещё >

Сходства и различия в устройстве и принципе действия МДП-и биполярных транзисторов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Оба рассматриваемых прибора состоят из элементов одинакового функционального назначения (см. параграф.

111.2.2, IV. 1.1). Они содержат источник и приемник носителей заряда, область переноса заряда, через которую протекает основной ток, и управляющий электрод, потенциал которого регулирует величину этого тока. В ИС оба прибора размещены на подложке, хотя для биполярного транзистора подложка является обязательным элементом только в планарной конструкции (табл. V.1.1). Общие признаки в устройстве приборов отражены в их названии «транзистор» (transfer resistor) — переходное сопротивление (области переноса заряда).

Таблица V.1.1

Элементы структуры МДПи биполярных транзисторов.

№.	Элемент прибора.	мд пт.	БТ.	Примечания.
	Источник носителей заряда.	Исток.	Эмиттер
	Приемник носителей заряда.	Сток.	Коллектор
	Область переноса носителей.	Канал, длина L	База, длина w_B
	Управляющий электрод.	Затвор	Контакт к базе.
	Конструктивное основание.	Подложка.	Подложка.	В БТ не является обязательным.
	Барьерные переходы.	Подложка-исток, подложка-сток.	Эмиттер-база, коллектор; база.

Таблица V.1.2

Принципиальные различия в устройстве и принципе действия МДПи биполярных транзисторов.

№.	Свойства области переноса носителей заряда.	МД ПТ.	БТ.
	Область переноса носителей.	Канал.	База.
	Тип носителей заряда в области переноса*'.	Основные (униполярный транзистор).	Неосновные (биполярный транзистор).

Продолжение таблицы V. 1.2

№.	Свойства области переноса носителей заряда.	МДПТ.	БТ.
	Контакт к области переноса носителей.	Емкостный.	Гальванический.
	Основной механизм переноса.	Дрейф.	Диффузия.
	Способ воздействия на область переноса.	Эффект поля.	Изменение высоты барьера между источником носителей заряда и областью переноса.
	Направление воздействия на область переноса.	Перпендикулярное току.	Параллельное току.
	Зона воздействия.	Вся длина канала.	Граница с эмиттерным переходом.
	Расположение подложки.	Параллельна плоскости протекания тока. Примыкает к каналу.	Перпендикулярна плоскости протекания тока. Отделена от базы коллекторным слоем.
	Расположение управляющего электрода.	Затвор параллелен плоскости протекания тока.	База перпендикулярна плоскости протекания тока.
	Симметрия источника и приемника тока.	Есть.	Нет.

^Ф) Примечание: основными считаются носители с большей концентрацией.

Показать весь текст

Заполнить форму текущей работой

Другие работы

Реакции электрофильного замещения

Образование а-комплекса — самая медленная стадия реакции электрофильного замещения, определяющая скорость всей реакции в целом. При образовании а-комплекса один из шести атомов бензольного кольца (тот, у которого происходит замещение) переходит из состояния .^-гибридизации в состояние 5р3-гибридизации, приобретая тетраэдрическую конфигурацию. Доказано, что а-комилекс не переходное состояние…

Реферат