Динамика рекомбинации неравновесных носителей заряда в наноструктурах пористого кремния

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Динамика рекомбинации неравновесных носителей заряда в наноструктурах пористого кремния (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
- 1. 1. Получение пористого кремния
- 1. 2. Структурные свойства пористого кремния
- 1. 3. Фотолюминесценция пористого кремния и модели, объясняющие ее природу
  - 1. 3. 1. Квантово-размерная модель люминесценции
  - 1. 3. 2. Экситонные эффекты в фотолюминесценции
  - 1. 3. 3. Другие модели люминесценции пористого кремния: а-8кН, молекулярные комплексы, дефекты
- 1. 4. Влияние молекулярного окружения наноструктур пористого кремния на его электронные свойства
- 1. 5. Выводы из обзора литературы и постановка задачи исследования
Глава 2. МОДЕЛЬ РЕКОМБИНАЦИИ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В КРЕМНИЕВЫХ КВАНТОВЫХ НИТЯХ
- 2. 1. Основные предпосылки модели
- 2. 2. Уравнения для концентрации неравновесных носителей заряда в кремниевых квантовых нитях
- 2. 3. Стационарные концентрации экситонов и свободных неравновесных носителей заряда
- 2. 4. Релаксация концентрации свободных неравновесных носителей заряда после импульсного возбуждения
- 2. 5. Расчет спектров фотолюминесценции пористого кремния с учетом распределения наноструктур по размерам
Глава 3. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
- 3. 1. Приготовление образцов пористого кремния
- 3. 2. Измерение спектров ИК-поглощения и комбинационного рассеяния света
- 3. 3. Вакуумирование образцов и заполнение их молекулами диэлектрических сред
- 3. 4. Измерение спектров стационарной фотолюминесценции
- 3. 5. Регистрация фотолюминесценции и ИК- поглощения на свободных носителях заряда с временным разрешением
Глава 4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ
ОБСУЖДЕНИЕ
- 4. 1. Исследование образцов пористого кремния методами ИК-спектроскопии и комбинационного рассеяния света

— Актуальность проблемы. В настоящее время интенсивно исследуются свойства полупроводниковых наноструктур, таких как квантовые нити и точки. Минимальные размеры структурного элемента в них составляют единицы нанометров, что сравнимо с длиной волны де-Бройля для носителей заряда (электронов и дырок) в полупроводниках. Пространственное ограничение носителей заряда приводит к существенному изменению электронных свойств по сравнению с объемными фазами полупроводников. Так, например, с уменьшением размеров наноструктур возрастает ширина запрещенной зоны (квантово-размерный эффект), увеличиваются энергии связи экситонов и энергии ионизации дефектов и примесей. Кроме того, с уменьшением размеров возрастает роль поверхностных эффектов, поскольку увеличивается отношение числа атомов на поверхности к их полному числу в нанометровой нити или кластере. Исследование этих закономерностей представляет большой фундаментальный интерес в рамках физики твердотельных систем пониженной размерности. Практическая актуальность исследований полупроводниковых наноструктур обусловлена стремительным развитием современной микроэлектроники, осваивающей субмикронные масштабы элементов полупроводниковых устройств.

Исследуемый в данной работе объект (пористый кремний) может быть сформирован в виде сетки пересекающихся кремниевых нитей нанометрического сечения. Свойства пористого кремния (ПК) определяются размерами нитей и составом их поверхностного покрытия. Технология формирования ПК — электрохимическое или химическое травление кремния — относительно проста, но одновременно позволяет в широчайших пределах варьировать параметры наноструктуры. Это делает.

ПК хорошим модельным объектом для изучения физических явлений в твердотельных системах пониженной размерности. Исследование ПК актуально также ввиду возможности его интегрирования в современную кремниевую технологию.

Впервые пористый кремний был получен еще в 1956 году [1] и затем исследовался как материал для электроизолирующих и антиотражающих покрытий монокристаллического кремния (см., например, обзор [2]). Однако, настоящий бум в исследовании свойств ПК начался в 1990 г. после того, как в нем была обнаружена эффективная фотолюминесценция в видимой области спектра при комнатной температуре [3]. Число публикаций в литературе по исследованию свойств ПК возросло во много раз. За последние десять лет опубликовано несколько тысяч научных статей, проведено большое число специальных конференций и симпозиумов. К настоящему моменту стало ясно, что быстро достичь успеха в практическом применении светоизлучающих свойств ПК не удается. Даже, несмотря на то, что исследователям удалось во много раз поднять квантовый выход электролюминесцентных устройств на основе ПК (с 10″ 5% [4] до 0.2% [5]), решить окончательно проблему высокой эффективности и одновременно стабильности излучательных характеристик ПК пока не представляется возможным. Стала очевидна необходимость более детального исследования механизмов диссипации энергии электронного возбуждения в ПК с учетом дисперсии параметров наноструктуры, а также влияния молекулярного окружения кремниевых наноструктур на их электронные свойства.

Пористость слоев ПК, в составе которых доминируют кремниевые нити минимального сечения, составляет порядка 80%. Т. е. большую часть объема образца могут занимать молекулы иных веществ. При этом размеры пор в ПК составляют несколько нанометров, что достаточно для проникновения различных молекул неорганических и органических веществ. Состав молекулярного окружения наноструктур может значительно влиять на процессы рекомбинации носителей заряда в ПК, например, за счет изменения числа дефектов на поверхности. Кроме того, среды с большими диэлектрическими проницаемостями экранируют заряды в наноструктурах, что меняет энергетический электронный спектр и транспорт носителей заряда в ПК. Систематического изучения влияния «диэлектрического» фактора молекулярного окружения кремниевых наноструктур на их электронные свойства в литературе на момент постановки предлагаемой диссертационной работы не проводилось.

В данной работе в качестве объекта исследования выбран высокопористый ПК, структура которого может быть рассмотрена как сеть кремниевых квантовых нитей. Главная цель работы — развитие модели рекомбинации неравновесных носителей заряда в кремниевых наноструктурах, окруженных молекулами диэлектрических сред, а также сравнение выводов теории с экспериментом. В связи с чем были поставлены следующие конкретные задачи:

1. Разработать модель для описания динамики рекомбинации неравновесных носителей заряда (ННЗ) и релаксации связанной с ними люминесценции в кремниевых квантовых нитях, с учетом влияния диэлектрических свойств окружающей среды и температуры.

2. Рассчитать спектры люминесценции кремниевых квантовых нитей, имеющих распределение по размерам поперечного сечения. Количественно проанализировать влияние на спектры ФЛ кремниевых квантовых нитей их диэлектрического окружения.

3. Экспериментально изучить влияние температуры на изменение концентрации ННЗ и ФЛ в образцах ПК, для сравнения их с выводами предлагаемой модели и определения значений модельных параметров.

4. Выполнить эксперименты по исследованию влияния различных диэлектрических сред на стационарную ФЛ образцов ПК и сопоставить полученные результаты с выводами модели.

5. Исследовать динамику ФЛ и ИК поглощения на свободных носителях заряда в наноструктурах ПК и сравнить с выводами модели.

Научная новизна. В результате исследования динамики рекомбинации ННЗ в ПК выявлен ряд важных закономерностей, позволяющих понять природу излучательных процессов, протекающих в данном материале.

1. Предложена феноменологическая модель рекомбинации ННЗ в кремниевых квантовых нитях, учитывающая существование двух динамически связанных подсистем: экситонов и свободных носителей заряда.

2. Впервые проведен расчет влияния диэлектрических свойств окружающей среды на спектры люминесценции в кремниевых квантовых нитях, с учетом их распределения по размерам поперечного сечения.

3. Экспериментально обнаружена антикорреляция интенсивности ФЛ ПК и значения диэлектрической проницаемости диэлектрических веществ, заполняющих пространство между кремниевыми наноструктурами.

4. Обнаружено ускорение кинетик ФЛ и концентрации свободных неравновесных носителей заряда при заполнении ПК молекулами диэлектриков с большой диэлектрической проницаемостью, что хорошо согласуется с выводами предложенной модели.

Автор защищает.

1. Феноменологическую модель рекомбинации ННЗ в кремниевых квантовых нитях, учитывающая существование двух подсистем (экситонов и свободных носителей заряда) и учитывающую распределение квантовых нитей по размерам поперечного сечения.

2. Новые экспериментальные данные о влиянии температуры на концентрацию свободных неравновесных носителей заряда и интенсивность ФЛ в слоях ПК.

3. Экспериментально обнаруженную антикорреляцию интенсивности ФЛ ПК и значения диэлектрической проницаемости диэлектрических жидкостей, заполняющих пространство между кремниевыми наноструктурами.

4. Новые экспериментальные данные о связи динамики рекомбинации ННЗ в наноструктурах ПК и значения диэлектрической проницаемости молекулярного окружения.

4.7. Выводы к Главе 4.

Как следует из проведенного выше анализа экспериментальных результатов, большая часть из них находится в хорошем согласии с моделью, предложенной нами в Гл. 2. Напомним, что данная модель базируется на следующих основных положениях:

• в кремниевых квантовых нитях при оптическом возбуждении существуют динамически связанные подсистемы экситонов и свободных ННЗ;

• концентрации экситонов и свободных ННЗ зависят от размеров кремниевых нитей, диэлектрических свойств окружающей нити среды и от температуры;

Для описания свойств реальных объектов, таких как пористый кремний, как раз таки необходимо учитывать распределение кремниевых нитей по размерам (см. п. 2.4).

Одними из наиболее убедительных экспериментальных подтверждений предложенной модели явились обнаруженные нами зависимости сигналов ФЛ и ПСН от температуры (п. 4.3) и от диэлектрической проницаемости среды, окружающей наноструктуры ПК (пп.4.4−4.6). Данные экспериментальные факты сложно объяснить в рамках других моделей рекомбинации ННЗ в ПК (см п. 1.3). Так, например, зарегистрированное в наших экспериментах обратимое гашения ФЛ ПК при заполнении его средой с большой диэлектрической проницаемостью невозможно понять, считая, что люминесценция связана с молекулярными комплексами на поверхности ПК. Также трудно объяснить наблюдаемые закономерности с позиции только КРЭ в кремниевых кристаллитах, пренебрегая влиянием молекул окружающей среды. Поэтому, на наш взгляд, именно экситонная концепция является наиболее плодотворной при описании рекомбинационных свойств «высокопористых образцов ПК.

Важным уточнением и развитием предлагаемой модели рекомбинации экситонов и свободных ННЗ в квантовых нитях ПК является обнаруженный экспериментальный факт определяющего влияния статической диэлектрической проницаемости окружающего диэлектрика на параметры экситонов. Отметим, что аргументы в пользу роли высокочастотной диэлектрической проницаемости вещества заключаются в оценке характерных частот движения зарядов в экситоне. Данные частоты по порядку величины составляют Еехс/к. Это, учитывая, что в кремниевых квантовых нитях значение Еехс могут достигать сотен мэВ (см. п. 1.3.2), соответствует частотам порядка Ю13 — 1014 Гц.

Обнаруженное влияние статической диэлектрической проницаемости, характерной для используемых диэлектриков в области частот ниже Ю9 Гц, можно объяснить, предполагая, что в экситоне электрон вращается относительно значительно более тяжелой дырки. Параметры экситона (энергия связи, радиус) будут определяться кулоновским потенциалом дырки и потенциалом зарядов изображения, наводимыми на частотах движения дырки. Если ввиду своей большей массы дырка вращается по орбите с радиусом, много меньше радиуса электрона, то результирующий потенциал зарядов изображения в месте нахождения электрона Uim будет отличен от нуля. При этом определяющее значение будет иметь величина Uim на временах порядка времени жизни экситона. Последнее же, как следует из теоретических работ (п. 1.3) и наших экспериментов (пп.4.4−4.5), лежит в диапазоне от единиц до сотен микросекунд, т. е. соответствует частотам 104 — 106 Гц. Для таких частот энергия связи экситона, очевидно, будут зависеть от величины статической диэлектрической проницаемости диэлектрика, окружающего наноструктуры.

Вывод о влиянии статической диэлектрической проницаемости sd окружающего диэлектрика на Еехс для экситонов в кремниевых квантовых нитях позволяет критически проанализировать выполненное в п. 2.4 моделирование спектров ФЛ ПК. В расчетах принималось во внимание распределение нитей по размерам поперечного сечения. Предполагалось, что энергия квантов ФЛ зависит от квантово-размерной добавки и величины Еехс (см. формулу (2−8)). В результате достигнуто хорошее соответствие между формой спектра ФЛ, рассчитанной для ансамбля кремниевых квантовых нитей, и экспериментальным спектром ФЛ для образцов ПК в вакууме. Однако, учет влияния полярных диэлектриков при расчетах спектра ФЛ (п. 2.4) дает значительно больший сдвиг спектра ФЛ в коротковолновую область, чем следует из экспериментов (п. 4.4).

Данное несоответствие, по-видимому, связано с тем, что уменьшение Еехс определяется не только значением £а, но и соотношением эффективных масс дырки и электрона в экситоне. Данное соотношение, насколько нам известно, не определено пока экспериментально. Согласно теоретическим работам (см. обзор [13]) в находящейся в вакууме кремниевой квантовой нити диаметром 1 нм дырка тяжелее электрона примерно в 2 раза. Это позволяет говорить лишь о приблизительной применимости представлений об экситоне в кремниевой нити как об электроне, вращающемся вокруг неподвижной дырки. Тем не менее, качественно влияние диэлектриков с большим значением на рекомбинационные процессы в ПК описывается нашей моделью правильно. Точный учет уменьшения Ееж вследствие заполнения пространства между квантовыми нитями полярным диэлектриком и строгое количественное описание спектров ФЛ ПК в различных средах возможны лишь при развитии соответствующей микроскопической теории, что выходит за рамки данной диссертационной работы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В данной диссертационной работе исследовались процессы рекомбинации неравновесных носителей заряда в наноструктурах пористого кремния. В результате проведенной работы по моделированию механизмов рекомбинации в ансамбле кремниевых квантовых нитей и экспериментальному изучению свойств пористого кремния были получены следующие основные результаты.

1. Предложена модель рекомбинации неравновесных носителей заряда в кремниевых квантовых нитях. Данная модель основана на представлениях о существовании динамически связанных подсистем: экситонов и свободных неравновесных носителей заряда, концентрации которых зависят от размеров квантовых нитей, плотности центров безызлучательной рекомбинации на их поверхности, диэлектрических свойств окружающей нити среды, а также от температуры.

2. Выполнен расчет стационарных концентраций экситонов и свободных неравновесных носителей заряда в ансамбле квантовых нитей определенного сечения. Предсказана возможность немонотонной температурной зависимости для концентрации свободных неравновесных носителей заряда. В то же время число экситонов монотонно уменьшается с ростом температуры.

3. Проведен анализ динамики рекомбинации и рассчитаны времена жизни фотовозбужденных носителей заряда в кремниевых квантовых нитях. Показано, что при доминировании бызызлучательного механизма рекомбинации время жизни фотовозбужденных носителей заряда будет уменьшаться с ростом диэлектрической проницаемости окружающей среды.

4. Рассчитаны спектры фотолюминесценции ансамбля кремниевых квантовых нитей, имеющих гауссово распределение по размерам поперечного сечения. В расчетах предполагается пропорциональность интенсивности фотолюминесценции значению концентрации экситонов. Получено хорошее соответствие между расчетной формой спектра и формой спектра фотолюминесценции образцов высокопористого кремния в вакууме.

5. Создана экспериментальная установка для одновременного in situ измерения фотолюминесценции, сигнала поглощения пробного ИК излучения на свободных неравновесных носителях заряда и коэффициента отражения образцов пористого кремния в различных диэлектрических средах.

6. Экспериментально исследованы температурные зависимости интенсивности фотолюминесценции и сигнала ИК поглощения пробного излучения на свободных неравновесных носителях заряда в слоях пористого кремния в вакууме. Сравнение экспериментальных кривых с расчетными зависимостями свидетельствует о величине энергии связи экситонов порядка 0.2 эВ.

7. Проведены эксперименты по влиянию диэлектрических сред на спектры стационарной фотолюминесценции пористого кремния. Установлено, что интенсивность фотолюминесценции уменьшается в момент начала конденсации молекул диэлектрических сред в порах образца. Данный эффект хорошо объясняется в рамках развитой модели как уменьшение энергии связи экситонов в кремниевых нитях, окруженных диэлектриком с большой диэлектрической проницаемостью.

8. Экспериментально показано, что степень гашения интенсивности стационарной ФЛ образцов пористого кремния коррелирует с величиной статической, а не динамической диэлектрической проницаемости среды, заполняющей поры. Зафиксировано изменение формы спектра фотолюминесценции («голубой сдвиг») пористого кремния в средах с большой диэлектрической проницаемостью.

9. Выполнены эксперименты по одновременной регистрации динамики сигналов фотолюминесценции и поглощения ЮС излучения на свободных неравновесных носителях заряда для образцов пористого кремния в различных диэлектрических средах. Установлено, что при заполнении пористого слоя молекулами вещества с малым значением статической диэлектрической проницаемости (бензол) динамика рекомбинации носителей заряда существенно не изменяется. В то же время, конденсация в порах образца молекул веществ с большим значением статической диэлектрической проницаемости (этанол, метанол) приводит к ускорению кинетик релаксации сигналов фотолюминесценции и сигнала поглощения ИК излучения на свободных неравновесных носителях заряда.

10. Полученные экспериментальные результаты по исследованию динамики рекомбинации носителей заряда в слоях пористого кремния, заполненных диэлектриком, проанализированы с позиции развитой модели. Установлено хорошее качественное соответствие предсказаний модели и данных эксперимента. Экспериментальный результат о доминирующем влиянии статической диэлектрической проницаемости окружающей среды на процессы рекомбинации носителей заряда в кремниевых квантовых нитях дополняет предложенную модель, свидетельствуя о значительно большем значении эффективной массы дырки по сравнению с электроном в квантовых нитях пористого кремния.

В заключение автор выражает свою глубокую благодарность своим научным руководителям проф. П. К. Кашкарову и доценту В. Ю. Тимошенко, а также всем сотрудникам кафедры общей физики и молекулярной электроники, в особенности сотрудникам, аспирантам и студентам лаборатории 1−56.

Показать весь текст

Список литературы

Uhlir A. «Electrolytic shaping of germanium and silicon» //Bell Syst. Tech., 1956, v.35, no.2, pp.333−347.
Лабунов B.A., Бондаренко В. П., Борисенко В. Е. «Получение, свойства и применение пористого кремния» //Зарубежная электронная техника, 1978, № 15, с.3−27.
Canham L.T., Silicon Quantum Wire Array Fabrication by Electrochemical and Chemical Dissolution of Wafers //Appl. Phys. Lett., 1990, v.57, n.10, pp.1046−1048.
Koshida N., Koyoda M., «Visible electroluminescence from porous silicon»// Appl. Phys. Lett., 1992, v.60, no.3, pp.347−349.
Linnros J., Lalic N. «High quantum efficiency for a porous silicon light emitting diode under pulsed operation»// Appl. Phys. Lett., 1995, v.66, no.22, pp.3048−3050.
Dittrich Th., S. Rauscher, Timoshenko V.Yu., Rappich J., Sieber I., Flietner H., Leverenz H.J. «Ultrathin Luminescent Nanoporous Silicon on n-Si: ph dependent preparation in aqueous NH4 °F solutions"// Appl. Phys. Lett., 1995, v.67, no.8, pp.1134−1136.
Smith R.L., Collins S.D. «Porous silicon formation mechanisms»// J. Appl. Phys., 1992, v.71, n.8, pp. Rl-R22.
Beale M.I.J., Chew N.G., Uren M.J., Cullis A.G., Benjamin J.D. «Microstructure and Formation Mechanism of Porous Silicon"// Appl. Phys. Lett., 1985, v.46, no. l, pp.86−88.
Lehmann V., Gosele U. «Porous Silicon Formation: A quantum Wire Effect"//Appl. Phys. Lett., 1991, v.58, no.8, pp.856−858.
Jung K.H., Shih S., Kwong D.L. «Developments in luminescent porous
Si"//J. Electrochem. Soc., 1993, v. 140, no.10, pp.3016−3064.
Herino R., Bomchil G., Baria K., Bertrand C., Ginoux J. L. «Porosity and pore size distribution of porous silicon layers»// J. Electrochem. Soc., 1987, v. 134, pp. 1994−2000.
Свечников C.B., Савченко A.B., Сукач Г. А., Евстигнеев A.M., Каганович Э. Б., «Светоизлучающие слои пористого: получение, свойства и применение"// Оптоэл. и п/п техника, 1994, т.27, с.3−29.
Gullis A. G., Canham L. Т., Calcott P. D. J. «The structural and luminescence properties of porous silicon"// Appl. Phys. Lett., 1997, v.82, pp.909−965.
Cullis A. G., Canham L. Т., «Visible light emission due to quantum size effects in highly porous crystalline silicon»// Nature, 1991, v.353, p.335.
Canham L. Т., Cullis A. G., Pickering C., Dosser O.D., Cox D.I., Lynch T.P. «Luminescent anodized silicon aerocrystal networks prepared by supercritical drying"//Nature, 1994, v.368, p. 133.
Sasaki Y., Kitahara M. «Structure and formation of porous Si layers as studied by infrared absorption and Raman scattering»// J. Appl. Phys., 1994, v.76, pp.4344−4350.
Richter H., Wang Z.P., Ley L., «The One Phonon Spectrum in Macrocrystalline Si"// Solid State Communication, 1981, v.39, pp.625−628.
Cambel I. H., Fauchet P. M., «The Effect of Microcrystal Size and Shape on the One Phonon Raman Spectra of Crystalline Semiconductors»// Solid State Communication, 1986, v.58, pp.739−743.
Pickering C., Beale M.I.J., Robbins D.J., Pearson P.J., Greet R. «Optical studies of the structure of porous silicon films formed in p-type degenerate and non-degenerate silicon"// J. Phys. C: Sol. St. Phys., 1984, v.17, n.10, pp.6535−6552.
Hamilton В. «Topical review: Porous silicon"// Semicond. Sci. & TechnoL, 1995, v.10, pp.1187−1207.
Gardelis S., Rimmer J.S., Danson P., Hamilton В., Parker E.N.C «Evidence for quantum confinement in the photoluminescence of porous Si and SiGe"// Appl. Phys. Lett, 1991, v.59, no. 17, pp.2118−2120.
Луцкий B.M., Пинскер Т. Н. «Размерное квантование»// М.:Наука, 1983, с. 56.
Fishman G., Mihalcescu I., Romestein R. «Effective-mass approximation and statistical description of luminescence line shape in porous silicon // Phys. Rev В, 1993, v.48, n.3, pp.1464−1467.
Sagnes I., Halimaoui A., Vincent G., Badoz P.A. «Optical absorption evidence of a quantum size effect in porous silicon»// Appl. Phys. Lett, 1993, v.62, n.10, pp.1 155−1157.
Buda F., Kohanoff J., Parrinello M. «Optical properties of porous silicon: a first-principles study"// Phys. Rev. Lett. 1992, v.69, no.8, pp. 1272−1275.
Копаев Ю.В., Молотков C.H., Назин С. С. «Размерный эффект в квантовых проводах кремния»// Письма в ЖЭТФ, 1992, 55, № 12, с.696−700.
Sanders G.D., Chuang Y.C. «Theory of optical properties of quantum wires in porous silicon»// Phys. Rev. B, 1992, v.45, no. 16, pp.9202−9213.
Hybersten M.S., Needels M., «First principles analysis of electronic states in silicon nanoscale quantum wires»// Phys. Rev. B, 1993, v.48, pp.46 084 612.
Delley В., Steigmeier E. F., «Size dependence of band gaps in silicon nanostructures'7/Appl. Phys. Lett., 1995, v.67, pp. 2370−2371.
Delerue C., Allan G. Lannoo M. 'Theoretical aspects of the luminescence of porous silicon»// Phys. Rev. B, 1993, v.48, pp.11 024−11 036.
Рытова Н.С., «Экранированный потенциал точечного заряда в тонкой пленке»// Вестник московского университета, Физика, Астрономия, 1967, № 3,30, стр. 30- 37.
Чаплик А. В., Энтин М. В., «Заряженные примеси в очень тонких слоях»// ЖЭТФ, 1971, т.61, с.2496−2503.
Келдыш Л.В., «Кулоновское взаимодействие в тонких пленках полупроводников и полуметаллов» // Письма в ЖЭТФ, 1979, № 11, стр. 716 719.
Бабиченко B.C., Келдыш Л. В., Силин А. П., «Кулоновское взаимодействие в тонкой полупроводниковой или полуметаллической нити»// ФТТ, 1980, т.22, с. 1238.1240.
Лисаченко М.Г., Тимошенко В. Ю. «Влияние диэлектрического окружения на экситонный спектр кремниевых квантовых нитей»// Вестник московского университета Сер.З. Физ. Астрон., 1999, т.5.
Kashkarov Р.К., Konstantinova Е.А., Efimova Е.А., Kamenev B.V., Lisachenko M.G., Pavlikov A.V., Timoshenko V.Yu. «Carrier recombination in Si quantum wires surrounded by dielectric medium»// Phys. Low. Dim. Str., 1999, v.¾, pp. 191−202.
Кашкаров П.К., Константинова Е. А., Петрова С. А., Тимошенко В. Ю., Юнович А. Э. «К вопросу о температурной зависимости фотолюминесценции пористого кремния»// ФТП, 1997, том 31, № 6, с.745−748.
Бресслер М.С., Яссиевич И.И, «Физические свойства и фотолюминесценция пористого кремния"// ФТП, 1993, т.27, № 5, с.871−883.
Кашкаров П.К., Константинова Е. А., Тимошенко В. Ю. «Механизмы влияния адсорбции молекул на рекомбинационные процессы в пористом кремнии»// ФТП, 1996, т. ЗО, вып.8, с.1479−1490.
Kashkarov Р.К., Konstantinova Е.А., Pavlikov A.V., Timoshenko V.Yu.1.fluence of Ambient Dielectric Properties on the Luminescence in Quantum Wires of Porous Silicon"//Phys. Low-Dim. Struct., ½, pp.123 130
Кашкаров, Б. В. Каменев, Е. А. Константинова, А. И. Ефимова, А. В. Павликов, В. Ю. Тимошенко. «Динамика неравновесных носителей заряда в кремниевых квантовых нитях"// УФН, 1998, т. 168, № 5, с.577−582.
Chemical quantum confinement due to oxygen in a Si matrix"// Phys. Rev. Lett., 1992, v.69, p.2531−2533.
Tsai C., Li K.-H., Sarathy J., Shih S., Campbell J.C., «Thermal Treatment Studies of the Photoluminescence Intensity of Porous Silicon"// Appl. Phys. Lett., 1991, v.59, no.22, pp.2814−2816.
Friedersdorf L.E., Searson P.C., Prokes S.M., Glembocki O.J., Macaulay J.M. «Influence of stress on the photoluminescence of porous silicon structures»// Appl.Phys.Lett., 1992, v.60, no. 18, pp.2285−2287.
Koch F. «Model and mechanisms for the luminescence of porous Si»// Mat. Res. Symp. Proc., 1993, v.298, pp.319−329.
Bomchil G., Halimaoui A., Herino H., «Porous Silicon: the Material and Its Applications in Silicon-on-Insulator Technologies"// Appl. Surf. Science, 1989, v.41/42, pp.604−611.
Konstantinova E.A., Dittrich Th., Timoshenko V.Yu., Kaskarov P.K. «Adsorption-induced modification of spin and recombination centers in porous silicon»// Thin Solid Films, 1996, v.276, pp.265−267.
Lavine J.M., Sawan S.P., Shieh Y.T., Bellezza A.J., «Role of Si-H and Si-Hx in the photoluminescence of porous Si»// Appl.Phys.Lett, 1993, v.62, n.10,pp.1099−1101.
Petrova-Koch V., Muschik T., Kux A., Meyer B.K., Koch F., Lehmann V, «Rapid thermal oxidized porous silicon the superior photoluminescent Si"// Appl.Phys.Lett, 1992, v.61, n.8, pp.943−945.
Yamada M., Kondo K., «Comparing effects of vacuum annealing and dry oxidation on the photoluminescence of porous Si» //Japan J.Appl.Phys., 1992, v.31, L993.
Kumar R., Kitoh Y., Hara K, «Effect of surface treatment on visible luminescence of porous silicon: correlation with hydrogen and oxygen terminators"// Appl.Phys.Lett, 1993, v.63, n.22, pp.3032−3034.
Banerjee S., Naosimhan K.L., Sardesai A, «Role of hydrogen and oxygen-terminated surfaces in the luminescence of porous silicon"// Phys-Rev.B, 1994, v.49, n.4, pp.2915−2918.
Shin S., Jung K.H., Yan J., Kwong D.L., Kovar M., White J.M., George T., Kirn S., «Photoinduced luminescence enhanced from anodicaly oxidizedporous Si"// Appl.Phys.Lett, 1993, v.63, n.24, pp.3306−3308.
Bao X.-M., Wu X.-W., Zheng X.-Q., Yan F., «Photoluminescence spectrum shifts of porous Si by spontaneous oxidation"// Phys.Stat.Sol.(a), 1994, v.141, K63-K66.
Lawerhaas J.M., Sailor M. J, «Chemical modification of the photoluminescence quenching of porous silicon"// Science, 1993, v.261, pp.1567−1568.
Coffer J.L., Lilley S.C., Martin R. A, «Surface reactivity of luminescent porous silicon"// J. Appl. Phys., 1993, v.74, n.3, pp.2094−2096.
T. Tamura, A. Takazawa, M. Yamada, «Blueshifts in the photoluminescence of porous Si by immersion in deionized water"// JpnJ.Appl.Phys, 1993, 32 part 2, ЗА, pp. L322-L325,
Ben-Chorin M., Kux A., Schechter I, «Adsorbate effects on PL and electrical conductivity of porous silicon"// Appl.Phys.Lett, 1994, v.64, n.4, pp.481−483.
Andsager D., Hetrick J. M, «Quenching of porous silicon photoluminescence by deposition of metal adsorbates"// J. Appl.Phys., 1993, v.74, n.7, pp.4783−4785.
Andsager D., Hilliard J., Nayfeh M.H., «Behaviour of porous silicon emission spectra during quenching by immersion in metal ion solutions»// Appl.Phys.Lett, 1994, v.64, no.9, pp.1141−1143.
Grivickas V., Linnros J., «Free-carrier absorption and luminescence decay of porous silicon»// Thin Solid Films, 1995, v.255, pp.70−74.
R.C.Weast (ed.), CRC Handbook of Chemistry and Physics, CRC Press, Boca Raton, 1988.
И.К.Кикоин (ред.), Таблицы физических величин Атомиздат, Москва, 1976.
Xia J.В., Cheah K.W. «Temperature effect on porous silicon luminescence"// Appl. Phys. A, 1994, v.59, 227.
Perry C., Lu F., Namavar F., Kalkhoran N.M., Soref R.A. «Photoluminescent spectra from porous silicon (111) microstructures: Temperature and magnetic-field effects» // Appl. Phys. Lett., v.60, 3117 (1992)
Mauckner G., Thonke K., Baier Т., Walter Т., Sauer R.» Temperature-dependent lifetime distribution of the photoluminescence"// J. Appl. Phys., 75,4167(1994).
Oswald J., Pastrnak J., Hospodkova A., Pangrac J. Sol. St. Commun., 89, 297 (1994).
Hooft G.W.'t., Kessener Y.Y.R.R., Rikken G.L.J.A., Venhuizen A.H.J. «Temperature Dependence of the Radiative Lifetime in Porous Silicon"// Appl. Phys. Lett., 1992, v.61, 2344.
Лебедев А.А., Ременюк А. Д., Рудь Ю. В. «Температурная зависимость стационарной фотолюминесции пористого кремния в видимой области спектра»// ФТП, 27, 1846 (1993).

Заполнить форму текущей работой