ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚
АнтистрСссовый сСрвис

ΠšΠ°ΡΠΊΠ°Π΄Π½Ρ‹Π΅ солнСчныС элСмСнты

Π Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Π’Π΅ΡΡŒΠΌΠ° пСрспСктивны каскадныС Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ, состоящиС ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… элСмСнтов с Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Ρ‹ (рис.16). Π’Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠΉ слой, ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‰Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ солнСчного спСктра, сформирован ΠΈΠ· ΡΠΏΠ»Π°Π²Π° Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ a-Si:H с ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½ΠΎΠΉ оптичСской Ρ‰Π΅Π»ΠΈ 1,8 эВ. Для сСрСдинного элСмСнта Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ слоя i-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° использован сплав a-SiGe:H с ΡΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ гСрмания ~10βˆ’15%. Π¨ΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° оптичСской Ρ‰Π΅Π»ΠΈ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ слоя… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

ΠšΠ°ΡΠΊΠ°Π΄Π½Ρ‹Π΅ солнСчныС элСмСнты (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ соврСмСнных Π‘Π­ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ. Π’ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ элСмСнтС свободныС носитСли заряда ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ‚Π΅ΠΌΠΈ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π°ΠΌΠΈ, энСргия ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… большС ΠΈΠ»ΠΈ Ρ€Π°Π²Π½Π° ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Π΅ Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Ρ‹. Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ словами, фотоэлСктричСский ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΠΈΠΊ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ элСмСнта ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ солнСчного спСктра, энСргия ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρ‹ Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Ρ‹, Π° Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Ρ‹ мСньшСй энСргии Π½Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ся. ΠŸΡ€Π΅ΠΎΠ΄ΠΎΠ»Π΅Ρ‚ΡŒ это ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ·Π²Π»ΡΡŽΡ‚ многослойныС структуры ΠΈΠ· Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π‘Π­ с Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Ρ‹. Π’Π°ΠΊΠΈΠ΅ элСмСнты Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌΠΈ, каскадными ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚Π°Π½Π΄Π΅ΠΌΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΎΠ½ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ со Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ большСй Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ солнСчного спСктра, ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ фотоэлСктричСского прСобразования Ρƒ Π½ΠΈΡ… Π²Ρ‹ΡˆΠ΅.

Π’ Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΌ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ солнСчном элСмСнтС (рис.14) ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ фотоэлСмСнты располоТСны Π΄Ρ€ΡƒΠ³ Π·Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ солнСчный свСт сначала ΠΏΠΎΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° ΡΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚ с Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ΅ΠΉ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Ρ‹, ΠΏΡ€ΠΈ этом ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‰Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Ρ‹ с Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ΅ΠΉ энСргиСй. ΠŸΡ€ΠΎΠΏΡƒΡ‰Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠΌ слоСм Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‚ Π² ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСмСнт с ΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅ΠΉ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Ρ‹ ΠΈ Ρ‚. Π΄.

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ построСния ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ солнСчного элСмСнта.

Рис. 14 ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ построСния ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ солнСчного элСмСнта

ОсновноС Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ исслСдований Π² ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΠΈ каскадных элСмСнтов связано с ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ арсСнида галлия Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ². Π­Ρ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ прСобразования ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹Ρ… Π‘Π­ достигаСт 35%. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Π² ΠΊΠ°ΡΠΊΠ°Π΄Π½Ρ‹Ρ… элСмСнтах ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π°ΠΌΠΎΡ€Ρ„Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ, сплавы Π½Π° Π΅Π³ΠΎ основС (a-Si1-xCx:H, a-Si1-xGex:H), Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ CuInSe2.

ΠšΠ°ΡΠΊΠ°Π΄Π½Ρ‹ΠΉ элСмСнт.

Рис. 15 ΠšΠ°ΡΠΊΠ°Π΄Π½Ρ‹ΠΉ элСмСнт

На Ρ€ΠΈΡ. 15 ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π° каскадная батарСя, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠΌ элСмСнтом слуТит структура Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ GaInP c n-AlInP Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ ΠΎΠΊΠ½Π°, Π΄Π°Π»Π΅Π΅ слСдуСт Ρ‚ΡƒΠ½Π½Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Π½Π° GaAs для прохоТдСния носитСлСй ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ элСмСнтами ΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ½ΠΈΠΉ элСмСнт ΠΈΠ· GaAs.

Π’Π΅ΡΡŒΠΌΠ° пСрспСктивны каскадныС Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ, состоящиС ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… элСмСнтов с Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Ρ‹ (рис.16). Π’Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠΉ слой, ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‰Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ солнСчного спСктра, сформирован ΠΈΠ· ΡΠΏΠ»Π°Π²Π° Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ a-Si:H с ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½ΠΎΠΉ оптичСской Ρ‰Π΅Π»ΠΈ 1,8 эВ. Для сСрСдинного элСмСнта Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ слоя i-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° использован сплав a-SiGe:H с ΡΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ гСрмания ~10−15%. Π¨ΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° оптичСской Ρ‰Π΅Π»ΠΈ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ слоя (1,6 эВ) идСальна для поглощСния Π·Π΅Π»Π΅Π½ΠΎΠΉ области солнСчного спСктра. НиТняя Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ Π‘Π­ ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‰Π°Π΅Ρ‚ Π΄Π»ΠΈΠ½Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΡƒΡŽ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ спСктра, для этого ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡi-слой a-SiGe:H с ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ гСрмания 40−50%. НСпоглощСнный свСт отраТаСтся ΠΎΡ‚ Π·Π°Π΄Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ Ag/ZnO. ВсС Ρ‚Ρ€ΠΈ элСмСнта каскадной солнСчной Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ связаны ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ собой ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ слоями, ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ Ρ‚ΡƒΠ½Π½Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ сосСдними элСмСнтами.

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ