Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Электрические свойства ионно-легированных и эпитаксиальных p-n переходов на основе фосфида галлия

Диссертация: Электрические свойства ионно-легированных и эпитаксиальных p-n переходов на основе фосфида галлия
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В данной работе изучаются механизмы переноса носителей заряда в ионно-легированных бериллием /^-«-переходах на основе фосфида галлия. В ^ силу процессов первичного и вторичного образования исследуемые структуры стали пространственно неоднородными. Механизмы протекания тока в таких структурах становятся комплексными. Подобные структуры в научной литературе исследованы еще недостаточно. В то же… Читать ещё >

Электрические свойства ионно-легированных и эпитаксиальных p-n переходов на основе фосфида галлия (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Эпитиаксиальные и ионнолегированные структуры на основе фосфида галлия
    • 1. 1. Фосфид галлия и свойства р-п-переходов на его основе
    • 1. 2. P-n-переходы, полученные эпитаксиальным наращиванием и ионным легированием
    • 1. 3. Анализ методов определения параметров центров безызлучательной рекомбинации
    • 1. 4. Выводы по обзору литературы и постановка задачи исследования
  • Глава 2. Стационарные и термостимулированные процессы, сопровождающие измерение емкости

2.1. Характеристика образцов для исследования. 26 2.2 Методики и погрешности измерения распределения концентрации примесей вблизи р-п-перехода. 29 2:3 Результаты емкостных измерений и расчеты профилей концентрации. 35 2.3.1.Эпитаксиальные структуры. 35 2.3.2. Ионнолегированные структуры. 38 2.4Термостимулированная генерация с глубоких уровней ОПЗ в р-п-переходах без накопления заряда (партия 1).

2.5 Изменение заполнения ловушек в близи середины запрещенной зоны в ОПЗ ионнолегированных р-п-переходов с накоплением заряда (партия

Актуальность работы. Ионное легирование является важным Ф инструментом создания полупроводниковых приборов. Разработан ряд методов и приемов осуществления данных процессов. Для соединений группы А3В5 актуально легирование бериллием. Этот элемент создает высокую концентрацию мелких акцепторных состояний и в связи с этим является Щ перспективным для изготовления мелкозалегающих р-слоев, к которым легко создать высококачественный омический контакт. Эти оба обстоятельства, а именно: хороший омический контакт и тонкий слой с акцепторной проводимостью делают подобные структуры перспективными с точки зрения создания оптоэлектронных приборов.

Одним из важных направлений развития оптоэлектроники является создание фотоприемников на основе широкозонных полупроводниковых материалов. В сочетании с тонким полупроводниковым слоем, прилегающим к поверхности, такие приемники являются эффективными в ультрафиолетовой области спектра. ц В данной работе изучаются приемники излучения на основе фосфида t*-u. галлия, изготовленные методом ионного легирования бериллием. Однако первым требованием для приемника излучения является низкий уровень темновых обратных токов. Это вызывает необходимость более подробного изучения механизмов переноса носителей заряда в обратносмещенных ионно-легированных структурах.

Ионное легирование приводит к интенсивному дефектообразованию, как первичному, в процессе которого образуется ансамбль простых собственных точечных дефектов, так и вторичному, при котором из первичных дефектов и примесей образуются комплексы. Высокая плотность дефектов при ионном ф легировании приводит к образованию сложных, ассоциированных образований типа кластеров, а также дислокаций.

В данной работе изучаются механизмы переноса носителей заряда в ионно-легированных бериллием /^-«-переходах на основе фосфида галлия. В ^ силу процессов первичного и вторичного образования исследуемые структуры стали пространственно неоднородными. Механизмы протекания тока в таких структурах становятся комплексными. Подобные структуры в научной литературе исследованы еще недостаточно. В то же время понимание физических процессов в них позволит расширить знания в области оптоэлектроники и конструирования оптоэлектронных приборов. Для того, чтобы выявить особенности, связанные именно с ионным легирование, параллельно исследуются аналогичные структуры, выращенные методом жидкофазной эпитаксии. В целом работа направлена на повышение качества оптоэлектронных приборов, и тема работы в настоящее время актуальна.

Целью работы является изучение механизмов переноса тока в пространственно неоднородных ионно-легированных р-я-переходах на примере фотоприемников, изготовленных на основе фосфида галлия, легированного бериллием.

Для достижения поставленной цели решаются следующие задачи: изучаются особенности интерпретации результатов измерений вольт-фарадных и термостимулированных характеристик эпитаксиальных и ионно-легированных структурпроводится сопоставительный анализ процессов переноса тока в эпитаксиальных и ионно-легированных структурах, моделируются возможные альтернативные механизмы переноса тока в пространственно-неоднородных структурахизучаются механизмы формирования контрастов наведенного токаопределяются свойства объектов, их формирующих, и сопоставляются с результатами, полученными из электрических измерений.

Новые научные результаты:

1. Показано, что в ионно-легированных структурах в интервале энергий 1.0−1.1 эВ, отсчитанных от зоны проводимости, имеется высокая плотность локальных состояний, средняя концентрация которых (1017см 3) превосходит концентрацию технологических примесей (З*1015см~3). Наличие данных глубоких ловушек приводит к эффектам накопления заряда, которые необходимо учитывать при обработке емкостных характеристик структур. Подобные состояния в эпитаксиальных структурах отсутствуют.

2. Разработана новая модель заполнения ловушек у середины запрещенной зоны и алгоритмы получения параметров глубоких центров, опирающиеся на анализ данной модели.

3. Показано, что в ионно-легированных структурах прямые и обратные вольт-амперные характеристики обусловлены токами туннельной рекомбинации с участием локальных состояний у середины запрещенной зоны. В это же время в эпитаксиальных структурах эти же характеристики связаны с рекомбинацией в области пространственного заряда.

4. Исследование контрастов наведенных токов показывает, что ионно-легированные структуры являются пространственно-неоднородными. Скорость рекомбинации возрастает вблизи макроскопических дефектов, обусловленных кластерами точечных дефектов, которые в частности могут скапливаться вблизи дислокации.

Результаты, имеющие практическую ценность:

1. Методами термостимулированной емкости, рекомбинационной спектроскопии, а также путем исследования тунельно-рекомбинационных процессов и температурных зависимостей функции заполнения ловушек у середины запрещенной зоны определены параметры основных глубоких ловушек в ионно-легированных и эпитаксиальных структурах, в том числе концентрации, энергии термической активации, коэффициенты захвата электронов и их отношения.

2. Разработан алгоритм определения концентрации, энергии активации и отношения коэффициентов захвата ловушек, расположенных у середины запрещенной зоны и одновременно обменивающихся электронами и дырками как с зоной проводимости, так и с валентной зоной. Данный алгоритм апробирован при исследовании антиструктурных дефектов в фосфиде галлия.

3. Разработан метод определения параметров глубоких уровней на основе анализа токов туннельной рекомбинации и апробирован на основе исследования дефектов в ионно-легированных структурах.

4. Разработаны модели и алгоритмы анализа контрастов наведенных токов в пространственно неоднородных структурах.

Положения, выносимые на защиту:

1. Ионное легирование фосфида галлия бериллием приводит к появления высокой концентрации дефектов у середины запрещенной зоны в интервале энергий 1.0−1.1 эВ, отсчитанных от дна зоны проводимости.

2. Высокая плотность локальных состояний у середины зоны ионно-легированных структур приводит к эффектам накопления заряда, которые оказывают влияние на результаты емкостных измерений.

3. Вольт-амперные характеристики эпитаксиальных структур обусловлены рекомбинацией в области пространственного заряда через центры с энергиями активации 0.25, 0.35, 0.55 и 0.65 эВ.

4. Локальные состояния у середины запрещенной зоны приводят к появлению токов туннельной рекомбинации, которые формируют прямые вольт-амперные характеристики и обуславливают появление избыточных обратных токов.

5. Глубоколежащие ловушки скапливаются в макроскопические дефекты, обуславливающие пространственную неоднородность в области, непосредственно прилегающей к /?-и-переходу.

Апробация работы: По материалам диссертации были представлены тезисы и доклады на следующие конференции: Всероссийский симпозиум «Растровая электронная микроскопия и аналитические методы исследования твердого тела», (Черноголовка, 1997), Международная конференция «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах» (г. Ульяновск, 1997), Международная конференция «Оптика полупроводников», (г.Ульяновск,

2000), Международная конференция «Оптика, оптоэлектроника и технологии», (г.Ульяновск, 2001, 2002).

Достоверность результатов. Достоверность полученных результатов достигнута проведением измерений апробированными методиками на автоматизированных информационных комплексах, укомплектованных новой аттестованной измерительной аппаратурой, согласием экспериментальных результатов и теоретических моделей развитых в ходе работы, согласием основных результатов, полученных в работе, с данными других исследователей.

Личное участие автора. В диссертационной работе изложены результаты полученные как лично автором, так и в соавторстве. Все экспериментальные результаты работы, расчеты и обработка результатов получены и выполнены автором самостоятельно. Научным руководителем оказана помощь в интерпретации некоторых экспериментов и разработке модели туннельной рекомбинации.

Публикаций. По материалам диссертации опубликовано 10 (печатных работ, в том числе 3 статьи и 7 тезисов докладов, опубликованных в сборниках трудах конференций.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка литературы. Диссертация изложена на 147 листах, содержит 40 рисунков, 12 таблиц, список литературы из 122 наименований.

ВЫВОДЫ К ДИССЕРТАЦИИ

Сопоставление исследований концентрационных профилей и термостимулированной емкости эпитаксиальных и ионно-легированных структур показывают, что в результате бомбардировки поверхности фосфида галлия потоком ионов бериллия в близи границы р-я-перехода у середины запрещенной зоны образуется высокая концентрация дефектов (1017см 3), имеющих энергию активации в пределах от 1.0 до 1.1 эВ, отсчитанную от зоны проводимости. В результате исследования температурных зависимостей стационарной емкости ионно-легированных образцов установлено, что электронные состояния, связанные с данными дефектами обмениваются как с зоной проводимости, так и с валентной зоной, но так как коэффициент захвата электронов данных состояний в 200 раз выше, чем дырок с ростом температуры концентрация на них электронов уменьшается. Исследование прямых вольтамперных характеристик эпитаксиальных приборов показало, что они определяются рекомбинацией в области пространственного заряда с участием ряда рекомбинационных центров, имеющих энергии активации 0.25, 0.35, 0.55 и 0.65 эВ. Концентрация состояний с энергией активации в районе 1.0 эВ меньше, чем указанных выше уровней. На величину рекомбинационных токов эпитаксиальных структур самые глубокие центры не оказывают существенного влияния. Основным механизмом, определяющим прямые и обратные токи ионно-легированных структур, является туннельная рекомбинация. Туннельно-рекомбинационные процессы в основном протекают с участием рекомбинационных центров, расположенных у середины запрещенной зоны с энергией активации 1.07 эВ. Анализ данных токов позволил определить энергии активации, вероятность туннельного переноса, концентрацию и оценить коэффициент захвата электронов.

Исследование контраста наведенного тока показало, что ионно-легированные бериллием структуры простанственно-неоднородны вдоль границы раздела р-л-перехода. По площади образца имеются образования, имеющие контраст дискообразной формы. Разработанные методы анализа контраста и сопоставление с работами других ученых в данной области науки, позволили показать, что данные образования имеют эффективный радиус 0.5 мкм и могут быть обусловлены дефектами, скопившимися вокруг дислокации.

9 3 1

Коэффициент захвата их 10″ см с", что согласуется с результатами исследования токов туннельной рекомбинации.

Совокупность полученных результатов и сопоставление с данными, опубликованными в научной литературе, позволяют сделать вывод, что при ионном легировании в фосфиде галлия образуются антиструктурные дефекты в

17 3 17 3 концентрации от 3*10 см" до 7*10 см". Они имеют характерную для антиструктурных дефектов энергию активации от 1.0 до 1.1 эВ, коэффициент захвата электронов 10'9 cmV и дырок 10~п см3с" '. Данные дефекты образуют скопления, приводящие к пространственной неоднородности структур, и к возможному образованию дислокаций.

Показать весь текст

Список литературы

  1. С.В., Светухина О. С., Лукьянов А.Е, Бутылкина Н. А. Определение рекомбинационных параметров дислокации методом наведенного тока // Известия академии наук, серия физическая, 1996 г., т.60, № 2, 41−44.
  2. С.В., Лукьянов А. Е., Светухина О. С., Ионычев В. К., Колмыков Д. В. Рекомбинационная способность дислокаций в карбиде кремния // Известия академии наук, серия физическая, 1998 г., № 3, 587−590.
  3. О.С. Моделирование генерационно-рекомбинационных процессов в ионно-легированных фотоприемниках на основе на основе фосфида галлия // Труды международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии», Ульяновск, 2002 г.
  4. О.С. Туннельная рекомбинация в контактах металл-полупроводник на основе ионно-легированного фосфида галлия // Труды международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии», Ульяновск, 2001 г.
  5. О.С. Рекомбинационные характеристики дислокаций в карбиде кремния, определенные методом наведенного тока // Труды международной конференции «Оптика полупроводников», Ульяновск, 2000 г.
  6. О.С. Рекомбинационные процессы с участием дислокаций в р-п-переходах// Тезисы докладов XXXII научно-технической конференции. УлГТУ., Ульяновск, 1998 г.
  7. С.В., Светухина О. С. Избыточные токи ионно-легированных GaP р-n-переходов, связанные с рекомбинацией через дислокации // Ученые записеи УлГУ, серия физическая. 1997. № 1(3)
  8. С.В., Светухина О. С. Рекомбинационные процессы с участием дислокаций в р-п-переходах // Труды международной конференции «Центры сглубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах» (DC-97), Ульяновск, 1997 г.
  9. В.Е. Кудряшов, К. Г. Золина, А. Н. Туркин, А. Э. Юнович, А. Н. Ковалев, Ф. И. Маняхин Тунельные эффекты в светодиодах на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами//ФТП, 1997, т.31, вып. 11, с. 1304−1309.
  10. В.Е. Кудряшов, А. Н. Туркин, А. Э. Юнович, А. Н. Ковалев, Ф. И. Маняхин Люминесцентные и электрические свойства светодиодов InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами. // ФТП, 1999, т. ЗЗ, вып.4, с. 445−449.
  11. С.С. Мамакин, А. Э. Юнович, А. Б. Ваттана, Ф. И. Маняхин Электрические свойства и спектры люминесценции светодиодов на основе гетеропереходов InGaN/GaN с модулированно-легированными квантовыми ямами. // ФТП, 2003, т.37, вып.9. с.1131−1137.
  12. К.Г. Золина, В. Е. Кудряшов, А. Н. Туркин, А. Э. Юнович Спектры люминесценции голубых и зеленых светодиодов на основе многослойных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами. // ФТП, 1997, т.31, вып.9. с. 1056−1061.
  13. Л.М. Полупроводниковые светоизлучающие диоды. М.: Энергоатомиздат, 1983. 234 с. 6.. Берг Л., Дин П. Светодиоды. / Пер. с англ. под ред. А. Э. Юновича. -М.: Мир. 1979.
  14. А.Э. Излучательная рекомбинация и оптические свойства фосфида галия. / В сб.: «Излучательная рекомбинация вполупроводниках «под ред. Я. Е. Покровского. М.: Наука, 1972. С.224−304.
  15. Yunovich А.Е. Strahlende Recombination und optische Eigenschaften von GaP. // Fortschritte der Physik. 1975. B.23. H.6. P.317−396.
  16. А.Н. Оптические переходы в полупроводниковых твердых растворах.// ФТП. 1977. Т. П. Вып.З. С.425−455.
  17. Физика соединений А3В5. / Под ред. А. Н. Георгобиани, М. К. Шекмана. -М.: Наука. 1986. 340 с.
  18. Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника . / Пер. с англ. под ред. С. А. Медведева. -М.:Мир, 1976.345 с.
  19. В.М., Полторацкий Э. А., Сурис Р. А. Излучательная рекомбинация в GaP п-типа, выращенному по методу Чохральского. // ФТП. 1980. Т. 14. В.6. С.1103−1109.
  20. А.Н. Оптические явления в полупроводниковых твердых растворах АВ.: Докторская диссертация. JI. ЛЭТИ. 1978.
  21. А.А., Пихтин А. Н. Непараболичность зоны проводимости и структура донорных центров в фосфиде галия. // ФТП. 1977. Т. Н. Вып.5. С.876−877.
  22. Kopylov A.A., Pichtin A.N.Shallow impurity states and the free excition binding energy in gallium phosphide. // Sol. St. Comm. 1978. V.26. N11. P.735−740.
  23. Г. Ф., Копылов А. А., Пихтин А. Н. Гиперболическая особенность закона дисперсии экситонов в GaP. // ФТП. 1976. Т.12. Вып.7. С.1327−1330.
  24. А.А. «Двугорбая» структура и параметры Х-минимума зоны проводимости кубических полупроводников АВ. // ФТП. 1982. Т.16. Вып.12. С.2141−2145.
  25. Dean P.J., Herbert D.C.The location of the lowest conduction band minima in galiumphosphide. //Proc. Int. Conf. Semicond. Phys. Roma.1976. P.174−176.
  26. Altarelly M., Sabbatini R.A., Lipari N.U. Camel’s back excitons in GaP. // Sol. St.Comm. 1978. V.25. N 12. P. l 101−1104.
  27. А.Э. Лекции по физике полупроводниковых приборов. 4.1. М. МГУ. 1971.
  28. Sah Chih-Thfng, Noyce R.N., Shockley W. Carrier generation and recombination in p-n junctions and p-n junction caracteristics. // Proc. IRE. 1957. V.45. № 9. P. 1228 -1243.
  29. Shockley W. The theory of p-n junctions in semiconductors and p-n junction transistors. // Bell System Techn. J. 1949. V. 28. № 3. P. 435 489.
  30. М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир.1973. 378 с.
  31. Э.И., Карагеоргий Алкалаев П.М., Лейдерман А. Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках. — М.: Сов. радио. 1978. 234 с.
  32. С.В., Грушко Н. С. Физические принципы функциональной диагностики р-п-переходов с дефектами.- Кишинев. Штиинца. 1992. 268 с.
  33. С.В., Грушко Н. С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. Издательство Московского университета. 1995.399 с.
  34. Logan R.A., White H.G., Wiegmann W. Efficient green electro-luminescent junctions in GaP. // Sol. St. Electron. 1971. V.14. № 1. P. 55−70.
  35. .Н. Электрические и электролюминесцентные свойства GaP:N p-n-структур. Кандидатская диссертация. Л.: ФТИ им. А. Ф. Иоффе. 1980.
  36. Shih К.К., Pettite G.D. Properties of GaP green-light-emitting diodes grown by liquid-phase epitaxy. // J. Appl. Phys. 1968. V. 39. № 11. P. 5025 5029.
  37. Ralston J.M. Detailed light-current-voltage analysis of GaP electroluminescent diodes. // J. Appl. Phys. 1973. V.44. № 6. P. 2635−2641.
  38. C.B. Глубокие центры безызлучательной рекомбинации в светоизлучающих приборах.- Кишинев: Штиинца. 1987.172 с.
  39. Wight D.R., Birbeck J.C.H., Trussler J.W.A., Young N.L. Green electroluminescence in GaP diodes and its correlation with cathodoluminescence measurements. //J. Phys. D. 1973. V.6. № 13. P. 1622−1639.
  40. Stringfellow G.B., Weiner M.E., Burmeister R.A. Growth and properties of GaP for green LEDs. // J. Electron. Mater. 1975. V. 4. № 2. P. 363−387.
  41. Wight D.R. Green luminescene efficieny in GaP. // J. Phys. D- Appl. Phys. 1977. V.10. № 4. P. 431 -454.
  42. Logan R.A., White H.G., Wiegmann W. Efficient green electro- luminescence in nitrogen-doped GaP p-n junctions. Appl. Phys. Lett. 1968. V.13. № 4. P. 139−141.
  43. Ю.Н., Фок М.В. Принципы преобразования электрической энергии в световую. // Тр. ФИАН СССР. 1970. Т.50. С. 106−145.
  44. В.В., Холоднов В. А. Теория диодов с излучательной и безызлучательной примесной рекомбинацией. // ФТП.1970. Т.4. Вып.12. С. 2241−2252.
  45. Карагеоргий Алкалаев П. М. Лейдерман А. Ю Глубокие примесные уровни в широкозонных полупроводниках. — ФАН. 1971. 154с.
  46. Gershenzon М., Logan R.A., Nelson D.F. Electrical and electroluminescent properties of GaP diffused p-n junction. // Phys. Rev. 1966. V. 149. N2. P. 580−597.
  47. Lorentz M.R., Pilkihn M. Preparation and properties of solution-grown epitaxial p-n junctions in Ga. // J. Appl. Phys. 1966. V. 37. N 11. P. 4094−4102.
  48. Э.И., Толпыго К. Б. Прямая вольтамперная характеристикаплоского выпрямителя при значительных токах. // ЖТФ. 1956. Т.26. № 7. С. 1419−1427.
  49. С.В., Грушко Н. С., Сомов А. И., Лакалин А. В. Рекомбинация в области пространственного заряда и ее влияние на коэффициент передачи биполярного транзистора.// ФТП. 1997. Т.31. С.1146−1150.
  50. С.В., Грушко Н. С., Лакалин А. В. Две методики определения энергии активации глубоких уровней из анализа тока рекомбинации в области пространственного заряда р-п перехода.// Заводская лаборатория. 1997. Т.63. С.25−30.
  51. С.В., Грушко Н. С., Лакалин А. В., Дифференциальные методы определения параметров глубоких уровней по рекомбинационным токам р-п перехода. // ФТП. 1998. Т.32. С. 1193−1196.
  52. С.В., Воробьев М. О., Грушко Н. С., Лакалин А. В. Определение параметров глубоких уровней по дифференциальным коэффициентам вольтамперных характеристик.// ЖТФ. 1999. № 5. С.22−27.
  53. С.В., Воробьев М. О., Грушко Н. С., Лакалин А. В. Рекомбинационная спектроскопия глубоких уровней в GaP светодиодах. // ФТП. 1999. Т.ЗЗ. № 6. С.733−727.
  54. С.В., Грушко Н.С. ЖЭТФ
  55. Maeda К. Double injection in GaP electroluminescent diode. // Jap. J. Appl. Phys. 1970. V.9. P. 71−80.
  56. JI.С. Емкостные методы исследования полупроводников. М: Наука. 1972. 125 с.
  57. Bachrach R.Z., Lorimor O.G. Measurement of the intrinsic room temperature minority carrier lifetimes in GaP. // J.Appl.Phys. 1972. V.43. N 2. P.500−507.
  58. И.В. Исследование эпитаксиальных р-п-переходов из фосфида галлия. // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1972. Вып.2. С. 3−9.
  59. Jaros М, Brand М. Localised defect in III-V semiconductors. // Phys. Rew. B. 1976. Vol. 14. P.4494−4505.
  60. Kaufman U., Schneider J., Point defect in GaP, GaAs and InP. // Advan. Electron. And Electron. Phys. 1982. Vol.58. P.81−141.
  61. Killoran N., Cavennet B.C. Spin dependent formation and decay of the triplet antisite center in GaP. // Physica. 1983. Vol. 116 B. P. 425−430.
  62. Ferenzi G., Dozca L. Mechanical stress induced defect in GaP. // Let. Notes Phys. 1983. Vol.175. P.301−307.
  63. Meyer В., Spaef J. Optical intracenter exitations on the PGa antsite defect in GaP.// Phys. Rew. B. 1985. Vol.32. P.1409−1411.
  64. Pots W. Ferry D. Antisite defect in III-V semiconductors. // Phys. Rew. B. 1984. Vol. 29. P.5687−5693.
  65. B.M., Долгинов JI.M., Третьяков Д. Н. «Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов». М., «Советское радио», 1975. 237 с.
  66. Ионная имплонтация и лучевая технология./ Под ред. Вильямса Дж. С., Поута Дж. М. Киев: Наукова думка. 1988. 398 с.
  67. С.А., Изергин А. П., Кузнецов Ю. Н., Першина Т. Е., Першин Ю. И. Желтая электролюминесценция GaP. // ФТП. 1973. Т.7. Вып. 3. С.596−598.
  68. Ланно М, Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Технология полупроводниковых материалов. М., 1961. 230 с.
  69. В.И. Введение в физику полупроводников. М.: Высш. школа, 1975. 296 с.
  70. .И. Диффузия полупроводников. М.: Энергия, 1971. 376 с.
  71. .И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Ленинград: Наука, 1972, — 384 с.
  72. В.В., Машовец Т. В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. -М: Радио и Связь. 1981. 248 с.
  73. В. И. Новые материалы (состояние проблемы и перспективы). М.: МИСИС, 1995. 142 с.
  74. В.И. Беседы о ХТТ и ФТТ. М., 1994. 120 с.
  75. Я.И. Кинетическая теория жидкостей. М., 1945 213 с.
  76. Дж. Физика твердого состояния. М.: Металлургия, 1972. 488 с.
  77. B.C. Киселев В. Ф. Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1990, 216 с.
  78. Электронные свойства дислокаций. Под ред академика Осепьяна Ю. А. М: Эдиториал УРСС. 2000. 319 с.
  79. В.И., Якимов Е. Б. Роль взаимодействия точечных дефектов с дислокациями в формировании электрических свойств полупроводников. (Препринт) АН ССР. Институт физики твердого тела. Черноголовка. 1982. 18 с.
  80. Р.А. Сечение захвата элетронов заряженнолй дислокацией в полупроводнике.// ЖЭТФ. 1979. Т. 76. С. 2241−2248.
  81. З.А. Сечение захвата дырок заряженной дислокацией в полупроводнике в электрическом поле. //ФТП. 1983. Т.17. С.1351−1353.
  82. Figiflski Т. Recombination at dislocation. // Sol. State. Com. 1984. Vol.12. P. llll-1112.
  83. Dimitradis C. Recombination efficiency of single dislocations in GaP. //
  84. З.А. ВАХ полупроводников с ориентированными заряженными дислокациями. //ФТП. 1984. Т. 18. С. 1673−1676.
  85. Chekir F., Lu. G., Barret С. Anomalies in Schottky diode I-V characteristics. // // Sol. State. Electron. 1986. Vol.29. P.519−522.
  86. Pohoryles B. Conduction along the dislocation cores. // Acta physica Polonica. 1986.Vol. A69. P. 397−402.
  87. Pohoryles B. Tunneling transition in silicon Schottky barriers with dislocation. // Acta physica Polonica. 1987.Vol. A71. P. 43−47.
  88. Bohm K. Absence о dislocation- induced luminecsence in GaAs. // Appl. Phys. 1978. Vol. 17. P.155−157.
  89. Sah C.T., Forbs. A. Thermal and optic emission and cross section of electrons and holes at impurity centers in semiconductors from foto and dark junction current capacitance experiment. // Sol. State. Electron. 1970. Vol.13. P.758−789.
  90. А. Глубокие центры в полупроводниках. М: Мир. 1978. 506 с.
  91. Buehler N.G. Impurity centers in p-n-junction determined from shifts in the thermally stimulated current and capacitance responds with heating rate. // Appl. Phys. Lett. 1972. Vol.20. P.193−195.
  92. Sah C.T., Forbs. A., Chan W.W. Thermally stimulated capacitance in p-n-junction. // Appl. Phys. Lett. 1972. Vol. 20. P 347−348.
  93. JI.C. Емкостные методы исследования полупроводников. М: Наука. 1972. 125 с.
  94. Н.С., Гуткин А. А. Применение фотоемкостного метода для исследования электрон-фоннонного взаимодействия при ионизации глубоких центров в фосфиде индия, легированного железом.// ФТП. 1975. Т.9. С.58−63.
  95. В.И., Эфрос Ф. Л. Емкость /э-л-переходов с глубокими примесями. // ФТП. 1967. Т. 1.С. 1693−1698.
  96. И.М., Мазурик Н. Е. Действие примесного света на емкость р-п-перехода. // ФТП 1969. Т.З. С. 374−379.
  97. С.В., Радауцан С. И. Определение параметров глубоких рекомбинационных центров с помощью модифицированного метода термостимулированной емкости.// ФТП. 1981. Т. 15. С.1443−1446.
  98. Lang D.V. Fast capacitance transient apparatus: Application ZnO and О centers in GaP p-n-junction. // J.Appl.Phys. 1974. Vol.45.P.3014−3022.
  99. Bone Nielsen K., Dobaxzewski L. Piezoscopic deep level transient spectroscopic studies of the silicon divacancy. // Phys.Rev. B. 2002. Vol.65. P. l 13−119.
  100. Bone Nielsen K., Dobaxzewski L., Goscinski K. Deep level associated with vacansy-hydrogen complex investigate by Laplace transform DLTS. // 1999. Physica В 272−274. P. 167−171.
  101. Eiche C., Maer D., Weese J., Comment on inverse problem for the nonexponential deep level transient spectroscopy. // J.Appl. Phys. 1994. Vol. 75. P. 1242−1249.
  102. С.В., Фистуль В. И., Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках. М: Наука 1997. 351 с. С
  103. С.В., Светухин В. В. Физические основы управления дефектообразованием в полупроводниках. Ульяновск. Издательство Ульяновского государственного университета. 2002. 385 с.
  104. Buehler N.G. Impuring centers in p-n junction denerminde from shifts in the thermally stimulated current fnd capacitence respons with heating ratte. // 1972. Vol.20. P.193−195.
  105. Sah S.T., Chan W. W., Fu H.S. Thermally stimmullated capacitance (TSCAP) in p-n junction. // Appl. Phys. Let. 1972. Vol.20. P. 193−195.
  106. H.M., Мамедов Р. Ф., Мероджлалилова M.A. Термостимулированные токи в р-п-переходах фосфида галлия. // Физика электронно-дырочных переходов в полупроводниковых приборах. JL: Наука. 1967. С. 267−270.
  107. В.Г., Грибенков А. Н. и др. Теория термостимулированных токов в р-п-переходе с глубокими ловушками в области пространственного заряда. // ФТП. 1973. Т.7. С. 741−745.
  108. С.В., Грушко Н. С., Кортченков Г. С., Молдодян И. П. Об определении некоторых параметров глубоких центров в фосфиде индия, легированном хромом и железом. / Деп. в ВИНИТИ. № 6668 73. 1973.
  109. Е.В., Сальман Г. С. Термостимулированные процессы в полупроводниках. -М.: Наука. 1972.
  110. .И., Эфрос A.JT. Электронные свойства легированных полупроводников. М: «Наука». 1979. 416 с.
  111. Н.Мотт, Э. Дэвис Электронные процессы в некристаллических веществах. М: Мир. 1982. 662с.
  112. Васько Ф. Т, Пипа В. И. //ЖЭТФ.1999. Т115. № 4. С. 1337−1343.
  113. Ю.А., Казаков И. П., Копаев В. В., Копаев Ю. В., Корняков Н. В., Тюрин А. Е. // Письма в ЖЭТФ. 1999. Т.69. № 3. С. 194−199.-111. Rentzch R., Slimac I.S.//Phys.Stat.Sol.(a) 1977. V.43. P.231−238.
  114. R.A. //Adv.Phys. 1981. V.30. P.593−600.
  115. М. Контрольно-измерительная техника.- М.: Энергоатом из дат. 1989.
  116. Г. В. Введение в растровую электронную микроскопию. М.: МГУ. 1990.
  117. Е.Б. Наведенный электронным пучком ток и его использование для характеризации полупроводниковых структур.// Известия Российской Академии наук. 1992. Т.56. Вып.З. С. 31−44.
  118. А.Н., Лукьянов А. Е., Альшаер В. и др. Расчеты контраста РЭМ -изображений микродифектов кристалла кремния. // Известия Российской Академии наук. Серия физическая. 1992. Т.36. Вып. 3. С. 45−49.
  119. Pasemann L.//J.Physique (Paris)/ 1983, V.44, р. С4−423.
  120. Donolato С.// Optic (Stuttgart), 1978, V.52, p.19.
  121. Л., Хегерт В. EBIC- и катодолюминесцентный контраст от индивидуальных дислокаций //Изв. АН СССР, сер. Физическая, т.51, № 9, стр. 1528−1534.
  122. Donolato С.// Appl. Phys. Lett. (USA), 1979, V.34, P.80.
  123. Young M. L. and D. R. Wight,/. Phys. D7 13 (1974) p.1824−1837.
  124. Pasemann L., Blumtritt H., Gleichman R.//Phys.Stat.Sol. (a), 1982, V.70, p. 197.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!