Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Деградация структур металл-арсенид галлия

Диссертация: Деградация структур металл-арсенид галлия
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Показано, что возникающие при деградации неоднородности барьеров Шоттки можно обнаруживать, измеряя распределение фототока и фото-ЭДС по поверхности данных барьеров при зондовом освещении. В данных неоднородностях диффузионная дана (а значит, и время жизни) дырок меньше, чем в однородных областях барьера Шоттки. новлено, что длительное одноосное давление приводит к генераизбыточяых токов при… Читать ещё >

Деградация структур металл-арсенид галлия (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ВВЕЩЕНИЕ
  • ГЛАВА I. ВЛИЯНИЕ ПЛАСТИЧЕСКИХ ДЕФОРМАЦИЙ НА ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ АШВУ И ПРИБОРНЫХ СТРУКТУР НА ИХ ОСНОВЕ
    • 1. 1. Электрические характеристики структур металл-полупроводник, А В
    • 1. 2. Физические свойства дислокаций в полупроводниках АШВУ
    • 1. 3. Влияние деформаций на свойства полупроводников АШВУ
    • 1. 4. Влияние деформаций на свойства полупроводниковых приборных структур
    • 1. 5. Выводы к главе I
  • ГЛАВА II. МЕТОДИКИ И ПОЛУЧЕНИЯ ПЕРЕХОДОВ МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК И ИССЛЕДОВАНИЯ ИХ ХАРАКТЕРИСТИК
    • 2. 1. Технология получения структур
    • III. У металл-полупроводник, А В
      • 2. 2. Методика исследования электрических характеристик структур металл-полупроводник
      • 2. 3. Методика исследования фотоэлектрических характеристик структур металл-полупроводник
      • 2. 4. Методика исследования неоднородностей на повнрхности полупроводников и структур металл-полупроводник
      • 2. 5. Выводы к главе П
  • ГЛАВА III. ДЕГРАДАЦИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК СТРУКТУР МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК
    • 3. 1. Характеристики переходов металл-арсенид галлия
    • 3. 2. Деградация барьеров Шоттки под действием механических напряжений
    • 3. 3. Деградация структур Ai-Gods при пропускании тока
    • 3. 4. Деградация переходов металл-полупроводник при одновременном действии одноосного сжатия и пропускания тока
    • 3. 5. Выводы к главе Ш
  • ГЛАВА 1. У. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИРОДЫ ДЕФЕКТОВ, ОТВЕТСТВЕННЫХ ЗА ДЕГРАДАЦИЮ СТРУКТУР МЕТАЛЛ-(jCl/ls
    • 4. 1. Исследование точечных дефектов, возникающих при деградации переходов Jlu-G-aJIs. Ю
    • 4. 2. Изучение неоднородностей переходов Ли-[гоЛв фотоэлектрическими методами
    • 4. 3. Исследование дислокаций в кристаллах uaAs, подвергнутых одноосному давлению
    • 4. 4. Выводы к главе 1У

Переходы металл-арсенид галлия являются перспективными структурами для применений в полупроводниковой электронике, в частности, в микроэлектронике. Одним из явлений, снижающих службы данных структур, является их деградация, т. е.постепенное ухудшение характеристик и рабочих параметров в процессе работы.

Деградационные явления присущи всем приборам на основе Ш У полупроводников, А В. Наиболее изучены эти явления в свето-излучащих диодах (СИД) и лазерных диодах СЛД). При деградации данных приборов в активной зоне образуются так называемые дефекты темных линий, представляющие собой вытянутые в определенных направлениях скопления дислокаций. В настоящее время нет единого мнения по следующим вопросам: каковы основные причины и движущие силы в образовании дефектов темных линийчто является основным фактором, снижающим эффективность приборовсами дислокации или вокруг нихкакова природа точечных дефектов, скапливающихся вокруг дислокаций. Сложность изучения де-градационных явлений в СИД и ЛД обусловлена тем, что в данных явлениях могут играть существенную роль многие факторы: перераспределение электрического поляпнжекция неосновных носителей заряда, сопровождаемая их излучателыюй и безызлучательной рекомбинациейнеравномерный разогрев криолламеханические напряжения, существующие в свежеприготовленных образцах и возникающие в процессе их работы.

Барьеры Шоттки являются более простыми объектами для изучения деградационных явлений в полупроводниках. В частности, в данных структурах при пропускании прямого тока, при не слишком высоких плотностях тока, инжекцией неосновных носителей заряда, а также их излучательной и безызлучатель-ной рекомбинацией можно пренебречь. Поэтому изучение деградации структур металл-арсенид галлия может дать однозначные выводы о природе деградацяонных явлений в арсениде галлия.

Анализ литературных данных показал, что деградация структур металл-полупроводник при механических напряжениях, при пропускании прямого тока и приложения обратного смещения изучена совершенно недостаточно.

Целью данной диссертации явилось систематическое исследование деградации переходов металл-арсенид галлия под действием длительного одноосного давления, пропускания прямого и обратного токов и при комбинированном действии данных факторов. Для достижения указанной цели были поставлены следующие задачи:

1) разработка установки для фотоэлектрического изучения неоднородностей барьеров Шоттки, возникающих при их деградации;

2) экспериментальное изучение и определение характеристик и параметров барьеров Шоттки, наиболее чувствительных к деградащгонным явлениям;

3) сравнение деградационных явлений в переходах металл-арсенид галлия при длительном одноосном давлении, пропускании прямого тока и при обратном смещении;

4) изучение отжига точечных дефектов, образующихся при деградации переходов металл-арсенид галлия;

5) исследование неоднородностей барьеров Шоттки фотоэлектрическими методами;

6) изучение дислокаций на поверхности эпитаксиальных пленок ОйДэ «подвергнутых длительному одноосному давлению.

Научная новизна работы заключается в том, что в ней впервые систематически исследованы основные закономерности деградации структур металл-арсенид галлия под действием одноосного давления и пропускания тока.

Обнаружено, что при прямом смещении переходы металл-арсенид галлия деградируют намного быстрее, чем при обратном смещении, что деградационные действия пропускания прямого тока и одноосного давления усиливают друг друга. Установлена природа избыточных токов, возникающих при деградации переходив металл-арсенид галлия.

Обнаружено и исследовало частичное восстановление характеристик переходов металл-арсенид галлия при отжиге при температурах 150−400°С.

Обнаружены и изучены неоднородности барьеров Шоттки, возникающие при их деградации.

Основные положения, которые выносятся на защиту:

1. Избыточные прямые и обратные токи, возникающие при деградации переходов металл-арсенид галлия, обусловлены тун-нелированием электронов сквозь потенциальный барьер.

2. Избыточные токи в продеградировавших переходах металл-арсенид галлия с концентрацией электронов в полупроводт, а у7 о нике 10 — 10х см проходят через неоднородности обедненного слоя, занимающие малую часть его площади. В данных не-однородностях толщина обедненного слоя существенно ниже, чем в однородных областях перехода металл-арсенид галлия.

3. При длительном одноосном давлении в переходах металл-арсенид галлия образуются неоднородности, проявляющиеся в локальном снижении фото-ЭДС и фототока при зондовом освещении.

В обнаруженных неоднородностях диффузионная длина дырок меньше, чем в однородной части 1фиолла. Возникающие неоднородности фото-ЭДС связаны со скоплениями дислокаций с ло.

7 -2 кальной плотностью порядка 10 см .

4. За возрастание избыточного тока при деградации переходов металл-арсенцц галлия ответственны не сами генерируемые дислокации, а возникающие вокруг них скопления точечных дефектов.

5. Скопления точечных дефектов, образующихся вокруг дислокаций при деградации переходов металл-арсешщ галлия, не стабильны и отжигаются при температурах 150−400 °С. Отжиг указанных дефектов приводит к образованию новых глубоких уровней в обедненном слое данных переходов.

6. Деградационные явления в переходах металл-арсенид галлия имеют общие основные черты с аналогичными явлениями в р-п переходах ОВД, что свидетельствует об общности механизма указанных явлений в структурах обоих типов. Развитие скоплений дислокаций, в которых интенсивность безызлучательной рекомбинации резко повышена по сравнению с однородными областями кристалла, возможно без инжекции и рекомбинации неосновных носителей заряда, а лишь под действием механических напряжений и пропускания тока.

Практическая ценность данной работы заключается в следующем:

I. Разработана установка для исследования распределений фото-ЭДС и фототока, диффузного отражения и фотолюминесценции по поверхности кристаллов и полупроводниковых структур с пространственным разрешением 5 мкм, позволюящая также снимать локальные вольт-амперные характеристики фототока и люмен-амперные характеристики фотолюминесценции.

2. Установлена роль доддороговых механических напряжений в деградации структур металл-ароенид галлия.

3. Показано, что лутем отжига при темлературах.

150 — 400 °C возможно частичное восстановление рабочих характеристик лродеградировавших переходов металл-арсенвд галлия.

4. Показано, что замена на Шк в барьерах.

Шоттки повышает стойкость данных барьеров к деградации под действием механических напряжений и пропускания тока.

Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения.

4.4. Выводы к главе 1У.

Изучение вольт-фарадных характеристик барьерной емкости переходов металл- (/сиДь «исследование изохронного и изотермического отжига точечных дефектов, анализ распределения фототока по поверхности барьеров Шоттки и вольт-амперных характеристик фототока в неоднородностях, металлографическое изучение дислокаций на поверхности кристаллов позволяет сделать следующие выводы.

1. При длительном одноосном давлении 10^-10^ Н/м2 к кристаллах (гак возникают скопления дислокаций с локальной.

7 —9 Р> плотностью до ~ 10 см. Возрастание давления от 10 до.

Ю9 Н/м2 приводит к уменьшению времени, необходимого для образования скоплений дислокаций, от сотен часов до десятков минут. Скопления дислокаций вытянуты вдоль линий, образуя линейные неоднородности на поверхности кристалла.

2. В переходах металл-арсенид галлия, подвергнутых длительному одноосному давлению, образуются линейные неоднородности распределения фотоэдс и фототока при зондовом освещении. Эти неоднородности можно связать со скоплениями дислокаций.

3. Уменьшение фототока в неоднородноетях обусловлено пониженным значением диффузионной длины, а значит, и времени жизни неосновных носителей заряда (дырок).

4. Прогрев продеградировавгаих переходов металлпри температурах 150−400°С приводит к резкому уменьшению избыточных токов, появившихся в результате длительного одноосного давления. При указанных температурах дислокации в tjdflb не отжигаются /94/. Поэтому за появление избыточных прямых и обратных токов при деградации барьеров Шоттки ответственны не сами дислокации, а скопления точечных дефектов вокруг дислокаций.

5. Отжиг точечных дефектов вокруг дислокаций характеризуется энергией термической активации 0,77 эВ, что соответствует энергии активации деградации светодиодов на основе (rCiUs при длительном пропускании тока.

6. При отжиге точечных дефектов в продеградировавших переходах Ли — G-ci/ls образуются глубокие уровни, о чем свидетельствуют температурные зависимости прямых токов. Глубокие уровни возникают также при длительном пропускании прямого тока через переходы Ли — Ша, что обнаруживается по вольт-фарадным характеристикам барьерной емкости.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Комплексное исследование деградации переходов металл-арсенид галлия под действием длительного одноосного давления, пропускания прямого и обратного токов и при комбинированном действии данных факторов позволило выявить влияние де-градационных процессов на характеристики барьеров Шоттки, а также получать сведения о природе дефектов, образующихся при деградации. Основные результаты диссертации заключаются в следующем:

1. Показано, что длительная выдержка структур металл-арсенид галлия при одноосном давлении в обесточенном состоянии приводит к возрастанию прямого и обратного токов, к отклонению ВАХ прямого тока от «идеальных», связанных с надбарьер-ной эмиссией электронов. При возрастании давления от 1−10® до 1*109 Н/м^ время, необходимое для существенного изменения ВАХ, уменьшается от сотен часов до десятков минут. Деграда-ционные действия давления и пропускания прямого тока усиливают друг друга.

2. Установлено, что появляющиеся при деградации избыточные токи переходов металл-арсенид галлия обусловлены туннели-раванием электронов сквозь потенциальный барьер в неоднородно стях барьеров Шоттки, приводящих к локальному резкому сужению обедненного слоя. Об этом свидетельствует слабая температурная зависимость избыточных токов и анализ вольт-гаарадных характеристик барьерной емкости.

3. Показано, что возникающие при деградации неоднородности барьеров Шоттки можно обнаруживать, измеряя распределение фототока и фото-ЭДС по поверхности данных барьеров при зондовом освещении. В данных неоднородностях диффузионная дана (а значит, и время жизни) дырок меньше, чем в однородных областях барьера Шоттки. новлено, что длительное одноосное давление приводит к генераизбыточяых токов при деградации переходов металл-арсенид галлия ответственны не сами размножающиеся дислокации, а скопления точечных дефектов вокруг них. Об этом свидетельствует частичное восстановление ВАХ барьеров Шоттки при температурах отжига 150−400°С, недостаточных для изменения плотности дислокаций. Отжиг появившихся при деградации дефектов приводит к рождению глубоких уровней, которые обнаруживаются по температурным зависимостям избыточных токов.

5. Течение деградационных процессов в переходах Ли -1/СсЛ$ различно при выдержке под одноосным давлением в обесточенном состоянии и пропускании прямого тока при давлениях 1−10^ Н/м^. При одноосном давлении избыточный тек сверхлинейно растет со времени. При длительном пропускании прямого тока медленное спадание тока периодически сменяется его резким возрастанием, что свидетельствует о двухстадийности деградационного процесса. С учетом того, что деградация наблюдается при пропускании прямого тока и резко ослаблена при обратном смещении, можно предположить, что данное явление связано с двумя процессами. Первым этапом деградации может быть. движение положительных ионов из приповерхностного слоя вглубь обедненного слоя. При отсутствии смещения данные ионы удерживаются электрическим полем в приповерхностном.

4. Избирательным травлением поверхности ции дислокации, выходящих на поверхность слое. При прямом смещении ослабляется поле, противодействующее указанному движению. Кроме того, при положительном смещении эти центры могут заполняться электронами и нейтрализоваться. При этом действие «удерживающего» поля исчезает, и центр! диффундируют в обедненный слой. Уход положительных ионов из обедненного слоя может приводить к наблюдаемому спаданию тока на первой стадии деградации. Второй стадией деградации, связанной с быстрым «скачкообразным» возрастанием тока, может быть размножение дислокаций под действием механических напряжений, возникающих за счет скопления подвижных центр®на границе обедненного слоя.

6. Деградационные процессы в переходах металл-ареенид галлия и в СИД имеют много общего. В структурах обоих типов при деградации возникают скопления дислокаций, чаще всего вытянутые вдоль определенных направленийуказанные скопления дислокаций характеризуются повышенной скоростью рекомбинации носителей зарядаэнергия активации отжига дефектов, появившихся при деградации барьеров Шоттки, составляет 0,77 эВ, что соответствует энергии активации деградации СИДодинакова природа избыточных токов, появляющихся при деградации СИД и барьеров Шоттки. Это свидетельствует об общности механизмов деградации СИД и барьеров Шоттки. Но деградация структур металл-арсенид галлия наблюдалась под действием механических напряжений в обесточенном состоянии. При пропускании прямого тока в данных структурах инжекционный ток неосновных носителей заряда на много порядков ниже, чем в СИД, а деградация происходит. Поэтому результаты данной диссертации свидетельствуют, что развитие дефектов темных линий, представляющих собой скопления дислокаций, возможно без инжекции и рекомбинации неосновных носителей заряда под действием механических напряжений и пропускания тока.

Полученные результаты можно использовать для дальнейшего исследования деградационных явлений в переходах металл-арсенид галлия, для выяснений роли контактного слоя металла, для более глубокого изучения природы дефектов и физических процессов, ответственных за деградацию.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Г. Е. Основы теории полупроводниковых приборов. -М.: Наука, 1965, 448 с.
  2. ЗИ С. Физика полупроводниковых приборов. Часть I, пер. с англ./ Под ред. Суриса Р. А. М.: Мир, 1984, 456 с.
  3. В.И. Расчет вольт-амперной характеристики прижимного контакта металл-полупроводник с учетом пленки окисла. Радиотехника и электроника, 1964, т.9,№ 4, с.681−689.
  4. В.И. Расчет потенциала сил изображения для контакта, содержащего диэлектрическую прослойку. УФЖД971, т.16, № 8, с.1382−1386.
  5. Padavani P. A., Stratton R. Pied, and thermoionic-field emisson in Schottky barriers. -Sol. St. Electron, 1966, v. 9, 7, P.965 967.
  6. Crowell C. R., Shore H.B., Labate E.E. Surface- State and interface effects in Schottky barriers at n-tpy Silicon surfaces. j. Appl. Phys., 1965, v. 36, 12, p.3843 3850.
  7. Pellegrini Б. New quantum and electronic theory of metal-semiconductor contacts. Phys. Rev. Bs Solid State, 1973, v. 7, 12, p.5299 — 5312.
  8. Э.Х. Контакты металл-полупроводник. Пер. с англ./Под ред. Степанова Г. В. М.: Радио и связь, 1982,208 с.
  9. А. М., Sze S. М. Surface states and barrier height of metal-semiconductor systems. J. Appl. Phys., 1965, v. 36, 10, p.3212 — 3220.
  10. Г. Б., Тхорик 10.А. Об энергетической границе раздела контакта металл- Gcl/Is. ФТП, 1973, т.7, вып.2,с.355−359.
  11. В.П., Розниченко М. Ф. Изучение поверхностных состояний на границе раздела GaJIs . В кн.: Арсе-нид галлия, 1974, в.4, с.260−263.
  12. А.П., Максимов Н. К., Поплавной А. С., Степанова В. Е., Чалдышев В. А. Поверхностно-барьерные переходы в ар-сениде галлия и роль таммовских состояний в их образовании. ФТП, 1970, т.4, вып.5, с.951−9227
  13. G. W., Sterens Е. Н. A composite model for Schottky diode barrier height. IEEE Trans. Electron devices, 1971, E 18, 12, p.1185 — 1186.
  14. Гольдберг 10.А., Посе E.A., Царенков Б. В. Механизм проникновения прямого тока в Gd/ls поверхностно-барьерных структурах (случай невырожденного электронного газа). ФТП, 1975, т.9, вып. З, с.513−518.
  15. Н. С., Roderick Е. Н. Studies of tunnel MOS diodes. 2. Thermal equlibrium consideration. -J Appl. Fhys., 1968, v. 39, 7, p.3008 3016.
  16. Yu A. Y. C., Snow E. H. Surface effect on metal-silicon contacts. -J. Appl. Fhys., 1971, D-4, 10, p.1602 1611.
  17. В.Г., Стриха В. И., Чайка Г. Е. ВАХ контакта металл-полупроводник с учетом генерации-рекомбинации в области пространственного заряда в предположении диффузионнойтеории. Полупр.тех. и микро., 1980, $ 32, с.95−102.
  18. А. Примеси с глубокими уровнями в полуправодниках. Пер. с англ./Под ред. Шейнкмана М.К.- М.: Мир, 1977, 562 с.
  19. Sah С. Т., Chan W.W., Fu Н. S., Walker J. W. Thermally stimulated calacitance (TSGAP) in p-n juctions. Appl. Phys. Letts., 1972, v. 20, 5″ P"193 — 195.
  20. Eklund P. C., Van Zandt L.L. Inelastic electron tunneling through Schottky barriers on Vanadium-doped. Phys. Rev. B: Solid State, 1975, v. 11, 2, p.784 792.
  21. Helman J. S., Sinencio P. Resonant tunneling throungh Schottky barriers. Appl. Phys. Letts., 1976, v. 28, 1, p.34 — 36.
  22. В.И. Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник. Киев: Наукава думка, 1974, 246 с.
  23. К.А., Пашинцев Ю. И., Петров Г. В. Применение контакта металл-полупроводник в электронике. М.: Сов. радио, 1981, 304 с.
  24. А. М. Pepletion capacitance and diffusion potential of Gallium Phosphide Schottky-barrier diodes. -J. Appl. Phys., 1966, v. 37″ 8, p.3024 3032.
  25. H.I., Терещенко А. К., Маева О. И., Ляшенко В. И., Раскевич A.M. Влияние глубоких уровней на емкость пространственного заряда и эффект поля в арсениде галлия. -ФТП, 1973, т.7, В 4, с.671−678.
  26. Дк. Доте И. Теория дислокаций. Пер. с англ. Кардонского В. М. М.: Мир, 1968, 440 с.
  27. Несовершенства в кристаллах полупроводников. Сб. статей: Пер. с англ./Под ред. Петрова Д. А. М.: Металлургия, 1964, 302 с.
  28. Дефекты в кристаллах полуправодникав. Сб. статей: Пер. с англ./Под ред. Гаргаа С.Н.- М.: Мир, 1969, 375 с.
  29. Улиямс. Структурные дефекты в эпитакспальном? ah. В кн.: Арсенид галлия. Пер. с англ./Под ред. Виделя A.A. М.: Сс®.радио, 1972, с.40−47.
  30. A.C., Новиков H.H., Иванов В. И. Особенности распределения дислокаций в эпитаксиалышх слоях арсенида галлия. УФЖ, 1982, т.27, JS II, с.1668−1670.
  31. М.Г., Освенский В. Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984, 356 с.
  32. В.Т., Дубровна А. Н. Методы исследования структуры полупроводников и металлов. М.: Металлургия, 1978,272 с.
  33. С. Методы прямого наблюдения дислокаций. Пер. с англ. Кордонского В. М. М.: Мир, 1968,440 с.
  34. Травление полупроводников. Пер. с англ.С.Н. М.: Мир, 1965, 382 с.
  35. С.С., Мильвидский М. Г., Освенский В. Б. Проекционное травление как метод исследования дефектов структуры кристаллов полупроводников. Кристаллография, В82, т.27,3, с.712−721.
  36. X., Муди П., Лавин М. Выращивание кристаллов In 3b в направлении, полярном . В кн.: Нсвое в получении монокристаллов полупроводников. Пер. с англ./Под ред. Петрова Д. А. М.: ИЛ, 1962, с.234−237.
  37. Уайт, Рот. Полярность монокристаллов арсенида галлия. Там же, с.225−229.
  38. М. С., Ekstron L. К. Properties of elemental compound semiconductors. Ed. Ъу H. C. Satos, Interscince, Hew York, 1960, p.225 — 241.
  39. Richards J. L., Crocker A. J. Etch point in J. Appl. Phys., 1960, v. 31i 3″ Р.611 — 612.
  40. В.Б., Холодный JI.П. Подвижность индивидуальных дислокаций в арсениде галлия. ФТТ, 1972, т.14,1. В II, с.3330−3335.
  41. Steinhardt Н", Haasen P. Creep and dislocation velocities in Gallium Arsenide. Phys. Status Solid (a), 1978, A 49, 1, p.93 — 101.
  42. Ван Бюрен. Дефекты в кристаллах. Пер. с англ./Под ред. Орлова А. Н. и Регеля В. Р. М.: ИЛ, 1962, 584 с.
  43. Dew-Hugres D. Dislocations and plastic flow in Germamium. IBM J. Res. and Developm., 1961, v. 5, 4, p.279 — 286.
  44. Peisker E., Haasen P., Alexaneler H. Anisotropic plastic deformation of indium antimonide. Phil. Mag., 1962, v. 7, 80, p.1279 — 1303.
  45. В.Б., Еремеев В. В. Влияние некоторых факторов на генерацию дислокаций в монокристаллах под действием термических напряжений. Кристаллография, 1970, т. 15, В 5, C. I044-I048.
  46. В.Г., Освенский В. Б., Мильвидский М. Г. и другие.
  47. В кн.: Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Часть 2 / Под ред. Кузнецова В. А. и Александрова Л. Н. Новосибирск: Наука, СО АН СССР, 1975, с.3−6.
  48. В.Б., Шифрин С. С., Мильвидский М. Г., Столяров O.P. Закономерности размножения дислокаций в кристаллах полупроводниковых соединений типа aV. В кн.: Дефекты структуры в полупроводниках. Новосибирск: Изд-во ИФП АН СССР, 1973, с.123−126.
  49. В.П., Надточий В. А., Нечволод Н. К., Шорохов М. Х. О пластической деформации (j? и Si при комнатной температуре в условиях одноосного сжатия. Там же, с.142−145.
  50. В.П., Терновский А. П., Шорохоров М. Х. О механизме деформации и образования отпечатка при микроинден-тации хрупких кристаллов и природе фото- и электромеханического эффектов. Там же, с.194−197.
  51. Дислокации и физические свойства полупроводников. Под ред. Регеля JE.: Наука, 95 с.
  52. Бонч-Бруевич В.Л. К теории электронных состояний, связанных с дислокацией. П. Винтовые дислокации. ФТТ, т. З, вып.1, с.46−52.
  53. В.И., Осипьян Ю. А. Влияние дислокации на оптические, электрические и магнитные свойства кристаллов.-В кн.: Проблемы современной кристаллографии. Под ред. Вайн-штейна Б.К. и Чернова A.A. М.: Наука, 1975, с.239−261.
  54. Oberg S. Electronic stetes associated with 60 dislocation in Gallium Arsenide. Fhys. St. Sol., 1978, В 89, 2, K127 — K130.
  55. В.H., Никитенко В. И. Сопоставление экспериментальных данных и теории подвижности дислокации в кремнии.
  56. Ж. Экспер. и теор.физ., 1971, т.60, К 5, с.1780−1786.
  57. М.Г., Освенский В. Б. Закономерности деф ект о о б раз ов ания в гетероэпитаксиальных структурных соединениях aV для оптоэлектроники. Кристаллография, 1977, т.22, В 2, с.431−446.
  58. Р.В., Матвеева JI.A., Солдатенко Н. Н., Тхорик Ю. А. Влияние механических напряжений на электрические параметры лавино-пролетных гетеродиодов. Микроэлектроника, 1979, т.8, вып.4, с.346−350.
  59. G. Н. Dislocation in Varor-grown compositinally graded (In, Ga) P. J. Appl. Phys., 1975, v 46, 10, P.4259 — 4270.
  60. JI.В., Бублик В. Т. и другие. Исследование кристаллического совершенства гетероструктур в системе твердых растверов Шз Ms и его влияние характеристики инжек-ционных лазеров. — Ж. тех. физики, 1974, № 44, с.1449−1506.
  61. Nannichi Y., Hayashi I. Degradation of (Ga, A1) As double heterosturucture diode lasers. J. Cryst. Geowth, 1974, v. 27, 1, p.126 137.
  62. Ito Ryoichi, Nakashima Hisao, Nakada Osainu. Growth of dark lines feom crystal defects in GaAs-GaAlAs double heterosturucture crystals. Jap. J. Appl. Phys., 1974, v. 13, 8, p.1321 — 1322.
  63. Байард, Питтмен и Лизер. Деградация квантового выхода в излучателях света из (jaJIs. В кн.: Арсенид галлия. -М.: Сов. радио, 1972, с.137−142.
  64. Petroff P., Hartman R.L. Deffect sturucture introduced during operetion of heterojunction GaAs lasers. Appl. Phys.1.tt. 1973, v. 23, 8, p.469 471•
  65. Petroff P., Johnston W. D. Jr., Hartman R. L. Nature of optically induced defets in Ga^ ^Al^As GaAs double-heterojunction laser structures. — Appl. Phys. Lett., 1974, v. 25, 4, P.226 228.
  66. Hatchinson P. S., O’hara S., Newman D. H. Deffect structure of degraded heterojuction GaAlAs GaAs lasers. — Appl. Phys. Lett., 1975, v. 26, 5, p.250 252.
  67. Kohayshi Takeshi, Kawakemi Jsuyoshi, Fueukawa Yoshitaka. Thermal aiagnosis of dark lines in degraded GaAs -AlGaAs double-heterostructure lasers. Jap. J. Appl. Phys., 1975, v. 14, 4, P.508 515,
  68. Branther W. A., Harrison D. A. Degradation studies of diffused GaAs electroluminescent diodes subjeted to mechanical stress. Proc. IEEE Rel. Phys. Symp.,
  69. April 1973, IEEE Gat., 73, CHO, P.775 779.
  70. П.Г., Хайдаров А. В. О роли механических напряжений в постепенной даградации СИД и инфекционных лазеров. Квантовая электроника, 1975, т.2, J5 I, с.127−129.
  71. А., Дин П. Светодиоды. Пер. с англ./Под ред. Юновича А. Э. М.: Мир, 1979,688 с.
  72. Metter К., Pawlik D. Effect of dislocations on the degradation of Si-doped GaAs luminescent diodes. Siemens Res. and Der, Reps., 1972, 3, p.274 278.
  73. СтрихаВ.И., Бузанева EI.B., Разиевский И. А. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки.-М.: Сов. радио, 1974, 248 с.
  74. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки и их применение.- Киев- Общество Знание, УССР, 1975, 48 с.
  75. Ю.А. Барьер Шоттки и их использование для исследования свойства полупроводников. Микроэлектроника, 1982, т. II, }Ь I, с. Зт-19.
  76. Физические основы надежности интегральных схем. Под ред. Миллера Ю. Г. М.: Сов. радио, 1976, 319 с.
  77. С.П., Версоикас А. П., Юшкевичене М. М. О свойствах реальной поверхности электронного германия при механическом давлении. ФТП, 1972, т.6, вып.4, с.769−771.
  78. Kumar Vipin, Ram Sita, Patshad R. Effect of pressure on current-voltage characteristics of mechanical metal-semiconductor contacts. Ind. J. Pure, and Appl. Phys., 1977, v. 15, 3, p.176−181.
  79. Kusaka M., Okamura M. Electrical properties of interface betwen metal and 3−5 semiconductor undey mechanical stress. Surface., 1979, 86, p.841 847.
  80. В.Т., Малаховский 0.10. О низкотемпературном поведении прямых вольт-амперных характеристик диодов с барьером Шоттки. Изв.вуз.Физика, 1983, ¡-Ь I, с.94−100.
  81. А.П., Максимова Н. К., Филонов И. Г. 0 природе низкотемпературных аномалий ВАХ контактов металл-полупроводник. ФТП, 1983, т.17, вып.6, c. II47-II49.
  82. Г. В., Корнилова Т. А. Исследование дефектов в арсениде галлия, вводимых при термокомпрессии. Электр, техника. Сер. З, 1980, вып.1, с.6К64.
  83. Kynihiko Takahashi. Companison of etch rits and V I characteristics in n-GaAs 100 crystaks. — Jap.
  84. J. Appl. Phys., I98O, v. 19, 4, P.773 774.
  85. Patwari A. M., Hartnagel H. L. Effect of demage and surface topology on low-deped gallium arsenide nikel and aluminium Schottky diodes.- Proc. 5-th Iran. conf. elec. Eng., Shiraz, 1975, v. 21, s. 1, s.a., p.899 909.
  86. А.Э., Янсом У. В. Логарифмическая установкас температурной стабилизацией. ПТЭ, 1980, вып.1, с.137−138.
  87. Я.Г. Запись в полулогарифмическом масштабе вольт-амперных характеристик полупроводниковых структур. ПТЭ, 1982, вып.1, с.216−217.
  88. П.А., Зотов В. В., Сердюк В. В. Формирование неоднородности в монокристаллах CdS при пропускании фототока вследствие дрейфа заряженных рекомбинационных центров.-ФТП, 1979, T. I3, ja II, с.2259−2262.
  89. В.Л., Рыбин В. Н. Исследование неоднородности темнового зонда.- УФЖ, 1983, т.28, !Ь II, с.1705−1710.
  90. Вул Б.М., Заварицкая Э. И., Шотов Л. П. Вольт-амперные характеристики р-п-переходов в сильно легированном арсе-ниде галлия. ФТТ, 1964, т.6, вып.5, с.1465−1471.
  91. A.A., Преснов В. А. и другие. Избыточные токи и старение светодиодов на основе (jOLUs. Электр.техника. Сер.2, 1971, В 7, с.16−20.
  92. Konakova R. V., Melnikov G. D., e.a. Influence of structural defects concentration inhomogeneiticesin GaAs epitaxial layers on I V characteristies of Schottky barrier diodes. — Fhys. Stat. Solid., 1979, A 55,2, К 131 К 133.
  93. A.A. Деградация светоизлучающих диодов.- Ж. прик.спетр., 1980, т.33, вып.5, с.781−803.
  94. B.C., Кив А.Е., Ннязова O.P. Механизм образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981, 368 с.
  95. С.Ф. 0 термической ионизации «глубоких» центров в области пространственного заряда в полупроводниках. -ФТТ, 1972, т.14, В I, с.171−174.
  96. В.К., Новиков В. Б., Шевченко В.Я. Влияние некоторых технических параметров на образование дислокаций в
  97. G CL As. В кн.: Арсенид галлия. Томск. Изд-во Томск, ун-та, 1968. с.445−448.
  98. Г. Б., Тхорик Ю. А. 0 роли поверхностных состояний в вотировании барьера Шоттки на контакте металл-арсе^ нид галлия. Полупроводниковая техника и микроэлектроника, 1973, В II, с.34−50.
  99. О.Ю., Дмитрук Н. Л. и другие. Влияние низкотемпературных прогревов на характеристики диодов Шоттки
  100. Ch ?aMs и кk-Ch-BcJIs .- Полупроводниковая техника, Сер.2, 1979, Й8 (134), с.47−52.
  101. Фридель, Дислокации. Пер. с англ./Под ред. Ройтбурда А. Л. М.: Мир, 1967, 643 с.
  102. A.A., Эм Рен Сик, Влияние механическихм М Т*напряжении на поверхностные свойства арсенида галлия. В кн.: Физика поверхностных явлений в полупроводниках. Тезисы УШ совещания. 4.2. Киев: Наукова думка, 1984, с. 67.
  103. A.A., Эм Рен Сик. Влияние механических напряжений на характеристики диодов с барьером Шоттки на основе GaJIs. Материалы Научной конференции молодых ученых Одесского госуниверситета им. И. И. Мечникова. Одесса, 29−30 марта 1984, с.158−165.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!