Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Количественная катодолюминесцентная микроскопия прямозонных материалов полупроводниковой оптоэлектроники

Диссертация: Количественная катодолюминесцентная микроскопия прямозонных материалов полупроводниковой оптоэлектроники
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Актуальность работы. Особенностью современного этапа развития оптоэлектроники является переход к промышленному использованию микроструктур с размерами элементов в десятые, а в некоторых измерениях и в сотые доли микрометра. При серийном и массовом промышленном производстве таких изделий это приводит к необходимости применения таких технологических процессов, как электронная и ионная литография… Читать ещё >

Количественная катодолюминесцентная микроскопия прямозонных материалов полупроводниковой оптоэлектроники (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНТНАЯ МИКРОСКОПИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ
    • 1. 1. Расчет пространственного распределения потерь энергии электронами пучка в твердом теле
    • 1. 2. Распределение генерированных электронным пучком неосновных носителей заряда
    • 1. 3. Моделирование процесса генерации катодолюминесцентного излучения
    • 1. 4. Экспериментальная реализация методов катодолюминесцентной микроскопии и их использование для изучения полупроводников
    • 1. 5. Выводы и постановка задачи исследования

    2. РАССЕЯНИЕ ЭНЕРГИИ ЭЛЕКТРОННЫМ ЗОНДОМ В КОНДЕНСИРОВАННОМ ВЕЩЕСТВЕ 72 2.1. Физические принципы, положенные в основу математической модели рассеяния энергии электронным зондом в конденсированном веществе

    2.2. Некоторые возможности уточнения модели.

    2.3. Аппроксимация распределений потерь энергии широким электроным пучком в конденсированном веществе

    2.4. Выводы.

    РАСПРЕДЕЛЕНИЕ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В РЕЗУЛЬТАТЕ ИХ ДИФФУЗИИ В ПОЛУПРОВОДНИКЕ

    3.1. Модель коллективного движения неосновных носителей заряда

    3.1.1. Основы спектрального метода решения уравнения диффузии при использовании классических многочленов Лагерра.

    3.1.2. Матричный метод решения уравнения диффузии при использовании модифицированных функций Лагерра.

    3.1.3. Некоторые возможности интегрального метода наименьших квадратов при численном решении уравнения диффузии.

    3.2. Модель независимых источников.

    3.3. Сравнение результатов расчетов, проведенных с использованием различных моделей.

    3.4. Выводы.

    МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ИНТЕНСИВНОСТИ МОНОХРОМАТИЧЕСКОЙ КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ОТ ЭНЕРГИИ ЭЛЕКТРОНОВ ПУЧКА

    4.1. Линейная рекомбинация неосновных носителей заряда

    4.2. Катодолюминесценция полупроводников в условиях высокого уровня возбуждения.

    4.3. Общий подход к описанию катодолюминесценции прямозонных полупроводников

    4.4. Выводы.

    МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

    5.1. Экспериментальная установка.

    5.2. Оптимизация измерений и обработки экспериментальных данных. Теоретические основы метода.

    5.2.1. Алгоритм решения задачи.

    5.2.2. Подавление грубых ошибок измерения

    5.2.3. Сглаживание случайных погрешностей измерения и построение приближенной непрерывной функции

    5.2.4. Точность метода.

    5.2.5. Устранение систематической погрешности измерений. Оценка точности.

    5.3. Оптимизация измерений и обработки спектров катодолюминесценции.

    5.4. Применение разработанного метода в катодолюминесцентной микроскопии.

    5.5. Выводы.

    ОБ ИСПОЛЬЗОВАНИИ ИНТЕРПОЛИРОВАНИЯ С НАИМЕНЬШЕЙ ПОГРЕШНОСТЬЮ В КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНТНОЙ МИКРОСКОПИИ

    6.1. Идея метода.

    6.2. Оценка возможностей метода в задаче идентификации диффузионной длины неосновных носителей заряда.

    6.2.1. Решение задачи при отсутствии ограничений на значения погрешностей измеряемых величин.

    6.2.2. Определение диффузионной длины в условиях ограничений на значения погрешностей экспериментальных точек.

    6.2.3. Об устойчивости алгоритма идентификации диффузионной длины неосновных носителей заряда

    6.2.4. Некоторые результаты экспериментальных исследований

    6.3. Выводы.

    7. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ИНФОРМАТИВНЫХ ВОЗМОЖНОСТЕЙ КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНТНОЙ МИКРОСКОПИИ ПРЯМОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

    7.1. О связи регистрируемых и истинных спектров катодолюминесценции полупроводников.

    7.2. Использование зависимости интенсивности монохроматической катодолюминесценции от энергии электронов пучка для измерений параметров бинарных соединений А2В6, А3В5 и твердых растворов замещения на их основе.

    7.2.1. Практическая реализация метода.

    7.2.2. Изучение монокристаллов фосфида индия. 206 7.3. Определение доли замещающих атомов в твердых растворах замещения типа A^BiCi-yDy по результатам катодолюминесцентных и рентгенодифракционных измерений

    7.3.1. Математическая модель, описывающая взаимосвязь состава и свойств четверного твердого раствора замещения.

    7.3.2. Выбор метода и алгоритм решения задачи

    7.3.3. Катодолюминесцентная микроскопия эпитаксиальных структур

    IniIGaIPi"AsJ/-InP.

    7.4. Информативные возможности катодолюминесцентного и синхротрониого излучений при исследованиях твердых растворов CdTei-zSez и Cd-x7jnxTe-ySey.

    7.5. Некоторые применения электроннозондовых методов при разработке технологии получения высокочистых материалов полупроводниковой электроники.

    7.6. Выводы.

    8. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ДИОДНЫХ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ И ФОТОПРИЕМНЫХ СТРУКТУР

    8.1. О возможности оценки концентрации акцепторной примеси в области р — п перехода структуры.

    8.2. Изучение взаимосвязи локальных свойств, условий изготовления и люминесцентных характеристик светодиодов на основе эпитаксиальных структур GaAs-GaixAlj-As.

    8.3. Исследования локальных свойств и электрофизических характеристик фотодиодов на основе монокристаллического InSb с различными защитными покрытиями.

    8.4. Локальная диагностика поликристаллических диодных структур на основе гетероперехода Cu2-a-S-CdS.

    8.5. Выводы

Актуальность работы. Особенностью современного этапа развития оптоэлектроники является переход к промышленному использованию микроструктур с размерами элементов в десятые, а в некоторых измерениях и в сотые доли микрометра. При серийном и массовом промышленном производстве таких изделий это приводит к необходимости применения таких технологических процессов, как электронная и ионная литография, использование жесткого ультрафиолетового и рентгеновского излучений. Существующие в настоящее время наиболее совершенные методы локальной диагностики базируются на тех же самых физических явлениях — взаимодействии заряженных частиц и жесткого электромагнитного излучения с твердым телом. По этой причине локальность, т. е. размер области, из которой регистрируется информативный сигнал, по порядку величины совпадает с минимальными размерами элементов, свойства которых следует изучить. Иными словами, такие распространенные методы локальной диагностики, как растровая электронная микроскопия (РЭМ), рентгеноспектральный микроанализ (РСМА), масс-спектрометрия вторичных ионов для многих современных объектов не могут считаться локальными. Сложность проблемы усугубляется тем, что в ближайшей перспективе не ожидается существенного совершенствования вышеуказанных методов диагностики, поскольку в этой области мы находимся вблизи физического предела, ограничивающего возможности дальнейшего улучшение разрешения.

При изучении материалов полупроводниковой оптоэлектроники одним из наиболее информативных является режим регистрации ка-тодолюминесцентного (KJI) излучения, возбуждаемого электронным зондом. Энергия возбуждения KJI излучения в полупроводнике составляет величину порядка единиц электронвольт. Однако необходимость получения KJI сигнала достаточной интенсивности с учетом размеров области рассеяния первичного пучка и диффузионных процессов генерированных неосновных носителей заряда (НИЗ) делают проблематичным использование традиционных KJI методов измерений для определения ряда параметров полупроводникового материла (диффузионной длины ННЗ и др.) с необходимым субмикронным разрешением, поскольку зона возбуждения информативного сигнала в этом случае может быть более микрометра. Аналогичная ситуация возникает при определении геометрических характеристик микрорельефа субмикронных объектов, толщин и других характеристик многослойных структур и т. п. Таким образом, можно констатировать, что метрологические характеристики современных методов локальной диагностики в известном смысле достигли своих предельных значений. Возможности их дальнейшего совершенствования во многом ограничиваются физическими параметрами процессов взаимодействия зондирующего излучения с веществом: длинами пробегов частиц, глубиной выхода вторичных излучений и т. д.

Цель работы — изучение фундаментальных процессов, приводящих к генерации KJI излучения, возбуждаемого электронным зондом, в прямозонных полупроводникахразвитие и разработка физических основ количественных электроннозондовых KJI исследований прямозонных материалов и структур полупроводниковой оптоэлек-троники, в т. ч. развитие и разработка количественных методов, связанных с возбуждением, регистрацией и обработкой KJ1 сигнала и необходимых для определения параметров полупроводников с повышенным разрешениемпроведение экспериментальных исследований перспективных материалов, структур и приборов полупроводниковой оптоэлектроники с использованием разработанных методов.

Методы исследования, реализованные для достижения цели работы, основаны на развитии существующих и создании новых, адекватных рассматриваемым физическим явлениям и процессам, математических моделей, связанных с количественной KJI микросконией прямозоиных полупроводников.

Для анализа количественных соотношений использованы математические методы решения поставленных задач, опирающиеся на теорию аппроксимации, аппарат решения дифференциальных уравнений, теорию матричных операторов, методы интерполирования с наименьшей квадратичной погрешностью.

Основой экспериментальных исследований явились различные методы РЭМ и прежде всего методы KJI микроскопии, методы сканирующей силовой микроскопии, а также другие методы исследования полупроводниковых объектов, такие, как рентгеновские (РСМА, рентгенофазовый анализ, метод стоячих рентгеновских волн), оптические (оптическая микроскопия, фотолюминесценция) — и некоторые другие методы измерений электрофизических параметров полупроводниковых материалов и приборов на их основе.

Достоверность полученных результатов обеспечена детальным рассмотрением физических явлений и процессов, связанных с возбуждением KJI излучения в прямозонных полупроводниках, что позволило на базе классических представлений создать оригинальные математические модели, реализующие новые подходы к количественному описанию рассматриваемых явлений. Во многом достоверность полученных результатов обеспечивается хорошим согласием между результатами расчетов и многочисленными экспериментами, а также использованием результатов диссертационной работы для решения фундаментальных и прикладных задач в ряде (указанных ниже) ведущих научных и производственных организаций России.

Научная новизна работы определяется следующими основными результатами:

1) предложена новая модель пространственного распределения плотности потерь энергии электронами зонда в твердом теле, основанная на раздельном количественном описании вклада в процесс рассеяния энергии поглощенных в мишени и обратно рассеянных электронов, которая может быть использована при расчетах для широкого ряда материалов и диапазона энергий электронов пучка, характерного для электроннозондовых устройств;

2) для модели коллективного движения ННЗ, генерированных широким электронным пучком, разработан матричный (спектральный) ортогонально-проекционный метод численного расчета распределений ННЗ в результате их диффузии в полупроводнике, основанный на использовании в качестве базиса модифицированных функций Ла-герра;

3) определены возможности реализации модели независимых источников при моделировании процессов диффузии ННЗ, генерированных широким электронным пучком в однородном полупроводниковом материале. Решение уравнения диффузии ННЗ от бесконечно тонкого планарного источника получено в виде аналитической непрерывной кусочно-гладкой функции;

4) разработана модель, описывающая КЛ излучение, возникающее при излучательной рекомбинации генерированных в прямозон-ном полупроводнике электронно-дырочных пар и позволяющая решать как прямую (расчет КЛ по известным параметрам материала), так и обратную (определение параметров полупроводника по зависимости интенсивности монохроматической КЛ от энергии электронов пучка) задачи;

5) показано, что использование интерполирования с наименьшей квадратичной погрешностью (конфлюентного анализа) с учетом погрешности измерений интенсивности КЛ излучения и энергии электронов пучка может позволить существенно улучшить точность измерений, что для объектов полупроводниковой оптоэлектроники обеспечивает необходимую субмикронную точность определения их параметров (диффузионной длины ННЗ и др.):

6) предложен метод оценки концентрации акцепторной примеси в области р — п перехода диодных структур на основе широкозонных прямозонных полупроводников при использовании мелких донорной и акцепторной примесей для создания р — п перехода;

7) разработан основанный на использовании локальных сплайнов новый, оптимальный по порядку емкости, детерминированный метод обработки данных KJI измеренийполучены оценки точности метода и оценки минимального числа точек, гарантирующих приближение с заданной погрешностью.

Практическая ценность исследования определяется следующим:

1) разработанный KJI метод определения параметров прямозонных полупроводников (диффузионной длины ННЗ, толщины приповерхностной области, обедненной основными носителями заряда, спектральной зависимости коэффициента поглощения) в сочетании с предлагаемыми методами обработки результатов эксперимента позволяет проводить измерения параметров с повышенной (по сравнению с методами, использовавшимися ранее) точностью;

2) оригинальный метод оценки концентрации легирующей акцепторной примеси в области р-п перехода прямозонного материала позволил исследовать распределение легирующей примеси в приповерхностном слое арсенида галлия после воздействия на него лазерного излучения при оплавлении поверхности. Полученные результаты подтвердили предположение, что при характерных условиях эксперимента в приповерхностном слое возбуждается конвективное движение расплава полупроводника;

3) разработанный метод оптимизации измерений и обработки спектров KJT полупроводников в отсутствии полной статистической информации об измеряемом сигнале позволяет оптимизировать процесс облучения поверхности полупроводникового материала в ходе проведения эксперимента и тем самым уменьшить тепловую нагрузку на образец, а также корректно оценить погрешность проводимых с использованием электронного зонда KJI измерений;

4) разработанный метод оценки количества замещающих атомов в прямозонных четверных твердых растворах замещения позволил оценить элементный состав на поверхности эпитаксиальной пленки Ini^GaxPi^Asy в экспериментально обнаруженных областях диаметром до 20 мкм с KJI, отличающейся от люминесценции матрицы;

5) использование KJI методов исследования в сочетании с другими методами (электроннозондовыми и электрофизическими измерениями, применением синхротронного излучения, атомной силовой микроскопии — и др.) для диагностики светодиодных и фотоприемных материалов и структур (InP, InAs, InSb, GaP^As^a., Gai^AlzAs-GaAs, Cdi-zZna/Tei-ySej, Ini-^GaajPi-yAsy-InP, Cii2xS-CdS), а также поликристаллических SiC покрытий, предназначенных для использования в качестве защитного материала в установках для выращивания монокристаллов полупроводников — позволили получить новую информацию об изучаемых объектах и уточнить место и возможности KJI анализа при их диагностике.

Результаты работы использованы в следующих организациях: ФГУП «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет» Министерства промышленности, науки и технологий РФ (г. Москва), ОАО «НИИ материалов электронной техники» ОАО «Российская электроника» (г. Калуга), ОАО «Московский завод «Сапфир» Российского агентства по обычным вооружениям (г. Москва), ФГУП «Научно-производственное предприятие «Квант» Российского авиационного космического агентства (г. Москва), ФГУДП «Калужское ОКБ НПО им. С. А Лавочкина» Российского авиационного космического агентства (г. Калуга) — что подтверждено актами об использовании результатов диссертационной работы.

Часть из полученных материалов использована в МГУ им. М. В. Ломоносова и МГТУ им. Н. Э. Баумана при подготовке диссертационных работ аспирантами и дипломных работ студентами.

Общая оценка полученных результатов. Совокупность разработанных в диссертационной работе принципов перазрушающей KJI диагностики прямозонных материалов и структур полупроводниковой оптоэлектроники, основанных на оригинальных моделях, описывающих процесс возбуждения информативного сигнала в полупроводнике, с учетом разработанных методов оптимизации измерений и обработки спектров KJI излучения, использования современного математического аппарата для моделирования изучаемых процессов и результатов проведенных экспериментов вносят весомый вклад в новое направление в бесконтактной неразрушающей диагностике прямозонных полупроводников, количественную KJ1 микроскопию, и подтверждают целесообразность развития этого научного направления, в том числе для проведения измерений параметров полупроводников с повышенным (субмикронным) разрешением.

Основание для проведения работ. Все исследования проведены при выполнении научно-исследовательских работ (НИР) по планам Министерства образования РФ и Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ). Финансовая поддержка была оказана при выполнении следующих работ:

1) НИР, в которых диссертант являлся (или является) руководителем: по грантам РФФИ и администрации Калужской области (проекты 00−02−96 011 и 02−02−96 017) — по программе Министерства образования РФ «Конверсия и высокие технологии. 1997;2000 гг.» (проект 43−1-29) — по гранту Министерства образования РФ (проект Т00−2.2−852, номер гос. регистрации 1 200 110 405, инв. номер 2 200 303 192) — ряда НИР, выполненных по единому заказ-наряду Министерства образования РФ (номер гос. регистрации 1 980 003 287, инв. номер 2 980 002 759- номер гос. регистрации 1 990 003 021, инв. номер 2 990 001 656- номер гос. регистрации 1 200 002 385, инв. номер 2 200 001 323- номер гос. регистрации 1 200 002 393, инв. номера 2 200 001 327 и 2 200 104 557- номер гос. регистрации 1 200 303 331, инв. номер 2 200 302 542);

2) НИР, в которых диссертант являлся (или является) исполиителем: по гранту РФФИ (проект 97−01−550) — по грантам РФФИ и администрации Калужской области (проекты 98−02−3 568, 0−01−96 003, 01−01−96 015 и 02−01−96 023) — по программе «Университеты России (технические университеты)» (1997;1998 гг.) — ряда НИР, выполненных по единому заказ-наряду Министерства образования РФ.

Часть работ проведена при финансовой поддержке Международного научного фонда (International Science Foundation) и Германской службы академических обменов (Deutscher Akademischer Austausch-dienst).

Значительная часть работ проведена в рамках реализации договора о научном сотрудничестве между МГУ им. М. В. Ломоносова и МГТУ им. Н. Э. Баумана от 28 декабря 1992 г.

Научные положения и научные результаты, выносимые на защиту.

Новый подход к количественному описанию физического процесса генерации информативного сигнала в КJI микроскопии прямозои-ных полупроводников, основой которого являются:

1) математическая модель, описывающая потери энергии электронами пучка в твердом теле, основанная на учете раздельного вклада в процесс рассеяния энергии поглощенных в мишени и ОРЭ, применимая для широкого ряда материалов и диапазонов энергий первичных пучков, характерных для РЭМ;

2) метод вычисления распределений генерированных широким электронным пучком неравновесных ННЗ в результате их диффузии в однородных материалах полупроводниковой оптоэлектроники для следующих двух моделей: а) модели независимых источников, в которой распределение ННЗ после их диффузии в полупроводнике определяется как суперпозиция распределений ННЗ, продиффунди-ровавших от тонких планарных источников, для которых получено точное аналитическое решение в виде непрерывной кусочно-гладкой функцииб) модели коллективного движения ННЗ, для которой разработай матричный ортогонально-проекционный метод численного решения уравнения диффузии, основанный на использовании в качестве базисных модифицированных функций JIareppa;

3) математическая модель, описывающая зависимость интенсивности монохроматического КЛ излучения прямозонных полупроводников от энергии электронов пучка, основанная на корректном учете поверхностной рекомбинации ННЗ;

4) модель, описывающая излучательную рекомбинацию в области р — п перехода диодных структур на основе широкозонных прямо-зонных полупроводников при использовании для создания р — п перехода мелких донор ной и акцепторной примесей и при условии, что разность между энергиями акцепторного уровня и валентной зоны существенно больше разности между энергией зоны проводимости и энергией донорного уровня;

1 5) модель, описывающая зависимость ширины запрещенной зоны и параметра решетки прямозонного полупроводникового четверного твердого раствора замещения от его состава.

Создание (при использовании разработанных математических моделей рассматриваемых физических явлений) новых методов количественных KJI исследований прямозонных материалов полупроводниковой оптоэлектроники:

1) метод определения параметров полупроводников (диффузионной длины ННЗтолщины приповерхностной области, обедненной основными носителями зарядаспектральной зависимости коэффициента поглощения), основанный на модели, описывающей зависимость интенсивности монохроматического КЛ излучения прямозонных полупроводников от энергии электронов пучка и позволяющий при использовании метода конфлюентного анализа реализовать повышенную (по сравнению с другими электроннозондовыми методами) точность определения параметров мишени;

2) метод оценки концентрации легирующей акцепторной примеси в области р — п перехода прямозонного материала, основанный на модели излучательной рекомбинации из р — п перехода, созданного в полупроводнике мелкими донорной и акцепторной примесями;

3) метод оптимизации измерений и обработки спектров KJI полупроводников в отсутствии полной статистической информации об измеряемом сигнале, основанный на использовании т.н. LULU-мето-да и сплайн-сглаживания;

4) метод оценки доли замещающих атомов в прямозонных четверных твердых растворах замещения, основанный на модели, описывающей зависимость ширины запрещенной зоны и параметра решетки полупроводника от его состава.

Результаты электронномикроскопических исследований материалов и структур полупроводниковой оптоэлектроники, в т. ч. монокристаллических бинарных и тройных соединений InP, GaAs, In As, CdTe, GaPAs, CdTeSe, четверных твердых растворов замещения CdTeZnSe и InGaPAs, светоизлучающих структур на основе GaAlAs, фотоприемных структур на основе InSb, элементов солнечных батарей на основе поликристаллического CdS, микрокристаллических карбидкремниевых покрытий, предназначенных для использования в качестве защитного материала в установках для выращивания монокристаллов полупроводников.

Личный вклад автора в проведенное исследование. В диссертационной работе обобщены результаты многолетних исследований по математическому моделированию и экспериментальному изучению материалов и структур полупроводниковой оптоэлектроники методами KJI микроскопии, выполненные диссертантом самостоятельно и в соавторстве, в том числе с коллегами, у которых диссертант являлся (или является) научным руководителем: с аспирантами А. А. Беловым [26]—[33] и И. В. Гетманской [62, 63], соискателем С. Е. Степановым [51], [115]—[118], [176], [200]-[202], студентами В. А. Матвеевым [58], М. А. Попеловым [31], А. А. Самохваловым [27, 51, 81, 175, 208], М. Г. Сноповой и А. Г. Хохловым [209], М. М. Чайковским [27, 31, 51, 81, 82, 83, 175, 208], а также Канарейкиным Д. Е.,.

Кондратьевым Л. В, Курносовым Л. Л., Никифоровым И. А., Смирновым Д. В. (см. [26]) и другими студентами, ссылки на совместные работы с которыми в диссертации не приводятся.

Личный вклад автора заключается в выборе объекта исследований, формулировке и реализации цели и задач работы, в том числе: формулировке основных идей теоретических расчетов и участии в реализации вычисленийпроведении всех экспериментальных работ по KJI диагностике полупроводниковруководству или координации работ, включающих в себя использование различных (прежде всего не электронномикроскопических) методик исследований и дополняющих результаты KJI исследований — а также в анализе и обобщении полученных результатов.

Структура и объем работы. В соответствии с поставленными целями исследования, характером и объемом проведенной работы, диссертация содержит введение, 8 глав, заключение, список литературы и приложение. Общий объем диссертации составляет 345 страниц машинописного текста, содержащих текст работы, 89 рисунков, 9 таблиц и список использованных источников на 40 страницах, содержащий 325 наименований. После списка литературы приведены копии 5 актов об использовании результатов работы.

8.5. Выводы.

Проведены экспериментальные исследования перспективных для практического использования светодиодных структур на основе GaAlAs, фотоприемных структур на основе InSb, — а также элементов солнечных батарей на основе поликристаллического CdS. Получены новые результаты, способствующие улучшению технологии производства приборов на основе этих полупроводниковых материалов и структур:

1. В результате изучения диодных структур GaAs, полученных легированием различными донорной и акцепторной примесями и светодиодных структур на основе системы GaAs-AlAs методами РЭМ и посредством измерения их электрофизических характеристик получены следующие результаты:

• а) разработан основанный на KJI измерениях метод определения концентрации акцепторной примеси в области р — тг перехода диодных структур на основе системы GaAs-AlAs в случае создания рип областей посредством легирования различными мелкими донорной и акцепторной примесями и при условии, что разность между энергиями акцепторного уровня и потолком валентной зоны существенно больше разности между энергией дна зоны проводимости и донорно-го уровняб) используя KJI и РСМА, проведена оценка уменьшения молярной доли алюминия внутри каждого слоя Gai-jAl^As с увеличением его толщины по мере роста пленкив) методами KJI микроскопии проведена оценка распределения концентрации основных носителей по глубине эпитаксиальной структуры до и после диффузии цинка. С использованием разработанной методики определена концентрация цинка в области р — п-перехода структуры.

2. В результате изучения фотоприемных диодных структур на основе InSb методами РЭМ и посредством измерения их электрофизических характеристик установлено, что: а) используемая технология ионной имплантации в основном позволяет обеспечить необходимое качество формирования р — п переходов диодных структурб) нанесение пленки ППК поверх двухслойного защитного покрытия АОП + SiO улучшает электрофизические параметры структуры. Одновременно замедляются процессы, приводящие к деградации электрофизических параметров диодных структур и просветляется их поверхностьв) имеются предпосылки к возможности полной замены двухслойного защитного покрытия АОПf SiO на пленку ППК и/или использования оксидирования поверхности для создания тонкой защитной пленки;

3. Проведены комплексные электронномикроскопические исследования ФЭ на основе CdS с использованием стандартных возможностей РЭМ: изучением интегральной KJI, РСМА, использованием режимов «топография» и «состав» ОРЭ — и применением нестандартных методов: анализа спектров KJI излучения, цветной KJI, цвето-кодирования сигнала ОРЭ.

В результате этих исследований: а) определены возможности интегральной KJ1 в сочетании с другими стандартными режимами работы РЭМ при исследованиях ФЭ на основе поликристаллических пленокб) установлено, что применение цветной KJI и анализ спектров локальной KJI позволяют оценить качество напыленной пленки сульфида кадмия и ФЭ на ее основе, наличие дефектов и примесей на выбранных микроучастках поверхности, что дает возможность оценить их влияние на фотоэлектрические параметры приборав) исследовано проникновение меди в сульфид кадмия в процессе обработки в C112CI2 и термообработки. Установлено, что проведение вторичной термообработки приводит к проникновению меди вглубь кристалла и уменьшению толщины обогащенного медью приповерхностного слоя. Обнаружено, что медь проникает на значительные расстояния 10 мкм) вглубь пленки CdS по границам кристаллитов и обволакивает кристаллиты, в том числе и по участкам границ, параллельным подложке, что в определенных условиях может приводить к закорачиванию ФЭг) обнаружен ряд технологических дефектов, которые могут влиять на электрофизические параметры ФЭ.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1. Разработан новый подход к количественному описанию пространственного распределения плотности потерь энергии электронами зонда в твердом теле, основанный на идее раздельного количественного описания вклада в процесс рассеяния поглощенных в мишени и обратно рассеянных электронов. На основе предложенного подхода разработана математическая модель, которая может быть использована при проведении количественных расчетов для широкого класса материалов (от А1 по Pt) в широком диапазоне энергий первичных электронов (от 5 по 50 кэВ).

2. Для модели независимых источников и модели коллективного движения генерированных широким электронным пучком ННЗ разработаны методы расчетов распределений ННЗ в результате их диффузии в однородном полупроводнике.

В рамках модели независимых источников получено точное аналитическое решение дифференциального уравнения диффузии ННЗ от планарного бесконечно тонкого источника в виде непрерывной кусочно-гладкой элементарной функциираспределение всех генерированных ННЗ в полупроводнике найдено как суперпозиция таких функций. Развиваемый подход легко реализуется для однородных мишеней и является перспективным для проведения расчетов в пла-нарных полупроводниковых структурах.

Для модели коллективного движения ННЗ разработан матричный метод приближенного решения дифференциального уравнения диффузии, основанный на использовании ортонормированного базиса из модифицированных функций Лагерра. Для параметров полупроводников, характерных для материалов полупроводниковой оптоэлектроники, разработанный метод реализуется при сравнительно небольшом (около 15) числе членов ряда в разложении.

3. Разработаны математические модели, описывающие зависимость интенсивности монохроматического КЛ излучения прямозонных полупроводников от энергии электронов пучка: а) для случая низкого уровня генерации и линейной рекомбинации ННЗб) для случая высокого уровня генерации и квадратичной рекомбинации ННЗв) для общего случая, когда рассматриваемая зависимость может быть описана как суперпозиция линейной и квадратичной рекомбинаций ННЗ. Эти модели могут использоваться для всего диапазона энергий электронов пучка РЭМ: от ~ 5 кэВ до ~ 50 кэВ. Разработанные математические модели могут быть использованы для определения параметров прямозонных полупроводников: диффузионной длины ННЗтолщины приповерхностной области, обедненной основными носителями зарядаспектральной зависимости коэффициента поглощения и оценки скорости поверхностной рекомбинации ННЗ.

Показано, что использование интерполирования с наименьшей квадратичной погрешностью (конфлюентного анализа) с учетом погрешности измерений интенсивности KJI излучения и энергии электронов пучка может позволить существенно (примерно в два раза) повысить точность измеряемых параметров полупроводника.

4. Проведенные расчеты подтвердили экспериментальные данные, согласно которым даже при низких (менее 10 кэВ) энергиях электронов пучка РЭМ значения энергий максимумов спектров KJI отличаются от значения ширины запрещенной зоны прямозонного полупроводника на величину порядка единиц миллиэлектронвольт. Рассмотрено возможное влияние этого явления на результаты KJI измерений.

5. Разработан метод оценки концентрации акцепторной примеси в области р — п перехода диодных структур на основе широкозонных прямозонных полупроводников при использовании мелких донорной и акцепторной примесей для его создания и при условии, что разность между энергиями акцепторного уровня и валентной зоны существенно больше разности между энергией зоны проводимости и донорного уровня. Некоторые возможности метода рассмотрены на примере монокристаллов GaAs:(Te, Zn).

6. Для твердых растворов замещения типа Ai-ajB^Ci-yDy, область существования четверного твердого раствора которых в координатах «постоянная решетки-ширина запрещенной зоны» ограничена четырьмя гладкими кривыми, разработан математически корректный метод оценки доли замещающих атомов (х и у) по результатам измерений постоянной решетки и ширины запрещенной зоны. Показано, что предлагаемый метод может быть успешно использован и для четверных твердых растворов замещения Ini-zGasPi-yAs, прямозонных составов.

7. Решены вопросы, связанные с оптимизацией измерений, обработки и восстановления спектров KJI излучения полупроводников в условиях эксперимента (при отсутствии полной статистической информации об измеряемом сигнале): разработан новый, оптимальный по порядку емкости, основанный на использовании локальных сплайнов детерминированный метод обработки спектров KJI. Получены оценки точности метода и оценки минимального числа точек, гарантирующих приближение с заданной погрешностью.

8. Проведены экспериментальные электронномикроскопические исследования перспективных материалов и структур полупроводниковой оптоэлектроники, в т. ч. монокристаллических бинарных и тройных соединений InP, GaAs, InAs, CdTe, GaPAs, CdTeSe, четверных твердых растворов замещения CdTeZnSe и InGaPAs, свето-излучающих структур на основе GaAlAs, фотоприемных структур на основе InSb, элементов солнечных батарей на основе поликристаллического CdS, а также микрокристаллических карбидкремние-вых покрытий, предназначенных для использования в качестве защитного материала в установках для выращивания монокристаллов полупроводников. Методами KJI анализа определены значения электрофизических параметров полупроводников, проведена оценка распределения примесей в приборных структурах, получены другие результаты, способствующие улучшению технологии производства приборов на основе этих полупроводниковых материалов и структур.

Показать весь текст

Список литературы

  1. С.А., Енюков И. И., Мешалкин Л. Д. Прикладная статистика. Основы моделирования и первичная обработка данных. — М.: Финансы и статистика, 1983. — 428 с.
  2. А.Ф. Моделирование траекторий заряженных частиц. — М.: Энергоатомиздат, 1991. — 200 с.
  3. Х.Т., Юлдашев Б. Д. Электрические и фотоэлектрические свойства гетерофотоэлементов CusS-CdS, полученных на основе пленок CdS стехиометрического состава // Гелиотехника. — 1979. — № 5. — С.17−22.
  4. .И. и др. Структура энергетических зон твердых растворов InixGaj.AsiyPy / Ж. И. Алферов, И. Н. Арсеньев, Д. З. Гарбузов, В. Д. Румянцев // Физ. и техн. полупроводников. — 1977. — Т.11, вып. 12. — С.2330−2338.
  5. В.М. и др. Фотолюминесцентные свойства и электронное строение поверхности анодно окисленного n-InP / В. М. Андреев, А. М. Аллахвердиев, О. О. Ивентьева и др. // Физ. и техн. полупроводников. — 1985. — Т. 19, вып. 1. — С.110−113.
  6. Андрианов М. В, Pay Э.И., Седов Н. Н. К вопросу о контрасте изображений диэлектрических структур в РЭМ // Изв. РАН. Сер. физ. — 2002. — Т. 66, № 9. — С.1324−1329.
  7. М.К. и др. Растровая электронная микроскопия фотоэлементов на основе сульфида кадмия / М. К. Антошин, И. В. Карпенко, М. А. Степович и др. // Изв. АН СССР. Сер. физ. — 1980. — Т. 44, № 6. — С.1290−1293.
  8. М.К., Спивак Г. В., Юнович А. Э. Исследование ка-тодолюминесценции эпитаксиальных р — п переходов в фосфиде галлия с помощью растрового электронного микроскопа // Физ. и техн. полупроводников. — 1972. — Т. 6, вып. 11. — С.2123−2128.
  9. В.В. и др. Наблюдение объемных микронеоднород-ностей с помощью электронного микроскопа / В. В. Аристов,
  10. Н.Н.Дремова, С. И. Зайцев и др. // Доклады АН СССР. — 1988. — Т. 301, № 3. — С.611−613.
  11. В.П. и др. О возможности применения пленок поли-п-ксилилена для защиты и пассивации поверхности планар-ных фотодиодов на основе InSb / В. П. Астахов, А. А. Виновен,
  12. B.В.Карпов, А. В. Пебалк // Вопросы оборонной техники. Приемники и преобразователи излучения оптического диапазона. Приборы ночного видения. — 1996. — Вып. 3(150)-4(151) —1. C.36−40.
  13. В.П. и др. Использование и перспективы применения различных материалов в качестве защитных покрытий охлаждаемых InSb-фотоприемников / В. П. Астахов, В. В. Карпов, А. В. Пебалк, М. А. Степович // Перспективные материалы. — 1998. — № 6. — С.21−27.
  14. В.П., Лебедь В. И. Метод Монте-Карло в рентгеноспектральном микроанализе. — Новосибирск: Наука. Сиб. отделение, 1989. — 110 с.
  15. Н.И. Лекции по теории аппроксимации. — М.: Наука, ГИФМЛ, 1965. — 408 с.
  16. Д.В. Разработка рециркуляционной технологии получения микрокристаллического карбида кремния химическим осаждением из газовой фазы: Дис.. канд. техн. наук. — М.: МГИСиС, 2000. — 138 с.
  17. Д.В. и др. Экологически безопасная технология производства и электронно-микроскопическое исследование структуры и состава толстопленочного SiC / Д. В. Батов, А. В. Елютин, М. А. Степович и др. // Изв. РАН. Сер. физ. — 1998. — Т. 62, № 3. — С.565−569.
  18. Д.В. и др. Изучение структуры и состава толстых слоев карбида кремния, осажденного из газовой фазы / Д. В. Батов, Л. С. Иванов, М. А. Степович и др. // Изв. РАН. Сер. физ. — 1995. — Т. 59, № 2. — С.35−37.
  19. Н.С., Жидков Н. П., Кобельков Г. М. Численные методы. — М.: Наука, 1987. — 600 с.
  20. Белов А. А, Петров В. И., Степович М. А. Спектральный метод расчета распределения неосновных носителей заряда, генерированных электронным пучком в полупроводниковом материале // Изв. РАН. Сер. физ. — 2000. — Т. 64, № 8. — С.1646−1654.
  21. А.А., Степович М. А. Некоторые математические проблемы идентификации элементного состава полупроводниковых четверных твердых растворов замещения // Труды МГТУ им. Н. Э. Баумана. — 1999. — № 573. — С.114−122.
  22. А., Дин П. Светодиоды. — М.: Мир, 1979. — 686 с.
  23. Бонч-Бруевич B. JL, Калашников С. Г. Физика полупроводников: Учебное пособие для вузов. — М.: Наука, 1990. — 685 с.
  24. М.С. и др. Спектральное исследование энергетической структуры смешанных монокристаллов CdSexTeix / М. С. Бродин, Н. И. Витриховский, А. А. Кипень, И.Б.Мизец-кая // Физ. и техн. полупроводников. — 1972. — Т. 6, вып. 4. — С.698−702.
  25. .М., Фрайман B.C. Вторичная электронная эмиссия. — М.: Наука, 1969. — 408 с.
  26. И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии. — М.: Мир, 1985. — 496 с.
  27. А.С. и др. Роль взаимодействия дислокация-точечный дефект-легирующая примесь в процессе рекомбинации в ар-сениде галлия / А. С. Брук, А. В. Говорков, JI.И.Колесник и др. // Физ. и техн. полупроводников. — 1982. — Т. 16, вып. 8. — С.1510−1512.
  28. А.С., Говорков А. В. Исследование дефектов структуры полупроводниковых соединении типа AniBv на РЭМ в режимах наведенного тока и микрокатодолюминесценции // Изв. РАН. Сер. физ. — 1983. — Т. 47, № 6. — С.1202−1204.
  29. С. А. и др. Нелинейное поглощение света в сильно легированном n-InP вблизи края фундаментального поглощения / С. А. Быстримович, Р. Г. Запорожченко, В. Л. Малевичи др. // Физ. и техн. полупроводников. — 1994. — Т. 28, вып. 6. — С.1020−1026.
  30. К. Тепло- и термостойкие полимеры. — М.: Химия, 1984. — 1056 с.
  31. B.C. и др. Катодолюминесценция нелегированного нитрида галлия / В. С. Вавилов, С. И. Макаров, М. В. Чукичев, И. Ф. Четверикова // Физ. и техн. полупроводников. — 1979. — Т. 13, вып. 11. — С.2153−2159.
  32. О.В., Новиков Н. Н., Скрышевский В. А. Фотолюминесценция арсенида галлия, легированного теллуром // Физ. и техн. полупроводников. — 1981. — Т. 15, вып. 5. — С.1005−1008.
  33. Р.С. Функциональный анализ и теория аппроксимаций в численном анализе. — М.: Мир, 1974. — 128 с.
  34. Ф.П. Численные методы решения экстремальных задач. — М.: Наука, 1988. — 552 с.
  35. В.И., Глинчук К. Д., Прохорович А. В. Фотолюминесценция монокристаллического арсенида галлия // Физ. и техн. полупроводников. — 1976. — Т.10, вып. 3. — С.1097−1099.
  36. В.В. и др. Синтез и люминесцентные свойства монокристаллов Bi2Ga40g / В. В. Волков, А. В. Егорышев, А. Ф. Каргин и др. // Неорганические материалы. — 1996. — Т. 32, № 4. — С.455−458.
  37. Ю.Е., Петров В. И., Степович М. А. О возможности использования конфлюентного анализа в катодолюмине-сцентной микроскопии. Результаты математического моделирования // Изв. РАН. Сер. физ. — 2000. — Т. 64, № 8. — С.1624−1628.
  38. Ю.Е., Петров В. И., Степович М. А. Оценка возможностей конфлюентного анализа для измерений диффузионных длин неосновных носителей заряда катодолюминесцентным методом // Изв. РАН. Сер. физ. — 2001. — Т. 65, № 9. — С.1312−1315.
  39. Д.З., Агаев В. В., Гореленок А. Т. Эффективная из-лучательная рекомбинация (77 > 80%, Т ~ 300 К) и процессы переизлучения в объемных кристаллах n-InP // Физ. и техн. полупроводников. — 1982. — Т. 16, вып. 9. — С.1538−1542.
  40. А.Ф. и др. Катодолюминесценция монокристаллических твердых растворов CdixTexSe и Cdi-xZnjjTei-^Sey / А. Ф. Гареев, Н. Н. Михеев, В. И. Петров, М. А. Степович // Изв. РАН. Сер. физ. — 1992. — Т. 56, № 3. — С.90−94.
  41. Р.С. и др. Электронномикроскопические исследования локальной катодолюминесценции GaAs:(Те, Zn) в образцах с р — п переходом / Р. С. Гвоздовер, В. А. Матвеев,
  42. В.И.Петров, М. А. Степович // Изв. АН СССР. Сер. физ. —1980. — Т. 44, № И. — С.2145−2148.
  43. Р.С. и др. Определение электрофизических параметров полупроводников по зависимости катодолюминесценции от ускоряющего напряжения / Р. С. Гвоздовер,
  44. B.И.Петров, М. А. Степович и др. // Изв. АН СССР. Сер. физ. — 1984. — Т. 48, № 12. — С.2378−2383.
  45. Р.С. и др. Изучение структурных дефектов монокристаллов арсенида галлия в режиме катодолюминесценции РЭМ / Р. С. Гвоздовер, В. И. Петров, М. А. Степович и др.1.// Радиотехника и электроника. — 1984. — Т. 29, № 8. —1. C.1632−1634.
  46. Р.С., Степович М. А. Локальная катодолюминес-ценция эпитаксиальных пленок IniIGaIPiyAsy // Поверхность. Физика, химия, механика. — 1983. — № 3. — С.115−118.
  47. И.В., Степович М. А. Решение неоднородного уравнения диффузии с использованием математического пакета символьных вычислений MAPLE V // Труды МГТУ
  48. Ф.А. Поверхностные загрязнения и методы их исследования // Методы анализа высокочистых веществ / Под ред. Ю. А. Карпова. — М.: Наука, 1987. — С.75−93.
  49. Ф.А., Говорков А. В., Фистуль В. И. Исследование неоднородных полупроводников на растровом электронном микроскопе-микроанализаторе в режиме катодолюмине-сценции // Изв. АН СССР. Сер. физ. — 1974. — Т.38, № 7. — С.1409−1412.
  50. В. Основы электронной оптики. — М.: Гостехтеоре-тиздат, 1957. — 736 с.
  51. А.В., Гимельфарб Ф. А. Приставка к электроннозон-довому микроанализатору для регистрации спектров катодо-люминесценции в диапазоне 0,2−5 мкм // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. — 1974. — Т. 40, № 12. — С.1490−1491.
  52. А.В., Колесник Л. И. Микрокатодолюминесцентное исследование влияния дефектов структуры на излучательную рекомбинацию в арсениде галлия // Физ. и техн. полупроводников. — 1978. — Т. 12, вып. 3. — С.448−452.
  53. Ю.А. Исследование и управление локальными излу-чательными процессами в фосфиде галлия: Дис.. канд. физ-мат. наук. — М: МГУ им. М. В. Ломоносова, 1979. — 150 с.
  54. . Инфракрасная термография. Основы, техника, применение. — М.: Мир, 1988. — 416 с.
  55. А.А. Анализ и синтез стохастических систем. Параметрические модели и конфлюентный анализ. — М.: Радио и связь, 1990. — 320 с.
  56. А.А. Математические методы построения прогнозов. — М.: Радио и связь, 1997. — 112 с.
  57. В.П. Полупроводниковые лазеры: Учебное пособие. — Минск: Университетское, 1988. — 304 с.
  58. Д.Э., Филачев A.M., Фукс Б. И. Исследование зарядки диэлектриков при их импульсной обработке электронным лучом // Прикладная физика. — 1997. — Вып. 2−3. — С.24−32.
  59. В.П., Кияшко Г. Ф., Кухарчук М. С. Электроннозондо-вые устройства. — Киев: Наукова думка, 1974. — 268 с.
  60. Д., Вышецки Г. Цвет в науке и технике. — М.: Мир, 1978. — 592 с.
  61. С.А. и др. Применение растрового электронного микрозондового прибора для исследования полупроводниковых гетеропереходов / С. А. Дицман, Т. А. Куприянова, О. Д. Кропотова, А. Г. Глазунов // Изв. АН СССР. Сер. физ. — 1968. — Т. 32, № 6. — С.953−955.
  62. И. Десять лекций по вейвлетам. — Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2001. — 464 с.
  63. В.Г., Непийко С. А., Седов Н. Н. Электронная микроскопия локальных потенциалов. — Киев: Наукова думка, 1991. — 200 с.
  64. Н.Д., Лапин С. В., Степович М. А. Некоторые методы снижения чувствительности к возмущениям в задачах идентификации // Актуальные проблемы фундаментальных наук:
  65. Труды II международной научно-технич. конф. — Т. VI. — М., 1994. — С. В-171-В-174.
  66. Н.Д. и др. О возможности использования модифицированных функций Лагерра для аппроксимации функций типа Гаусса / Н. Д. Егупов, М. А. Степович, М. М. Чайковский, Д. В. Мельников // Труды МГТУ им. Н. Э. Баумана. — 2001. — № 580. — С.46−52.
  67. И.Б., Матвеевская Г. И., Шейнкман М. К. О природе центров оранжевой люминесценции в сульфиде кадмия // Физ. и техн. полупроводников. — 1975. — Т. 9, вып. 8. — С.1620−1623.
  68. Гл.С. О скорости углеводородного загрязнения объектов в микрозондовых системах // Поверхность. Физика, химия, механика. — 1983. — № 1. — С.65−72.
  69. Гл.С., Верцнер В. Н. О механизме образования углеводородных загрязнений на поверхностях, облучаемых узким электронным пучком // Доклады АН СССР. — 1967. — Т. 176, № 5. — С.1040−1043.
  70. В.Н. и др. Тонкопленочные солнечные элементы на основе CdTe и CdS / В. Н. Жукова, И. В. Карпенко, Ю. Н. Ксендзацкая, Р. Н. Тыквенко // Электротехн. промышленность. Хим. и физ. источники тока. — 1970. — Вып. 3. — С.21−25.
  71. Ю.С., Квасов Б. И., Мирошниченко B.JI. Методы сплайн-функций. — М.: Наука, 1980. — 352 с.
  72. С.И. Методы зондовой диагностики микроструктур: теория, моделирование и обратные задачи: Дис. в виде на-учн. докл.. докт. физ.-мат. наук. — Черноголовка: ИПТМ РАН, 2000. — 61 с.
  73. М.В., Вайншенкер И. А., Сидоров А. Ф. Спектрометр высокого разрешения к микроанализатору «КАМЕ-БАКС» для исследований спектров катодолюминесценции микрообъемов минералов // Изв. РАН. Сер. физ. — 1986. — Т. 50, № 9. — С. 1751−1752.
  74. М.В., Вайншенкер И. А., Заморянский А. Н. Оптический спектрометр к электронно-зондовому микроанализатору // Приборы и техника эксперимента. — 1987. № 4. — С. 161−163.
  75. .Г. и др. Определение кристаллографической полярности CdTe методом стоячих рентгеновских волн / Б. Г. Захаров, А. Ю. Казимиров, В. Г. Кон и др. // Письма в журнал технич. физики. — 1989. — Т. 15, вып. 22. — С.31−35.
  76. JI.C., Батов Д. В. Термодинамический расчет получения карбида кремния // Высокочистые вещества. — 1994. — № 5. — С.29−36.
  77. Излучательная рекомбинация в полупроводниках / Под ред. Я. Е. Покровского. — М.: Наука, 1972. — 304 с.
  78. А.Н., Крищенко А. П. Линейная алгебра: Учебник для вузов / Под ред. В. С. Зарубина, А. П. Крищенко. — М.: Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2001. — 336 с.
  79. X., Паниш И. Лазеры на гетероструктурах. — М.: Мир, 1981 — 356 с.
  80. Р.В., Павелец С. Ю. Электронографические исследования сульфида меди и рекомбинационные характеристики фотопреобразователей р—Cu2x-n—CdS // Физ. и техн. полупроводников. — 1979. — Т. 13, вып. 9. — С.2281−2284.
  81. В.А. Формирование сигнала модуляционной катодо-люминесценции в пространственно неоднородных полупроводниках: Дис.. канд. физ-мат. наук. — Черноголовка: ИПТМ РАН, 1997. — 142 с.
  82. П.С. Физика полупроводников: Учебное пособие для втузов. — М.: Высшая школа, 1975. — 584 с.
  83. М.В., Кон В.Г. Рентгеновские стоячие волны — новый метод исследования структуры кристаллов // Успехи физ. наук. — 1986. — Т. 149, вып. 1.— С.69−103.
  84. А.Н., Фомин С. В. Элементы теории функций ифункционального анализа. — М.: Наука, 1972. — 496 с.
  85. Л.И. и др. Фотолюминесцентные свойства эпитак-сиальных слоев n—GalnAsP / Л. И. Колесник, А.М.Лошин-ский, В. Ю. Рогулин и др. // Физ. и техн. полупроводников. — 1979. — Т. 13, вып. 6. — С.1151−1155.
  86. Л.Ф. Исследование полупроводников с повышенным разрешением в растровом электронном микроскопе: Дис.. канд. физ-мат. наук. — М.: Моск. гос. ун-т им. М. В. Ломоносова, 1977. — 185 с.
  87. С.Г., Сидоров А. Ф. Электроннозондовые методы исследования полупроводниковых материалов и приборов. — М.: Энергия, 1978. — 136 с.
  88. С.Г. и др. Функция генерации электронно-дырочных пар в полупроводниках AmBv при возбуждении электронным пучком / С. Г. Конников, В. А. Соловьев, В. Е. Уманский, В. М. Чистяков // Физ. и техн. полупроводников. — 1987. — Т. 21, вып. 11. — С.2028−2032.
  89. С.Г. и др. Ток, индуцированный электронным зондом в полупроводниковых гетероструктурах / С. Г. Конников, В. А. Соловьев, В. Е. Уманский и др. // Физ. и техн. полупроводников. — 1987. — Т. 21, вып. 9. — С.1648−1653.
  90. А.Д., Мусатов А. Л. Исследование скорости поверхностной рекомбинации InP и GaAs // Поверхность. Физика, химия, механика. — 1983. — № 8. — С. 136−138.
  91. Н.П. Точные константы в теории приближения. — М.: Наука, 1987 — 424 с.
  92. В. Поглощение энергии электронов в толстых мишенях // Физические основы рентгеноспектрального локального анализа. — М.: Наука, 1973. — С.11−27.
  93. Л.Д. О потерях энергии быстрыми частицами на ионизацию. — М.: Наука, 1969. — Т. 1. — С.482−490 (Собрание трудов).
  94. С.В. Оптимизация по емкости проекционных методов аппроксимации систем. — М.: Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 1995. — 224 с.
  95. С.В., Егупов Н. Д. Теория матричных операторов и ее приложение к задачам автоматического управления. — М.: Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 1997. — 496 с.
  96. С.В., Степанов С. Е., Степович М. А. О возможности использования локальных сплайнов в задаче оптимизации измерений спектров электромагнитного излучения // Труды МГТУ им. Н. Э. Баумана. — 1995. — № 567. — С.84−88.
  97. С.В. и др. Оптимизация измерений спектров катодолюминесценции / С. В. Лапин, В. И. Петров, С. Е. Степанов, М. А. Степович // Изв. РАН. Сер. физ. — 1996. Т. 60, № 2. — С.27−31.
  98. С.В. и др. Оптимизация методов обработки спектров катодолюминесценции полупроводников с использованием LULU- и сплайн-сглаживания / С. В. Лапин, В. И. Петров, С. Е. Степанов, М. А. Степович // Изв. РАН. Сер. физ. — 1998. — Т. 62, № 3. — С.570−577.
  99. В.В. Эспериментальная оптика. — М.: Изд-во Моск. ун-та, 1994. — 352 с.
  100. В.И., Афонин В. П. Развитие методов имитации на ЭВМ поведения электронного пучка в веществе // Рентгеновекая и электронная спектроскопия. — Черноголовка: ИФТТ, * 1985, — С.29−53.
  101. В.Г. Курс теоретической физики. Т. 1. — М.: Физмат-гиз, 1962. — 696 с.
  102. В.Г. Курс теоретической физики. Т. 2. — М.: Физмат-гиз, 1962. — 820 с.
  103. В.Л. и др. Исследования катодолюминесценции цинксульфидных и некоторых других като до люминофоров / В. Л. Левшин, Э. Я. Арапова, А. И. Блажевич и др. // Труды ФИАН им. П. Н. Лебедева СССР. — 1963, Т. 23. — С.64−135.
  104. Ли Г., Стоффи Д., Невилл К. Новые линейные полимеры. — М.: Химия, 1972. — 280 с.
  105. А.И. и др. Люминесценция монокристаллов ZnSe-Mn при комнатной температуре / А. И. Липчак, С. Г. Михайлов, В. И. Соломонов и др. // Оптика и спектроскопия. — 1997. — Т. 83, № 6. — С.927−932.
  106. Е.М., Питаевский Л. П. Физическая кинетика. — М.: Наука, 1979. — 528 с.
  107. Н.Б. Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах. — М.: Радио и связь, 1990. — 296 с.
  108. Л.А., Соболев В. И. Элементы функционального анализа. — М.: Наука, ГИФМЛ, 1965. — 520 с.
  109. В.В. Пространственное распределение плотности возбуждения в твердых телах, бомбардируемых электронами с энергией 0,5−500 кэВ // Журнал технич. физики. — 1978. — Т. 48, вып. 3. — С.551−555.
  110. . Методы и техника обработки сигналов при физических измерениях: В 2-х томах. — М.: Мир, 1983. — Т. 2 —
  111. Техника обработки сигналов. Применения. Новые методы. — 256 с.
  112. Г. И. Методы вычислительной математики. — М.: Наука, 1989. — 608 с.
  113. Н.М. Методы интегрирования обыкновенных дифференциальных уравнений. — Минск: Вышэйшая школа, 1974. — 362 с.
  114. Материалы для оптоэлектроники: Сб. ст. — М.: Мир, 1976. — 405 с.
  115. Г. А. и др. О возможности уточнения структуры энергетических уровней в твердых телах / Г. А. Месяц, В. И. Соломонов, С. Г. Михайлов, В. В. Осипов // Доклады Академии наук. — 1994. — Т. 339, № 6. — С.757−760.
  116. Методы анализа поверхностей / Под ред. А.Зандерны. — М.: Мир, 1976. — 584 с.
  117. Методы классической и современной теории автоматического управления: Учебник в 3-х т. / Под ред. Н. Д. Егупова. — М.: Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2000. — Т.2. — Синтез регуляторов и теория оптимизации систем автоматического управления. — 736 с.
  118. Микроанализ и растровая электронная микроскопия / Под ред. Ф. Морис, Л. Мени, Р.Тиксье. — М.: Металлургия, 1985. — 408 с.
  119. С.Г., Осипов В. В., Соломонов В. И. Импульсно-периодическая катодолюминесценция минералов // Журнал технич. физики. — 1993. — Т. 63, вып. 2. — С.52−64.
  120. Н.Н. Определение параметров прямозонных полупроводников на основе измерений зависимости интенсивности ка-тодолюминесценции от ускоряющего напряжения электронов зонда РЭМ // Физ. и техн. полупроводников. — 1987. — Т. 21, вып. 2. — С.370−372.
  121. Н.Н., Захаров Б. Г. Распределение наведенного электронным зондом тока в диодах на основе широкозонных AmBv // Электронная техника. Материалы. — 1982. — Вып. 2. — С.55−59.
  122. Н.Н., Дорогова Ю. Г. Измерение диффузионной длины неосновных носителей заряда и скорости поверхностной рекомбинации в арсениде галлия катодолюминесцентным методом // Электронная техника. Материалы. — 1988. — Вып. 4. — С.44.
  123. Н.Н. и др. Катодолюминесценция полупроводников в условиях высокого уровня возбуждения / Н. Н. Михеев, И. М. Никоноров, М. А. Степович и др. // Изв. АН СССР. Сер. физ. — 1990. — Т. 54, № 2. — С.267−270.
  124. Н.Н. и др. Катодолюминесценция монокристаллического теллурида кадмия / Н. Н. Михеев, И. М. Никоноров, В. И. Петров, М. А. Степович // Изв. АН СССР. Сер. физ. — 1990. — Т. 54, № 2. — С.332−335.
  125. Н.Н. и др. Катодолюминесценция арсенида индия, легированного теллуром / Н. Н. Михеев, И. М. Никоноров, М. А. Степович М.А. и др. // Изв. АН СССР. Сер. физ. — 1990. — Т. 54, № 2. — С.362−365.
  126. Н.Н. и др. Определение электрофизических параметров полупроводников в РЭМ методами катодолюминесценции и наведенного тока / Н. Н. Михеев, И. М. Никоноров,
  127. В.И.Петров, М. А. Степович // Тез. докл. VI Всесоюзн. сим-^ поз. по растровой электронной микроскопии и аналитическимметодам исследования твердых тел. — М., 1989. — С. 104.
  128. Н.Н., Петров В. И., Степович М. А. Вероятные потери энергии киловольтными электронами при прохождении ими пленочных мишеней произвольной толщины // Изв. РАН. Сер. физ. — 1993. — Т. 57, № 8. — С.56−58.
  129. Н.Н., Петров В. И., Степович М. А. Количественный анализ материалов полупроводниковой оптоэлектрони-ки методами растровой электронной микроскопии // Изв. ф, АН СССР. Сер. физ. — 1991. — Т. 55, № 8. — С.1474−1482.
  130. Н.Н. и др. Определение некоторых электрофизических параметров монокристаллических твердых растворов Cdi-zZn^Tei-ySey по спектрам катодолюминесценции
  131. Н.Н.Михеев, В. И. Петров, М. А. Степович, В. Аль Шаер // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Машиностроение. — 1993. — № 2. — С.3−8.
  132. Н.Н., Степович М. А. Распределение энергетических потерь при взаимодействии электронного зонда с веществом // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. — 1996. — Т. 62, № 4. — С.20−25.
  133. Н.Н., Степович М. А., Петров В. И. Моделирование процессов обратного рассеяния электронов от мишени заданной толщины при нормальном падении первичного пучка // Изв. РАН. Сер. физ. — 1995. — Т. 59, № 2. — С.144−151.
  134. Н.Н. и др. Катодолюминесценция монокристаллического фосфида индия п—типа проводимости / Н. Н. Михеев, М. А. Степович, В. И. Петров, Е. В. Невструева // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. — 2000. — № 2. — С.75−79.
  135. Молекулярно — лучевая эпитаксия и гетероструктуры / Под ред. Л. Ченга, К. Плога. — М.: Мир, 1989. — 584 с.
  136. Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлек-троника. — М.: Мир, 1976. — 431 с.
  137. Н.В. Разработка и исследование гетероструктур t InP/InGaAsP для систем волоконно-оптических линий связии промышленной технологии их производства: Дис.. канд. техн. наук. — М.: МГИСиС, 2001. — 114 с.
  138. М.С., Фекличев В. Г. Диагностика состава материалов рентгенодифракционными и спектральными методами. — JL: Машиностроение, Ленинградское отделение, 1990. —357 с.
  139. Ю.А., Раков А. В. Разрешающая способность растрового электронного микроскопа // Труды ИОФАН. — 1995. — Т. 49. — С.66−80.
  140. Ю.А., Раков А. В. Вторичная электронная эмиссияhрельефной поверхности твердого тела // Труды ИОФАН. — 1998. — Т. 55. — С.3−99.
  141. П.В., Зограф И. А. Оценка погрешностей результатов измерений. — Л.: Энергоатомиздат, 1991. — 304 с.
  142. С.К. и др. Исследования люминесцирующих материалов с большим временем релаксации в цветном растровом электронном микроскопе / С. К. Обыден, Г. В. Сапарин, Г. В. Спивак и др. // Изв. РАН. Сер. физ. — 1980. — Т. 44, № 6. — С.1142−1148.
  143. В.Д., Захаров Б. Г., Гаман В. И. О контрасте изображения диодов из арсенида галлия в лучах катодолюминесценции // Радиотехника и электроника. — 1973. —Т. 18, № 10. — С.2133−2135.
  144. . Оптические процессы в полупроводниках. — М.: Мир, 1973. — 384 с.
  145. Патент 2 026 589, CI, 6H01L 21/66 (РФ-RU). Способ изготовления планарных р — тг переходов на антимониде индия / В. П. Астахов, Ю. Н. Бойков, В. Ф. Дудкин и др. // Б.И. — 1995. — № 1.
  146. Патент 2 056 671, CI, 6H01L 21/265 (РФ-RU). Способ изготовления р—п переходов на кристаллах антимонида индия п—типа проводимости / В. П. Астахов, В. Е. Барбой, В. В. Карпов и др. // Б.И. — 1996. — № 8.
  147. Г. П. Физика поверхности полупроводников. — Киев: На-укова думка, 1967. — 187 с.
  148. Г. П. Физические явления на поверхности полупроводников: Учебное пособие для физ. и радиофиз. спец. вузов. — Киев: Вища школа, 1984. — 214 с.
  149. Г. П., Коваленко В. Ф., Куценко В. Н. Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов. — Киев: Техшка, 1986. — 151 с.
  150. В.И. Катодолюминесцентная микроскопия // Успехи физ. наук. — 1996. — Т. 166, вып. 8. — С.859−871.
  151. З.Г. Рентгеновская кристаллооптика. — М.: Наука, 1982. — 342 с.
  152. В.П. Теллурид кадмия-ртути и новое поколение приборов инфракрасной фотоэлектроники // Успехи физ. наук. — 2003. — Т. 173, № 6. — С.649−665.
  153. Практическая растровая электронная микроскопия / Под ред. Дж. Гоулдстейна, X. Яковица. — М.: Мир, 1978. — 656 с.
  154. Преобразование солнечной энергии. Вопросы физики твердого тела / Под ред. Б.Серафина. — М.: Энергоиздат, 1982. — 320 с.
  155. Т.М., Разыкова М. А. Электронно-зондовый анализ и } деградация фотопреобразователей Cu2xS-CdS // Гелиотехника. — 1981. — № 2. — С.29−31.
  156. Румшинский JI.3. Математическая обработка результатов измерений. — М.: Наука, 1971. — 256 с.
  157. М.И., Тилинин И. С. Исследование поверхности по обратному рассеянию частиц. — М.: Энергоатомиздат, 1985. — 152 с.
  158. А.А., Гулин А. В. Численные методы. — М.: Наука. — 1989. — 432 с.
  159. М.А., Филиппов С. С. Решение стационарного уравнения диффузии с точечным источником для электронно-зондового метода. — М., 1975. — 59 с. (Препринт Ин-та прикладной математики- N- 38).
  160. М.А., Филиппов С. С. Вычисление диффузионных ^ токов через р — п переход. — М., 1975. — 63 с. (Препринт
  161. Ин-та прикладной математики- № 60).
  162. В.И. Развитие локального катодолюминесцентного анализа в растровой электронной микроскопии: Дис.. канд. физ-мат. наук. — М.: МГУ им. М. В. Ломоносова, 1997. — 164 с.
  163. Г. Ф. Зонная структура твердых растворов GaP-InAs // Физ. и техн. полупроводников. — 1977. — Т. 11, вып. 8. — С.1550−1554.
  164. Р. Полупроводники. — М.: Мир, 1982. — 560 с. ф 191. Солимар Л., Уолш Д. Лекции по электронным свойствам материалов. — М.: Мир, 1991. — 504 с.
  165. Солнечная энергетика / Под ред. Ю. Н. Малевского и М. М. Колтуна. — М.: Мир, 1979. — 247 с.
  166. В.А., Соловьев С. А., Уманский В. Е. Определение геометрических параметров субмикронных полупроводниковых структур в режиме отраженных электронов в РЭМ // Изв. АН СССР. Сер. физ. — 1990. — Т. 54, № 2. — С.232−236.
  167. В.В., Дмитриев А. Н., Егупов Н. Д. Спектральные методы расчета и проектирования систем управления. — М.: Машиностроение, 1986. — 346 с.
  168. В.И. и др. Особенности импульсной катодолюми-несценции Hgl2 / В. И. Соломонов, Б. В. Шульгин, В. В. Осипов и др. // Письма в журнал технич. физики. — 1995. — Т. 21, вып. 10. — С.29−35.
  169. Г. В. и др. Растровая электронная микроскопия электрических неоднородностей в полупроводниках / Г. В. Спивак, А. Г. Алексеенко, Э. И. Рау и др. // Физ. и техн. полупроводников. — 1980. — Т.14, вып. 12. — С.1934−1940.
  170. Г. В., Петров В. И., Антошин М. К. Локальная като-долюминесценция и ее возможности для исследования зонной структуры твердых тел // Успехи физ. наук. — 1986. — Т. 148, вып. 4. — С.689−717.
  171. Г. В., Сапарин Г. В., Антошин М. К. Цветной контраст в растровой электронной микроскопии // Успехи физ. наук. — 1974. — Т. 113, вып. 4. — С.695−699.
  172. В.В. Курс дифференциальных уравнений. — М.: ГИТТЛ, 1952. — 280 с.
  173. С.Е. Разработка оптимального по порядку емкости метода измерения и обработки данных: Дис.. канд. физмат. наук. — Обнинск: ОИАтЭ, 2000. — 117 с.
  174. С.Е., Степович М. А. Корректность применения детерминированных аппроксимационных методов // Труды МГТУ им. Н. Э. Баумана. — 1998. — № 571. — С.60−69.
  175. С.Е., Степович М. А. Оптимизация измерений и обработки зашумленных данных при неполной статистической информации // Изв. Тульского гос. ун-та. Математика, механика, информатика. — 1998. — Т. 4, Вып. 1. — С.127−131.
  176. М.А. Катодолюминесценция четверных твердых растворов с координатно-зависимым градиентом ширины запрещенной зоны // Исследования в области теоретической электротехники и инженерной электрофизики. — Иваново: ИЭИ им. В. И. Ленина, 1982. — С.51−53.
  177. М.А. К оптимизации измерений диффузионной длины прямозонных полупроводниковых материалов катодолю-минесцентным методом // Поверхность. Рентгеновские, син-хротнонные и нейтронные исследования. — 2000. — № 5. — С.69−74.
  178. М.А. Расширение возможностей катодолюминесце-нтной микроскопии при изучении поверхностных свойств прямозонных полупроводников // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. — 2002. — № 7. — С.97−103.
  179. М.А. Оценка точности расчетов распределений неосновных носителей заряда, генерированных в полупроводниковом материале электронным пучком // Изв. РАН. Сер. физ. — 2003. — Т. 67, № 4. — С.588−592.
  180. М.А., Петров В. И. Экспериментальное изучение структуры зависимостей интенсивности катодолюминесценции монокристаллических полупроводников от энергии электронов пучка // Труды МГТУ им. Н. Э. Баумана. — 1993. — № 564. — С.45−53.
  181. П.К. Классические ортогональные многочлены. — М.: Наука, 1976. — 328 с.
  182. Таблицы физических величин: Справочник / Под ред. И. К. Кикоина. — М.: Атомиздат, 1976. — 1008 с.
  183. И.С. Отражение быстрых электронов при нормальном падении на поверхность вещества // Журнал экспериментальной и теоретич. физики. — 1982. — Т. 82, Вып. 4. — С.1291−1305.
  184. Дж., Вожьняковский X. Общая теория оптимальных алгоритмов. — М.: Мир, 1983. — 382 с.
  185. Ю.И. Оптические свойства полупроводников. — М.: Наука, 1977. — 368 с.
  186. Р.П. Введение в вычислительную физику. — М.: Изд-во Моск. физико-технич. ин-та, 1994. — 528 с.
  187. Физика и химия соединений AIIBVI / Под ред. С. А. Медведева. — М.: Мир, 1970. — 642 с.
  188. Физика соединений AnBVI / Под ред. А. Н. Георгобиани и М. К. Шейнкмана. — М.: Наука, 1986. — 320 с.
  189. Физические основы рентгеноспектрального локального анализа / Перев. с англ., под ред. И. Б. Боровского. — М.: Наука, Гл. ред. физ.-мат. лит-ры, 1973. — 312 с.
  190. A.M., Фукс Б. И. Проблемы электронно-лучевой обработки диэлектриков // Прикладная физика. — 1996. — Вып. 3. — С.39−46.
  191. Фистуль. Сильно легированные полупроводники. — М.: Наука, 1967. — 415 с.
  192. В.Д., Рубичев Н. А. Теория вероятностей и статистика в метрологии и измерительной технике. — М.: Машиностроение, 1987. — 168 с.
  193. Д.М. Прикладное нелинейное программирование. — М.: Мир, 1975. — 536 с.
  194. М.К., Ермолович И. Б., Беленький Г. Л. Механизмы оранжевой, красной и инфракрасной фотолюминесценции в монокристаллах CdS и параметры соответствующих центровсвечения // Физ. твердого тела. — 1968. — Т. 10, вып. 9. — С.2628−2638.
  195. С.С. и др. Природа мелких ямок травления в легированных теллуром монокристаллах GaAs / С. С. Шифрин,
  196. B.Б.Освенский, М. Г. Мильвидский и др. // Кристаллография. — 1978. — Т. 18, вып. 6. — С.1299−1302.
  197. В.И., Эфрос A.JI. Электронные свойства легированных полупроводников. — М.: Наука, 1979. — 416 с.
  198. В.А., Гвоздовер Р. С., Петров В. И. применение метода Монте Карло для расчета предельного пространственного разрешения в режиме локальной катодолюминесценции // Изв. АН СССР. Сер. физ. — 1988. — Т. 52, № 7. —1. C.1376−1379.
  199. Akamatsu В., Henok J., Henok P. Electron beam-induced current in direct-gap semiconductors // J. Appl. Phys. — 1981. — Vol. 52, No. 12. — P.7245−7250.
  200. Al-Achkar M., Scott C.G. The use of cathodoluminescence in studies of CuxS-CdS solar cells // Solar Energy Materials and Solar Cells. — 1992. — Vol. 27, No. 3. — P.253−263.
  201. Archard G.D. Backscattering of electrons // J.Appl. Phys. — 1961. — Vol. 32, No. 6. — P.1505−1514.
  202. Balk L.J., Kubalek E. Use of phase sensitive-(look-in)-amplica-tion with scanning electron microscope // Beitr. Elektronenmik-roskop. Direktabb. Oberfl. — 1974. — B. 6, Nr. 3. — S.551−558.
  203. Balk L.J., Kubalek E, Menzel E. Investigation of as-grown dislocation in GaAs single csystals in the SEM // Scanning Electron Microscopy. — 1976. — Part 1. — P.257−264.
  204. Balk L.J., Maywald M. Scanning force microscopy of semiconductor materials and devices / / Mater Sci. and Engineering. — 1994. — Vol. B24, No. 1. — P.203−208.
  205. Bolognesi C.R. How good can the Group-Ill nitrides get? // Compound Semiconductor. — 1998. — Vol. 4, No. 9. — P.19−21.
  206. Bragagnolo J.A. et al. The design and fabrication of thin-film CdS/Cu2S cells of 9,15 percent conversion efficiency / J.A.Bragagnolo, A.M.Barnett, J.E.Phyllips et al. // IEEE Transactions on Electron Devices. — 1980. — Vol. ED-27., No. 4. — P.645−651.
  207. Bresse J.F. A new analytical model for cathodoluminescence emission as a function of the beam energy in GaAs and InP materials // Materials Sci. and Engineering. —1996. — Vol. B24, No. 1. — P.199−203.
  208. Bresse J.F., Perotin M., Bougnot J. Characterisation of photo-piles CujS/CdS using ТЕМ, X-ray spectrometry and SEM by EBIC mode // Proc. 7th Europ. Congr. Electron Microscopy. — Hague, 1980. — Vol. 1. — P.358−359.
  209. Brown D.B., Ogilvie R.E. An evaluation of the Archard electron diffusion model // J. Appl. Phys. — 1964. — Vol. 35, No. 10. — P.2793−2795.
  210. Carlsson L., Van Esse C.G. An efficient apparatus for stu-ding cathodoluminescence in the scanning electron microscope // J. Phys. D. — 1974. — Vol. 7, No. 1. — P.98−108.
  211. Casey H.C., Buchler E. Radiative recombination in AmBv // Appl. Phys. Lett. — 1977. -— Vol. 30, No. 5. — P.247−254.
  212. Cosslett V.E., Thomas P.N. Multiple scattering of 5 30 keV electrons in evaporated metal films. III. Backscattering and absorption // Brit. J. Appl. Phys. — 1965. — Vol. 16, No. 7. — P.779−784.
  213. Christen J. Characterisation of semiconductor interfaces with atomic scale resolution by luminescence // Festkorperprobleme 30. Advanced in Solid State Phys. (Reprint) — Braunschweig: Vieweg, 1990. — P.239−268.
  214. Christen J. Cathodoluminescence imaging of semiconductor interfaces // JEOL News. — 1964. — Vol. 26E, No. 1. — P.12−17.
  215. Cusano D.A. Radiative recombination from GaAs excited by electron beams // Solid State Commun. — 1964. — Vol. 2, No. 2. — P.353−358.
  216. De Boor C. A practical guide to splines. — Bonn: Springer Verlag, 1978. — 392 p.
  217. Dmitruk N.L., Litovchenko V.G., Talat G.N. The effect of the surface space charge region on the cathodoluminescence of semiconductors // Surf. Sci. — 1978. — Vol. 72. — P.321−341.
  218. Donolato C. A Note on the spatial resolution of cathodoluminescence images // Phys. Stat. Sol. (A). — 1994. — Vol. 141, No. 2. — P. K131-K132.
  219. Everhart Т.Е. Kilovolt electron energy dissipation in solids // J. Appl. Phys. — 1960. — Vol. 31, No. 10. — P.1483−1492.
  220. Everhart Т.Е., Hoff P.H. Determination of kilovolt electron energy dissipation versus penetration distance in solid materials // J. Appl. Phys. — 1971. — Vol. 42, No. 13. — P.5837−5846.
  221. Freitas J.A. et al. Optical characterization of lateral epitaxial overgrown GaN layers / J.A.Freitas, O.-H.Nam, R.F.Davis et al. // Appl. Phys. Let. — 1998. — Vol. 72., No. 23. — P.2990−2992.
  222. Grundmann M., Christen J., Bimberg D. Electronic and optical properties of quasi-one-dimensional carriers in quantum wires
  223. J. Nonlinear Optical Physics and Materials. — 1995. — Vol. 4, No. 1. — P.99−140.
  224. Grundmann M. et al. Ultranarrow luminescwnce lines from single quantum dots / M. Grundmann, J. Christen, N.N.Ledentsov et al. // Phys. Rev. Letters. — 1995. — Vol. 74, No. 20. — P.4043−4046.
  225. Guergouri K. et al. Growth and investigations of monocrystalline GaAs and solid solutions / K. Guergouri, R. Triboulet, A. Tromsourcorli, Y.Marfaing. //J. Cryst. Growth — 1988. — Vol. 86, No. 1. —P.61−77.
  226. A.Gustafsson et al. Lokal probe techniques for luminescence studies of low-dimensional semiconductor structures / A. Gustafsson A., M.-E.Pistol, L.Montelius., L. Samuelson // J. Appl. Phys. — 1998. — Vol. 84, No. 4. — P.1715−1734.
  227. Haga T. et al. Specific lattice location of Zn in CdTe determined by ion-channeling methods / T. Haga, H. Suzuki, M.H.Rashid et al. // Appl. Phys. Lett. — 1988. — Vol. 52, No. 3. — P.200−202.
  228. Hakimzadeh R., Bailey S.G. Minority carrier diffusion length and edge surface-recombination velocity in InP //J Appl. Phys. — 1993. — Vol. 74, No. 2. — P.1118−1123.
  229. Hergert W., Hildebrandt S., Pasemann L. Theoretical investigations of combined EBIC, LBIC, CL and PL experiments // Phys. Stat. Sol. (A). — 1987. — Vol. 102, No. 3. — P.819−828.
  230. Hergert W. et al. Cathodoluminescence measurements using the scanning electron microscope for the determination of semiconductor parameters / W. Hergert, P. Reck, L. Pasemann, J. Schreiber // Phys. Stat. Sol. A. — 1987. — Vol. 101, No. 2. — P.611−618.
  231. Hildebrandt S. Cathodoluminescence microscopy of direct — gap semiconductors // Scanning Microscopy 1996 Meeting. Scanning Microscopy and Semiconductors (Summaries). — Chicago, 1996. — P.2.
  232. Hoffman C.A., Gerritsen H.J., Nurmikko A.N. Study of surface recombination in GaAs and InP by picosecond optical techniques // J. Appl. Phys. — 1980. — Vol. 51, No 3. — P.1603−1604.
  233. Hohn F.J. Angular dependence of electron intensities backscat-tered by carbon films // Optik. — 1977. — B. 47, Heft 4. — S.491−494.
  234. Holt D.B. New directions in scanning electron microscopy cathodoluminescence microcharacterization // Scanning Microscopy. — 1992. — Vol. 6, No. 1. — P. 1−21.
  235. Horl E., Miigschl E. Scanning electron microscopy of metals using ligtht emission // Proc. 5th Europ. Conf. El. Micr. — London-Bristol, 1972. — P.502−503.
  236. Hwang C.J. Quantum efficiency and the radiative lifetime of the «band-to-band» recombination in heavily-doped p-type GaAs // Phys. Rew. — 1979. — Vol. B6, No. 4. — P.1355−1364.
  237. Jones G.A.C., Nag B.R., Gopinath A. Temperature variation of cathodoluminescence in direct gap semiconductrs // Scanning Electron Microscopy. — 1973. — Part 1. — P.308−316.
  238. Joy D.C. Monte Carlo modeling for electron microscopy and microanalysis. — New York-Oxford: Oxford Univ. Press, 1995. — 452 p.
  239. Kanaya K., Okayama S. Penetration and energy-loss theory ofelectrons in solid targets //J. Phys. D. — 1972. — Vol. 5, No. 1. — P.43−58.
  240. Kanaya K., Ono S. The energy dependence of diffusion model for an electron probe into solid targets // J. Phys. D. — 1978. — Vol. 11, No. 10. — P.1495−1508.
  241. Kazumi W. et al. A high resolution cathodoluminescence microscopy utilizing magnetic field / W. Kazumi, A. Kozen, H. Fushimi, N. Inoue // Japanese J. Appl. Phys. —1988. — Vol. 27, No. 10. — P. L1952-L1954.
  242. Klein C.A. Spontaneous radiative recombination in semiconductors // IEEE J. Quantum Electronics. — 1968. — Vol. QE-4, No. 1. — 186−194.
  243. Knauer U., Wolfgang E. Cathodoluminescence spectrometry for the inspection of Si-doped GaAs diodes // Siemens-Forsch.-u. Entwikl. Ber. Bd. — 1977. — B. 6, Nr. 4. — S.236−241.
  244. Koch F. et al. Cathodoluminescence method of n- and p-GaAs investigations / F. Koch, W. Hergert, G. Oelgart, N.Puhlmann. // Phys. Stat. Sol.(A), 1988. — Vol. 109, No. 1. — P.261−272.
  245. Kulp B.A., Kelley R.H. Displacement of the sulfur atom in CdS by electron bombardment //J. Appl. Phys. — 1960. — Vol. 31, No. 6. — P.1057−1061.
  246. Kyser D.F., Wittry D.B. Spatial distribution of excess carriers in electron-beam excited semiconductors // Proc. IEEE. — 1967. — Vol. 55, No. 3. — P.733−734.
  247. Lohnert K. Untersuchungen zur Alterung griin Emittierender
  248. Mikkelsen J.C., Boyce J.B. Cathodoluminescence of inorganic chemicals // Phys. Rev. — 1983. — Vol. B28, No. 7. — P.7130−7142.
  249. Mallows C.L. Some theory of nonlinear smoothers // Annals Sta-tistica. — 1980. — Vol. 8, No. 4. — P.695−715.
  250. Matsukawa Т., Murata K., Shimizu R. Backscattering of kilovolt electrons // Phys. Stat. Sol.(A). — 1973. — Vol. 55, No 8. — P.3671−3679.
  251. Michall J. et al. STEM and CTEM studies of the CdS layers of thin-film solar cells / J. Michall, K.H.Norian, D.B.Williams, J.W.Edington // Proc. 7th Europ. Congr. Electron Microscopy. — Hague: 1980. — Vol. 1. — P.352−353.
  252. Mikheev N.N., Petrov V.I., Stepovich M.A. Spatial kilovolt electron energy loss distribution in solids // Актуальные проблемы электронного приборостроения: Труды международной научно-технич. конф. — Новосибирск, 1992. — Т. 2. — С.21−24.
  253. Mikheev N.N. et al. Investigations of Cdi-zZn^Tei-ySey Solid solutions by cathodoluminescence and X-ray standing wave methods / N.N.Mikheev, E.A.Sozontov, M.A.Stepovich,
  254. V.I.Petrov // Microscopy of Semicond. Materials. Inst. Phys. Conf. Ser. — London-Bristol, 1995. — No. 146. — P.443−446.
  255. Mikheev N.N., Stepovich M.A. The energy spectrum of electrons passing through film targets and some of its applications to electron beam engineering // Materials Sci. and Engineering. — 1995. — Vol. B32, Nos. 1−4. — P. ll-16.
  256. Moison J.M., Van Rompay М., Bensoussan М. Influence of the near-band-edge surface states on the luminescence efficiency of InP // Appl. Phys. Lett. — 1986. — Vol. 48, No. 20. — P. 1362−1364.
  257. Motta N. et al. Cathodoluminescence and impurity variations in doped semiconductors / N. Motta, A.Balzarotti., P. Letardi et al. // J. Cryst. Growth. — 1985. — Vol. 72, No. 2. — P.205−215.
  258. Monch W. Analysis of n—type semiconductors with electron beam excited radiative recombination // Surf. Sci. — 1983. — Vol. 132, Nos. 1−3. — P.92−121.
  259. Murata K. Spatial distribution of backscattered electrons in the scanning electron microscope and electron microprobe // J. Appl. Phys. — 1974. — Vol. 45, No. 9. — P.4110−4117.
  260. Murata K., Kyser D.B. Monte Carlo methods and microlitho-graphy simulation for electron and X-ray beams // Advanced in Electronics and Electron Physics. — (San Diego). — 1987. — Vol. 69. — P.175−259.
  261. Niedrig H. Electron backscattering from thin films // J. Appl. Phys. — 1982. — Vol. 53, No. 4. — P. R15-R49.
  262. Norris C.B., Barnes C.E., Beezhold W. Depth-resolved cathodoluminescence in indamaged and ion-implanted GaAs, ZnS and CdS // J. Appl. Phys. —1973. — Vol. 44, No. 7. — P.3209−3221.
  263. Nosker R.W. Scattering of highly focused kilovolt electron beams by solids // J. Appl. Phys. — 1969. — Vol. 40, No. 8. — P.1872−1882.
  264. Oakes J.J., Greenfield I.G., Partain L.D. Diffusion length determination in thin-film CuzS/CdS solar cells by scanning electron microscopy // J. Appl. Phys. — 1977. — V. 48, No. 6. — P.2548−2555.
  265. Oelgart G., Werner U. Kilovolt electron energy loss distribution in GaAsP // Phys. stat. sol. A. — 1984. — Vol. 85, No. 1. — P.205−213.
  266. Oelgart G., Fiddicke J., Reulke R. Investigation of minority-carrier diffusion lengths by scanning electron microscopy // Phys. stat. sol. A. — 1987. — Vol. 66, No. 1. — P.283−297.
  267. Pease R.F., Kwon O.-K. Physical limits to the useful packaging density of electronic systems // IBM J. Research and Development. — 1988. — Vol. 32, No. 5. — P.636−646.
  268. Powel M.J.D. Approximation theory and methods. — Cambrige: Cambrige University Press, 1981. — 339 p.
  269. Puhlmann N., Oelgart G. Semiconductor characterization by means of EBIC, cathodo- and photoluminescence // Phys. Stat. Sol. A. — 1990. — Vol. 122, No. 3. — P.705−713.
  270. Rao-Sahib T.S., Wittry D.B. Measurements of diffusion lengthsin p-type gallium arsenide by electron beam excitation ^ 11 J. Appl. Phys. — 1969. — Vol. 40., No. 9 — P.3745−3750.
  271. Reimer L. Monte Carlo simulation techniques for quantitative X-ray microanalysis // Proc. 4th European Workshop on Modern Developments and Applications in Microbeam Analysis. — St. Malo (France), 1995. — P. 31−45.
  272. Reimer L. Monte Carlo simulation of electron diffusion. Introduction and manual to the software package. — Miinster: Munster Universitat, 1997. — 115 p.
  273. Reynolds D.C., Antes L.L., Marburger R.E. Photovoltaic effect in cadmium sulfide // Phys. Prev. — 1954. — V. 96, No. 2. —ф P.533−534.
  274. Rohwer C.H. Fast one-sided approximation with spline functions //J. Comput. Appl. Math. — 1987. — No. 18. — P.93−105.
  275. Rohwer C.H. Idempotent one-sided approximation of median smoothers //J. Approximation Theory. — 1989. — No. 58. — P.161−163.
  276. Rohwer C.H. Locally monotone robust approximation of sequences // J. Comput. Appl. Math. — 1991. — No. 36. — P.399−408.
  277. Rohwer C.H. One — sided quadratic spline approximation Ф // Rendiconti del circolo matematico di Palermo, Serie II. —1998. — Suppl. 52. — P.759−764.
  278. Saparin G.V. et al. Three-dimentional studies of SiC polytype i transformations / G.V.Saparin, S.K.Obyden, P.V.Ivannikov etal. // Scanning. — 1997. — Vol. 19. — P.269−274.
  279. Schreiber J., Hergert W., Hildebrandt S. Combined application of SEM-CL and SEM-EBIC for the investigation of compound semiconductors // Appl. Surf. Sci. — 1991. — Vol. 50, No. ?. — P.181−185.
  280. SEM Microcharacterization of Semiconductors / Ed. by D.B.Holt, D.C.Joy. — London: Academic Press, 1989. — 452 p.
  281. Spicer W.E. et al. New and unified model for Schottky barrier and III-V insulator interface states formation / W.E.Spicer, P.W.Chye, P.R.Skeath et al. // J. Vac. Sci. Technol. — 1979. — Vol. 16, No. 5. — P.1422−1433.
  282. Steyn J.B., Giles P., Holt D.B. An afficient spectroscopic detection system for cathodoluminescence mode scanning electron microscopy //J. Microscopy. — 1976. — Vol. 107, No. 1. — P.107−128.
  283. Sze S.M. Physics of semiconductor devices. — New York: Wil-ley-Interscience, 1969. — 764 p.
  284. Tanaka A. et al. Zinc and selenium co-doped CdTe substrates lattice matched to HgCdTe / A. Tanaka, Y. Masa, S. Seto, T. Kavasaky // J. Cryst. Growth. — 1989. — Vol. 94, No. 1. — P.166−170.
  285. Thobel J.L. et al. Recent advanced in electron probe analysis / J.L.Thobel, L. Baudry, P. Bourel et al. // J. Appl. Phys. — 1993. — Vol. 74, No. 10. — P.6274−6287.
  286. Van Roosbroeck W. Injected current transport in semi-infinite semiconductor and determination of lifetimes and surface recombination velocities //J. Appl. Phys. — 1955. —Vol. 26, No. 1. — P.380−387.
  287. Van Roosbroeck W., Shockley W. Photon-radiative recombination of electrons and holes in germanium // Phys. Rew. — 1954. — Vol. 94, No. 6. — P.1558−1570.
  288. Waldrop J.R., Kowalczyk S.P., Grant R.W. Correlation of Fermi-level energy and chemistry at InP (lOO) interfaces // Appl. Phys. Lett. — 1983. — Vol. 42, No. 5. — P.454−456.
  289. Wittry D.B., Kyser D.F. Measurements of diffusion lengthsin direct — gap semiconductors by electron beam excitation // J. Appl. Phys. — 1967. — Vol. 38, No. 1. — P.375−382.
  290. Wu K.F., Czekaj J., Shaw M.P. Study of submicron InP transferred electron devices //J. Appl. Phys. — 1993. — Vol. 74, No. 1. —p.315−326.
  291. Wu C.J., Wittry D.B. Investigation of minority-carrier diffusion lengths by electron bombardment of Shottky barriers //J. Appl. Phys. — 1978. — Vol. 49, No. 5. — P.2827−2836.
  292. Yacobi B.G., Holt D.B. Cathodoluminescence microscopy of inorganic solids. — New York: Plenum Press, 1990. — 354 p.
  293. Yakimov Eu. Electron beam induced current investigations of electrical inhomogeneities with high spatial resolution // Scanning Microscopy. — 1992. — Vol. 6, No. 1. — P.81−96.
  294. Заведующий лабораторией доктор технических наук1. Л.С.Иваноь1. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ
  295. ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ МАТЕРИАЛОВ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ1. RUSSIAN FEDERATION
  296. Об использовании результатов диссертационной работы Степовича М. А. «Количественная катодолюминесцентная микроскопия прямозонных материалов полупроводниковой оптоэлектроники», представленной на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
  297. Проведенные работы показали высокую эффективность использования электронно-зондовых методов анализа при разработке в промышленном производстве отоэлектрон-ных приборов.1. Начальник ЦКБ
  298. Главный конструктор, кандидат физ.-мат. наук1. В.В. Карпов
  299. Зам. начальника ЦКБ, доктор техн. наук1. В.П. Астахов1. Главный технолог1. А.В. Пашко"
  300. ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ1. ПРЕДПРИЯТИЕ
  301. Научно-производственное предприятие &bdquo-Квант129 626, Москва, 3 Мытищинская, 16 E-mail: kvanleko @mail.cnt.ru Факс/тел. 287−18−71Г1. УТВЕРЖДАЮ"11. АКТ
  302. Настоящий акт состоит в том, что результаты диссертационной работы Степовича М. А. были использованы при разработке усовершенствованной технологии: производства тонкоплёночных фотоэлементов на основе поликристаллического сульфида кадмия.
  303. Показано, что возможности исследования локальных характеристик и диагностики фотоэлементов существенно расширяются при использовании цветной катодолкхминесценции и цветокодировании сигнала отражённых электронов.
  304. Результаты работы были использованы в отчетах лаборатории за 1979 г (Т.О. 17.79), за 1981 г.(Т.О. 53.81). и за 1998 г.(Т.О. 75.98).
  305. По результатам проведенных исследований сотрудниками предприятия совместно со Степовичем М. А. подана заявка на патент РФ (заявка № 2 002 100 104, приоритет от 9 января 2002 г.).
  306. Зам. главного конструктора
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!