Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур на основе полупроводниковых соединений А3 В5
Диссертация
Соединения А3ВЭ получили широкое распространение в качестве материалов для изготовления различных полупроводниковых приборов. Под соединениями А3В5 понимают вещества, полученные путем синтеза элементов III и V групп периодической системы элементов. К ним относятся: AIP, AI As, AlSb, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb, которые обладают наиболее интересными полупроводниковыми свойствами. Изучение… Читать ещё >
Список литературы
- Addamiano A. On the preparation of the phosphides of aluminium, gallium and indium //Journ. Amer. Chen. Soc, 1960, v.82, p. 1537.
- Ормонт А.Б., Елисеев П. Г. //ФТП, 1968, в.2, с. 639.
- Didchenko R., Patent U.S. 3, 010, 792/cb, 203−204, of izz, U.9, Patent office, 1961, XIV, 772, № 4, 1099.
- Метревели С.Г. Получение и исследование диффузионных р-n- переходов в фосфиде индия. Диссертация на соискание ученой степени к.ф.м.н., Ленинград: ЛПИ, 1967.
- Гарбузов Д.З., Агаев В. В., Гореленок А. Т. Эффективная излучательная рекомбинация (г^НЮ'/о, Т=300К) и процессы переизлучения в объемных кристаллах n-InP //ФТП, 1982, т. 16, в.9, с. 1538−1542.
- Гарбузов Д. З. Агафонов В.Г., Агаев В. В., Лантратов В. М., Чудинов А. В. Эффективный перенос возбуждения из эмиттера в активную область при фотолюминесценции InGa AsP/InP //ФТП, 1983, т. 17, в.2, с.2168−2172.
- Горюнова Н.И. Сложные алмазоподобные полупроводники. М.: Советское радио, 1968, с. 78−83.
- Hecht М.Н., Bell L.D., Kaiser W.J. Ballistic electron — emission microscopy of subsurface defects at the Au-GaAs (100) in-terface. // Appl. Surf. Sci., 1981, v. 4142, p. 17−24.116
- O.Lee B.W., Wang D.S., Ni R.K., Xu R.K., Rowe M. Структурная модель барьера Шоттки на полупроводниках А3 В //J.Vac.Sci, Technol., 1982, v.21(2), p.557−584.
- П.Ковалевская Г. Г. Фотопроводимость и фотомагнитный эффект фосфида индия. Диссертация на соискание ученой степени к.ф.м.н. Ленинград: ЛГГТИ, 1964.
- Tung R.T. Формирование барьера Шоттки на границе двух монокристаллических фаз металл-полупроводник. //Phys. Rev. Lett, 1984, v.52 (6), p. 461−464.
- Сиукаев H.B. /Ученые записки Каб. Балкарского Loc. Университета, 1965, в.24.
- Нашельский А .Я., Островская В. В., Якобсон C.B. //Журнал физ. химия, 1964, т.38, в.4, с. 891.
- Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. М-Л.: Наука, 1972.
- Берг А., Дин П. Светодиоды. М.: Мир, 1979, 686 с.
- Родерик Э.Х. Контакты металл полупроводник. М.: Радио исвязь, 1982, с. 35, 64−65, 72, 74−75.
- Малинин А. Ю, Рарба Л. С., Соколов Е. Б., Иванютин Л. А. Состояние работ и перспективы развития материалов для твердотельных диодов спонтанного излучения (обзоры по электронной технике) //ЦНИИ электроника, 1977, в.1, с. 446.
- Мастеров В.Ф., Саморуков Б. Е. Глубокие центры в соединениях типа (обзор) // ФТП, 1978, т. 12, в.4, с. 625.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984, ч. 1, с. 455.
- Арсенид галлия в микроэлектронике /Под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена. М.: Мир, 1988, с. 556.117
- УгайЯ.А., Авербах Е. М., Фогельсон Р. Л., Гольдфарб В. А. Некоторые свойства тонких слоев фосфида индия. //Изв. АН ССР t. XXVIII № 6, сер.физич., 1964, с. 997.
- Jordan A. S" von Neida A. R., Caruso R., DiDomenico M., Jr., Red photoluminescent efficiency and minority-carrier lifetime of GaP (Zn, 0) pulled from nonstoichiometric melts // Appl. Phys. Lett., 1971, v. 19, p.394.
- Saul R. H., Roccasecca D. D., Vapour doped multislice LPE for efficient GaP green LEDs, J. elektrochem. Soc., 1973, v.20, p. l 128.
- Galginaitis S. V., Barnett A. M., Heumann F. K., Selected liquid epitaxy of GaP, Proc. 3rd int. Symp. on GaAs, Inst. Phys., Phys. Soc. London, Conf. Series 1970, v.9, p. 80—85.
- Метревели С.Г., Кундухов P.M. Электронно-дырочные переходы в фосфиде индия. // Известие высших учебных заведений. Физика, № 3, 1966, с.151−154.
- Newman N., Kendelevicr Т., Bowman L., Spicer W.E. Electrical study of Schottky barrier heights on atomically clean and air exposed n-InP (110) surfaces. //Appl. Phys. Lett., 1985, v.46 (12), p. l 176−1177.
- Song Y.P., Meirhaeghe Yan, Laflere W.H., Cardon F. On the influence of the thin interfacial oxide layer on the electrical and photovoltaic properties of Au /axide/ p-InP diodes. //Semicond. Sci. Technol., 1987, v.2 (11), p.736−741.
- Hattori K., Izumi Y. The elekctrical characteristics of degenerate InP Schottky diodes with an interfacial layer //J. Apll. Phys., 1982, v.53(10), p.6906−6910.
- Newman N., Spicer W.E. Mechanism for annealing induced changes in the electrical characteristics of all GaAs and Al/InP Schottky cantacts //J. Vac. Sci. Technol., 1987, v. 5, p. 1020−1029.
- Борковская О.Ю., Дмитрук H.JI., Конакова P.В., Литовченко B.F. Радиационное упорядочение на границе раздела металл-InP //ФТП, 1986, в.20(2), с.326−329.118
- Коротченков Г. С., Блаже В. А. Закономерности временной трансформации характеристик барьеров Шоттки Ag-n-InP //Микроэлектроника, 1986, в. 15(5), с.415−421.
- Sanchez-Dehesa J., Flores F., Ortega J., Dow J.D. Schottky barrier formation in defect-free metal /III-V semiconductor juctions //J. Vac.Sei. Technol., 1983, v. l, p.819−824.
- Caron-Popowich R., Washburn J. Sands, Kaplan A.S. Phase formation in the Pd-InP //Apll. Phys., 1988, v.64, p. 4909−4913.
- Shapira Y., Brillson L.J. Auger depth profiling studies of interdiffusion and chemistal trapping at metal-InP interfaces //J. Vac. Sei. Technol., v. l, p.618−622.
- Newman N., Spicer W.E. Weder E.R. Mechanism for annealing induced changes in the electrical chracteritics of Al-GaAs and Al-InP Schottky contacts //J. Vac. Sei. Technol., 1987, v.5, p.1020−1029.
- Саргунас В., Зубауская Г. Влияние дефектности полупроводника на взаимные реакции в Au-InP при отжиге //Лит. физ. сб., 1990, в.30, с.79−83.
- Esser N. Rockzgel М., Sarma R., Resch U., Zain D.R., Richter W., Stephens C., Hunermann M. Termaly stability and Schottky barrier of Sb overlayers on GaAs (l 10) fnd InP (llO) // J. Vac. Sei. Technol., 1990, v.8, p.680−685.
- Имангулиев Г. А., Мередов М. М., Ковалевская Г. Г., Слободчиков С. В. Электрические свойства Au-p-InP диодов Шоттки, выдержанных на воздухе //Изв. Ан ТССР, Сер. Физ.-мат., тех., хим., геол., наук, 1991, № 1, с.96−99.
- Yamada Masuo, Wahi Anita К., Kendelewicz Tom, Spicer William E. Large Schottky Barrier Heights on n-InP. A model approach //Apll. Phys., 1991, v.58(23), p.2701−2703.
- Palau J.M., Dumas M. Essais d’accroissement de la barriere du contact metal /InP type n par l’introduction arificille d’etats acceptors //J.Phys. Sec.3, 1992, v.2, p.921−931.
- Fhrenreich H. //J. Appl. Phys., 1961, v.25, p. l 142.119
- Sea С.J., Meiners L.G. Schottky barrier heights of Hg, Cd and Zn on n- type InP (100). //Appl. Phys. Lett., 1986, v.48 (26), pp. 1796−1798.
- Басов Н.Г. и др. //ФТТ, 1966, т.8, с. 2611.
- Brillson L. J., Brucker C.F., Katnani A.D., Staffel N.G., Daniels R., Margaritonto G. Химическая структура и барьеры Шоттки на границе раздела полупроводниковых соединений с металлом. //Surface. Sei, 1983, v.132 (1−3), p. 212−232.
- Кильчинская С.С., Литвиненко C.B., Скрышевский В. А., Стриха В. И., Толстой В. П. Влияние изменения промежуточного слоя при нанесения металла на электрофизические свойства контакта металл-полупроводник. //Изв. вузов. Физика, 1988, № 9, с. 86−90.
- Ковалевская Г. Г., Руссу Е. В., Слободчиков C.B., Филаретова Г. М. Диоды Шоттки с промежуточным слоем на основе n-InP. //ФТП, 1982, т. 16, в.4, с.587−591.
- Вдовенко В.А., Зубков A.M., Короткова Н. В. Исследование контактов InP п-типа с металлами (Mo, Au, Ag, Al) //Электр, техн. Полупров. приб., серия 2, 1982, в.5, с.15−19.
- Schowartz G.P., Gualtieri G.J. Schottky barrier heght variations on the polar (111) faces of n-GaP. //J. Appl.Phys., 1985, v.58 (12), p.4621−4625.
- Блаже B.A., Коротченков Г. С., Цвиидинский В. И. Влияние химической активности металлов на временную стабильность характеристик контактов M-n-InP. //Электр. Техн., сер.2. Полупроводн. приб., 1986, в.4, с. 67−69.
- Reynolds W.N., Lilburne М.Т., Dell R.M.//Progr. Phys. Soc., 1958, v.71, p.416.
- Агаев Я., Слободчиков C.B.// Изв. Туркм. СССР. Сер. физ-техн., хим., и геологических наук, 1963, в.6, с. 102.
- Moss T.S., Walton A.K. //Physical, 1959, v.25, p. l 142.
- Glicksman M. //J. Phys. Chem. Solids, 1959, v.8, p.511.
- Уханов Ю.И., Мальцев Ю. В. Зависимость эффективной массы электронов в3 5полупроводниках типа, А В от температуры. //Изв. АН ССР, 1964, t. XXYIII № 6, с.989−992.
- Phillips J.C. //Phys. Rev., 1962, v.125, р.1931.
- Cardona M. //Phys. Chem. Sol., 1963, v.24, p. 1543.
- Brust D., Phillips J.C. Bassani J.C. //Phys. Rev. Lett., 1962, v.9, p.94.
- Fisher F.E. //Phys. Rev., 1966, v. 142, p.519.
- Turner W.J., Reese W.E., Pettit G.D. //Phys. Rev., 1967, v. 136, № 5a, p. 1467.
- Галкин Г. H., Боброва E.А., Вавилов B.C., Епифанов M.С., СабановаЛ.Д. Рекомбинация в нелегированных эпитаксиальных пленках арсенида галлия при высоком уровне возбуждения //ФТП, 1974, т. 8, вып. 5, с. 898.
- Гарбузов Д. 3., Копьев П. С., Мишурный В. А. Свободный экситон в спектрах излучения нелегированного GaP, а также GaP: In и GaP: Al // ФТП, 1974, т. 8, вып. 2, с. 418.
- Леванюк А.П., Осипов В. В. Теория люминесценции сильнолегированных компенсированных невырожденных полупроводников //ФТП, 1973, т. 7, вып. 6, с. 1058.
- Пасынков В.В., Сорокин B.C. Материалы электронной техники. М.: Издательство ДМК, 2002, 366 с.
- Абагян С. А., Крупышев Р. С., Кузнецов Ю. Н., Ослабление света примесными преципитатами в GaP. //ФТП, 1978, т. 12, вып 5, с. 837.
- Ангелова Л. А., Вавилов В. С., Юнович А. Э. Излучательная рекомбинация в фосфиде галлия при возбуждении током и электронным пучком // ФТТ, 1966, т. 8, вып. 5, с. 1608.
- Ангелова Л. А., Вавилов В. С., Выборны 3., Юнович А. Э. Электролюминесценция диодов из фосфида галлия //ФТП, 1967, т. 1, вып. 7, с. 1051.
- Антошин М. К., Спивак Г. В., Юнович А. Э. Исследование катодолюминесценции р-п-переходов в фосфиде галлия в растровом электронном микроскопе //ФТП, 1972, т. 6, вып. 11, с. 2123.
- Ашкинадзе Б. М., Рыбкин С. М., Ярошецкий И. Д. Термическая и ударная ионизация экситонов в ваР при двухфотонном возбуждении //ФТП, 1969, т. 3, вып. 4, с. 535.
- Баранский П. П., Городничий А. П., Савчук А. У. Определение эффективной массы плотности состояний электронов и количества основных минимумов энергии в зоне проводимости в фосфиде галлия //ФТП, 1976, т. 10, вып. 8, с. 1567.
- Басецкий В. Я., Горюнова Н. А., Песков О. Г. Электро- и фотолюминесценция фосфида галлия, легированного цинком и бором //ФТП, 1968, т. 2, вып. 7, с. 1028.
- Берндт В., Копылов А. А., Пихтин А. Н. Оптическое поглощение и структура акцепторных центров в фосфиде галлия // ФТП, 1977, т. 11, вып. 9, с. 1782.
- Вишневская Б. П., Корнеев В. М., Коган Л. М., Юнович А. Э. Зависимость спектров электролюминесценции ОаР, легированного азотом, от температуры //ФТП, 1972, т. 6, вып. 8, с. 1591.
- Евстропов В. В., Калинин Б. Н., Царенков Б. В. Температурная зависимость квантового выхода электролюминесценции в ОаР р-п-структурах // ФТП, 1975, т. 9, вып. 8, с. 1460.122
- Иващенко А. П., Икизли М. IT., Саморуков Б. Е., Слободчиков С. В., Соломонов А. И. О многозарядности кислорода в GaP. — ФТП, 1978, т. 12, вып. 1, с. 87.
- Копылов А. А., Пихтин А. Н. Непараболичность зоны проводимости и структура донорных центров в фосфиде галлия //ФТП, 1977, т. 11, вып. 5, с. 867.
- Радауцан С. П., Максимов Ю. П., Негрескул В. В., Пышкин С. JI. Фосфид галлия // Кишинев: АН МолдССР, 1970.
- Андрушко А.И., Ковалевская Г. Г., Слободчиков C.B. Кинетика релаксации фотопроводимости в кристаллах InP и 1пР<�Сг>. //ЖТФ, 1980, т. 14, № 15, с. 958−960.
- Chvrier J., Haber A., Einh N.T. Zn doped vapor grown InP. //J.Appl.Phys., 1980, v.51 (1), p.815.
- Hokelek E., Robinson G.Y. //Appl. Phys. Lett, 1982, v.4, p.426.
- Губанов А.И. О роли диффузии в адгезии двух кристаллов. //ФТТ, 1978, № 1, с.267−269.8 6. Кун духов P.M., Метревели С. Г., Сиукаев Н. В. //ФТТ, 1967, т.1, в.6, с. 924.123
- Фетисова В.М., Алюшииа В. И., Ковалевская Г. Г. Зависимость фотоответа InP от интенсивности света //Научно-техническая конференция, посвященная 50-летию СКГМИ, 1981, с. 145−147.
- Ковалевская Г. Г., Руссу Е. В., Слободчиков C.B., Смирнов В.Г., Фетисова
- B.М., Филаретова Г. М. Диоды Шоттки на основе компенсированного р-1пР //ФТП, 1984, Т.18, в.4, с.600−603.
- Малинин Ю.Г., Слободчиков C.B., Фетисова В. М., Филаретова Г. М. Влияние магнитного поля на фотоэффект диодов Шоттки на основе p-InAs //ФТП, 1985, т.19,в.6, с.1119−1122.
- Имангулиев Г. А., Мередов М. М., Слободчиков C.B., Фетисова В. М. Электрические свойства диодов Шоттки Cr-n-InP //Известия Академии наук Туркменской ССР, 1988, в. З, с.86−88.
- Мередов М.М., Имангулиев Г. А., Ковалевская F.F., Слободчиков C.B., Фетисова В. М. Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур полученных распылением Mo на n-InP //Известия АНТССР сер.физ.тех.геолог.наук, 1989, в.1, с.92−94.
- Ковалевская Г. Г., Мередов М. М., Пенцов A.B., Руссу Е. В., Слободчиков C.B., Фетисова В. М. О механизмах влияния водорода на электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур Pd-p(n)-InP и Pd-n-GaP //ЖТФ, 1991, т.61, В.9, с.173−175.
- Ковалевская Г. Г., Мередов М. М., Руссу Е. В., Салихов Х.М., Слободчиков
- C.B., Фетисова В. М. Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур Pd-p-p±InP и изменение их в атмосфере водорода //1992, т.26, в. 10, с.1750−1754.
- Fogelberd J., Fundstrom I., Patersson F.-G. // Phys. Scripta, 1987, v.35, p.702. 95.1nuishi M., Wessels B.W. HL Electron. Fett., 1981, v. 17, p.685.
- Shaklee K.Z., Polak F.H., Cardona M. //Phys. Rev. Fett., 1965, v. 15, № 23, p.883−885.124
- Ming-Jong Tsai, Fahrenbruch A.Z. and Bube R.H. // J. Appl. Phys., 1980, v.51, v.5, p.2696−2705.
- Ламперт M., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973,1. Т.2.
- Ковалевская Г. Г., Кратена Л., Мередов М. М. и др. //Письма в ЖТФ, 1989, Т.15, с.55−58.
- Ковалевская Г. Г., Кратена Л., Мередов М. М., Маринова A.M., Слободчиков C.B. //Письма в ЖТФ, 1989, в15, с.55.
- Ковалевская Г. Г., Маринова A.M., Слободчиков C.B. Фотоэдс структур Pd-n-InP с промежуточным слоем в атмосфере водорода или водяных паров. //ЖТФ, 1989, в.59, с.155−158.
- Yousuf M., Kuliev В., Talevic В., Poteat T.L. // Sol. St. Electron. 1982, v.25, p.753.
- Goodman A. M. //J Appl. Phys., 1963, v.34, p.329.
- Адирович Э.И., Карагеоргий Л. М., Алкалаев, Лейдерман А.Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках, М.: Мир, 1978, в.73.
- Лейдерман А.Ю. и др. О природе темновых токов в структурах с борьером Шоттки на аморфном гидрованном кремнии. //ФТП, 1984, № 2, с. 1373−1377.
- Dannetun H., Lundstrom I., Petersson L.G. Surf Sei, 1988, v. 193, p. 109.
- Слободчиков C.B., Салихов X.M. Диодные структуры n (р) 1пР-п-In203-P205-~Pd как потенциальные сенсоры ближнего ИК излучения, влажности и водорода. //ПЖТФ, 1999, т.25, в.24, с. 72−79.
- Слободчиков C.B., Салихов Х. М., Руссу Е. В. Долговременные изменения электрических и фотоэлектрических характеристик диодных структур Pd-p-InP // ФТП, 2002, т.36, в.4, с. 500.