Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Разработка и исследование основ золь-гель технологий формирования диэлектрических пленок на основе оксида алюминия для органических полевых транзисторов

Диссертация: Разработка и исследование основ золь-гель технологий формирования диэлектрических пленок на основе оксида алюминия для органических полевых транзисторов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Одним из интенсивно развивающихся направлений применения в технологии микрои наноэлектроники золь-гель пленок А1203 является использование их в качестве подзатворного диэлектрика и в органических транзисторах в частности, которые в настоящее время все больше внимания привлекают разработчиков матриц для дисплеев, датчиков, электронных меток и т. д. Однако, одна из существенных проблем органических… Читать ещё >

Разработка и исследование основ золь-гель технологий формирования диэлектрических пленок на основе оксида алюминия для органических полевых транзисторов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. ОСНОВЫ ФОРМИРОВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК А
    • 1. 1. Микро- и наноструктуры с применением пленок на основе оксида алюминия
    • 1. 2. Методы синтеза оксида алюминия и формирования диэлектрических пленок на его основе
    • 1. 3. Золь-гель технология и ее применение для синтеза диэлектрических пленок на основе А
  • Выводы
  • 2. АНАЛИЗ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЕНОК А1203 ПРИ
  • ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ОБРАБОТКЕ СТРУКТУРЫ А1203/
    • 2. 1. Исследование термических процессов при электронно-лучевой обработке структуры А1203/
    • 2. 2. Термодинамический анализ реакций образования а-А1?
    • 2. 3. Физико-механическая модель спекания золь-гель пленок на основе А
  • Выводы
  • 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ ВЛИЯНИЯ ТЕПЛОВЫХ РЕЖИМОВ ОБРАБОТКИ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЛЕНОК А
    • 3. 1. Электронно-лучевое формирование диэлектрических пленок А
    • 3. 2. Особенности используемого оборудования и оснастка для обработки электронным лучом
    • 3. 3. Методика исследования поверхности
    • 3. 4. Синтез и формирование диэлектрических пленок на основе А1?
    • 3. 5. Электронная структура а-А
    • 3. 6. Влияние температуры отжига на шероховатость поверхности пленок А
    • 3. 7. Исследование электрических характеристик сформированных пленок А
    • 3. 8. Исследование оптических характеристик пленок
    • 3. 9. Исследование фазового состояния сформированных пленок А
  • Выводы
  • 4. ПРИМЕНЕНИЕ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ А1203 В ИЗДЕЛИЯХ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ
    • 4. 1. Оценка влияния технологических особенностей формирования подзатворного диэлектрика полевого транзистора
  • Выводы

Актуальность работы. В современной технике, электронной и электротехнической промышленности пленки играют важную роль. Они находят широкое применение в микроэлектронных приборах, оптоэлектронике, датчиках, в качестве просветляющего покрытия, защитного покрытия и др. В соответствии с этим пленки при сравнительно жестких режимах эксплуатации, как перспективные материалы, должны обладать стабильностью свойств, быть сравнительно дешевыми и технологичными. В настоящее время этим требованиям наиболее полно удовлетворяют пленки оксида алюминия (А120з), которые проявляют термодинамическую устойчивость при высоких температурах, с более высокой диэлектрической проницаемостью по сравнению с диоксидом кремния (8Ю2), проявляют хорошую диэлектрическую прочность, химическую и радиационную устойчивость, имеют низкую плотность поверхностных состояний.

В связи с этим формирование микроэлектронных структур с диэлектрическими пленками на основе А120з является актуальным. Известно много методов формирования пленок на основе оксида алюминия. Однако имеющиеся методы позволяют получать либо пленки с высокой себестоимостью (послойное атомное осаждение), либо пленки с микрои макродефектами. Из известных методов золь-гель метод наиболее дешевый, позволяющий получать пленки требуемого состава и стехиометрии, однако не позволяющий получать пленки высокого качества. Используя данный метод и возможности электронно-лучевого нагрева в локальной области до высоких температур, можно улучшить качество пленки и ее совершенство [1].

Одним из интенсивно развивающихся направлений применения в технологии микрои наноэлектроники золь-гель пленок А1203 является использование их в качестве подзатворного диэлектрика и в органических транзисторах в частности, которые в настоящее время все больше внимания привлекают разработчиков матриц для дисплеев, датчиков, электронных меток и т. д. Однако, одна из существенных проблем органических полевых транзисторов — высокое рабочее напряжение, которое может превышать несколько десятков вольт, следовательно, уменьшается КПД и, как результат, высокая рассеиваемая мощность. Емкость диэлектрика является определяющей частотные свойства транзистора. Чтобы увеличить емкость подзатворного диэлектрика необходимо увеличивать диэлектрическую проницаемость или уменьшать толщину диэлектрика, причем технология уменьшения толщины диэлектрика резко увеличивает стоимость прибора. Поэтому более целесообразно применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью и А1203 в частности, так как позволяет работать при меньших рабочих напряжениях.

Так как транзисторы реализуются на органическом материале, то применение традиционных методов вакуумного получения диэлектрических пленок ограничено. Следовательно, развитие производства основывается на осаждении. Золь-гель технология наиболее предрасположена к применению для синтеза и формирования подзатворных диэлектриков на основе А1203.

Целью данной работы является разработка основ технологического процесса формирования диэлектрических пленок на основе А120з, синтезированных золь-гель методом, для повышения функциональных и эксплуатационных характеристик органических полевых транзисторов.

Для достижения указанной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Провести анализ известных способов формирования диэлектрических пленок на основе А1203 для устройств микрои наноэлектроники.

2. Изучить физико-химические процессы формирования золь-гель пленок на основе А1203 на кремниевой подложке (А1203/81) при тепловом воздействии на структуру стационарным и локальным тепловым полем.

3. Исследовать электрофизические характеристики сформированных диэлектрических тонкопленочных структур с А1203. 5.

4. Рассмотреть возможность формирования органических полевых транзисторов с подзатворным диэлектриком А1203, синтезированным золь-гель методом и сформированным высокотемпературным полем в вакууме.

Научная новизна.

1. Разработана физико-механическая модель спекания ксерогеля оксида алюминия, учитывающая динамику релаксации поверхности и кинетику спекания пористых твердых материалов.

2. Определена функциональная зависимость изменения толщины и шероховатости пленок А120з от технологических режимов обработки.

3. Установлено, что сформированные золь-гель методом пленки бемита после отжига в вакууме и фазовых превращений имеют диэлектрическую проницаемость на 23 — 26% ниже монокристаллического сапфира.

Практическая значимость работы.

1. Определена область тепловых режимов формирования пленки в вакууме и последующей финишной электронно-лучевой обработки, позволяющей получить однородную пленку А120з с диэлектрической проницаемостью 7,2 — 7,4.

2. Экспериментально выявлено, что при повышении температуры отжига в вакууме до 1 ООО °С среднеквадратичная шероховатость золь-гель пленок АЬОз снижается до 0,60 — 0,42 нм.

3. Разработан маршрут изготовления органического полевого транзистора с использованием А1203 в качестве подзатворного диэлектрика с рабочими напряжениями в области 1 — 5 В.

Положения, выносимые на защиту.

1. Физико-механическая модель спекания ксерогеля оксида алюминия.

2. Экспериментальные закономерности влияния режимов отжига на шероховатость поверхности, оптические и электрофизические параметры сформированных пленок А1203.

3. Экспериментально установленные режимы термического отжига в вакууме, влияющие на фазовое состояние пленок оксида алюминия.

4. Маршрут изготовления органического полевого транзистора с использованием А1203 в качестве подзатворного диэлектрика, сиинтезированного золь-гель методом.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ.

1. Предложена физико-механическая модель формирования тонких диэлектрических пленок оксида алюминия, сформированные золь-гель методом с термическим отжигом в вакууме.

2. Определена функциональная зависимость изменения толщины и шероховатости пленок А1203 от технологических режимов обработки.

3. Установлено, что сформированные методом золь-гель пленки бемита после отжига в вакууме и фазовых превращений имеют диэлектрическую проницаемость на 23 — 26% ниже монокристаллического сапфира.

4. Экспериментально определены закономерности влияния режимов отжига на шероховатость поверхности пленок А1203, показывающие снижение среднеквадратичной шероховатости от 1,1 до 0,5 нм при увеличении температуры отжига от 200 до 1000 °C.

5. Получены технологические режимы формирования пленки в вакууме с последующей финишной ЭЛО, позволяющие получить однородную пленку А1?03 с диэлектрической проницаемостью 7,2 -7,6.

6. Разработан маршрут изготовления органического полевого транзистора с подзатворным диэлектриком А1203 с рабочими напряжениями в области 1 — 5 В.

Апробация результатов работы.

Основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на III, V Российской СНТК «Вакуумная техника и технологии» (Казань, 2007, 2011 г.), Третьей ежегодной научной конференции студентов и аспирантов базовых кафедр ЮНЦ РАН (Ростов-на-Дону, 2008 г.), международной научно-технической конференции «Микрои нанотехнологии в электронике» (Нальчик, 2009 г.), X Всероссийской научно-технической конференции студентов и аспирантов (Таганрог, 2010 г.), Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» (INTERMATIC) (Москва, 2012 г).

Публикации.

Результаты диссертационной работы отражены в 10 печатных работах, из них 4 статьи в изданиях, рекомендованных ВАК, и 6 работ в сборниках трудов конференций.

Структура и объем работы.

Диссертация изложена на русском языке и состоит из введения, пяти глав, общих выводов, списка литературы (115 наименований). Общий объем диссертации 105 страниц.

Основные результаты диссертационной работы:

1. Разработана физико-механическая модель формирования тонких диэлектрических пленок оксида алюминия, сформированные золь-гель методом с термическим отжигом в вакууме и ЭЛО.

2. Определена функциональная зависимость изменения толщины и шероховатости пленок А120з от технологических режимов обработки.

3. Установлено, что сформированные методом золь-гель пленки бемита после отжига в вакууме и фазовых превращений имеют диэлектрическую проницаемость на 23 — 26% ниже, чем у монокристаллического сапфира.

4. Экспериментально установлены закономерности влияния режимов отжига на шероховатость поверхности пленок А120з, показывающие снижение среднеквадратичной шероховатости от 1,1 до 0,5 нм при увеличении температуры отжига от 200 до 1000 °C.

5. Определены технологические режимы формирования пленки в вакууме с последующей финишной ЭЛО, позволяющие получить однородную пленку А120з с диэлектрической проницаемостью 7,2 -7,6.

6. Разработан маршрут изготовления органического полевого транзистора с подзатворным диэлектриком АЬОз с рабочими напряжениями в области 1 — 5 В.

7. Золь-гель метод можно эффективно использовать для синтеза и формирования полупроводниковых приборов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Перспективы применения электронно-лучевой обработки для модификации золь-гельных пленок легированного диоксида кремния / Милешко Л. П., Авдеев С. П., Чередниченко Д. И. и др. /ФХОМ. -1998. -№ 2. -с. 77−83.
  2. Т.В., Гриценко В. А. Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью // Успехи физических наук. 2010. Т. 180. № 6. С. 587−603.
  3. A new low voltage fast SONOS memory with high-k dielectric / V. A Gritsenko, K.A. Nasyrov, Yu.N. Novikov et al. // Solid-State Electronics.2003. Vol. 47. P. 1651−1656.
  4. Robertson J. High dielectric constant oxides // Eur. Phys. J. Appl. Phys.2004. Vol. 28. P. 265−291.
  5. A low voltage SANOS nonvolatile semiconductor memory (NVSM) device / Yijie Zhao, Xiaonan Wang, Huiling Shang et al. // Solid-State Electronics. 2006. Vol. 50. P. 1667−1669.
  6. Chang Yong Kang Barrier engineering in metal-aluminum oxide-nitrideoxide-silicon (MANOS) flash memory: Invited // Current Applied Physics. 2010. Vol. 10. P. 27−31.
  7. Charge trapping behavior of Si02-Anodic Al203-Si02 gate dielectrics for nonvolatile memory applications / Chun-Hsien Huang, En-Jui Li, Wai-Jyh Chang et al.// Solid-State Electronics. 2009. Vol. 53. P. 279−284.
  8. Roizin Y., Gritsenko. Dielectric Films for Advanced Microelectronics / Eds. M. Baklanov, M Green, К Maex. Chichester: John Wiley and Sons, 2007. 251 p.
  9. A new memory element based on silicon nanoclusters in a ZrO? insulator with a high permittivity for electrically erasable read-only memory / V.A. Gritsenko, K.A. Nasyrov, D.V. Gritsenko etal. // Semiconductors.2005. Vol. 39. № 6. P. 716−721.
  10. Modeling of a EEPROM device based on silicon quantum dots embedded in high-k dielectrics / V.A. Gritsenko, K.A. Nasyrov, D.V. Gritsenko et al. // Microelectronic Engineering. 2005. Vol. 81. P. 530−534.
  11. All-organic active matrix flexible display / L. Zhou, A. Wanga, S.-C. Wu et al. // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 88. P. 83 502.
  12. Paper-like electronic displays: Large-area rubber-stamped plastic sheets of electronics and microencapsulated electrophoretic inks / John A. Rogers, Zhenan Bao, Kirk Baldwin et al. // Proc. Natl Acad, Sci. USA. 2001. Vol. 98. № 9. P. 4835−4840.
  13. Integration of organic light-emitting diode and organic transistor via a tandem structure / Chih-Wei Chu, Chieh-Wei Chen, Sheng-Han Li et al. // Appl. Phys. Lett. 2005. Vol. 86. P. 253 503.
  14. Organic smart pixels / A. Dodabalapur, Z. Bao, A. Makhija et al. Appl. Phys. Lett. 1998. Vol. 73. P. 142−144.
  15. Novel strategies for polymer based light sensors / K.S. Narayan, A.G. Manoj, Th. B Singh et al. // Thin Solid Films. 2002. Vol. 417 P. 75−77.
  16. Narayan K.S., Kumar N. Light responsive polymer field effect transistor // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 79. P. 1891−1893.
  17. Low-voltage organic transistors with an amorphous molecular gate dielectric / M. Halik, H. Klauk, U. Zschieschang, et al. // Nature. 2004. Vol. 431. P. 963−966.
  18. Advances in organic field-effect transistors and integrated circuits / H. Wang, Z. Ji, M. Liu et al. // Sci. China Ser. E-Tech Sci. 2009. Vol. 52 P. 31 053 116.
  19. Singh T.B., Sariciftci N.S. Progress in plastic electronics devices // Annu. Rev. Mater. Res. 2006. Vol. 36. P. 199−230.
  20. A study of the dielectric characteristics of aluminum oxide thin films deposited by spray pyrolysis from Al (acac)3 / M. Aguilar-Frutis, M. Garcia, C. Falcony et al. // Thin Solid Films. 2001. Vol. 389. P. 200−206.
  21. Preparation of А120з thin films by atomic layer deposition using dimethylaluminum isopropoxide and water and their reaction mechanisms / Ki-SeokAn, WontaeCho, Kiwhan Sung et al.// Bull. Korean Chem. Soc. 2003. Vol. 24. № 11. P. 1659−1663.
  22. Shamala K.S., Murthy L.C.S., Narasimha Rao K. Studies on optical and dielectric properties of A1203 thin films prepared by electron beam evaporation and spray pyrolysis method // Materials Science and Engineering B. 2004. Vol. 106. P. 269−274.
  23. Annealing effects on electron-beam evaporated A1203 films / Shang Shuzhen, Chen Lei, Hou Haihong et al. // Applied Surface Science. 2005. Vol. 242. P. 437−442.
  24. Katiyar P., Jin C., Narayan R.J. Electrical properties of amorphous aluminum oxide thin films // Acta Materialia. 2005. Vol. 53. P. 2617−2622.
  25. Murali K.R., Thirumoorthy P. Characteristics of sol-gel deposited alumina films // Journal of Alloys and Compounds. 2010. Vol. 500. P. 93−95.
  26. Sol-gel synthesis, characterization and catalytic activity of mesoporous y-alumina prepared from boehmite sol by different methods / V.V. Vinogradov, A.V. Agafonov, A.V. Vinogradov et al. // J Sol-Gel Sci Technol. 2010. Vol. 56. P. 333−339.
  27. Murayama Т., Nakai T. Aluminum oxide thin films prepared by chemical vapor deposition from aluminum 2-ethylhexanoate // Appl. Phys. Lett. 1991. Vol. 58. P. 2079−2081.
  28. Evidence of aluminum silicate formation during chemical vapor deposition of amorphous A1203 thin films on Si (100) / T.M.Klein, D. Niu, W.S. Epling et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 75. P. 4001^1004.
  29. T.B., Комащенко B.H., ШмыреваЛ.Н. Нанотехнологии: основы метода атомного послойного осаждения, оборудование, применение в наноэлектронике // Электроника и связь. Тематический выпуск «Электроника и нанотехнологии». 2009. 4.1. С. 60−66.
  30. В.Ю., Столяров А. А. Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы. М:. Техносфера, 2006. 192 с.
  31. Ruppi S., Larsson A. Chemical vapour deposition of k-A1203 // Thin Solid Films. 2001. Vol. 388. P. 50−61.
  32. Ruppi S. Deposition, microstructure and properties of texture-controlled CVD a-Al203 coatings // International Journal of Refractory Metals & Hard Materials. 2005. Vol. 23. P. 306−316.
  33. Single-source chemical vapor deposition of clean oriented A1203 thin films / Xiaofei Duan, Nguyen H. Tran, Nicholas K. Roberts et al. // Thin Solid Films. 2009. Vol. 517. P. 6726−6730.
  34. Shamala K.S. Studies on optical and dielectric properties of A1203 thin films prepared by electron beam evaporation and spray pyrolysis method // Materials Science and Engineering B. 2004. Vol. 106. P. 269−274.
  35. Conduction, dielectric and interface properties of A1203 films on GaAs deposited by the e-beam evaporation technique / R К Bhan, Alok Jain, Daljeet Kumar et al. // Semiconductor Science and Technology. 2009. Vol. 24. № 9. P. 95 017−95 017.
  36. Mikhaelashvili V. Electrical characteristics of metal-dielectric-metal and metal-dielectric-semiconductor structures based on electron beam evaporated Y203, Ta205 and A1203 thin film // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 84. № 12.P. 6747−6752.
  37. В., Виной К., Джозе К. ВЧ МЭМС и их применение. М.: Техносфера, 2004. 528 с.
  38. Н.А., Попов В. В., Саркисов П. Д. Химия и технология нанодисперсных оксидов: учебное пособие. М.: ИКЦ «Академкнига», 2006. 309 с.
  39. В.П., Жабрев В. А., Тупик В. А. Физические основы микроэлектроники: учебник для студентов высших учебных заведений. М.: Издательский центр «Академия», 2008. 400 с.
  40. В.В., Павлова-Веревкина О.Б. Синтез и коллоидно-химические свойства гидрозолей бемита // Коллоидный журнал. 1998. Т. 60. № 6. С. 797−807.
  41. Yoldas В.Е. Hydrolysis of aluminium alkoxides and bayerite conversion // J. Appl. Chem. Biotechnol. 1973. Vol. 23. P. 803−809.
  42. A1203 sol-gel derived amperometric biosensor for glucose / Zhenjiu Liu, Baohong Liu, Mei Zhang // Analytica Chimica Acta. 1999. Vol. 392. P. 135−141.
  43. Физико-химические основы процессов формирования легированных оксидных пленок методами золь-гель технологии и анодного окисления / А. Н. Королев, Н. В. Гапоненко, Л. П. Милешко и др. / Учебное пособие-Таганрог: Изд-во ТТИ ЮФУ, 2012.- 160 с.
  44. Р.И., Василевская Т. Н. Влияние температур на фазовый состав и свойства продуктов гидролиза алюмооксидов алюминия // Журнал прикладной химии. 1992. Т. 65. Вып. 12. С. 2707−2715.
  45. Павлова-Веревкина О.Б., Каргин В. Ф., Рогинская Ю. Е. Получение и свойства стабильных золей гидроксида алюминия. Морфология высокодисперсного гидроксида алюминия (псевдо бемита) // Коллоидн. журнал. 1993. Т. 55. № 3. С. 127−137.
  46. Строение и свойства адсорбентов и катализаторов / под ред. Б. Г. Линсена: пер. с англ. М.: Мир, 1973. 645 с.
  47. Raman study of alumina gels / Т. Assih, A. Ayral, M. Abenoza et al. // Material Science. 1988. Vol. 23. P. 3326−3331.
  48. Thermal evolution of alumina prepared by the sol-gel technique / G. Urretavizcaya, A.L. Cavalieri, J.M. Porto Lopez et al. // Journal of Materials Synthesis and Processing. 1998. Vol. 6. № 1. P. 1−7.
  49. Preparation of nanocrystalline alumina under hydrothermal conditions / O.V. Al’myasheva, E.N. Korytkova, A.V. Maslov et al. // Inorganic Materials. 2005. Vol. 41, № 5. P. 460−467.
  50. Hart L.D. Alumina chemicals: Science and Technology Handbook, The American Ceramic Society Inc, Weterville, Ohio, 1990. 617 p.98
  51. Wilson S.J., Stacey M.H. The porosity of aluminum oxide phases derived from well-crystallized boehmite: electron microscope studies // Journal of Colloid and Interface Science. 1981. Vol. 82. P. 507−517.
  52. Preparation of a y-alumina nanofiltration membrane / A. Larbot, S. Alami-Younssi, M. Persin et al. //J. Membrane Science. 1994. Vol. 97. P. 167−173.
  53. Synthesis and characterization of A1203 catalyst carriers by sol-gel / Simon C., Bredesen R., Grondal H. et al. // J. Material Science. 1995. Vol. 30. P. 5554−5560.
  54. Оптимизация модели упрочненного слоя при поверхностном упрочнении / А. А. Лаврентьев, И. Е. Рогов, С. Д. Анисимов и др. / Вестник ДГТУ. 2009. Т. 9. № 2. С. 208−216.
  55. Е.В., Авдеев С. П., Серба П. В. О влиянии электроннолучевой обработки на поверхность диэлектрических пленок на основе АЬОз // Известия ЮФУ. Технические науки. 2010. № 3. С. 211−214.
  56. М.А., Чередниченко Д. И. Расчет профиля фазового перехода при поверхностном оплавлении подвижным источником тепла // ФХОМ. -1980. -№ 1. -С. 3−8.
  57. Лазерная и электроннолучевая обработка материалов / Н. Н. Рыкалин, А. А. Углов, И. В. Зуев и др. / Справочник. М.: Машиностроение, 1985. 496 с.
  58. А.Н., Самарский А. А. Уравнения математической физики. М.: Московского университета, 1999. 798 с.
  59. А.А., Курдюмов С. П., Мажукин В. И. Математическое моделирование. Нелинейные дифференциальные уравнения математической физики. М.: Наука, 1987. 280 с.
  60. Transient heat conduction in solids irradiated by a moving heat source / N. Bianco et al. // Excerpt from the Proceedings of the COMSOL Conference (Milano, nov. 14, 2006) — Defect and Diffusion Forum. 2009. Vol. 283. P. 358−363.
  61. A.A., Чередниченко Д. И. Устойчивость границы фазового перехода при электронно-лучевой рекристаллизации тонкого слоя поликремния на окисленной подложке // Известия вузов, Электроника. 1998. № 1. С. 31−42.
  62. Шиллер 3., Гайзек У., Панцер 3. Электронно-лучевая технология / пер. с нем. В. П. Цишевского, вступ. ст. Б. Е. Патона. М.: Энергия, 1980. 528 с.
  63. JI. Применение метода конечных элементов./ Пер. с англ. Шестакова А. А. М.: Мир, 1979. 392 с.
  64. А.Г., Сладков И. Б. Термодинамические расчеты в металлургии: Справочник. М.: Металлургия, 1985. 136 с.
  65. Binneweis М., Milke Е. Thermochemical data of elements and compounds. / Wiley-VCH Verlag GmbH, Weinheim, 2002. 942 p.
  66. Thermodynamic evaluation of the A1203 -H20 binary system at pressures up to 30 MPa / S. Serena, M.A. Raso, M.A. Rodriguez et al. // Ceramics International. 2009. Vol. 35. P. 3081−3090.
  67. В.А., Остроумов M.A., Свит Т. Ф. Термодинамические свойства веществ. Справочник. Л., «Химия», 1977. 392 с.100
  68. Transformations of y-alumina in aqueous suspensions 1. Alumina chemical weathering studied as a function of pH / Xavier Carrier, Eric Marceau, Jean-Francois Lambert et al. // Journal of Colloid and Interface Science. 2007. Vol. 308. P. 429−437.
  69. Lawrence M. Anovitz, Dexter Perkins, Eric J. Essene Metastability in near-surface rocks of minerals in the system Al203-Si02-H20 // Clays and Clay Minerals. 1991. Vol. 39, № 3, P. 225−233.
  70. Термодинамика реакций фазообразования шпинели из бокситов / Д. А. Бражник, Г. Д. Семченко, А. А. Бондаренко и др. / с. 138−141. URL: www.nbuv.gov.ua/portal/natural/vognetryv/2 008 108/pdf/20.pdf (дата обращения 1 октября 2012).
  71. И.С. Процессы технологии огнеупоров. М.: Металлургия, 1969. 352 с.
  72. Rajendran M., Bhattacharya А.К. Low-temperature formation of alpha alumina powders from carboxylate and mixed carboxylate precursors // Materials Letters. 1999. Vol. 39. P. 188−195.
  73. Tsuchida T. Kodaira K. Hydrothermal synthesis and characterization of diaspore, 3-A1203-H20 // Journal of Materials Science. 1990. Vol.25. P. 44 234 426.
  74. Mackensie J., Shuttleworth R. A Phenomenological Theory of Sintering // Proc. Phys. Soc 1949. Vol. 62. № 12. P. 833−852.
  75. Mullins W.W. Flattering of nearly plane solid surface due to copillarity // J. Appl. Phys. 1959. Vol. 30. № 1. P. 77−83.
  76. Я.Е. Физика спекания. M.: Изд. «Наука», 1967. 360 с.
  77. А.И., Ягушкин Н. И. Перенос и накопление заряда в диэлектриках при облучении электронным лучом // Изв. ВУЗов. Физика. 1988, № 8. С. 20−25.
  78. Binning G, Rohrer H. Scanning tunneling microscopy // Surface Science. 1983. Vol. 126. P. 236−244.
  79. В.К. Введение в эллипсометрию. JL: ЛГУ, 1986. 192 с.101
  80. Основы эллипсометрии / А. В. Ржанов, К. В. Свиташев, А. И. Семененко и др. / Новосибирск: Наука, 1978. 424 с.
  81. В.И., Абаев М.И, Лызлов Н. Ю. Эллипсометрия в физико-химических исследованиях. Л.: Химия, 1986. 152 с.
  82. В.В. Теоретические основы микроэлектроники. Учебн. пособие для радиотехнич. спец. вузов. М.: «Высшая школа», 1972. 352 с.
  83. В.И. Рентгеноэлектронная спектроскопия химических соединений. М.: Мир, 1987. 599 с.
  84. В.И., Черепин В. Т. Физические методы исследования поверхности твердых тел. М.: Химия, 1984. 256 с.
  85. Л., Вэнник Дж., Декейсер В. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел. М.: Мир, 1981. 468 с.
  86. Электронно-энергетическая структура полупроводниковых сульфидов AS2S3, ASST, AGASS2 и TIS / А. А. Лаврентьев, Б. В. Габрельян, И .Я. Никифоров и др. / Журнал структурной химии. 2005. Т. 46. № 5. С. 835— 842.
  87. The American Mineralogist Crystal Structure Database Electronic resource. URL: http://rruff.geo.arizona.edu/AMS/amcsd.php (access date: 05.07.2012).
  88. Crystal Lattice-Structures Electronic resource. URL: http://cst-www.nrl.navy.mil/lattice/index.html (access date: 05.07.2012).
  89. Crystal Lattice-Structures Electronic resource. URL: http://cst-www.nrl.navy.mil/lattice/index.html (access date: 05.07.2012).
  90. Электронная структура a-Al203: ab initio моделирование и сравнение с экспериментом / Т. В. Перевалов, А. В. Шапошников, В. А. Гриценко и др. //Письма в ЖЭТФ. Т. 85, Вып. 3, С. 197−201.
  91. Yo-Sep Min, Young Jin Cho, Cheol Seong Hwang Atomic Layer Deposition of A1203 thin films from a l-Methoxy-2-methyl-2-propoxide complex of aluminum and water // Chem. Mater. 2005. Vol. 17. P. 626−631.
  92. Dario Т. Berutoa, Rodolfo Bottera, Attilio Converti Effect of vacuum and of strong adsorbed water films on micropore formation in aluminum hydroxide xerogel powders // Journal of Colloid and Interface Science. 2009. Vol. 330. P. 97 104.
  93. Chemical deposition of A1203 thin films on Si substrates / P. Vitanov, A. Harizanova, T. Ivanova et al. // Thin Solid Films. 2009. Vol.517. P. 63 276 330.
  94. E.P., Литвинов Л. А., Пищик B.B. Энциклопедия сапфира.-Харьков: Институт монокристаллов, 2004 г.
  95. Ortiz A., Alonso J.С. High quality-low temperature aluminum oxide films deposited by ultrasonic spray pyrolysis // Journal of material science: materials in electronics. 2002. Vol. 13. P. 7−11.
  96. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии: Пер. с англ./ Под ред. Д. Бриггса, М. П. Сиха. -М.: Мир, 1987, 600 с.
  97. Структурно-химические и электрофизические свойства тонких пленок Tio.3Alo.7Oy, полученных методом атомно-слоевого осаждения / А. П. Алехин, И. П. Григал, С. А. Гудкова и др. // Труды МФТИ. 2012. Т. 4. № 3. С. 64−73.
  98. Mikhelashvili V., Eisenstein G. Composition, surface morphology and electrical characteristics of АЬОз-ТЮг nanolaminates and AlTiO films on silicon // Thin Solid Films. 2006. Vol. 515. P. 346−352.
  99. Schroder D.K. Semiconductor material and device characterization. Third edition. New York: John Wiley and Sons, 2006. 781 p.
  100. Shaw J. M., Seidler P. F. Organic electronics: introduction // IBM J. RES & DEV. 2001. Vol. 45. P. 3−9.
  101. Dimitrakopoulos C. D., Mascaro D. J. Organic thin-film transistors: A review of recent advances // IBM J. RES & DEV. 2001. Vol. 45 P. 11−27.
  102. Jiongxin Lu, Kyoung-Sik Moon, C.P.Wong High-k polymer nanocomposites as gate dielectrics for organic electronics applications // Electronic Components and Technology Conference. 2007. P. 453−457.
  103. Keon-kook Han, Soonmin Seo Fabrication of sol-gel alumina dielectric for low-voltage operating pentacene transistor // Japanese Journal of Applied Physics. 2011. Vol. 50. P. 04DK17.
  104. Facchetti A., Yoon M. H., Marks T. J. Gate dielectrics for organic field-effect transistors: New opportunities for organic electronics // Advanced Materials. 2005. Vol. 17. P. 1705−1725.
  105. Goettling S., Diehm В., FruehaufN. Active matrix OTFT display with anodized gate dielectric // J Display Tech. 2008. Vol. 4. P. 300−303.
  106. Ultralow-power organic complementary circuits / H. Klauk, U. Zschieschang, J. Pflaum et al. // Nature. 2007. Vol. 445. P. 745−748.
  107. Klauk H. Organic electronics: material, manufacturing and applications. Wiley-Vch, 2006. 428 p.
  108. М.Г., Чарыков H.A., Юдин В. В. Полупроводниковые приборы и основы их проектирования: Учебник для техникумов. М.: Радио и связь, 1983. 352 с.
  109. Low voltage organic devices and circuits with aluminum oxide thin film dielectric layer / SHANG LiWei, JI ZhuoYu, CHEN YingPin etal. // Science China Technological Sciences. 2011. Vol. 54. № 1. P. 95−98.
  110. Majewski L.A., Schroeder R., Grell M. Flexible high capacitance gate insulators for organic field effect transistors // J. Phys. D. 2004. Vol.37. № 21. P. 21−24.
  111. Han K., Lee S., KangH.W., Lee H.H. Stable and robust low-voltage pentacene transistor based on a hybrid dielectric // Microelectronic Engineering. 2007. Vol. 84. P. 2173−2176.
  112. Influence of postannealing on polycrystalline pentacene thin film transistor / S.J. Kang, M. Noh, D.S. Park et al. // Journal of applied physics. 2004, Vol. 95, № 6, P. 2293−2296.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!