Другие работы
Наиболее простой реализацией двумерного электронного газа является п-АЮаАзЛЗгаАз наноструктура. При больших уровнях легирования в низкоразмерной области возникают несколько заполненных уровней размерного квантования. Как известно, подвижность электронов пропорциональна транспортному времени релаксации % которое определяется рассеянием носителей на большие углы. Кроме того, важную информацию несет…
Диссертация Важной задачей, на решение которой направлены исследования структур с Ge (Si) островками, является увеличение эффективности излучательной рекомбинации носителей заряда в этих структурах. Полагается, что слабая локализация электронов в структурах с Ge (Si) островками, выращенными на Si (OOl) подложках, является одной из причин, препятствующих эффективной излучательной рекомбинации носителей…
Диссертация Предложены, успешно испытаны и исследованы новые регистрирующие среды для ИК голографии: полиметилметакрилат (ПММА), триацетат целлюлозы (ТАЦ) и халькогенидные стеклообразные полупроводники (ХСП). а) Изучены временные и экспозиционные характеристики процесса записи ИК голограмм в полимерных материалах — ПММА и ТАЦ. Полученные результаты указывают на относительно быструю запись фазовой голограммы…
Диссертация Не менее важную роль играют эти закономерности и в процессах взаимодействия горячей плазмы с первой стенкой термоядерного реактора. Здесь в дополнение к энергои массообмену плазмы со стенкой можно говорить и о зарядообмене. От количества частиц, возвратившихся в плазму в виде нейтралей, будет зависеть ее поведение в электрических и магнитных полях и состояние поверхности стенки реактора. Отметим…
Диссертация При проектировании мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур, а именно, при выборе конструкции и расчете топологии, исходят, прежде всего, из требуемых значений энергетических параметровРвых, КУР, г|с. Энергетические параметры, в свою очередь, в значительной степени ограничиваются малосигнальными параметрами — входной — Свх = СцИ, выходной — Свых== С22 и? проходной — Спрох = С (2и емкостями…
Диссертация Вторичного иона. Маленькое характерное время эмиссии (порядка 10″ сек) затрудняет прямые экспериментальные исследования области распыления, поэтому очень важным является развитие соответствующей теории. Для теоретического описания ВИЭ нужны определенные приближения, касающиеся электронных свойств возмущенной области твердого тела, из которой происходит эмиссия. В последнее время активно…
Диссертация Вин обеспечивает электропитание всей аппаратуры каркаса от первичных сетей разного типа. На панели блока расположены индикаторы состояния, два сетевых порта и замковых переключатель режимов. На задней панели блока расположены два разъема — P/S и CPU. Блок процессора включает в себя коммутационный порт RS232С, который используется для подключения контроллера к ЭВМ. Для подключения некоторых…
Курсовая Рисунок 1.2. Некоторые характеристики магнитоэлектрического реле: а — зависимость магнитной индукции и вращающего момента от угла при; б — зависимость угла статического поворота рамки от изменения тока в обмотке; в — кривые динамического изменения угла поворота рамки при трех режимах работы реле: 1 — колебательном, 2 — критическом, 3- апериодическом; гзависимости времени срабатывания реле…
Реферат Автоматизация технологических процессов, создание и внедрение автоматизированных систем стали важнейшим направлением НТП и основой технической политики в нефтяной и газовой отраслях народного хозяйства. Автоматизация способствует получению максимального технико-экономического эффекта. Все это привлекло к автоматизации отдельных объектов, технологических процессов. Внедрение автоматизации связано…
Дипломная Проведены экспериментальные исследования структурных, магнитных и поляризационных свойств тонких пленок манганитов и слоистых структур сегнетоэлектрик/манганит. а) Методом рентгенографического анализа проведены исследования эпитаксиальных пленок исходных и замещенных манганитов, а также слоистых структур сегнетоэлектрик/манганит. На основе экспериментальных данных получены значения для…
Диссертация Современный этап развития техники характеризуется все возрастающим проникновении электроники во все сферы жизни и деятельности людей. По данным американской статистики до 80% от объема всей промышленности занимает электроника. Достижения в области электроники способствуют успешному решению сложнейших научно-технических проблем. Повышению эффективности научных исследований, созданию новых видов…
Курсовая Разработаны и опробованы промышленные процессы жидкостной химической подготовки пластин, позволяющие повысить качество обрабатываемой поверхности Si пластин (уменьшить остаточную дефектность, шероховатость, среднее значение эффективной плотности заряда на границе 81-ЗЮг,), а также улучшить показатели функционального контроля готовых изделий. Разработаны и опробованы промышленные процессы…
Диссертация Исследования. Частично ободранные ионы высоких зарядов и энергий используются во многих экспериментах, проводимых на ускорителях тяжёлых ионов. Такие ионы состоят из ядра и некоторого количества связанных электронов, частично компенсирующих заряд ядра и образующих электронную «шубу» иона. Известно, что неупругие процессы, сопровождающие столкновения релятивистских ионов достаточно больших зарядов…
Диссертация Підсилювачі електричних сигналів застосовують у всіх галузях сучасної техніки і народної господарства: в радіоприймальних і радіопередавальних пристроях, телебаченні, системах звукового мовлення, апаратурі звукопідсилення і звукозапису, радіолокації, ЕОМ. Вони також знайшли широке використання у автоматичних і телемеханических пристроях, використовуваних на сучасних заводах. Зазвичай, підсилювачі…
Реферат Х1УСТ = — 1,2 (0,278+0,481)=0,912.Сопротивление уставки Х2УСТ с запасом (с коэффициентом k) охватывает сопротивление системы ХC: Х2УСТ = kХС. (5.3)Х2УСТ = 1,2∙0,833=1.Сопротивление смещения Х2СМ характеристики реле Z2 в нижнюю полуплоскость равно сопротивлению трансформатора: Х2СМ = — ХТ. (5.4)Х2СМ = — 0,481Реле М используется для отстройки от режима нагрузки, фиксации знака скольжения, а также…
Дипломная