Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Формирование фрактальных тонкопленочных структур при магнетронном нанесении покрытий

Диссертация: Формирование фрактальных тонкопленочных структур при магнетронном нанесении покрытий
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Результаты диссертационной работы докладывались на Международной конференции «Микрои наноэлектроника — 2003», 6−10 октября, Москва — ЗвенигородXX и XXI Российской конф. по электронной микроскопии, Черноголовка, 1−4 июня 2004, 5−9 июня 2006; Конгрессе Европейского Керамического общества «Наночасти-цы, Наноструктуры, Нанокомпозиты», 5−7 июля 2004 г., Санкт-Петербург- 5-ой Международной конференции… Читать ещё >

Формирование фрактальных тонкопленочных структур при магнетронном нанесении покрытий (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Понятие о фракталах и фрактальных структурах
    • 1. 2. Методы создания неравновесных условий
    • 1. 3. Удельное сопротивление наноразменых металлических пленок
    • 1. 4. Выводы по главе
  • ГЛАВА 2. ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОК С ФРАКТАЛЬНОЙ СТРУКТУРОЙ
    • 2. 1. Взаимодействие КДР с электромагнитными полями, генерируемыми при магнетронном ионном распылении
    • 2. 2. Криволинейные дифракционные решетки и их свойства
    • 2. 3. Применение КДР для получения фрактальных наноразмерных пленок
    • 2. 4. Экспериментальное оборудование
    • 2. 5. Моделирование роста фрактального кластера
  • ГЛАВА 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ
    • 3. 1. Исследование полученных пленок с помощью оптической микроскопии, РЭМ и АСМ
    • 3. 2. Исследования влияния КДР на параметры газового плазменного столба в камере установки ионного магнетронного распыления
    • 3. 3. Исследования диаграмм направленности образцов при взаимодействии с электромагнитным излучением миллиметрового диапазона
    • 3. 4. Исследование «эффекта репликации» и «эффекта памяти»
    • 3. 5. Исследование зависимости сопротивления от температуры наноразмерных пленок
    • 3. 6. Расчет фрактальной размерности структуры получаемых наноразмерных пленок
    • 3. 7. Выводы по главе
  • ВЫВОДЫ

Актуальность исследования.

В последнее время значительное внимание уделяется проблемам, возникающим при получении и исследовании наноразмерных структур в различных областях науки и техники, включая наноча-стицы и наноразмерные пленки [1−4]. Развитие нанотехнологии приводит к необходимости осваивать нанометровый диапазон размеров элементов и разрабатывать практически реализуемые технологии, позволяющие оперировать объектами на атомарном и молекулярном уровне и использовать получаемые структуры как в нано-, так и в микрои макротехнике. Согласно данным анализа, проведенного в [5], прирост в публикациях по нанотехнологии только с 1989 по 1998 год составил 27%. Что касается патентов, то на долю России их приходится 1,1% от общего числа [6]. Необходимость развития нанотех-нологической науки отмечается и в «Концепции развития в Российской Федерации работ в области нанотехнологий на период до 2010 года», одобренной Правительством Российской Федерации (18 ноября 2004 г.) и в послании президента РФ Путина В. В. Федеральному Собранию РФ [7].

Соизмеримость размеров нанообъекта и локальной области материала с характерным размером для того или иного физического явления (дрейф носителей заряда, магнитные явления в доменах, и т. д.) вызывает разнообразные размерные эффекты, а увеличенная поверхностная энергия наночастиц и пленок приводит к особому состоянию материалов, находящихся в ультрадисперсном состоянии. К примеру, для поверхностных структур с нанометрическими размерами напряженности локальных электрических полей приближаются к внутриатомным полям (Е = 108—109 В/см), при этом начинают проявляться эффекты изменения электронно-зонной структуры. Могут изменяться межатомные расстояния и происходить перестройка кристаллической структуры вплоть до перехода кристаллической структуры в аморфное состояние [8]. Поверхностные атомы материала образуют силовое поле, которое способствует образованию на поверхности подвижных групп атомов и кластеров, причем над поверхностью материала в процессе кристаллизации потенциал поля максимален, что приводит к высокой вероятности ассоциации атомов в кластер и низкой вероятности распада этого кластера [9].

Другой особенностью при создании наноэлементов является характерная зависимость функциональных свойств от геометрических размеров. Если в микроэлектронике изменение размеров структурных элементов вызывает только изменение величины параметров, то в наноэлектронике возникают новые функциональные возможности, требующие, однако, перехода к более упорядоченным средам [10]. Поэтому весьма актуальным является разработка устройств использующих наноразмерные и наноструктурные материалы. Особый интерес представляют в этом плане фрактальные наноразмерные структуры, отличающиеся по своим свойствам от обычных нанораз-мерных структур так же, как наноразмерные структуры отличаются от микроструктур и макроструктур [11].

Применение принципов фрактальной геометрии и фрактальной физики в традиционных областях радиоэлектроники, таких как разработка антенных и радиолокационных устройств [12−14], дискретных элементов и даже компьютерных сетей [15−17] получило достаточно широкое распространение на практике. В области материаловедения, получения и исследования наноразмерных частиц и кластеров, наноразмерных пленок фрактальная физика уже занимает прочные позиции. Наноразмерные материалы с фрактальной структурой, обладающие совершенно уникальными свойствами [18, 19], обусловленными их структурными, топологическими и морфологическими особенностями [20−22], могут позволить реализовать технические и инженерные разработки, выходящие за пределы традиционных возможностей и технологий.

Цели и задачи исследования.

Целью работы является разработка методики синтеза фрактальных наноразмерных пленок меди с помощью метода ионного магне-тронного распыления на постоянном токе, моделирование процессов их зарождения и роста, а также исследование топологии и морфологии поверхности получаемых медных пленок, фазового и химического состава, удельного сопротивления, диаграмм направленности на отражение при облучении 3-мм электромагнитным излучением.

Для достижения данной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Разработать технологию получения медных наноразмерных пленок с фрактальной структурой.

2. Оценить влияние дифракционной картины электромагнитного поля, возникающей над поверхностью КДР, на процессы роста наноразмерных медных пленок.

3. Исследовать геометрические, электрические, оптические и другие свойства полученных наноразмерных медных пленок.

Научная новизна.

Впервые разработана технология получения на подложке наноразмерных металлических пленок, имеющих фрактальную структуру за счет воздействия на процессы образования и роста пленок, интерференционных полей дифракционных решеток сложной формы. Необходимым условием образования тонкопленочных фрактальных структур являются наличие потока вещества, обеспечение градиента концентрации вещества и воздействие поля на вещество [23]. Показано, что интерференционные поля оказывают воздействие на рост пленок и процессы, протекающие в плазменном столбе газового разряда. Установлено, что получаемые таким образом пленки имеют фрактальную структуру на всех уровнях увеличения, доступных современной аналитической аппаратуре, причем на уровне исследования атомно-силовой микроскопии установлено, что пленки имеют упорядоченную структуру из нанокластеров размером 50−70 нм. Свойства тонких наноразмерных металлических пленок, имеющих фрактальную структуру, отличаются от свойств аналогичных обычных наноразмерных пленок из тех же материалов. Исследована зависимость удельного сопротивления фрактальных пленок меди от температуры (в диапазоне температур 77−300К). Полученная зависимость объясняется тем, что процессы эволюции в таких структурах после их образования продолжают развиваться, а повышение температуры ускоряет эти эволюционные процессы.

Диаграмма направленности (ДН) наноразмерных медных пленок, имеющих фрактальную структуру, при воздействии на них электромагнитным излучением 3-мм диапазона, отличается от диаграммы направленности, получаемой при таких же условиях, от обычных наноразмерных пленок из тех же материалов. Диаграмма направленности наноразмерных медных пленок, имеющих фрактальную структуру, по форме подобна диаграмме направленности от КДР при одинаковых условиях эксперимента.

Научная новизна полученных результатов подтверждается публикацией полученных результатов в рецензируемых и реферируемых научных и научно-технических журналах России, в том числе и журналах РАН и обсуждением полученных результатов на Российских и Международных конференциях.

Объекты исследования.

Объектами исследования являются металлические пленки меди и никеля с фрактальной структурой, полученные с помощью метода магнетронного ионного распыления (МИР).

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Технология применения интерференционных полей позволяет стимулировать рост наноразмерных металлических пленок с фрактальной структурой.

2. Доказано влияние интерференционного поля, генерируемого криволинейной дифракционной решеткой, на процессы происходящие в газовом разряде при ионном магнетронном распылении и инициацию самоорганизации в синтезируемых наноразмерных металлических пленках.

3. Фрактальная наноразмерная пленка меди обладает эффектом памяти, «запоминая» значение удельного сопротивления при максимальной температуре, которой была подвергнута.

Практическая значимость полученных результатов.

1. Разработанная технология позволяет получать на поверхности подложки упорядоченную структуру из нанокластеров.

2. Полученные фрактальные наноразмерные пленки меди обладают эффектом памяти и рекомендуются для разработки одноразовых пленочных датчиков температуры и покрытий специального назначения.

3. Оптические свойства полученных фрактальных пленок позволяют применять их для производства архитектурного стекла специального назначения.

Методологическая и теоретическая основа исследования

Методологической и теоретической основой являлись работы академика Шевченко В. Я., основоположников фрактальной геометрии и фрактальной физики Мандельброта Б., Шредера М., Бунина

И.Ж., Кузяева И. Р., Ивановой B.C., Встовского Г. В., Золотухина И.В.- работы представителей школы В. А. Сойфера по разработке и использованию дифракционных оптических элементов сложной формы, генерирующих световые поля различной конфигурации в ближней и дальней зоне. В качестве методов экспериментальных исследований структуры и морфологии пленок использовались высокоразрешающая оптическая микроскопия, растровая электронная микроскопия, атомно-силовая микроскопиярентгеноструктурный анализ, электрофизические свойства исследовались зондовыми методамиоптические свойства — методами спектрофотометрии.

Апробация.

Результаты диссертационной работы докладывались на Международной конференции «Микрои наноэлектроника — 2003», 6−10 октября, Москва — ЗвенигородXX и XXI Российской конф. по электронной микроскопии, Черноголовка, 1−4 июня 2004, 5−9 июня 2006; Конгрессе Европейского Керамического общества «Наночасти-цы, Наноструктуры, Нанокомпозиты», 5−7 июля 2004 г., Санкт-Петербург- 5-ой Международной конференции «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении», 3−5 окт. 2004, Воронежнаучно-практической конференции в рамках 5-й Российской специализированной выставки «Изделия и технологии двойного назначения. Конверсия ОПК», Москва, ВВЦ, октябрь 2004; Научно-практической конференции мате’риаловедческих обществ России «Создание материалов с заданными свойствами: методология и моделирование, Москва, МИФИ, 2004; XIV Российском симпозиуме по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел РЭМ-2005, 30 мая — 3 июня 2005 г., ЧерноголовкаВтором Международном форуме «Голография ЭКСПО — 2005», 27 — 29 сентября 2005 г., Москва, ВВЦНаучно-практической конференции «Нанотехнологии — производст-ву-2005» ,

30 ноября — 1 декабря 2005., Фрязино-МоскваНаучно-технических семинарах «Вакуумная техника и технология — 2005», «Вакуумная техника и технология — 2006», Санкт-Петербург, 21 — 24 июня 2005 г., апрель 2006; Харьковской Международной нанотехнологической Ассамблее 2007; XV Российском симпозиуме по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел, 4 июня — 7 июня 2007, г. Черноголовка.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 26 научных работ, из них 5 статей в журналах, рекомендованных ВАК, 21 работа в других журналах и материалах научно-технических конференциях.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, трех глав, выводов, списка литературы, включающего 134 наименования, и 5 приложений. Основная часть работы изложена на 181 странице машинописного текста. Работа содержит 10 таблиц и 196 рисунков.

ВЫВОДЫ

В результате проведенного исследования были сделаны следующие выводы:

1. Разработана технология получения наноразмерных пленок обладающих внутренней фрактальной структурой.

2. Полученные под воздействием КДР наноразмерные пленки имеют фрактальную структуру на всех уровнях, фиксируемых современной аналитической аппаратурой, что соответствует принципу масштабной инвариантности для фрактальных структур.

3. При нагреве наноразмерных пленок с фрактальной структурой в них происходят необратимые эволюционные изменения, приводящие к изменению удельного сопротивления, что может быть использовано для создания одноразовых датчиков температуры на основе тугоплавких материалов.

4. Оптические и электрофизические свойства фрактальных наноразмерных пленок отличаются от свойств пленок, не обладающих фрактальной структурой, что позволяет использовать их для практических целей.

Показать весь текст

Список литературы

  1. .И. Наноматериалы и нанотехнологии / Ж. И. Алферов, A. JL Асеев, C.B. Гапонов и др. // Микросистемная техника. -2003, № 8. С. 3 13.
  2. Нанотехнология в ближайшем десятилетии. / Под ред. М.К. Ро-ко, P.C. Уильямса, П. Аливисатоса. М.: Мир, 2002. — 292 с.
  3. Ч. Пул, Ф. Оуэне Нанотехнологии. М.: Техносфера, 2004. -328 с.
  4. Г. Б. Нанохимия. М.: Изд-во МГУ, 2003. — 288 с.
  5. Compano R., Hullmann A. Forecasting the development of nanotechnology with the help of science and technology indicators // Nanotechnology, v. 13, 2002, № 3, pp. 243 247.
  6. M. Роко Перспективы развития нанотехнологии: национальные программы, проблемы образования // Рос. хим. ж. 2002. T. XLVI. № 5. С. 90 95.
  7. Белая книга. Исследования в области наночастиц, наноструктур и нанокомпозитов в Российской Федерации. -М.: Издательство ЛКИ, 2006. 243 с.
  8. Ю.К. Поверхностные наноструктуры — перспективы синтеза и использования // СОЖ. 2000. Т. 6. № 1. С. 56 63.
  9. Э.А., Рычков Г. С. Функциональные элементы в наноэлектронике // Тез. докл. Российской конф. Микроэлектроника -94. -М., 1994. часть 2.- С. 497 498.
  10. В.Г. Лифшиц, А. А. Саранин, С. В. Рыжков и др. Поверхностные фазы как материал для нанотехнологий на поверхности кремния // Химия поверхности и синтез наноразмерных систем.- Сб. трудов. -СПб.: 2002.- С. 69 76
  11. С. Puente-Baliarda, J. Romeu, R. Pous, and A. Cardama, «On the behavior of the Sierpinski multiband fractal antenna,» IEEE Trans. Antennas Propagat., vol. 46, pp. 517−524, Apr. 1998.
  12. C. Puente-Baliarda, J. Romeu, and A. Cardama, «The Koch monopole: a small fractal antenna,» IEEE Trans. Antennas Propagat., vol. 48, pp. 1773−1781, Nov. 2000.
  13. C. Puente and R. Pous, «Fractal design of multiband and low side-lobearrays,» IEEE Trans. Antennas Propagat., vol. 44, pp. 1−10, May 1996.
  14. С.А., Гайдуков Г. Н., Герасименко H.H., Медетов Н. А. Фрактальный анализ упорядоченности поверхностных микроструктур // Изв. ВУЗов. Электрон. 2005. № 2.- С. 25 — 31.
  15. О.И., Тенякшев А. В., Осин А. В., Фрактальные процессы в телекоммуникациях. / Под ред. О. И. Шелухина. Монография — М.: Радиотехника, 2003. 418 с.
  16. И.Н., Жабрев В. А., Марголин В. И. Проблемы нанотех-нологии в современном материаловедении // Физика и химия стекла. 2003, Т. 29, № 2. С. 242 256.
  17. А.Н. Нанотехнология вокруг нас: синергетика нано-конструирования в промышленности и экологии. -М.: Издательство ООО «Эксподизайн», 2005, 114 с.
  18. Нанотехнологии производству — 2006. Труды конференции, 29 ноября — 30 ноября 2006 г., Фрязино, 2006. -М.: Янус-К, 427 с.
  19. Ю.В. Соколов, B.C. Железный Получение, структура и некоторые физические свойства углеродного депозита и хрома, имеющих фрактальное строение // Письма в ЖТФ, 2003, Т. 29, вып. 15, С. 24 -28.
  20. Mandelbrot В.В. Les Objects fractals. Paris: Flammarion, 1975, pp. 1 85.
  21. . Фрактальная геометрия природы. М.: Институт компьютерных исследований, 2002, 656 с.
  22. Фракталы и хаос в динамических системах. Основы теории. Москва: Постмаркет, 2000. 352 с.
  23. Д. Применение фракталов в машинной графике. // Computerworld-PoccHfl.-1995.-N15.-c.l 1.
  24. Chaos: Making a New Science: By James Gleick. New York: Viking, 1987 (Penguin, 1988), 354 pp.
  25. Е. Фракталы. Пер. с англ.-М.: Мир, 1991.-254с. (Jens Feder, Plenum Press, NewYork, 1988)
  26. Ma Ш. Современная теория критических явлений. М. 1980. 298 с.
  27. И.М. Размерности и другие геометрические критические показатели в теории протекания. // УФН. 1986. Т. 150. № 2. С. 221 255.
  28. Я.Б., Соколов Д. Д. Фракталы, подобие, промежуточная асимптотика. // УФН. 1985. Т. 146. № 3. С. 493 506.
  29. .М. Физика фрактальных кластеров. М.: Наука, 1991, 43 с.
  30. Е. Фракталы. -М. Мир, 1991, 260 с.
  31. Г. В. Введение в мультифрактальную параметризацию структур материалов / Г. В. Встовский, А. Г. Колмаков, И. Ж. Бунин / Москва-Ижевск: Научно-издательский центр «Регулярная и хаотическая динамика», 2001, 116 с.
  32. Е.С. Симметрия фрактальной структуры нанокри-сталлических пленок диоксида олова / Е. С. Рембеза, И. А. Попова, А. П. Павин и др. // Электроника и информатика: Тез. докл. IV Межд. конф., Зеленоград, 19 21 ноября 2002, М.: 2002. — С. 226 — 227
  33. В .Я., Мадисон А. Е., Шудегов В. Е. Фрагментарность и метаморфозы наноструктур // Физика и химия стекла. 2003. -Т. 29, № 6. С. 809 — 816.
  34. Г. Н. Методы исследований систем с детерминированным хаосом: Учебное пособие / Г. Н. Лукьянов — СПб.: изд-во СПбГИТМО (ТУ), 1997. 63 с.
  35. А.Р. Тонкие пленки / Кауль А. Р. Режим доступа: http://www.chem.msu.su/rus/teaching/vtsp/10.html. Дата обращения: 01.09.2005.
  36. Б.С. Данилин. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. М.: «Энергоатомиздат», 1989, -248 с.
  37. Б.С. Данилин, В. К. Сырчин. Магнетронные распылительные системы. — М.: Радио и связь, 1982. — 73 с.
  38. K.Wasa, S.Hayakawa. Handbook of sputter deposition technology. Principles, technology and applications. New Jersey. USA: «Noyes Publications», 1991, p. 304.
  39. Handbook of deposition technologies for films and coatings / Ed. R.F.Bunshah, 2-nd ed. New Jersey. USA: «Noyes Publications», 1994, p. 212.
  40. R.J. Hill, S.J. Nadel. Coated glass. Applications and markets. Fairfield, CA, USA: «BOC Coating Technology», 1999, p.342.
  41. Г. Хакен Информация и самоорганизация. Макроскопический подход к сложным системам: Пер. с англ. / Предисл. Ю.Л. Климонто-вича. Изд. 2-е, доп. М: Ком Книга, 2005. -248 с.
  42. В.А. Компьютерная оптика. Часть 1. Дифракционные оптические элементы // Соросовский образовательный журнал, 1999, № 4, с. 110−115.
  43. И., Стенгерс И. Порядок из хаоса. / М.: Прогресс, 1986. 431 с.
  44. B.C. Процессы самоорганизации в твердом теле / СОЖ. Т. 6. № 6, 2000. С. 85 -91.
  45. В.А. Кутовой, A.A. Николаенко, П. И. Стоев, H.A. Хижняк Изучение поверхностного импеданса меди при температуре жидкого азота // Сборник трудов Харьковской научной ассамблеи ISPM-8, -Харьков: НИЦ ХФТИ, «Константа».- 2003.- С. 190−196.
  46. Я.И. Лепих Нанесение меди в вакууме методом газотранспортной реакции // Сборник докладов 14-го Межд. симпозиума «Тонкие пленки в оптике и электронике».- Харьков: НИЦ ХФТИ, «Константа». 2002.- С. 33 35
  47. В.П., Литвиненко Л. Н., Масалов С. А., Сологуб У. Б. Дифракция волн на решетках. Харьков, Изд-во харьковского университета, 1973,287 с.
  48. В.П., Сиренко Ю. К. Динамическая теория решеток. Киев, Наук, думка, 1989, 216 с.
  49. В.П., Кириленко А.а., Рудь JI.A. Резонансное рассеяние волн, Т.2, Волноводные неоднородности. Киев: Наук, думка, 1986, 216 с.
  50. Методы компьютерной оптики: Учеб. пособие для вузов/А.В. Волков и др. Под ред. В. А. Сойфера.-М.:Физматлит, 2000.-688 с.
  51. Khonina S.N., Kotlyar V.V., Soifer V.A. Techniques for encoding composite diffractive optical elements // Proceedings of SPIE. 2003. — v. 5036. — p. 493 — 498.
  52. Doskolovich L.L., Soifer V.A., Kazanski N.L., Perlo P., Repetto P. Design of DOE for multiwavelength demultiplexing and spatial focusing // Proceedings of SPIE. 2004. — v. 5485. — p. 98 — 106.
  53. Т.В. Введение в прикладную и компьютерную оптику. Конспект лекций. СПб.: СПб ГИТМО (ТУ), 2002. — 93 с.
  54. В.А. Компьютерная оптика. Часть 1. Дифракционные оптические элементы // Соросовский образовательный журнал, 1999, № 4, с. 110−115.
  55. Berrggren К.К., Prentiss М., Timp G.L., Behringer R.E. Calculation of atomic positions in nanometer-scale directwrite optical lithography with an optical standing wave // J. Opt. Soc. Amer. В.- 1994.- 11, № 7. 1166 1176
  56. Патент 2 212 375 РФ / Способ получения тонких пленок с фрактальной структурой / И. Н. Серов, В. И. Марголин (РФ). Заявл. 04.11.2002.
  57. М., Вольф Э. Основы оптики. М.: Наука, 1973. 720 с.
  58. В.В., Лямшев Л. М. Фракталы в волновых процессах // УФН. 1995. Т. 165. № 4. С. 361 402.
  59. А.Г.Забродский, С. А. Немов, Ю. И. Равич Электронные свойства неупорядоченных систем С.-П., Наука, 2000. -72 с.
  60. Е.Ф., Завадский С. Н., Розувалов С. Г. и др. Фрактальная структура спектров многослойных диэлектрических покрытий // Оптика и спектр. 1996. Т. 80. № 2. С. 248 250.
  61. Ю. В. Шаповалов А.В. Абсорбционные свойства резонансных мультифрактальных структур // Оптика и спектр. 1996. Т. 80. № 4. С. 695 698.
  62. X., Тобочник Я. Компьютерное моделирование в физике. -М.: Мир. 1990. Т. 1. 349 с. Т. 2. 399 с.
  63. Г. Детерминированный хаос: Пер. с англ. М.: Мир, 1988. — 240 с.
  64. Г. И. Подобие, автомодельность, промежуточная асимптотика. Л.: Гидрометеоиздат, 1982. 255 с.
  65. А.И., Мошников В. А., Ильин А. Ю. и др. Исследование структуры поверхности пористого кремния методом ядерного магнитного резонанса // ФТП. 1995. Т. 29. № 10. С. 1874 1877.
  66. А.И., Ильин А. Ю., Горелик А. И. Диагностика суб-микропор в кремнии // Тез. докл. I Всероссийской конф. «Кремний-96». М.: 1996. С. 280.
  67. А.И., Ильин А. Ю., Мошников В. А. Магнитнорезо-нансная спектроскопия пористых квантово-размерных структур // ФТП. 1998. Т. 32. № 3. С. 356 358.
  68. Pickering С., Beale M., Robbins D.J. a. о. Optical studies of the structure of porous silicon films formed in p-type degenerate and nondegenerate silicon// J. Phys. C: Solid State Phys. 1984. Vol. 17. No. P. 6535- 6552.
  69. Mizayama К., Mijazaki S., Horese M. Exitation and recombination process in porous silicon. // Solid State Commun. 1995. Vol. 93. No. 10. P. 841 847.
  70. Серов И. Н, Копыльцов А. В., Лукьянов Г. Н. Взаимодействие самоаффинного рельефа поверхности полупроводниковой пластины с электромагнитным излучением // Мат-лы конф. «Нанотехнологии -производству-2006», 24 ноября 30 ноября 2006. — Фрязино. 2006. С 134.
  71. Г. И. Методы вычислительной математики. М.: Наука. 1980. 536 с.
  72. Dassas Y., Duby P. Diffusion toward Fractal Interfaces Potentio-static, Galvanostatic, and Linear Sweep Voltammetric Techniques // J.Electrochem.Soc., v.142, 12, P.4175−4180.
  73. Miller K.S., Ross B. An introduction to the fractional calculus and fractional differential equations. New York. Wiley. 1993.
  74. B.M. Иевлев, E.B. Шведов, Д. В. Москалев Молекулярно-динамическое моделирование формы нанокластера металла на поверхности кристалла // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение-2002. Вып. 1.12, — С. 65 68-
  75. В.М. Иевлев, Е. В. Шведов, Д. В. Москалев Молекулярно-динамическое моделирование процессов роста одно- и двухкомпо-нентного нанокластеров на поверхности кристалла // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение-2003. Вып. 1.14.- С. 40 44-
  76. В.А. Физические основы и математическое моделирование процессов вакуумного ионно-плазменного напыления / В. А. Барвинок, В. И. Богданович. М.: Машиностроение, 1999. — 309 с.
  77. И. Физические основы микротехнологии / И. Бро-удай, Мерей Дж. / пер. с англ.- М.: Мир, 1985. 496 с.
  78. И.Н. Исследование фрактально-структурированных тонких пленок / И. Н. Серов, Г. Н. Бельская, И. А. Солтовская, В. А. Жабрев, В. И. Марголин и др.// Электроника и информатика: Тез. докл. IV Межд. научно-техн. конф., М.: 2002. Часть 1. — С. 123 — 124.
  79. В.М. Компактные пленочные наноструктуры: структурный аспект проблемы / В. М. Иевлев // Тонкие пленки в оптике и электронике: Сб. докл. 15-го Межд. симп. Харьков, ННЦ ХФТИ, «Константа». 2003. — С. 82 — 96.
  80. С.А. Процессы конденсации тонких пленок / С. А. Кукушкин, A.B. Осипов // УФН. Т. 168, № 10. — 1998. — С. 1083 -1116.
  81. А.И. Удивительный мир наноструктур / А. И. Русанов // Журнал общей химии. 2002. — Т. 72 (134), Вып. 4. — С. 532 — 549
  82. В.Н. Плазменно пылевые кристаллы, капли и облака / В. Н. Цытович // УФН. Т. 167, № 1. — 1997. — С. 57 — 99.
  83. Й. Введение в мезоскопическую физику / Й. Имри. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. — 304 с.
  84. В.Н. Физические проблемы действия слабых магнитных полей на биологические системы / В. Н. Бинги, A.B. Савин // УФН. -2003. Т. 173, № 3. — С. 265 — 300.
  85. A.B. Диссипативный резонанс и его роль в механизмах действия электромагнитного излучения на биологические и физико-химические системы / A.B. Карнаухов // Биофизика. 1997. — Т. 42, вып. 4. — С. 971 — 979.
  86. A.B. Диссипативный резонанс — новый класс физических явлений. Некоторые подходы к аналитическому описанию /
  87. A.B. Карнаухов, В. О. Пономарев // Биомедицинские технологии и радиоэлектроника. 2001. — № 8. — С. 23 — 3 1.
  88. Е.И. Искусственная эпитаксия / Е. И. Гиваргизов.- М.: Наука, 1988. 176 с.
  89. Г. И. Получение тонких пленок с гладкой поверхностью методом дальнодействующей кристаллизации / Г. И. Дистлер,
  90. B.М. Каневский, Д. М. Герасимов // Изв. АН СССР. Сер. физич. 1984.- Т. 48, № 9. С. 1698 — 1702.
  91. Практическая растровая электронная микроскопия под ред. Дж. Гоулдстейна и X. Яковица. М.: Мир, 1978. 656 с.
  92. .М. Физика фрактальных кластеров / Б. М. Смирнов. М.: Наука, 1991. — 136 с.
  93. An Investigation Into Nano-Dimensional Fractal Film Structures / I.N. Serov, G.N. Lukyanov, V.I. Margolin, N.A. Potsar, I.A. Soltovskaya, V.S. Fantikov // Proceedings of SPIE. 2003 — V. 5401. — C. 278 — 289
  94. И.Н. Серов, Г. Н. Лукьянов, В. И. Марголин, Н. А. Потсар, И. А. Солтовская, B.C. Фантиков, В. А. Тупик Получение и исследование наноразмерных пленок меди с фрактальной структурой // Микросистемная техника, 2004. № 1. — С. 31 — 37.
  95. И.Н. Серов, В. И. Марголин, В. А. Жабрев, Н. А. Потсар, И. А. Солтовская, В. А. Тупик, B.C. Фантиков Резонансные явления в наноразмерных структурах // Инженерная физика. 2004. — № 1. — С. 18 — 32.
  96. И.Н. Серов, В. И. Марголин, Н. А. Потсар, И. Солтовская,
  97. B.А. Тупик, B.C. Фантиков Исследования наноразмерных пленок с фрактальной топологией // Микроэлектроника. 2004. — Т. 33, № 5. —1. C. 263 271
  98. И.Н. Серов, В. И. Марголин, И. А. Солтовская, В. А. Тупик, B.C. Фантиков. Исследования наноразмерных пленок меди методами АСМ // Тез. докл. XX Российской конф. по электронной микроскопии, Черноголовка, 1−4 июня 2004. Черноголовка. 2004. — С. 147.
  99. И.Н. Серов, В. И. Марголин, H.A. Потсар, И. А. Солтовская, В. А. Тупик, B.C. Фантиков Исследования наноструктурированных пленок меди методами растровой и атомно-силовой микроскопии // Поверхность. 2004. — № 7. — С. 31 — 35.
  100. И.Н. Серов, В. И. Марголин, В. А. Жабрев, В. А. Тупик, B.C. Фантиков Эффекты дальнодействия в микро- и наноразмерных структурах // Инженерная физика. 2005. — № 1. — С. 51 — 67
  101. В.А. Жабрев, Г. Н. Лукьянов, В. И. Марголин, М. С. Потехин,
  102. М.С. Потехин, И. А. Солтовская, В. А. Тупик, B.C. Фантиков Исследование фрактальных свойств тонких наноразмерных пленок // Вакуумная техника и технология. — 2005 № 2 — Т. 15 — С. 209 — 213.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!