Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Влияние внутренних электрических и упругих полей моно-, микро-и нанокристаллов на характеристические параметры глубоких центров в халькогенидах цинка

Диссертация: Влияние внутренних электрических и упругих полей моно-, микро-и нанокристаллов на характеристические параметры глубоких центров в халькогенидах цинка
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Апробация работы: материалы диссертационной работы обсуждались: научно-практической конференции «Молодежь и наука Дагестана» (Махачкала, 2001 г.) — Международных конференциях «Оптика, оптоэлектро-ника и технологии» (Ульяновск, 2002 и 2003 г.) — IV Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (Санкт-Петербург, 2004 г.) — Международной конференции «Fizika-2005» (Баку… Читать ещё >

Влияние внутренних электрических и упругих полей моно-, микро-и нанокристаллов на характеристические параметры глубоких центров в халькогенидах цинка (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ВВЕДЕНИЕ. 4 сгр
  • ГЛАВА 1. ПРИРОДА И ХАРАКТЕРИСТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ГЛУБОКИХ ЦЕНТРОВ В СОЕДИНЕНИЯХ А2Вб. ВЛИЯНИЕ УПРУГИХ ДЕФОРМАЦИЙ НА ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ, (обзор)
    • 1. 1. Природа и характеристические параметры центров с глубокими уровнями в соединениях, А В
      • 1. 1. 1. Энергетический спектр электронных состояний в соединениях
      • 1. 1. 2. Центры прилипания
      • 1. 1. 3. Центры рекомбинации
    • 1. 2. Влияние упругих деформаций на энергетический спектр электронных состояний
      • 1. 2. 1. Влияние одноосного давления
      • 1. 2. 2. Влияние ультразвука
  • ВЫВОДЫ
  • ГЛАВА II. МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Характеристика исследованных образцов
    • 2. 2. Экспериментальная установка
    • 2. 3. Методика эксперимента
  • Г Л, А В, А III ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО ЗАРЯДА МИКРО-, ИАНОКРИСТАЛЛОВ ZnS, ZnO НА СЕЧЕНИЯ ЗАХВАТА ЭЛЕКТРОННЫХ ЦЕНТРОВ ПРИЛИПАНИЯ
    • 3. 1. Термолюминесцентные свойства микро-, нанокристаллов на основе сульфида и оксида цинка. Характеристические параметры электронных ЦП
    • 3. 2. Объяснение термолюминесцентных свойств микро-, нанокристаллов на основе сульфида и оксида цинка
    • 3. 3. Диагностика концентрационного распределения атомов ЦП в объеме микро-, нанокристаллов на основе ZnS, ZnO
    • 3. 4. Эффект Гуддена-Пуля в микрокристаллах сульфида цинка
      • 3. 4. 1. Экспериментальные данные
      • 3. 4. 2. Интерпретация экспериментальных данных
  • ВЫВОДЫ Г Л, А В, А IV ВЛИЯНИЕ УПРУГОЙ ДЕФОРМАЦИИ НА ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ЦЕНТРОВ С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ В МОНОКРИСТАЛЛАХ СУЛЬФИДА И СЕЛЕНИДА ЦИНКА
    • 4. 1. Влияние одноосного давления на энергетический спектр центров излучательной рекомбинации
    • 4. 2. Влияние ультразвуковой обработки на энергетический спектр электронных состояний в монокристаллах ZnS, ZnSe
      • 4. 2. 1. Методика эксперимента
      • 4. 2. 2. Влияние ультразвуковой обработки на энергетический спектр электронных ЦП в монокристаллах ZnS
      • 4. 2. 3. Влияние ультразвуковой обработки на фотоэлектрические и люминесцентные свойства монокристаллов ZnSe
  • ВЫВОДЫ

Халькогениды цинка (ZnO, ZnS, ZnSe) являются типичными представителями широкозонных соединений группы А" В. На формирование их фотоэлектрических и люминесцентных свойств, как и других полупроводниковых материалов, оказывают влияние глубокие центры, которые в зависимости от характера участия в процессах релаксации неравновесных носителей заряда делятся на центры прилипания (ЦП) и рекомбинации (ЦР). Характеристические параметры (энергия ионизации Е, сечения захвата электронов Sn и дырок Sp, концентрация N) этих центров определяют спектральные диапазоны люминесценции и фоточувствительности, инерционность и квантовую эффективность большинства современных оптоэлектроиных приборов.

В настоящее время в халькогенидах цинка установлена физико-химическая природа и характеристические параметры многих глубоких центров, показано значение последних в различных неравновесных процессах, раскрыты схемы электронно-дырочных переходов с их участием. Эти исследования, например, позволили разработать на основе сульфида цинка эффективные катодои электролюминофоры, визуализаторы инфракрасного излучения.

Вместе с тем, соединения группы А" В в отличие от классических полупроводников (кремний, германий) обладают рядом специфических особенностей. Например, наличие трудно контролируемого состава точечных дефектов кристаллической структуры и остаточных примесей, приводит к появлению в их запрещенной зоне богатого спектра электронных состоянийбольшое число макроскопических дефектов (дислокации, границы блоков двойпиковапия и т. п.) в кристаллах приводит к возникновению сильных электрических и упругих полей, что сопровождается флуктуацией зонного потенциала. Перечисленные особенности приводят к тому, что генерацион-но-рекомбипационные процессы контролируются не одним типом ЦП и ЦР, а всей совокупностью глубоких центров, наблюдаемых в изучаемом образце, а вблизи макроскопических дефектов они существенно отличаются от подобных процессов в «нормальных» областях кристалла. Эти обстоятельства заставляют исследователей проводить поиск простых, но эффективных методов позволяющих идентифицировать структуру и физико-химическую природу центров, установить особенности их взаимодействия с крупномасштабными нарушениями кристаллической структуры объекта исследования.

С точки зрения общего подхода к реальной полупроводниковой структуре, исследования глубоких центров представляют не только фундаментальный интерес, но и определяют перспективы использования полупроводниковых материалов при разработке новых оптоэлектронных устройств.

Таким образом, определение физико-химической природы, структуры и характеристических параметров глубоких центров в полупроводниках со сложным энергетическим спектром локализованных состояний и нарушенной трансляционной кристаллографической симметрией представляют собой весьма актуальную задачу физики полупроводников.

Настоящая диссертационная работа и посвящена в основном решению этой проблемы в соединениях ZnS, ZnSe и ZnO относящихся к перспективным материалам фотои оптоэлектроники.

Основная цель диссертационной работы — изучение влияния внутренних электрических и упругих полей, созданных макроскопическими дефектами кристаллической структуры, на характеристические параметры центров с глубокими уровнями в соединениях ZnS, ZnSe и ZnO .

Для достижения поставленной цели решаются следующие задачи:

— методами фотои термоактивационной спектроскопии определяются энергетический спектр электронных и дырочных состояний, сформированных глубокими центрами;

— определяются структура, характеристические параметры и физико-химическая природа ЦП и ЦР в моно-, микрои нанокристаллических образцах различного химического состава;

— проводится классификация ЦП и изучаются особенности генераци-онно-рекомбинационных процессов с их участием в образцах с различным типом макроскопических дефектов, находятся диагностические признаки наличия электрических полей этих дефектов и предлагаются методы оценки параметров последних;

— сравнением теоретически рассчитанных и экспериментальных фото-и термоактивационных спектров доказывается справедливость предлагаемых моделей генерационно-рекомбинационных процессов с участием глубоких центров, протекающих в полупроводниках с нарушенной трансляционной симметрией.

Экспериментальные исследования проводились с применением комплекса методов, основанных па изучении спектральных и кинетических характеристик примесной и индуцированной примесной фотопроводимости, фотои термолюминесценции, оптического и термического гашения фотопроводимости и люминесценции. При реализации данных методов исследуемые образцы подвергались воздействию внешних электрических полей, одноосной деформации и ультразвуковой обработке, что позволило раскрыть широкие методические возможности этих методов для изучения особенностей взаимодействия точечных и макроскопических дефектов в полупроводниковых кристаллах.

Научная новизна работы. Экспериментальные и теоретические исследования, выполненные в диссертационной работе, позволили:

1. Определить физико-химическую природу, характеристические параметры и особенности проявления глубоких центров в генерационнорекомбинациопных процессах в моно-, микрои напокристаллах соединений ZnS, ZnSe и ZnO.

2. Обнаружить в люминофорах на основе ZnS и ZnO эффект пространственной модуляции кинетических параметров медленных электронных ЦП электрическим полем пространственного заряда поверхностных состояний микрои нанокристаллов.

3. Установить, что ультразвуковая обработка монокристаллов приводит: а) к перестройке ассоциированных точечных дефектов собственной структуры кристалла и «выталкиванию» атомов электронных ЦП из области упругих и электрических полей дислокацийб) к движению краевых дислокаций, в результате чего наблюдается перегруппировка и генерация дефектов, образующих глубокие уровни фоточувствительности и излучательпой рекомбинации.

4. Выявить анизотропию спектральных сдвигов полос фотолюминесценции, обусловленных ассоциированными центрами излучательпой рекомбинации, в зависимости от величины и направления одноосного давления.

5. На основании существующей теории термоактивационной спектроскопии разработать алгоритмы и вычислительные процедуры, позволяющие учесть генерационно-рекомбинациопные процессы, протекающие в реальных полупроводниках и люминофорах с участием глубоких центров.

Научно-практическая значимость работы :

1. Определены характеристические параметры глубоких центров в моно-, микрои напокристаллах ZnS, ZnSe и ZnO, нашедших практическое применение в современной оптоэлектронике.

2. Предложен метод определения параметров (Дер, D, Е) области пространственного заряда макроскопической неоднородности кристаллической решетки полупроводника и концентрационного распределения в пей атомов электронных ЦП.

3. Разработан метод ультразвуковой обработки монокристаллов, позволяющий осуществлять перестройку энергетического спектра электронных состояний в запрещенной зоне полупроводника.

4. Разработаны, теоретически обоснованы и экспериментально проверены алгоритмы компьютерного моделирования термоактивационных процессов в реальных полупроводниках.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. Расширение спектра значений сечения захвата (St) электронных центров прилипания с дискретным энергетическим уровнем (Et) — результат упорядоченного распределения точечных дефектов собственной или примесной природы в объеме пространственного заряда, созданного поверхностными состояниями микрои напокристаллов.

2. Внутренние электрические и упругие поля макроскопических дефектов определяют пространственное распределение точечных и ассоциированных центров с глубокими уровнями в моно-, микрои нанокристаллах широкозонных соединений А" В и оказывают влияние на формирование их кинетических (St) и энергетических (Et) параметров.

3. Внешние «допороговые» упругие поля (ультразвуковая обработка) приводят к перестройке ассоциированных точечных дефектов монокристалла, «выталкиванию» атомов электронных центров прилипания из области упругих и электрических полей дислокаций, что сопровождается ростом энергии их ионизации и увеличением сечения захвата электронов этими состояниями.

4. Движение краевых дислокаций в результате «мягкой» обработки монокристаллов ультразвуком сопровождается перегруппировкой и генерацией дефектов, образующих глубокие уровни фоточувствительности и излу-чательной рекомбинации.

Апробация работы: материалы диссертационной работы обсуждались: научно-практической конференции «Молодежь и наука Дагестана» (Махачкала, 2001 г.) — Международных конференциях «Оптика, оптоэлектро-ника и технологии» (Ульяновск, 2002 и 2003 г.) — IV Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (Санкт-Петербург, 2004 г.) — Международной конференции «Fizika-2005» (Баку, 2005 г.) — VII Российской конференции по физике полупроводников (Москва, 2005 г.) — Международной конференции «Оптика, наноэлектроника, нанотехноло-гии» (Владимир, 2005 г.) — Международных конференциях «Опто-, наноэлектроника, панотехнологии и микросистемы» (Ульяновск, 2006 и 2007 г. г.) — 9-ом Международном симпозиуме «Порядок, беспорядок и свойства оксидов» (Ростов-на-Дону, 2006 г.) — 13-ой Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых (Таганрог, 2007 г.).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 15 печатных работ, в том числе 4 статьи, 3 доклада и 8 тезисов докладов.

Достоверность полученных результатов достигнута проведением исследований по апробированным методикам на автоматизированном спектрально-вычислительном комплексе (КСВУ-23), согласием экспериментальных результатов и теоретических моделей, развитых как самим автором, так и основоположниками теории термоактивационной спектроскопии, согласием результатов работы с данными других исследователей.

Личный вклад автора. В диссертационной работе изложены результаты, полученные как лично автором, так и в соавторстве. Все экспериментальные результаты работы по исследованию фотоэлектрических и люминесцентных свойств соединений ZnS, ZnSe и ZnO, обработке данных и их обобщению выполнены автором самостоятельно. Научным руководителем Камиловым И. К. и научным консультантом Зобовым Е. М. оказана помощь в интерпретации некоторых экспериментов и разработке моделей генерацион-но-рекомбинационных процессов в этих материалах.

Автор выражает благодарность: Абдуеву А. Х., Ахмедову А. К., Асваро-ву А.Ш. за предоставленные для исследования образцы нанокристаллов (вис-керов) ZnO и за проведение SEM исследованийРизаханову М.А., Габибову Ф. С., Хамидову М. М. за постоянное внимание и полезное обсуждение результатов экспериментальных работМаняхину Ф.И. и Наими Е. К. (МИСИС, г. Москва) за предоставленную возможность проведения ультразвуковой обработки монокристаллов ZnS, ZnSe и обсуждение результатов экспериментасвоему научному руководителю — Камилову И. К. за постоянное внимание, как к самой научной работе, так и ее автору.

Г ЛАВА I.

ПРИРОДА И ХАРАКТЕРИСТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ГЛУБОКИХ ЦЕНТРОВ В СОЕДИНЕНИЯХ А2В6. ВЛИЯНИЕ УПРУГИХ ДЕФОРМАЦИЙ НА ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ (обзор).

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Причиной аномально малых сечений захвата электронных центров прилипания в микрои нанокристаллах соединений ZnS и ZnO является локализация этих центров в области пространственного заряда поверхностных состояний. Расширение спектра значений сечения захвата (St) электронных центров прилипания с дискретным энергетическим уровнем (Et) — результат упорядоченного распределения точечных дефектов собственной или примесной природы в объеме пространственного заряда, созданного поверхностными состояниями микрои нанокристаллов. В нанокристаллах, диаметр которых больше 10 нм, размерное квантование электронных состояний глубоких центров прилипания отсутствует.

2. Наличие в микро-, нанокристаллах электронных центров прилипания с дискретным энергетическим уровнем и сечением захвата пространственно промодулированным электрическим полем заряда поверхностных состояний приводит к увеличению температурного диапазона ионизации центров и расширению спектральных полос термостимулированной люминесценции. Анализ экспериментальных спектров термолюминесценции полии нанокристаллов позволяет определить параметры (Acp, D, Е) области пространственного заряда поверхностных состояний.

3. Внешнее электрическое поле напряженностью 2 105- 2 106 В/м приводит к увеличению эффективного сечения захвата (St) центров прилипания, что облегчает процесс их термической ионизации, при этом энергетические характеристики центров остаются неизменными.

4. На основании существующей теории термоактивационной спектроскопии представляется возможным разработать алгоритмы и вычислительные процедуры, позволяющие учесть генерационно-рекомбинационные процессы, протекающие в реальных полупроводниках и люминофорах с участием глубоких центров.

5. Одноосное давление в области упругих деформаций позволяет выявить анизотропию спектральных полос фотолюминесценции, обусловленных ассоциированными центрами излучательной рекомбинации.

6. Ультразвуковая обработка монокристаллов приводит: а) к перестройке ассоциированных точечных дефектов собственной структуры кристалла и «выталкиванию» атомов электронных ЦП из области упругих и электрических полей дислокацийб) к движению краевых дислокаций, в результате чего наблюдается перегруппировка и генерация дефектов, образующих глубокие уровни фоточувствительности и излучательной рекомбинации.

7. Локализация точечных и ассоциированных дефектов в области электрического и упругого поля макроскопического дефекта кристаллической структуры полупроводника формирует кинетические и энергетические параметры глубоких центров прилипания.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Р. Фотопроводимость твердых тел.//М.: изд-во «ИЛ».-1962, 5581. С.
  2. Aven М., Prener J.S. Physics and Chemestry of II-VI Compounds // Amsterdam." 1967. (Перевод под ред. С. А. Медведева Физика и химия соединений А2В6. М.: «Мир».- 1970.)
  3. Ф. Химия несовершенных кристаллов.// (Под редакцией Пол-торака О.М.) М.: «Мир», — 1969. 654 С.
  4. A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров.// М.: «Высшая школа».- 1971. 336 С,
  5. Д. Люминесценция кристаллов//М.: изд-во «ИЛ».-1961.-194 С.
  6. В.Е., Любченко А. В., Шейнкман М. К. Неравновесные процессы в фотопроводниках.// Киев: изд-во «Наукова Думка».-1981. -264 С. 1 С
  7. Физика соединений, А В // (Под редакцией Георгобиани А. Н., Шейнк-мана М.К.).- М.: «Наука».- 1986. 320 С.
  8. В.Н., Сальман Е. Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах.// Новосибирск: изд-во «Наука».- 1979.- 333 С.
  9. Н.К., Кузнецов В. А. Сульфид цинка получение и свойства.// М.: изд-во «Наука», — 1987. 200 С.
  10. Д.Д., Симашкевич А. В. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка.//Кишинев: изд-во «ШТИИНЦА».- 1984.- 150 С.
  11. И.П., Никитенко В. А. Оксид цинка. Получение и оптические свойства. // М.: «Наука».- 1984.- 166 с.
  12. М.А., Габибов Ф. С., Гасанбеков Г. М., Шейнкман М. К. Основные особенности электронных центров захвата Ес-(0.14−0.55) эВ в халькогенидах кадмия и их объяснение.// Депонировано ЦНИИ «Электроника».- Р-3270/81.
  13. М.А. Вакансионно-примесная модель электронных центров захвата Ес- (0.14−0.55) эВ в халькогенидах кадмия наблюдаемых термоактивационными методами.// Депонировано ЦНИИ «Электроника».- Р-3271/81.
  14. Ф.С., Зобов Е. М., Гарягдыев Г. Г., Эмиров Ю. Н., Ризаханов М. А. Быстрые и медленные центры прилипания электронов в фотопроводниках CdS, CdSe.// Фотоэлектроника: Респ. межвед. научный сб.: Одесса-Киев, — 1987, — вып. 1, С. 54−59.
  15. Sacalas A., Baubinas R. Scattering centers and their ralation to the recombination centers in singl crystals of CdSe.// Phys. Stat .Sol.(a).- 1975, — v.31, № 1, P. 301−307.
  16. А. Собственные дефекты в селенистом кадмии.// Лит. физ.сборник.- 1979.-т.19, № 2, С. 233−240.
  17. Р., Вищакас Ю., Сакалас А., Янушкевичус 3. О природе центров чувствительности в кристаллах CdSe.// Лит. физ. сборник.- 1974.-т.14, № 4, С. 609−611.
  18. М.К., Ермолович И. Б., Беленький Г. Л. Природа инфракрасной люминесценции (X m = 1.2 мкм) в монокристаллах CdSe и ее связь с фотопроводимостью.// Физика твердого тела. -1968.- т. 10, № 6, С. 17 691 772.
  19. М.А. Оъяснение линейчатых спектров индуцированной примесной фотопроводимости в CdS-CdSe на основе представлений о до-норных молекулах.// Физ. и техн. полупроводников.-1982.- т. 16, № 4, С. 699 702.
  20. Kokubin J., Watanabe Н., Wada М. Photoluminescence of CdSe singl crystals.// Jap. J. Appl. Phys.- 1977,-v.13, № 9, P. 1393−1396.
  21. Manfredotti C., Murri R., Pepa E., Semisa D. Photoelectronic properties of photoconducting CdSe.// Phys. Stat. Sol. (a).-1973.- v.20, № 2, P.477−486.
  22. А.Г., Киреев П. С., Кондауров H.M. Фотоэлектрические явления и фотолюминесценция в тонких эпитиксиальных слоях селенида кадмия.// Известия Вузов, сер. физика, — 1975.- № 3, С. 61−66.
  23. А.В., Булах Б. М., Турина И. А. Особенности рекомбинации в низкоомных кристаллах CdSe.// Физ. и техн. полупроводников.- 1976.- т. 10, №. 5, С. 923−929.
  24. Kindleysides L., Woods J. Electron traps in cadmium selenide.// J. Phys.-1970.- D3, № 4, P. 451−461.
  25. Opanowicz A. Determination of electron trapping parameters from thermally stimulated current in cadmium selenide.// Bull. Acad. Polon. Sci. Ser. Sci. math, astron. et phys.- 1969, — v. 17, № 12, C. 845−850.
  26. Manfredotti C., Rizzo A., Vasanelli L., et.al. Electron trapping levels in cadmium selenide crystals.// J. Appl. Phys.-1973.-v.44, № 12, P. 5463−5469.
  27. А.Г., Meccepep M.A. К анализу сильно компенсированных уровней ловушек методами термостимулированной проводимости.// Физ. и техн. полупроводников.- 1971.- т.5, № 2, С. 178−180.
  28. И.Б., Булах Б. М., Красикова С. М., Шейнкман М. К. Влияние условий роста монокристаллов CdSe на образование в них центров излучательной рекомбинации.//Укр. физ. журнал.- 1974.- т. 19, № 10, С. 1725.
  29. И.Б., Павелец A.M., Ханат Л. Н. Механизм температурного тушения люминесценции, обусловленной глубокими центрами в твердых растворах CdSexTei.x.// Укр. физ. журнал.- 1986.- т.31, № 3, С. 446−451.
  30. Ture I.E., Claybourn М., Brinkman A.W., Woods J. Copper centeers in CdSe.//J. Appl. Phys.- 1986.- v.60, № 5, P. 1670−1675.
  31. E.M., Гарягдыев Г. Г., Ризаханов M.A. Новые квазилинейчатые спектры индуцированной примесной фотопроводимости в CdSe:Ag, обусловленные распределенными донор-донорными парами.// Физ. и техн. полупроводников." 1987.- т.21, № 9, С. 1637−1641.
  32. М.А., Габибов Ф. С. Спектральные сдвиги полос индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS:Ag.// Физ. и техн. полупроводников,-1979.- т.13, № 7, С. 1324−1328.
  33. М.А., Эмиров Ю. Н., Габибов Ф. С., Хамидов М. М. Природа оранжевой люминесценции в кристаллах CdS:Ag.// Физ. и техн. полупроводников.- 1978.- т.12, № 7, С. 1342−1346.
  34. М.А., Эмиров Ю. Н., Абилова Н. А. Спектральные сдвиги полос индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS:Cu, обусловленные фотохимическими реакциями.// Физ. и техн. полупроводников." 1980.- т.14, № 9, С. 1665−1671.
  35. М.К. Люминесценция и фотопроводимость в полупроводниках А2В6.// Изв. АН СССР, сер. физ.- 1973.- т.37, № 2, С. 400−404.
  36. М.А., Гасанбеков Г. М., Шейнкман М. К. Зависимость сечения захвата электронов центрами прилипания в кристаллах CdS : Ag от их энергетического положения.// Физ. и техн. полупроводников.-1975.- т.9, № 4, С. 779−782.
  37. А.Г., Сандомирский В. Б., Ожередов А. Д. и др. К определению параметров ловушек по кривым термостимулированного разряда конденсатора.// Физ. и техн. полупроводников.- 1969.- т. З, № 12, С. 1755−1758.
  38. Э.Б., Свечников С. В., Чалая В. Г. Термостимулированные токи в слоях сульфида кадмия.//Укр. физ. журнал,-1969.- т.14, № 4, С.670−673.
  39. М.К., Ермолович И. Б., Беленький Г. Л. Механизм оранжевой, красной и инфракрасной фотолюминесценции монокристаллов CdS и параметры соответствующих центров свечения.// Физика твердого тела.-1968.- т. 10, № 9, С. 2628−2638.
  40. Istratov A. A. Studies of the dislocation induced deep levels in CdS using deep level transiend spectroscopy with optical excitation.// Rhys. Status Solidi. A.-1995.- v. l 50, № 2, P. K15-K17.
  41. B.H., Волкова E.C., Тоцина Г. С. Излучательные рекомби-национные процессы в высокочистом сульфиде кадмия с малым отклонением от стехиометрии.// Неорган, материалы.-1997. -т. 33, № 2, С. 174−177.
  42. Е.Н., Касымова Р. С., Рыбкин С. М. Кинетика индуцированной примесной фотопроводимости в теллуриде кадмия.// Физика твердого тела, — 1961.- т. З, № 8, С. 2417−2426.
  43. В.П., Савицкий А. В., Никонюк Е. С. и др. Энергетический спектр уровней захвата в теллуриде кадмия, легированного германием.// Физ. и техн. полупроводников.- 1974.- т.8, № 5, С. 1035−1037.
  44. Н.В., Аркадьева Е. Н., Матвеев О. А., Рудь Ю. В. Электрические и фотоэлектрические свойства высокоомных кристаллов теллурида кадмия.// Физ. и техн. полупроводников.- 1968.- т.2, № 7, С. 932−938.
  45. А.В., Потыкевич И. В., Борейко Л. А. Параметры центров фоточувствительности в высокоомных кристаллах CdTe р-типа.// Физ. и техн. полупроводников.- 1971.- т.5, № 9, С.1704−1707.
  46. Н.В., Аркадьева Е. Н., Матвеев О. А. Люминесценция комплексов вакансия кадмия донор в кристаллах CdTe.// Физ. и техн. полупроводников.- 1971.- т.5, № 5, С. 869−875.
  47. Е.В., Гарягдыев Г., Любченко А. В., Сальков Е. А. Механизмы рекомбинации через многозарядные акцепторы в рекристаллизованных слоях теллурида кадмия.// Укр. физ. журнал.-1989.- т.34, № 2, С. 228.
  48. .И., Матлак В. В., Парфенюк О. А., Савицкий А. В. Особенности комплексообразования в p-CdTe при значительных концентрациях собственных дефектов.// Физ. и техн. полупроводников.-1986.-т.20, № 5, С.849−852.
  49. Soltani М., Certier М., Evrard R., Kartheuser Е. Photoluminescence of CdTe doped with arsenic and antimony acceptors. // J. Appl. Phys. 1995. — v.78, № 9, P. 5626−5632.
  50. Elmanharawy M.S., Abdel-Kader A. On the nature of fluorescent centers and traps in some ZnS-phosphors activated with silver and copper.// Acta Phys. Polon.- 1979.- v. A56, № 1, P. 19−29.
  51. З.П., Панасюк Е. И., Туницкая В. Ф., Филина Т. Ф. К вопросу о происхождении центров свечения и уровней захвата электронов в самоактивированных кристаллах ZnS.// Журн. прикл. спектроскопии.- 1969.- т. 10, № 5, С. 819−824.
  52. Ceva Т., Lambert В. Etude de la termoluminescence et de la contuctivide dun ZnS: Cu, Ce a dans bandes d’emission.// J. Phys.- 1965.- v.25, № 10, P. 587 590.
  53. Ребане K.-C.K., Руттас В. И. Термостимулированная люминесценция и стимуляция ИК-светом фосфоров ZnS.// Журн. прикл. спектроскопии.-1971.- т. 15, № 4, С. 647−652.
  54. И.А., Чиковани Р. И., Школьник A.JL, Джахуташвили Т. В. Определение параметров локальных уровней в монокристаллах ZnS.// Физика твердого тела.- 1964.- т.6, № 10, С. 2945−2952.
  55. В.А., Тале В. Г., Тале И. А., Таушканова JI.B. Энергетический спектр в люминофорах ZnS.// Журн. прикл. спектроскопии.- 1981.-т.34, № 2, С. 253−259.
  56. В.Ф., Лепнев Л. С. Стимуляция свечения неактивированных монокристаллов ZnS инфракрасным светом.// Журн. прикл. спектроскопии.-1977, — т.26, № 4, С. 706−711.
  57. Ф.Ф., Гордиенко Ю. Н. Спектры ИК-стимулированной люминесценции монокристаллов ZnCdS:Cu.// Журн. прикл. спектроскопии.-1974.- т.20, № 1, С. 76−80.
  58. М.М., Рамазанов П. Е., Сальман Е. Г. Локальные уровни пленок ZnS// Известия ВУЗов. Физика.- 1973.- № 10, С. 95−97.
  59. В.А., Левшин В. Л. Термостимулированная и фотостимули-рованная проводимость монокристаллов ZnS.// Журн. прикл. спектроскопии, — 1965.- т. З, № 6, С. 504−509.
  60. М.А., Зобов Е. М., Хамидов М. М. Структурно сложные двухдырочные и двухэлектронные медленные ловушки с бикинетическимисвойствами в кристаллах p-ZnTe, n-ZnS.// Физ. и техн. полупроводников.-2004.-т. 38, № 1, С. 49−55.
  61. Ю.П., Туницкая В. Ф., Филина Т. Ф. О природе центра свечения полосы с максимумом 2.66 эВ, входящей в состав голубого излучения самоактивированного ZnS.// Журн. прикл. спектроск.- 1973.- т.19.- № 3.- С. 469−474.
  62. Ю.В., Тимофеев Ю. П. Термовысвечивание неактивированного сульфида цинка при электронном возбуждении.// Изв. АН СССР. Сер. физ.- 1969, — т. 33, № 6, С. 951−960.
  63. З.П., Панасюк Е. И., Туницкая В. Ф., Филина Т. Ф. Приготовление кристаллов сульфида цинка и природа центров голубого свечения самоактивированного ZnS.// Труды ФИАН СССР, М.: изд-во «Наука».-1972, — т.59, С. 38−64.
  64. З.П., Панасюк Е. И., Туницкая В. Ф., Филина Т. Ф. Свойства индивидуальных полос излучения самоактивированного сульфида цинка и природа соответствующих центров свечения.// Изв. АН СССР, сер. физич.-1971, — т.35, С. 1437−1440.
  65. Ю.В., Георгобиани А. Н., Гершун А. С. и др. Рекомбинацион-ное излучение в сульфиде цинка.// Оптика и спектроскопия.- 1967.- т.22, № 4, С. 655−656.
  66. А.Н., Котляревский М. Б., Михайленко В. Н. Структура дефектов в ZnS с собственнодефектной дырочной проводимостью.// Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1981.-т. 17, № 7, С. 1329−1334.
  67. А.Н., Котляревский М. Б., Рогозин И. В. Глубокие акцепторные центры в, А В .// Труды международной конференции «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах».-Ульяновск: изд-во УГУ.-1997.- С. 26.
  68. А.Н., Маев Р. Г., Озеров Ю. В., Струмбан Э. Е. Исследование глубоких уровней в монокристаллах сульфида цинка.// Изв. АН СССР, сер. физ, — 1976. т.40, № 9, С. 1079−1983.
  69. И., Юрма Э. ИК стимуляция фотопроводимости монокристаллов ZnS-Cu.// Изв. АН ЭССР. Сер. физ.-мат, — 1975.- т.24, № 2, С. 195−200.
  70. Igaki Konso, Satoh Shiro. The electrical properties of Zinc selenide heat-treated in controlled Partial Pressures of constituent elements.// Japan J. Appl. Phys.- 1979.-v, 18,№ 10, P. 1965−1972.
  71. П.Л., Палмре И. В. Центры свечения в легированном ZnSe и энергия активации их образования.// Изв. АН СССР, Неорган, материалы.-1980.- т.16,№ 11, С. 1916−1920.
  72. Satoh Shiro, Igaki Konso. Termally-stimulated current of zinc selenide heat-treated in controlied partial pressures of constituent elements.// Japan J. Appl. Phys.- 1980, — v. 19, № 3, P. 485−490.
  73. Leigh W.B., Wessels B.W. Nitrogen related centres in Zinc selenide.// J. Appl. Rhys.- 1984.- v.55,№ 15, P.1614−1616.
  74. Verity D., Bryant F.I., Davies I.I. Nicholls I.E. et.al. Deep levels and associated carrier recombination processes in Zn-annedled ZnSe «Singl Crystals».// J. Phys. C. Solid Stat. Phys.- 1982, — v.15, № 26, P.5497−5505.
  75. H.K., Гаврищюк E.M., Каретников И. А., Блинов В. В., Зимо-горский B.C., Галстян В. Г., Яшина Э. В. Люминесценция ZnSe, сильно легированного медью.//Неорган, материалы.- 2002.- т. 38, № 6, С. 674−680.
  76. B.C., Манжаров B.C., Ткачук П. Н., Цосопь В. М. Термовысвечивание селенида цинка легированного акцепторными примесями.// Физ. и техн. полупроводников.- 1980,-т.14, № 8, С. 1621−1624.
  77. М.А., Хамидов М. М. Фотоэлектрически активные и неактивные медленные центры прилипания электронов в кристаллах ZnSe.// Физ. и техн. полупроводников.- 1993.- т.23, № 5, С. 721−727.
  78. Smith F.T.I. Evidence for a nature donor in ZnSe from high temperature electrical measurements.// Solid Stat.Commun.-1969.- v.24, № 7, P. 1757−1761.
  79. Ваксман 10.Ф., Малушин H.B., Сердюк В. В. Исследование спектров фотолюминесценции монокристаллов ZnSe легированных алюминием. // Журн. прикл. спектроскопии.- 1976.- т.25, № 5, С. 832−835.
  80. М.К., Беленький Г. Л. Излучательная рекомбинация в неактивированных монокристаллах ZnSe.// Физ. и техн. полупроводников.-1968.- т.2, № 11, С. 635−1638
  81. П.А., Иванова Г. Н., Матвеева Т. Л. и др. Фотолюминесценция монокристаллов ZnSe:Al.// Физ. и техн. полупроводников.-1981.- т. 15, № 9, С. 1841−1844.
  82. В.А., Маликова Л. В., Морозова В. И., Симашкевич А.В Исследование глубоких центров, связанных с собственными дефектами в ZnSe.// Изв. ВУЗов, сер. физика.- 1989, — № 3, С. 42−46.
  83. А., Загадворов П., Максимов Ю., Степанов Ю. Спектр зеленой люминесценции ZnSe.// Физика твердого тела-1988. -т.ЗО, № 7, С. 2206.
  84. К.Д. и др. Изменение ансамбля центров излучательной рекомбинации в селениде цинка под влиянием термообработки.// Физ. и техн. полупроводников, — 1989, — т.23, № 4, С. 737−739.
  85. Yodo Т., Yamashita К. Li-doped ZnSe epitaxial layers by ion implantatin. // Appl. Phys. Lett.- 1989.- v.53, № 24, P. 2403−2405.
  86. ., Корсунская H.E., Рыжиков В. Д. и др. Структура центров свечения в кристаллах ZnSe.// Физ. и техн. полупроводников.- 1993.-т.27, № 8, С. 1240−1246.
  87. Lee Choon-Ho, Jeon Gyoung-Nam, Yu Seung-Cheoh, Ho Seok-Yong. Stimultaneus measurement of thermally stimulated luminescence and thermally sti-mulated current of ZnSe singl crystal. // J. Phys. D.-1995. -v.28, № 9, P. 19 511 957.
  88. E.B., Мельник B.B. Свойства кристаллов ZnSe, легированных фосфором. //Неорган, материалы.- 1995.-т.31,№ 10, С. 1294−1295.
  89. Л.И., Горя О. С., Коротков В. А., Ковалев Л. Е., Маликова Л., Си-машкевич А.В. Кинетика фотопроводимости кристаллов ZnSe при оптической перезарядке глубоких центров.// Неорган, материалы.- 1995.- т.31, № 10, С. 1296−1298.
  90. М.М., Махний В. П., Мельник В. В. Влияние примесей Li, Cd, In, As на оптоэлектронные свойства ZnSe.// Неорган, материалы.- 1997.-т.ЗЗ, № 2, С.181−183.
  91. Н.К., Гаврищюк Е. М., Каретников И. А., Блинов В. В., Зи-могорский B.C., Галстян В. Г., Яшина Э. В. Люминесценция ZnSe, сильно легированного медыо.// Неорган, материалы.- 2002.- т. 38, № 6, С. 674−680.
  92. Larssen D.L. Admittance spectroscopy of deep impurity levels- ZnTe schottky barriers.// Appl. Phys. Lett.- 1972, — v.21, № 2, P.54−56/7
  93. Aven M., Segall B. Carrier mobility and shallov impurity states in ZnSe and ZnTe.// Phys. Rev.- 1963.- v. 130.- № 1.- P. 81−91.
  94. Tubota H. Temperature dependences of the resistivity and Hall effect of ZnTe.// Japan J. Appl. Phys.- 1963.- v.2, № 1, P. 259−263.
  95. П.С., Корницкий А. Г., Мартынов B.H. и др. Влияние отжига в парах цинка на спектр фоточувствительности монокристаллов теллурида цинка.// Физ. и техн. полупроводников.- 1970.- т.4, № 5, С. 900−903.
  96. Г. М., Карпович И. А., Магомедов Н. П. Индуцированная примесная фотопроводимость в пленках ZnTe.// Учен, записки Горьковского ун-та, — 1973.- вып. 167, С. 61−63.
  97. Verity D., Bryant F.I., Scett C.G., Shaw D. Deep level trapsient spectroscopy of hole traps in Zn-annealed ZnTe.// Sol. Stat. Commun.- 1983.- v.46, № 11, P. 795−798.
  98. Pautrat I.L., Katircioglu В., Magnea N., Pfister I.C., Revoil L. Admittance spectroscopy: powerful characterization technique for semiconductors crystals-application to ZnTe.// Sol. Stat. Electronics.- 1980.- v.23, № 11, P. 11 591 169.
  99. Magnea N. and Pautrat I.L. Irradiation induced radiative centres in ZnTe.// Sol. Stat. Commun.- 1980.-v.34, № 4, P.261−263.
  100. Norris C.B. The origin of the 1.59 eV luminescence in ZnTe and nature of the postrange defects from implantation.// J. Appl. Phys.- 1982.- v.53, № 7, P. 5172−5177.
  101. M.C., Гоер Д. Б., Мацко М. Г. Ассоциация дефектов в ZnTe.// Физ. и техн. полупроводников.- 1973, — т.7, № 5, С. 705−708.
  102. А.Е., Берлан В. И. Термолюминесценция и термостимули-рованная проводимость в ZnTe.// В кн."Новые полупроводниковые соединения и их свойства", Кишинев: изд-во «Штиинца».-1975. -С. 83−87.
  103. Larsen T.L., Varotto C.F., Stevenson D.A. Electrical transport and photo-electronic properties of ZnTe-Al crystals.// J. Appl. Phys.- 1972.-v. 43, № 1, P. 172−182.
  104. P.В., Гнатенко Ю. П. и др. Примесные состояния ионов никеля в кристаллах CdTe и ZnTe.// Укр. физ. журнал.- 1993.- т.38, № 7, С. 1106−1111.
  105. B.C., Григорович Г. М., Курик М. В., и др. О механизме инфракрасной фотолюминесценции теллурида цинка.// Физ. и техн. полупроводников.- 1974.- т.8, № 11, С. 2251−2253.
  106. В.Д., Гаврюшин В. И., Казлаускас, А и др. Влияние термообработки на формирование центров рекомбинации в изовалентно легированных кристаллах ZnSe (Te).// Физ. и техн. полупроводников.- 1991.- т.25, № 5, С. 841−846.
  107. Szeles C.S., Shan Y.Y., Lynn K.G., Modenbaugh A.R., Eissler E.E. Trapping properties of cadmium vacancies in CdixZnxTe.// Phys. Rev. В.- 1997.- v. 55, № 11, P. 6945−6946.
  108. Norris C.B. Effects of Zn-vapour heat treatments on the edge emission and deep center luminescence of ZnTe. // J. Electron. Mater.- 1980.- v.9, № 6, P. 913−931.
  109. K.B., Никитенко B.A. К изучению термолюминесценции монокристаллов оксида цинка.// Журнал прикл. спектроскопии.- 1975.- т. 22, С. 667−670.
  110. К.Б., Акимов И. А. Термостимулированная проводимость поликристаллических слоев Agl и ZnO, сенсибилизированных красителями.// Физ. и техн. полупроводников.- 1968.- т. 2, № 1, С. 210−215.
  111. De Muer D., М. Van der Vorst W.// Thermoluminescence of ZnO por-weder. // Physika- 1968.- v. 39, p. 123−132.
  112. Zwingel D. Trapping and recombination processes in the termolumines-cence of Li-doped ZnO single crystals.// J. Luminescence.- 1972.- v. 5, P. 385 405.
  113. Tadatsugu Minami, Takashi Yamamoto, Toshihiro Miyata. Highly transparent and conductive rare earth-doped ZnO thin films prepared by magnetron sputtering.// J. Thin Solid Films.- 2000.- v. 366, P. 63−68.
  114. B.A., Таркпеа К. Э., Пыканов И. В., Мухин С. В., Стоюхин С. Г., Пасько П. Г. Термостимулированные электронно-дырочные и ионные процессы в кристаллах оксида цинка.// Журнал прикл. спектроскопии.-2000.- т. 67, № 5, С. 640−643.
  115. Kohan A.F., Ceder G., Morgan D., Chris G. Van de Walle. First-principles study of native point defects in ZnO. // J. Phys. Rev. В.- 2000.- v. 61, № 22, P. 15 019- 15 027.
  116. NATO Advanced Research Workshop. Zinc oxide as a material for micro- and optoelectronic applications. St. Petersburg (2004).
  117. C.H., Тсузуки Т., Никитенко В. А., Яблонский Г. П., Луценко Е. В., Орлов С. Е., Пыканов И. В. Труды Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии», Ульяновск, (2001).
  118. Baxter J.B., Feng Wu, Aydil E.S. Growth mechanism and characterization of zinc oxide hexagonal columns.// Appl. Physics Letters.- 2003.- v. 83, № 18, P. 3797−3799.
  119. A.H., Волков B.T., Якимов E.E. Фотоэлектрические свойства пленок ZnO, легированных акцепторными примесями Си и Ag.// Физ. и техн. полупроводников.- 2003.- т. 37, № 3, С. 275−279.
  120. J. Kubota, К. Hada, Y. ICashiwaba, Н. Watanabe, В.P. Zhang, Y. Se-gawa. Characteristics of ZnO whiskers preparated from organic-zinc.// Appl. Surface Sciemce.-2003.- v. 216, P. 431−435.
  121. M.J. Zheng, L.D. Zhang, G.H. Li, W.Z. Shen. Fabrication and optical properties of large-scale uniform zinc oxide nanowire arrays by one-step electrochemical deposition technique. // Chem. Phys. Letters.- 2002.- v. 363, P.123−128.
  122. J.Q. Hu, Y. Bando. Growth and optical properties of singl crystal tubular ZnO whiskers.// Appl. Phys. Letters.- 2003.- v.82, № 9, P. 1401−1403.
  123. J.B. Li, Y. Bando, T. Sato, K. Kurashima. ZnO nanobelts grown on Si substrate. //Appl. Phys. Lettersio- 2002.- v. 81, № 1, C. 144−146.
  124. A. van Dijken, E.A. Meulenkamp, D. Vanmaelcelbergh, A. Meijerink. The luminescence of nanocrystalline ZnO particles: the mechanism uf the ultraviolet and visible emission. // Journal of Luminescence.- 2000.- v. 87−89, — p. 454−456.
  125. Tcholl E. The photochemical interpretation of slow phenomena in cadmium sulphide.//Philips Res. Repts. (Suppl).- 1968.- № 6, — P. 1−93.
  126. Л., Вильяме Ф. Конфигурационное взаимодействие и корреляционные эффекты в спектрах донорно-акцепторных пар.// Изв. АН СССР, сер. физич, — 1973.- т.37, № 4, С. 803−809.
  127. А.Р., Грузинцев А. Р., Тигиняну И. М. Люминесценция, связанная с комплексами дефектов в широкозонных полупроводниках.// Изв. АН СССР, сер.физич.-1985. -т.49, № 10, С. 1899−1904.
  128. С.В., Фистуль В. И. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках//М.: «Наука-физмат лит».-1997.-351 С.
  129. А.Э. Излучательная рекомбинация и оптические свойства фосфида галлия // В кн.: Излучательная рекомбинация в полупроводниках. М.: изд-во «Наука».- 1972.- С. 224−304.
  130. Williams F. Radiative recombination on donor-acceptor pairs and higher associates// J.Luminescence.- 1973.-v.7, № 1, P. 35−50.
  131. C.M. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.// М.: изд-во «Физматгиз».- 1962. 494 С.
  132. А. Основы теории фотопроводимости.// М.: изд-во Мир",-1966.-138 С.
  133. Е.М., Ризаханов М. А. Эффект расширения в зону сечения захвата электрона ловушкой с дискретным энергетическим уровнем в кристаллах y-La2S3. // Физ. и техн. полупроводников.- 2001. т. 35, № 2, С. 171−176.
  134. А.Н., Эмиров Ю. М., Грузинцев А. Н., Зобов Е. М., Таги-ев Б.Г., Тагиев О. Б., Иззатов Б. М., Беналулу П., Бартоу К., Ванг Й., Сююн Сю. Термолюминесценция тиагалатов CaGa2S4 с примесью Ей // Краткие сообщения по физике ФИАН- 2001, № 1, С. 3 9.
  135. Prener J.S., Weil D.J. The luminescent center in self activated ZnS phosphors.//J. Electrochem.Soc.- 1959.-v. 106, P.-409.
  136. Ю.А., Петренко В. Ф. Дислокации в соединениях А2В6.// В кн.: «Физика соединений А» В «// (Под редакцией Георгобиани А. Н., Шейнкмана М.К.).- М.: «Наука».- 1986. С. 35−64.
  137. Г. Электроника дефектов в полупроводниках. // М.: изд-во «Мир».- 1974.- 463 С.
  138. Ю.А., Комарь В. К., Мигаль В. П., Чугай О. Н. Релаксационная поляризация в кристаллах селенида цинка при фотовозбуждении.// Физ. и техн. полупроводников.- 1995. т. 29, № 6, С. 1065−1069.
  139. Бредихин С. И, Шмурак С. З. Стимулированное деформацией свечение кристаллов ZnS.// ЖЭТФ 1974- т. 19, № 12, С. 709−713.
  140. Бредихин С. И, Шмурак С. З. Влияние электрического поля на вызванное деформацией свечение кристаллов ZnS.// ЖЭТФ 1975- т. 21, № 6, С. 342−345.
  141. В.Д., Осипьян Ю. А. Влияние дислокаций на процессы излучательной рекомбинации в сульфиде кадмия.// Физика твердого тела 1978.т. 20, № 3, С. 744−752
  142. Берлов П. А, Буланый М. Ф., Коваленко А. В. Исследование спектров фотолюминесценции пластической деформированных кристаллов ZnS.// Физ. и техн. полупроводников.- 1993. т. 27, № 7, С. 1121−1124.
  143. М.Ф., Клименко В. И., Лихошва А.В.Термостимулированная проводимость в пластически деформированных кристаллах ZnS-Cu, Мп. // Физ. и техн. полупроводников, — 1994. т. 28, № 5, С. 778−780.
  144. С.А., Буланый М.Ф, О. В. Хмеленко О.В. Влияние электрических полей неподвижных дислокаций на фотолюминесценцию и ЭПР в деформированных кристаллах ZnS. // Физика твердого тела 2003.-т. 45, № 9, С. 1608−1613.
  145. И.В., Лысенко В. Н. Внутреннее трение в CdS при на-гружепии ультразвуком. // Физика твердого тела- 1984.- т. 26, № 2, С. 531 532.
  146. А.П., Остапенко С. С., Савчук А. У., Шейнкман М. К. Стимулированное ультразвуковыми колебаниями преобразование люминесцентных и акустических характеристик монокристаллов CdS. // Письма в ЖТФ,-1984.-т. 10, № 20, С. 1243−1247.
  147. А.П., Миронкж Н. В., Остапенко С. С., Савчук А. У., Шейнкман М. К. Механизм стимулированного ультразвуком изменения фотоэлектрических и люминесцентных свойств сульфида кадмия.// Физ. и техн. полупроводников.- 1986, — т. 20, № 10, С. 1861−1867.
  148. Громашевский B. JL, Дякин В. В., Сальков Е. А., Скляров С. М., Хили-мова Н. С. Акустохимические реакции в сульфиде кадмия. // Укр. Физ. журнал, — 1983.- т.29, № 4, С. 550−554.
  149. И.В., Лысенко В. Н. Генерация ультразвуком точечных дефектов в CdS. // Физика твердого тела- 1982.- т. 24, № 4, С. 1206−1208.
  150. И.В. Собственно-дефектный механизм акустолюмипес-ценции кристаллов. // Письма ЖЭТФ.- 1981, — т. 34, № 8, С. 462−466.
  151. Gobrecht Н., Hofmann D. Spectroscopy of traps by fractional glow techi-que.// J. Phys. Chem. Sol.- 1966, — v. 27, № 3, P. 509−532.
  152. Антонов-Романовский B.B. О рекомбинационной фосфоресценции.// Изв. АН СССР. сер. физ.- 1946, — т. 10, № 5−6, С. 477−487.
  153. Garlic G.F.T., Gibson A.F. The electron traps mechanism of luminescence in sylphide and selenide phosphors.// Proc. Phys. Soc.- 1948, — v. A60, № 342, P. 574−590.
  154. E.M., Зобов M.E., Камалудинова Х. Э. Термоактивационные процессы с участием медленных ловушек в полупроводниках.// Вестник ДНЦ РАН.-2006, № 25, С. 8−13.
  155. Е.М., Зобов М. Е., Ризаханов М. А. Расширение в зону сечения захвата «гигантской» ловушки в порошкообразном люминофоре ZnO// Труды международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии».- Ульяновск.- 2002.- С. 94.
  156. Е.М., Зобов М. Е., Камалудинова Х. А., Ризаханов М. А. Электронные ловушки с широким интервалом сечений захвата в порошкообразных люминофорах на основе ZnS. // Журнал прикладной спектроскопии -2005, т.72, № 2, С. 202−206
  157. А.Х., Ахмедов А. К., Асваров А. Ш., Зобов Е. М., Зобов М. Е. Люминесценция и ее особенности в нанокристаллических частицах оксида цинка// Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников. Москва, 2005, С. 284 .
  158. Lax M. Cascade capture of electrons in solids. // Phys. Rev.- I960.- v. 119, p. 1502.
  159. И.К. Электролюминесценция кристаллов.// M., «Наука» (1974).
  160. В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. //Новосибирск: «Наука».- 1984.- 253 С.
  161. А.Н. Георгобиани, П. А. Пипинис. Туннельные явления в люминесценции полупроводников.// М.: Мир. 1994. — 220 С.
  162. М.М., Зобов Е. М., Зобов М. Е. Самоактивированная люминесценция и ее связь с центрами прилипания в сульфиде цинка. // Известия ВУЗов Северо-Кавказкого региона. Серия физика.- 2006.- № 9.- С. 43−50.
  163. М.А., Хамидов М. М., Абрамов И. Я. Объяснение особенностей зелено-синей люминесценции в ZnS на основе новой модели центров свечения.// Физ. и техн. полупроводников 1978.- т.12, № 11, — С.2186−2190.
  164. А.Н., Котляревский М. Б., Михайленко В. Н. Собственно-дефектные центры люминесценции в ZnS р-типа.// Труды ФИАН СССР.-1983, — т.138. -С. 79−135.
  165. М.Е., Камилов И. К., Зобов Е. М. Влияние одноосного давления на люминесцентные свойства кристаллов ZnS.// «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы».- Ульяновск, 2007, С. 239.
  166. Ф.И., Наими Е. К., Рабинович О. И., Сушков В. П. Заводская лаборатория, сер. Диагностика материалов.- 2006.- т. 72, № 5, С.20−25.
  167. Е.М., Зобов М. Е., Камилов И. К., Маняхин Ф. И., Наими Е. К. Влияние ультразвуковой обработки на структуру энергетического спектра электронных ловушек в кристаллах ZnS. // Известия ВУЗов, серия Материалы электронной техники.- 2007.- № 3, С. 38−43.
  168. Е.М., Зобов М. Е., Габибов Ф. С., Камилов И. К., Маняхин Ф. И., Наими Е. К. Влияние ультразвуковой обработки на фотоэлектрические и люминесцентные свойства кристаллов ZnSe. // ФТП. 2008.- т. 42, № 3, С. 282−285.
  169. Lang D.V., Kimerling L.C. Recombination-enhanced annealing of the Ei and E2 defect levels in 1 MeV electron irradiated n-GaAs. // J. Appl. Phys.-1976.- v. 47, P. 3587−3591.
  170. Lang D.V., Kimerling L.C. Observation of athermal defect annealing in GaP. // Appl. Phys. Lett.- 1976, — v. 28, P. 248−252.
  171. JI.T., Петренко В. Ф., Уймин Г. В. О природе дислокационного заряда в ZnSe. // ЖЭТФ 1978.- т. 74, № 2, С. 742 -752.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!