Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Электролюминесценция и проводимость слоев двуокиси кремния на кремнии в сильных электрических полях

Диссертация: Электролюминесценция и проводимость слоев двуокиси кремния на кремнии в сильных электрических полях
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Апробацияработы. Материалы диссертационной работы были доложены и обсуждались на Всесоюзной конференции «Физика окисных пленок» (Петрозаводск, 1982), Всесоюзной конференции «Физика диэлектриков» (Баку, 1982), У Всесоюзной школе по физике поверхности полупроводников (Одесса, 1982), 1У конференции «Физические проблемы ВДП-интегральной электроники (Севастополь, 1983), Всесоюзном совещании-семинаре… Читать ещё >

Электролюминесценция и проводимость слоев двуокиси кремния на кремнии в сильных электрических полях (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Введение.стр
  • ГЛАВА I. Инжекция электронов в 3±02 и их перенос в сильном электрическом поле
    • I. Проводимость системы БЛ-Б:Ш2 -металл в сильных электрических полях.. ... ¦
    • 2. Особенности электролитического контакта
    • 3. Методика эксперимента
  • Особенности проводимости системы БЛ~Б102-. электролит в сильных электрических полях
    • 5. Ударная ионизация в структурах БЛ-Б:Ю2#
  • ГЛАВА II. электролюминесценция в структурах БЛ-БЮ
  • Механизмы возбуждения
  • Г. Люминесцентные методы исследования структур Б1-Б:Ю
    • 2. Методика определения спектрального состава электролюминесценции системы Б1-БЮ
  • -электролит... г
    • 3. Влияние интерферениции на спектр люминес-т ценции тонких диэлектрических слоев
  • 4-, Механизмы возбуждения электролюминесценции
  • В системе бл-б±о2 ^-электролит
    • 5. Взаимосвязь между механизмом возбуждения электролюминесценции и особенностями проводимости диэлектрика.. .. .. !
  • ГЛАВА III. '. Электролюминесценция в структурах Бз.-Б102″
  • Характеристики центров свечения
  • Г. Зависимость интенсивности спектральных полос электролюминесценции от способа формирования структур Б1-Б±о
    • 2. '. Характеристики центров люминесценции в полосе 1,9 эВ
  • Ъ Характеристики центров свечения в полосе 2,2 эВ
  • Характеристики центров люминесценции в полосе 2,7 эВ
  • 5-# Использование электролюминесценции для изучения процессов термического и анодного окисления кремния. Ю
  • ГЛАВА 1. У. Использование электролюминесценции для изучения изменений свойств структур 31−3:102 в сильных электрических полях
    • 1. " Основные результаты исследования полевой деградации структур зз.~зю2 (по литературным данным)
    • 2. Изменение зарядового состояния структур
  • Б1-з±о2 б сильных электрических полях
    • 3. Изменение проводимости и спектра электролюминесценции структур з±-зю2 в сильных электрических полях.. о

Актуальность. В настоящее время структуры Б1-зю2 являются основой широкого класса полупроводниковых приборов: транзисторов и диодов, приборов с зарядовой связью и светоизлучаю-щих приборов, элементов памяти и др. Щ. Появление запоминающих устройств и светоизлучающих приборов на основе структур БЗ.-Б:Ш2, в которых окисный слой играет активную роль и для рабочего режима которых характерно наличие в окисном слое электрических полей напряженностью до 10 МВ/см, привело к необходимости дополнить традиционное для микроэлектроники исследование характеристик границы раздела Б1-БЮ2 исследованием объемных свойств окионого слоя и механизмов их изменения под действием сильного электрического поля, что стимулировало поиск наиболее перспективных методов таких исследований. Перспективными в этом отношении являются различные люминесцентные методы, которые обладают высокой чувствительностью к наличию дефектов и примесей и позволяют получать экспресс-информацию о составе и строении окисных слоев на кремнии. Наиболее интересным с точки зрения установления взаимосвязи между структурными особенностями диэлектрика и его электрофизическими характеристиками является наблюдение электролюминесценции, сопровождающей токоперенос в сильном электрическом поле, поскольку электролюминесценция представляет собой проявление взаимодействия электронов проводимости со структурными особенностями окисла. Интенсивность и спектральный состав электролюминесценции должны отражать как природу этих элементов структуры, так и особенности переноса носителей заряда и изменение этих особенностей под действием сильного электрического поля. Однако метод электролюминесценции не получил широкого распространения для исследования электронных процессов в структурах БЛ-БЮ и свойств окисных слоев на кремнии. Причины этого заключаются в том, что наблюдение электролюминесценции в системе металл-окисел-полуцроводник затруднено сильным поглощением свечения окисного слоя в металлическом электроде и нестабильностью его интенсивности вследствие локальных пробоев областей с повышенной напряженностью электрического поля. Эти экспериментальные трудности могут быть преодолены путем замены металлического контакта на электролитический, однако использование системы электролит-диэлектрик-полупроводник для наблюдения электролюминесценции структур эл-вн^ осложнено тем, что механизм возбуждения электролюминесценции в такой системе продолжает оставаться не вполне ясным. Целесообразность использования электролитического контакта для исследования электронных процессов в структурах 81−8102 цри высокой напряженности электрического поля в окисном слое определяют простота многократного нанесения и удаления, прозрачность в широком спектральном диапазоне и возможность создания в окисном слое более высокой напряженности электрического поля, чем в случае металлического электрода [з]. Более высокая электрическая прочность системы электролит-диэлектрик-полупроводник обусловлена большей высотой потенциального барьера на границе диэлектрик-электролит, более низкой эмиссионной способностью электролита по сравнению с металлом и лучшей однородностью электролитического контакта по площади образца.

Отмеченные особенности электролитического контакта позволяют совместно изучать зарядовое состояние, проводимость и сопровождающую токоперенос электролюминесценцию, а также закономерности измерения этих величин под действием электрического поля экстремально высокой напряженноети±Актуальность настоящей работы, связанной с использованием системы электролит-диэлектрик-полупроводник для совместного исследования проводимости и электролюминесценции структур 31−3102 в сильных электрических полях, заключается в том, что эти исследования позволяют выяснить механизм возникновения электролюминесценции в такой системе и использовать ее дня получения новых данных о процессах полевой деградации полупроводниковых приборов на основе структур эз.-зю2 и для установления взаимосвязи между электрофизическими характеристиками этих структур и особенностями строения окисно-го слоя.

Цель настоящей работы заключается в развитии метода исследования структур бл-бк^ с помощью электролюминесценции в системе электролит-диэлектрик-полупрбводник и в использовании этого метода в сочетании с измерением электрофизических характеристик для получения новых данных об электронных процессах, протекающих в структурах 81-ЗЮ2 при высокой напряженности электрического поля в окисном слое, а также для установления взаимосвязи этих процессов с особенностями состава и строения окисных слоев на кремнии.

Основные задачи работы могут быть сформулированы следующим образом:

1. Выяснение механизмов возникновения электролюминесценции структур 81-зю2 в контакте с электролитом,

2, Выяснение природы центров электролюминесценции в окисных слоях на кремнии,

3. Установление взаимосвязи между электрофизическими и люминесцентными характеристиками структур 31−3102 ,

4, Исследование механизмов изменения электрофизических характеристик структур з±-зю2 в сильном электрическом поле с помощью электролюминесценции.

Научная новизна работы состоит в том, что:

I, Показано, что электролюминесценции в системе 31−3102

— электролит связана как с реакцией анодного окисления кремния, которая является источником непрерывной компоненты в спектре люминесценции, так и с инжекцией электронов из электролита в окисный слой и их взаимодействием с элементами структуры окисла в процессе переноса в сильном электрическом поле, которое является источником возникновения характеристических полос в спектре,

2. Выяснено, что появление полосы 1,9 эВ в спектре электролюминесценции структур з±-зю2 является следствием захвата электронов ловушками, в то время как возбуждение коротковолновой части спектра осуществляется быстрыми электронами, ускоренными электрическим полем в процессе их переноса через окисный слой.'

3. Предложена модель взаимодействия электронов проводимости с содержащимися в окисном слое группами Б1-он, в рамках которой могут быть объяснены механизм возбуждения спектральной полосы электролюминесценции 1,9 эВ и закономерности изменения проводимости и люминесценции окисного слоя при воздействии сильного электрического поля и отжиге

4. Показано, что электролюминесценция в системе электролит-диэлектрик-полупроводник может быть использована для исследования состава и строения окисных слоев на кремнии и динамики их формирования при различных способах окисления.

В результате проведенных исследований получены новые научные данные, которые подтвердили актуальность темы и позволили сформулировать основные защищаемые положения.

Основные положения, выносимые на защиту:

I. Электролюминесценция в системе з±-зю2 -электролит может возбуждаться как за счет реакции анодного окисления кремния, так и в результате взаимодействия электронов проводимости

— г— с матрицей бю2. Относительный вклад анодного окисления в возбуждение электролюминесценции при использовании неокисляющего электролита и достаточно низкой плотности тока может быть сделан пренебрежимо малым, что позволяет использовать электролюминесценцию в системе Б1-бю2 -электролит для исследования электронных процессов в структурах Б1-Б:102 и состава окисных слоев на кремнии,

2, Появление характеристических полос в спектре электролюминесценции системы Б1-БЮ2 -электролит обусловлено возбуждением собственных дефектов окисного слоя в результате их взаимодействия с электронами, инжектированными из электролита. При этом возникновение полосы 1,9 эВ является следствием захвата электронов ловушками, а коротковолновая часть спектра возбуждается быстрыми электронами, ускоренными электрическим полем в процессе их переноса через окисный слой,

3. Полоса 1,9 эВ в спектре электролюминесценции структур Б1-БЮ2 обусловлена наличием в окисном слое Б1~он групп, а полоса 2,2 эВ — избыточных атомов 1фемния,

4, Увеличение проводимости структур Б1-БЮ2 при поляризации и сопровождающее его уменьшение интенсивности полосы электролюминесценции 1,9 эВ определяются как величиной протекшего через окисел заряда, так и напряженностью электрического поля в окисном слое, Антибатная зависимость между избыточной проводимостью структур Б1-БЮ2 и интенсивностью полосы электролюминесценции 1,9 эВ прослеживается также при последующем отжиге подвергнутых поляризации образцов и при изменении способа формирования окисного слоя,

5. Наблюдаемые закономерности изменения проводимости и электролюминесценции структур б1-бю2 в сильном электрическом поле и механизм возбуждения полосы 1,9 эВ в спектре электролюминесценции могут быть объяснены диссоциацией имеющихся в окис-ном слое бл-он групп за счет их взаимодействия с электронами проводимости, вследствие чего образуются возбужденные немости-ковые атомы кислорода, которые релаксируют в основное состояние за счет излучательного перехода электрона между расщепленными 2р уровнями и после этого принимают участие в переносе дырок через окисный слой"

Практическая ценность работы состоит в следующем:

1. Предложена методика контроля состава и строения окисных слоев на кремнии по спектрам электролюминесценции, которая может быть использована при промышленном изротовлении структур 81−8102*

2. Получены новые данные о физико-химической природе центров электролюминесценции в окисных слоях на кремнии, а также о взаимосвязи люминесценции и проводимости, что делает возможным использование спектров электролюминесценции для оценки электрофизических характеристик структур бл-бк^ ,

3. Установлена взаимосвязь между исходным содержанием Б±-он групп в окисных слоях и изменением их проводишсти под действием сального электрического поля, что дает возможность оценить влияние способа окисления на стабильность структур 31−3102 в сильных электрических полях по характеру спектра электролюминесценции,

4. Исследована зависимость эффективности ударной ионизации матрицы з±о2 электронами проводишсти от толщины окисного слоя и установлена связь этого процесса с образованием положительного заряда вблизи границы 31-зю2, что позволяет сделать оценку оптимальной толщины окисла с точки зрения стабильности структур з±-зю2 при воздействии сильного электрического поля.

Апробацияработы. Материалы диссертационной работы были доложены и обсуждались на Всесоюзной конференции «Физика окисных пленок» (Петрозаводск, 1982), Всесоюзной конференции «Физика диэлектриков» (Баку, 1982), У Всесоюзной школе по физике поверхности полупроводников (Одесса, 1982), 1У конференции «Физические проблемы ВДП-интегральной электроники (Севастополь, 1983), Всесоюзном совещании-семинаре «Математическое моделирование и экспериментальное исследование электрической релаксации в элементах интегральных схем» (Гурзуф, 1983), Всесоюзной школе по физике поверхности (Ташкент, 1983), III Всесоюзном научно-техническом семинаре «Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем» (Рязань, 1984), Международной конференции «Электродинамика межфазной границы» (Телави, 1984).

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 9 научных работах, включая 3 статьи и 6 тезисов докладов^

Объем и структура диссертации.1 Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка цитируемой литературы. Ра-бота изложена на 156 страницах машинописного текста и проиллюстрирована 54 рисунками и 3 таблицами.' Список цитированной литературы включает 125 наименования работ отечественных и зарубежных авторов.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВАНЫ В СЛЕДУЮЩИХ ПЕЧАТНЫХ РАБОТАХ:

I. Коноров П. П., Тарантов Ю. А!., Булавинов В. В., Кручинин А. А'" Проводимость и электролюминесценция пленок двуокиси кремния в системе электролит-диэлектрик-полупроводник.-Вестник Ленинградского университета, 1982, сер.физ.-хим.,№ 4,с.102−104 2}. Кручииин А. А., Булавинов В. В., Барабан А. П., Тарантов Ю. А". Спектры электролюминесценции окисных пленок на кремнии в сис* теме электролит-диэлектрик-полупроводник.-Тез.докл.Всес.конф'. «Физика окисных пленок». Петрозаводск, 1982, с. 109 3'. Кручинин А. А1. О возможности использования электролюминесценции для исследования дефектов и примесей в окисных пленках на кремнии.-Тез.докл.Всес.конф." Физика диэлектриков". Баку, 1982, с.124

4. Барабан А. Ш, Коноров И. П., Кручинин А. А1. Взаимосвязь электронных и ионных процессов в структурах Si-Si02 в сильных электрических полях.-Тез.докл.Всес.совещания-семинара «Математическое моделирование и экспериментальное исследование электрической релаксации в элементах интегральных схем». М., 1983, с.54

5. Барабан А. П., Кручинин А. А-., Тарантов Ю. А! Проявление электронных ловушек в спектрах электролюминесценции структур Si~si02 Там же, с. 82

6. Барабан А.П.<, Кручинин А'.А. Исследование свойств термических и анодных окисных слоев на кремнии методом электролюминесценции.-Тез.докл.Всес.школы по физике поверхности. Черноголовка, 1983, с.95

7. Барабан А. П., Коноров П. П., Кручинин A.A. Полевая деградация структур Si-Si02 .-Тез.докд.Ш Всес. научно-технического семинара «Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем». М., 1984, с.18

8! Барабан А. П., Коноров П. П., Кручинин А. А., Тарантов Ю. А^ Спектры электролюминесценции в системе кремний-двуокись кремния-электролит. -Электрохимия, 1984, т-. 20 ,№ 4, с. 539−542

9. Барабан А. П., Коноров П. П., Кручинин А. АС Электролюминесценция и особенности электронного переноса в слоях двуокиси крем-, ния на кремнии в сильных электрических полях.-Вестник Ленинградского университета, 1984, сер.физ.-хим.,№ 16,с.93−97

— 14S;

Показать весь текст

Список литературы

  1. Коноров П.П., Тарантов Ю. А., Касьян (c)нко Е. В. Электронные и ионные процессы, в системе кремний-диэлектрик-электролит.-В кн.^'Проблемы физической химии поверхности полупроводников". Новосибирск, 1978, с. 247−287
  2. А.В. Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник. М., 1976
  3. Lenzlinger M., Snow Е.Н. Powler-Hordheim tunneling into thermally grown SiOg.-J.Appl.Phys., 1969, v.40,H°1,p.278−283
  4. Haack D., Wagemann H.G. Electronic conductivity of highly doped SiOg by means of ion implantation.-phys.stat.sol.A, 1979, v.56, p.581−591
  5. Berglund С.H."Powell R.J. Photoinjection into SiOgJelectron scattering in the image force potential well.-J.Appl.Phys., 1971t v. 42,№ 2, p. 573−579
  6. A. «Schumann L., Hubner K. Optical phonons in amorphous silicon oxides (part 1).-phys.stat.sol.B, 1983, v.117fp.689−695
  7. Lehmann A."Schumann L, Hubner K, Optical phonons in amorphous silicon oxides (part 2).-phys.stat.sol.B, 1984, v.121,p.505−511
  8. Solomon P.M. Electron emission from silicon dioxide into vacuum. -In: „Physics of Si02 and its interfaces“. KY, 1978, p.35−39
  9. Z.A., Rubloff G.W., Bassous E. (Dransmission, photoconductivity and the experimental band gap of thermally grown SiOg f ilms.-Phys .Rev.B, 1979, v. 19 6, p .3107−3117
  10. Klein li. Electrical breakdown of insulators by one-carrier impact ionisation.-J.Appl.Phys», 1982, v.53,№ 8,p.5828−5839
  11. Av-Ron M., Shatzkes M., DiStefano (D.H., Gdula R.A. Electron tunneling at Al-SiOg interfaces.-J.Appl.Phys., 1981, v.52,№ 4,p.2897−2908
  12. Ю.А., Булавинов В. В., Коноров П. П., Барабан А. П. Электронные процессы в диэлектрических слоях на поверхности кремния в системе электролит-диэлектрик-полупроводник.-Поверхность, 1982, Ш 6, с. 34−41
  13. С. Химическая физика поверхности твердого тела. М., 1980, 488 с.
  14. Gomes W.P., Gardon P. On the electrochemical behaviour of the hexacyanoferrate redox system at different semiconductor electrodes .-Zeit.Phys.Chem.Neue Folge, 1973, v.86,№ 3−6,p.330−334
  15. Memming R., Mollers P. Studies of the rearrangement energy in electrode kinetics at Sn02 electrodes.-Ber.Buns.Ges.Phys.Chem., 1972, v.76,№ 6,p.475−481
  16. Gerischer H., Ecardt W. Fermi levels in electrolytes and theabsolute scale of redox potentials.-Appl.Phys.Lett., 1983, v.43, № 4, p. 393−395
  17. VandenBerghe R., Gomes W.P. A comparative study of electron injection into ZnO, CdS and CdSe single crystal anodes.-Ber.Buns. Ges.Phys.Chem., 1972, v.76,Ж°б, p.481−485
  18. П. Двойной слой и кинетика электродных процессов. М., 1967, 351 с.
  19. В.В. Электронные процессы в диэлектрических слояхна поверхности кремния в системе электролит-диэлектрик-полупровод-ник.-Автореф.дисс.на соискание ученой степени канд.физ.мат.наук. Ленинград, 1983
  20. Weinberg Z.A. On tunneling in metal-oxide-silicon structures.-J.Appl.Phys., 1982, v.53,N°7,p.5052−5056
  21. Goodman A.M., O'Neill J.J. Photoemission of electrons from metals into silicon dioxide.-J.Appl.Phys., 1966, v.37,№ 9,p.3580−3583
  22. Deal B.E., Snow E.H., Mead C.A. Barrier energies in metal-silicon dioxide-silicon structures,-J.Phys.Chem.Sol., 1966, v.27,№ 11−12, p.1873−1879
  23. Gerischer H. Solar photoelectrolysis with semiconductor electrode rodes.-Ins"Topics in applied physics". Berlin e.a., 1979, v.31,p.115−172
  24. Lucovsky G. Defect controlled carrier transport in amorphous Si02.-Phil.Mag.B, 1979, v.39,H°6,p.531−540
  25. O’Dwyer J.J. Two carrier model for high field conduction in 3i02.-J.Appl.Phys1973,t.4412,p.5438−5440
  26. O’Dwyer J.J. Theory of high field conduction in a dielectric.-J.Appl.Phys., 1969 «„v. 40 ,№ 10, p. 3887−3890
  27. Silin A.R. jSkuja L.H., Trukhin A.1T. Intrinsic defects generation mechanisms in fused silica.-J.Hon Cryst.Sol., 1980, v.38−39, p.195−200
  28. Gee C.M., Kastner Ш. Intrinsic defects photoluminescence in amorphous and crystallin SiOg.-J.Hon Cryst.Sol., 1980, v.35−36, № 2, p. 927−932
  29. McKnight S.W., Palik E.D. Cathodoluminescence of Si02 films.-J.Hon Cryst.Sol., 1980, v.40,H°1−3,p.595−603
  30. Koyama H. Cathodoluminescence study of SiOg.-J.Appl.Phys., 1980, v.51,H°4,P.2228−2235
  31. П.А., Валбис Я. А. Катодолюминесценция нелегированных пленок двуокиси кремния.-Изв.АН Латв. ССР, сер.физ.тех.наук, 1979, W с.27−30
  32. В.П., Пахомов Э. Е. Спектры катодной люминесценции га-логенсодержащих слоев двуокиси кремния на кремнии.-Изв.АН Латв. ССР, сер.физ.тех.наук, 1984,№ 2,c.II4-II7
  33. В.А., Пундур П. А. Катодолюминесценция аморфного нитрида кремния.-Физика Твердого Тела, 1983, т.25,№ 5,с.1560−1562
  34. С.П., Сандулов Д. Б., Эйдельберг М. И. Изучение спектров и поляризационных вспышек люминесценции систем металл-окисел-эле-ктролит.-В кн.:"Вопросы физики электролюминесценции“. Днепропетровск, 1979, с .173−181
  35. Ю.А., Воробьев Г. А. Исследование электролюминесценции в формованных МДМ-системах.-Радиотехника и электроника, 1983, т.28,№ 3,с.612−615
  36. Gee A. Electroluminescence at a silicon anode in contact with an electrolyte.-J.Electrochem.Soc., 1960, v.107,H°9,p.787−788
  37. Waring W., Benjamini E.A. Luminescence during anodic oxidation of silicon,-J, Electrochem.Soc., 1964, v, 111,№ 11,p.1256−1261
  38. В.В., Михайловский И. П., Могильников К. П., Шанина А. В., Эпов А. Е. О предпробойной электролюминесценции структур Si-Si02.-Микроэлектроника, 1983, т.12,№ 3,с.268−270
  39. Ikonopisov S, Problems and contradictions in galvanoluminescence, a critical review,-Electrochimica Acta, 1975, v.20,№ 10,p.783−793
  40. Ю.А., Касьяненко Е. В., Коноров П. П., Птицын В. Э. Электрофизические свойства системы кремний-двуокись кремния-электро-лит.-В кн.:"Электронные процессы на поверхности полупроводников». Новосибирск, 1974, с.169−178
  41. Гардин Ю.Е., 0дынец JI.JI. Электрохемилюминесценция при анодной поляризации систем металл (полупроводник)-окисел-электролит.-В кн.: «Электролюминесценция твердых тел». Киев, 1971, с.2Ю
  42. Л.Л., Гардин Ю. Е. Спектр люминесценции при анодной поляризации систем металл(полупроводник)-окисел-электролит.-Изв. ВУЗов, сер.физ., 1970,№ 12,с.151−152
  43. Solomon P., Klein H. Electroluminescence at the hight fields in silicon dioxide.-J.Appl.Phys., 1976, v.47,№ 3,p.1023−1026
  44. В.И. Введение в экспериментальную спектроскопию. М., 1979
  45. Zecovic L.D., Urosevic V.V. The role of interference in the electroluminescence of thin anodic oxide films.-Thin Solid Films, 1981, v.78,p.279−286
  46. Zecovic L. D, Urosevic V.V., Jovanic B, Investigation of anodic alumina by a photоluminescence method,-Thin Solid Films, 1983, v. 105 ,№ 2, p. 169−176
  47. Н.В., Пундур П. А., Эркулис Г. Э. Интерференция катодо-люминесценции и распределение люминесцентных центров в тонких пленках Si02 .-Изв.АН Латв. ССР, сер.физ.тех.наук, 1982,№ 3,с.65−69
  48. Holm R.T., McKnight S.W., Palik E.D., Lukosz W. Interference effects in luminescence studies of thin films.-Applied Optics, 1982, v.21 ,№ 14, P. 2512−2519
  49. Mitchell J.P., Denure D.G. A study of Si02 layers on Si using cathodoluminescence spectra.-Solid State Electronics, 1973, v. l6, № 7, p. 825−839
  50. Ikonopisov S. Theory of galvanoluminescence of valve metals Изв.Болг.АН, сер.хим., 1980, т.132,с.182−197
  51. Зайдель А.Н., трейдер Е. Я. Вакуумная спектроскопия и ее применение. М., 1976, с.254
  52. Hagston W.E. Mechanism of exitation of rare-eart complex in electroluminescent devises.-phys.stat.sol.A, 1984, v.81,№ 2,p.687−693
  53. Vlasenko N.A., Denisova Z.L., Khomchenko V.S. Electroluminescen-- ce of SiOx LnP^ thin films.-phys.stat.sol, A,1984,v.81,№ 2,p.657−660
  54. Muller G.0., Mach R. On the mechanism of electron impact exited luminescent devices.-phys.stat.sol.A, 1983, v.77,И°2,p.K179-K183
  55. Карапетян Г. 0., Лунтер С. Г. Люминесценция стекол, активированных тербием.-Журн.прикл.спектр., 1966, т.5,К°. 3, с.310−315
  56. Hoaksly A."Woods J., Taylor К. Luminescence of Tb^+ ions in silicate glasses.-Journal of Luminescence, 1978, v. l7|N°4,p.385−400
  57. DiMaria D.J. The properties of electron and hole traps in thermal Si02 grown on Si.-In:"Physics of Si02 and its interfaces". NY, 1978, p.160−178
  58. Chandler P.J., Jaques P., Townsend P.D. Ion beam induced luminescence in fused silica.-Radiation Effects, 1979, v.42,U°1−2,p.45−53
  59. Alonso P.J."Halliburton L.E., Kohnke E.E., Bossoli R.B. X-ray induced luminescence in crystallin Si02.-J.Appl.Phys., 1983, v.54, № 9,p.5369−5375
  60. Hochstrasser G., Antonini J.P. Surface states of pristine silica surfaces.-Surface Science, 1972, v.32,p.644−664
  61. Тарантов Ю. А>."Романова Г. Ф., Диденко П. И., Булавинов В. В. Взаимные превращения анодных и термических октсных пленок на поверхности кремния.-Тез.докл.Всес.конф."Физика диэлектриков". Баку, 1982, c. I28-I30
  62. С.С., Сергеев М. С., Толстихина А. Л., Репко В. П. Структура ближнего атомного порядка аморфных пленок Si02 .-Поверхность, 1983, N2 9, с.76−82
  63. Suzuki Е., Hayashi Y. Carrier conduction and trapping in metal-nitride-oxide-semiconductor structures.-J"Appl.Phys., 1982, v.53, № 12, p. 8880−888 573″ Svensson C. M, The conduction mechanism in silicon nitride films.-J.Appl.Phys., 1977, v.48,p.329−335
  64. Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. М., 1976, с.207−21 575″ Robertson J., Powell М" Gap states in silicon nitride.-Appl. Phys.Lett., 1984, v.44,№ 4,p.415−416
  65. B.B., Тарантов Ю. А., Барабан А. П. О механизме увеличения проводимости нитрида кремния при деградации МНОП элементов памяти.-Письма в журн. Технической Физики, 1981, т.7,№ 4,с.253−258
  66. С.Н., Раков А. В. Исследование структурных особенностей пограничных областей системы кремний-двуокись кремния, полученной термическим окислением кремния.-Электронная техника, сер."Микроэлектроника", 1970, № 4,с. 60−64
  67. Beckmann K.H., Harrick Ж.J. Hydrides and hydroxyls in thin silicon dioxide films.-J.Electrochem.Soc., 1971, v.118,№ 4,p.614−619
  68. Galeener F.L., Mikkelsen J.C. Raman diffusion profilometry OH in vitreous SiOg.-Appl.Phys.Lett., 1981, v.38,N05,p.336−338
  69. Mikkelsen J.C., Galeener F.L. Steam thermal SiOgJpreparation and Raman characterization of free standing films"-Appl.Phys. Lett., 1980, v.37,№ 8,p.712−714
  70. Lei M, Wang Z. Spase distribution of the chemical composition of the thermo-grown SiO^-SiO^-Si system.-phys.stat.sol.B, 1983, v.120,p.189−195
  71. Mikkelsen J.C. Characterization of wet (D20) thermal oxidation of silicon by secondary ion mass spectrometry.-Appl.Phys.Lett., 1981, v.39 ,№ 8,p.601−603
  72. Hamasaki M. Effect of adding HC1 to the oxidizing ambient on characteristics of metal-oxide-semiconductor capasitors.-J.Appl. Phys., 1981, v.52,№ 5,p.3484−349 018
  73. Д. Люминесценция кристаллов. M., I96I, 200 с.
  74. Jones C, E., Embree D. Correlations of the 4,28 eV luminescence band in silicon dioxide with the oxygen vacancy.-J.Appl.Phys., 1976, v.47,p.5365−5371
  75. Ю.Г., Тарантов Ю. А., Барабан А. П., Летавин В. П. О ионной чувствительности системы раствор электролита- Si02-Si .-Журн. прикладной химии, 1980, т.53,№ 9,с. 1980−1985
  76. Egami E., Kimura M., Hamagushi I. Laser recristallization of silicon stripes in Si02 groves with a. policrystalline silicon sublayer.-Appl.Phys.Lett., 1983, v.43,№ 11, p, 1023−1025
  77. Pfeffer R, 0hring M. Network oxygen echange during water diffusion in Si02.-J.Appl.Phys., 1981, v.52,H°2,p.777−784
  78. В.Г., Горбань А. П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник. Киев, 1978
  79. Revesz A.G. The role of hydrogen in Si02 films on silicon.-J.Electrochem.Soc., 1979, v.126,№ 1,p.122−130
  80. Gdula R.A. The effect of processing on hot electron trapping in Si02.-J.Elec tгоchem. So с., 1976, v.123,p.42−48
  81. Bhattacharyya A.B., Manchanda L. Electron traps in Si02 grown in the presence pf trichlorethylene.-J.Electrochem.Soc., 1982, v. 129 ,№ 12, p. 2772−2778
  82. Schmidt P"P*, Ashner J.D. Tracer investigation of hydrohyls in Si02 films on silicon.-J.Electrochem.Soc., 1971, v, 118,№ 2, p.325−330
  83. Madou M.J., Gomes W, P, Fransen F, Cardon P. Anodic oxidationof p-type silicon in methanol as compared to glycol.-J.Electroehem" Soc., 1982, v.129,№ 12,p.2749−2755
  84. Badihi A., Eitan B, Cohen I., Shappir J. Current induced trap generation in Si02.-Appl.Phys, Lett., 1982, v.40,№ 5,p.396−398
  85. Suzuki E, Hayashi Y., Yanai H. Degradation properties jn metal-nitride-oxide-semiconductor structures.-J.Appl.Phys., 1981, v.52, № 10,p.6377−6385
  86. Mazarian J, Zamani N. Behaviour of the Si-Si02 interface observed by Fowler-Nordheim tunneling.-J.Appl.Phys, 1982, v.53, № 1,p.559−567
  87. Itsumi M. Positive and negative charging of thermally grown SiOg induced by Fowler-Nordheim emission.-J.Appl.Phys., 1981, v.52,№ 5,p.3491−3497
  88. Singh R.J., Srivastava R.S. Interface state generation by alternating voltage stress under visible irradiation at the Si-Si02 interface. J. Appl .Phys. , 1983, v. 54 ,№ 2, p. 1162−1164
  89. Lai S.K. Interface traps generation in silicon dioxide when electrons are captured by trapped holes.-J.Appl.Phys., 1983, v. 54, № 5, p. 2540−2546
  90. Nissan-Cohen Y., Shappir J, Frohman-Bentchcowsky D. High field current induced positive charge transients in SiOg.-J.Appl.Phys., 1983, v.54,№ 10,p.5773−5800
  91. Heyns M., DeKeersmaecker R.P., Hillen M.W. Traps generation and electron detrapping in Si02 during high field stressing of MOS structures.-Appl.Phys.Lett., 1984"v.44,№ 2,p, 202−204
  92. Brred D, J., Kramer R.P. Stable and unstable surface state charge in thermally oxidized silicon.-Solid State Electronics, 1976, v.19,p.897−907
  93. Wu J.K., Lyon S.A."Johnson W.C. Temperature and field dependence of the generation of interface states in the Si-Si02 system after high field stress.-Appl.Phys.Lett., 1983, v.42,№ 7,p.585−587
  94. Lai S. K, Young D, R. Effects of avalanche injection of electrons into silicon dioxide: generation of fast and slow interface states.-J.Appl.Phys, 1981, v.52,№ 10,p, 6231−6240
  95. Sah C.T., Sun J, Tzou J, Generation-annealing kinetics and atomic model of a compensating donor in the surface space charge layer of oxidized silicon.-J, Appl.Phys., 1983, v.54,№ 2,p, 944−956
  96. Ancona M.G. Electric field induced effects at the Si-Si02 interface: theory and experiment.-J.Appl.Phys., 1983, v.54,№ 9, — /5*5"р.5231−5239
  97. Radoicic R. The effect of a constant current stress on the oxides 1Л MOS capacitors.-J.Electrochem.Soc., 1983, v.130,N°6,p.1394−1397
  98. Zekerija V., Ma T. P, Interface traps generated by internal photoemission in Al-SiOg-Si structures.-Appl, Ph#s.Lett., 1983″ v.43,№ 1,p.95−97
  99. Gale R, Feigl P.J., Magee C. W, Young D, R. Hydrogen migration under avalanche injection of electrons in SI MOS capasitors.
  100. J. Appl.Phys., 1983, v.5412,p.6938−6942
  101. Барабан А.П., Тарантов Ю. А., Коноров П. П., Булавинов В.В.
  102. О захвате дырок н, а границе Si-Si02 .-Физика и техника полупроводников, 1982, т.16,№ 7,с.1289−1291
  103. Knoll М, Braunig D., Pahrner W.R. Comparative studies of tunnel injection and irradiation on metal oxide semiconductor structures, -J. Appl.Phys., 1982, v. 53 ,№ 10,p. 6946−6952
  104. DiMaria D. J,"Weinberg Z. A, Aitken J. U, Location of positive charges into Si02 films on Si generated by VUV photons, Z-rays and high field stressing.-J.Appl.Phys, 1977, v.48,H°3,p.898−906
  105. Powell R. J, Derbenwick G. F, Vacuum ultraviolet radiation effects in SiOg.-IEEE trans.Nucl.Sci, 1971, v. HS-18,№ 6,p.99−105
  106. Nicollian E, H, Berglund C.N., Schmidt P.P., Andrews J. M, Electrochemical charging of thermal Si02 films by injected electron current.-J.Appl.Phys., 1971, v.42,p.5654−5664
  107. Harstein A., Young D, R, Identification of electron traps in thermal Si02 films,-Appl.Phys.Lett, 1981, v.38,№ 8,p.631−633
  108. A.M. Теория дефектов в твердых телах. М., 1978, т. 2, с.66−69
  109. Skuja L.N., Silin A.R., Optical properties and energetic structure of non bridging oxygen centers in vitreous Si02, phys.stat.sol.A, 1979, v.56,li01,p.K11-K13
  110. Sigel G.H., Marrone M.J. Photoluminescence in as drawn and irradiated silica optical fibers: an assessment of the role of non bridging oxygen defect centers.-J.Non Cryst.Sol., 1981, v.45, № 3,p.235−247
  111. Griscom D.L., Priebele E.J. Fundamental defect centers in29glass:Si hyperfine structure of the non bridging oxygen hole center and the peroxy radical in SiOg.-Phys.Rev.B, 1981, v.24, p.4896−4898
  112. Shimakawa K, Kondo A. Model for AC conduction in amorphous Si02 films.-Phys.Rev.B, 1983, v.27,N°2,p.1136−1140
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!