Полевые транзисторы типа МДП

Транзистор типа МДП имеет слои металл — диэлектрик — полупроводник. Его называют транзистором с изолированным затвором. Диэлектрик обеспечивает огромную величину сопротивление промежутка затвор-исток, обеспечивая тем самым огромное входное сопротивление транзистора. На рис. 2.10 приведено обозначение полевого транзистора МДП типа.

Полевые транзисторы со встроенным каналом

Транзисторы со встроенным каналом имеют подложку типа p (рис. 2.10). В подложку встроен канал типа n. Затвор от канала изолирован слоем диэлектрика (заштрихованная часть на рис. 2.10), что увеличивает входное сопротивление транзистора до 10¹² Ом и более. Область n имеет два вывода И исток и С сток, в которые можно подключать источник питания и нагрузку. Подложка соединяется с истоком либо внутри кристалла, либо перемычкой. Положительное напряжение затвора притягивает в канал электроны из подложки и ток канала увеличивается. Отрицательное напряжение затвора выталкивает электроны в подложку и ток транзистора уменьшается. Таким образом, при нулевом напряжении затвора ток транзистора определяет рабочую точку транзистора посередине его вольтамперных характеристик.