Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Электрически детектируемый электронный парамагнитный резонанс точечных центров в полупроводниковых наноструктурах

Диссертация: Электрически детектируемый электронный парамагнитный резонанс точечных центров в полупроводниковых наноструктурах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Электрическое детектирование электронного парамагнитного резонанса (ЭДЭПР) является хорошо известным методом идентификации точечных и протяженных дефектов в полупроводниковых объёмных, низкоразмерных и приборных структурах. Методики ЭДЭПР основаны на использовании внешних резонаторов и источников СВЧ излучения в условиях сканирования магнитного поля. Однако в этом случае индуцированные переходы… Читать ещё >

Электрически детектируемый электронный парамагнитный резонанс точечных центров в полупроводниковых наноструктурах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Квантование характеристик продольного транспорта носителей в полупроводниках в условиях внешнего магнитного поля
    • 1. 1. Уровни Ландау
    • 1. 2. Экспериментальные условия наблюдения квантования Ландау
    • 1. 3. Электронный парамагнитный резонанс в полупроводниках
      • 1. 3. 1. Правила отбора
      • 1. 3. 2. Сверхтонкое взаимодействие
    • 1. 4. Циклотронный резонанс в монокристаллическом кремнии
  • Глава 2. Получение и свойства сверхузких кремниевых квантовых ям
    • 2. 1. Самоупорядоченные кремниевые квантовые ямы на поверхности 8і (100)
    • 2. 2. Электрические и оптические свойства сверхузких кремниевых квантовых ям
    • 2. 3. Сверхпроводимость 8-барьеров, ограничивающих сверхузкие кремниевые квантовые ямы на поверхности 8 і (100)
    • 2. 4. Джозефсоновские переходы в краевых каналах кремниевых сандвич-наноструктур. Отрицательное дифференциальное сопротивление, ступени Фиске и Шапиро
    • 2. 5. Электрическое детектирование спинозависимой рекомбинации и спинозависимого рассеяния носителей на точечных и протяженных дефектах в полупроводниках
    • 2. 6. Спинозависимый транспорт носителей в кремниевых сандвич-наноструктурах
      • 2. 6. 1. Спинозависимые эффекты в кремниевых сандвич-наноструктурах
      • 2. 6. 2. Квантовые точечные контакты в сверхпроводящих краевых каналах кремниевых сандвич-наноструктур
      • 2. 6. 3. Квантовый спиновый эффект Холла
  • Выводы
  • Постановка задачи
  • Глава 3. Осцилляции Шубникова — де Гааза в кремниевых наноструктурах
    • 3. 1. Осцилляции Шубникова — де Гааза в низкоразмерных полупроводниковых структурах
    • 3. 2. Осцилляции Шубникова — де Гааза в кремниевых сандвич-наноструктурах
  • Выводы
  • Глава 4. Электрически детектируемый электронный парамагнитный резонанс в полупроводниковых сандвич-наноструктурах
    • 4. 1. ЭДЭПР спектры точечных центров: фосфора, кислород содержащих термодоноров ТчО и ШЛО, нейтрального железа, эрбия в кремниевых сандвич-наноструктурах
    • 4. 2. Механизм регистрации ЭДЭПР по изменению магнетосопротивления в полупроводниковой сандвич-наноструктуре
    • 4. 3. Электрически детектируемый электронный парамагнитный резонанс точечных центров сильнолегированных бором сандвич-наноструктурах на основе 6Н-8ІС
  • Выводы
  • Глава 5. Электрическое детектирование циклотронного резонанса дырок в кремниевых сандвич-наноструктурах
    • 5. 1. Циклотронный резонанс в кремниевых сандвич-наноструктурах
    • 5. 2. Электрическое детектирование циклотронного резонанса двумерных дырок в сверхузких кремниевых квантовых ямах
  • Выводы

Актуальность темы

Электрическое детектирование электронного парамагнитного резонанса (ЭДЭПР) является хорошо известным методом идентификации точечных и протяженных дефектов в полупроводниковых объёмных, низкоразмерных и приборных структурах [Schmidt, 1966; Honig, 1966; Lepine, 1972; Kaplan, 1978; Кведер, 1982aVlasenko, 1995; Баграев, 1988]. Методики ЭДЭПР основаны на использовании внешних резонаторов и источников СВЧ излучения в условиях сканирования магнитного поля. Однако в этом случае индуцированные переходы между зеемановскими подуровнями носителей исследуемого центра регистрируются не по поглощению СВЧ мощности, как в рамках классического ЭПР, а по резонансному изменению тока, протекающего через образец, или магнетосопротивления [Schmidt, 1966; Honig 1966; Lepine, 1972; Кведер, 1982а]. Причем различные версии ЭДЭПР предусматривали наличие оптической накачки или инжекции носителей, что сделало возможным изучение не только примесных и структурных дефектов со спином 5=½, но и их возбужденных высокоспиновых состояний, S> 1, возникающих вследствие селективного заполнения магнитных подуровней [Kaplan, 1978; Vlasenko, 1995; Баграев, 1988]. Вместе с тем, неравновесные условия регистрации ЭДЭПР не позволили однозначно определить его механизм, поскольку резонансное изменение тока или магнетосопротивления фотовозбужденных носителей может быть обусловлено влиянием спинозависимой рекомбинации и спинозависимого рассеяния соответственно на величину их плотности и подвижности [Schmidt, 1966; Honig, 1966; Kaplan, 1978; Vlasenko, 1995; Баграев, 1988].

Важным шагом в разрешении данной проблемы явилось наблюдение ЭДЭПР DX-центров в процессе регистрации квантового эффекта Холла в гетеропереходе AlxGa]. xAs/GaAs, которое проводилось в условиях стабилизированного тока исток-сток [Dobers, 1988; Nefyodov, 2011]. Эти 5 результаты представляют собой практически первую регистрацию ЭДЭПР точечных центров в краевых каналах с высокой спиновой поляризацией носителей, возникающих в низкоразмерных полупроводниковых структурах в условиях сильного магнитного поля. Поэтому целесообразно рассмотреть возможность реализации ЭДЭПР точечных центров в условиях спинозависимого транспорта носителей в краевых каналах топологических изоляторов и сверхпроводников, которые существуют в отсутствие внешнего магнитного поля [Hasan, 2010; Buttiker, 2009]. Кроме того, эти исследования представляют значительный интерес, поскольку сверхпроводящие низкоразмерные топологические структуры могут быть источниками джозефсоновской генерации, которая может быть усилена в присутствии встроенных микрорезонаторов [Ozyuzer, 2007]. Таким образом, появляется возможность регистрации ЭДЭПР в низкоразмерных структурах путем измерения магнетосопротивления в отсутствие внешнего резонатора, источника и приемника СВЧ излучения.

Вышесказанное определяет актуальность темы данной диссертационной работы.

Цель работы заключалась в исследовании процессов спинозависимого транспорта носителей тока в сверхузких полупроводниковых квантовых ямах, ограниченных сверхпроводящими 8-барьерами, для регистрации электрического детектирования ЭПР точечных центров и циклотронного резонанса по измерению полевых зависимостей магнетосопротивления в отсутствие внешнего источника и приемника СВЧ излучения, а такжевнешнего резонатора.

В задачи работы входило изучение следующих вопросов: 1. Обнаружение и исследование осцилляций Шубникова — де Гааза в слабых магнитных полях в сверхузких кремниевых квантовых ямах (СККЯ) р-типа, ограниченных сильнолегированными бором 5-барьерами, на поверхности n-Si (100).

2. Изучение характеристик осцилляций Шубникова — де Гааза в СККЯ р-типа на поверхности и-Б! (100) в условиях изменения плотности двумерных дырок в зависимости от величины внешнего магнитного поля вследствие сверхпроводящих свойств 5-барьеров, сильнолегированных бором.

3. Исследование полевых зависимостей продольного магнетосопротивления квантовых ям р-типа со встроенными микрорезонаторами, ограниченных сильнолегированными бором сверхпроводящими 5-барьерами, на поверхности «-81 (100) и и-6Н-81С.

4. Идентификация спектров электрически детектируемого ЭПР (ЭДЭПР) точечных центров в СККЯ р-типа, ограниченных сверхпроводящими 5-барьерами, на основании результатов измерений полевых зависимостей магнетосопротивления в отсутствие внешнего резонатора, источника и приемника СВЧ излучения, а также — исследований процессов джозефсоновской генерации.

5. Обнаружение спектров ЭДЭПР Ы-У-дефекта и У§ ь формирующихся в условиях получения планарной структуры, представляющей собой сверхузкую квантовую яму р-типа на поверхности п-бН-БЮ, без предварительного радиационного облучения.

6. Обнаружение и исследование электрически детектируемого циклотронного резонанса (ЭДЦР) двумерных дырок в СККЯ р-типа на поверхности и-81 (100) по измерению резонансного отклика магнетосопротивления вследствие влияния краевых каналов на процессы спинозависимого транспорта и локализации носителей.

Научная новизна работы

1. Наличие микрорезонаторов, встроенных в плоскость сверхузкой кремниевой квантовой ямы (СККЯ), ограниченной сверхпроводящими сильнолегированными бором 8-барьерами, являющимися источником джозефсоновской генерации, позволили впервые зарегистрировать спектры электрически детектируемого ЭПР (ЭДЭПР) точечных центров посредством измерения магнетосопротивления в отсутствие внешнего источника и приемника СВЧ излучения.

2. Исследования ЭДЭПР и ЭПР показали, что И-У-дефект и изолированная кремниевая вакансия (УзО формируются в сверхузкой квантовой яме р-типа, ограниченной сильнолегированными бором 8-барьерами, непосредственно в процессе ее получения на поверхности кристалла п-бН-БЮ без последующего радиационного облучения.

3. Регистрация электрически детектируемого циклотронного резонанса (ЭДЦР) путем измерения продольного магнетосопротивления в отсутствие внешнего резонатора, а также — источника и приемника СВЧ излучения, позволила определить малые значения эффективной массы легкой и тяжелой дырок в различных двумерных подзонах СККЯ /?-типа благодаря наличию встроенных микрорезонаторов и джозефсоновской генерации ограничивающих её сильнолегированных бором 5-барьеров.

4. Впервые эффект Шубникова — де Гааза был зарегистрирован в слабых магнитных полях вследствие малой эффективной массы и большого времени релаксации момента двумерных дырок в СККЯ р-типа, ограниченных сильнолегированными бором 8-барьерами.

Достоверность полученных результатов подтверждается сравнительным анализом экспериментальных данных, полученных с помощью различных методик, а также их соответствием с имеющимися на сегодняшний день экспериментальными и теоретическими результатами изучения спинозависимого транспорта носителей тока в низкоразмерных полупроводниковых структурах.

Научная и практическая значимость диссертационного исследования определяется результатами регистрации спектров ЭДЭПР точечных центров в полупроводниковых квантовых ямах, ограниченных сверхпроводящими сильнолегированными бором 8-барьерами, а также — ЭДЦР носителей тока путем измерения магнетосопротивления без использования внешнего 8 резонатора, внешнего источника и приёмника СВЧ излучения. Полученные результаты свидетельствуют, что методика измерения ЭДЭПР и ЭДЦР позволяют идентифицировать остаточные точечные центры, а также определять малые значения эффективной массы в различных подзонах двумерных дырок в сверхузких кремниевых квантовых ямах. Защищаемые положения;

1. Осцилляции Шубникова — де Гааза в сверхузких кремниевых квантовых ямах (СККЯ) /7-типа на поверхности «-81 (100), ограниченных сильнолегированными бором 5-барьерами, регистрируются в слабых магнитных полях вследствие малой эффективной массы и большого времени релаксации момента двумерных дырок.

2. Электрическое детектирование ЭПР (ЭДЭПР) точечных центров в СККЯ р-типа на поверхности (100), ограниченных сильнолегированными бором 5-барьерами, реализуется по измерению магнетосопротивления в отсутствии внешнего резонатора, источника и приемника микроволнового излучения. Данная методика ЭДЭПР основана на джозефсоновской генерации СВЧ излучения из сильнолегированных бором 5-барьеров при наличии микрорезонаторов, встроенных в плоскость СККЯ.

3. Спектры ЭДЭПР и ЭПР демонстрируют, что Ы-У-дефект и изолированная кремниевая вакансия (У$ 0 формируются в сверхузкой квантовой яме р-типа, ограниченной сильнолегированными бором 5-барьерами, непосредственно в процессе ее получения на поверхности кристалла бН-БЮ и-типа без последующего радиационного облучения.

4. Спектры электрически детектируемого циклотронного резонанса (ЭДЦР) и их угловые зависимости, полученные с помощью измерений магнетосопротивления СККЯ р-типа, ограниченной сильнолегированными бором 5-барьерами, идентифицируют малые значения эффективной массы в двумерных подзонах легкой и тяжелой дырки.

Апробация результатов работы. Полученные в работе результаты докладывались и обсуждались на следующих конференциях: 25-й Международной конференции по дефектам в полупроводниках (ICDS-25, St. Petersburg, Russia, 20−24 July, 2009), 10-й Международной конференции по наноструктурированным материалам (NANO-2010, Roma, Italy, September 1317, 2010), 11-й Международной конференции по физике нелинейного взаимодействия излучения с наноструктурами (PLMCN-11, Berlin, Germany, April 4−8, 2011), 8-й Международной конференции «Кремний-2001» (Москва, Россия, Июль 5−8, 2011), 10-й Российской конференции по физике полупроводников (Нижний Новгород, Россия, Сентябрь 19−23, 2011), 31-й Международной конференции по физике полупроводников (ICPS-31, Zurich, Switzerland, July 29 — August 3, 2012), Международной конференции по нанофизике и нанотехнологиям (ICN+T 2012, Paris, France, July 23−27, 2012), 7-й Международной конференции по физике и применению спинозависимых явлений в полупроводниках (PASPS VII, Netherlands, Eindhoven, Netherlands, August 5−8, 2012).

Публикации: по результатам исследований, изложенных в диссертации, имеется 9 публикаций в ведущих отечественных и международных журналах. Список публикаций приведен в конце диссертации. Структура диссертацииДиссертация состоит из Введения, пяти глав и Заключения.

Выводы.

Показано, что измерение полевых зависимостей продольного магнетосопротивления кремниевых сандвич-наноструктур, ограниченной сверхпроводящими сильнолегированными бором 5-барьерами на поверхности и-Бі (100), которые измерялись в отсутствии внешнего источника и приёмника СВЧ-излучения, а также — внешнего резонатора, демонстрируют спектры циклотронного резонанса (ЦР), соответствующие различным подуровням двумерных дырок.

Наличие встроенных в плоскость СККЯ микрорезонаторов и джозефсоновской генерации из сверхпроводящих 8-барьеров позволяет проводить электрическое детектирование циклотронного резонанса (ЭДЦР) по измерению магнесопротивления кремниевых сандвич-наноструктур. Зарегистрированные спектры ЭДЦР и их угловые зависимости, измеренные в слабом магнитном поле, показывают малые значения эффективной массы легкой и тяжелой дырок в различных двумерных подзонах СККЯ, что указывает на возможность участия краевых каналов с высокой подвижностью носителей в механизме резонансного изменения магнетосопротивления.

Заключение

1. Осцилляции Шубникова — де Гааза (IIIдГ) были обнаружены при высоких температурах в слабых магнитных полях с помощью измерений продольного магнетосопротивления сверхузкой кремниевой квантовой ямы (СККЯ) р-типа на поверхности кремния (100) и-типа, которая ограничена сильнолегированными бором 8-барьерами, проявляющими сверхпроводящие свойства.

2. Показано, что квантование характеристик продольного транспорта двумерных дырок в СККЯ реализуется благодаря их малой эффективной массе и большому времени релаксации момента. Значение плотности двумерных дырок, определенное из частоты осцилляций ШдГ, увеличивается с ростом магнитного поля вследствие разрушения куперовских пар дырок на границе СККЯ — сверхпроводящий барьер. Обнаруженные осцилляции ШдГ демонстрируют наличие спинового расщепления уровней Ландау, величина которого практически не изменяется с увеличением магнитного поля, что указывает на важную роль обменного взаимодействия в его формировании.

3. Показано, что электрическое детектирование ЭПР точечных центров в полупроводниковых квантовых ямах (ЭДЭПР), ограниченных сверхпроводящими 8-барьерами, проводится непосредственно путем регистрации полевых зависимостей магнетосопротивления в условиях стабилизации тока исток-сток в отсутствии внешнего резонатора, источника и приемника СВЧ излучения.

4. Предлагаемый метод ЭДЭПР реализуется при наличии микрорезонаторов, встроенных в плоскость квантовой ямы, и джозефсоновской генерации из ограничивающих ее сверхпроводящих 8-барьеров. С помощью данного метода ЭДЭПР были идентифицированы центры фосфора, кислородные термодоноры N1.8, водородсодержащие термодоноры, остаточные центры БеН и Ре+, а также тригональные центры эрбия в СККЯ, ограниченных 8-барьерами сильнолегированными бором.

Показано, что механизм ЭДЭПР основан на изменении магнетосопротивления, которое возникает вследствие режима слабой локализации в краевых каналах в полупроводниковой квантовой яме. В частности, положительный отклик магнетосопротивления является результатом резкого уменьшения т3 в условиях магнитного резонанса, тф > т3 > тт, тогда как вне резонанса — т3 > тф > ттгде хт — время релаксации момента, тф — время фазовой релаксации, т5 — время спин-решеточной релаксации.

Посредством регистрации полевых зависимостей магнетосопротивления были обнаружены спектры ЭПР Ы-У-дефекта и в сверхузкой квантовой яме р-типа проводимости, ограниченной сильнолегированными бором 8-барьерами, на поверхности кристалла бН-БЮ «-типа, которые формируются непосредственно в процессе получения планарной структуры в условиях инжекции кремниевых вакансий на границе раздела 8Ю2/6Н-81С без последующего радиационного облучения. Данные измерения ЭДЭПР были подтверждены с помощью высокочувствительного спектрометра ЭПР (Х-Ьапё), несмотря на малое число регистрируемых спинов (>Ю10) в исследуемой сверхузкой квантовой яме, ограниченной 8-барьерами. Полевые зависимости продольного магнетосопротивления СККЯ р-типа, ограниченной сверхпроводящими сильнолегированными бором 8-барьерами на поверхности п-§-[ (100), которые измерялись в отсутствии внешнего источника и приёмника СВЧ излучения, а также — внешнего резонатора, демонстрируют спектры циклотронного резонанса (ЦР), соответствующие различным подуровням двумерных дырок. Электрическое детектирование циклотронного резонанса (ЭДЦР) стало возможным благодаря наличию микрорезонаторов, встроенных в плоскость СККЯ, и джозефсоновской генерации из сверхпроводящих 8187 барьеров. Спектры ЭДЦР и их угловые зависимости, измеренные в слабом магнитном поле, идентифицируют малые значения эффективной массы легкой и тяжелой дырок в различных двумерных подзонах СККЯ, что указывает на возможность участия краевых каналов с высокой подвижностью носителей в механизме резонансного изменения магнетосопротивл ения.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Alexandrov A., Ranninger J., Bipolaronic superconductivity, Phys. Rev. B, v.24, p. l 164 (1981).
  2. Alexandrov A.S., Mott N.F., Bipolarons, Rep. Prog. Phys., v.57, p. 1197 (1994).
  3. Altshuler B.L., Aronov A.G., Spivak B.Z., The Aharonov-Bohm effect in disordered conductors, JETP Letters, v.33, p.94 (1981).
  4. Altshuler B.L., Aronov A.G., in Electron-electron interaction in disordered system, Amsterdam: North-Holland, Ed. by Efros L.A., Pollak M., p. 11 (1985).
  5. Ammerlaan C.A.J., Huy P.T., Characterisation of Hydrogen and Hydrogen-Related Centres in Crystalline Silicon by Magnetic-Resonance Spectroscopy, Solid State Phenom., v.85−86, p.353 (2002).
  6. Anderson P.W., Model for the electronic structure of amorphous semiconductors, Phys. Rev. Letters, v.34, p.953 (1975).
  7. Anikin M.M., Lebedev A.A., Syrkin A.L., Suvorov A.V., Investigation of deep levels in SiC by capacitance spectroscopy methods, Sov.Phys.Semicond. v.19, p.69 (1985).
  8. Awschalom D.D., Loss D., Samarth N., Semiconductor Spintronics and Quantum Computations, Springer-VerlagBerlin, 2002. 315p.
  9. Bagraev N.T., Mashkov V.A., Tunneling negative-U centers and photo-induced reactions in solids, Solid State Communications, v.51, p.515 (1984).
  10. Bagraev N.T., Mashkov V.A., A mechanism for two-electron capture at deep level defects in semiconductors, Solid State Communications, v.65, p. l 111 (1988).
  11. Bagraev N.T., Zn-Related Center in Silicon: Negative-U Properties, J. de Physique (France) I, v.2, p. 1907 (1992).
  12. Bagraev N.T., Klyachkin L.E., Sukhanov V.L., Low temperature impurity diffusion in SiC: Planar quantum-size p-n junctions and n-p-n transistor structures, Solid State Electronics, v.36, p.1741 (1993).
  13. Bagraev N.T., Gehlhoff W., Klyachkin L.E., Cyclotron Resonance in Heavily Doped Silicon Quantum Wells, Solid St. Phenomena, v.47−48, p.589 (1995).
  14. Bagraev N.T., Gehlhoff W., Klyachkin L.E., Naeser A., Rykov S.A., Quantum-Well Boron and Phosphorus Diffusion Profiles in Silicon, Def. Dif. Forum, v. 143, p. 1003 (1997).
  15. Bagraev N.T., Ivanov V.K., Klyachkin L.E., Malyarenko A.M., Rykov S.A., Shelykh I.A., Phase response of quantum staircase in modulated quantum wires, Proc. SPIE, v.4064, p. l 19 (2000).
  16. Bagraev N., Bouravleuv A., Gehlhoff W., Klyachkin L., Malyarenko A., Rykov S., Self-assembled impurity superlattices and microcavities in silicon, Def. Dif. Forum, v. 194, p.673 (2001).
  17. Bagraev N.T., Bouravleuv A.D., Gehlhoff W., Ivanov V.K., Klyachkin L.E., Malyarenko A.M., Rykov S.A., Shelykh I.A., Spin-dependent single-hole tunneling in self-assembled silicon quantum rings, Physica E, v. 12, p.762 (2002a).
  18. Bagraev N.T., Bouravleuv A.D., Gehlhoff W., Klyachkin L.E., Malyarenko A.M., Mezdrogina M.M., Romanov V.V., Skvortsov A.P., Light emission190from erbium-doped nanostructures embedded in silicon microcavities, Physica v.13, p. 1059 (2002c).
  19. Bagraev N.T., Bouravleuv A.D., Gehlhoff W., Klyachkin L.E., Malyarenko A.M., Romanov V.V., Erbium-related centers embedded in silicon microcavities, Physica B, v.340−342, p. 1074 (2003).
  20. Bagraev N.T., Ivanov V.K., Klyachkin L.E., Shelykh I.A., Spin depolarization in quantum wires polarized spontaneously in a zero magnetic field, Phys. Rev. B, v.70, p. 155 315 (2004).
  21. Bagraev N.T., Galkin N.G., Gehlhoff W., Klyachkin L.E., Malyarenko A.M., Shelykh I.A., Spin interference in silicon one-dimensional rings, J. Phys. :Condens. Matter, v. 18, p. L567 (2006).
  22. Bagraev N.T., Galkin N.G., Gehlhoff W., Klyachkin L.E., Malyarenko A.M., Phase and amplitude response of «0.7 feature» caused by holes in silicon one-dimensional wires and rings, J. Phys.: Condens. Matter, v.20, p. 164 202 (2008a).
  23. Bagraev N.T., Gehlhoff W., Klyachkin L.E., Kudryavtsev A.A., Malyarenko A.M., Oganesyan G.A., Poloskin D.S., Romanov V.V., Spin-dependent transport of holes in silicon quantum wells confined by superconductor barriers, Physica C, v.468, p.840 (2008b).
  24. Bagraev N.T., Gehlhoff W., Klyachkin L.E., Malyarenko A.M., Mashkov V.A., Romanov V.V., Shelykh T.N., ODMR of impurity centers embedded in silicon microcavities, Physica E, v.40, p. 1627 (2008c).
  25. Bagraev N.T., Klyachkin L.E., Kudryavtsev A.A., Malyarenko A.M., Romanov V.V., In Superconductivity Theory and Applications, ed. by A. Luiz (Croatia, SCIYO, 2010a) chap.4, p 69.
  26. Ballangovich V.S. and Mokhov E.N., Capacitance spectroscopy of boron-doped silicon-carbide, Semiconductors v.29, p. 187 (1995).
  27. Baranov P.G. and Romanov N.G., ODMR study of recombination processes in ionic crystals and silicon carbide, Applied Magnetic Resonance, v.2, p.361 (1991).
  28. Baranov P.G., Acceptor Impurities in Silicion Carbide: Electron Paramagnetic Resonance and Optically Detected Magnetic Resonance Studies, Defect and Diffusion Forum, v. 148−149, p. 129 (1997).
  29. Beenakker C.W.J., van Houten H., Josephson current through a superconducting quantum point contact shorter than the coherence length, Phys. Rev. Letters, v.66, p.3056 (1991).
  30. Bekman H.H.P.Th., Gregorkiewicz T., Ammerlaan C.A.J., Si-NLIO: Paramagnetic Acceptor State of the Silicon Thermal Donor, Phys. Rev. Lett. v.61, p.227 (1988).
  31. Belykh V.N., Pedersen N.F., Soerensen O.H., Shunted-Josephson-junction model. II. The non-autonomous case, Phys. Rev B, v.16, p.4860 (1977).
  32. Bernevig B.A., Hughes T.L., Shou-Cheng Zhang, Quantum Spin Hall Effect and Topological Phase Transition in HgTe Quantum Wells, Science, v.314, p. 1757 (2006a).
  33. Bernevig B.A., Zhang S.C., Quantum Spin Hall Effect, Phys. Rev. Letters, v.96, p. 106 802 (2006b).
  34. Bratus V.Ya., Baran N.P., Bugai A.A., Klimov A.A., Maksimenko V.M., Petrenko T.L. and Romanenko V.V., Electronic structure of boron in silicon carbide, Defect and Diffusion Forum, v. 103−105, p.645 (1992).
  35. Brandt M.S. and Stutzmann M., Spin-dependent conductivity in amorphous hydrogenated silicon, Phys. Rev, B, v.43, p.5184 (1991).
  36. Buttiker M., Absence of backscattering in the quantum Hall effect in multiprobe conductors, Phys. Rev. B, v.38, p.9375 (1988).
  37. Buttiker M., Edge-state physics without magnetic fields, Science, v.325, p.278 (2009).
  38. Cage M. E., Dziuba R. F. and Field B. F., A Test of the Quantum Hall Effect as a Resistance Standard, IEEE Trans. Instrum. Meas., IM-34, 301 (1985).
  39. Carey J.D., Barklie R.C. and Donegan J.F., Electron paramagnetic resonance and photoluminescence study of Er-impurity complexes in Si, Phys. Rev. B, v.59, p.2773 (1999).
  40. Cavenett B.C., Optically detected magnetic resonance (O.D.M.R.) investigations of recombination processes in semiconductors, Advances in Physics, v.30, p.475 (1981).
  41. Chakraverty B.K., Bipolarons and superconductivity, J. Physique, v.42, p.1351 (1981).
  42. Choyke W.J., A Review of Radiation Damage in SiC. In: Radiation Effects in Semiconductors, Institute of Physics, Conf. Ser., v.31, p.58 (1977).
  43. Dang Le Si, Lee K. M., Watkins G. D., Choyke W. J. Optical Detection of Magnetic Resonance for an Effective-Mass-like Acceptor in 6H-SiC. Phys. Rev. Letters, 1980, v. 45, p. 390−394.
  44. Datta S., Das B., Electronic analog of the electro-optic modulator, Appl. Phys. Letters, v.56, p.665 (1990).
  45. Datta S., Electronic transport in mesoscopic systems, Cambrige, University Press, 1995. 390p.
  46. Dean P. J., Bimberg D., Choyke W.J., The nature of Persistent Radiativ Centers in Radiation-Domaged 6H Silicon Carbide. In: Radiation Effects in Semiconductors, Institute of Physics, Conf. Ser., v.46, p.447 (1979).
  47. Dersch H. and Schweitzer L., Spin-dependent hole diffusion in a-Si: H, Philos. Mag. B, v.50, p.397 (1984).
  48. Dersch H., Schweitzer L., and Stuke J., Recombination processes in a-Si:H: Spin-dependent photoconductivity, Phys. Rev. B, v.28, p.4678 (1983).
  49. Dobers M., von Klitzing K., and Weimann G., ESR in the two-dimensional electron gas of GaAs-AlxGai.xAs heterostructures, Phys. Rev. B, v.38, p.5453 (1988a).
  50. Dobers M., v. Klitzing K., Schneider J., Weimann G., Ploog K., Electrical Detection of Nuclear Magnetic Resonance in GaAs-AlxGai.xAs Heterostructures, Phys. Rev. Letters, v.61, p.1650 (1988b).
  51. Dresselhaus G., Kip A.F., and Kittel C., Observation of Cyclotron Resonance in Germanium Crystals, Phys. Rev., v.92, p.827 (1953).
  52. Dresselhaus G., Kip A.F., Kittel C., Cyclotron resonance of electrons and holes in silicon and germanium crystals, Phys. Rev., v.98, p.368 (1955).
  53. Etienne B., Electron conduction and quantum phenomena in 2D heterostructures, Advances in Quantum Phenomena ed. by E.G. Beltrametti andJ.M. Levy-Lebbond, v.347, p. 159 (1995).
  54. Fiske M.D., Temperature and magnetic field dependences of. Josephson tunnelling current, Rev. Mod. Phys., v.36, p.221 (1964).
  55. Fowler A.B., Fang F.F., Howard W.E., Stiles P.J., Magneto-Oscillatory Conductance in Silicon Surfaces, Phys. Rev. Letters, v. 16, p.901 (1966).
  56. Frank W., Gosele U., Mehrer H., Seeger A., Diffusion in silicon and germanium, Dijf. in Crystlline Solids, Academic Press Inc., p.63 (1984).
  57. Gabrielyan V.T., Kaminskii A. A. and Li L., Absorption and luminescence3+ 3-fspectra and energy levels of Nd and Er ions in LiNbC>3 crystals, Phys. Stat. Sol. A, v.3, p. K37 (1970).
  58. Gehlhoff W., Bagraev N.T., Klyachkin L.E., Cyclotron resonance in heavily doped silicon quantum wells, Sol.St.Phenomena, v.47−48, p.589 (1995a).
  59. Gehlhoff W., Bagraev N.T., Klyachkin L.E., Shallow and deep centers in heavily doped silicon quantum wells, Mater. Sci. Forum, v. 196−201, p.467 (1995b).
  60. Gehlhoff W., Irmscher K., Bagraev N.T., Klyachkin L.E., Malyarenko A.M., Shallow Level Centres in Semiconductors, ed. by C.A.J. Ammerlaan, B. Pajot (World Scientific, Singapore, 1997), p. 227.
  61. Geim A.K., Main P.C., Brown C.V., Taborski R., Carmona H., Foster T.J., Lindelof P.E., Eaves L., Resonant tunnelling between edge states in mesoscopic wires, Surface Science, v.305, p.624 (1994).
  62. Geim A.K., Grigorieva I.V., Dubonos S.V., Lok J.G.S., Maan J.C., Filippov A.E., Peeters F.M., Deo P. S., Mesoscopic superconductors as 'artificial atoms' made from Cooper pairs, PhysicaB, v.249−251, p.445 (1998).
  63. Geim A.K., Novoselov K. S., The rise of graphene, Nature Materials, v.6, p. 183 (2007).
  64. Goesele U., Tan T.Y., Point defects and diffusion in silicon and gallium arsenide, Def. Dif. Forum, v.59, p. l (1988).
  65. Gorelkinskii Yu.V., Nevinnyi N.N., Electron paramagnetic resonance of hydrogen in silicon, Physica B, v. 170, p. 155 (1991).
  66. Graham A.C., Sawkey D.L., Pepper M., Simmons M.Y., Ritchie D.A., Energy-level pinning and the 0.7 spin state in one dimension: GaAs quantum wires studied using finite-bias spectroscopy, Phys. Rev. B, v.75, p.35 331 (2007).
  67. Hasan M.Z. and Kane C.L., Colloquium: Topological insulators, Rev. Mod. Phys., v.82, p.3045 (2010).
  68. Heersche H.B., Jarillo-Herrero P., Oostinga J.B., Vandersypen L.M.K., Morpurgo A.F., Bipolar supercurrent in graphene, Nature, v.446, p.56 (2007).
  69. Hikami S., Larkin A.I., Nagaoka Y., Spin-orbit interection and magnetoresistance in the two-dimensional random system, Prog. Theor. Phys., v.63, p.707 (1980).
  70. Honig A., Neutral-Impurity Scattering and Impurity Zeeman Spectroscopy in Semiconductors Using Highly Spin-Polarized Carriers, Phys. Rev. Letters, v.17, p. 186 (1966).
  71. Honig A. and Moroz M., Precision absolute measurements of strong and highly inhomogeneous magnetic fields, Rev. Sci. Instrum., v.49, p. 183 (1978).
  72. Il’in V.A., Ballandovich V.A., EPR and DLTS of point defects in silicon carbide crystals, Defect and Diffusion Forum, v. 103−105, p.633 (1992).
  73. Ikeda M., Matsunami H. and Tanaka T., Site effect on the impurity levels in 4H, 6H, and 15R SiC, Phys.Rev. B, v.22, p.2842 (1980).
  74. Jarillo-Herrero P., van Dam J.A., Kouwenhoven L.P., Quantum supercurrent transistors in carbon nanotubes, Nature, v.439, p.953 (2006).
  75. Xiang Jie, Vidan A., Tinkham M., Westervelt R.M., Lieber Ch., Ge-Si nanowire mesoscopic Josephson Junctions, Nature-nanotechnology, v. l, p.208 (2006).
  76. Josephson B.D., Coupled superconductors, Rev. Mod. Phys., v.36, p.216 (1964).
  77. Kalabukhova E.N., Lukin S.N., Mokhov E.N., Shanina B.D., EPR of the antisite defect in epitaxial layers of 4H-SiC, Defect and Diffusion Forum, v.103−105, p.655 (1992).
  78. Kalabukhova E.N., Savchenko D.V., Shanina B.D., Bagraev N.T., Klyachkin L.E., Malyarenko A.M., EPR study of the nitrogen containing defect center created in self-assembled 6H SiC nanostructures, Mater. Sci. Forum, v.740−742, p.389 (2013).
  79. Kaplan P., Solomon I., and Mott N. E., Explanation of the large spin-dependent recombination effect in semiconductors, J. de Phys. Letters, v.39, p. L51 (1978).
  80. Kastner M., Adler D., Fritzsche H., Valence-alternation model for localized gap states in lone-pair semiconductors, Phys. Rev. Letters, v.37, p. 1504 (1976).
  81. Kent A.D., Quantum physics: New spin on the Hall-effect, Nature, v.442, p. 143 (2006).
  82. Khitrova G., Gibbs H.M., Kira M., Koch S.W. and Sherer A., Vacuum Rabi splitting in semiconductors, Nature physics, v.2, p.81 (2006).
  83. Kishimoto N., Morigaki K., and Murakami K., Conductivity Change Due to Electron Spin Resonance in Amorphous Si-Au System, J. Phys. Soc. Jpn., v.50, p.19 701 977 (1981).
  84. Klapwijk T.M., Proximity effect from-an Andreev perspective, Journal of Superconductivity Incorporating Novel Magnetism, v. 17, p.593 (2004).
  85. Kotthaus J.P., Ranvaud R., Cyclotron resonance of holes in surface space charge layers on Si, Phys. Rev B, v.15, p.5758 (1977).
  86. Kubo R., Tomita K., A General Theory of Magnetic Resonance Absorption, J. Phys. Soc. Jpn., v.9, p.888 (1954a).
  87. Kubo R., Note on the Stochastic Theory of Resonance Absorption, J. Phys. Soc. Jpn. v.9, 935 (1954b).
  88. Kuwabara H. and Yamada S., Free-to-bound transition in |3-SiC doped with boron, Phys. Stat. Sol. (a), v.30, p.739 (1975).
  89. Kveder V.V., Elictriv-Dipole Spin Resonance on Extended Defects in Silicon, Solid State Phenomena, v.32−33, p.279 (1993).
  90. Laiho R., Afanasjev M.M., Vlasenko M.P., Vlasenko L.S., Electron exchange interaction in S=1 defects observed by level crossing spin dependent microwave photoconductivity in irradiated silicon, Phys. Rev. Letters, v.80, p.1489 (1998).
  91. Landwehr G., Gerschtitz J., Oehling S., Pfeuffer-Jeschke A., Latussek V., Becker C.R., Quantum transport in «-type and p-type modulation-doped mercury telluride quantum wells, Physica E, v.6, p.713 (2000).
  92. Larkins F. P., Stoneham A. M. Electronic Structure of Isolated Single Vacancy Center in Silicon Carbide, Journal of Physics C.: Solid State Physics, v.3, p. Ll 12 (1970).
  93. Lee K.M., Dang Le Si, Watkins G.D. and Choyke W.J., Optical Detection of Magnetic Resonance for an Effective-Mass-like Acceptor in 6/7-SiC, Phys. Rev. Letters, v.45, p.390 (1980).
  94. Lepine D., Spin-Dependent Recombination on Silicon Surface, Phys. Rev. B, v.6, p.436 (1972).
  95. Li Bao-xing, Cao Pen-lin, Que Duam-lin, Distorted icosahedral cage structure of Si60 clusters, Phys. Rev. B, v.61, p. 1685 (2000).
  96. Lomakina G.A., Electrical properties of hexagonal SiC with N and B impurities, Sov.Phys.-Solid State v.7, p.475 (1965).
  97. Marklund S., Electron states associated with partial dislocations in silicon, Phys. Stat. Sol. B, v.92, p.83 (1979).
  98. Meirav U., Kastner M.A., Wind S.J., Single electron charging and periodic conductance resonances in GaAs nanostructures, Phys. Rev. Letters, v.65, p.771 (1990).
  99. Mell H., Movaghar B., and Schweitzer L., Magnetic Field Dependence of the Photoconductivity in Amorphous Silicon, Phys. Status Solidi B, v.88, p.531−535 (1978).
  100. Miller J.B., Zumbuhl D.M., Marcus C.M., Lyanda-Geller Y.B., Goldhaber-Gordon D., Campman K., and Gossard A.C., Gate-controlled spin-orbit quantum interference effects in lateral transport, Phys. Rev. Letters, v.90, p. 76 807 (2003).
  101. Morigaki K., Recombination mechanisms in amorphous semiconductors deduced from resonance measurements, J. Non-Cryst. Solids, v.77, p.583 (1985).
  102. Muller R., Feege M., Greulich-Weber S. and Spaeth J.-M., ENDOR investigation of the microscopic structure of the boron acceptor in 6H-SiC, Semicond. Sei. Technol., v.8, p.1377 (1993).
  103. Muzafarova M.V., Ilyin I.V., Mokhov E.N., Sankin V.l., Baranov P.G., Identification of the Triplet State N-V Defect in Neutron Irradiated Silicon Carbide by Electron Paramagnetic Resonance, Materials Science Forum, v.527−529, p. 555 (2006).
  104. Nefyodov Yu.A., Shchepetilnikov A.V., Kukushkin I.V., Dietsche W., and Schmult S., g-factor anisotropy in a GaAs/AlxGai-xAs quantum well probed by electron spin resonance, Phys. Rev. B, v.88, p.41 307® (2011).
  105. Peierls R., Zur Theorie des Diamagnetismus von Leitungselektronen, Zeitschrift fur Physik A Hadrons and Nuclei, v.80, p.763 (1933a).
  106. Peierls R., Zur Theorie des Diamagnetismus von Leitungselektronen. II Starke Magnetfelder, Zeitschrift fur Physik A Hadrons and Nuclei, v.81, p.186 (1933b).
  107. Pensl G. and Heibig R., Silicon carbide (SiC)—Recent results in physics and in technology, Festkoerpeprobleme: Advances in Solid State Physics (ed. by U. Roessler), v.30, p.133 (1990).
  108. Petrenko T.L., Teslenko V.V., Mochov E.N., Models of impurity boron in various SiC polytypes, Defect and Diffusion Forum, v. 103−105, p.667 (1992a).
  109. Petrenko T.L., Teslenko V.V. and Mokhov E.N., Electron nuclear double resonance and electron structure of boron impurity centers in 6H-SiC, Sov.Phys.-Semicond. v.26, p.874 (1992b).
  110. Poindexter E.H., Caplan P.H., Deal B.E., Gerardy G.J., The physics and chemistry of SiC>2 and Si-Si02 interfaces, Plenum New York, p.299 (1988).
  111. Robertson J., Electronic structure of amorphous semiconductors, Andvances in Physics, v.32, p.361 (1983).
  112. Rosenau Da Costa M., Shelykh I.A., Bagraev N.T., Fractional quantization of ballistic conductance in one-dimensional hole systems, Phys. Rev. B, v.76, p.20 1302R (2007).
  113. Roth A., Brune C., Buhmann H., Molenkamp L.W., Maciejko J., Xiao-Liang Qi, Shou-Cheng Zhang, Nonlocal Transport in the Quantum Spin Hall State, Science, v.325, p.294 (2009).
  114. Schmidt J. and Solomon I., Modulation De La photoconductivite dans le magnetique electronique des impuretes peu profondes, Compt. Rend. Acad., v.263, p.169 (1966).
  115. Schubnikow L., de Haas W.J., Magnetische Widerstandsvergrosserung in Einkristallen von Wismut bei tiefen Temperaturen, Leiden Commun., v.207a, p.3 (1930).
  116. Shanina B.D., Kalabukhova E.N., Lukin S.N., Mokhov E.N., New ideas concerning the nitrogen donors states in noncubic SiC basing on the highresolution EPR data, Defect and Diffusion Forum, v. 103−105, p.619 (1992a).
  117. Shanina B.D., Kalabukhova E.N., Lukin S.N., Mokhov E.N., Definition of the off-center positions coordinates of boron in 6H-SiC from high-resolution EPR spectra, Defect and Diffusion Forum, v.103−105, p.627 (1992b).
  118. Shelykh I. A., Bagraev N. T., Galkin N. G., and Klyachkin L. E., Interplay of h/e and h/le oscillations in gate-controlled Aharonov-Bohm rings, Phys. Rev. B, v.71, p.113 311 (2005a).
  119. Shelykh I. A., Galkin N. G., and Bagraev N. T., Quantum splitter controlled by Rasha spin-orbit coupling, Phys. Rev. B, m.12, p.235 316 (2005b).
  120. Shelykh I.A., Kulov M.A., Galkin N.G., Bagraev N.T., Spin-dependent transport caused by the local magnetic moments inserted in the Aharonov-Bohm rings, J. Phys. Condens. Matter, v. 19, p.246 207 (2007).
  121. Shoenberg D., The Magnetic Properties of Bismuth. III. Further Measurements on the de Haas Van Alphen Effect, Proc. R. Soc. Lond. A, v.170, p.341, (1939).
  122. Shockley W., Cyclotron Resonances, Magnetoresistance, and Brillouin Zones in Semiconductors, Phys. Rev., v.90, p.491 (1953).
  123. Scholle A., Greulich-Weber S., Rauls E., Schmidt W.G., Gerstmann U., Fine Structure of Triplet Centers in Room Temperature Irradiated 6H-SiC, Mat. Sci. Forum, v.645−648, p.403 (2010).
  124. Spaeth J.M. and Watkins G.D. Optical detection of magnetic resonance in «Hyperfine Interaction of Defects in Semiconductors», ed. by G. Langouche, Elsevier, 1992, p.468.V
  125. Simanek E., Superconductivity at disordered interfaces, Solid State Commun., v.32, p.731 (1979).
  126. Slaoui A., Fogarassay E., Muller J.C., Siffert P., Study of some optical and electrical properties of heavily doped silicon layers, J. de Physique Colloques, v.44, p. C5 (1983).
  127. Soltamov V.A., Soltamova A. A, Baranov P.G., and Proskuryakov I. I, Room Temperature Coherent Spin Alignment of Silicon Vacancies in 4H- and 6H-SiC, Phys. Rev. Letters, v. 108, p.226 402 (2012).
  128. Street R.A., Biegelsen D.K., and Zesch J., Spin-dependent recombination at dangling bonds in a-Si:H, Phys. Rev. B, v.25, p.4334 (1982a).
  129. Street R.A., Recombination in a-Si: H: Spin-dependent effects, Phys. Rev. B, v.26, p.3588 (1982b).
  130. Studenikin S.A., Coleridge P.T., Ahmed N., Poole P. ., and Sachrajda A., Experimental study of weak antilocalization effects in a high-mobility InxGal-xAs/InP quantum well, Phys. Rev. B, v.68, p.35 317 (2003).
  131. Suttrop W., Pensl G., Laning P., Boron-related deep centers in 6H-SiC, Appl. Phys. A, v.51, p.231 (1990).
  132. Takayanagi H., Akazaki T., Nitta J., Observation of maximum supercurrent quantization in a superconducting quantum point-contact, Phys. Rev. Letters, v.75, p.3533 (1995).
  133. Takayanagi H., Kawakami T., Superconducting proximity effect in the native inversion layer on InAs, Phys. Rev. Letters, v.54, p.2449 (1985).
  134. Thomas K.J., Nicholls J.T., Simmons M.Y., Pepper M., Mace D.R., Ritchie D.A., Possible spin polarization in a one-dimensional electron gas, Phys. Rev. Letters, v.77, p.135 (1996).
  135. Thornton T.J., Pepper M., Ahmed H., Andrews D., Davies G.J., One-dimensional conduction in the 2D electron gas of a GaAs-AlGaAs heterojunction, Phys. Rev. Letters, v.56, p. l 198 (1986).
  136. Ting C. S., Talwar D. N., Ngai K. L., Possible mechanism of superconductivity in metal-semiconductor eutectic alloys, Phys. Rev. Letters, v.45, p. 1213 (1980).
  137. Vlasenko L.S., Martynov Yu.V., Gregorkiewicz T., and Ammerlaan C.A.J., Electron paramagnetic resonance versus spin-dependent recombination: Excited triplet states of structural defects in irradiated silicon, Phys. Rev. B, v.52, p. l 144 (1995).
  138. Vlasenko L.S., Photoelectrically Detected Magnetic Resonance Spectroscopy of the Excited Triplet States of Point Defects in Silicon, 07T, t.41, CTp.774, (1999).
  139. Watkins G.D., Negative-U properties for defects in solids, Festkoerperprobleme, v.24, p. 163 (1984).
  140. Werthamer N.R., Helfand E., Hohenberg P.C., Temperature and purity dependence of the superconducting critical field, Hc2. III. Electron spin and spin-orbit effects, Phys. Rev., v. 147, p.295 (1966).
  141. Wharam D.A., Thornton Т.J., Newbury R., Pepper M., Ahmed H., Frost J.E.F., Hasko D.G., Peacock D.C., Ritchie D.A., Jones G.A.C., Quantum conductance of ballistic channels, J. Phys. Cond. Mat., v.21, p.209 (1988).
  142. Winkler R., Rashba spin splitting in two-dimensional electron and hole systems, Phys. Rev. B, v.62, p.4245 (2000).
  143. Winkler R., Noh H., Tutuc E., and Shayegan M., Anomalous Rashba spin splitting in two-dimensional hole systems, Phys. Rev. B, v.65, p. 155 303 (2002).
  144. Wosinski T. and Figielski Т., Spin-Dependent Recombination at Dislocations in Silicon, Phys. Stat. Sol. B, v.71, K73 (1975).
  145. Woodbury H.H. and Ludwig G.W., Electron Spin Resonance Studies in SiC, Phys. Rev., v.124, p. 1083 (1961).
  146. Zalm P. S., Ultra-shallow doping profiling with SIMS, Rep.Prog. Phys., v.58, p.1321 (1995).
  147. А., Блини Б., Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов, т.1, Изд. «Мир», Москва, 1972. 651с.
  148. А., Блини Б., Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов, т.2, Изд. «Мир», Москва, 1973. 349с.
  149. А.А., Основы теории металлов, «Наука», Москва, 1987. 457с.
  150. Н.Т., Машков В. А., Спин-зависимая рекомбинация в полупроводниках, Известия АН СССР, сер. Физическая, т.52, стр. 471 (1988).
  151. Н.Т., Буравлев А. Д., Клячкин JI.E., Маляренко A.M., Гельхофф В., Иванов В. К., Шелых И. А., Квантованная проводимость в кремниевых квантовых проволоках, ФТП, т.36, стр. 462 (2002).
  152. Н.Т., Буравлев А. Д., Клячкин Л. Е., Маляренко A.M., Гельхофф В., Романов Ю. И., Рыков С. А., Локальная туннельная спектроскопия кремниевых наноструктур, ФТП, т.39, стр. 716 (2005).
  153. Н.Т., Клячкин Л. Е., Кудрявцев A.A., Маляренко A.M., Оганесян Г. А., Полоскин Д. С., Квантование сверхтока и андреевское отражение в кремниевых наноструктурах, ФТП, т.43, стр. 1496 (2009а).
  154. Н.Т., Клячкин Л. Е., Кудрявцев A.A., Маляренко A.M., Романов В. В., Сверхпроводящие свойства кремниевых наноструктур, ФТП, т.43, стр. 1481 (2009b).
  155. Н.Т., Гимбицкая О. Н., Клячкин Л. Е., Кудрявцев A.A., Маляренко A.M., Рыскин А. И., Щеулин A.C., Квантовый эффект Холла в наноструктурах на основе фторида кадмия, ФТП, т.43, стр. 82 (2009с).
  156. Н.Т., Гимбицкая О. Н., Клячкин Л. Е., Кудрявцев A.A., Маляренко A.M., Рыскин А. И., Щеулин A.C., Спиновый транзистор на основе наноструктур фторида кадмия, ФТП, т.43, стр. 85 (2009d).
  157. Н.Т., Гимбицкая О. Н., Клячкин Л. Е., Кудрявцев A.A., Маляренко A.M., Романов В. В., Рыскин А. И., Щеулин A.C., Квантовый спиновый эффект Холла в наноструктурах на основе фторида кадмия, ФТП, т.44, стр. 1372 (2010).
  158. Н.Т., Даниловский Э. Ю., Клячкин Л. Е., Маляренко A.M., Машков В. А., Спиновая интерференция дырок в кремниевых наносандвичах, ФТП, т.46, стр. 77 (2012).
  159. Д.И., Основы квантовой механики, Москва, Высш. Школа. 1961. 664с.
  160. Ю.А., Казакова В. М., Фистуль В. И., Квантовый гармонический резонанс в кремнии, ФТП, т.22, стр. 301 (1988).
  161. Ю.А., Влияние примесей на эффект де Гааза ван Альфена, ЖЭТФ, т.39, стр. 1401 (1960).
  162. Ю.А., Горьков Л. П., Квантовые осцилляции термодинамических величин для металла в магнитном поле в модели ферми жидкости, ЖЭТФ, т.41, стр. 1592 (1961).
  163. В. С., Вейнгер А. И., Ильин В. А., Цветков В. Ф. ЭПР на вторичных термодефектах в триплетном состоянии в бН-SiC, ФТТ, т.22, стр. 3436 (1980).
  164. В. С., Ильин В. А. ЭПР близких азотно-вакансионных пар в 6Н-SiC «-типа, ФТТ, т.23, стр. 2507 (1981).
  165. А. И., Ильин В. А., Таиров Ю. М., Цветков В. Ф. Исследование параметров парамагнитных глубоких центров вакансионной природы в 6H-SiC, ФТП, т.15, стр. 1557 (1981).
  166. Дж., Болтон Дж., Теория и практические приложения метода ЭПР, Москва, Изд. «Мир», 1975. 550с.
  167. C.B., Магнетизм, Москва, Наука, 1971. 1032с.
  168. Л.Е., Ивченко Е. Л., Фирсов Д. А., Шалыгин В. А., Оптические свойства наноструктур, под ред. Ильина В. И. и Шика А. Я., Наука СПб, (2001).
  169. И. С., Слободянюк А. В. Инфракрасная люминесценция и энергетические уровни глубоких центров в карбиде кремния, ФТП, т. 10, стр. 1125 (1976).
  170. И.М., Янсон И. К., Свистунов В. М., Взаимодействие переменного тока Джозефсона с резонансными типами колебаний в сверхпроводящей туннельной структуре, Письма в ЖЭТФ, т.2, стр. 17 (1965).
  171. М.А., Атомная и молекулярная спектроскопия, изд. 5, Москва: Изд. «Либроком «, 2009. 416с.
  172. Е.К., Альтшулер С. А., Козырев Б. М., Новый метод исследования парамагнитной абсорбции, ЖЭТФ, т. 14, стр. 407 (1944).
  173. И. М., Кончиц А. А., Шульман Л. А. Спин-решеточная релаксация в 6H-SiC:N, ФТТ, т.13, стр. 1895 (1971).
  174. Г. Г., Квантование магнитной индукции в 2Б-системе в условиях квантового эффекта Холла, ФТП, т.ЗЗ, стр. 1144 (1999).
  175. В.А., Исследование точечных термических дефектов в монокристаллах карбида кремния методом ЭПР канд. дисс., ЛЭТИ, Ленинград, 1982.
  176. В.В., Осипьян Ю. А., Исследование дислокаций в кремнии методом ЭПР, ФТП, т. 16, стр. 1930 (1982а).
  177. В.В., Осипьян Ю. А., Шалынин А. И., Спин-зависимая рекомбинация на дислокационных оборванных связях в кремнии, ЖЭТФ, т.83, стр. 699 (1982b).
  178. Дж., Эффект Джозефсона и измерение отношения e/h, УФН, т.104, стр. 95 (1971).
  179. И.О., Теория «ступеней» вольт-амперной характеристики туннельного тока Джозефсона, Письма в ЖЭТФ, т.2, стр. 134 (1965).
  180. Н. В., Макаров В. В. Спектры люминесценции дефектов в ионно-имплантированном карбиде кремния. ФТП, т.15, стр. 1408 (1981).
  181. Е.В., Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования, М, Радио и связь, (1990). 264 е.
  182. Л.Д., Диамагнетизм металлов, Zs. Phs., т.64, стр. 629 (1930).
  183. И.М., Косевич A.M., К теории магнитной восприимчивости металлов при низких температурах, ЖЭТФ, т.29, стр. 730 (1955).
  184. В.П., Вавилов М. Г., Эффект де Гааза — ван Альфена в сверхпроводниках, УФН, т.167, стр. 1121 (1997).
  185. Н. М., Иглицын М. И., Косаганова М. Г., Соломатин В. Н., Баринов Ю. В. Спектры ЭПР облученного карбида кремния «-типа, ФТТ, т.13, стр. 2814 (1971).
  186. Н. М., Иглицын М. И., Косаганова М. Г., Соломатин В. Н. Центры со спином 1 в карбиде кремния, облученном нейтронами и а-частицами, ФТП, т.9, стр. 1279 (1975).
  187. И.А., Баграев Н. Т., Клячкин Л. Е., Спиновая деполяризация в спонтанно поляризованных низкоразмерных системах, ФТП, т.37, стр. 1438 (2003).
  188. В.В., Введение в физику сверхпроводников, Наука Москва. 1982. 402 е.
  189. X., Дробный квантовый эффект Холла, УФН, т. 170, стр. 304 (2000).
  190. Bagraev N.T., Gehlhoff .W., Gets D.S., Klyachkin L.E., Kudryavtsev A.A., Malyarenko A.M., Mashkov V.A., Romanov V.V., EDEPR of impurity centers embedded in silicon microcavities, Physica B, v.404, p.p.5140−51 432 009).
  191. H.T.- Брилинская E.C.- Гец Д.С.- Клячкин Л.Е.- Маляренко A.M.- Романов В. В., «Квантование характеристик продольного транспорта дырок в кремниевых наноструктурах», НТВ СПбГПУ, физ-мат науки СПбГПУ, т.2, стр. 41−47 (2011).
  192. Н.Т., Брилинская Е. С., Гец Д.С., Клячкин Л. Е., Маляренко A.M., Романов В. В., Осцилляции Шубникова-де-Гааза и де-Гааза-ван Альфена в кремниевых наноструктурах, ФТП, т.45, стр.1503−1508 (2011).
  193. Bagraev N., Danilovsky E., Gets D., Klyachkin L., Kudryavtsev A., Kuzmin R., Malyarenko A., The Shapiro steps revealed by Josephson junctionsembedded in silicon microcavities, Phys. Status Solidi B, v.249, p.p. 12 471 252 (2012).
  194. Bagraev N., Danilovsky E., Gets D., Klyachkin L., Kudryavtsev A., Kuzmin R., Malyarenko A., ODMR of single point defects in silicon nanostructures, Phys. Status Solidi B, v.249, p.p.1236−1241 (2012).
  195. H.T., Гец Д.С., Даниловский Э. Ю., Клячкин JI.E., Маляренко A.M., Электрическое детектирование циклотронного резонанса дырок в кремниевых наноструктурах, ФТП, т.47, стр.503−509 (2013).У
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!