Необходимые расчеты. 
Полевой транзистор с управляющим электронно-дырочным переходом

Расчет крутизны S (U_ЗИ): S = ДI_C/ДU_ЗИ при U_СИ = const.

Расчет выходного дифференциального сопротивления R_Д(U_СИ):

— U_CB = ДU_СИ/ДI_С при U_ЗИ = const.

— U_CB = ДU_СИ/ДI_С при U_ЗИ = const.

Анализ результатов работы, основные выводы Полученные ВАХ великолепно укладываются в известные нам теоретические модели. Отклонение от ожидаемой величины невелико, что говорит о достаточно качественном исполнении макета и его элементов.

В результате небольшой выборки измерений и последующей их ручной аппроксимации линией, получили достаточно разбросанные значения выходного сопротивления, вплоть до невозможных и противоречащих самой ВАХ транзистора, но в целом отражающие картину изменения сопротивления удобоваримо, по крайней мере, для определения его скоростей роста и замедления, а так же выявления перегибов.

В качестве вывода нужно отметить необходимость, для получения точной картины характеристик транзистора, большего числа измерений, особенно в местах интенсивного изменения скорости роста зависимости.

Формально и полевые и биполярные транзисторы используются во всех диапазонах частот, граничная достигнутая частота для биполярного транзистора составляет 590ГГц. Однако реализация таких высокочастотных биполярных транзисторов чрезвычайно сложна по многим факторам обусловленным необходимостью увеличения скорости носителей и уменьшению внутренней выходной емкости, которая значительно уменьшает коэффициент усиления на высоких частотах за счет емкостной обратной связи. Впервые внимание на этот эффект было обращено Миллером и им же сформулирована теорема согласно которой возможен пересчет емкости обратной связи во входную и выходную емкости.

При этом, полевой транзистор, в отличии от биполярного, управляется напряжением, его входное сопротивление велико, а его входные токи чрезвычайно малы, за счет чего обеспечивается почти полная развязка по постоянному току; в его работе не используется перенос неосновных носителей, как следствие увеличение скорости этих самых носителей.