Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Дефектообразование в напряженных структурах на кремнии при радиационно-термических обработках

Диссертация: Дефектообразование в напряженных структурах на кремнии при радиационно-термических обработках
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Работа выполнена в лаборатории радиационной стойкости полупроводников и полупроводниковых приборов Института физики полупроводников под научным руководством д.ф.-м.н. В. В. Болотова, являвшегося основным соавтором работ по теме диссертации и осуществлявшего научное руководство работой на всех этапах ее выполнения: при выборе тематики, постановке задачи, поиске путей решения, анализе полученных… Читать ещё >

Дефектообразование в напряженных структурах на кремнии при радиационно-термических обработках (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Научная новизна работы
  • Практическая значимость работы
  • Положения и основные результаты, выносимые на защиту
  • Содержание диссертации
  • Глава I. формирование дефектов и деформирование кристаллической решетки кремния,
    • 1. 1. Точечные дефекты и примеси в кремнии, влияние механических напряжений
  • Примеси в кремнии
  • Дефекты в кремнии
  • Взаимодействие дефектов
    • 1. 2. Механические напряжения в кремнии при преципитации кислорода
    • 1. 3. Механические напряжения вблизи границ раздела в структурах на основе кремния
  • Уравнения упругости
  • Структурные и термоупругие напряжения в гетеросистемах 81-А120з, Зг-ЗЮг
    • 1. 4. Влияние механических напряжений на спектр фононов в кристалле
  • Глава II. Экспериментальные методики
    • 2. 1. Спектроскопия комбинационного рассеяния света
  • Законы сохранения и правша отбора
  • Форма линий КРС
  • Определение величин механических напряжений
  • Схема регистрации
    • 2. 2. Метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней для определения концентрации дефектов с «глубокими» состояниями в запрещенной зоне кремния
    • 2. 3. Метод инфракрасной спектроскопии
    • 2. 4. Методики электрофизических измерений (метод Ван дер Пау, эффект Холла, вольт фарадные измерения)
  • Измерение объемной концентрации основных носителей и удельного сопротивления
  • Измерения вольт- фарадных характеристик
    • 2. 5. Методика приготовления и обработок образцов
  • КНС структуры
  • Структуры 5Ю2/
  • Структуры с кислородными преципитатами
  • Глава III. Модификация механических напряжений в гетерострукгурах при формировании дефектно- примесных ассоциаций на границе раздела
    • 3. 1. Уравнения упругости в среде с дефектами
    • 3. 2. Характеризация механических напряжений в структурах кремний на сапфире
  • Анализ изменений механических напряжений при технологических обработках КНС-структурах
    • 3. 3. Модификация механических напряжений в КНС структурах при электронном, ионном облучении и термических обработках
  • Влияние электронного облучения на величины механических напряжений в КНС структурах
  • Ионная имплантация и термические обработки
  • Имплантация ионов фосфора
  • Имплантация ионов бора
  • Имплантация ионов азота
  • Имплантация ионов аргона
    • 3. 5. Взаимодействие точечных дефектов и примесей, введенных высокотемпературной имплантацией, с дефектами границы раздела
  • Ионная имплантация Аг+ при 450°С
  • Ионная имплантация Аг+ при 65О? С
  • Ионная имплантация В+ при 550°С
  • Микроскопический анализ
    • 3. 4. Теоретическое рассмотрение процесса перераспределения дефектов в поле механических напряжений КНС структур
    • 3. 6. Расчет эпюр механических напряжений в КНС-структуре с неоднородным распределением вакансионных дефектов в пленке кремния
  • Глава IV. Влияние механических напряжений на дефектообразование вблизи границы раздела
    • 4. 1. Генерация междоузельных атомов кремния при окислении
    • 4. 2. Роль окислительных дефектов в радиационном дефектообразовании вблизи границы раздела 81−8ю
  • Высокотемпературное окисление
  • Окисление при повышенном давлении
    • 4. 3. Влияние механических напряжений на формирование вторичных радиационных дефектов
    • 4. 4. МОДЕЛИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННОГО ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ ВБЛИЗИ ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА 81−8Ю
  • Глава V. Роль механических напряжений в процессе преципитации кислорода в кремнии
    • 5. 1. Модификация механических напряжений в кремнии при формировании преципитатов кислорода
    • 5. 2. расчет эпюр механических напряжений в пластине кремния с неоднородным по глубине распределением преципитатов кислорода

В связи с развитием современной микроэлектроники, сопровождающемся повышением степени интеграции, уменьшением размеров полупроводниковых элементов, повышением мощности силовых полупроводниковых приборов, возрастают требования к чистоте используемых материалов и точности контроля над составом примесей и дефектов в кремнии. Примеси и дефекты в значительной степени определяют свойства кремния и параметры полупроводниковых приборов на его основе. Это обуславливает высокий интерес к научным основам управления примеснодефектным составом приповерхностных областей кремния, атомарным процессам формирования комплексов дефектов, механизмам взаимодействия дефектов и примесей. Развитие исследований в этой области привело к широкому применению радиационных технологий [1] в современной микроэлектронике. Особый интерес вызывает исследование роли механических деформаций кристаллической решетки в процессах дефектообразования в кремнии [2,3]. Наличие дефекта в кристалле означает искажение кристаллической решетки, что определяет роль деформационного взаимодействия в качестве фундаментального взаимодействия, присущего всем дефектам. Несмотря на фундаментальный характер данной проблемы, к настоящему времени не сложилось полной картины, позволяющей количественно описать вклад деформаций в процессы образования дефектов. В первую очередь это касается точечных дефектов и примесей в силу трудности теоретического описания и экспериментального обнаружения смещений атомов в непосредственной близости от дефекта. Особое значение в данной ситуации приобретает получение экспериментальных свидетельств влияния деформаций на образование точечных и протяженных дефектов в кремнии и развитие модельных представлений, позволяющих описать наблюдаемые явления в рамках единого подхода.

Прямым доказательством взаимодействия дефектов с полем механических напряжений может являться обнаружение средних механических напряжений в кристалле, коррелированно с концентрацией дефектов и примесей. Появление механических напряжений при образовании дефектов служит основой для проведения исследования возможности управления величинами механических напряжений в гетероструктурах при введении дефектов. Поскольку процесс комплексообразования неразрывно связан с миграционной способностью подвижных точечных дефектов, то наличие неоднородного поля деформаций может приводить к необходимости учета дрейфа дефектов в поле механических напряжений, а также избирательности встраивания точечных дефектов вблизи напряженных границ раздела за счет различия деформационной энергии дефектов междоузельной и вакансионной природы. Дрейфовая компонента может играть существенную роль в процессах захвата подвижных дефектов, и, следовательно, существенным образом определять кинетические коэффициенты квазихимических реакций дефектов и примесей. Существенность вклада локальных деформаций вокруг дефектов в сечение их захвата определяет возможность зависимости сечений захвата дефектов от величины поля интегральных механических напряжений в структуре. Во внешнем поле механических напряжений может происходить изменение локальных деформаций кристалла вокруг дефекта, а значит, изменится и величина деформационной энергии взаимодействия дефектов и, как следствие, сечение захвата. Таким образом, исследование аспектов деформационного взаимодействия дефектов и примесей является необходимой и важной составляющей для целостного понимания процессов дефектообразования в кремнии, что обуславливает актуальность рассматриваемой проблемы. Построение модельных представлений и получение экспериментальных свидетельств деформационного взаимодействия дефектов на примере практически важных структур на основе кремния имеет, тем самым научную ценность для получения новых данных о процессах комплексообразования дефектов и примесей.

Целью работы являлось исследование роли механических напряжений в процессах дефектообразования при радиационнотермических обработках гетероструктур на кремнии, для чего решались следующие задачи:

1. Исследование модификации механических напряжений в пленках кремния на сапфире при генерации точечных дефектов, вводимых ионной имплантацией.

2. Исследование взаимодействия подвижных радиационных дефектов в поле механических напряжений вблизи границы раздела 81−8102.

3. Исследование механических напряжений при формировании преципитатов кислорода в процессе термических обработок кремния.

4. Развитие количественной модели описания деформационного взаимодействия дефектов и примесей в напряженных гетероструктурах на кремнии.

Научная новизна работы.

1. На основе измерений комбинационного рассеяния света в структурах 8ьА120з обнаружено снижение механических напряжений при ионной имплантации и последующих термообработках с 8.3−108Н/м2 до 2.5−108НУм2.

2. Достигнуто термостабильное до 1000 °C снижение механических напряжений в структурах 81-А120з при ионной имплантации Аг+, обусловленное изменением дислокационных структур на границе раздела.

3. Установлено, что уменьшение сжимающих механических напряжений при радиационно термических обработках структур кремний на сапфире, определяется тем, что границей раздела 8ьА120з избирательно геттерируются подвижные дефекты вакансионного типа, эмитированные из областей разупорядочения.

4. Определено, что относительное уменьшение концентрации радиационных дефектов (дивакансия, вакансиякислород) в кремнии пропорционально величине растягивающих механических напряжений, наблюдаемым вблизи границы раздела 81−8102, с коэффициентом пропорциональности 0.55−10″ 8 м2/Н.

5. Показано, что формирование кислородных преципитатов приводит к возникновению в кремнии средних механических напряжений до 0.6−108НУм2, определяемых локальной концентрацией преципитатов в области измерения.

6. Разработана модель, включающая представление о локальном тензоре, определяющем деформации вокруг взаимодействующих дефектов. На ее основе проведено количественное описание обнаруженных эффектов: появление средних механических напряжений, релаксация и компенсация механических напряжений в напряженных гетероструктурах, вклад деформаций в кинетические коэффициенты взаимодействия точечных дефектов, дрейф дефектов в поле механических напряжений.

7. Получено аналитическое решение задачи о распределении механических напряжений в гетероструктурах с неоднородным распределением дефектов на основе приближения «тонкой пластинки» .

Практическая значимость работы.

1 .Развит метод комбинационного рассеяния света применительно к регистрации распределения механических напряжений по глубине в неоднородных структурах, содержащих дефекты.

2.На основе полученных результатов разработана методика снижения механических напряжений в гетероструктурах, заключающаяся в их компенсации радиационными дефектами.

3.Полученные данные по зависимости дефектообразования от механических напряжений являются необходимыми при прогнозировании изменений свойств гетероструктур при радиационно-термических процессах.

Положения и основные результаты, выносимые на защиту.

1.Уменьшение механических напряжений в структурах 8ьА1203 при радиационно термических обработках обусловлено селективным геттерированием вакансионных дефектов границей раздела.

2.Формирование кислородных преципитатов обуславливает появление в кремнии растягивающих механических напряжений, определяемых локальной концентрацией преципитатов. При увеличении размера кислородных преципитатов релаксационные процессы, связанные с генерацией междоузельных атомов кремния и образованием дислокационных структур, приводят к снижению средних механических напряжений.

3.При радиационных воздействиях растягивающие механические напряжения снижают эффективность образования вакансионных комплексов вблизи границы раздела 8Ю2−81, что обусловлено увеличением вероятности аннигиляции пар Френкеля в области неустойчивости.

4. Представление о локальном тензоре напряжений вокруг дефектов позволяет описать дрейф дефектов в поле механических напряжений, рассчитать распределение механических напряжений в зависимости от распределения дефектов, оценить вклад деформационного взаимодействия дефектов в константы реакций между ними, объяснить зависимость эффективности введения дефектов от знака и величины механических напряжений.

Содержание диссертации.

Диссертационная работа состоит из введения, 5-ти глав, приложения, выводов, заключения и библиографического списка из 131 наименования. Содержит 192 страницы текста, 41 рисунок на 41 странице, 15 таблиц.

Основные результаты по теме диссертации отражены в 19 публикациях:

Болотов В.В. 5 Ефремов М. Д., Карпов А. В., СтучинскийВ.А. Роль дефектов, возникающих при окислении, в формировании распределения радиационных нарушений вблизи границы раздела Si-Si02. Поверхность. Физика. Химия. Механика. 1990, № 3, с. 137−141.

Bolotov V.V., Efremov M.D., Emeksuzyan V.M., Stuchinsky V.A., Schmalz К. Defect formation and impurity redistribution near interfaces in silicon.- In Proceedings of the International Conference on the Science and Technology of Defect Control in Semiconductors, Yokohama, Japan, 1989, v. l, p.399−406.

Bolotov V.Y., Efremov M.D., Karavaev V.V. Investigation of mechanical stress relaxation in ion-implanted SOS-structures by means of Raman spectroscopy.- In abstracts of International Conference «Ion Implantation Technology», Surrey, England, 1990, p. E83.

Bolotov V.V., Efremov M.D., Emeksuzyan V.M., Schmalz K. Defects and impurities in multi layer structures on Si: The role of mechanical stresses in gettering of defects and impurities by intrinsic and extrinsic grain boundaries.-Solid State Phenomena, 1991, v. 19, p. 13−26.

Bolotov V.V., Efremov M.D., Karavaev V.V., Volodin V.A., Golomedov А.У. Study of stress relaxation in implanted silicon on sapphire structures using Raman spectroscopy.- Thin Solid Films, 1992, v.208, N2, p.217−223.

Bolotov V.V., Efremov M.D., Volodin V.A. Investigation of mechanical stress relaxation in ion-implanted SOS-structures by means of Raman spectroscopy.- In proceedings of International Conference «Trends and new Applications in Thin Films», Strasbourg, France, 1991, p.265−271.

Bolotov V.V., Efremov M.D., Volodin V.A. Raman spectroscopy testing of mechanical stress relaxation and boron activation in ion-implanted SOS-structures. Abstracts of International Conference on Ion Beam Modification of Material, Heidelberg, Germany, 1992, p. P185.

Bolotov V.V., Efremov M.D., Babanskaya I., Schmalz K. Study of the stresses influences on oxygen precipitation in silicon using Raman spectroscopy.-In Abstracts of Material Research Society Conference, San Francisco, USA,.

1992, p. E6.51.

Bolotov V.V., Efremov M.D., Volodin V.A. Ion beam modification of stresses and interfacial defects in SOS structures. — In Abstracts of Material Research Society Conference, San Francisco, USA, 1992, p. K6.5.

Bolotov V.V., Efremov M.D. Raman study of stresses caused by intrinsic getters distribution in device structures. — In Abstracts of International Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyo, Japan, 1992, p. L245.

Болотов В.В., Ефремов М. Д., Караваев В. В., Володин В. А., Голомедов А. В. Изучение радиационнотермических релаксаций механических напряжений в КНС структурах с использованием Рамановской спектроскопии.- В сборнике «Полупроводники», Новосибирск, ВО «Наука» ,.

1993, 240с.

Bolotov V.V., Efremov M.D., Babanskaya I., Schmalz K. Raman study of mechanical stresses in processes of oxygen precipitation in silicon.- Material Science & Engineering, 1993, v. B21, p.49−54.

Bolotov V.V., Efremov M.D., Volodin V.A. Defect stimulated mechanical stress relaxation in double ion implanted SOS-structures. — In abstracts of Spring Meeting of European Material Research Society, Strasbourg, France, 1993, p. G-III.9.

Bolotov V.V., Efremov M.D. Raman investigation of mechanical stresses in oxygen precipitation processes in silicon.- In Abstract of VHth International Workshop on physics of Semiconductor Devices, New Delhi, India, 1993, p. C39.

Bolotov V.Y., Efremov M.D., Volodin V.A. Mechanical stress relaxation in ion implanted SOS-structures.- Thin Solid Films, 1994, v. 248, № 2, p.212−219.

Болотов В.В., Ефремов М. Д., Володин В. А. Релаксация механических напряжений в ионно — имплантированных КНС структурах.- В сборнике «Полупроводники», Новосибирск, ИФП, 1996, 240с.

Bolotov V.V., Efremov M.D., Volodin V.A. The role of stresses in interaction of defects for radiation and precipitation processes. — In abstracts of Spring Meeting of European Material Research Society, Strasbourg, France, 1995, N-V/P17, p. N-10.

Bolotov V.V., Efremov M.D., Volodin V.A., Fedina. L.I. The influence of impurities and stresses on kinetics of phase transition a-Si->poly-Si and on orientation of nuclei. — In Proceedings of 6th International Conference on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology, Wulkov, Germany, 1995, pE5−9.

Efremov M.D. Deformation interaction of defects in crystal: concept of evaluation. — Solid State Phenomena 1997, v.57−58, p.319−326.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Таким образом, в работе на основе применения спектроскопии комбинационного рассеяния света для измерения величин механических напряжений в гетеросистемах (8ьА120з, 81−8102) осуществлено исследование влияния механических напряжений на образование дефектнопримесных ассоциаций. Следует отметить перспективность моделей на основе локального тензора деформаций с точки зрения адекватного описания деформационного взаимодействия дефектов и примесей в кремнии.

Работа выполнена в лаборатории радиационной стойкости полупроводников и полупроводниковых приборов Института физики полупроводников под научным руководством д.ф.-м.н. В. В. Болотова, являвшегося основным соавтором работ по теме диссертации и осуществлявшего научное руководство работой на всех этапах ее выполнения: при выборе тематики, постановке задачи, поиске путей решения, анализе полученных результатов и оформлении публикаций, за что автор ему глубоко благодарен.

Автор признателен Вишнякову В. А., Смирновой В. В., Ивановой И. В., всем сотрудникам лаборатории № 23, сотрудникам лабораторий № 24, № 10 за создание творческой атмосферы. Особую благодарность автор хотел бы выразить коллегам по работе:

Г. Н. Камаеву за проведение электронного облучение образцов.

В.А.Володину, принимавшему участие в измерениях величин механических напряжений в структурах кремний на сапфире, обработке результатов и подготовке публикаций в этой части.

И.Бабанской, выполнившей измерения концентраций кислородных преципитатов и дефектов упаковки на малоугловых срезах.

К.Шмальцу, предоставившему образцы с малоугловыми срезами и участвовавшему в обсуждении работы по преципиптации кислорода.

В.А.Стучинскому за совместную работу в анализе распределений радиационных дефектов вблизи границы раздела БьЗЮг.

Автор глубоко признателен профессору Л. С. Смирнову за саму возможность работать в большом коллективе научной школы по радиационной физике полупроводников, и в не меньшей степени, за проявленный интерес к работе. * *.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Вопросы радиационной технологии полупроводников / Под ред. Л. С. Смирнова. -Новосибирск: Наука, 1980. -296с.
  2. В.В., Машовец Т. В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981. -248с.
  3. ., Ланно М. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты. М.: Мир, 1985. — 305с.
  4. В.С.Вавилов, В. Ф. Киселев, Б. Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.:Наука, Физматлит, 1990, — 216с.
  5. Д., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках/ Под ред. Болтакса Б. И., Машовец Т. В., Орлова А.Н.- М. Мир, 1979. 278с.
  6. В.С.Вавилов, А. Е. Кив, О. Р. Ниязова, Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках, М. Наука, Физматлит, 1981, 368с.
  7. Физические процессы в облученных полупроводниках / Под ред. Л. С. Смирнова. -Новосибирск: Наука, 1977. -256с.
  8. Л.Н. Кинетика образования и структуры твердых слоев.-Новосибирск: Наука.-с.228.
  9. Aleksandrov L.N. Simulation of the influence of mechanical stresses om the kinetics of crystallization of ion- implanted silicon layers under pulse heating.-Phys.Stat.Sol.(a), 1985, v.89, p.443−449.
  10. В.А., Михнович A.A., Титаренко С. Г. Модель кинетики формирования областей разупорядочения в полупроводниках с учетом деформаций.-ФТП, 1988, т.22, № 4, 750−753.
  11. A.A., Титаренко С. Г. Междоузельная стадия формирования областей разупорядочения в п-кремнии.-ФТП, 1984, т.18, № 9, 1668−1670.
  12. М.Г., Л.И.Хируненко, В. И. Шаховцов. Оптические свойства и дефектно-примесное взаимодействие в твердых растворах Si-Ge. // Препринт ИФАН УССР, 1986, № 29−80с.
  13. A.M., Кустов В. Е., Трипачко Н. А., Шаховцов В. И., Кластерный расчет деформационных зарядов дефектов в кремнии.-ФТП, 1989, т.23, № 4, с.746−748.
  14. К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. М.: Мир, 1984. 475с.
  15. Lerroy В. Silicon wafers for integrated circuit process. Revue Phys. Appi, 1986, v21., № 8, p.467−488
  16. ГОСТ 19 658–81. Кремний монокристаллический в слитках. Технические условия. Издательство стандартов, 1990 г.
  17. Watkins G.D., Corbett J.W., McDonald R.S. Diffusion of oxygen in silicon.-J.Appl.Phys., 1982, v.53, N10, p.7097−7098.
  18. Emtsev V.V., Daluda Y.N., Gaworzewski P., Schmalz K. Electrical properties of thermal donors formed in CZ-Si during heat treatment at 450 °C.- Phys.Stat.Sol. (a), 1984, v.85, p.575−584.
  19. В.Д., Макаренко Л. Ф., Маркевич В. П., Мурин Л. И. Перестраивающиеся термодоноры в кремнии, — ФТП, 1984, т. 18, № 3, с.526−531.
  20. Kimerling L.C., Benton J.L. Oxygen related donor states in silicon. -Appl.Phys.Lett., 1981, v.39, N5, p.410−412.
  21. Shimura F. Intrinsic/internal gettering in Czochralski silicon wafers.- Solid State Phenomena, 1991, v.19&20, p.1−12.
  22. Г. Н., Кожевников E.A. Физическая модель процесса внутреннего геттерирования в кремниевой технологии. Электр, пром., 1995, т.4−5, с.59−61.
  23. Endros A.L. Properties of hydrogen, oxygen and carbon in Si. Solid State Phenomena, 1993., v.32−33, p.143−154
  24. Watkins G.D. Defects in irradiated silicon:-EPR and ENDOR of the aluminium vacancy pair.- Phys.Rev., 1967, v. 155, p.802−805.
  25. Asom M.T., Bearton J.L., Sauer R., Kimerling L.C., — Interstitial defect reactions in silicon Appl.Phys.Lett., 1987, v.51, N4, p.256−258.
  26. F.Bridges, G. Davies, J. Robertson and A.M.Stoneham. The spectroscopy of crystal defects: a compedium of defect nomenclature.- J.Phys.: Condens. Matter, 1990, v.2, p.2875−2928.
  27. C.A.Londos. Room- temperature irradiation of p-type silicon.- Phys.Stat.Sol.(a), 1985, v.92, p.609−614.
  28. C.A.Londos. Annealing Studies of defects pertinent to radiation damage in Si: B.-Phys.Stat.Sol.(a), 1987, v.102, p.639−644.
  29. Claeys C., Vanhellemont J. Advances in the understanding of oxygen and carbon in silicon.- Solid State Phenomena 1989, v.6&7, p.21−32.
  30. Dreier P. High resistivity silicon for detector applications, Nucl.Instr.&Meth. in Phys. Research, 1990, v. A288 p.272−277.
  31. Sprenger M., Muller S.H., Sieverts E.G., Ammerlaan C.A.J. Vacancy in silicon: hyperfine interaction from ENDOR measurements.- Phys.Rev., 1987, v.35, p.1566−1581.
  32. Van Vechten J.A. in Handbook of semiconductors/ ed. by Moss T.S. (Horth-Holland, Amsterdam), 1980, v.3, p. 1−18.
  33. А.И., Васильев A.B., Кулешов В. Ф., Вяткин А. Ф., Смирнов JI.C. Константы скорости реакции между многозарядными центрами в полупроводниках. Препринт Инст. пробл. технол. микроэл. и особочист. матер, и Инст. физ. полупр.- Черноголовка, 1985. -50с.
  34. Yoshida М. Numerical solutions of phosphorus diffusion equation in silicon. -Jpn.J.Appl.Phys., 1979, v.18, p.479−489.
  35. B.A., Ершов C.H., Черняховский B.B., Нагорных C.H. Определение энергии миграции вакансий и собственных междоузельных атомов в кремнии в интервале температур 400−600К. Письма ЖЭТФ, 1976, т.23, вып. 12, с.688−691.
  36. Watkins G.D. EPR studies of the lattice vacancy and low temperature damage processes in silicon. In: Lattice defects in semiconductors, 1974. — Conf. Ser. n.23, London, The Inst, of Phys., 1975, p. 1−22.
  37. C.H., Пантелеев B.A., Нагорных C.H. Черняховский B.B., Энергия миграции собственных точечных дефектов в различном зарядовом состоянии в кремнии и германии ФТТ, 1977, вып.1, стр.322−323.
  38. Newman R.C., Toterdell D.H.J. An optical study of defects in silicon irradiated by fast neutrons.- J.Phys.C: Sol.St.Phys., 1975, v.8, n.12, p.3944−3954.
  39. Г. М., Колодин Л. Г., Крейнин Л. Б., Мукашев Б. Н., Нусупов К. Х., Радиационные дефекты в кремнии р-типа, облученном протонами с энергией 30 МэВ. -ФТП, 1977, т.11, № 11, с.2176−2180.
  40. А.Л., Болотов В. В., Смирнов Л. С., О природе и условиях образования стержневидных дефектов в кремнии, — ФТП, 1979, т.13, вып.7, с.1302−1307.
  41. Takeda S., Kohyama M., Ibe К. Interstitial defects on {113} in Si and Ge define defect configuration incorporated with a self- interstitial atom chain. -Philosophical Magazine A., 1994, v.70, N2, p.287−312.
  42. A.JI., Денисенко С. Г., Федина Л. И. влияние процессов аннигиляции точечных дефектов на рост скоплений междоузельных атомов при облучении кристаллов Si и Ge элктронами в высоковольтном электронном микроскопе, — ФТП, 1991, т.25, вып.4, с.582−587.
  43. Watkins G.D. The interaction of irradiation- produced defects with impurities and other defects in semiconductors. EPR study in silicon.- In: Radiation effects in Semiconductor components. Toulouse, Journees D’Electronique, 1967, p. A1-A9.
  44. A.B., Каранович A.A. Непереориентируемые дивакансии в кремнии -ФТП, 1985, т.19, №.4, с.1944−1948.
  45. Su Z., Husain A., Farmer J.W. Determination of oxygen in silicon by ratio of Acenter to E-center.- J.Appl.Phys., 1990, v.67, № 4, p. 1903−1907.
  46. Дж. Континуальная теория дислокаций,— M.: Изд.иностр.лит. 1963−247с.
  47. К. Упругие модели дефектов в кристаллах,— М.:Мир, 1985- 352с.
  48. Дж., Лоте И. Теория дислокаций,— М.:Атомиздат, 1972- 600с.
  49. В.Л., Логинов Е. Б., Осипов М. А., Флексографический эффект и строение кристаллов, — Кристаллография, 1981, т.26, № 6, с. 1157−1161.
  50. В.В., Машовец Т. В., Михнович В. В., Пары Френкеля в германии и кремнии, — ФТП, т.26, № 1,1992, с.22−44.
  51. Claeys С., Vanhellemont J. Advances in the understanding of oxygen and carbon in silicon.- Solid State Penomena, 1989, v.6&7, p.21−32.
  52. Stawola M., Shyder L.C., in «Defects in Silicon», eds. Murray W. Bullis, Kimerling L.C., The Electrochem.Soc.Softbound Ser. Pennington, 1983, p.6.
  53. Ourmazd A., Schroter W., Bourret A. Oxygen- related thermal donors in silicon: A new structural and kinetic model.- J.Appl.Phys., 1984, v.56,1670−1681.
  54. Schroder D.K., Chen C.S., Kang J.S., Song X.D. Number of oxygen atoms in thermal donor in silicon.- J.Appl.Phys., 1988, v.63, N1, p. 136−141.
  55. Newman R.C. Thermal donors in silicon: oxygen clusters or self-interstitial aggregates.- J.Phys. C: Solid state Phys., 1985, v. 18, p. L967-L972.
  56. Kanamori A., Kanamori M. Comparison of two kinds of oxygen donors in silicon by resistivity measurements.- J.Appl.Phys., 1979, v.50, № 12, p.8095−8101.
  57. Kamiura Y., Hashimoto F., Yoneta M. A new family of thermal donors generated around 450 °C in phosphorus doped Czochralski silicon.- J.Appl.Phys. 1989, v.65, № 2, p.600−605.
  58. Leroy B. Stresses and silicon interstitials during the oxydation of a silicon substrate.- Philosophical Magazine, 1987, v. B55, N2, p.159−199.
  59. Bolotov V.V., Efremov M.D., Babanskaya I., Schmalz K. Raman study of mechanical streses in processes of oxygen precipitation in silicon.- Material Science & Engineering, 1993, v. B21, p.49−54.
  60. Fedina L.I., Denisenko S.G., Aseev A.L. Self- interstitial atoms and structure of intrinsic getters in silicon crystals.- Solid. State Phenomena, 1991, v.19&20, p.79−84.
  61. De Kock A.J.R. Van de Wijgert W.M. The influence of thermal point defects on the precipitation of oxygen in dislocation free silicon crystals.- Appl.Phys.Lett, 1981, v.38, № 11, p.888−890.
  62. Macek M. An attempt to simulate oxygen precipitation in silicon.- Solid State Phenomena, 1989, v.6&7, p. 165−170.
  63. Vanhellemant J., Romano-Rodrigues A. On the influence of interfaces and localised stress fields on irradiation induced point defects distributions in silicon. -Appl.Phys. 1993, v. A57, p.521−527.
  64. R.A.Craven in «Semiconductor Silicon 1981», eds. H.R.Huff, R.J.Kriegler, Y. Takeighi, New York, Electrochemical Soc., p.254.
  65. Cristoloveanu S. Silicon films on sapphire.- Rep.Prog.Phys., 1987, v.50, p.327"371.
  66. Л.Д., Лившиц E.M. Теоретическая физика т.7. Теория упругости,-М:Наука, Гл.ред.физ.-мат.лит., 4изд., 1987, 247с.
  67. Griffin D.S., Kellogg R.B., A numerical solution for axially simmetrical and plane elastisity problems.- Int.J.Solids Structures, 1967, v.3, p.781−794.
  68. О., Морган К. Конечные элементы и аппроксимация: Пер. с англ.- М.:Мир, 1986, — 318с.
  69. С.П., Гудьер Д. Теория упругости,— М.:Наука, 1979. 300с.
  70. С.А., Литовченко В. Г., Соколов В. И. Влияние механических напряжений на параметры слоистых гетероструктур ДП SÍ-O2-SÍ-.-Оптоэлектроника и полупров. техника, 1985, вып.8, стр.40−49.
  71. Физика тонких пленок / под ред. Хасс Дж., Тан Р.- М.: Мир, 1968, т. З, стр.235−274.
  72. Fargeix A., Ghibaudo. Densification of thermal SIO2 due to intrinsic oxidationstressing.- J.Phys.D: Appl.phys., 1984, v.17, p.2331−2336.
  73. Ghibaudo G. Modelling of silicon oxidation based on stress relaxation.-Philosophical magazine B, 1987, v.55, № 2, p. 147−158.
  74. Rafferty C.S., Landsberger L.M., Dutton R.W., Tiller W.A., Nonlinear viscoelastic dilatation of Si02 films.- Appl.Phys.Lett., 1989, v.54, № 2, p.151−152.
  75. Taylor W.J., Tan T.Y., Gosele U.M. An analysis of point defect fluxes during Si02 precipitation in silicon.- Material Science Forum, 1992, v.83−87, p.1451−1456.
  76. Taylor W.J., Tan T.Y., Gosele U.M. Oxygen precipitation in silicon: The role of strain and self-interstitials.- Appl.Phys.Lett., 1991, v.59, № 16, p.2007−2009.
  77. Nakamura M., Kobayashi Y., Usami K. Raman studies of internal stress and crystallinity of pulse-lase-irradiated silicon on sapphire (SOS) in relation to Hall mobility.- Jpn.J.Appl.Phys, 1984, v.23, № 6, p.687−694.
  78. Ohmura Y., Inoue Т., Yoshii T. Ion implantation in SOS structures. J.Appl.Phys., 1983, v.54, 6779−6782.
  79. Bolotov V.V., Efremov M.D., Karavaev V.A., Golomedov A.V. Study of stress relaxation in implanted silicon on sapphire structures using Raman spectroscopy. -Thin Solid Films, 1992, v.208, p.217−222.
  80. Bolotov V.V., Efremov M.D., Volodin V.A. Mechanical stress relaxation in ion-implanted SOS structures.- Thin Solid Films, 1994, p.212−219.
  81. А.И. Введение в теорию полупроводников.- М.:Наука, Гл.ред.физ.-мат.лит., 1978, — 616с.
  82. Anastassakis Е., Pinczuk A., Burstein Е., Pollak F.H., Cardona М. Effect of static uniaxial stress on the Raman spectrum of silicon.- Solid State Communications, 1970, v.8, p. 133−138.
  83. Cerdeira F., Buchenauer C.J., Pollak F.H., Cardona M. Stress-induced shifts of first-order Raman frequencies of diamond- and zinc-blende-type semiconductors.-Phys.Rev.B, 1972, v.5, № 2, p.580−593.
  84. Yamazaki K., Yamada M., Yamamoto K., Abe K. Raman scattering characterization of residial stresses in silicon on sapphire.- Jpn.J.Appl.Phys., 1984, v.23, № 6, p.681−686.
  85. Englert Th., Abstreiter G., Pontcharra J. Determination of existing stress in silicon films on sapphire substrate using Raman spectroscopy.- Solid-State Electronics, 1980, v.23, p.31−33.
  86. Weinstein B.A., Piermarini G.J. Raman scattering and phonon dispersion in Si and GaP at very high pressure.- Phys.Rev.B, 1975, v. 12, № 4, p. 1172−1186.
  87. Chandrasekhar M., Renucci J.B., Cardona M. Effects of interband excitations on Raman phonons in heavily doped n-Si.- Phys.Rev.B, 1978, v.17, № 4, p.1623−1633.
  88. А.Г., Емцев B.B., Машовец T.B. Влияние параметров импульсного электронного облучения на эффективность образования дефектов в кремнии. ФТП, 1989, т.23, № 12, с.2221−2223.
  89. Ochrin S., Krafcsik I., Lindstroem J.L., Jaworowski A.E., Corbett J.W. Mechanism of the enhancement of divacancy production by oxygen during electron irradiation of silicon. II. Computer modeling.- J.Appl.Phys., 1983, v.54, № 1, p.179−183.
  90. Tipping A.K., Newman R.C. The diffusion coefficient of interstitial carbon in silicon.- Semicond.Science.Technol., 1987, v.2, p.315−317.
  91. B.A. «Особенности накопления радиационных дефектов в кремнии, содержащем внешние и внутренние границы раздела». Дисс. канд.физ.-мат.наук. — Новосибирск, 1991, -207с.
  92. Raman C.V., Krischnan K.S. New type of secondary irradiation.- Nature, 1928, 31 march, v.121, p.521−522.
  93. Г. С., Мандельштам Л. И. Новое явление при рассеянии света (Предварительное сообщение).- ЖРФХО, 1928, май, т.60, с. 335−338.
  94. Рассеяние света в твердых телах/ под.ред. М. Кар доны, — М.:Мир, 1979.392с.
  95. Рассеяние света в твердых телах. Выпуск IV. Электронное рассеяние, спиновые эффекты, морфические эффекты/ Под ред. М. Кардоны и Г. Гюнтеродта. М.: Мир, 1986, — 408с.
  96. Л.С., Лебедев А. А., «Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках»,-Ленинград, Наука, 1981, — 174с.
  97. Lang D.V. in book «Space charge spectroscopy in semiconductors. Thermaly stimulated relaxation processes in solids"/ ed.P.Braunlich.- New-York, Springer, 1979, — 133c.
  98. Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника.- М: Мир, 1976.- 430с.
  99. . Оптические процессы в полупроводниках.- М: Мир, 1973, — 456с.
  100. Van der Pauw L.J. A method of measuring specific resistivity and Hall effect of disk of arbitrary shape. Philips research reports, 1958, v.13, № 1, p.1−9.
  101. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. — 672с.
  102. T.Englert, G. Abstreiter, J. Pontcharra, Solid-State Electron. Determination of existing stress in silicon films on sapphire substrate using Raman spectroscopy, 1980, v.23, p.31−33.
  103. K.Yamazaki, M. Yamada, K. Yamamoto, K.Abe. Raman scattering characterization of residial stresses in silicon-on-sapphire. Jpn.J.Appl.Phys., 1984, v.23, n.6, p.681−686.
  104. Т., Ионная имплантация. В кн. п.р. Зи С. Технология СБИС, 1986, Москва, Мир, 404с.
  105. Liefting J.R., Custer J.S., Schreutelkamp R.J., Saris F.W., Dislocation formation in silicon implanted at different temperatures.- Materials Science and Engineering, 1992, v. B15, p. 173−186.
  106. E.Bustarret, M.A.Hachicha, M.Brunei. Experimental determination of the nanocrystalline volume fraction in silicon thin films from Raman spectroscopy. Appl.Phys.Lett., 1988, v.52, n.20, p. 1675−1677.
  107. Mayer J.W., Erikson L., Davis J.A., Ion implantation in semiconductors (Silicon and Germanium), 1970, Academic Press, New York, 304c.
  108. С.И., Смирнов JI.С. О взаимодействии точечных дефектов с границей раздела Si02-Si.- ФТП, 1976, т. 10, № 5, с.876−880.
  109. С.Н., Виленкин А. Я., Мордкович В. Н., Омельяновская Н. М., Саакян А. А. Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении структур SiOrSi.-ФТП, 1990, т.24, № 2,300−304.
  110. В.В., Ефремов М. Д., Карпов А. В., Стучинский. В. А. Роль дефектов, возникающих при окислении, в формировании распределения радиационных нарушений вблизи границы раздела Si-Si02 Поверхность.Физика. Химия. Механика., 1990, № 3, с.137−141.
  111. А.Л.Асеев, В. М. Астахов, Л. И. Федина. Изучение поведения точечных дефектов в кристаллах полупроводников и системе полупроводник-диэлектрик с помощью высоковольтной электронной микроскопии.-Изв.АН СССР, 1983, т.47, в.6, с.1156−1161.
  112. Л.А., Кузнецов В. И., Лугаков П. Ф., Филипов И. М., Цикунов А. В. Влияние деформационных напряжений границы раздела Si-Si02 наобразование и отжиг радиационных дефектов в кремнии, — ФТП, 1990, т.24, № 3, с.517−520.
  113. П.В.Кучинский, В. М. Ломако, А. П. Петрунин. Влияние сильного электрического поля на скорость введения и пространственное распределение радиационных дефектов в кремнии. Письма в ЖТФ, 1985, т.11, в.5, с.309−311.
  114. Г. А.Тахмазиди. Исследование глубоких центров в приповерхностных слоях n-кремния, облученного электронами. ФТП, 1985, т.19, в.4, с.608−610.
  115. Н.Н.Герасименко, В. Н. Мордкович. Радиационные эффекты в системе полупроводник-диэлектрик. Поверхность, 1987, № 6, с.5−19.
  116. А.Ф.Вяткин, А. Г. Итальянцев, Ч. В. Копецкий, В. М. Мордкович, Э. М. Темпер, Поверхность, 1987, № 11, с.67−73.
  117. В.В.Болотов, А. В. Карпов, А. В. Стучинский. Влияние дрейфа вакансий в электрическом поле на формирование распределения радиационных дефектов вблизи границ раздела в кремнии. ФТП, 1988, т.22, № 1, с.49−55.
  118. Lindstrom J.L., Oehrlein G.S., Jaworowski А.Е., Corbett J.W. The mechanism of the enhancement of divacancy production by oxygen during electron irradiation of silicon. I. Experimental.- J.Appl.Phys., 1982, v.53. N12, p.8686−8690.
  119. Fargeix A., Chibaude G. Densification of thermal SiC>2 due to intrinsic oxidation stressing.- J.Phys.D.:Appl.Phys., 1984, v. 17, p.2331−2336.
  120. В.Б., Шаховцов В. И., Шиндич В. Л. Внутренние геттеры и радиационное дефектообразование в Si. Препринт № 25 Института физики АН УССР, Киев, 1987, -55с.
  121. Krynichi J., Bourgoin J.C., Vassal G. Energy dependence of defect energy levels production in electron- irradiated silicon. -Rev. Phys. Applique, 1979, v. 14, p.481−484.
  122. В.Л., Холодарь Г. А. О величине сечения захвата вакансии примесными атомами в кремнии. ФТП, 1984, т.2, стр.362−365.
  123. А.Н., Колмогоров Ю. Н. О законе взаимодействия между заряженными дефектами в ионных кристаллах. Физ.тв.тела, 1990, т.32, № 6, с.1703−1707.
  124. Oehrlein G.S., Krafcsik I., Lindstrom J.L., Jaworowski A.E., Corbett J.W. The mechanism of the enhancement of divacancy production by oxygen during electron irradiation of silicon. II. Computer modelling.- J.Appl.Phys., 1983, v.54, N1, p.179−183.
  125. B.C., Ухин H.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.:Наука, 1981, — 368с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!