Свойства р-n перехода
Через р-п переход потечет ток после преодоления потенциального барьера (когда U, < Ue). В идеальном р-п переходе электрический ток основных носителей может быть только одного направления (рис. 6.3). При уменьшении напряжения на р-п переходе (Up") обратный ток (UP) уменьшается до нуля. Следовательно, при прямом включении ток образован основными носителями зарядов, т. е. 1=1″р. Если ЭДС Ев… Читать ещё >
Свойства р-n перехода (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
При соединении полупроводников р- и и-типа идеальной прокладкой возникает пограничный слой или р-п-переход, который играет основную роль в полупроводниковых приборах (рис 6.3).
В пограничной области часть дырок (+) из /7-слоя перейдёт в «-слой, оставляя в p-слое неподвижные отрицательные ионы (-) примеси, а часть электронов (-) из и-слоя перейдет в p-слой, оставляя в «-слое неподвижные положительные (+) ионы. Таким образом, в пограничном слое образуется «обеднённый» электронами и дыркам запирающий слой, и возникает разность потенциалов между неподвижными примесными ионами (U3) — запирающее напряжение. Возникающее между этими слоями электрическое поле — «потенциальный барьер» — препятствует дальнейшей диффузии свободных.
Рис. 6.3. Пространственное распределение зарядов в р-п переходе электронов и дырок через границу раздела и ток через р-п- переход прекращается.
Если ЭДС Ев приложена минусом к /p-слою, а плюсом — к «-слою (обратное включение), то высота потенциального барьера увеличивается (результирующее напряжение, Up«= U3 + Ue), и ток через р-п переход не идёт, где Ue — падение напряжения на р-п переходе от внешнего источника (Ев). Ток в полупроводнике /= 1пр + Up-
При увеличении Upn прямой ток 1пр уменьшается до нуля, а обратный ток Up увеличивается до тока насыщения. Таким образом, I = 1о6р.
Если ЭДС Ев приложена плюсом к p-слою, а минусом — к «-слою (прямое включение), высота потенциального барьера уменьшается: Upn= U3 — Ue. Ток в полупроводнике: 1= 1пр — Up, где 1пр — прямой ток, образованный основными носителями заряда (дырки); 10бр — обратный ток, образованный неосновными носителями зарядов (электроны).
Через р-п переход потечет ток после преодоления потенциального барьера (когда U, < Ue). В идеальном р-п переходе электрический ток основных носителей может быть только одного направления (рис. 6.3). При уменьшении напряжения на р-п переходе (Up") обратный ток (UP) уменьшается до нуля. Следовательно, при прямом включении ток образован основными носителями зарядов, т. е. 1=1″р.