Динамичное развитие ускорительной техники в сторону увеличения энергии ускоряемых частиц всегда накладывало определенные, весьма жесткие требования на вакуумные системы ускорителей и со временем задача обеспечения и поддержания сверхвысокого вакуума в вакуумной камере ускорителей стала отдельной научной отраслью.
До начала 70-х годов стандартная конфигурация вакуумной системы ускорителей включала в себя вакуумную камеру и соединенные с ней через фланцы стандартные откачные средства, расположенные периодически и обеспечивающие сосредоточенную откачку камеры. Повышение энергии частиц привело к уменьшению апертуры и сильному увеличению длины вакуумной камеры, что сделало невозможным использование только сосредоточенных средств откачки, особенно в присутствии десорбции газа, вызываемой синхротронным излучением (СИ).
Поэтому для решения задачи обеспечения требуемого по времени жизни сверхвысокого динамического вакуума в малоапертурных протяженных камерах были реализованы специальные решения. Одним из таких решений является применение встроенных разрядных насосов [43, 44], работающих в магнитном поле ускорителя и обеспечивающих распределенную откачку его вакуумной камеры. Такие встроенные распределенные насосы были применены в ИЯФ, PETRA в DESY[4], PEP в SLAC [5], TRISTAN в КЕК [6] и i.
HERA в DESY [7].
Другим решением может быть использование криогенных методов откачки. Подробное изучение поведения плотности остаточного газа при температурах жидкого гелия под действием СИ, проведенное в ИЯФ совместно с вакуумной группой CERN [19], выявило необходимость использования специальной вставки в такой вакуумной камере — так называемого лайнера [20]. Без лайнера на внутренней поверхности вакуумной камеры происходит быстрое накопление криосорбированных молекул и плотность газа под действием СИ становится неприемлемо большой уже через несколько часов работы ускорителя [21].
Дальнейший поиск более экономичных решений обеспечения сверхвысокого вакуума при комнатной температуре позволил отказаться от магнитного поля для осуществления откачки. Так впервые в ускорителе LEP в Швейцарии, CERN для откачки вакуумной камеры был применен неиспаряе-мый геттер (НЭГ) [3].
Геттерный насос в виде полоски константана шириной 30 мм с нанесением на нее с обоих сторон геттера Zr84-A116 располагался внутри вакуумной камеры, обеспечивая откачку около 23 км протяженности камеры при общем периметре в 27 км [3]. Данный геттер выпускается фирмой SAES и известен под маркой StlOl [11].
При изготовлении неиспаряемых геттеров используются активные металлы, различным способом нанесенные на материал основы [25]. Среди активных металлов применение нашли в основном элементы IV и V групп периодической таблицы Менделеева и их сплавы часто с добавлением А1 для увеличения скорости растворимости газа при активации [24].
Активация требуется для получения чистой поверхности геттера и производится путем нагрева геттера до определенной температуры — так называемой температуры активации, в результате чего пассивирующий слой хе-мосорбированных молекул, образованный на поверхности геттера растворяется в его объеме [29]. Температура активации и длительность нагрева зависит от состава сплава геттера [30] и должна быть минимально возможной в конкретном исполнении вакуумной системы.
Другим важным требованием при изготовлении геттеров является высокая предельная растворимость кислорода [25, 26, 31] в объеме материала, позволяющая производить многократные реактивации покрытия в том числе после вскрытия на атмосферу без заметной потери скорости откачки. Именно поэтому при изготовлении геттерных насосов особое применение нашли элементы IV группы подгруппы В периодической таблицы Менделеева Ti, Zr, Hf, предельная растворимость кислорода для которых превышает 20 атомных процента [26, 28].
Высокая начальная скорость откачки геттером основных остаточных газов, определяемая коэффициентом прилипания и геометрической площадью, занятой геттером, уменьшается по мере увеличения поверхностной плотности сорбированных молекул. Поэтому емкость геттера при применении его в вакуумной камере ускорителя определяет частоту циклов реактивации геттероного насоса.
Использование геттерного насоса StlOl в дипольной вакуумной камере.
LEP позволяло получить скорость откачки водорода порядка 2000 л-с" 1 на.
1 ^ метр длины и статический вакуум без пучка на уровне 2−10' Торр, после прогрева всей системы при 150° С в течении 24 часов [8].
Однако в процессе работы ускорителя десорбция газов Н2, СН4, СО и СО2 со стенок камеры под действием синхротронного излучения приводила к накоплению поверхностной плотности молекул и уменьшению скорости откачки, для восстановления которой требовалась частая реактивация насоса.
9].
Активация StlOl осуществлялась разогревом до Т=750° С в течение 45 минут пропусканием через полоску тока 95 А [12−14]. Очевидно, что такая резистивная или «активная» реактивация требует размещения электрических вводов и изоляции, что ограничивает величину площади полоски НЭГ, которую можно разместить в данной вакуумной камере и делает конструкцию вакуумной камеры громоздкой.
Несмотря на успешное применение геттера StlOl в LEP сравнительно высокая температура активации и усложнение геометрии вакуумной камеры для его размещения привели к поиску новых решений обеспечения вакуума в вакуумных камерах малых размеров. Так появился геттер St707, на основе сплава Zr (70%)-V (24.6%)-Fe (5.4%) толщиной 0.1 мм, наносимый на материал основы нержавеющую сталь или константан [15].
Геттер St707 был выполнен в виде кольцевых блоков и может быть размещен вставкой по периметру цилиндрической вакуумной камеры, фактически не занимая дополнительного пространства [16]. Причем, в отличие от StlOl, геттер имеет меньшую температуру активации Т=350°-400° С [1517] и не требует дополнительных электрических вводов, а его активация осуществляется простым прогревом вакуумной камеры при указанной температуре. Это так называемая «пассивная» активация [29].
При использовании гетера St707 в цилиндрической вакуумной камере из нержавеющей стали длиной 3 м и диаметром 160 мм после внешнего прогрева в течение часа при температуре 350° С была получена скорость откачки.
А 1 14 —.
10 л-с" на метр длины и давление ниже 10″ Торр [18].
С целью еще большего увеличения скорости откачки можно уменьшать расстояние между стенками камеры и насосом, однако это не приведет к уменьшению газовой нагрузки со стороны стенок. И для обеспечения наиболее плотного контакта между насосом и стенками камеры был сделан очередной шаг — наносить геттерное покрытие прямо на стенки вакуумной камеры [32].
Можно сказать, что эволюция развития вакуумных систем ускорителей от стандартных вакуумных камер с сосредоточенной откачкой до применения геттерных насосов типа St707 внутри вакуумной камеры заняла около 20 лет и конечной точкой этого периода считается применение неиспаряемых геттеров, методом магнетронного распыления наносимых непосредственно на внутреннюю поверхность вакуумной камеры. Такая процедура превращает внутреннюю поверхность вакуумной камеры из источника газа в эффективный насос, а величина размера такого насоса не превосходит нескольких микрон.
Производство такого покрытия осуществляется методом магнетронного распыления во вешнем соленоидальном поле и позволяет получать на материале основы пленки заданной толщины и химического состава [33].
В начале 90-х годов в CERN стартовал проект ускорителя следующего поколения ТэВ-ного диапазона LHC на энергию 2−7 ТэВ [1], в теплой части вакуумной камеры которого планируется использование пленок НЭГ [2, 32]. При этом покрытие должно иметь температуру активации, совместимую с температурой прогрева системы и не превышающую 200° С.
В процессе исследования, направленного на поиск подходящего состава НЭГ было протестировано 18 покрытий различного состава из элементов Ti, Zr, Hf, Nb, V [33], а также некоторые двойные и тройных их сплавы [34] и найден оптимальный состав покрытия Ti (30%)-Zr (20%)-V (50%) с температурой активации 180° С [35, 36].
Измерения коэффициентов прилипания для этого покрытия показали,.
•> «у что для водорода эта величина находится в пределах 6−10» — 2−10″, и 0.4 — 0.8 для СО и СОг [37], а механизм поглощения водорода носит объемный характер и сопровождается диффузией водорода в объем пленки в отличие от СО или СО2, которые остаются на поверхности [38].
Измерения статического давления в вакуумных камерах длиной 2 м с различными диаметрами от 34 мм до 100 мм, покрытых НЭГ TiZrV дали значения ниже 10'13 Торр после активации покрытия при Т=200° С в течение 24 часов. Причем измеренное давление определялось газовыделением измерительных датчиков [39].
Кроме того, как уже отмечалось, высокая предельная растворимость кислорода для элементов VI В группы позволяет производить многократные вскрытия на атмосферу с последующей реактивации при температуре активации без заметного уменьшения скорости откачки. Измерения, выполненные для TiZrV показали, что после 52 вскрытий на атмосферу скорость откачки по водороду уменьшается на 50% [37].
Таким образом, новая вакуумная технология, позволяющая получать покрытия вакуумных камер с исчезающе малыми размерами (несколько микрон), превосходными вакуумными характеристиками, малой температурой активации, прочным крепления покрытия на материале вакуумной камеры и возможностью проведения многократных реактиваций покрытия обеспечивала весьма привлекательное вакуумное решение. Однако для его применения в вакуумных камерах ускорителей необходимо было ответить на главный вопрос о динамическом поведении давления газа в такой вакуумной камере в процессе облучения ее стенок синхротронным излучением.
Ввиду отсутствия экспериментальных данных о фотодесорбции при облучении СИ покрытия НЭГ сформировалась необходимость в проведении самостоятельного научного исследования, главной целью которого являлось изучение процессов, происходящих в вакуумной камере, покрытой неиспа-ряемым геттером TiZrV при облучении синхротронным излучением. Необходимость в таком исследовании была высказана многими специалистами в области вакуумной науки и техники в контексте применения НЭГ TiZrV в теплой части вакуумной камеры коллайдера LHC, и на рабочем совещании в CERN были сформулированы две основные задачи такого исследования: I. Необходимо определить коэффициенты фотодесорбции основных газов в условиях реального облучения СИ покрытия НЭГ вакуумной камеры после активации ее покрытия внешним прогревом. И. Используя полученные значения определить при наборе какой дозы скорость откачки покрытия заметно уменьшится и потребует реактивации. При этом поскольку поглощение водорода сопровождается его диффузией внутрь, особое внимание следует уделить газам, остающимся на поверхности, таким как СО и СОг.
Более подробно задачи и методы их решения можно сформулировать следующим образом:
Задачи.
1. Определить спектр десорбируемых газов при облучении вакуумной камеры, покрытой НЭГ TiZrV и определить коэффициенты фотонно-стимулированной десорбции остаточных газов.
Метод: Разработать и создать экспериментальную установку, позволяющую производить измерения коэффициентов фотодесорбции г), используя метод трех датчиков [22] и производить прямые измерения коэффициента прилипания водорода методом напуска с краев.
2. Измерить коэффициент прилипания водорода и оценить коэффициенты прилипания СО и СОг, что необходимо для определения г| этих газов в явном виде.
Метод: для измерения коэффициента прилипания Н2 использовать вакуумную камеру, поверхность которой на 100% покрыта НЭГ TiZrV. Для оценки коэффициентов прилипания СО и СО2 использовать вакуумную камеру такой же геометрии, но покрытую НЭГ частично, на 87% процентов. Разработать метод оценки коэффициентов прилипания СО и СО2 по измерениям динамического давления указанных газов.
3. Поскольку частота реактивации покрытия вакуумной камеры ускорителя определяется насыщением покрытия СО или СОг, необходимо определить при какой накопленной фотонной дозе может произойти насыщение.
Метод: а) Изучить динамику давления при длительном облучении. Для этого произвести облучение вакуумной камеры, полностью покрытой НЭГ и если количество десорбируемого газа при набранной фотонной дозе окажется много меньшим монослоя, использовать вакуумную камеру, частично покрытую НЭГ. б) Произвести длительное облучение вакуумной камеры на 87% частично покрытой НЭГ до набора 1 монослоя и убедиться, произойдет ли насыщение.
4. В случае, если насыщение покрытия после длительного облучения не происходит, провести соответствующие исследования для лучшего понимания вопроса.
Для проведения описанных выше исследований в Институте Ядерной Физики им. Г. И. Будкера СО РАН (Новосибирск, Россия) совместно с вакуумной группой CERN (Женева, Швейцария) была разработана и создана экспериментальная установка на базе накопителя ВЭПП-3 как источника СИ, позволяющая проводить фотодесорбционные эксперименты в вакуумных камерах, покрытых TiZrV, изготовленных в CERN методом магнетронного напыления с толщиной покрытия 3 микрона.
В диссертацию вошли результаты работ по исследованию фотодесорб-ционных процессов, происходящих в вакуумных камерах, покрытых НЭГ TiZrV.
Впервой части приводится описание экспериментальной установки для проведения фотодесорбционных исследований, разработанной в Институте Ядерной Физики на основе накопителя ВЭПП-3 как источника СИ, а также метода измерения коэффициентов фотодесорбции в вакуумной камере для случая сосредоточенной и распределенной откачки (параграф 4, пункт 4.1, 4.2). Приводится описание метода измерения коэффициента прилипания (пункт 4.3). В первую часть также включено описание подготовки к проведению экспериментов, процедура активации и чувствительность при измерениях коэффициентов фотодесорбции.
Вторая часть посвящена описанию и анализу проведенных экспериментов.
В первом параграфе второй части приведены экспериментальные результаты измерений коэффициентов фотодесорбции в вакуумной камере, полностью покрытой НЭГ TiZrV. В пункте 1.1 описаны результаты измерения коэффициентов фотодесорбции rj газов Нг и СН4 и отношения rj/a для СО и СО2 для активированного покрытия при Т= 180±5° С в течение 24 часов. Пункт 1.2 посвящен измерениям коэффициента прилипания по водороду методом инжекции газа с краев. В пункте 1.3 описаны измерения коэффициентов фотодесорбции для случая пассивированного в результате короткого вскрытия на атмосферу покрытия. Результаты приведены в сравнении.
Во втором параграфе приводятся результаты измерений и анализ полученных данных при облучении вакуумной камеры из нержавеющей стали на.
87% покрытой НЭГ. Использование такой вакуумной камеры позволяет оценить коэффициенты прилипания газов СО и С02 для которых в нашей геометрии невозможно прямое измерение сг на активированном покрытии. Пункт 2.1 посвящен описанию метода оценки коэффициентов прилипания с использованием значений динамического давления указанных газов. В пункте 2.2 приведены результаты оценок коэффициентов прилипания газов СО, С02 и Н2. Для водорода полученные значения сравниваются с прямыми измерениями коэффициента прилипания напуском газа, откуда делается вывод о корректности предложенного метода. Пункт 2.3 посвящен наблюдению явления ненасыщения при длительном облучении такой неоднородной вакуум1 ной камеры. Облучение производилось до набора дозы D= 1.8−10 фотон-м", а количество десорбированного СО за это время составило 1 монослой, при этом измерения коэффициента прилипания СО указывали на то, что поверхность далека от насыщения. С целью выяснения причин явления ненасыщения были проведены исследования динамики давления СО под действием СИ в условиях заранее пассивированного СО покрытия. Описание соответствующих экспериментов и их теоретический анализ дан в параграфе третьем.
Описывается обнаруженное явление фотонно-стимулированной диффузии СО внутрь пленки под действием СИ. Для описания поведения СО с учетом фотонно-стимулированной диффузии приводится модель, параметр которой gm — максимальный коэффициент фото-стимулированной диффузии определяется экспериментально. Вводится понятие равновесной динамической плотности СО, объясняющее явление ненасыщения. Сделан вывод, что при облучении вакуумной камеры, покрытой НЭГ TiZrV благодаря явлению фотонно-стимулированной диффузии покрытие долгое время будет сохранять высокую скорость откачки СО и его реактивация не потребуется. Также формулируется критерий ненасыщения: если для покрытия коэффициент фотодесорбции СО меньше его максимального коэффициента фотонно-стимулированной диффузии, то при облучении СИ насыщения покрытия СО не произойдет. В пункте 3.3 даетсй объяснение явления ненасыщения в частично покрытой НЭГ вакуумной камере.
Параграф четвертый содержит описание экспериментов по измерению коэффициентов фотодесорбции в простой вакуумной камере из нержавеющей стали, проведенных в таких же условиях. Полученные значения г| сравниваются с известными из литературы.
При оценке величины коэффициентов прилипания газов СО и С02 необходимо оценочно знать величину коэффициента рассеяния фотонного потока к при скользящем облучении полоски нержавеющей стали, результаты измерения которого приведены в приложении.
В заключении кратко сформулированы основные результаты г диссертационной работы, выносимой на защиту.
Данная работа проводилась в Научно-Исследовательском Учреждении «Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН».
Основные результаты, вошедшие в диссертацию, докладывались на конференциях: Международная Конференция по Использованию Синхро-тронного Излучения СИ-98 (Новосибирск, 18−22 июля 1998 г.), 8th European Particle Accelerator Conference EPAC-2002 (Париж, Франция, июнь 2002 г.), XIV Всероссийская Конференция по Использованию Синхротронного Излучения СИ-2002 (Новосибирск, 15−19 июля 2002 г.), 6-я Научно-Техническая Конференция «Вакуум-2002» (Крым, Гурзуф, 17−24 сентября 2002 г.), Workshop on NEG coating (DL, ASTeC, Warrington, Cheshire, Великобритания, 23— 25 сентября 2002 г.), 8th European Vacuum Conference (Берлин, 23−26 июня, 2003 г.) и опубликованы в работах [42], [45], [48], [49], [52]-[54].
I. Экспериментальные установки и метод измерения.
Для проведения экспериментальных исследований в Институте Ядерной Физики СО РАН (Новосибирск, Россия) была создана установка на базе накопительного комплекса ВЭПП-3 как источника синхротронного излучения (СИ).
Для изучения фотодесорбции при облучении вакуумных камер, покрытых НЭГ TiZrV используется СИ комплекса ВЭПП-3 с критической энергией фотонного спектра е0=4.5 кэВ. Дополнительная установка для измерения коэффициента рассеяния фотонного потока к была собрана на канале вывода СИ комплекса ВЭПП-2М. Основные параметры комплексов ВЭПП-3 и ВЭПП-2М даны в таблице 1.
ВЭПП-3 ВЭПП-2М.
Энергия пучка, МэВ 2000 150−670.
Среднее время жизни, сек 20 000 1000.
Максимальное магнитное поле, кгс 17.6 18.25.
Радиус кривизны орбиты в точке излучения, м 3.85 1.22.
Периметр орбиты, м 74.39 17.88.
Критическая энергия фотонного спектра, эВ 4500 284.
Таблица 1.1 Основные параметры ускорительных комплексов ВЭПП-3 и ВЭПП-2М.
1. Каналы вывода СИ.
Для транспортировки излучения при проведении фотодесорбционных исследований используется специальный высоковакуумный канал вывода СИ комплекса ВЭПП-3, основные размеры которого приведены в таблице 1.2. Из поворотного магнита ВЭПП-3 синхротронное излучение транспортируется по этому каналу в специальный радиационно-безопасный бункер, где можно находится персоналу во время работы комплекса.
Для ограничения пучка на канале предусмотрены фиксированный коллиматор D на расстоянии 5500 мм от источника СИ и коллиматор, подвижные пластины которого Cv и Ch могут дополнительно ограничивать пучок в вертикальной и горизонтальной плоскостях. Положение пучка может контролироваться визуально при помощи трех люминесцентных датчиков, один из которых распложен непосредственно в зале ВЭПП-3 (LD0 на рис. 1.1) и служит для предварительного контроля трассировки. Два других датчика (LDi и LD2) распложены в бункере и позволяют вести визуальное наблюдение за пучком непосредственно перед началом эксперимента и, если понадобится, во время проведения работы. Вакуумная камера устанавливается под углом ~10 мрад по отношению к оси канала СИ вращением вокруг точки поворота (PIVOT на рис.1). Для измерения коэффициента рассеяния фотонов к использована установка на канале вывода СИ комплекса ВЭПП-2М. В таблице 1.3 указаны параметры этого канала.
Расстояние от точки излучения до приемника СИ мм.
Расстояние от приемника СИ до шибера VI 600.
Диаметр трубы канала от приемника СИ до VI 45.
Расстояние от точки излучения до диафрагмы D 5500.
Расстояние от диафрагмы D до точки поворота PIVOT 2500.
Ограничение вертикальной и горизонтальной апертуры коллиматора 0−40.
Таблица 1.2. Параметры канала вывода СИ комплекса ВЭПП-3. Все размеры указаны в мм.
Расстояние от точки излучения до приемника СИ 523.
Вертикальная апертура приемника СИ 10.
Горизонтальная апертура приемника СИ 10.
Расстояние от точки излучения до коллиматора 11 310.
Расстояние от точки излучения до точки поворота 10 930.
Диаметр трубы канала СИ от коллиматора до шибера VI 40.
Ограничение вертикальной и горизонтальной апертуры коллиматора 0−40.
Таблица 1.3. Параметра канала вывода СИ комплекса ВЭПП-2М. Размеры даны в мм.
Основные результаты практической работы, экспериментальных и теоретических исследований, проделанных автором, следующие:
1. Впервые измерены коэффициенты фотодесорбции основных остаточных газов при облучении СИ вакуумных камер, покрытых TiZrV. Показано, что после активации покрытия при Т= 180±5° С начальные коэффициенты фотодесорбции г| газов Н2, СН4, равны соответственно: г (Н2)= МО" 5 молекул-фотон" 1.
1 1 ti (CH4)=1−10″ / молекул-фотон", а для газов СО и СОг измеренные отношения коэффициента фотодесорбции к коэффициенту прилипания г|/ст, соответственно составили: г|/сг (СО)=2.7−10″ 5 молекул-фотон" 1 ц/а (С02)< 5.4−10″ 6 молекул-фотон" 1.
2. Показано, что с набором фотонной дозы коэффициенты фотодесорбции не изменяются.
3. Проведены измерения коэффициента прилипания Н2 на активированном покрытии методом напуска газа с краев вакуумной камеры. Измерения показали, что о (Н2)=0.007, что совпадает с измерениями, выполненными другими авторами [40].
4. Оценены коэффициенты прилипания газов СО и С02 с использованием разработанного метода оценки коэффициентов прилипания с использованием значений динамического давления указанных газов при облучении вакуумной камеры из нержавеющей стали на 87% покрытой НЭГ TiZrV. Измерения показали: ст (СО) «0.2 а (С02) «0.1, что также находится в разумном согласии и другими измерениями [40]. Оценка коэффициента прилипания водорода, выполненная этим методом дала значение ст (Н2)"0.008, совпадающее с прямыми измерениями, выполненными напуском газа в такой частично покрытой НЭГ вакуумной камере, что указывает на корректность предложенного способа оценки.
5. Значения коэффициентов фотодесорбции для пассивированного атмосферой покрытия показывают, что после активации коэффициенты фотодесорбции уменьшаются на величину от 2 до более чем 3 порядков в зависимости от газа.
6. Обнаружен эффект ненасыщения покрытия при длительном облучении 1 вакуумной камеры до набора дозы D= 1.83−10 фотон-м', когда количество десорбированного СО составило 1 монослой.
7. С целью определения причин явления ненасыщения было проведено исследование, в результате которого было обнаружено явление фотонностимулированной диффузии молекул СО вглубь пленки геттера под действием СИ.
8. Разработана модель поведения СО под действием СИ и экспериментально определен параметр модели gm — максимальный коэффициент фотонно-стимулированной диффузии: gm=3.3−10″ 5 молекул-фотон'1.
9. Введено понятие равновесной динамической поверхностной плотности se, объясняющее явление ненасыщения в вакуумной камере, полностью покрытой НЭГ.
Sm где ss~ поверхностная плотность СО, соответствующая насыщениюГ) -коэффициент фотодесорбции СОgm — максимальный коэффициент фотонно-стимулированной диффузии для данного покрытия. se =3.2−1014 молекул-см" 2 Ю. Сделан вывод, что при облучении вакуумной камеры, покрытой НЭГ TiZrV благодаря явлению фотонно-стимулированной диффузии покрытие сколь угодно долгое время будет сохранять высокую скорость откачки СО и его реактивация не потребуется. 11. Найден критерий ненасыщения: если для покрытия коэффициент фотодесорбции СО меньше его максимального коэффициента фотонностимулированной диффузии, то при облучении СИ насыщения покрытия СО не произойдет.
12. Для проведения экспериментальных исследований была разработана и изготовлена экспериментальная установка на базе комплекса ВЭПП-З как источника СИ, в которой использовано устройство для повышения чувствительности при измерении малых коэффициентов фотодесорбции покрытия нэг:
В результате обнаруженных в ходе проведенных исследовании исключительных фотодесорбционных свойств покрытия TiZrV, было принято решение об его использовании в теплой части вакуумной камеры коллайдера LHC.
В заключение выражаю искреннюю благодарность Геннадию Николаевичу Кулипанову и Вадиму Васильевичу Анашину, без которых этой работы просто бы не существовало. А также хочу выразить свою признательность О. Б. Малышеву, А. А. Краснову, Н. А. Пимонову за совместный труд по подготовке и проведению экспериментов, а также А. П. Лысенко за помощь в создании системы автоматизированного управления и сбора информации.
Особую признательность хочу выразить А. Д. Николенко за совместное обсуждения, а также всему коллективу комплекса ВЭПП-З и бункера СИ.
Заключение
.
