Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Детерминированные и стохастические процессы термостимулированной электронной эмиссии с окисленных металлов

Диссертация: Детерминированные и стохастические процессы термостимулированной электронной эмиссии с окисленных металлов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Электронная система поверхностных слоев твердых тел во многих случаях определяет рабочие характеристики технических устройств: катализаторов, электродов, зондов наномикроскопии. Контроль состояния поверхности важен при решении задач порошковой металлургии, эмиссионной электроники, микроэлектроники. Одним из средств неразрушающего контроля поверхности является метод термостимулированной… Читать ещё >

Детерминированные и стохастические процессы термостимулированной электронной эмиссии с окисленных металлов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Использованные сокращения
  • Глава 1. Явление термостимулированной электронной эмиссии
    • 1. 1. Особенности термостимулированной эмиссии электронов
    • 1. 2. Способы регистрации термостимулированной эмиссии электронов
    • 1. 3. Модели термостимулированной эмиссии электронов
    • 1. 4. Поведение нелинейных детерминированных систем в среде с внешним шумом
  • Глава 2. Установка для эмиссионного исследования окисленной металлической поверхности
    • 2. 1. Основные элементы установки для исследования электронной эмиссии
    • 2. 2. Блок-схема установки для исследования термостимулированной эмиссии
    • 2. 3. Устройство визуализации электронной эмиссии
    • 2. 4. Сканирующее устройство
    • 2. 5. Условия проведения эксперимента
      • 2. 6. 1. Подготовка образцов для исследования их эмиссионных свойств
      • 2. 6. 2. Механическая обработка поверхности образца ФНС
      • 2. 6. 3. Режимы деформации растяжения, применявшиеся при исследовании образцов методом ТСЭЭ
      • 2. 6. 4. Режимы предварительной пластической деформации образца
    • 2. 7. Методика наблюдения поверхности образцов в плоскополяризованном свете
    • 2. 8. Электронно-оптические эффекты в системе визуализации электронной эмиссии
  • Глава 3. Результаты исследования окисленной металлической поверхности методом термостимулированной электронной эмиссии
    • 3. 1. Вид температурной зависимости эмиссионного тока при испытании образцов меди, алюминия и ФНС-5 в исходном состоянии
    • 3. 2. Неоднородности поверхностного окисла образца ФНС-5, обнаруженные при наблюдении его в поляризованном свете
    • 3. 3. Смещение максимумов эмиссионного тока на температурной оси в зависимости от скорости стимулирующего нагрева образцов
    • 3. 4. Влияние обработки поверхности образца ФНС-5 стальной щёткой на вид температурной зависимости эмиссионного тока
    • 3. 5. Влияние деформации растяжения образца ФНС-5 на эмиссионную активность его поверхности
    • 3. 6. Сдвиг максимума температурной зависимости эмиссионного тока вследствие пластической деформации образца ФНС-5 при вдавливании стального шара
    • 3. 7. Сдвиг максимума температурной зависимости эмиссионного тока вследствие пластической деформации образца ФНС-5 при холодном прокате
    • 3. 8. Уменьшение высоты максимумов ТСЭЭ при повторном испытании образцов и предварительном их отжиге в вакууме
    • 3. 9. Изменение распределения плотности эмиссионного тока по поверхности образца ФНС-5 в процессе темостимуляции
    • 3. 10. Темновая электронная эмиссия при циклическом кручении магниевых образцов
  • Глава 4. Определение электронных свойств окисленных поверхностей методом ТСЭЭ
    • 4. 1. Нестационарное приближение кинетических уравнений для ТСЭЭ
    • 4. 2. Квазистационарное для плотности свободных электронов приближение кинетических уравнений для ТСЭЭ
      • 4. 3. 1. Квазистационарное для плотности свободных электронов приближения в случае пренебрежимо малой по сравнению с А2 величины AiV!

      4.3.2 Оценка значения энергетического уровня электронных ловушек по температуре максимума ТСЭЭ для квазистационарного приближения плотности свободных электронов в случае пренебрежимо малой по сравнению с кг величины AjVi

      4.3.3 Вывод формул для определения энергетического уровня электронных ловушек и сродства электрона в зоне проводимости в рамках нелинейного квазистационарного приближения для плотности свободных электронов в случае пренебрежимо малого, по сравнению с Аг, значения А1 v-

      4.3.4 Расчёт энергии электронных ловушек и сродства электрона в зоне проводимости диэлектрического окисного слоя в случае пренебрежимо малого, по сравнению с Аг, значения AiVi

      4.4 Вывод формул для расчёта энергии электронных ловушек и сродства электрона в зоне проводимости диэлектрического окисного слоя в квазистационарном приближении для плотности свободных электронов в случае AiVi"A

      4.5 Вывод формул для расчёта энергии электронных ловушек и сродства электрона в зоне проводимости диэлектрического окисного слоя в квазистационарном приближении для плотности свободных электронов в случае AiVi"A

      4.6 Определение степени компенсации полупроводникового окисного слоя и концентрации в нём электронных ловушек vi

      4.7 Расчёт изменения энергетического состояния диэлектрического окисного слоя вследствие пластической деформации образца

      4.8 Переход системы «заполненные электронные ловушки — свободные электроны» к равновесному состоянию — послеэмиссия

      4.9 Равновесная концентрация плотности заряженных ловушек в диэлектрическом окисном слое при отсутствии эмиссии электронов в вакуум

      4.10 Квазистационарное для плотности заполненных ловушек приближение ТСЭЭ /

      Глава 5. Индуцированные шумом переходы в электронной системе поверхностного окисла

      5.1. Соотношение системы уравнений Блохинцева и модели Ферхюльста

      5.2. Влияние шума среды на распределение плотности эмиссионного тока по поверхности

      5.3 Бистабильные состояния плотности заполненных электронных ловушек в окисных полупроводниках и влияние на условие их возникновения диффузии точечных дефектов из металла в окисел

Современное производство предъявляет все более высокие требования к качеству поверхностных слоев материалов и изделий, поскольку их состоянием во многих случаях определяется поведение всего объема материала, его эксплуатационные характеристики. В связи с этим задача изучения физических процессов, происходящих на поверхности, является весьма актуальной. Создание новых методов обработки поверхности, увеличение прочности материалов, их коррозионной стойкости, повышение качества элементов микроэлектроники — лишь некоторые из проблем, связанных с поверхностью твердого тела. Их решение требует разработки новых, современных методов исследования тонких поверхностных слоев, контроль свойств которых с применением традиционных методов и средств затруднителен.

Один из перспективных физических методов исследования и неразрушающего контроля поверхности материалов основан на эффекте стимулированной эмиссии (экзоэмиссии) электронов.

Это явление представляет собой нестационарную электронную эмиссию с поверхности твердого тела, которая находится в неравновесном (возбужденном вследствие деформации, облучения, закалки и т. п.) состоянии. Экзоэмиссия электронов происходит при внешнем стимулирующем воздействии в виде тепла (термостимулированная электронная эмиссия — ТСЭЭ) или света (фотостимулированная электронная эмиссия — ФСЭЭ) с энергией ниже порога возникновения стационарных эмиссионных эффектов (термоили фотоэмиссии) [1].

Физическая природа изменений, происходящих в поверхностном слое в результате внешних воздействий, может быть различной, однако их влияние на эмиссионные свойства сводится к изменению энергетических и концентрационных характеристик [2].

Особенностями метода стимулированной эмиссии электронов, ограничивающими его применение, являются сложность поддержания постоянных условий измерений при использовании газоразрядных счетчиков, а в случае применения вторично-электронных умножителей — необходимость проведения измерений в вакууме.

Актуальность работы.

Электронная система поверхностных слоев твердых тел во многих случаях определяет рабочие характеристики технических устройств: катализаторов [3], электродов, зондов наномикроскопии. Контроль состояния поверхности важен при решении задач порошковой металлургии [4], эмиссионной электроники [5], микроэлектроники [6,7]. Одним из средств неразрушающего контроля поверхности является метод термостимулированной электронной эмиссии (ТСЭЭ). Низкие температуры стимуляции, малая величина эмиссионного тока, делают этот метод перспективным для исследования неравновесных состояний поверхности. В ряде случаев (фазовые переходы [8,9], пластическая деформация, разрушение [10,11]) стимулированная электронная эмиссия отражает характер и интенсивность процессов, происходящих не только на самой поверхности твердого тела, но и в его объёме [12,13].

На практике ТСЭЭ часто используется для получения лишь качественных характеристик состояния поверхности, изменяющейся в результате какого-либо воздействия (облучения [14,15], химической, термической [16] или механической [17] обработки), или как индикатор процессов, протекающих в твердых телах. Одна из причин такого положения — недостаточно разработанная теория явления ТСЭЭ.

Использовавшиеся рядом авторов для описания кинетики ТСЭЭ нелинейные уравнения Блохинцева рассматривались только в линейном приближении, что ограничивало применимость полученных выводов [18]. Нелинейные свойства кинетических уравнений Блохинцева применительно к ТСЭЭ не были исследованы, хотя в ряде практически важных случаев они являются определяющими, например, при изучении неоднородных материалов. Не рассматривалась возможность описания ТСЭЭ с помощью моделей Ферхюльста и Арнольда-Хорстхемке-Лефевра (АХЛ) [19], стохастические варианты которых позволяют исследовать поведение функции плотности вероятности случайных флуктуирующих величин к которым, в частности относится плотность эмиссионного тока и концентрация свободных электронов в окисном слое металла. Таким образом, информационные возможности метода ТСЭЭ далеко не исчерпаны.

Актуальным является исследование нелинейного приближения системы кинетических уравнений ТСЭЭ и разработка на его основе новых способов определения количественных характеристик поверхности твердых тел (концентрации точечных дефектов, их энергетического спектра, электронного сродства и т. д.) по результатам измерений эмиссионного тока как интегральной характеристики поверхности. Так же актуально изучение закономерностей пространственного распределения плотности эмиссионного тока с позиций стохастических моделей Ферхюльста и АХЛ, позволяющих исследовать индуцированные шумом переходы в электронной системе окисного полупроводника. Соответственно, требуется разработка способов измерения распределения эмиссионного тока по поверхности, в том числе с развитым рельефом, поскольку классические электронно-оптические системы требуют высокой чистоты обработки исследуемой поверхности [20].

Из сказанного следует, что тема диссертационной работы представляет интерес, как для практического использования её результатов, так и с точки зрения дальнейшего развития теории ТССЭ.

Цель настоящей работы заключалась в следующем:

1) На основе нелинейного приближения кинетических уравнений Блохинцева для ТСЭЭ, разработать методику определения глубины электронных ловушек s, электронного сродства полупроводника концентрации электронных ловушек V] и начальной концентрации заполненных электронных ловушек vo в окисных слоях металлов;

2) Исследовать вероятностные характеристики ТСЭЭ, установить их связь с состоянием электронной системы окисного полупроводника и интенсивностью процессов (структурных изменений) происходящих в объёме металла.

Для выполнения сформулированных целей необходимо решить следующие задачи.

1. Сконструировать и изготовить установку для измерения интегрального потока эмитирующих электронов и получения электронного изображения достаточно большой площади поверхности образца позволяющего проводить вероятностные исследования плотности эмиссионного тока.

2. На основе решения нелинейного квазистационарного приближения кинетических уравнений ТСЭЭ разработать методику расчёта характеристик электронной системы окисных полупроводников на поверхности металла по параметрам экспериментально определяемой зависимости эмиссионного тока от температуры.

3. Рассмотреть возможность теоретического описания ТСЭЭ с помощью детерминированных уравнений Ферхюльста и Арнольда-Хорстхемке-Лефевра.

4. Рассмотреть возможность теоретического описания явления ТСЭЭ как неравновесного процесса, протекающего во флуктуирующей среде с помощью стохастических моделей Ферхюльста и Арнольда-Хорстхемке-Лефевра, а также установить влияние диффузии точечных дефектов из металла в окисел на параметры ТСЭЭ.

5. Провести экспериментальное обоснование предложенной теории на образцах различных материалов: как ранее исследовавшихся методом ТСЭЭ (технически.

11 чистые медь и алюминий), так и новых. Поскольку возможность исследования неравновесных состояний является преимуществом ТСЭЭ, для исследования выбран сильно неравновесный, в виду особенностей производства, материал ФНС-5 (фильтровальный материал из нержавеющей стали Х18Н15−2), имеющий широкое применение в технике.

Основные положения диссертации, выносимые на защиту.

1. Описание процесса термостимулированной электронной эмиссии с помощью нелинейного квазистационарного приближения системы кинетических уравнений Блохинцева, а так же уравнений Ферхюльста и Арнольда-Хорстхемке-Лефевра в детерминированной и стохастической формах.

2. Методика расчёта характеристик окисного полупроводника (концентрации электронных ловушек, положения энергетического уровня электронных ловушек относительно дна зоны проводимости, электронного сродства) по экспериментальной зависимости плотности эмиссионного тока от температуры.

3. Конструкция установки, позволяющей измерять пространственное распределение плотности тока термостимулированной электронной эмиссии с поверхностей, в том числе имеющих развитый рельеф.

4. Результаты определения параметров интегральной темновой термостимулированной электронной эмиссии с окисного слоя материала ФНС-5 и температурная зависимость вида функции плотности вероятности для эмиссионного тока с поверхности образца.

Выводы.

1. Разработана и изготовлена установка, позволяющая: производить интегральное измерение тока ТСЭЭвизуализировать эмиссионно-активные участки поверхности размером ~1 см2, в том числе имеющие сильно развитый рельефсканированием изображения измерять пространственное распределение плотности эмиссионного тока, для исследования его вероятностных характеристик.

2. Результаты измерений эмиссионной активности образцов технически чистых меди и алюминия (положение максимумов эмиссионного тока на температурной оси, их сдвиг при изменении скорости нагрева) соответствуют известным литературным данным. Впервые проведены измерения темновой термостимулированной эмиссии образца пористого материала ФНС-5 (сталь Х18Н15−2), температурная зависимость которой имеет от одного до трёх максимумов, что объясняется существованием на поверхности образца трёх состояний окисла, обнаруженных методом оптической интерферометрии. Подтверждена зависимость положения максимумов эмиссионного тока от скорости нагрева. Установлена чувствительность ТСЭЭ к механической обработке поверхности образца ФНС-5, обусловленная разрушением поверхностного окисного слоя и образованием нового. Полученные экспериментальные результаты не противоречат ранее применявшимся для описания ТСЭЭ моделям. Оригинальными являются результаты экспериментального определения вида функции плотности вероятности эмиссионного тока. Обнаружено, что для материала ФНС-5 она может иметь гиперболический, двугорбый или колоколообразный вид.

3. Впервые система уравнений Блохинцева, описывающая ТСЭЭ в квазистационарном приближении плотности свободных электронов, сведена к уравнению Арнольда-Хорстхемке-Лефевра — при диффузии точечных дефектов из объёма металла в окисел, и к уравнению Ферхюльста — при отсутствии инжекции электронов в зону проводимости полупроводника и диффузии из металла в окисел точечных дефектов. Оба уравнения имеют стохастические варианты.

4. Анализ стохастического варианта уравнения Арнольда-Хорстхемке-Лефевра показывает на возможность существования бистабильного состояния системы локализованных электронов в окисном полупроводнике, а уравнение Ферхюльста указывает на существование моностабильного состояния. Анализ подтвержден измерениями функции плотности вероятности для эмиссионного тока с поверхности, а также численными расчетами.

5. Впервые модель ТСЭЭ окисленного металла, рассмотренная с точки зрения нелинейного приближения системы уравнений Блохинцева, обобщая ранее использовавшиеся модели, описывает экспериментально наблюдаемое колоколообразное изменение эмиссионного тока с ростом температуры, изменение положения его максимума на температурной оси в зависимости от глубины электронных ловушек в, электронного сродства полупроводника % концентрации точечных дефектов (электронных ловушек) vi и скорости нагрева Ь. На основе численных способов разработана методика определения величин s, %, vi и частотных параметров, входящих в кинетические уравнения ТСЭЭ, по экспериментальной зависимости плотности эмиссионного тока от температуры. Получено для поверхностных окислов меди 8=(1,16±-0,04)эВ, %=(0,41±-0,05)эВ, алюминия -8=(0,90±-0,05)эВ, х=(0>26±0,05)эВ, материала ФНС-5 — г=(1,19+0,04)эВ, х=(1Д5+0,05) эВ, vi=(1,2±0,6)*102V.

Заключение

.

При исследовании закономерностей ТСЭЭ в рамках реализации сформулированных во Введении целей выполнено следующее.

На основе микроканальных пластин МКП-34−10 и люминесцентного экрана разработано и изготовлено устройство визуализации потока электронов, эмитирующих при термостимуляции с окисленной поверхности металла. Получаемое изображение поверхности сканируется микрообъективом, с регистрацией светового потока фотоэлектронным умножителем и записью сканограммы. Это позволяет измерять не только температурную зависимость плотности эмиссионного тока, но её распределение по поверхности образца на достаточно большой, для исследования статистических закономерностей, площади.

Устройство визуализации смонтировано на серийной установке ИМАШ 20−78, что даёт возможность проводить измерение эмиссии при деформации образца растяжением и осуществлять термостимуляцию с различной скоростью нагрева.

Измерения проводились на образцах технически чистых меди и алюминия, известных эмиссионной активностью при термостимуляции, и на материале ФНС-5, ранее не исследовавшемся этим методом. В силу особенности производства, поверхность ФНС-5 находится в неравновесном состоянии, имеет окисный слой с высокой концентрацией точечных дефектов и обладает высокой эмиссионной активностью. Таким образом, ФНС-5 позволяет использовать преимущества ТСЭЭ как метода исследования неравновесных состояний, и провести экспериментальную проверку модели ТСЭЭ, учитывающей повторный захват электронов ловушками.

Обнаружена чувствительность параметров ТСЭЭ к деформации поверхности образца ФНС-5. При различных температурах и скоростях нагрева получены сканограммы изображения его поверхности, на основе которых построены функции плотности вероятности для распределения эмиссионного тока по поверхности.

Теоретически исследована система кинетических уравнений Блохинцева, записанная для ТСЭЭ поверхности окисных полупроводников. Рассмотрены её квазистационарные для концентрации свободных электронов и заполненных электронных ловушек приближения. Предложена методика определения электронных характеристик окисла — электронного сродства, глубины электронных ловушек и их концентрации, по экспериментально измеряемой температурной зависимости эмиссионного тока.

Показано, что система уравнений Блохинцева в квазистационарном случае для концентрации свободных электронов сводится к моделям Ферхюльста или Арнольда-Хорстхемке-Лефевра. Записаны стохастические варианты указанных моделей, учитывающие действие на электронную систему окисла внешнего мультипликативного шума. Показано, что вид экспериментально полученного распределения плотности эмиссионного тока по поверхности окисного полупроводника при различных температурах и скоростях нагрева соответствует распределениям, теоретически полученным на основании модели Ферхюльста, и зависит от интенсивности генерационно-рекомбинационного шума. На основе модели Арнольда-Хорстхемке-Лефевра установлено, что возможно возникновение бистабильного состояния системы заполненных электронных ловушек в окисном полупроводнике. Условие возникновения бистабильности связано с интенсивностью процесса диффузии точечных дефектов из металла в окисел, что открывает дополнительные возможности использования ТСЭЭ для контроля деформационных процессов в твердых телах.

Таким, образом, можно констатировать, что основные цели, диссертационной работы, сформулированные во Введении, достигнуты.

Показать весь текст

Список литературы

  1. И. В сб. Экзоэлектронная эмиссия. М.: ИЛ, 1962.С.48.
  2. B.C., Слесарев А. И., Рогов В. В. Экзоэмиссионный контроль поверхности деталей после обработки. Киев: Наукова думка, 1986. С. 173.
  3. Ф.Ф., Кузнецов B.C., Сандомирский Б. Б. Хемосорбционные и каталитические свойства полупроводниковой плёнки на металле. // Кинетика и катализ. T.III. вып.5. 1962. С.712−723.
  4. Я.Е. Физика спекания. М.: Наука, 1977. С. 254.
  5. Г. Л., Мелехин В. П., Дехтяр Ю. Д. Экзоэлектронная спектроскопия дефектов твердого тела. Рига (Латвийское респ., правление НТО машиностроительной промышленности), 1981. С. 80.
  6. Р.А., Гавардин Я. Л., Дехтяр Ю. Д., Сагалович Г.Л, Казикова Е. А., Виноградов А. Я. К возможности экзоэмиссионного анализа электронной структуры плёнок аморфного кремния.//ФТТ.Т.31, Вып. 1. 1989. С.102−105.
  7. А.И., Клюев В. А., Топоров Ю. П., Ревина Е. С. Влияние гетерогенности диэлектрической пленки на процесс ее активации и параметры наблюдаемой с нее термостимулированной экзоэлектронной эмиссии. //ПЖТФ, Т.23. № 6. 1997. С.90−93.
  8. Н.А.Захаров, Т. В. Захарова В.А. Клюев, В. В. Горбачев. Экзоэлектронная эмиссия и критические явления в кристаллах CuCl. //ПЖТФ Т.27. Вып.8. 2001. С.43−46.
  9. Н.А., Клюев В. А., Орловский В. П. Термостимулированная экзоэлектронная эмиссия при структурном переходе Саю(Р04)б (0Н)2. //ПЖТФ. Т.27. Вып.4. 2001.С. 1−3.
  10. К.Б., Щербаков И. П., Русаков А. И., Семенов А. А. Эмиссионные процессы, сопровождающие деформирование и разрушение металлов. //ФТТ. Т. 41. Вып.5. 1999. С. 841−843.
  11. Schlenk W. Investigation of the thermally stimulated exoelectron emission (TSEE) from the aluminium surfaces. //Phys. stat. sol. V.33. № 1. 1976. P. 217−225.
  12. С.Н., Демин Ю. А. О возможности исследования диффузии вакансий при пластической деформации металлов с помощью стимулированной электронной эмиссии. //ФММ. Т.46.1979. С.650−653.
  13. В.А., Ершов С. Н., Черняховский В. В., Нагорных С. Н. Определение энергии миграции вакансий собственных междоузельных атомов в кремнии в интервале температур 400−600 К. //ПЖТФ Т.23. Вып. 12. С.688−891.
  14. А.И., Жамангулов А. А., Кидибаев М. М., Кортов B.C., Шульгин Б. В. Термостимулированная экзоэлектронная эмиссия кристаллов фторидов лития и натрия, активированных ураном. //ПЖТФ. Т.26. Вып.9. 2000. С.60−64.
  15. В.Е., Сидоркин А. С., Зальцберг B.C., Грибков С. П. Влияние радиационных дефектов на экзоэлектронную эмиссию с ниобата лития. //ФТТ. Т.30. Вып. 8. 1988. С.2544−2546.
  16. В.И., Векслер А. С., Гаврилюк А. А. Влияние термической обработки аморфного металлического сплава Fe64Co2iBi5 на спектральные особенности экзоэлектроной эмиссии. //ПЖТФ. Т.26. Вып. 12. 2000. С.76−81.
  17. В.А., Кутузова О. А., Ревина Е. С., Топоров Ю. П. Влияние механоактивации на экзоэмиссионные свойства активированного угля. //ПЖТФ. Т.27. Вып.5. 2001. С. 3235.
  18. С.Н., Куров И. Е., Геренрот М. Е. Определение параметров электронных ловушек в кристаллах с помощью ТСЭЭ. Радиационно-стимулированные явления в твердых телах. Свердловск: УПИ, 1980. С.37−40.
  19. Horsthemke W., Lefever R. Noise-Induced Transitions. Berlin, Springer, 1984. (Хорстхемке В., Лефевр P. Индуцированные шумом переходы: теория и применение в физике, химии и биологии. М: Мир, 1987.С.397.)
  20. В.М., Явор С. Я. Электронная оптика. Л.:Наука, 1968.С.486.
  21. .М., Ясколко В. Я. О соотношении между рекомбинационной люминесценцией и экзоэмиссией. Тр. Ташкентск. ун-та, 1963, вып. 221. С. 84−97.
  22. И.В. Новые достижения в экзоэмиссии и учебный эксперимент в высшей школе. //Учебный эксперимент в высшей школе. № 1. 1999. С.13−26.
  23. A.M., Креснин А. А. Применение экзоэлектронной эмиссии для исследования физико-химических свойств материалов. Харьков, УЗПИ, 1980. С. 76.
  24. Bohun A., Dolejsi J. Czech.J.Phys. N9. 1958. Р.578.
  25. Sharmann A. Exoelectron emission, phenomena and parameters. 4th international symposium on exoelectron emission and dosimetry. Liblice, 1973. P. 12−29.
  26. Р.И., Мильман И. И., Крюк В. И. Экзоэлектронная эмиссия полупроводников. //УФН. Т.119. Вып.4.1976. С. 749−766.
  27. Э. Экзоэлектроны. //УФН. Т.127. Вып. 1. 1979. С 163−174.
  28. Р.Н., Кортов B.C. О деформационном возбуждении металлов. //Изв. вузов. Физика. № 3.1968. С.44−50.
  29. М.Х., Жебынев Д. А., Алехин В. П., Шнырев Г. Д. О кинетике интенсивности ЭЭЭ с алюминия, деформированного растяжением в вакууме. //ФиХОМ. № 4. 1973. С.72−79.
  30. А.Г., Ройх И. Л. О связи экзоэлектронной эмиссии магния с окислением и деформационным возбуждением. //ФТТ. Т.12, Вып.12. 1970. С. 3400−3403.
  31. А.Г., Ордынская В. В., Ройх И. Л. К вопросу о кинетике экзоэлектроной эмиссии с окисляющихся металлических поверхностей. //Украинский физический журнал. Т. XV. № 2.1971.С.320−322
  32. Krylova I.V. The physico-chemical nature of exoelectron emission. 4th international symposium on exoelectron emission and dosimetry. Liblice, 1973. P.145−153.
  33. А.Ф., Мазуренко В. Г., Кортов B.C., Калентьев В. А. Термостимулированная экзоэлектронная эмиссия кристаллов кварца при многофононной ионизации радиационных Е-центров. //ФТТ. Т.ЗО. Вып. 11. 1988. С.3472−3474.
  34. И.Н., Кирпа В. И., Кружалов А. В., Поротников А. В. Термостимулированная эмиссия электронов и фотонов в нелинейных кристаллах 1ЛВ3О5. //ЖТФ. Т. № 7. 997. С. 121−125.
  35. С.Н. Роль вакансионных дефектов в стимулированной (экзоэлектронной) эмиссии металлов. Канд. дисс. Горький. 1975. С. 132.
  36. С.Н. Исследование миграции собственных точечных дефектов в различном зарядовом состоянии в элементарных полупроводниках. Автореферат, на соискание учен, степени к. ф-м.н. Горький. 1978. С. 15.
  37. В.В., Кяэмбре Х. Ф. Электронная эмиссия при рекомбинации дефектов Френкеля. //ПЖЭТФ. Т.44. Вып.4. С.177−179.
  38. В.А., Шульдинер А. В. Электронные возбуждения, возникающие вследствие пластического деформирования ионных кристаллов. //ФТТ. Т.41. Вып.5. 1999. С. 900−902.
  39. Baxter W.Y. Jn.Res.Tech. Nondestruct Test. London, 1977. V.3. P.395−428.
  40. Кортов В. С, Слесарёв А. И., Новикова B.C. Эмиссионная активность структурных дефектов.//ФММ. № 5. 1974. С.1108−1110.
  41. В.А., Николаев В. И., Смирнов Б. И., Шульдинер А. В. Эмиссионные явления при двойниковании кристаллов. //ФТТ. Т.34 Вып. 3. 1992. С.958−988.
  42. Шкилько А. М, Гордеев С. И., Троицкий С. В. Оже-механизм распада электронных дефектов при термостимулированной экзоэмиссии. //ФТТ. Т.ЗО. Вып. 10. 1988. С.3138−3140.
  43. А.В., Кортов B.C., Слесарев А. И. О роли электронных и дырочных центров в экзоэмиссии оксида магния. //ФТТ. Т.ЗЗ. Вып. 6. 1991. С.1915−1917.
  44. А.С., Гаврилюк А. А., Морозова И. Л., Семенов А. Л. Особенности экзоэлектронной эмиссии в аморфных металлических сплавах. //ФТТ. Т.43. Вып. 12. 2001. С.2113−2116.
  45. С.Н., Геренрот М. Е., Куров И. Е. Диагностирование реальной поверхности твердых тел с помощью термостимулированной экзоэлектронной эмиссии (ТСЭЭ). //ФХОМ. № 5. 1982. С. 32−35.
  46. В.И., Кортов B.C., Тале И. А., Слесарев А. И. Диффузионно-контролируемый туннельный механизм экзоэлектронной эмиссии в LiF. //ФТТ. Т.31. Вып. 9. 1989. С.264−266.
  47. А.С., Пономарёва Н. Ю., Миловидова С. Д. Электронная эмиссия в сегнетоэлектриках с различной величиной коэрцитивного поля. //ФТТ. Т.41. Вып. 9. 1999. С.1675−1678.
  48. О.В., Миловидова С. Д., Сидоркин А. С., Сидоркин А. А. Термостимулированная электронная эмиссия полярного скола кристалла триглицинсульфата. //ФТТ. Т.43. Вып. 7. 2001. С. 1272−1274.
  49. А.А., Сидоркин А.С, Рогазинская О. В., Миловидова С. Д. Термостимулированная эмиссия электронов в параэлектрической фазе кристалла ТГС с примесью хрома. //ФТТ.Т.45. Вып. 5. 2003. С.892−895.
  50. А.А., Сидоркин А. С., Рогазинская О. В., Миловидова С. Д. Термостимулированная эмиссия электронов в параэлектрической фазе кристалла триглицинсульфата, нагреваемого с большой скоростью. //ФТТ. Т.44. Вып. 2. 2002. С.344−346.
  51. Н.А.Захаров, В. А. Клюев, Ю. П. Топоров, Т. В. Захарова. Экзоэлектронная эмиссия кристаллов LiJ03. //ПЖТФ. Т.26. Вып.З. 2000. С.35−37.
  52. Л.М., Иванов В. Н. Энергия электронов при экзоэлектронной эмиссии с сегнетоэлектрика. //ПЖТФ. Т.24. № 14. 1998. С.54−57.
  53. В.Н., Рабкин JI.M. Распределение потенциала в сегнетокерамике при экзоэлектронной импульсной эмиссии электронов. //ЖТФ. Т.12. Вып. 8. 2002. С.27−33.
  54. С.П., Зальцберг B.C., Носова В. И., Рисин В. Е. Исследование послеэмиссии экзоэлектронов с кристаллов ниобата лития. //ФТТ Т.ЗЗ. Вып. 2. 1991. С.641−643.
  55. Мусатов A. JL, Израэлянц К. Р., Образцов Е. Д., Иванова С. Р., Скабалланович Т. А. Низковольтная нестационарная электронная эмиссия из одностенных углеродных нанотрубок экзоэлектронная эмиссия. //ПЖЭТФ. Т.82. Вып.1. 2005.С. 52−54.
  56. А.Г. Устойчивые измерения экзоэлектронной эмиссии открытым воздушным счётчиком. М.: ПНТПО ГОСИНТИ. № 18. 1966. С. 14.
  57. Д.М., Реснянский В. Ф. В сб. Исследование поверхности конструкционных материалов методом экзоэлектронной эмиссии. Свердловск, УПИ, 1969. С. 46−54.
  58. Чистяков П. И, Татаринова Н. В. //ЖТФ. Т.35. 1965. С. 1333.
  59. Н.В. //Поверхность. № 8. 1993. С.11−18.
  60. А.И. ВЭУ как детектор экзоэлектронов. В кн.: Техника и методика регистрации экзоэмиссии и акустической эмиссии. Изд-во Уральский политехнический институт. № 215. 1973.С. 26−31.
  61. В.П. В сб. Исследование поверхности конструкционных материалов методом экзоэлектронной эмиссии. Свердловск. УПИ. 1973. С. 90.
  62. М.Р., Поляков Б. В. Вторично-электронные умножители открытого типа и их применение. М.:1981, Энергоиздат. С. 140.
  63. В.И., Минц Р. И. Экзоэлектронная диагностика и прогнозирование усталостной прочности материалов. //Дефектоскопия. № 3. 1977.С.20−33.
  64. Л.Ф., Соловьев А. Л. Измерения экзоэмиссии с помощью канального умножителя. В кн.: Техника и методика измерения экзоэлектронной эмиссии. Свердловск. УПИ. 1973. С.32−34.
  65. B.C. Кортов, А. И. Слесарёв, B.C. Новикова. Сканирующий экзоэмиссионный дефектоскоп. Свердловск, 1974. (Информ. письмо ЦНТИ № 76−74.). С. 12.
  66. А.И., Новикова B.C. ФСЭЭ двумерных дефектов металла. В кн.: Атомная и молекулярная физика. Свердловск. УПИ. 1976. С. 75−77.
  67. Braunlich P. F Пат. 3 715 583 (США). Surface imaging utilizing exoelectron emission. Опубл. 02.02. 73.(Изображение поверхности с использованием экзоэлектронного микроскопа)
  68. P.F. Пат. 3 758 778 (США). Surface imaging exoelectron microscope. Опубл. 09.11.74. (наблюдение поверхности экзоэлектронным микроскопом)
  69. А.Г., Гаванин В. А., Зайдель И. Н. Вакуумные фотоэлектронные приборы. М.: Радио и связь, 1988. С. 272.
  70. Baxter W. J., Rouze S.R. A photoemission electron microscope using an electron multiplier avray. //Rev.Sei.Instrum V.44. № 11.1973. P.1628−1629.
  71. Shigeyuki Jamamoto. A versatile photostimulated exoelectron emission microscope as applied to observing mechanical damage on aluminum surfaces. //Japanese journal of applied physics. Vol.20, No5, May, 1981, p. 971−978.
  72. Braunlich P.F. The exoelectron microscope a new tool in surface science.- 4th Int. symp. on exoelectron emission and dosimetry. Libice, 1973. P.30−54.
  73. B.C., Минц Р. И. Установка для изучения экзоэлектронной эмиссии деформированных металлов. //Завод, лаб. Т.32. № 9.1966. С. 1144−1145.
  74. В.П., Кортов B.C., Минц Р. И. Установка для измерения экзоэлектронной эмиссии и работы выхода электрона при деформации металлов. //Завод, лаб. Т. 35. № 8. 1969. С.996−998.
  75. В.А., Пахотин В. А. Распределение центров механоэмиссии на поверхности деформируемых полимеров //Высокомолекулярные соединения. Т. XXV. № 12. 1983. С. 2617−2621.
  76. Г. Электронная эмиссия с поверхности твердых тел после механической обработки и облучения. /В кн. Экзоэлектронная эмиссия. Ред. Кобозев Н. И. М.: Изд. иностр. лит. 1962. С. 306.
  77. Balarin М., Zeizsche A. Bestimmung der Aktivierundsenergie fur die Beweglichkeit von Gitterdefekten durch Zeitlineares Aufheizen. Phys.stat. sol. 1962/ V.2.P. 1670.
  78. Baros L. Szillard testek exoelektron emissioja. Fiz.szemle. 1976. V.26. N4.P.121−131.
  79. B.B. Связь пиков ТСЭЭ и TCJI с параметрами кинетики. В кн.: Радиационно-стимулированные явления в твердых телах. Вып.5 Межвуз. сб. Свердловск. УПИ. 1983. С. 26−30.
  80. Э.А. Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов. ГИТЛ, 1956. С. 155.
  81. Nagornykh S.N. On exoelectron Emission Kinetics under Strain Exitation of Metals. 4th international symposium on exoelectron emission and dosimetry. Liblice, 1973. P. 178−192.
  82. B.B. О погрешности квазистационарного приближения при определении концентрации электронов проводимости в диэлектриках. АН ЭССР. Тр. института физики. Т.49.С. 185−191.
  83. Smith R.A. Semiconductors. Cambridge. 1978. (Р.Смит. Полупроводники. М.Мир.1982. С. 560.)
  84. Blatt F.J. Physics of electronic conduction in solids. Mc GRoW-Hill Book Company. 1968. (Ф.Блатт. Физика электронной проводимости в твердых телах. М.Мир.1971 С. 470.)
  85. В.Ф., Козлов С. Н., Зотеев А. В. Основы физики поверхности твердого тела. М.: Изд. Московского университета. Физич. факультет МГУ, 1999.С.284.
  86. .И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979. С. 416.
  87. Л.Н., Гомоюнова М. В. Эмиссионная электроника. М.:Наука, 1966. С. 564.
  88. Ю.В. Стохастически индуцированный гистерезис в оптической генерации носителей. //ПЖТФ. Т.24. № 14. 1998. С.1−4.
  89. В.М., Лешаков О. Э. Индуцированные шумом переходы в системе коагулирующих частиц. //ПЖТФ. Т.27. Вып.15. 2001. С.9−14.
  90. А.И., Харченко Д. О. Кинетика фазового перехода сингулярным мультипликативным шумом. //ФТТ. Т.42. Вып. 3. 2000. С.520−526.
  91. О.Я., Кравцов Ю. А., Суровяткина Е. Д. Использование гистерезиса в бифуркационных системах для измерения шума. //ЖТФ. Т.67. № 9. 1997. С. 128−131.
  92. Р.Л. Избранные вопросы теории флуктуаций в радиотехнике. М.Сов. радио. 1961. С. 276.
  93. Установка типа ИМАШ 20−78. Техническое описание. Фрунзе, Минмашлегпром, 1987. С. 77.
  94. В.И., Циванюк К. В., Нагорных С. Н. Устройство визуализации экзоэлектронной эмиссии стимулированной электрическим полем. Сб. Эмиссия с поверхности полупроводников, в том числе экзоэмиссия. Львов, 1989. С. 37.
  95. .М. Люминофоры для электровакуумной промышленности. М.: Энергия, 1967. С. 256.
  96. .С. Вакуумное напыление тонких пленок. М.: Энергия, 1967. С. 186.
  97. М.М., Степанов Б. М., Фанченко С. Д. Электронно-оптические преобразователи и их применение в научных исследованиях. М.: Наука, 1978. С. 432.
  98. М.Р., Поляков Б. В. Вторичноэлектронные умножители открытого типа и их применение. М.: Энергоиздат, 1981. С. 140.
  99. .В., Ларионов А. С., Калугин A.M. Электровакуумные электронные и ионные приборы. Справочник. Кн. 1. М.: Энергия, 1970. С. 672.
  100. ЮО.Брусиловский Б. А. Кинетическая ионно-электронная эмиссия. М.: Энергоатомиздат, 1990. С. 182.
  101. Пластина микроканальная. Паспорт, г. Орджоникидзе, 1989 г. С. 2.
  102. Ю2.Умножитель вторично-электронный. ВЭУ-6. Паспорт, г. Орджоникидзе, 1989. С.4
  103. А.К., Грохольский Б. П. Порошковая металлургия и применение композиционных материалов. М.:Металлургия, 1988. С. 252.
  104. Ю4.Шмелёв А. С. Промышленное освоение пористых лент из порошка нержавеющей стали и титана. //Порошковая металлургия. № 1. 1971. С. 99.
  105. Листовые материалы, полученные методом проката порошков (проспект). г. Выкса, ОАО ВМЗ, 1999 г. С. 12.
  106. Юб.Крушанский А. Н. Спекание изделий из металлических порошков. М.:Металлургия, 1979. С. 68.
  107. Ю7.Нагорных С. Н., Павленков В. И., Москаева Н. П. Некоторые способы регистрации экзоэлектронной эмиссии. //Учебный эксперимент в высшей школе. № 1. 2004. С.37−49.
  108. Ю9.Варнавин С. В., Нагорных С. Н., Павленков В. И., Циванюк К. В. Экзоэмиссионная диагностика усталостных повреждений поверхности металлов. Сб. Поверхности раздела, структурные дефекты и свойства металлов и сплавов. Череповец, 1988 г. С. 48.
  109. И.Е., Циванюк К. В., Жебынев Д. А., Жебынева Н. Ф., Павленков В. И., Нагорных С. Н., Варнавин С. В. Эмиссионный анализ разрушения титановых сплавов. Сб. Эмиссия с поверхности полупроводников, в том числе экзоэмиссия. Львов, 1989. С. 36.
  110. К.В., Павленков В. И., Сидорова А. И., Нагорных С. Н. Экзоэмиссионный анализ разрушения системы металл-покрытие. Сб. Эмиссия с поверхности полупроводников, в том числе экзоэмиссия. Львов, 1989. С. 38.
  111. З.Богданов Р. И. Нелинейные динамические системы на плоскости и их приложения (с решением проблемы Гильберта) М.: Вузовская книга, 2003, С. 376.
  112. Н.С. Дифференциальное и интегральное исчисление. М.: Физматгиз 1963. С. 856.
  113. С.Н., Павленков В. И. О возможности определения методом термостимулированной электронной эмиссии параметров электронных ловушек в неоднородных слоях. //ПЖТФ. Т. 31. Вып. 5. 2005. С. 1−5.
  114. Физико-химические свойства окислов. Справочник. Ред. Самсонов Г. В. М.: Металлургия, 1978. С. 472.
  115. С.Н., Павленков В. И. Визуализация ловушек в окисных полупроводниках термостимулированной электронной эмиссией. //ПЖТФ. Т.31. Вып.14. 2005.С.40−44.
  116. С.Н., Павленков В. И. Бифуркация Ферхюльста и уравнения Блохинцева в исследовании распределения электронной стимулированной эмиссии по поверхности окисленного металла. //Поверхность. 2006. № 4. С.14−18.
  117. С.Н., Павленков В. И. О существовании бистабильных стационарных состояний концентрации электронных ловушек в поверхностных окислах металлов. // ПЖТФ, 2006. Т.32. Вып.11. С. 6−10.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!